CN1357586A - 抛光存储器硬盘用基片的抛光组合物及抛光方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于存储器硬盘用基片的抛光组合物,包含下列组分:(a)水,(b)至少一种选自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物,(c)至少一种选自下列的化合物:硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸、柠檬酸以及它们的盐,(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和碳化硅的磨料。

Description

抛光存储器硬盘用基片的抛光组合物及抛光方法
发明背景
本发明涉及一种抛光组合物，该组合物用来对存储器硬盘(即用于例如计算机的一种存储器部件)用的磁盘基片表面进行抛光，本发明还涉及使用该组合物的抛光方法。
具体而言，本发明涉及一种抛光组合物及使用该组合物的抛光方法。与使用常规抛光组合物抛光的基片相比，它在抛光例如由Ni-P磁盘、Ni-Fe磁盘、铝磁盘、碳化硼磁盘和碳磁盘代表的存储硬盘用的基片时，在周边部分(以后称作边缘部分)不会增加边缘的垂直缺损度，并且可以制造具有高容量和高记录密度的磁盘装置。
发明背景
人们一直在作不断地努力，使存储器硬盘(它是一种用于例如计算机的存储介质)尺寸更小、容量更大且价格更低。目前得到非常广泛应用的基片是在一种坯料上形成的无电Ni-P敷镀膜作为基片。所用坯料的制法是对作为基片基底的铝质或其材料的基板进行整形，具体是用金刚石车削，用SiC磨料粘合制得的PVA磨石打磨或者用其它方法，为的是得到平行度或平整度。然而，通过上述种种整形方法不可能完全除去坯料上较大的波度。这样，无电Ni-P敷镀的膜会按坯料上的这个波度而形成。因此，这一波度就会留在基片上。为此，需进行表面抛光，消除基片上的波度，使其表面光滑平整。
随着存储器硬盘容量的增加，表面记录密度也以每年数十百分点的速率增加。因此，在存储器硬盘上由一预定量记录信息所占据的空间就比以前要小，进行记录所需的磁力也趋于变弱。所以，最近的磁盘设备需要使磁头的浮动高度(即磁头和存储器硬盘之间的距离)尽量小。
此外，在抛光之后有时会对基片进行所谓的纹理化加工，形成同心的圆划线，其目的是防止用于读写信息的磁头粘着在存储器硬盘上，并且防止基片表面进行抛光时形成的在不同于存储器硬盘旋转方向的某些方向上的划线致使存储器硬盘的磁场变得不均匀。
近年来，为了进一步缩短磁头的浮动高度，人们对基片进行轻微纹理化加工来进一步减少其上面形成的划线，或者使用未经纹理化加工的没有划线的基片。人们已经开发出使得磁头浮动高度更低的技术，所以磁头浮动高度的缩短比以前进展得更快了。结果，磁头浮动高度降低到不超过0.02μm。
磁头是在非常高速旋转的存储器硬盘表面这种形状上运动的，如果在存储器硬盘表面存在大约数微米大小的凹坑，就可能无法完整地写下信息，由此导致所谓的“比特缺损”或信息读出的失败，发生错误。
在此，“凹坑”是原来存在于基片上的凹处，或在基片表面进行抛光时形成的凹处，细小凹坑是直径小于约50微米的凹坑。
因此，在形成磁介质之前的步骤即抛光步骤中使基片的表面粗糙度降至最小是很重要的，同时还必须高效地除去微凸起物、细小凹坑以及其它表面缺陷。
为了上述目的，过去通常使用一种包含氧化铝或其它各种磨料和水以及各种抛光促进剂的抛光组合物进行抛光。例如，JP-A-61-278587和JP-A-62-25187揭示的用于存储器硬盘的抛光组合物，是在水和氢氧化铝中加入如硝酸铝、硝酸镍或硫酸镍作为抛光促进剂，随后混合获得的浆料制得。
JP-A-2-84485也揭示了一种用于铝磁盘的酸性抛光组合物，该组合物包含水和氧化铝磨料粉末以及葡糖酸或乳酸作为抛光促进剂和胶体氧化铝作为表面改进剂；JP-A-7-133477公开了一种含水抛光组合物，包含氧化铝磨料、胶体氧化铝和一种碱金属亚硝酸盐；JP-A-9-316430揭示了一种用于磁盘基片的抛光组合物，包含水、α-氧化铝和抛光促进剂，该抛光促进剂是草酸铝。
然而，用上面所述的常规抛光组合物抛光基片的情况，抛光时基片的边缘比基片的平面抛光掉较多，因此引起基片周围部分的垂直缺损。边缘部分出现垂直缺损的基片，不可能在其边缘部分上存储数据，使数据存储区减小。
因此，制造高容量和高存储密度的磁盘装置时，边缘部分的垂直缺损是成问题的，要求通过减少边缘垂直缺损来增加存储容量，以便有效地利用边缘部分，进一步增加存储面积。
发现抛光时，抛光组合物以及抛光条件明显影响边缘垂直缺损度。因此，要求的抛光组合物能在抛光期间，不增加边缘部分的边缘垂直缺损度，制得高容量和高存储密度的磁盘装置。
在此，为评价边缘垂直缺损度，要定出形成边缘垂直缺损的边缘部分形状以及深度(垂直缺损宽度)，并使用两个基本测定值。即在许多情况下是按照下面所述的两个测定值，辗去(roll-off)值和刮去(dub-Off)值来评价边缘垂直缺损度。然而，尽管对这两种测定值，需测定的是同一物体，测定形状的方法和作为该测定方法中基于该测定值容许限度的标准值，一般未作规定，而是取决于所使用装置特性的差异，标准值在许多情况下依赖于各制造厂家的判断。
发明概述
本发明的一个目的是解决上述问题，提供一种抛光组合物和使用该组合物的抛光方法，用这种抛光组合物，可以获得高容量和高存储密度的磁盘装置，与使用常规抛光组合物相比，在抛光用于存储器硬盘的基片中边缘垂直缺损度没有增加。
本发明提供一种抛光组合物，包括下列组分：
(a)水，
(b)至少一种选自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物，
(c)至少一种选自下列的化合物：硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸、柠檬酸以及它们的盐，
(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和碳化硅的磨料。
本发明还提供一种抛组合物，其中的组分(c)是至少一种选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁(III)、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁(III)、硫酸铵、氯化铝、氯化铁(III)、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍和氨基磺酸铵的化合物。
本发明进一步提供一种抛光组合物，其中组分(c)是至少一种选自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸和柠檬酸的化合物。
本发明还提供使用包含下列组分的一种抛光组合物进行抛光的方法：
(a)水，
(b)至少一种选自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物，
(c)至少一种选自下列的化合物：硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸、柠檬酸以及它们的盐，
(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、二氧化钛、氮化硅和碳化硅的磨料。
本发明还提供使用一种抛光组合物进行抛光的方法，该抛光组合物中，组分(c)是至少一种选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁(III)、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁(III)、硫酸铵、氯化铝、氯化铁(III)、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍和氨基磺酸铵的化合物。
本发明还提供使用一种抛光组合物进行抛光的方法，该抛光组合物中，组分(c)是至少一种选自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸和柠檬酸的化合物。
附图简述
图1是表明为评价在基片边缘部分的边缘垂直缺损度的测定位置图。
较好实施方案的详细描述
本发明抛光组合物的特点是含有至少一种选自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物作为化合物(b)。该聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚具有下面的结构式，是由环氧丙烷和环氧乙烷与一种直链或支链的高级醇的加成聚合反应制得。
聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚
Figure A0114293600071
其中，R是烷基，m和n是整数，分别表示加成的丙二醇和乙二醇的摩尔数。
聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物分类为下述的嵌段型和无规型。
聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物具有下面结构式表示的结构，可以通过环氧乙烷作为亲水性基团加成聚合到聚丙二醇两端而获得，该聚丙二醇是环氧丙烷作为亲液(lopophilic)基团聚合获得的，或者通过将聚丙二醇加成聚合到聚乙二醇两端而获得，该聚乙二醇是聚合环氧乙烷获得的。而聚氧乙烯聚氧丙烯无规共聚物则通过环氧乙烷和环氧丙烷的无规加成聚合获得。还可以使用多种类型的聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物或聚氧乙烯聚氧丙烯无规共聚物，或者使用任意比例的这两种共聚物，只要在不影响本发明效果的范围之内。
聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物
Figure A0114293600081
或
Figure A0114293600082
其中l、m和n都是任意整数。
本发明中，聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚分子量和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的分子量没有什么限制，但较好为1,500-100,000，更好为1,500-20,000。而且，由于仅通过分子中的亲水性基团或疏水性基团不能获得效果，加成到聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物上的亲水性(环氧乙烷)或疏水性基团的摩尔数平衡很重要，亲水性基团在其分子中的加成量宜为10-80％。聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚可以有不影响本发明效果的任何一种烷基。
本发明中，以抛光组合物总重量为基准，聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的含量宜为0.001-2％(重量)，更好的为0.005-1％(重量)。通过这两种化合物的加入，会减小边缘的辗去值和刮去值，但若加入量太少，不会期望有充分的作用，而若其加入量过多，有减小材料抛光除去速率之虑。
还要求聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物能溶解在该组合物中。还可以使用多种聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物，或同时使用这两类物质，其比例在不影响本发明效果的范围之内。
本发明抛光组合物含有至少一种选自下列的化合物作为化合物(c)：硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸、柠檬酸以及它们的盐和衍生物(以后统称为“酸化合物”)。
具体而言，酸化合物的盐选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁(III)、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁(III)、硫酸铵、氯化铝、氯化铁(III)、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍和氨基磺酸铵。
而且，本发明中，较好的酸化合物是有机酸、具体是甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸和柠檬酸。优选采用有机酸作为酸化合物的原因是，与无机酸相比，抛光过程中抛光垫的堵塞很小，所以有机酸适合用作酸化合物。
这种酸化合物应溶解在组合物中。许多这样的酸化合物可以在不影响本发明效果的任意比例范围内一起使用。
本发明抛光组合物中酸化合物的合适添加量随使用的酸化合物种类而异，但以抛光组合物总重量为基准，较好是0.1-20％(重量)，更好是0.1-20％(重量)，最好是0.2-10％(重量)。增加酸化合物的加入量，材料抛光除去速率会较高，但是，如果加入量过大，抛光组合物的化学作用会很明显，有些情况下会形成微凸起物或细小凹坑以及其它表面缺陷。另一方面，如果加入量太小，材料抛光除去速率太低，有些情况下不能达到充分防止形成微凸起物或细小凹坑以及其它表面缺陷的作用。而且，如果加入过大的量，没有观察到表面垂直缺损增加的趋势。
本发明抛光组合物中合适的磨料是至少一种选自下列的物质，氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和碳化硅。
作为氧化铝，有α-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝、κ-氧化铝和另一种形态不同的氧化铝。从生产方法分类，还有一种称作热解法氧化铝。作为二氧化硅，目前胶体二氧化硅、热解法二氧化硅和许多具有不同性质或不同方法制造的二氧化硅。
作为氧化铈，在价数上有三价或四价，在所属晶系上有六方晶系、立方晶系或面心立方晶系。作为氧化锆，在晶系上，有单斜晶系、四方晶系和无定形的。在生产方法上，还有热解法氧化锆。
作为氧化钛，在晶系上，有一氧化钛、三氧化二钛、二氧化钛和其它的氧化钛。在生产方法上，有热解法氧化钛。作为氮化硅，有α-氮化硅、β-氮化硅、无定形氮化硅和其它不同形态的氮化硅。
作为碳化硅，有α-碳化硅、β-碳化硅、无定形碳化硅和其它不同形态的碳化硅。
在此，本发明的抛光组合物中，上述种种组分都可以根据情况需要任意组合。在它们组合的情况，组合方法和使用的组分比例没有什么特别的限制。
上述磨料是通过磨粒的机械作用来对表面抛光的。磨粒的粒度根据磨粒的类型、需处理的表面类型、抛光条件、以及对基片的要求来选择，并无特别的限制，但二氧化硅的粒度，按照BET法测定的表面积获得的平均粒度，较好为0.005-0.5μm，更好为0.01-0.3μm。
氧化铝、氧化锆、氧化钛、氮化硅和碳化硅的粒度，按照激光衍射粒度分析仪LS-230(由Coulter，U.S.A.制造)测定的平均粒度，较好为0.01-2μm，更好为0.05-1.5μm。氧化铈粒度按照扫描电子显微镜观察的平均粒度，较好为0.01-0.5μm，更好为0.05-0.45μm。
如果某种磨料的平均粒度超出上面的范围，抛光后表面的表面粗糙度会很明显，或形成划痕，因此需要在抛光期间小心操作。另一方面，如果小于上面的范围，粗材料抛光除去速率会很低，作为抛光组合物就不实用。
以抛光组合物总重量为基准，抛光组合物中磨料含量一般为0.1-50％(重量)，较好的为1-25％(重量)。如果磨料含量太低，在有些情况下会形成微凸起物或细小凹坑以及其它表面缺陷，而且材料抛光除去速率太低。而如果磨料含量太高，不能保持均匀分散，组合物的粘度会很高，因此其处理出现困难。
对用于本发明抛光组合物的水没有什么特别限制，但较好是杂质很少的水，使得上述各组分精确地发挥其作用。即水宜为蒸馏水，或是通过离子交换树脂除去杂质离子和过滤除去悬浮物的水。
抛光组合物
本发明抛光组合物的制备一般是将预定量的上述组分，即至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅、二氧化锰的磨料(组分(d))混合并分散在水(组分(a))中，再将聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物(组分(b))和酸化合物(组分(c))溶解于其中。
将这些组分分散或溶解在水中的方法可以任意。例如，可以采用叶片式搅拌器进行搅拌或超声分散。混合的次序也可以任意，可以首先进行磨料的分散或者聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的溶解，也可以两步同时进行。
制备上述抛光组合物时，为了稳定抛光组合物或保持其质量，或者根据需抛光的物体类型、抛光条件或其它抛光条件方面的需求，可以加入各种已知的添加剂。
这些添加剂例子如下：
(i)水溶性氧化铝溶胶，
(ii)有机多阴离子物质如木质素磺酸盐和聚丙烯酸酯，
(iii)水溶性高聚合物(乳化剂)如聚乙烯醇，
(iv)鳌合剂如二甲基乙二腭、双硫腙、氧杂环乙二烯、乙酰丙酮、EDTA和NTA，
(v)过氧化氢，
(vi)杀菌剂如碳酸氢钾。
但是，根据这些添加剂的加入量或组合情况，会增加边缘垂直缺损度，因此需要小心避免它。
本发明的抛光组合物可以较高浓度的储存液形式制备、储存或运输，并在实际抛光处理前稀释。上述各组分的浓度范围是实际抛光处理使用时的浓度。不待说，若使用时采用稀释的方法，抛光组合物就是储存或运输状态时用的较高浓度分散液。从储存运输效率考虑，抛光组合物制成浓液形式为宜。
本发明抛光组合物不会增加边缘垂直缺损度，还不清楚其详细的机理。然而，估计不会增加边缘垂直缺损度的原因是因为抛光时的摩擦作用减小。已发现，使用本发明的抛光组合物还可以提高抛光性能。
下面，参考一些实施例和比较例进一步详细描述本发明。但是，应理解本发明不受这些具体实施方案的限制。
实施例1-20和比较例1-7
制备抛光组合物
首先，使用一搅拌器，将作为磨料的氧化铝(平均粒度为0.8μm)分散在水中，制得磨料浓度为20％(重量)(以抛光组合物总重量为基准)的分散液。然后，在其中加入含水有机酸或无机酸溶液和聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物，制得实施例1-20的各个样品。还制备比较例1-7的各样品，其中没有加入聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物，或加入了乙二醇。
                                        表1
  样品     酸化合物     添加剂
  种类   量(重量％)     种类   平均分子量 EO加入比例(％)   量(重量％)
实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6实施例7实施例8实施例9实施例10 苹果酸苹果酸乙醇酸马来酸琥珀酸硝酸铝苹果酸硝酸铝苹果酸硝酸铝     1.01.02.01.01.04.01.04.01.04.0 PEPPPEPPPEPPPEPPPEPPPEPPPEPPPEPPPEPPPEPP  2,2002,2002,2002,2002,2002,2003,0003,0009,0009,000     10101010101040408080     0.050.10.050.050.050.050.050.050.050.05
实施例11实施例12 苹果酸硝酸铝     1.04.0 PEPRPEPP  2,5002,500     5050     0.050.05
实施例13 苹果酸     1.0 PEPA  1,000     30     0.05
实施例14 苹果酸     1.0 PEPA  1,000     30     0.1
实施例15 乙醇酸     2.0 PEPA  1,000     30     0.05
实施例16 马来酸     1.0 PEPA  1,000     30     0.05
实施例17 琥珀酸     1.0 PEPA  1,000     30     0.05
实施例18 硝酸铝     4.0 PEPA  1,000     30     0.05
实施例19 苹果酸     1.0 PEPA  2,000     50     0.05
实施例20 硝酸铝     4.0 PEPA  2,000     50     0.05
比较例1 苹果酸     1.0 没有添加剂  -     -     -
比较例2 乙醇酸     2.0 没有添加剂  -     -     -
比较例3 马来酸     1.0 没有添加剂  -     -     -
比较例4 琥珀酸     1.0 没有添加剂  -     -     -
比较例5 硝酸铝     4.0 没有添加剂  -     -     -
比较例6 苹果酸     1.0 PG  -     -     0.05
比较例7 苹果酸     1.0 DPG  -     -     0.05
PEPP：聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物PEPR：聚氧乙烯聚氧丙烯无规共聚物PEPA：聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚PG：丙二醇DPG：二丙二醇
抛光试验
然后，使用各抛光组合物，对一基片进行抛光试验，条件如下。
抛光条件
被抛光物体：3.5”无电Ni-P敷镀制成的基片
物体数量：15片
抛光机：双面抛光机(台板直径700mm)
抛光垫：Kanebo 0048(由Kanebo，Ltd.制造)
抛光压力：100g/cm2
上台板旋转速度：24rpm
下台板旋转速度：16rpm
组合物稀释比：1∶3纯水
抛光组合物的施加流量：150cc/min
抛光量：3μm作为抛光加工余量(双面)
(进行预先试验设定抛光时间，使抛光加工余量一致)
评价边缘垂直缺损度的方法
在图1的一些位置测量基片边缘的边缘垂直缺损形状，测量采用的是microXAM仪器(PhasdSift制造)。图1是表明基片边缘部分的截面图，水平方向(X轴)表示基片表面的一个直径方向，垂直方向表示基片的厚度方向。对辗去值和刮去值的测量，其测量位置和测量方法一般不作规定，而由各制造厂家人为规定。在本发明中，发明人是定出图1中所示的各测量点来求出边缘垂直缺损。在此，这种方法是合适的，一般在评价基片的边缘垂直缺损度时可以采用。
基片抛光后，清洗并干燥之。测量抛光后每个基片的重量减小值，所获的值除以相应抛光时间(该抛光时间预先设定)，获得材料抛光除去速率。
抛光组合物的边缘垂直缺损度(辗去值，刮去值)的评价标准如下。即取未加入聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的组合物的值作为标准值H0，将测量的辗去值和刮去值HR和HD分别和标准值H0比较，用下面公式获得提高的效率A(％)：
A(％)＝[1-(HR，HD)/H0]×100
A：改进效果
HR，HD：测量值H0：标准值(比较例1中的测量值)按照下面的评价标准来评价改进效果A，评价结果列于表2。○：至少20％的提高效率：10％至小于20％的提高效率×：小于10％的提高效率
                                  表2
材料抛光除去速率     边缘
    (μm/min)   辗去值     刮去值
  实施例1     0.57     ○     ○
  实施例2     0.55     ○     ○
  实施例3     0.54     ○     ○
  实施例4     0.55     ○     ○
  实施例5     0.56     ○     ○
  实施例6     0.63     ○     ○
  实施例7     0.54     ○     ○
  实施例8     0.64     ○     ○
  实施例9     0.55     ○     ○
  实施例10     0.61     ○     ○
  实施例11     0.53     ○     ○
  实施例12     0.62     ○     ○
  实施例13     0.58     ○     ○
  实施例14     0.60     ○     ○
  实施例15     0.59     ○     ○
  实施例16     0.59     ○     ○
  实施例17     0.58     ○     ○
  实施例18     0.63     ○     ○
  实施例19     0.58     ○     ○
  实施例20     0.63     ○     ○
  比较例1     0.63     ×     ×
  比较例2     0.60     ×     ×
  比较例3     0.63     ×     ×
  比较例4     0.64     ×     ×
  比较例5     0.69     ×     ×
  比较例6     0.60     ×     ×
  比较例7     0.61     ×     ×
由表2的结果发现，实施例1-20制得的本发明抛光组合物，与常规抛光组合物(不含聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物(比较例1-5)，或加入了乙二醇(比较例6和7))的相比，在辗去和刮去方面的改善效果较大，即是说本发明抛光组合物能有效防止基片的边缘垂直缺损。
在抛光用于存储器硬盘的基片时，本发明抛光组合物和常规抛光组合物相比，边缘垂直缺损度没有增加。另外，按照本发明抛光存储器硬盘的方法，和使用常规抛光组合物的情况相比，可以制造高容量和高储存密度的存储器硬盘，边缘垂直缺损度没有增加。
使用包含下列组分的抛光组合物，和常规抛光组合物相比，可以使抛光基片的边缘垂直缺损度较小，所述抛光组合物包含：(a)水，(b)至少一种选自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物，(c)至少一种选自硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸、柠檬酸以及它们的盐的化合物，(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅、碳化硅的磨料。
采用上述抛光组合物，其中组分(c)是至少一种选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁(III)、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁(III)、硫酸铵、氯化铝、氯化铁(III)、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍和氨基磺酸铵的化合物，获得抛光边缘垂直缺损度极小的基片成为可能。
采用上述抛光组合物，其中组分(c)是至少一种选自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸、柠檬酸以及它们的盐的化合物，获得抛光边缘垂直缺损度极小的基片成为可能。
采用使用包含下列组分的抛光组合物的抛光方法，可以在存储器硬盘边缘辗去和刮去方面有改善效果，所述组合物包含：(a)水，(b)至少一种选自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物，(c)至少一种选自硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸、柠檬酸以及它们的盐的化合物，(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅、碳化硅的磨料。
通过上述抛光方法，还可以在存储器硬盘边缘辗去和刮去方面有很大的改善效果，该方法中组分(c)是至少一种选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁(III)、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁(III)、硫酸铵、氯化铝、氯化铁(III)、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍和氨基磺酸铵的化合物。
按照上述抛光方法，还可以防止抛光基片过程中抛光垫的堵塞，使抛光便于进行，在基片边缘辗去和刮去方面有很大的改善效果；该方法中组分(c)是至少一种选自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸和柠檬酸的化合物。
2000年11月29日提交的日本专利申请2000-362739的全部内容参考结合于此。

Claims (6)

1.一种用于存储器硬盘用基片的抛光组合物，包含下列组分：
(a)水，
(b)至少一种选自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物，
(c)至少一种选自下列的化合物：硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸、柠檬酸以及它们的盐，
(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和碳化硅的磨料。
2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于组分(c)是至少一种选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁(III)、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁(III)、硫酸铵、氯化铝、氯化铁(III)、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍和氨基磺酸铵的化合物。
3.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于所述组分(c)是至少一种选自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸和柠檬酸的化合物。
4.一种抛光存储器硬盘用基片的抛光方法，该方法使用包含下列组分的抛光组合物：
(a)水，
(b)至少一种选自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物，
(c)至少一种选自下列的化合物：硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸、柠檬酸以及它们的盐，
(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和碳化硅的磨料。
5.如权利要求4所述的抛光方法，其特征在于所述组分(c)是至少一种选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁(III)、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁(III)、硫酸铵、氯化铝、氯化铁(III)、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍和氨基磺酸铵的化合物。
6.如权利要求4所述的抛光方法，其特征在于所述组分(c)是至少一种选自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、二羟乙酸、苹果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、马来酸和柠檬酸的化合物。
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