JPH05335280A - ガス流量制御装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガス雰囲気を用いる装置において、ウエハの
表面に均一な処理を施すことができるガス流量制御装置
とその製造方法を提供すること。 【構成】 ガス流量制御装置１は、ガスの流入孔３と流
出孔４との間に圧力弁２を設ける。圧力弁２として、シ
リコン板１２上に形成した加熱用配線２４の上方を圧力
調整室２３を介して包囲する状態でダイアフラム２１を
設け、流出孔４下方のダイアフラム２１上に調整ピン２
２を設ける。製造方法は、ダイアフラム２１となる多結
晶シリコン膜、流出孔４および通過孔５となる燐ガラス
膜を第１シリコン板１１に形成し、これと流入孔３、加
熱用配線２４および流量検出用配線２５を形成し第２シ
リコン板１２とを張り合わせ、燐ガラス膜を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細加工技
術により形成したシリコン板上の圧力弁を用い、ガスの
噴出量を調節するガス流量制御装置とその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩや光部品等の半導体装置を製造す
る場合、スパッタ装置やＣＶＤ（化学気相成長）装置、
ドライエッチング装置等のガス雰囲気を用いるものがあ
る。これらいずれの装置においても、シリコン等の半導
体から成るウエハ表面に均一な処理を施すためのもので
ある。

【０００３】このようなガス雰囲気を用いる装置の一例
として、スパッタ装置を図９に基づいて説明する。図９
の模式断面図に示すように、スパッタ装置３０はガス雰
囲気を形成するチャンバ３１と、チャンバ３１内の気体
を排気するポンプ３２とが設けられており、チャンバ３
１内には、ウエハ１０を搭載する保持台１３と対向電極
３３とが所定間隔を開けて相対向する状態に配置されて
いる。また、チャンバ３１内にアルゴン等のガスを供給
するため、チャンバ３１内に導入用パイプ７が挿入され
ている。

【０００４】このスパッタ装置３０を用いてエッチング
処理を行うには、先ずチャンバ３１内の気体をポンプ３
２にて排気して、アルゴン等のガスを導入用パイプ７の
噴出孔４からチャンバ３１内に供給し、チャンバ３１内
を所定の圧力（例えば０．２１Ｐａ）のガス雰囲気にす
る。そして、ウエハ１０の保持台１３に接続した高周波
電源（以下、ＲＦ電源とする）を用いて対向電極３３と
の間に高周波電圧を印加して、チャンバ３１内に高周波
放電状態を形成する。これによりアルゴンプラズマを形
成し、このプラズマ中のアルゴンイオンをウエハ１０に
衝突させ、ウエハ１０表面の酸化シリコン膜等をエッチ
ングする。例えば、前述のチャンバ３１内圧力でＲＦ電
源の電力を４００Ｗとし、６０秒間エッチング処理を施
した場合、酸化シリコン膜を１５ｎｍエッチングするこ
とができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このチ
ャンバ３１内に供給されるガスは、導入用パイプ７先端
のガスの流出孔４から噴出されポンプ３２で排出される
ため、チャンバ３１内のガス圧力分布に、流出孔４付近
が高くポンプ３２付近が低くなるという傾斜ができてし
まう。このため、ウエハ１０表面におけるエッチング量
の分布も、ガスの圧力が高い流出孔４付近で多くエッチ
ングされ、反対にガスの圧力が低いポンプ３２付近で少
なくエッチングされるという傾斜ができてしまう。この
場合、例えば８インチのウエハ１０におけるエッチング
量の最大最小差は平均値の１４％程度になる場合もあ
り、これはチャンバ３１内の圧力が高くなるほど顕著と
なる。

【０００６】このような観点から図１０の斜視図に示す
ように、保持台１３に搭載されたウエハ１０の周囲を取
り囲む状態で複数の流出孔４が配置されたガス流出装置
があるが、導入用パイプ７に近い流出孔４の方がガスの
圧力が高く、遠い方がガスの圧力が低くなってしまう。
すなわち、導入用パイプ７からの配管距離により各流出
孔４から噴出するガスの圧力差が生じてしまう。したが
って、このようなガス流出装置を用いても、ウエハ１０
の表面を均一に処理するには不十分である。よって、本
発明はガス雰囲気を用いる装置において、ウエハの表面
に均一な処理を施すことができるガス流量制御装置とそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたガス流量制御装置とその製造
方法である。すなわち、このガス流量制御装置は、シリ
コン板にガスの流入孔を穿設し、このシリコン板上で、
流通孔とガスを噴出する流出孔との間を連通する空間を
形成する圧力弁とから成るもので、この圧力弁の空間内
に加熱用配線を形成し、この加熱用配線の上方を圧力調
整室を介して包囲する状態で、かつ空間の内面との間に
所定の隙間を設けてダイアフラムを形成する。また、こ
のダイアフラムの上面に、流出孔から噴出するガスの流
量を調整するための調整ピンを設け、しかも、流入孔と
流出孔との間にガスの流量検出用配線を設けたものであ
る。さらに、この圧力弁をシリコン板の周縁部分を取り
囲む状態に複数設けたり、所定の間隔を開けてシリコン
板の表面全体に配置する。

【０００８】また、このガス流量制御装置の製造方法と
して、先ず、第１のシリコン板の表面に所定深さの穴を
形成し、この穴の底部略中央に等方性エッチングを施し
てテーパ状の凹溝を形成するとともに、この凹溝の底部
略中央に異方性エッチングを施して略垂直な縦溝を形成
する。次いで、この穴と凹溝と縦溝との内面に燐ガラス
膜を形成し、さらにこの燐ガラス膜上に多結晶シリコン
膜を形成し、穴に隣接して所定深さの横溝を形成する。

【０００９】次に、第２のシリコン板の表面に配線パタ
ーンと略垂直に貫通する縦穴とを形成し、この第２のシ
リコン板の表面と第１のシリコン板の表面とを張り合わ
せることで、第２のシリコン板上の配線パターンの上方
を第１のシリコン板上の穴で包囲するとともに、第１の
シリコン板の横溝と第２のシリコン板の縦穴との位置を
合わせる。そして、第１のシリコン板の裏面側を縦溝の
底部を覆う燐ガラス膜が露出するまで研削し、次いでこ
の燐ガラスをエッチング処理にて除去することで、縦溝
から横溝を介して縦穴まで連通させる。

【００１０】

【作用】シリコン板に形成したガスの流入孔と流出孔と
の間に圧力弁を設けたため、ガスの流量を調整すること
ができる。すなわち、圧力弁の空間内に設けられた加熱
用配線に電流を流すことで、この加熱用配線上の圧力調
整室の体積が膨張し、これを包囲するダイアフラムの上
面が弾性変形を起こして盛り上がることになる。これに
連動してダイアフラムの上面に設けられた調整ピンが押
し上げられ、流出孔と調整ピンとの間の隙間が狭くな
り、ガスの流量が減少することになる。

【００１１】また、流入孔と流出孔との間に設けられた
流量検出用配線に電流を流して加熱しておき、その上を
通過するガスの流量に応じて奪われる熱量と流量検出用
配線の配線抵抗の変化との対応からガスの流量を検出す
る。このような圧力弁をシリコン板の周縁部分を取り囲
む状態に配置したり、所定の間隔でシリコン板全体に配
置することで、均一なガス雰囲気を形成することができ
る。

【００１２】また、このようなガス流量制御装置とし
て、シリコン板の等方性エッチングや異方性エッチン
グ、および２枚のシリコン基板の張り合わせを行うこと
で製造する。第１のシリコン板には、圧力弁の空間とな
る穴と、流出孔となる縦溝および調整ピンの形状に対応
するテーパ状の凹溝を形成する。この穴と縦溝と凹溝と
の内面に燐ガラス膜を介してダイアフラムとなる多結晶
シリコン膜を形成する。第２のシリコン板には、加熱用
配線となる配線パターンと流入孔となる縦穴とを形成す
る。

【００１３】この第１のシリコン板の表面と第２のシリ
コン板の表面とを張り合わせることで、加熱用配線の上
方を圧力調整室を介した状態でダイアフラムが配置され
ることになる。この状態で、第１のシリコン板の裏面側
を研削し、流出孔となる縦溝の底部が露出させる。この
露出した縦溝の底部を覆う燐ガラス膜をエッチング処理
することで、流出孔とダイアフラム上の隙間とが中空と
なる。これにより、第１のシリコン板の縦溝と流入孔と
なる第２のシリコン板の縦穴とが、ダイアフラム上の隙
間を介して連通することになる。

【００１４】

【実施例】以下に、本発明のガス流量制御装置とその製
造方法を図面に基づいて説明する。先ず、本発明のガス
流量制御装置について説明する。図１は本発明のガス流
量制御装置の主要部の断面図である。このガス流量制御
装置１は、第１シリコン板１１と第２シリコン板１２と
を張り合わせたもので、第２シリコン板１２を貫通する
流入孔３と、第１シリコン板１１に設けられた流出孔４
との間に圧力弁２が設けられたものである。

【００１５】圧力弁２内には、中空の空間が設けられて
おり、この空間内の第１シリコン板１１上に加熱用配線
２４が形成されている。さらに、この加熱用配線２４の
上方を空気等で満たされた圧力調整室２３を介して包囲
する状態に薄膜状のダイアフラム２１が設けられてい
る。このダイアフラム２１と圧力弁２の空間との間には
隙間が設けられており、この隙間がガスの通過孔５とな
り、流入孔３と流出孔４との間を連通させている。

【００１６】また、ダイアフラム２１上面の流出孔４と
の間には、テーパ状の調整ピン２２が設けられており、
流出孔４と調整ピン２２との隙間の大きさを可変するこ
とで、ガスの噴出量を変化させている。

【００１７】このようなガス流量制御装置１は基台８上
に設置されており、基台８に設けられた導入孔６とガス
流量制御装置１の流入孔３とが連通している。したがっ
て、ガスは導入孔６と連通する導入用パイプ７から供給
され、導入孔６を通過し、ガス流量制御装置１の流入孔
３に流れ込むことになる。このガスの流量を検出するた
め、流入孔３と連通する通過孔５内には、流量検出用配
線２５が設けられている。

【００１８】次に、このガス流量制御装置１の動作を説
明する。すなわち、流入孔３に流れ込んだガスは、通過
孔５を通りダイアフラム２１および調整ピン２２の上方
を通過して流出孔４から噴出される。この際、流量検出
用配線２５に電流を流して加熱しておき、この上を通過
するガスの流量に応じて奪われる熱量と流量検出用配線
２５の配線抵抗との関係からガスの流量を検出する。

【００１９】この検出結果に基づいてガスの噴出量を調
整するには、加熱用配線２４に電流を流して、その上の
圧力調整室２３内の空気等を加熱膨張させる。この膨張
でダイアフラム２１の上部が押し上げられ、これに連動
して調整ピン２２が上昇することになる。調整ピン２２
が上昇することにより、調整ピン２２と流出孔４との隙
間が狭くなり、ガスの流量を少なくすることができる。

【００２０】ガスの流量が少なすぎる場合には、加熱用
配線２４に流す電流を止めることで、圧力調整室２３内
の空気等の体積が収縮しダイアフラム２１を下降させ
る。これにより、調整ピン２２と流出孔４との間の隙間
が広がり、ガスの流量が多くなる。

【００２１】ガス流量制御装置１の一例として、図２の
一部破断斜視図に示すように、ガス流量制御装置１の第
２シリコン板１２上に処理を施すためのウエハ１０を搭
載するものがる。これは、ウエハ１０の搭載位置の周囲
を取り囲む状態に、先に述べた圧力弁２が複数配置され
ており、各流出孔４からガスが噴出される。この際、各
圧力弁２は独立してガスの流量が調整され、ウエハ１０
上のガス圧力が均一となるように制御される。また、他
の例として、第２シリコン板１２上にウエハ１０を搭載
しない場合には、所定の間隔を開けて複数の圧力弁２を
第２シリコン板１２の全面に配置したものでもよい。

【００２２】このようなガス流量制御装置１を使用した
スパッタ装置を図３の模式断面図に示す。このスパッタ
装置３０は、所定のガス雰囲気を形成するためのチャン
バ３１に、チャンバ３１内の気体を排気するためのポン
プ３２が設けられており、チャンバ３１内には、ウエハ
１０を搭載する保持台１３と本発明のガス流量制御装置
１が取り付けられた対向電極３３とが所定の間隔を開け
て相対向した状態に配置されたものである。

【００２３】ガス流量制御装置１に取り付けられた導入
用パイプ７からガスを供給して、チャンバ３１内を所定
のガス雰囲気とし、保持台１３に接続されたＲＦ電源を
用いてチャンバ３１内をプラズマ状態とする。これによ
り、供給されたガスのイオンをウエハ１０に衝突させ
て、ウエハ１０表面にエッチング処理を施す。

【００２４】このようなスパッタ装置３０では、ウエハ
１０と相対向する対向電極３３側にガス流量制御装置１
が設けられているため、ここで使用するガス流量制御装
置１として、先に述べたような圧力弁２が所定の間隔を
開けて第２シリコン板１２の全面に配置されたものが適
している。これは、図４の斜視図に示すように、第２シ
リコン板１２上面に圧力弁２が一定間隔の格子状に配列
されたもので、各圧力弁２に導入用パイプ７から供給さ
れたガスが導かれ、それぞれ流量が調整されて流出孔４
から噴出されるものである。

【００２５】このようなガス流量制御装置１を用いてウ
エハ１０に均一な処理を施すには、予め、各圧力弁２に
設けられた加熱用配線２４の電流量とウエハ１０の処理
量との関係を求めておき、この関係に基づいて各圧力弁
２を調整すればよい。このような各圧力弁２の調節によ
り、ウエハ１０に均一なエッチング処理を施すことがで
きるようになる。

【００２６】具体的には、図２に示すような第２シリコ
ン板１２の周縁部分に圧力弁２が設けられているガス流
量制御装置１をこのスパッタ装置３０に用いた場合に
は、８インチのウエハ１０によるエッチング量の分布は
最大最小差で平均値の約９％となる。また、図４に示す
ような第２シリコン板１２の全体に圧力弁２が配置され
たガス流量制御装置１を用いた場合には、８インチのウ
エハ１０によるエッチング量の分布は最大最小差で平均
値の約３％とすることができる。

【００２７】次に、本発明のガス流量制御装置の製造方
法を図５〜図７に基づいて工程順に説明する。なお、説
明を簡単にするために、図ではガス流量制御装置１の圧
力弁２の１個分を示しており、この製造方法を例として
説明を行う。先ず、図５（Ａ）に示すように、第１シリ
コン板１１の表面にフォトレジスト１１ａを塗布し、通
常のフォトリソグラフィ法を用いて、例えば直径１０μ
ｍ、深さ３μｍの穴１１ｂを穿設する。

【００２８】次に、図５（Ｂ）に示すように、再度フォ
トレジスト１１ａを塗布し、穴１１ｂの底部略中央部に
達する孔を形成し、これをマスクとして等方性エッチン
グを施して、例えば深さ１μｍのテーパ状の凹溝１１ｃ
を形成する。さらに、この凹溝１１ｃの底部略中央部に
異方性エッチングを施して、例えば深さ２μｍの略垂直
な縦溝１１ｄを形成する。

【００２９】そして、図５（Ｃ）に示すように、第１シ
リコン板１１の表面に、例えば厚さ０．５μｍの燐ガラ
ス膜１１ｅを形成する。これにより、穴１１ｂの内面と
底部に形成された縦溝１１ｄ内、およびテーパ状の凹溝
１ｃ内にも燐ガラス膜１１ｅが形成される。この際、凹
溝１１ｃ内を完全に燐ガラス膜１１ｅで埋めることな
く、そのテーパ形状が保たれるようにする。さらに、こ
の燐ガラス膜１１ｅ上に、例えば厚さ３μｍの多結晶シ
リコン膜１１ｆを形成する。

【００３０】次に、図６（Ａ）に示すように、第１シリ
コン板１１の表面に形成された多結晶シリコン膜１１ｆ
および燐ガラス膜１１ｅを反応性イオンエッチング法等
を用いてエッチバックし、穴１１ｂの内面に形成された
多結晶シリコン膜１１ｆを約２μｍエッチングする。こ
の残りの約１μｍ厚の多結晶シリコン膜１１ｆが圧力弁
２内のダイアフラム２１となる（図１参照）。その後、
この第１シリコン板１１の表面を回転研削装置にて研磨
して、穴１１ｂ以外の多結晶シリコン膜１１ｆおよび燐
ガラス膜１１ｅを除去する。

【００３１】そして、図６（Ｂ）に示すように、第１シ
リコン板１１の穴１１ｂに隣接して、例えば深さ５０ｎ
ｍの横溝１１ｇを形成する。この横溝１１ｇがのちにガ
スの通過孔５となる（図１参照）。

【００３２】次に、図６（Ｃ）に示すように、第２シリ
コン板１２の表面に、例えば厚さ１０ｎｍの酸化シリコ
ン膜１２ｂを形成し、所定の位置に厚さ２０ｎｍ程度の
タングステン等から成る加熱用配線２４と流量検出用配
線２５とをスパッタ法等により形成する。さらに、流量
検出用配線２５の近傍の第２シリコン板１２に反応性イ
オンエッチング法等により縦穴１２ａを貫通させる。こ
れがのちのガスの流入孔３となる。

【００３３】次に、図７（Ａ）に示すように、先に述べ
た第１シリコン板１１の表面と第２シリコン板１２の表
面とを張り合わせる。すなわち、第２シリコン板１２上
に形成された加熱用配線２４の上方を第１シリコン板１
１の穴１１ｂで包囲する状態に配置し、流量検出用配線
２５と縦穴１２ａとの上方に横溝１１ｇが配置されるよ
うに位置合わせする。この状態で、例えば１０００℃で
１０分間加熱して第１シリコン板１１と第２シリコン板
１２とを張り合わせる。これにより、加熱用配線２４の
上方に圧力調整室２３が形成される。

【００３４】そして、図７（Ｂ）に示すように、第１シ
リコン板１１の裏面側を縦溝１１ｄに達するまで研削す
る。これにより、縦溝１１ｄの底部が削除され、縦溝１
１ｄ内に形成された燐ガラス膜１１ｅ（図５（Ｃ）参
照）が露出する。そして、この燐ガラス膜１１ｅを例え
ばフッ酸により除去する。この燐ガラス膜１１ｅを除去
することで、縦溝１１ｄが開口して流出孔４となるとと
もに、流出孔４の下方に所定の隙間を開けてテーパ状の
調整ピン２２を形成することができ、さらに、加熱用配
線２４の上方を圧力調整室２３を介して包囲するダイア
フラム２１を形成できる。

【００３５】このようにして、流入孔３と流出孔４とが
ダイアフラム２１を有する圧力弁２により連通したガス
流量制御装置１を製造できる。いずれの工程において
も、通常の半導体製造技術を用いているため、容易にし
かも正確に製造することがきる。なお、上記の説明で示
した数値は一例であり、これに限定されるものではな
く、圧力弁２の配置や個数、大きさに応じて決まるもの
である。また、第２シリコン板１２上に多数の圧力弁２
を形成する場合も、製造方法は同様である。

【００３６】このようなガス流量制御装置１を用いた半
導体製造装置として、先に述べスパッタ装置の他にアッ
シング装置や図８の模式断面図に示すようなＣＶＤ（化
学気相成長）装置がある。このＣＶＤ装置４０は、ウエ
ハ１０を搭載する保持台１３を赤外線ランプ４２等で加
熱してウエハ１０を所定の温度にし、保持台１３と相対
向する状態に配置されたガス流量制御装置１との間で化
学反応を起こし、ウエハ１０上に所定の膜を堆積するも
のである。

【００３７】チャンバ４１内の略中央に配置されたガス
流量制御装置１にはガスの導入用パイプ７が設けられて
おり、このガス流量制御装置１から噴出するガスが左右
に設けられたポンプ３２により排気される。このような
ＣＶＤ装置でウエハ１０の表面に薄膜を堆積する場合、
ウエハ１０の温度が不均一であるとともに、チャンバ４
１内のガス圧がウエハ１０の中心付近で高く、周辺に近
いほど低くなるため、ウエハ１０上に均一な膜を形成す
るのが困難である。

【００３８】このため、本発明のガス流量制御装置１を
用い、例えば図４に示すような第２シリコン板１２の全
面に圧力弁２を配置したものを用いればよい。さらに、
このような各圧力弁２の間隔を一定にして配置するもの
の他に、先に述べたガス圧の分布を考慮して中央付近か
ら周辺に行くに従い密にするように配置したものを用い
てもよい。このようなＣＶＤ装置により、例えば８イン
チのウエハ１０上に形成した膜厚の分布として、最大最
小差を平均膜厚の５％以内を得ることができる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のガス流量
制御装置とその製造方法によれば、次のような効果があ
る。すなわち、ガス流量制御装置の各圧力弁でガスの噴
出量を制御することができるため、チャンバ等のガス雰
囲気内のガス圧力に不均一が生じても、ウエハ上の処理
を均一にすることが可能となる。さらに、ガス圧力の不
均一以外の要因、例えばウエハの表面温度のばらつき等
による処理の不均一を解消することが可能となる。

【００４０】また、このガス流量制御装置の製造方法に
よれば、シリコン板を通常の半導体加工技術を用いて製
造するため、簡単でしかも正確なガス流量制御装置を製
造することができる。このように、ウエハに均一な処理
を施すことができるため、ウエハ上に形成する半導体素
子の各製造プロセスを均一に行うことが可能となり、歩
留りの向上につながる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のガス流量制御装置の主要部の断面図で
ある。

【図２】ガス流量制御装置の一部破断斜視図である。

【図３】本発明を用いたスパッタ装置を説明する模式断
面図である。

【図４】他のガス流量制御装置を説明する斜視図であ
る。

【図５】本発明のガス流量制御装置の製造方法を（Ａ）
〜（Ｃ）の工程順に説明する断面図（その１）である。

【図６】本発明のガス流量制御装置の製造方法を（Ａ）
〜（Ｃ）の工程順に説明する断面図（その２）である。

【図７】本発明のガス流量制御装置の製造方法を（Ａ）
〜（Ｂ）の工程順に説明する断面図（その３）である。

【図８】本発明を用いたＣＶＤ装置を説明する模式断面
図である。

【図９】従来のスパッタ装置を説明する模式断面図であ
る。

【図１０】従来のガス流出装置を説明する一部破断斜視
図である。

【符号の説明】

１ ガス流量制御装置 ２ 圧力弁 ３ 流入孔 ４ 流出孔 ５ 通過孔 ６ 導入孔 ７ 導入用パイプ ８ 基台 １０ ウエハ １１ 第１シリコン板 １２ 第２シリコン板 ２１ ダイアフラム ２２ 調整ピン ２３ 圧力調整室 ２４ 加熱用配線 ２５ 流量検出用配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン板に穿設されたガスの流入孔
   と、 前記シリコン板上に設けられ、かつ前記流入孔と前記ガ
   スの流出孔との間を連通する空間が形成された圧力弁と
   から成るガス流量制御装置であって、 前記圧力弁の前記空間内には、加熱用配線と、 前記加熱用配線の上方を圧力調整室を介して包囲する状
   態で、かつ前記空間の内面との間に所定の隙間を設けて
   形成されたダイアフラムと、 前記ダイアフラム上面に設けられ、前記流出孔から噴出
   する前記ガスの流量を調整するための調整ピンとから成
   ることを特徴とするガス流量制御装置。
2. 【請求項２】 前記流入孔と前記流出孔との間には、前
   記ガスの流量を検出する流量検出用配線が設けられてい
   ることを特徴とする請求項１記載のガス流量制御装置。
3. 【請求項３】 前記圧力弁が前記シリコン板の周縁部分
   を取り囲む状態で複数配置されていることを特徴とする
   請求項１記載のガス流量制御装置。
4. 【請求項４】 前記圧力弁が所定の間隔を開けて前記シ
   リコン板の表面全体に配置されていることを特徴とする
   請求項１記載のガス流量制御装置。
5. 【請求項５】 第１のシリコン板の表面に所定深さの穴
   を形成し、前記穴の底部略中央部に等方性エッチングを
   施してテーパ状の凹溝を形成するとともに、前記凹溝の
   底部略中央部に異方性エッチングを施して略垂直な縦溝
   を形成する工程と、 前記穴と前記凹溝と前記縦溝との内面に燐ガラス膜を形
   成し、さらに前記燐ガラス膜上に多結晶シリコン膜を形
   成する工程と、 前記第１のシリコン板に形成した前記穴に隣接して所定
   深さの横溝を形成する工程と、 第２のシリコン板の表面に所定の配線パターンと、略垂
   直に貫通する縦穴とを形成する工程と、 前記第２のシリコン板の表面と前記第１のシリコン板の
   表面とを張り合わせることで、前記配線パターンの上方
   を前記穴で包囲するとともに、前記横溝と前記縦穴との
   位置を合わせる工程と、 前記第１のシリコン板の裏面側を前記縦溝の底部を覆う
   前記燐ガラス膜が露出するまで研削し、次いで前記燐ガ
   ラスをエッチング処理にて除去することで、前記縦溝か
   ら前記横溝を介して前記縦穴まで連通させる工程とから
   成ることを特徴とするガス流量制御装置の製造方法。