CN1146623C - 研磨用组合物及漂洗用组合物 - Google Patents
研磨用组合物及漂洗用组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1146623C CN1146623C CNB991248880A CN99124888A CN1146623C CN 1146623 C CN1146623 C CN 1146623C CN B991248880 A CNB991248880 A CN B991248880A CN 99124888 A CN99124888 A CN 99124888A CN 1146623 C CN1146623 C CN 1146623C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid
- composition
- polishing
- component
- salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title description 58
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 125
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 69
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 51
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 71
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 32
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 13
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 8
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 6
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 6
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 229950006191 gluconic acid Drugs 0.000 claims description 6
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 6
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 6
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 claims description 6
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 4
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 4
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims description 4
- QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N (2R)-2-hydroxy-2-phenylacetic acid Chemical compound O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1.O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1 QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N 0.000 claims description 3
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GEHMBYLTCISYNY-UHFFFAOYSA-N Ammonium sulfamate Chemical compound [NH4+].NS([O-])(=O)=O GEHMBYLTCISYNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 3
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 claims description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 3
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N R-2-phenyl-2-hydroxyacetic acid Natural products OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M [(1s,2s)-2-amino-1,2-diphenylethyl]-(4-methylphenyl)sulfonylazanide;chlororuthenium(1+);1-methyl-4-propan-2-ylbenzene Chemical compound [Ru+]Cl.CC(C)C1=CC=C(C)C=C1.C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)[N-][C@@H](C=1C=CC=CC=1)[C@@H](N)C1=CC=CC=C1 AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M 0.000 claims description 3
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 3
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 3
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 claims description 3
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 claims description 3
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-hydrazinyl-3-oxopropanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)NN HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960002989 glutamic acid Drugs 0.000 claims description 3
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 claims description 3
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical compound O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- DITXJPASYXFQAS-UHFFFAOYSA-N nickel;sulfamic acid Chemical compound [Ni].NS(O)(=O)=O DITXJPASYXFQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 3
- 235000010289 potassium nitrite Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004304 potassium nitrite Substances 0.000 claims description 3
- TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N sodium molybdate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims description 3
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940001516 sodium nitrate Drugs 0.000 claims description 3
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 claims description 3
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 abstract 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 abstract 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 abstract 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 55
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 20
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 12
- -1 alkylbenzene sulfonate Chemical class 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229940006186 sodium polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- UOFGSWVZMUXXIY-UHFFFAOYSA-N 1,5-Diphenyl-3-thiocarbazone Chemical compound C=1C=CC=CC=1N=NC(=S)NNC1=CC=CC=C1 UOFGSWVZMUXXIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHVDTGUDJYJELY-UHFFFAOYSA-N 6-{[2-carboxy-4,5-dihydroxy-6-(phosphanyloxy)oxan-3-yl]oxy}-4,5-dihydroxy-3-phosphanyloxane-2-carboxylic acid Chemical compound O1C(C(O)=O)C(P)C(O)C(O)C1OC1C(C(O)=O)OC(OP)C(O)C1O FHVDTGUDJYJELY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229920001732 Lignosulfonate Polymers 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229940072056 alginate Drugs 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910021502 aluminium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005354 coacervation Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N dimethylglyoxime Chemical compound O/N=C(/C)\C(\C)=N\O JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 235000019357 lignosulphonate Nutrition 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N titanium(III) oxide Chemical compound O=[Ti]O[Ti]=O GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
1种包含(a)水，(b)至少一种选自聚苯乙烯磺酸及其盐的化合物，(c)选自除组分(b)的无机酸、有机酸及它们的盐类的化合物，(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅及二氧化锰的研磨材料，在对用于存储器硬盘的基片进行抛光时研磨速度更快、消泡性更好、并可防止微细凹痕、微小突起及其他表面缺陷产生的研磨用组合物；1种包含以上(a)～(c)组分，在对基片进行抛光的前处理及(或)后处理时消泡性更好，并可充分除去基片表面附着物和研磨粉等的漂洗用组合物。
Description
技术领域
本发明涉及在制作存储器硬盘，即用于计算机等的存储装置的磁盘用基盘时，适用于其表面研磨的研磨用组合物或在其表面研磨前处理及(或)后处理中适用的漂洗用组合物。
更具体来讲，本发明涉及在进行用于以Ni-P硬盘、Ni-Fe硬盘、铝硬盘、硼碳化钙硬盘及碳硬盘等为代表的存储器硬盘的硬盘基盘(以下称为“基片”)的加工研磨时，或者在进行加工研磨的前处理及(或)后处理时，其消泡性优于以往研磨用组合物，且研磨速度更快，可防止微细凹痕、微小突起及其他表面缺陷的产生，并能够获得良好加工表面的研磨用组合物。本发明还涉及在进行基片的加工研磨的前处理及(或)后处理时，其消泡性优于以往漂洗组合物、并能够充分除去基片表面附着物和研磨粉等的漂洗用组合物。
背景技术
用于作为计算机等的存储媒体之一的磁盘存储器硬盘正朝着小型化和大容量方向发展，磁性媒体则通过溅射法和电镀法及其他方法向薄膜媒体发展，从而取代传统的涂布型。
目前，最广泛普及的基片是在坯件上通过无电解Ni-P电镀成膜而获得的。上述坯件是指利用车轮专用立式车床加工，使用了固定SiC研磨材料而制得的PVA砂轮的研磨加工及其他方法对作为基片基材的铝及其他基盘进行整形达到平行且平整的目的而获得的材料。但是，利用前述各种整形方法并不能够彻底除去波纹。由于在坯件上成膜的无电解Ni-P电镀膜也沿前述波纹成膜，所以，基片上也残留有波纹。除去基片上的波纹以使表面光滑为目的而进行研磨。
随着存储器硬盘的大容量化，面存储密度正以每年数十％的比例上升。因此，存储一定量的信息在存储器硬盘上所占据的空间越来越小，存储所必须的磁力减弱。所以，迫切需要减小作为磁头和存储器硬盘的空隙的磁头工作间隙，目前，该磁头工作间隙被控制在0.02μm以下。
通过信息的读写，磁头被存储器硬盘吸引和利用在基片表面上研磨形成与存储器硬盘旋转方向不同的一定方向的纹理，以防止存储器硬盘上的磁场不均匀为目的，进行了在研磨后的基片上形成同心圆状纹理的所谓纹理加工。最近，以进一步减小磁头工作间隙为目的，进行了使基片上的纹理更薄的轻纹理加工，或者是不进行纹理加工、直接使用无纹理的基片。这样，同时开发了有利于磁头工作间隙减小的技术，使磁头工作间隙进一步缩小。
磁头悬浮在高速旋转的存储器硬盘表面上，但在与存储器硬盘表面间存在数μm的间隙时，这样信息就不能够被完全写入，会发生所谓“位漏”的信息遗漏和信息读取不良的情况，成为出现差错的原因。
这里的“凹痕”是指基片上原先存在的凹陷，或者是因为在研磨基片表面时产生的凹陷，微细凹痕是指直径约小于50μm的凹陷。
因此，在形成磁性媒体的前工序，即研磨加工时，缓解基片表面的粗糙程度是很重要的，与此同时，还需要完全除去较大的波纹、微小突起和凹痕及其他表面缺陷。
为了达到前述目的，以往，一般使用氧化铝或其他各种研磨材料及水中包含各种研磨促进剂的研磨用组合物(以下，根据其性状称为“料浆”)进行1次研磨。例如，日本专利公报昭64-436号和日本专利公报平2-23589号揭示了在水和氢氧化铝中添加混合了硝酸铝、硝酸镍或硫酸镍等各种研磨促进剂，成为料浆状的存储器硬盘用研磨组合物。此外，日本专利公报平4-38788号揭示了在水和氧化铝研磨材料微粉中添加混合了作为研磨促进剂的葡糖酸或乳酸和作为表面改性剂的胶体氧化铝而形成的酸性铝质磁盘用研磨组合物。
但是，前述任何研磨用组合物都很难完全满足1次研磨后能够除去基片表面较大的波纹和表面缺陷，且在一定时间内使表面粗糙程度有很大改善，防止产生微小突起、微细凹痕及其他表面缺陷这些条件。因此，研究了进行2次以上研磨的工艺。
求得的表面粗糙度由基片的制作工艺、存储器硬盘的最终存储容量及其他条件决定，也可根据求得的表面粗糙度，采用2次以上的研磨工序。
在进行2次研磨时，第1次研磨的目的是除去基片表面较大的波纹、较大的凹痕及其他表面缺陷，即以整形为主要目的。所以，对所用研磨用组合物的缓解表面粗糙度的能力没有要求，但在第2次研磨时要求其不产生不能够除去的较深的刮痕、且对前述波纹和表面缺陷的加工修正能力较大。为了加快研磨速度，作为组合物中的研磨材料使用了粒径较大的材料。
第2次研磨，即抛光的目的是充分缓解基片的表面粗糙度。因此，除了第1次研磨所要求的对较大的波纹及表面缺陷进行加工修正的能力较强之外，还要能够缓解表面粗糙度，并要求能够防止微小突起、微细凹痕及其他表面缺陷的产生。
以往，不论是第1次研磨还是第2次研磨，都采用组合物中的研磨材料使用粒径较小的材料的方法，或是使用包含表面活性剂的研磨用组合物的方法作为缓解基片表面粗糙度的手段。例如，日本专利公开公报平5-32959号揭示了以包含水、氧化铝研磨材料和氟系表面活性剂为特征的研磨用组合物。日本专利公开公报平5-59351号揭示了以包含水、氧化铝研磨材料、作为研磨促进剂的水溶性金属盐及氟系表面活性剂为特征的金属材料的研磨用组合物。日本专利公开公报平5-112775号揭示了以包含水、氧化铝研磨材料、氟系表面活性剂及氨基酸为特征的金属材料的研磨用组合物。
但是，就本发明者们所知，在使用粒径较小、特别是平均粒径在2μm以下的氧化铝研磨材料，水、水溶性金属盐或氨基酸及氟系表面活性剂组成的研磨用组合物时，研磨速度明显变慢，不利于实际生产，而且，由于组合物的研磨加工能力较弱，所以，存在容易产生微细凹痕及刮痕等的问题。另外，由于该组合物容易起泡，所以难以处理，存在排水处理的问题。通过在该组合物中添加消泡剂抑制发泡的情况下，研磨速度将进一步减慢，易产生表面缺陷。此外，前述包含烷基苯磺酸盐等表面活性剂的研磨用组合物也特别容易起泡，所以，处理起来很困难，也会产生排水处理的问题。
另一方面，在为除去研磨产生的微小突起而进行的基片洗涤过程中，对研磨后的基片进行了漂洗处理。这种漂洗处理的主要目的是洗净研磨后残留于基片表面的研磨粉和研磨材料粒子。
基片研磨及纹理加工后，如果让使用后的料浆(以下成为“废液”)附着在基片表面而直接进行干燥，则在其后的洗涤过程中不能够完全除去料浆，相反容易产生微细凹痕和微小突起。此外，如果将研磨和纹理加工后被料浆污染的基片直接送入洗涤装置，会给洗涤装置的操作带来负担。另外，残留在基片表面的废液会附着在操作者的身体和衣服上，或者污染操作现场而引起操作环境污染问题。对研磨及纹理加工后的基片进行漂洗处理也是为了防止这些问题的产生。
为了达到前述目的，以往在研磨和纹理加工后，用纯水或含有烷基苯磺酸盐等表面活性剂的漂洗用组合物取代料浆，在研磨或纹理加工装置内，以相当短的时间和低负荷，对基片进行漂洗处理。但是，这种用纯水或漂洗用组合物进行的漂洗处理反而产生了微小突起，或者并不能够防止稳定的微小突起的产生，所用的表面活性剂不能够在洗涤过程中完全除去，从而残留在基片上。另外，还会引起产生除微小突起以外的表面缺陷(例如，刮痕或凹痕等)的问题。由于前述含有烷基苯磺酸盐等表面活性剂的漂洗用组合物容易起泡，所以，与前述组合物同样，处理起来很困难，还会引起排水处理问题。因此，要求一种不会起泡、即使起泡也能够在短时间内消泡的消泡性较高的漂洗用组合物。
发明目的
本发明的目的就是解决上述问题，提供了在对用于存储器硬盘的基片进行抛光处理时，与以往的研磨用组合物相比，消泡性更好，研磨速度更快，并且能够防止微细凹痕、微小突起及其他表面缺陷产生的同时可获得良好加工表面的研磨用组合物；本发明还提供了在进行基片抛光的前处理及(或)后处理时，与以往的漂洗用组合物相比，消泡性更好，并且能够充分除去基片表面的附着物和研磨粉等的漂洗用组合物。
(技术特征)
本发明的存储器硬盘的研磨用组合物的特征是包含以下(a)～(d)组分：
(a)水，
(b)至少一种选自聚苯乙烯磺酸及其盐的化合物，
(c)选自除组分(b)之外的无机酸、有机酸及它们的盐类的化合物，
(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅及二氧化锰的研磨材料。
本发明的存储器硬盘的漂洗用组合物的特征是包含以下(a)～(c)的组分：
(a)水，
(b)至少一种选自聚苯乙烯磺酸及其盐的化合物，
(c)选自除组分(b)之外的无机酸、有机酸及它们的盐类的化合物，
(效果)
在对用于存储器硬盘的基片进行抛光处理时，本发明的研磨用组合物与以往的研磨用组合物相比，消泡性更好，研磨速度更快，并能够防止微细凹痕、微小突起及其他表面缺陷的产生。此外，利用本发明的漂洗用组合物对基片进行漂洗时，与以往的漂洗用组合物相比，其消泡性更好，并能够充分除去基片表面的附着物和研磨粉等。
具体实施方式
(聚苯乙烯磺酸及其盐类)
本发明的研磨用组合物及漂洗用组合物的组分(b)包含至少一种选自聚苯乙烯磺酸及其盐类的化合物(以下称为“聚苯乙烯磺酸化合物”。本发明所指的聚苯乙烯磺酸除了包括聚苯乙烯苯环上的氢原子任意被磺酸基取代而形成的化合物之外，只要不破坏本发明的效果，还包括带有任意取代基的化合物，以及在不破坏本发明效果的前提下包含任意个重复单位的化合物。
较好的聚苯乙烯磺酸化合物是磺化苯乙烯与钠、钾及其他碱土金属形成的盐，以及与一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、吗啉、氨及其他胺化合物形成的盐。
对上述聚苯乙烯磺酸化合物的分子量没有特别的限定，其平均分子量较好为2,000～1,000,000，更好为10,000～50,000，最好为10,000～30,000。通过调整聚苯乙烯磺酸化合物的分子量，能够控制研磨速度和表面缺陷的抑制之间的平衡。
以组合物的全部重量为基准，上述聚苯乙烯磺酸化合物较好为本发明的研磨用组合物或漂洗用组合物的0.001～2重量％，更好为0.005～1重量％，最好为0.01～0.7重量％。如果增加这种聚苯乙烯磺酸化合物的含量，能够减少研磨用组合物产生微细凹痕及其他表面缺陷的机会，并能够提高漂洗用组合物除去附着物和研磨粉的能力，但如果其含量过高，则会减慢研磨速度，并影响加工能力，还会影响到减少凹痕和刮痕的效果，并降低去除附着物和研磨粉的能力，这些情况都是必须注意的。相反，如果聚苯乙烯磺酸化合物的含量过少，则不能够显现本发明的效果。
前述聚苯乙烯磺酸化合物应该溶存于组合物中。在不破坏本发明效果的范围内，这些聚苯乙烯磺酸化合物可以任意比例多种并用。
(无机酸、有机酸及它们的盐类)
本发明的研磨用组合物或漂洗用组合物的组分(c)包含选自除前述组分(b)之外的无机酸、有机酸及它们的盐类的至少一种化合物(以下称为“酸化合物”)。这些酸化合物可选自硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苦杏仁酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、乙醛酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸和柠檬酸及它们的盐或衍生物。具体来讲，包括硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁、硫酸铵、氯化铝、三氯化铁、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍及氨基磺酸铵。
这些酸化合物应该溶存于组合物中。只要不破坏本发明的效果，这些酸化合物可以任意比例多种并用。
本发明的研磨用组合物或漂洗用组合物中的酸化合物含量根据所用酸化合物种类有所不同，对应于组合物的全部重量，较好为0.01～30重量％，更好为0.1～25重量％，最好为0.5～20重量％。通过增加酸化合物的添加量，能够加快研磨速度，但如果添加过多，则化学作用增强，会产生微小突起、微细凹痕和其他表面缺陷。相反，如果添加量过少，则不能够充分显现本发明的效果。
(研磨材料)
可作为本发明的研磨用组合物组分中的主要研磨材料使用的适当的研磨材料为选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化钛、氮化硅、氧化锆及二氧化锰中的至少一种。
氧化铝包括α-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝、κ-氧化铝及它们的异构体，或者根据制备方法称为气炼氧化铝的物质。
二氧化硅包括胶体二氧化硅、气炼二氧化硅及其他制备方法和性状不同的多种二氧化硅。
氧化铈包括化合价为3价和4价的物质，以及从结晶系可分为六方晶系、等轴晶系及面心立方晶系的物质。
从结晶系分，氧化锆包括单斜晶系、正方晶系及非晶态物质，或者根据制备方法称为气炼氧化锆的物质。
从结晶系分，氧化钛包括一氧化钛、三氧化二钛、二氧化钛及其他物质，或者根据制备方法称为气炼氧化钛的物质。
氮化硅包括α-氮化硅、β-氮化硅、非晶氮化硅及其他形态的物质。
二氧化锰以形态分，包括α-二氧化锰、β-二氧化锰、γ-二氧化锰、δ-二氧化锰、ε-二氧化锰、η-二氧化锰及其他物质。
根据需要，可任意组合上述物质构成本发明的组合物。进行组合时，对组合方法和使用比例没有特别的限定。
上述研磨材料作为砂轮以机械作用研磨被研磨面的材料。其中二氧化硅的粒径是用BET法测定表面积求得的平均粒径，一般为0.005～0.5μm，较好为0.01～0.3μm。氧化铝、氧化锆、氧化钛、氮化硅及二氧化锰的粒径是通过激光衍射粒度测定器LS-230(美国Coulter公司生产，)测定的平均粒径，一般为0.01～2μm，较好为0.05～1.5μm。另外，氧化铈的粒径是通过扫描电子显微镜测得的平均粒径，一般为0.01～0.5μm，较好为0.05～0.45μm。
如果这些研磨材料的平均粒径超出上述范围，则被研磨表面变得粗糙，会出现刮痕等。相反，如果平均粒径小于上述范围，则研磨速度变得极慢，不实用。
对应于组合物的全部重量，研磨用组合物中的研磨材料的含量一般为0.1～50重量％，较好为1～25重量％。如果研磨材料的含量过少，则易产生微小突起和微细凹痕，以及其他表面缺陷，研磨速度也变慢。相反，如果含量过多，则不能够保证均匀分散，且组合物粘度过大，不易处理。
(研磨用组合物及漂洗用组合物)
一般，根据所需含量，使上述各组分，即选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅及二氧化锰的研磨材料(组分(d))与水(组分(a))混合并分散，再使聚苯乙烯磺酸化合物(组分(b))及酸化合物(组分(c))溶解就可制得本发明的研磨用组合物。使上述组分分散或溶解于水的方法可任意选择，例如，利用翼式搅拌机进行搅拌，通过超声波进行分散。此外，它们的混合顺序也是任意的，可先进行研磨材料的分散和聚苯乙烯磺酸化合物或酸化合物的溶解中的一个步骤，也可同时进行。
一般，使上述各组分，即聚苯乙烯磺酸化合物(组分(b))及酸化合物(组分(c))溶于水(组分(a))就可制得本发明的漂洗用组合物。使上述组分溶解于水的方法可任意选择，例如，利用翼式搅拌机进行搅拌，通过超声波进行分散。此外，它们的混合顺序也是任意的，可先进行聚苯乙烯磺酸化合物或酸化合物的溶解中的一个步骤，也可同时进行。
在配制上述研磨用组合物或漂洗用组合物时，可根据保证产品质量和稳定化的目的、被加工物的种类、加工条件及其他研磨加工上的需要，添加各种公知的添加剂。
即，上述添加剂的较好例子如下所示。
(1)纤维素类，例如，纤维素、羧甲基纤维素及羟乙基纤维素及其他；
(2)水溶性醇类，例如，乙醇、丙醇及乙二醇及其他；
(3)有机聚阴离子系物质，例如，木质素磺酸盐及聚丙烯酸盐及其他；
(4)水溶性高分子(乳化剂)类，例如，聚乙烯醇及其他；
(5)螯合剂，例如，丁二酮肟、双硫腙、8-羟基喹啉、乙酸乙酯、甘氨酸、EDTA、NTA及其他；
(6)杀菌剂，例如，藻酸钠、碳酸氢钠及其他。
用于本发明研磨用组合物的较理想的前述研磨材料，如聚苯乙烯磺酸化合物或酸化合物除了具备前述用途之外，还可作为辅助添加剂起到防止研磨材料沉降等的作用。
本发明的研磨用组合物及漂洗用组合物一般被配制成浓度较高的原液来储存或运输等，在实际进行研磨加工时或漂洗处理时可稀释使用。前述较理想的浓度范围是实际研磨加工时或漂洗处理时的浓度。当然，使用时采用稀释的方法，或需要储存或运输等的情况下，溶液浓度更高。此外，从处理的角度出发，以浓缩状态制备是较理想的。
尽管利用本发明的研磨用组合物获得了表面粗糙度较小的研磨面，但其与以往含有烷基苯磺酸盐或氟系表面活性剂的研磨用组合物相比，研磨速度更快、表面粗糙度更小、微细凹痕和微小突起及其他表面缺陷产生的机率减少的详细机理并不很清楚，以电镀了Ni-P的基片为例进行了以下考察。
首先，聚苯乙烯磺酸化合物具有使研磨材料粒子适度凝聚的作用，粒径较小的研磨材料粒子以较弱的凝聚力凝聚。一般，如果研磨用组合物的研磨加工能力较低，则易产生微细凹痕，由于本发明的研磨用组合物以较弱的凝聚力使粒径较小的研磨材料粒子凝聚，所以研磨加工能力有所提高，并获得了较快的研磨速度。此外，这种凝聚在研磨加工过程中慢慢解离，对加工面的损害较小，能够获得表面粗糙度较小的加工面。另外，前述凝聚的研磨材料粒子的机械作用及其与酸化合物的化学作用虽然不能够对微细凹痕等表面缺陷(存在加工应变的部分)进行选择性加工，但能够不使该缺陷变大，从而获得均匀的加工面。组合物中的研磨材料和研磨时削出的粉末覆盖在研磨面上，聚苯乙烯磺酸化合物能够使其难以附着在基片表面，并可减少微小突起等表面缺陷的产生。
本发明的漂洗用组合物的主要目的是在研磨处理后除去附着物和研磨粉。但是，如果在研磨处理前使用该漂洗用组合物，能够使基片表面受到化学作用，从而获得加快研磨速度，并降低研磨后的表面粗糙度的效果。所以，本发明的漂洗用组合物的使用并不限定在研磨处理后，还可在研磨处理前使用。
此外，利用本发明的研磨用组合物进行研磨加工时，其前及(或)其后，最好用本发明的漂洗用组合物进行漂洗处理。本发明的漂洗用组合物可用于经过任意的研磨用组合物处理的基片，也可用于将被处理的基片，最好是与本发明的研磨用组合物并用。在利用本发明的研磨用组合物进行研磨处理前，通过漂洗用组合物的处理，能够获得辅助的化学效果。用本发明的研磨用组合物进行研磨处理后，通过漂洗用组合物的处理，能够有效除去残留在基片表面的研磨用组合物的各组分和研磨粉等。
以下，通过实施例对本发明的研磨用组合物及漂洗用组合物进行具体说明。
本发明并不仅限于以下所述各实施例，只要不超出本发明的技术范围即可。
实施例1 研磨试验
(研磨用组合物的配制)
首先，利用搅拌机使作为研磨材料的氧化铝、氧化锆或氧化钛分别分散在水中，配制出研磨材料浓度为10重量％的料浆。然后，添加混合表1所示量的酸化合物及聚苯乙烯磺酸化合物(或用于比较的烷基苯磺酸钠、十二烷基苯磺酸三乙醇胺或作为氟系化合物的全氟烷基胺化氧)，配制出实施例1～9和比较例1～8的试样。
表1
| 研磨材料 | 酸化合物 | 添加量(重量％) | 聚苯乙烯磺酸化合物 | 添加量(重量％) | |
| 实施例1 | 氧化Al*1 | 硝酸Al*4 | 0.5 | PSS-Na*6 | 0.01 |
| 实施例2 | 氧化Al | 硝酸Al | 0.5 | PSS-Na | 0.1 |
| 实施例3 | 氧化Al | 硫酸Al*5 | 0.5 | PSS-Na | 0.1 |
| 实施例4 | 氧化Al | 苹果酸 | 0.5 | PSS-Na | 0.1 |
| 实施例5 | 氧化Al | 葡糖酸 | 0.5 | PSS-Na | 0.1 |
| 实施例6 | 氧化Al | 硝酸Al | 0.5 | PSS-K*7 | 0.1 |
| 实施例7 | 氧化Al | 硝酸Al | 0.5 | PSS-TEA*8 | 0.1 |
| 实施例8 | 氧化Zr*2 | 硝酸Al | 0.5 | PSS-Na | 0.1 |
| 实施例9 | 氧化Ti*3 | 硝酸Al | 0.5 | PSS-Na | 0.1 |
| 比较例1 | 氧化Al | 硝酸Al | 0.5 | - | - |
| 比较例2 | 氧化Al | 硝酸Al | 0.5 | - | - |
| 比较例3 | 氧化Al | 苹果酸 | 0.5 | - | - |
| 比较例4 | 氧化Al | 葡糖酸 | 0.5 | - | - |
| 比较例5 | 氧化Ti | 硝酸Al | 0.5 | - | - |
| 比较例6 | 氧化Al | 硫酸Al | 0.5 | ABS-Na*9 | 0.1 |
| 比较例7 | 氧化Al | 硫酸Al | 0.5 | DBS-TEA*10 | 0.1 |
| 比较例8 | 氧化Al | 硫酸Al | 0.5 | PAAO*11 | 0.1 |
*1 氧化Al：氧化铝
*2 氧化Zr：氧化锆
*3 氧化Ti：氧化钛
*4 硝酸Al：硝酸铝
*5 硫酸Al：硫酸铝
*6 PSS-Na：聚苯乙烯磺酸钠
*7 PSS-K：聚苯乙烯磺酸钾
*8 PSS-TEA：聚苯乙烯磺酸三乙醇胺
*9 ABS-NA：烷基苯磺酸钠
*10 DBS-TEA：十二烷基苯磺酸三乙醇胺
*11 PAAO：全氟烷基胺化氧
(研磨试验用基片的制作)
使用前述研磨用组合物，制得进行研磨试验的基片。为了通过2次研磨进行评估，首先，制作以下试验用基片。
研磨条件(第1次)
被加工物 3.5英寸无电解Ni-P基片
加工块数 10块
研磨机 双面研磨机(基盘直径640mm)
研磨填料 Politex DG(美国Rodel公司制)
加工压力 80g/cm2
基盘转速 60rpm
研磨用组合物 DISKLITE-3471(不二见株式会社制)
组合物稀释率 1∶2纯水
研磨用组合物供给量 100cc/分
研磨时间 5分钟
(研磨试验)
然后，使用第1次研磨结束后的基片，利用上述研磨用组合物进行研磨试验。其条件如下。
研磨条件(第2次)
被加工物 3.5英寸无电解Ni-P基片(第1次研磨结束后)
加工块数 10块
研磨机 双面研磨机(基盘直径640mm)
研磨填料 Politex DG(美国Rodel公司制)
加工压力 60g/cm2
基盘转速 60rpm
研磨用组合物供给量 100cc/分
研磨时间 5分钟
研磨后，依次洗净基片，并使其干燥，然后，测定经过研磨的基片的重量的减少量，由其平均值求出研磨速度。
微分干涉显微镜(50倍)观察基片表面，测定是否存在微小突起或微细凹痕，其评估标准如下。
○：目测几乎未观察到微小突起或微细凹痕；
×：目测可观察到微小突起或微细凹痕，已经到了需要引起注意的程度。
所得结果如表2所示。
此外，用匀化机以600rpm搅拌上述研磨用组合物，目测评估30秒钟后的消泡性，其评估基准如下。
○：泡沫较少，还未影响正常使用；
×：有较多泡沫，给正常使用带来问题。
所得结果如表2所示。
表2
| 研磨速度(μm/分) | 微细凹 | 消泡性 | |
| 实施例1 | 0.38 | ○ | ○ |
| 实施例2 | 0.36 | ○ | ○ |
| 实施例3 | 0.18 | ○ | ○ |
| 实施例4 | 0.15 | ○ | ○ |
| 实施例5 | 0.15 | ○ | ○ |
| 实施例6 | 0.30 | ○ | ○ |
| 实施例7 | 0.32 | ○ | ○ |
| 实施例8 | 0.15 | ○ | ○ |
| 实施例9 | 0.17 | ○ | ○ |
| 比较例1 | 0.40 | × | ○ |
| 比较例2 | 0.20 | × | ○ |
| 比较例3 | 0.20 | × | ○ |
| 比较例4 | 0.20 | × | ○ |
| 比较例5 | 0.23 | × | ○ |
| 比较例6 | 0.18 | × | × |
| 比较例7 | 0.35 | × | × |
| 比较例8 | 0.18 | × | × |
从表2所示结果可看出，本发明的研磨用组合物与以往的研磨用组合物相比，其研磨速度更快，不容易产生微细凹痕，消泡性也良好。
实施例2 漂洗试验
(漂洗用组合物的配制)
首先，用搅拌机使酸化合物分散并溶解于水中，配制出酸化合物浓度为0.5重量％的水溶液。然后，分别添加0.1重量％的选自聚苯乙烯磺酸盐、烷基苯磺酸钠或十二烷基苯磺酸三乙醇胺的表面活性剂，配制出表3所示的漂洗用组合物实施例10-13和比较例9～11。
表3
| 酸化合物 | 添加量(重量％) | 表面活性剂 | 添加量(重量％) | |
| 实施例10 | 硝酸铝 | 0.5 | PSS-Na*1 | 0.1 |
| 实施例11 | 硝酸铝 | 0.5 | PSS-K*2 | 0.1 |
| 实施例12 | 硝酸铝 | 0.5 | PSS-TEA*3 | 0.1 |
| 实施例13 | 苹果酸 | 0.5 | PSS-TEA | 0.1 |
| 比较例9 | 硝酸铝 | 0.5 | - | - |
| 比较例10 | 硝酸铝 | 0.5 | ABS-Na*4 | 0.1 |
| 比较例11 | 硝酸铝 | 0.5 | PSS-TEA*5 | 0.1 |
*1：PSS-Na：聚苯乙烯磺酸钠
*2：PSS-K：聚苯乙烯磺酸钾
*3：PSS-TEA：聚苯乙烯磺酸三乙醇胺
*4：ABS-Na：烷基苯磺酸钠
*5：DBS-TEA：十二烷基苯磺酸三乙醇胺
(漂洗试验)
首先，根据以下研磨条件，制得用于研磨试验的基片。
研磨条件
被加工物 3.5英寸无电解Ni-P基片
加工块数 10块
研磨机 双面研磨机(基盘直径640mm)
研磨填料 Politex DG(美国Rodel公司制)
加工压力 80g/cm2
基盘转速 60rpm
研磨用组合物 DISKLITE-3471(不二见株式会社制)
组合物稀释率 1∶2纯水
研磨用组合物供给量 100cc/分
研磨时间 5分钟
研磨处理结束后，马上按照以下漂洗条件进行漂洗处理。
漂洗条件
被加工物 3.5英寸无电解Ni-P基片(研磨结束后)
加工块数 10块
研磨机 双面研磨机(基盘直径640mm)
研磨填料 Politex DG(美国Rodel公司制)
加工压力 40g/cm2
基盘转速 30rpm
研磨用组合物供给量 300cc/分
漂洗时间 300秒
漂洗处理结束后，依次洗净基片，并使其干燥，然后，用微分干涉显微镜(50倍)观察基片表面，测定是否存在微小突起或微细凹痕。所得结果如表4所示。
此外，用匀化机以600rpm搅拌上述漂洗用组合物，目测评估30秒钟后的消泡性，所得结果如表4所示。
表4
| 微细凹痕 | 消泡性 | |
| 实施例10 | ○ | ○ |
| 实施例11 | ○ | ○ |
| 实施例12 | ○ | ○ |
| 实施例13 | ○ | ○ |
| 比较例9 | × | ○ |
| 比较例10 | × | × |
| 比较例11 | × | × |
从表4所示结果可看出，本发明的漂洗用组合物和以往的漂洗用组合物相比，不易产生微细凹痕，且消泡性良好。
本发明的研磨用组合物在对用于存储器硬盘的基片进行抛光处理时，与以往的研磨用组合物相比，其研磨速度更快，消泡性更好，并且能够防止微细凹痕、微小突起及其他表面缺陷的产生。本发明的漂洗用组合物在对基片进行抛光的前处理及(或)后处理时，与以往的漂洗用组合物相比，其消泡性更好，并且能够防止微细凹痕、微小突起及其他表面缺陷的产生。
Claims (10)
1.一种存储器硬盘的研磨用组合物，其特征在于，包含以下组分(a)～(d)：
(a)水，
(b)至少一种选自聚苯乙烯磺酸及其盐的化合物，
(c)选自除组分(b)之外的无机酸、有机酸及它们的盐类的化合物，
(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅及二氧化锰的研磨材料。
2.如权利要求1所述的研磨用组合物，其中的组分(c)选自硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苦杏仁酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、乙醛酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸和柠檬酸及它们的盐或衍生物。
3.如权利要求2所述的研磨用组合物，其中的组分(c)选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁、硫酸铵、氯化铝、三氯化铁、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍及氨基磺酸铵。
4.如权利要求1～3的任一项所述的研磨用组合物，其中的组分(c)的含量对应于研磨用组合物的总重量，为0.1～30重量％。
5.如权利要求1～3的任一项所述的研磨用组合物，其中的组分(b)的含量对应于研磨用组合物的总重量，为0.001～2重量％。
6.一种存储器硬盘的漂洗用组合物，其特征在于，包含以下组分(a)～(c)：
(a)水，
(b)至少一种选自聚苯乙烯磺酸及其盐的化合物，
(c)选自除组分(b)之外的无机酸、有机酸及它们的盐类的化合物。
7.如权利要求6所述的漂洗用组合物，其中的组分(c)选自硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苦杏仁酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、乙醛酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸和柠檬酸及它们的盐或衍生物。
8.如权利要求7所述的研磨用组合物，其中的组分(c)选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁、硫酸铵、氯化铝、三氯化铁、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍及氨基磺酸铵。
9.如权利要求6～8的任一项所述的研磨用组合物，其中的组分(c)的含量对应于研磨用组合物的总重量，为0.1～30重量％。
10.如权利要求6～8的任一项所述的研磨用组合物，其中的组分(b)的含量对应于研磨用组合物的总重量，为0.001～2重量％。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32643398 | 1998-11-17 | ||
| JP326433/1998 | 1998-11-17 | ||
| JP32645198A JP4014741B2 (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | リンス用組成物 |
| JP326451/1998 | 1998-11-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1253963A CN1253963A (zh) | 2000-05-24 |
| CN1146623C true CN1146623C (zh) | 2004-04-21 |
Family
ID=26572182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB991248880A Expired - Lifetime CN1146623C (zh) | 1998-11-17 | 1999-11-17 | 研磨用组合物及漂洗用组合物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6117220A (zh) |
| KR (1) | KR20000035505A (zh) |
| CN (1) | CN1146623C (zh) |
| GB (1) | GB2350369B (zh) |
| SG (1) | SG78405A1 (zh) |
| TW (1) | TW562851B (zh) |
Families Citing this family (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475407B2 (en) * | 1998-05-19 | 2002-11-05 | Showa Denko K.K. | Composition for polishing metal on semiconductor wafer and method of using same |
| US6553788B1 (en) * | 1999-02-23 | 2003-04-29 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass substrate for magnetic disk and method for manufacturing |
| US6428392B1 (en) * | 1999-03-23 | 2002-08-06 | Seimi Chemical Co., Ltd. | Abrasive |
| US6673757B1 (en) * | 2000-03-22 | 2004-01-06 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
| US6258140B1 (en) | 1999-09-27 | 2001-07-10 | Fujimi America Inc. | Polishing composition |
| US6488729B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-12-03 | Showa Denko K.K. | Polishing composition and method |
| US6454821B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-09-24 | Praxair S. T. Technology, Inc. | Polishing composition and method |
| EP1646091A3 (en) * | 2000-09-08 | 2006-04-19 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Etching liquid composition |
| JP4009986B2 (ja) | 2000-11-29 | 2007-11-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、およびそれを用いてメモリーハードディスクを研磨する研磨方法 |
| CN100378145C (zh) * | 2001-06-21 | 2008-04-02 | 花王株式会社 | 研磨液组合物 |
| JP4003116B2 (ja) | 2001-11-28 | 2007-11-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US6821897B2 (en) * | 2001-12-05 | 2004-11-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for copper CMP using polymeric complexing agents |
| US7563753B2 (en) * | 2001-12-12 | 2009-07-21 | Hynix Semiconductor Inc. | Cleaning solution for removing photoresist |
| US6776810B1 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
| US7677956B2 (en) | 2002-05-10 | 2010-03-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for dielectric CMP |
| JP4095833B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2008-06-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6936543B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-08-30 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants |
| US6974777B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions for low-k dielectric materials |
| GB2393186B (en) * | 2002-07-31 | 2006-02-22 | Kao Corp | Polishing composition |
| GB2395486B (en) * | 2002-10-30 | 2006-08-16 | Kao Corp | Polishing composition |
| US7071105B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-07-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
| US7186653B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-03-06 | Climax Engineered Materials, Llc | Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing |
| US20050022456A1 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-03 | Babu S. V. | Polishing slurry and method for chemical-mechanical polishing of copper |
| US7427361B2 (en) * | 2003-10-10 | 2008-09-23 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Particulate or particle-bound chelating agents |
| JP4249008B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2009-04-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| DE602005000732T2 (de) * | 2004-06-25 | 2007-12-06 | Jsr Corp. | Reinigungszusammensetzung für Halbleiterkomponente und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergeräts |
| JP2006077127A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP4667848B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2011-04-13 | 花王株式会社 | ガラス基板用研磨液組成物 |
| US7476620B2 (en) * | 2005-03-25 | 2009-01-13 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Dihydroxy enol compounds used in chemical mechanical polishing compositions having metal ion oxidizers |
| KR101100861B1 (ko) * | 2005-04-21 | 2012-01-02 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 금속 산화물 서스펜션 제조 방법 |
| US20060280860A1 (en) * | 2005-06-09 | 2006-12-14 | Enthone Inc. | Cobalt electroless plating in microelectronic devices |
| US7410899B2 (en) * | 2005-09-20 | 2008-08-12 | Enthone, Inc. | Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications |
| US7691287B2 (en) * | 2007-01-31 | 2010-04-06 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization |
| CN101802911B (zh) * | 2007-09-14 | 2013-01-02 | 花王株式会社 | 用于垂直磁记录方式硬盘用基板的水系洗涤剂组合物 |
| JP2010080022A (ja) | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Showa Denko Kk | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| CN102245750B (zh) * | 2008-12-19 | 2013-09-18 | 三洋化成工业株式会社 | 电子材料用清洗剂 |
| KR101126530B1 (ko) * | 2010-06-09 | 2012-03-22 | 주식회사 엔유씨전자 | 마그네슘 합금의 화학연마 방법 |
| JPWO2013088928A1 (ja) * | 2011-12-14 | 2015-04-27 | 旭硝子株式会社 | 洗浄剤、および炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 |
| US8859428B2 (en) | 2012-10-19 | 2014-10-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) composition for shallow trench isolation (STI) applications and methods of making thereof |
| US9058976B2 (en) * | 2012-11-06 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Cleaning composition and process for cleaning semiconductor devices and/or tooling during manufacturing thereof |
| CN102977790B (zh) * | 2012-12-21 | 2015-01-07 | 青岛文创科技有限公司 | 一种抛光剂 |
| KR101405333B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2014-06-11 | 유비머트리얼즈주식회사 | 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| CN105196193A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-30 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种含纳米氮化钛的高韧性超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105196192A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-30 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种含电气石的高活性高孔径率超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105127914A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-09 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种含纳米碳球的高表面光滑度超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105252426A (zh) * | 2015-08-27 | 2016-01-20 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种高耐磨高致密度的超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105127913A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-09 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种高硬度抗蠕变的超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105234835A (zh) * | 2015-08-27 | 2016-01-13 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种含纳米碳化铌弥散增强的高抗蚀超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105234838A (zh) * | 2015-08-27 | 2016-01-13 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种含有纳米硼化锆的耐磨高光滑度超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105234834A (zh) * | 2015-08-27 | 2016-01-13 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种高耐磨高导热性的超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105081990A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-11-25 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种含纳米纤维素晶须的高分散性超硬超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105234836A (zh) * | 2015-08-27 | 2016-01-13 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种含六钛酸钾晶须的低摩擦损耗超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105127916A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-09 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种低热膨胀高抗腐蚀的超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105234837A (zh) * | 2015-08-27 | 2016-01-13 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种高速磨削用自修复型超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105127915A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-09 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种含纳米碳纤维的高磨削精度高强度超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105127912A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-09 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种含纳米二硅化钼的高耐磨损超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| CN105108664A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-02 | 安徽威铭耐磨材料有限公司 | 一种具有减振降噪功效的高磨削精度超细粒度cbn砂轮及其制备方法 |
| US10294399B2 (en) * | 2017-01-05 | 2019-05-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing silicon carbide |
| CN111020591B (zh) * | 2019-12-09 | 2021-05-04 | 怀化学院 | 一种疏水性表面抛光的铝合金的制备方法 |
| CN115247026A (zh) * | 2021-04-26 | 2022-10-28 | 福建晶安光电有限公司 | 一种蓝宝石抛光液及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487146A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-31 | Lion Corp | Dispersant for polishing agent |
| JPH0284485A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Showa Denko Kk | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
| CA2021126C (en) * | 1989-07-13 | 1994-12-27 | David Elliott | Machine dishwashing compositions |
| JP3106339B2 (ja) * | 1994-02-04 | 2000-11-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| AU5884696A (en) * | 1995-06-23 | 1997-01-22 | Bausch & Lomb Incorporated | Method for cleaning contact lenses utilizing polysulfonates |
| EP0975728A4 (en) * | 1995-10-09 | 2000-02-02 | Procter & Gamble | HARD SURFACE CLEANING COMPOSITIONS |
| EP0786504A3 (en) * | 1996-01-29 | 1998-05-20 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JPH1036818A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-10 | Mitsubishi Chem Corp | ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いた研磨方法 |
| JP4141514B2 (ja) * | 1996-11-26 | 2008-08-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | リンス用組成物 |
| SG54606A1 (en) * | 1996-12-05 | 1998-11-16 | Fujimi Inc | Polishing composition |
| JPH10204416A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
| DE69722768T2 (de) * | 1997-04-30 | 2004-05-19 | The Procter & Gamble Company, Cincinnati | Saure Zusammensetzungen zum Entfernen von Kalkstein |
-
1999
- 1999-11-12 SG SG1999005634A patent/SG78405A1/en unknown
- 1999-11-16 US US09/441,295 patent/US6117220A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-16 KR KR1019990050868A patent/KR20000035505A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-11-17 GB GB9927203A patent/GB2350369B/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-17 TW TW088120069A patent/TW562851B/zh active
- 1999-11-17 CN CNB991248880A patent/CN1146623C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9927203D0 (en) | 2000-01-12 |
| GB2350369B (en) | 2003-08-20 |
| KR20000035505A (ko) | 2000-06-26 |
| GB2350369A (en) | 2000-11-29 |
| TW562851B (en) | 2003-11-21 |
| SG78405A1 (en) | 2001-02-20 |
| CN1253963A (zh) | 2000-05-24 |
| US6117220A (en) | 2000-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1146623C (zh) | 研磨用组合物及漂洗用组合物 | |
| CN1187427C (zh) | 研磨液组合物 | |
| CN1247731C (zh) | 抛光组合物 | |
| CN1134522C (zh) | 抛光组合物 | |
| CN1357586A (zh) | 抛光存储器硬盘用基片的抛光组合物及抛光方法 | |
| CN1180043C (zh) | 抛光组合物 | |
| CN1254518C (zh) | 铈类研磨材料浆剂及其制造方法 | |
| CN1240798C (zh) | 抛光组合物的用途和抛光存储器硬盘的方法 | |
| CN1667026A (zh) | 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法 | |
| CN1162499C (zh) | 铈基磨料、其原料及其制备方法 | |
| CN101064121A (zh) | 用于磁盘的玻璃基板的制造方法以及磁盘 | |
| CN1572858A (zh) | 基板的制造方法 | |
| CN1427025A (zh) | 研磨液组合物 | |
| CN1939992A (zh) | 抛光浆、GaxIn1－xAsyP1－y晶体表面处理方法和GaxIn1－xAsyP1－y晶体衬底 | |
| CN1781971A (zh) | 研磨液组合物 | |
| CN1826684A (zh) | 晶片的研磨方法 | |
| CN1295293C (zh) | 研磨液组合物 | |
| CN1379074A (zh) | 研磨用组合物及使用了该组合物的存储硬盘的制造方法 | |
| CN1944496A (zh) | 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法 | |
| CN111548737A (zh) | 一种金刚石研磨液及其制备方法 | |
| CN101050348A (zh) | 蚀刻液组合物、研磨用组合物及其制造方法以及研磨方法 | |
| CN1923943A (zh) | 研磨液组合物 | |
| JP2006205265A (ja) | 研磨方法および研磨用組成物 | |
| CN1475541A (zh) | 研磨液组合物 | |
| CN1680509A (zh) | 研磨液组合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20040421 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |