559881 Α7 Β7 五、發明說明（2 ) 圖型曝光抗蝕劑膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在如上所述的抗蝕劑塗覆及顯影處理系統中，晶圓W 從安裝在卡匣站上的卡匣一個一個地被移出以被傳遞至處 理站，承受在黏著處理單元中的疏水處理，在冷卻單元中 被冷卻，在抗鈾劑塗覆單元中被塗覆光抗鈾劑膜，以及承 受在熱板單元（加熱處理單元）中的預烘焙處理。 然後，晶圓從處理站經由界面部段而被傳遞至曝光單 元，以在曝光單元中根據抗蝕劑膜上的預定圖型被曝光。 在曝光之後，晶圓經由界面部段被再次傳遞至處理站，並 且曝光的晶圓首先承受在熱板單元中的曝光後烘焙處理， 被冷卻，然後顯影溶液在顯影處理單元中塗覆在晶圓上， 用來顯影曝光的圖型。隨後，在熱板單元中進行後烘焙處 理，且被冷卻，因而完成一系列的處理。在處理系列之後 ，晶圓被傳遞至卡匣站以被接收在晶圓卡匣中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在以上的處理系列中，黏著處理是用來將晶圓的表面 從親水性改變成疏水性，其係藉著對在容室中水平設置的 晶圓供應HMD S (六甲基二矽氮烷）蒸汽，且具體而言 ，是使氧化物膜的基礎基板的Ο Η群鍵被化學分離而去除 水分。 傳統上，在此處理中，在密封槽中的液體狀態的 Η M D S自然汽化，並且此氣氛由例如Ν 2 (氮）氣體強制 饋送而被供應至內部接收有半導體晶圓的容室內。密封槽 內部的液體位準（液體容量）是由液體位準偵測感測器來 監控，並且液體在液體位準降低時被供應至槽內，以隨時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- ；59881 A7 B7 五、發明說明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) =流控制裝置的質量流控制器打開之後打開，並且第二流 ^制裝置的質量流控制器被控制成在氣體的供應結束時且 在第一流控制裝置的質量流控制器關閉之後關閉，因而可 抑制只有液體被供應至汽化器，並且可防止未被汽化的液 體照原樣流入汽化器之後的管路。 本發明的另外目的及有利點會在以下的敘述中提出， 且有一部份會從此敘述中顯而易見，或是可藉著實施本發 明而學習。本發明的目的及有利點可藉著以下特別指出的 設備及組合來實現及獲得。 圖式簡要敘述 結合構成說明書的一部份的圖式顯示本發明目前的較 佳實施例，並且與以上所給的一般敘述及以下所給的較佳 實施例的詳細敘述一起作用來說明本發明的原理。 圖1爲顯示包含根據本發明的實施例的黏著單元的抗 蝕劑塗覆及顯影處理系統的整體結構的輪廓的平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2爲顯示圖1的抗蝕劑塗覆及顯影處理系統的整體 結構的前視圖。 圖3爲顯示圖1的抗鈾劑塗覆及顯影處理系統的整體 結構的後視圖。 圖4爲顯示根據本發明的實施例的黏著單元的結構的 輪廓的說明圖。 圖5爲顯示根據本發明的另一實施例的黏著單元的結 構的輪廓的說明圖。 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559881 A7 B7 五、發明說明（6 ) 圖6爲顯示包含加熱器模組的汽化器的結構的輪廓的 說明«。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖7爲顯示超音波型汽化器的結構的輪廓的說明圖。 $要元件對照表 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 卡匣 站 1 處理 站 1 2 界面 部 段 2 〇 卡匣 安 裝 台 2 0 a 定位 凸 出 部 2 1 晶圓 傳 遞 機 構 2 la 晶 圓 傳 遞 臂 2 2 主晶 圓 傳 遞 機構 2 2 a 傳遞 路 徑 2 3 周邊 曝 光 單 元 2 4 晶圓 傳 遞 機 構 2 4 a 晶圓 傳 遞 臂 2 5 導軌 4 6 晶圓 傳 遞 裝 置 4 7 傳遞 基 座 4 8 固持 構 件 4 9 圓柱形 支 撐 體 5 0 容室 5 1 下方 構 件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 - 5 2 5 3 5 4 5 5 5 6 5 6 6〇 6 1 6 2 6 3 6 3 6 4 6 5 6 6 6 7 559881 Α7 Β7 五、發明說明（7 ) 蓋構件 加熱板 定位銷 氣體引入口 氣體排出口 排氣管線 Η M D S氣體供應部段 液體Η M D S供應管線 載運氣體管線 汽化器 致動器
氣體化Η M D S供應管線 Η M D S 槽 液體Η M D S Ν 2氣體管線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 8 開 關 閥 6 9 質 量 流控 制 器 7 〇 三田 日周 節 器 7 1 過 濾 益 7 2 開 關 閥 7 3 質 里 流控 制 器 7 4 旁 通 管線 7 5 開 關 閥 7 6 開 關 閥 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559881 A7 B7 五、發明說明（8 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 7 排 泄 管 線 7 8 開 關 閥 7 9 排泄 槽 8 〇 控 制 器 8 1 加 熱 器 8 1 a 加 熱 模 組 8 1 b 加 熱 模 組 8 1 c 加 熱 模 組 9 〇 濃 度 感 測 器 9 1 控 制 器 9 2 閥 控 制 器 1 〇 〇 汽 化 器 1 〇 1 汽 化 室 1 〇 2 震 盪 器 1 〇 3 激 勵 電 路 A D 黏 著 單 元 A L I M 對 準 單 元 B R 緩 衝 器 卡 匣 C 〇 L 冷卻 單 元 C 〇 T 抗 蝕 劑 塗 覆單 元 C R 晶 圓 卡 匣 C R 可 運 輸 拾取卡 匣 D E V 顯 影 單 元 E X T 延 伸 單 元 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 559881 Α7 Β7 五、發明說明（9 ) E X T C 0 L 延伸/冷卻單元 G 1 第一處理部段 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) G 2 第二處理部段 G 3 第三處理部段 G 4 第四處理部段 G 5 第五處理部段 Η Ρ 熱板單元 S Ρ 安裝台 W 晶圓 發明的詳細敘述 以下參考圖式詳細說明本發明的較佳實施例。 首先說明安裝有根據本發明的實施例的黏著單元的抗 蝕劑塗覆及顯影處理系統的整體結構。 圖1爲顯示包含根據本發明的實施例的黏著單元的抗 蝕劑塗覆及顯影處理系統的整體結構的輪廓的平面圖，圖 2爲其前視圖，而圖3爲其後視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處理系統包含成爲傳遞站的卡匣站1 0，包含多個 處理單元的處理站1 1 ，以及用來在處理站1 1與相鄰設 置的曝光單元（未顯示）之間傳送晶圓W的界面部段1 2 〇 上述的卡匣站1 0將成爲被處理的物體的多個半導體 晶圓（下文簡稱爲晶圓）W從其他系統載運至此系統或從 此系統載運至其他系統，其中晶圓以例如2 5個爲一單位 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559881 A7 ___________ B7 · - 一 五、發明說明（10 ) 地被接收在晶圓卡匣c R中，並且上述的卡匣站1 0在晶 圓卡匣C R與處理站1 1之間傳遞晶圓w。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在卡匣站1 0中，如圖1所示，多個（圖中爲四個） 定位凸出部2 0 a沿著圖中的X方向形成在卡匣安裝台 2 0上，並且在這些凸出部2 〇 a的位置處，晶圓卡匣 C R可在各別的晶圓進出口面向處理站1 1之側之下安裝 於一線。在晶圓卡匣C R中，晶圓W被配置於直立方向（ Z方向）。另外，卡匣站1 〇包含晶圓傳遞機構2 1 ，其 位在晶圓卡匣安裝台2 〇與處理站1 1之間。晶圓傳遞機 構2 1包含可於卡匣對準方向（X方向）及晶圓對準方向 (Z方向）移動的晶圓傳遞臂2 1 a ，並且傳遞臂2 1 a 可選擇性地進出任何晶圓卡匣C R。另外，晶圓傳遞臂 2 1 a建構成可於Θ方向旋轉，因而容許進出屬於處理站 1 1之側的稍後會敘述的第三處理部段G 3的對準單元（ ALIM)及延伸單元（EXT)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述的處理站1 1包含用來操作對以多層設置在預定 位置處的晶圓W塗覆及顯影的一系列處理的多個處理單元 ，因而使晶圓W —個一個地被處理。如圖1所示，處理站 1 1包含在其中心部份的傳遞路徑2 2 a ，其中設置有主 晶圓傳遞機構2 2，並且所有的處理單元均圍繞晶圓傳遞 路徑2 2 a設置。多個處理單元被分成多個處理部段’並 且多個處理單元於各別的處理部段中沿著直立方向以多層 設置。 如圖3所示，主晶圓傳遞機構2 2配備有晶圓傳遞裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -13- 559881 A7 _ B7 五、發明說明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 置4 6，其可在圓柱形支撐體4 9內部於上下方向（Z方 向）上升及下降。圓柱形支撐體4 9可藉著馬達（未顯示 )的旋轉驅動動力而旋轉，因而使晶圓傳遞裝置4 6也成 整體地旋轉。 晶圓傳遞裝置4 6包含多個固持構件4 8，其可於傳 遞基座4 7的前後方向移動，並且晶圓W在各別處理單元 之間的傳送是藉著這些固持構件4 8來實現。 如圖1所示，在此實施例中，四個處理部段G i，G 2 ’ G 3，及G 4實際上設置於圍繞晶圓傳遞路徑2 2 a的周 邊，而處理部段G 5可視需要而設置。 在這些部段中，第一及第二處理部段G i，G 2相鄰地 設置在系統的前方側（圖1中的前方），第三處理部段G 3 相鄰於卡匣站1 〇設置，而第四處理部段G 4相鄰於界面部 段1 2設置。另外，第五處理部段G 5可設置在後側。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第一處理部段G i中，用來將抗飩劑塗覆在晶圓W上 的抗蝕劑塗覆單元（C〇T )及用來顯影抗蝕劑的圖型的 顯影單元（D E V )依序從底部排成兩層。類似地，在第 二處理部段G 2中，成爲二頭罩型（spinner-type )處理單 元的抗蝕劑塗覆單元（C〇T )及顯影單元（D E V )依 序從底部排成兩層。 如圖3所示，在第三處理部段G 3中，用來將晶圓W安 裝在安裝台S P上以操作預定處理的爐型處理單元排成多 層。亦即，根據本發明的實施例的操作所謂的疏水處理以 增進抗蝕劑的黏著性質的黏著單元（A D )，用來實施對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559881 A7 ----- B7 五、發明說明（12 ) 準的對準單元（ALIM)，用來載入/載出晶圓W的延 伸單元（E X τ )，用來操作冷卻處理的冷卻單元（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C 0 L ) ’以及在曝光處理之前/之後及在顯影處理之後 對晶圓W操作加熱處理的四個熱板單元（η p )依序從底 部排成八層。附帶一提，可設置具有對準功能的冷卻單元 (COL)來取代對準單元（ALIM)。 並且，在第四處理部段G4中，爐型處理單元排成多層 。亦即’冷卻單元（C〇L )，包含冷卻板的成爲晶圓傳 遞部段的延伸/冷卻單元（E X T C〇L )，延伸單元（ EXT)，冷卻單元（COL)，以及四個熱板單元（ Η P )依序從底部排成八層。 當第五處理部段G 5設置在主晶圓傳遞機構2 2的後側 時’其被設定成可沿著導軌2 5朝向從主晶圓傳遞機構 2 2所見之側移動。如此，甚至是在設置第五處理部段G 5 時’可藉著使其沿著導軌2 5滑動來確保空間，使得可容 易地從背面來實施主晶圓傳遞機構2 2的維修。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 相對於深度方向（X方向），上述的界面部段1 2的 長度與處理站1 1的長度相同。如圖1及圖2所示，可運 輸拾取卡匣C R及固定不動型緩衝器卡匣B R在界面部段 1 2的前方部份設置成兩層，周邊曝光單元2 3配置於其 後方部份，並且晶圓傳遞機構2 4配置於其中心部份。晶 圓傳遞機構2 4包含晶圓傳遞臂2 4 a ’其可於X方向及 Y方向移動進出二卡匣CR，BR以及周邊曝光單元2 3 。另外，晶圓傳遞臂2 4 a可於0方向旋轉，因而容許進 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 559881 A7 -- B7 五、發明說明（13 )
出屬於處理站1 1的第四處理部段G 4的延伸單元（E X T )’並且進一步進出相鄰的曝光罕.元側的晶圓傳送台（未 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯不）。 在如上所述的抗蝕劑塗覆及顯影處理系統中，首先在 卡匣站1 0中，晶圓傳遞機構2 1的晶圓傳遞臂2 1 a進 出在卡匣安裝台2 0上的收容未處理的晶圓W的晶圓卡匣 C R ’從卡匣C R移去一晶圓W，並且將其傳遞至第三處 理部段G 3的延伸單元（E X T )。 晶圓W從延伸單元（E X T )被主晶圓傳遞機構2 2 的晶圓傳遞裝置4 6載運至處理站1 1內。然後，在第三 處理部段G 3的對準單元（A L I Μ )中進行對準之後，其 被傳遞至黏著單元（A D )以承受疏水處理（Η M D S處 理），以增進抗蝕劑的黏著性質。因爲此處理需要加熱， 所以晶圓W在此之後被晶圓傳遞裝置4 6傳遞至冷卻單元 (C〇L )以被冷卻。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 黏著處理及在冷卻單元（C〇L )中冷卻之後的晶圓 W被晶圓傳遞裝置4 6繼續地傳遞至抗蝕劑塗覆單元（ COT)，其中抗鈾劑塗覆膜形成在晶圓W上。在塗覆處 理之後，晶圓w在處理部段G 3 ’ G 4的熱板單元（Η P ) 的任一個中進行預烘焙處理，然後在冷卻單元（C〇L ) 的任一個中被冷卻。 在冷卻之後，晶圓W被傳遞至第三處理部段G 3的對準 單元（A L I Μ )以承受對準’且隨後經由第四處理部段 G4的延伸單元（EXT)被傳遞至界面部段1 2。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .16, 559881 Α7 ___ Β7 五、發明說明（14 ) 在界面部段1 2中，對晶圓w的周邊實施周邊曝光’ 例如對其1 . 5 m m (毫米）的周邊部份，以去除過多的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 抗蝕劑，然後在相鄰於界面部段1 2設置的曝光單元（未 顯示）中根據預定圖型來對晶圓W的抗蝕劑膜實施曝光處 理。 在曝光之後，晶圓W再次返回至界面部段1 2 ’並且 被晶圓傳遞機構2 4傳遞至屬於第四處理部段G 4的延伸單 元（E X T )。然後，晶圓W被晶圓傳遞裝置4 6傳遞至 熱板單元（Η P )的任一個，以承受曝光後烘焙處理，然 後在冷卻單元（COL)中被冷卻。 隨後，晶圓W被傳遞至顯影單元（D Ε V )，其中曝 光圖型被顯影，並且周邊抗鈾劑被去除。在顯影之後，晶 圓W被傳遞至熱板單元（Η Ρ )的任一個以承受後烘焙處 理，然後在冷卻單元（C〇L )中被冷卻。當完成如上所 述的一系列處理時，晶圓W經由第三處理部段G 3的延伸單 元（ΕΧΤ)而返回至卡匣站1 0，並且被接收在晶圓卡 匣C R的任一個中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，以下參考圖4說明根據本發明的實施例的黏著 單元（A D )。 黏著單元（A D )包含用來接收晶圓w的容室5 0 ， 以及Η M D S氣體供應部段6 0。 容室5 0包含接收用來支撐晶圓W及加熱晶圓的加熱 板5 3的下方構件5 1 ’以及可移去地設置於下方構件 5 1的蓋構件5 2。在加熱板5 3的表面上，設置有例如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱） 559881 A7 ------- B7 五、發明說明（15 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) /、個疋{^銷5 4 (圖中只顯示其中的兩個）。定位銷5 4 白勺下方J份爲間隔件（其厚度爲例如〇 · 1 m m )，並且 晶圓W是藉著定位銷5 4而對準，並且藉著間隔件而被設 置在與加熱板5 3間隔開的位置處，以在所謂的近接（ proximity )系統下被加熱。蓋構件5 2的上表面上，設置 有氣體引入口 5 5及氣體排出口 5 6，並且HMDS氣體 及沖洗氣體從氣體引入口 5 5被引入容室5 0內，而容室 5 0內部的氣體從氣體排出口 5 6被排出。 Η M D S氣體供應部段6 0包含用來供應液體狀態的 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Η M D S的液體Η M D S供應管線6 1，用來供應例如Ν 2 氣體成爲載運氣體的載運氣體管線6 2，用來汽化液體狀 態的HMD S的汽化窃6 3 ’以及用來將由成爲載運氣體 的N 2載運的在汽化器6 3中汽化的氣體狀態的Η M D S供 應至容室5 0的氣體化Η M D S供應管線6 4。附帶一提 ，成爲汽化濃度控制閥的致動器6 3 a設置於汽化器6 3 。另外，靠近汽化器6 3，設置有具有溫度控制功能的加 熱器8 1成爲用於汽化穩定及汽化加速的溫度控制機構。 此實施例中的汽化器6 3具有如同噴霧器的結構。
液體Η M D S供應管線6 1插入儲存液體Η M D S 6 6的Η M D S槽6 5，並且Ν 2氣體經由Ν 2氣體管線 6 7而被供應至HMD S槽6 5內，因而強制饋送槽6 5 內部的液體Η M D S 6 6通過液體Η M D S供應管線6 1 。開關閥6 8及成爲流控制裝置的質量流控制器6 9從上 游側被放置在液體H M D S供應管線6 1的中間。 1本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -18 - 559881 Α7 ---Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（16 ) 載運氣體管線6 2爲用來將來自未顯示的氣體供應源 的成爲載運氣體的N2氣體供應至汽化器6 3，並且調節器 7 〇 ’過濾器7 1 ，開關閥7 2，以及成爲流控制裝置的 質量流控制器7 3從上游側被放置在中間。 開關閥6 8與液體Η M D S供應管線6 1的質量流控 制器6 9之間的一部份與開關閥7 2與載運氣體管線6 2 的質量流控制器7 3之間的一部份由一旁通管線7 4連接 ’並且開關閥7 5設置於旁通管線7 4。旁通管線7 4被 用來在實施維修時藉著Ν 2氣體來沖洗液體管線管路。 開關閥7 6放置在氣體化Η M D S供應管線6 4的中 間’並且排泄管線7 7在汽化器正下方的位置處連接於其 。開關閥7 8設置於排泄管線7 7，並且排泄槽7 9連接 於其。 控制器8 0控制液體Η M D S供應管線6 1的質量流 控制器6 9以及載運氣體管線6 2的質量流控制器7 3， 並且其可另外控制設置於各別管線的開關閥，雖然控制線 路並未顯示。控制器8 0是由黏著單元（AD )的單元控 制器（未顯示）來控制。 在如此建構的黏者單兀（A D )中，晶圓首先被設定 在容室5 0內部的加熱板5 3上，蓋構件5 2附著在下方 構件5 1上以獲得半密封狀態，並且氣體狀態的Η M D S 從Η M D S氣體供應部段6 0供應至容室5 0內。在供應 Η M D S氣體的同時，容室內部的氣體經由氣體排出口 5 6排出。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂· -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 559881 A7 一_ B7 五、發明說明（17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此情況中，氣體狀態的Η M D S是藉著在Η M D S 氣體供應部段6 0中強制饋送Ν 2氣體以將Η M D S槽6 5 內部的液體Η M D S 6 6經由液體Η M D S供應管線6 1 供應至汽化器6 3而形成在汽化器6 3中。另外，汽化器 6 3中形成的氣體狀態的Η M D S藉著被經由載運氣體管 線6 2供應至汽化器6 3內的載運氣體（Ν2氣體）載運通 過氣體化Η M D S供應管線6 4而從氣體引入口 5 5被引 入容室5 0內。在藉著HMD S的黏著處理之後， Η M D S的供應停止，並且沖洗氣體流入容室內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此，在此實施例中，液體Η M D S 6 6在控制液體 Η M D S供應管線6 1的液體流量之下被汽化器6 3汽化 ，使得可實施來自某定量液體的某定量的汽化，以及確實 地且可控制地形成具有穩定濃度的HMD S氣體氣氛，而 不會像在傳統的自然汽化中受環境的影響。另外，質量流 控制器6 9設置於液體Η M D S供應管線6 1 ，使得液體 Η M D S的供應量可被控制，並且質量流控制器7 3設置 於載運氣體供應管線6 2，使得液體Η M D S的汽化量及 汽化的Η M D S的供應量可容易地被控制，因而容許氣氛 的濃度相當容易地被控制。當在槽中自然汽化的氣體狀態 的Η M D S如同傳統技術中被供應時，此對濃度穩定性及 可控制性而言均不佳，會產生所謂的「死液（dead liquid )」的問題，其存留在槽的下方部份一段長時間週期而不 被汽化，但是當如同在此實施例中使用汽化器6 3時，可 去除此種問題。 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559881 Α7 _______ Β7 五、發明說明（18 ) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 另外，在如以上所述地供應Η M D S時，較佳的是控 制器8 0將液體Η M D S供應管線6 1的質量流控制器 6 9控制成在供應開始時且在載運氣體藉著打開載運氣體 供應管線6 2的質量流控制器7 3而流入載運氣體管線 6 2之後打開，並且將載運氣體供應管線6 2的質量流控 制器7 3控制成在氣體的供應結束時且在液體Η M D S的 供應藉著關閉液體Η M D S供應管線6 1的質量流控制器 6 9而停止之後關閉。藉著如此控制，可抑制只有液體 Η M D S供應至汽化器6 3，並且可防止未被汽化的液體 狀態的Η M D S流入汽化器6 3的後面階段。 另外，排泄管線7 7連接於氣體化Η M D S供應管線 6 4，使得存在於氣體化Η M D S供應管線6 4中的排水 可被引入排泄槽7 9內，因而確實防止排水供應至容室 5 0內。 以下說明本發明的另一實施例。在圖5所示的黏著單 元（A D )中，用來測量排氣中的Η M D S的濃度的濃度 感測器9 0附著於連接於排出口 5 6的排氣管線5 6 a。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 濃度感測器9 0的測量結果隨時被送至控制器9 1 ， 且控制器9 1將其與正確範圍的値比較，並且如果其落在 上述的正確範圍之外，則其被輸出至閥控制器9 2。 當從控制器9 1接收濃度落在正確範圍外部的訊號時 ，閥控制器9 2控制開關閥來關閉載運氣體供應管線6 2 的開關閥7 2以及液體Η M D S供應管線6 1的開關閥 6 8。在此情況中，最好報告外界其落在預先設定的濃度 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格mo X 297公釐） 559881 Α7 ________ Β7 五、發明說明（19 ) 正確範圍之外。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，在晶圓W的黏著處理期間，甚至是在容室中的 HMD S的濃度因爲某種原因而落在預定範圍之外，可在 該時間點立即中斷處理。結果，可先行防止缺陷製品的製 造。 上述的例如圖6所示的靠近汽化器6 3設置的加熱器 8 1可包含於汽化器6 3的縱向（亦即，於沿著汽化後的 氣體的吹出方向的方向）分開的加熱器模組8 1 a ，8 1 b，8 1 c 〇 在汽化器6 3中，靠近汽化器6 3的出口的氣體的溫 度比就在汽化之後的氣體的溫度低。這是由於液體汽化的 潛熱所造成。 因此，加熱器模組的溫度被設定成較高，以使得加熱 溫度依照加熱器模組8 1 a ，8 1 b，及8 1 c的順序變 得較高，因而使溫度可藉著相應於汽化器6 3的溫度梯度 來加熱汽化器6 3而被調節。結果，供應至容室5 0內的 汽化的氣體的溫度可更精確地被控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 應提及的是當例如在各批晶圓W之間改變供應至容室 5〇內的氣體中的Η M D S的濃度時，載運氣體較佳地在 改變之前先流入汽化器6 3內加以沖洗。在此情況中，加 熱器8 1的加熱溫度被設定爲比處理期間的溫度高，此使 得可藉著更快速地汽化存留在汽化器6 3中的Η M D S而 將其沖洗。 在如上所述的濃度改變中，在晶圓W的處理之前，汽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- 559881 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（20 ) 化器6 3在將晶圓W載入容室5 0內之前以常態模式（類 似於晶圓W的實際處理的操作模式）被暫時啓動，以實施 所謂的虛擬處理來查對氣體供應系統的操作，例如各批之 間的氣體化Η M D S供應管線6 4。 上述的汽化器6 3爲二流體噴霧型汽化器，其同時吹 出液體及被壓縮的載運氣體，但是可使用如圖7所示的超 音波型汽化器1 0 0。 汽化器1 0 0包含汽化室1 0 1以及附著於汽化室 1 0 1的底部的震盪器1 0 2。載運氣體管線6 2及液體 供應管線6 1連接於汽化室1 0 1。當超音波從激勵電路 1 0 3給至震盪器1 〇 2時，儲存在汽化室1 0 1中的 Η M D S藉著震盪器1 〇 2而成噴霧狀。如此建構的汽化 器1 0 0可被用在本發明中。 應注意本發明不受限於上述的實施例，並且可實施各 種不同的改變。在以上的實施例中，顯示本發明應用於抗 蝕劑塗覆及顯影處理系統的黏著單元的例子，但是此並非 限制性，本發明可應用於氣體化的氣氛是藉著汽化液體材 料而形成的情況中。例如，在藉著塗覆一溶液而在晶圓上 形成介電膜的S〇D (介電上旋轉（Spin On Dielectric ) )處理裝置中，有晶圓暴露於HMD S氣體，氨氣體，及 類似者的氣氛的過程，並且本發明可應用於如此的處理過 程。另外，在抗蝕劑圖型在不使用顯影溶液下藉著氣體而 顯影的乾顯影裝置中，當晶圓暴露於顯影氣體氣氛時，可 應用本發明。另外，在以上的實施例中，質量流控制器被 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 . 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23- 559881 A7 ____ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（21 ) 用來控制流動，但此不必定要限制於質量流控制器。另外 ，液體的供應是藉著氣體強制饋送來實施，但此並非限制 性，可使用泵或類似者。另外，在以上的實施例中，說明 使用半導體晶圓成爲基板的情況，但是其也可應用於半導 體晶圓以外的其他要被處理的基板，例如L C D基板。 如上所述，根據本發明，液體是在控制液體管線的液 體流量之下由汽化器汽化，所以可實施來自某定量液體的 某定量的汽化，以及確實地且可控制地形成具有穩定濃度 的氣體氣氛，而不受環境的影響。特別是，質量流控制器 設置於液體管線及載運氣體管線，使得液體的汽化量及汽 化的液體的供應量可容易地被控制，因而容許氣氛的濃度 相當容易地被控制。 另外，控制裝置被設置來將液體管線控制成在氣體供 應開始時且在載運氣體管線打開之後打開，並且將載運氣 體管線控制成在氣體的供應結束時且在液體管線關閉之後 關閉，因而可抑制只有液體供應至汽化器，並且可防止未 被汽化的液體照原樣流入汽化器之後的管路。 熟習此項技術者可容易地想到另外的有利點及修正。 因此，本發明在其較寬廣的方面不受限於此處所顯示及敘 述的特定細節及代表性的實施例。因此’在不離開由附隨 的申請專利範圍及其等效物所界定的本發明的技術思想的 精神或範圍下，可實施各種不同的修正。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 40 Γ 良 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24-