TW559931B - Rare earth salt/oxidizer-based CMP method - Google Patents

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發明領域 本發明係關於-種使用化學.機械拋光（CMp)系統搬光基 板之金屬層的方法。 土 先前技藝 、業界已經廣為知悉平坦化或拋光基板表面的組合物及方 法。典型上，拋光組合物（即拋光劑）包含存在水溶液中之 研磨材料，其應用係藉由使待研磨之表面與以組合物飽合 之拋光墊接觸。典型之研磨材料包含二氧化矽、氧化鈽、 氧化鋁、氧化鍅及氧化錫。例如，美國專利第5,527,423號 描述一種化學-機械拋光金屬層之方法，其藉由待研磨: 表面與研磨劑接觸，其中研磨劑係包含在水溶液介質中之 尚純度微細氧化金屬顆粒。或者，研磨材料可併入拋光墊 。美國專利第5,489,23 3號揭示具有表面刻紋或圖案之拋光 墊的使用，而美國專利第5,958,794號則揭示一種固定之研 磨抛光墊。 傳統拋光系統及拋光方法係典型地無法完全達到半導體 晶圓在平坦化上的要求。特別是拋光劑及拋光墊所具有之 拋光速率無法達到期望，而且它們在化學-機械拋光半導 體表面上的應用導致較差的品質。由於半導體晶圓之效能 與其表面平坦度有直接關聯，因此使用具有高拋光率、均 勻性、移除速率並在最小表面缺陷下有高拋光品質之拋光 方法是相當關鍵的。 創造有效之半導體晶圓之拋光系統的困難係起因於半導 體晶圓的複雜度。一般而言，半導體晶圓係由基板以及複 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) 559931 A7 ______B7 五、發明説明（2~" ~ 數個形成於基板上的電晶體所構成。藉由在基板中及基板 之膜層中的圖案化，積體電路以化學或物理的方式與基板 連接。為了製造可操作之半導體晶圓及最大化晶圓之產率 、效能及可靠度，期望拋光晶圓之選擇表面，而不負面影 響其下方之結構。事實上，如果製程係於沒有適當平坦化 的晶圓表面上進行，在半導體製程中會發生各式各樣的問 題。 已經有許多的嚐試改善傳統拋光劑之拋光效率及均勻性 ，以及最小化拋光表面之缺陷及對表面下方之結構的破壞 。美國專利第5,264,010號敛述一種包含氧化錦、溶融二氧 化矽及沈澱二氧化矽之拋光劑組合物，其據稱產生改善移 除率及拋光效率的效果。美國專利第5,1 14,437號敘述一種 包含載體、氧化鋁及拋光加速劑的拋光劑組合物，其中拋 光加速劑係選自由硝酸鉻（III)、硝酸鑭、硝酸鈽胺及硝酸 鈥組成之群。美國專利第6,1 10,396號敘述一種包含拋光顆 粒及雙重價（dual-valent)稀土離子之拋光劑組合物，其中 雙重價稀土離子在酸中處係於它們之最高價態。美國專利 第6,143,192號敘述一種使用包含水、硝酸鈽胺及醋酸之溶 液移除釕或二氧化釕的方法。日本特許公開申請案第 2000 167764號敘述使用包含硝酸鈽胺之漿體增進釕金屬層 之移除率。 然而，使用者仍然持續需要一種在拋光及平坦化基板過 程中，具有期望之平坦化效率、均勾性及移除率之拋光系 統及拋光方法，以及最小化缺陷（例如在拋光及平坦化表 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂 線 559931 A7 B7 五、發明説明（3 ) 面過程中’表面下層之缺陷及破壞）。眾所皆知，由於責 金屬具有相當安定的化學特性及堅硬的機械特性，因此對 含有貴金屬之基板的改善拋光系統之需求是更加特別的。 本發明試著提供這樣的化學-機械拋光系統及方法，而 本發明之優點將於本發明之詳細說明中明顯地揭示。 發明概要 本發明提供一種拋光基板的方法，該方法包含⑴使至少 包含一金屬層的基板與一化學-機械拋光系統接觸以及（Η) 藉由研磨至少一部分基板之金屬層，拋光金屬層，其中化 一稀土鹽 裝 學-機械拋光系統包括一研磨物及/或一拋光墊 、一比稀土鹽更強之氧化劑以及一液態載體。 發明詳細說明 本發明係關於使用化學-機械拋光系統拋光具有金屬層 之基板的方法。其中化學-機械拋光系統包括一研磨物及/ 或一拋光墊、一稀土鹽、一比稀土鹽更強之氧化劑以及一 液態載體。研磨物（存在或懸浮在液態載體中）、稀土鹽、 氧化劑及液態載體，以及任何其它懸浮於液態載體的物質 ，構成了 CMP系統的研磨組合物。 化學-機械拋光系統包含一研磨物、一拋光墊或二者。 更好地，CMP系統包含研磨物及拋光墊。研磨物可以是任 何適合的研磨物。研磨物可固定於拋光墊上及/或可為一 特定型式及懸浮於液態載體中。拋光墊可以是任何適合的 拋光塾。 研磨物可以是任何產業上熟知的研磨物。例如，研磨顆 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 559931 A7

粒係天然的或合物的，包含鑽石（即多晶鑽石）、石榴石、 玻璃、碳化硅、金屬氧化物（即矽化物、熔融氧化鋁、鋁 化鈽、鉻化物及氧化鐵）及其類似物。研磨顆粒可塗佈顆 粒研磨物。研磨物較好是金屬氧化物研磨物，更好是選自 由氧化鋁、矽化物、氧化鈦、氧化鍺、氧化鎂、其共生物 及其組合物組成之群。最佳之研磨物是氧化鋁。 备研磨物存在於CMP系統中及懸浮於液態載體（即研磨 物係拋光劑成份之一）之中時，任何適量之研磨物可存在 於拋光劑組合物之中。典型上，約〇.丨重量％或更多（即約 0.5重量％或更多）之研磨物會存在於拋光劑組合物中。更 典型地，約1重量％或更多之研磨物會存在於拋光劑組合 物之中。研磨物在拋光劑組合物之中的含量典型上不會超 過約30重量％，更典型地不會超過約2〇重量％ (即不會超 過約10重量％)。 稀土鹽可以是任何包含稀土陽離子（即鑭系元素或輻射 線元素離子）及適合對應陰離子之鹽類。較佳者，稀土鹽 包含處於RE2+、RE:+或RE4+氧化態之稀土陽離子及對應陰 離子。稀土陽離子可選自由鋼、錦、镨、鈦、矩、彭、銪 、釓、铽、鏑、鈥、铒、铥、鏡、镏等離子及其組合物組 成之群。而對應陰離子可選自由硫酸根、硝酸根、碳酸根 、氫氧化物、氟化物、氣化物、漠化物、硬化物、醋酸根 、過乳酸根、草酸根、乙醯基丙酮酸根、三敗甲烧確酸根 組成之群。 幸父佳地，稀土鹽是錦鹽或镨鹽。更佳地，稀土鹽是錦

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過氧化類氧化劑較佳地是過氧化氫。其它適合的氧化劑包 含溴酸根、氣酸根、鉻酸根及碘酸根及任何適當之對應陽 離子，以及鐵鹽（即硝酸根、硫酸根、EDTA及檸檬酸根） 、鐵氰化鉀、重鉻酸鉀、碘酸及其相似物。 任何適當數量的氧化劑可存在於拋光劑組合物之中。典 -8 - 本紙張尺度通财® ®家標準(CNS) A4規格(21G X 297公爱) 559931

型上，約0.01重量％或更多（即約0·1重量％或更多）之氧化 7會存在拋光劑組合物之中。更典型地，約〇 2重量％或更 夕（即、力0 · 5重1 %或更多）的氧化劑會存在拋光劑組合物之 中。氧化劑存在於拋光劑組合物之中的數量典型上不會超 過10約重量％ ,更典型地不會超過約5重量％ (即不會超過 約2重量％)。 一氧化劑之存在與稀土鹽之組合在本發明之化學_機械拋 光系統中顯示具有協同效果，其改進基板的拋光率。當不 欲受限於理論，一般相信稀土離子在氧化劑與金屬表面之 反應中係扮演一個催化劑的角色。例如，基板之表面可被 鈽（IV)之化合物氧化，而鈽（IV)則被還原為鈽（111)。氧化 劑（如過氧化氫）隨後將鈽（111)再氧化為鈽（IV)，導致在拋 光製程中總體上較高比例的鈽（IV)。這個提議的反應機構 係由下列之事實所支撐，例如雖然醋酸鈽（III)本身並不是 =化劑，當與氧化劑一同使用時，其在移除基板上之金屬 時係等效於鈽（IV)鹽。在稀土鹽及氧化劑的選擇上，氧化 d應選擇比稀土鹽具有較強之氧化能力的氧化劑，即氧化 劑在化學-機械拋光系統中可自動地氧化稀土鹽。相較於 稀土鹽之氧化電位，這樣的氧化劑將在強度具有較大之氧 化電位。 液態載體係用以促進研磨物（當存在時）、稀土鹽及氧化 劑在適當基板表面（欲進行拋光或平坦化之基板）上的應用 。液態載體可為任何適當之液態載體。較佳地，液態載體 包含、大體上包含或由水所構成，更佳地是去離子水。 -9-

559931 A7 ______B7 ___ 五、發明説明（7 ) 化學-機械抛光系統選擇性地更包含一個或多個溶質， 例如醋酸或其它液體或固體溶質。這樣的溶質可作用緩衝 或知:升稀土鹽在液態載體之中的溶解度。這樣的溶質可以 任何適當的數量（即〇· 1至5重量％)存在於拋光劑組合物之 中。 化學-機械拋光系統選擇性地更包含一個含有胺基的聚 合物或共聚合物。例如，這樣的聚合物或共聚合物可任何 適當的數量（即〇·1至5重量％)存在於拋光劑組合物之中。 化學-機械拋光系統較佳地包含約1至i 0重量％的懸浮於 載體中的研磨顆粒、約lx ίο·7 Μ至0.05 Μ的稀土鹽、約0.1 至5重量0/〇的氧化劑及水。在較佳實施例中’ CMP系統包 含氧化鋁顆粒、醋酸鈽、過氧化氫及水。 化學-機械拋光系統可使用在至少含有一金屬層之基板 的拋光方法中❶藉由使基板與化學-機械拋光系統的接觸 ，以及至少部分基板的金屬層係被磨擦，進而使金屬層被 拋光。基板可以是任何適當的基板（即積體電路、硬式磁 碟或磁頭）及含有任何適當的金屬層或金屬合金（即金屬導 電層）。CMP系統特別適合拋光含有貴金屬的基板，特別 是使用於電子工業中含有責金屬的基板。基板較佳地含有 選自由銶、釕、姥、把、銀、餓、銀、始及金所組成之群 的貴金屬。在較佳實施例中，貴金屬是釕。 下列之實例更進一步地列出本發明，但當然不應以任何 方式被解釋其範圍。 實例1 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4规格(210 χ 297公釐） 裝 訂

線 559931 A7 B7 五、發明説明（8 這個實例例示化學-機械拋光系統中之氧化劑與氧化之稀 土鹽的組合在拋光含有金屬層之基板所顯現之相乘效果。 包含釕金屬層之相似基板係以二種不同化學-機械拋光 系統進行拋光製程。每個化學-機械拋光系統包含相同的 拋光墊，但分別與不同的拋光劑組合物（拋光劑組合物1A 及1B)組合。拋光劑組合物1A (對照物）包含8重量％氧化鋁 、〇·01 82 Μ确酸鈽（IV)胺、1重量％醋酸及水（pH=5)，但是 不含有氧化劑。拋光劑組合物1B (本發明）除了另包含1重 量％之過氧化氫外，其餘之組成與拋光劑組合物1A (對照 物）相同。採用這二個化學-機械拋光系統之拋光製程的實 施係藉由拋光墊在基板上施加20.7 kPa (3 psi)之下壓力。 基板之釕金屬層的移除率係對每一個化學-機械拋光系統 個別量測。 使用拋光劑組合物1A (對照物）之化學-機械拋光系統對 釕金屬層之移除率，經量測為98.54 nm/min，及5.8%之晶 圓内不均均度（WIWNU)。WIWNU係經由將移除率之標準 差除以基板上之平均移除率，再乘以100計算而得。而使 用拋光劑組合物1B (本發明）之化學-機械拋光系統之釕金

屬層移除率’經量測為2 1 0.98 nm/min，及5.1 °/〇之WIWNU 。因此，相較於僅有稀土鹽存在之拋光劑，稀土鹽和氧化 劑二者皆存在時之移除率大於二倍。 這個實施證明藉由使用本發明之化學_機械拋光系統可 以明顯地改善含有金屬層之基板的拋光效果，特別是改善 含有貴金屬層之基板的拋光效果。明顯地，相較於對照物 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X297公 裝 訂

線 559931 A7 _B7_ _ 五、發明説明（9 ) 之化學-機械拋光系統，本發明之化學-機械拋光系統大體 上具有較高的移除率，而且不會伴隨著基板表面之拋光均 勻度的降低。 實例2 這個實例例示化學-機械拋光系統中之氧化劑與非氧化 之稀土鹽的組合，在拋光含有金屬之基板顯現在拋光率上 的相乘效果。 包含釕金屬層之相似基板係以六種不同化學-機械拋光 系統進行拋光製程。每個化學-機械拋光系統包含相同的 拋光塾，但分別與不同的拋光劑組合物（拋光劑組合物2 A 至2F)組合。拋光劑組合物2A (對照物）包含8重量％氧化|呂 、0·03 1 5 Μ硝酸鈽（III)及水（pH = 5)，但是不含有氧化劑。 拋光劑組合物2B (對照物）包含8重量％氧化鋁、1重量％過 氧化氫及水（pH=5)，但是不含有氧化劑。拋光劑組合物2C (本發明）除了另包含〇·〇31 5 Μ硝酸鈽（III)及1重量％之過氧 化氫，其它之組成與拋光劑組合物2Α及2Β相同。拋光劑 組合物2D、2Ε及2F (本發明）與拋光劑組合物2C有相似的 組成’除了包含不同濃度之稀土鹽，分別為3.1 5 X 1 (Γ4 Μ、 3·15χ10-5 Μ及3·15χ1(Γ6 Μ之硝酸鈽（III)及1重量％之過氧 化氫。採用這六個化學-機械拋光系統之拋光製程的實施 係藉由拋光墊在基板上施加20.7 kPa (3 psi)之下壓力。基 板之釕金屬層的移除率係對每一個化學-機械拋光系統個 別量測。 使用拋光劑組合物2A及2B (對照物）之化學-機械拋光系 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 559931 A7 B7 五、發明説明（10 ) 統之釕金屬層移除率，經量測分別為7.0 nm/min及小於 5 nm/min。而使用拋光劑組合物2C、2D、2E及2F (本發 明）的化學-機械拋光系統，其釕金屬層之移除率經量測分 別為 224.6 nm/min 及 4·4% WIWNU > 325.1 nm/min > 230.4 nm/min及177.3 nm/min。因此相較僅有稀土鹽存在 之情況，稀土鹽和氧化劑二者皆存在時，其移除率大於十 倍（在某些例子中’甚至大於三十倍）。此外，移除率仍然 保持相對咼於對照物，即使稀土鹽的濃度相當的低（比較 使用抛光劑組合物2C、2D、2E及2F (本發明）與使用拋光 劑組合物2A及2B的移除率）。 這個實施更進一步地證明藉由使用本發明之化學_機械 拋光系統，可以明顯地改善含有金屬層之基板的拋光效果 ’特別是改善含有貴金屬層之基板的拋光效果。一併考量 實例1，實例2支持了氧化劑在稀土鹽由非氧化型式轉換為 氧化型式過程中所扮演的角色，而這對影響基板表面之化 學-機械拋光。再者，實例2指出即使僅使用非常少量的稀 土鹽與氧化劑組合，仍可獲得相當好的基板膜層移除率。 這項發現對具有相對較高成本的稀土鹽是相當重要的。 實例3 這個實例例示氧化劑與稀土鹽之組合，應用在拋光含有 金屬之基板之化學-機械拋光系統中，其拋光率上的相乘 效果大體上並不依賴於稀土鹽之相對陰離子之特性。 包含釕金屬層之相似基板係以四種不同化學·機械拋光 系統進行拋光製程。每個化學-機械拋光系統包含相同的 -13-

559931 A7 ______Β7 _ 五、發明説明（1 ) ^ 拋光墊，而與不同的拋光劑組合物（拋光劑組合物3 Α至3D) 組合。拋光劑組合物3 A (本發明）包含8重量％氧化鋁、 3.15x10 6 Μ (1 ppm)醋酸筛（III)、1重量％過氧化氫及水 (pH = 5)。拋光劑組合物3B、3C及3D (本發明）除了含有不 同之稀土鹽陰離子外，與拋光劑組合物3 A (本發明）具有相 似之組成，其分別含有5·03χ10-6 Μ (1.67 ppm)硫酸鈽（III) 、2·97χ1(Τ6 Μ (1·29 ppm)硝酸鈽（III)及 2·93χ10·6 Μ (1·35 ppm) 碳酸筛（111)(及1重量％過氧化氫）^在拋光劑組合物3 Α至 3D中，筛離子（in)之濃度約為〇·4 ppm。採用這四個化學-機械拋光系統之拋光製程的實施係藉由拋光墊在基板上施 加34.5 kPa (5 psi)之下壓力。基板之釕金屬層的移除率係 對每一個化學-機械拋光系統個別量測。 使用拋光劑組合物3A、3B、3C及3D之化學-機械拋光系 統之釕金屬層移除率’經量測分別為48.9 nm/min、 46.0 nm/min、36.0 nm/min 及 28.2 nm/min。因此無論使用 之相對陰離子’化學-機械抛光糸統仍保有高（>25 nm/min) 的釕金屬移除率。 此實例證實本發明可採用各類型的相對陰離子組合氧化 劑實施。 實例4 這個實例例示氧化劑與氧化之稀土鹽的組合，在拋光含 有金屬之基板之化學-機械拋光系統中所顯現之相乘效果。 包含釕金屬層之基板係以實例3中之化學_機械拋光系統 之進行條件及方式拋光，但是使用不同的拋光劑組合物（拋 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 559931

光劑組合物4)。特別是，拋光劑組合物4係與實例2拋光劑 組合物3 A至3D相似，除了拋光劑組合物中之稀土鹽為 3.14χ1(Τ6 Μ (1 ppm)之醋酸镨（111)(約 〇4 ppm 之镨（111)離 子）。使用拋光劑組合物4之化學-機械拋光系統對基板上 之釕金屬層的移除率經量測為26 7 nm/min。 一併考量實例3，實例4證明在化學-機械拋光系統應用 於含有金屬層之基板之拋光製程上所顯現之相乘效果，特 別疋應用於貴金屬層上，延伸至各類型的稀土鹽之稀土陽 離子。 實例5 這個實例例示氧化劑與氧化之稀土鹽的組合，在拋光含 有金屬之基板之化學-機械拋光系統中所顯現之相乘效果。 包含銀金屬層之相似基板係以五種不同化學-機械拋光 系統進行拋光製程。每個化學-機械抛光系統包含相同的 拋光墊，而與不同的拋光劑（拋光劑組合物5a至5E)組合。 拋光劑組合物5A (對照物）包含8重量❶/〇氧化鋁、〇.〇3 15 Μ (1 ppm)醋酸鈽（ΙΙΙΙ)及水（ρΗ=5)，不含氧化劑。拋光劑組 合物5 Β及5 C (本發明）係彼此相同，而拋光劑組合物5 d及 5 Ε (本發明）則彼此相同。特別地，拋光劑組合物$ β及5 C (本發明）除了另含有1重量％之過氧化氫外，與拋光劑組合 物5Α (對照物）相同。拋光劑組合物5D及5Ε (本發明）與拋 光劑組合物5Α相似，除了另包含不同數量之稀土鹽，特 別是3 · 1 5 X 1 (Γ6 Μ醋酸錦（111)(及1重量％過氧化氩）。採用這 五個化學-機械拋光系統之拋光製程的實施係藉由拋光塾 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 559931 A7 ___B7____ 五、發明説明（13 ) 在基板上施加不同之下壓力，其分別對樾光劑組合物5 A 、5B及5D施加20·7 kPa (3 psi)及對拋光劑組合物5C及5E施 加34.5 kPa (5 psi)。基板之銥金屬層的移除率係對每一個 化學-機械抛光系統個別量測。 使用拋光劑組合物5A (對照物）之化學-機械拋光系統之 銀金屬層之移除率，經量測為小於2.0 nm/min。而使用拋 光劑組合物5B、5C、5D及5E (本發明）之化學·機械拋光系 統之銥金屬層的移除率，經量測分別為16.7 nm/min、 29· 1 nm/min、23 ·2 nm/min及 3 3 ·0 nm/min。因此相較於僅 存在稀土鹽之拋光劑，存在氧化劑及稀土鹽二者之拋光劑 組合物具有大體上較大之移除率。此外，即使使用了明顯 車父低仏準之稀土鹽（比較於抛光劑組合物5 b及5 D之移除率 ，以及拋光劑組合物5C及5E之移除率）。 這個實施例證明在拋光相對較硬的貴金屬層（例如銥金 屬層），可以觀察到化學·機械拋光系統中，稀土鹽及氧化 劑組合的相乘效果。再者，實例5指出即使僅使用非常少 量的稀土鹽與氧化劑組合，對拋光基板上之金屬層而言， 仍可獲得相當好的移除率。這項發現對具有較高成本的稀 土鹽而言是相當重要的。 所有的參考資料包含公開案、專利申請案及專利案係以 引用的方式全部併入本文中，該引用的程度就如同已特定 地及個別地將各個公開案、專利案或專利申請案之整體揭 不内谷以引用的方式併入一般。 在本發明敘述之本文中（特別是以下之申請專利範圍中） -16-

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’除非在此或本文中明白地指出，否則‘‘一，，及“該，，等修飾 詞及相似的參考係用以解釋包含單數或複數二者。除非在 此或本文中明白地指出，數值範圍之敘述僅係一速記方法 ，用以個別地參考落於數值範圍内之單一數值。除非在此 或本文中明白地指出，所有敘述於此的方法可以任何層次 執行。任何實施例（或實例語句“例如，，）的使用僅係用以較 佳例出本發明，而不限制本發明之範圍，除非另外聲明。 發明說明中沒有任何語句可將任何非屬申請專利範圍内之 元件解釋為實施本發明之必要元件。 本發明之較佳實施例已經揭示如上，包含本發明之最佳 模式。當然，對熟悉本項技術之人士在參閱本發明前面之 敛述後，這些實施例的變化將變成相當的明顯。發明人期 望熟悉本項技術之人士適當地使用這些實施例的變化，以 及發明人希望本發明可以不同如上揭示之方式實施。因此 ’本發明之保護範圍應不限於實施例所揭示者，而應包括 各種不背離本發明之替換及修飾，並為以下之申請專利範 圍所涵蓋。此外，任何上述元件之組合的可能替換及修飾 係包含於本發明之中，除非在此或本文中明白地限縮。 線 -17- 本紙張·尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱)

Claims (1)

1. 559931 A B c D 申請專利範圍 ι·一種拋光基板的方法，包括： ⑴使至；包含一金屬層的基板與一化學-機械拋光系 統接觸，其中該化學·機械拋光系統包括： (a) —研磨物及/或一拋光墊； (b) —稀土鹽； (c) 一比稀土鹽更強之氧化劑；及 (d) —液態載體；以及 (11)研磨至少一部分基板之金屬層以拋光金屬層。 2·如申明專利範圍第丨項之方法，其中該化學-機械拋光系 統包括研磨物，且該研磨物是金屬氧化物。 3·如申凊專利範圍第2項之方法，其中該研磨物是選自由 氧化鋁、氧化矽、氧化鈽、氧化鍅、氧化鍺、氧化鎂、 其共成物及其組合物組成之群。 4·如申凊專利範圍第3項之方法，其中該研磨物是氧化鋁。 5·如申凊專利範圍第旧之方法，其中該化學·機械拋光系 統包括研磨物，且該研磨物係固定於該拋光墊上。 6·如申清專利範圍第旧之方法，其中該化學-機械抛光系 統包括研磨物，且該研磨物係處於特定形態且懸浮於該 載體内。 7·如申請專利範圍第1項之方法，其中該稀土鹽包括鈽、 镨及其組合物。 8·如申請專利範圍第7項之方法，其中該稀土鹽包括處於 RE2+、RE3 +及RE4+氧化態之稀土（RE)陽離子及一選自由 硫酸根、硝酸根、碳酸根、氫氫化物、氟化物、氣化物 • 18 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) " ---- 559931 A8 B8

   、溴化物、碘化物、 、二氣甲烧續酸根 anion)。 醋酸根、草酸根、乙醯基丙酮酸根 組成之群的相對陰離子（counter- 其中該稀土鹽包括鈽（II) 9·如申請專利範圍第8項之方法 、鈽（III)或鈽（IV)離子。 10·如申請專利範圍第8項 只<万去，其中該稀土鹽是醋酸鈽。 11 ·如申請專利範圍第i頊夕t 广 員之方法，其中該氧化劑是一種過 軋化類（per-type)氧化劑。 12·如申請專利範圍第i 項之方法，其中該過氧化類氧化劑 是過氧化氫。 13·如申請專利範圍第！項之方法，其中該液態載體是水。 14·如申#專利圍第旧之方法，其中該系統更包括醋酸。 15.如申請專利範圍第巧之方法，其中該系統更包括含胺 之聚合物或共聚合物。 16 ·如申印專利範圍第i項之方法，其中該系統包括約1至^ 〇 重里0/〇懸浮於載體中的研磨粒、約1χ1〇-7至〇 〇5 M之稀 土鹽、約0 · 1至5重量％之氧化劑及水。 17·如申請專利範圍第16項之方法，其中該研磨粒是氧化鋁 ’該稀土鹽是醋酸鈽及該氧化劑是過氧化氫。 18·如申請專利範圍第1項之方法，其中該金屬層是貴金屬 層0 19·如申請專利範圍第丨8項之方法，其φ該貴金屬是選自由 銖、釕、铑、鈀、銀、鐵、銥、鉑及金所組成的群組。 20·如申請專利範圍第19項之方法，其中該責金屬是釕。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)