TW555616B - Process method and equipment for planarization, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
555616 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於利用半導體積體電路的製造過程所使用 的硏磨加工的晶圓表面圖案的平坦化加工方法及裝置，特 別是關於在包含晶圓外周部的全表面範圍，可獲得高的加 工均勻性與高的可靠性之晶圓保持保持器。 【發明背景】 【習知技藝之說明】 近年來伴隨著半導體裝置（Device)的高密度、微細化， 微影（Lithography)工程中的曝光光學系的焦點裕度（Margin) 不足變成問題，形成半導體裝置的晶圓（Wafer·)表面的平坦 化變的極爲重要。此晶圓平坦化技術之一有稱爲化學機械 硏磨法（CMP:Chemical Mechanical Polishing)的圖 3 所示的硏 磨加工法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將硏磨墊（Pad) 16貼在旋轉壓板15上使其旋轉。此硏磨 墊16例如將發泡（Urethan)樹脂切成薄的薄片（Sheet)狀來成 形，依照被加工物的種類或希望精加工的表面粗糙度的程 度，選擇種種其材質或微細的表面構造而分別使用。另一 方面，應加工的晶圓2如日本特開平1 1 - 1 98025號公報所揭 示的，配設與硏磨墊的摩擦力所產生的水平方向的力所造 成的跳出防止用止動裝置（Retainer)18 ，以一定壓力壓緊於 硏磨墊16。令此晶圓保持保持器（Holder) 17旋轉，同時利 用空氣或海綿等的柔軟手段來加壓晶圓2的背面，壓緊於 硏磨墊16表面，然後，藉由在硏磨墊16上供給硏磨硏漿 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 4 _ 555616 A7 _B7___ 五、發明説明（2 ) (Slurry)14 ，使晶圓表面上的介電層的凸部被硏磨除去，被 略平坦化。 硏磨二氧化矽等的介電層時，一般硏磨硏漿係使用膠 體狀矽土（Colloidal silica)。膠體狀矽土係使直徑30nm左右 的微細矽土粒子懸浮於水氧化鉀等的鹼性水溶液，因加入 鹼性所產生的化學作用，故與僅由磨粒所產生的機械硏磨 比較，具有可獲得飛躍的高加工能率與加工損傷（Damage) 少的平滑面之特徵。 如此，在硏磨墊與被加工物之間供給硏磨硏漿，同時 加工的方法爲游離磨粒硏磨技術廣爲人知，惟有依照圖案 (Pattern)的種類或層差的狀態無法充分地平坦化之圖案尺寸 依存性的問題、或硏磨硏漿或硏磨墊等消耗品的成本極高 的問題、再者起因於硏磨墊的消耗之長期穩定性的不足等 的課題。 解除這種游離磨粒硏磨所造成的平坦化的缺點，固定 磨粒硏磨所產生的平坦化槪念揭示於PCT/JP95/01814號。 此新的平坦化技術在圖3所示的硏磨裝置中其特徵爲 取代習知的硏磨墊，使用硬度被控制到最佳的特殊磨石1 。具體上磨石1的彈性率若爲5〜500 kg/mm2的話，與習知一 般的磨石比較爲1/10到1/100的硬度，相反地若與習知本發 明的用途所使用的硬質發泡（Urethan)製等的硬質硏磨墊的 硬度比較的話爲5倍到50倍。 磨粒的種類最好爲二氧化矽、氧化鉋、氧化鋁土 (Alumina)等，粒徑爲0.01〜1 // m左右者不發生刮痕 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 %% 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 5 - 555616 A7 ___B7 _ 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (Scratch)，可獲得良好的加工能率。用以結合這些磨粒的樹 脂最好爲酚醛（Phenol)系、聚乙烯（Polyethylene)系等的高純 度有機系樹脂。混練上述磨粒於結合樹脂後，施加適當的 壓力使其固體化，依照需要施加加熱硬化等的處理。上述 製法中可藉由結合樹脂的種類以及加壓壓力來控制所完成 的磨石的硬度，本技術係使其爲5〜5 00 kg/mm2。 爲了使粒徑1 // m的氧化鉋磨粒爲彈性率：1〇〇 kg/mm2 ，對以苯酚系或聚乙烯系樹脂結合而製作的磨石供給純水 作爲硏磨液，使用此磨石與硏磨液來加工膜厚1 // m的二 氧化矽膜時，皆無刮痕的產生，且圖案寬度對l〇mm到0.5 // m的所有種類的圖案，可獲得加工速度：〇.3 土 0.011 // m/ 分以下之極良好的平坦化性能。上述無刮痕的加工與良好 的平坦化性能之兩立，以使用彈性率爲最佳化的磨石之固 定磨粒加工最初可完成的效果已被本發明者驗證。 如上述雖然以磨石爲硏磨工具的平坦化技術具有許多 的優點，惟另一方面因磨石的彈性率遠比硏磨墊還大，故 加工均勻性的點相反地變成不利。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 使用硏磨墊進行游離磨粒硏磨時，如使用圖3所說明 的，在硏磨墊上加壓止動裝置18同時進行硏磨。因此，與 晶圓的硏磨同時進行止動裝置1 8的磨耗。硏磨加工時施加 於晶圓背面的加壓力與晶圓表面的受壓力之平衡雖然可藉 由柔軟的硏磨墊的彈性變形來補償，惟若止動裝置1 8磨耗 的話，因晶圓表面的壓力分布不均勻，故需要更換止動裝 置1 8的作業。對於使用彈性率高的磨石之固定磨粒硏磨， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 555616 A7 B7 五、發明説明（4 ) 因幾乎無磨石自身的變形效果’故持續地獲得良好的均勻 性係比CMP還困難。 而且，對於使用彈性率高的磨石之固定磨粒硏磨，因 加工中所產生的摩擦力比使用硏磨墊的游離磨粒硏磨大 1.5〜2倍左右，故加工中的晶圓2有起因於壓緊於止動裝置 1 8之晶圓2外周區域的過度硏磨傾向，有使晶圓外周部的 除外區域之邊緣排除（Edge exclusion)變窄困難的問題。 如上述說明的在使用磨石的固定磨粒硏磨中，習知的 晶圓保持保持器因磨石的變形吸收能力不充分，故有均勻 性不充分或無法使邊緣排除變窄等的缺點。 【發明槪要】 提供高平坦性性能、無刮痕、邊緣排除窄且包含可持 續被加工晶圓1 0000片以上的高均勻性之晶圓保持器的加工 裝置以及加工方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可藉由具備非接觸地保持扣環與磨石面，並且控制其 間隔（Gap)於一定範圍內，以及令扣環的壓縮強度爲 3000kg/cm2以上來達成。 【圖式之簡單說明】 圖1係說明本發明的圖。 圖2係說明雙重止動裝置保持器的圖。 圖3係說明習知的半導體平坦化硏磨法的圖。 圖4係說明均勻性降低的原因的圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 555616 A7 _______B7_五、發明説明（5 ) 圖5係說明晶圓基板形狀的圖。 圖6係說明使用本發明的硏磨裝置的構成圖。 圖7係說明雙重止動裝置保持器的止動裝置層差的調 整手段的圖。 圖8係說明適用本發明的晶圓的加工均勻性的圖。 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【符號說明】 1:磨石 3:止動裝置 5:薄片 7:兩面膠帶 9:萬向接頭軸承 11:外側止動裝置 13:硏漿供給噴嘴 15:旋轉定盤 17:習知的保持器 1 9:旋轉軸 21:擺動臂 23:止動裝置調整手段 100:磨石的移動方向 2:晶圓 4:保持器 6:空氣配管 8:黏著層 10:輸送機構 12:海綿層 14:硏獎 16.·硏磨墊 18:止動裝置 20:雙重止動裝置保持器 22:定尺寸修整器 24:加工液供給噴嘴 【較佳實施例之詳細說明】 以下使用圖1說明本發明的一實施例。此外，圖1爲主 要部分的剖面槪略圖。 項
頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 555616 A/ B7 五、發明説明（6 ) 保持器4配設進行用以控制保持器內部的空氣壓的空 氣導入/排氣之配管6。柔軟地伸縮的薄片5藉由空氣壓被 貼在吸附此空氣室的外周的晶圓2側。在吸附此薄片5的晶 圓的面，以兩面膠帶（Tape)等貼上0.5毫米厚左右的海綿層 12 ，提高薄片5與晶圓2的吸附性而使用爲一般。而且薄 片材料，聚對苯二甲酸乙二醇酯（Polyethylene terephthalate ，PET)或聚醯亞胺（Polyamide ，PI)等的有機材料由對彈性 強度或反覆負荷的強度觀之係適合。 以下說明使用本發明的保持器以進行平坦化加工的功 能。利用未圖示的晶圓交付手段吸附晶圓2後，保持器4移 動到磨石1上而待機。在此時點磨石1朝箭頭1 00的方向旋 轉。保持器4開始自轉，朝磨石面下降。此下降量由未圖 示的控制手段來管理，晶圓2的被加工面與磨石1接觸，所 希望的空氣壓力施加於晶圓2的背面，且止動裝置3在不與 磨石1接觸的高度中停止下降。如此，藉由非接觸地保持 扣環3與磨石1來加工，產生可省略習知的扣環3的與磨石 1的磨耗所造成的扣環3的更換作業之特長，產生裝置的運 轉率提高之大的功效。 與耐久性的提高有關的第二問題，有薄片5的鬆弛。 此主要的原因爲硏磨加工時的薄片的濕潤所造成的膨脹與 空氣室外周部的黏著面的偏移之兩點。在本發明中，係預 先使薄片濕潤，在充分膨脹的狀態下黏著於保持器4。藉 由遵循這種順序使在接近實際加工狀態的條件下之成形爲 可能，可避免薄片濕潤所造成的薄片鬆弛。 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 旁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 9 - 555616 A7 _B7 五、發明説明（7 )
而且，對薄片5的保持器4之黏著通常係使用兩面膠帶 。此乃因必須禁得起晶圓加工中所產生的摩擦力，故黏彈 性的止推（Thrust)耐性高的兩面膠帶較適合。但因兩面膠帶 的黏著層其厚度爲5 // m左右的膠體（Gel)，故具有對橫方 向的止推容易彈塑性變形的性質，因無法產生返回貼在保 持器最外周的構造上的力，故產生不可逆的偏移變形。因 此，若僅以兩面膠帶將薄片黏著到保持器的話，在晶圓加 工中發生薄片5鬆弛、晶圓的加工力的再現精度降低的問 題。因此，本發明如圖11所示係在內側具有黏彈性力的兩 面膠帶7與外側由對剪切變形強的黏著劑所製作的黏著層8 的並用構造。黏著劑係日本東亞合成（股）製的ARON ALPHA 等的瞬間黏著劑等，若選擇對止推的變形抵抗大的形式則 有效。藉由製作成這種構造，可防止晶圓加工中的止推所 造成的薄片5的鬆弛，可飛躍地提高薄片5的耐久性、可達 成長壽命化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以上如所敘述的，在利用具有高彈性率的磨石所產生 的平坦化加工中，控制保持器的高度，相對磨石1以實質 平行非接觸地保持扣環3，且藉由將薄片5的黏著構造製作 成兩面膠帶7與黏著層8的並用構造，具有可長時間維持良 好的均勻性之功效。 另一方面，敘述在實際加工上所發生的三個技術課題 中的依照本發明的解決策。首先第一技術課題爲起因於晶 圓加工中的摩擦力之保持器4前的耗損現象，由於此現象 負荷集中於晶圓周邊區域造成過度硏磨損失均勻性。對此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1〇 - 555616 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 問題可藉由充分地提高圖1的旋轉軸1 9與保持器4的剛性 來解決。即若提高相當於可忽視起因於摩擦力的保持器的 傾斜之程度部分的剛性來進行的話即可。 第二技術課題係關於經常保持扣環3與磨石丨的間隔於 一定的精度。此間隔若變化則晶圓外周部所受到的負荷在 間隙窄的區域高、在間隙廣的區域低，降低均勻性。此現 象特別是使用平坦化性能高的硬磨石之加工特有的課題， 爲硏磨墊利用的習知硏磨技術所未發現的現象。因此，扣 環3與磨石1的間隔需要遍及止動裝置全周放入一定的容許 量之中。發明者們的實驗獲得令均勻性在± 1 0 %以內的容 許寬度爲30〜50 // m以內之結果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，以磨石進行平坦化加工時，爲了恢復（Refresh) 磨石表面伴隨著晶圓加工所造成的磨具氣孔變形，需要進 行修整（Dressing)。因此，伴隨著晶圓加工磨石的厚度減少 而進行。即需要晶圓加工時的目標保持器高度位置逐一更 新配合現狀的磨石厚度之高度位置來追蹤的保持器高度控 制手段。爲了解決此技術課題，配設磨石面高度感測器 (Sensor)，測定磨石表面位置，使扣環底面位置而不是其表 面位置保持預定間隔來控制也可以。再者，使用如圖2所 示的雙重止動裝置構造的保持器（雙重止動裝置保持器）也可 以。 雙重止動裝置保持器係在習知的扣環3的外側更具備 外側扣環1 1 ，此外側扣環1 1係藉由輸送機構1 0來改變止 動裝置11的突出量之構造。而且因旋轉軸與保持器的結合 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 _ 555616 ____B7 _ 五、發明説明（9 ) 係中介萬向接頭機構9，故即使保持器旋轉軸與磨石1面的 垂直度具有若干的誤差，保持器的姿勢追蹤磨石面並無問 題。因此，藉由採取這種構造，具有不需滿足以圖1所說 明的保持器高度控制手段或保持器與旋轉軸的高剛性化， 以及與磨石面的平行度之高精度的調整之功能的手段，可 容易地提高可靠度之功效。 第三技術課題係關於扣環3的彈塑性變形所造成的晶 圓邊緣區域的過度硏磨。使用圖4說明此現象。晶圓2被壓 緊於磨石1，因相對地互相摩擦，故由於箭頭1〇〇所示的方 向的摩擦力使其自保持器剝落而受力。支持此力者爲扣環3 。此扣環3的材料由污染防止的觀點常使用樹脂。通常使 用磨耗度低的聚縮醛（POM)、聚苯硫（PPS)、聚醚酮醚 (PEEK)、尼龍（Nylon)等的工程塑膠（Engineering plastic)。 這種樹脂材料的壓縮強度頂多1000 kg/cm2，不過是金屬材 料的1/5〜1/10 。來自晶圓邊緣的接觸部大約1〇〇〇〜3〇〇〇 kg/cm2的集中負荷施加到扣環3，使扣環3塑性變形。藉由 此塑性變形如圖所示因晶圓邊緣被部分地壓緊於磨石1 ， 故發明者們發現晶圓外周部分的負荷增加，變成外周部的 過度硏磨。本發明係扣環材料藉由使用禁得起來自晶圓的 壓縮力的壓縮強度高的材料來解決此課題。例如，不銹鋼 其壓縮強度爲5000 kg/cm2以上，具有充分的性能。透過此 不銹鋼製的扣環加工時的均勻性如圖8所示，均勻性係土 6 %以下爲良好。此外，當將本扣環裝配到習知的磨石面與 止動裝置面被接觸加壓的保持器，由於此硬的止動裝置面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 12 _ 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 m 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 555616 A7 B7 五、發明説明（10 ) 引起磨石面的磨具氣孔變形現象。即發生對加工以有效的 磨粒包含於磨石的樹脂來塗佈，速率（Rate)降低的問題。以 本發明的非接觸地保持扣環與磨石的技術，最初可防止磨 石面的磨具氣孔變形現象。但是使用金屬材料時，有擔心 對晶圓的金屬離子之附著所造成的污染的問題。爲了避免 此問題’若塗佈不產生對裝置的污染問題之材料的話即可 。例如’塗佈材料可舉出如PEEK的工程塑膠或Ti、TiN、 Ta、TaN的金屬材料。當然PEEK的塗佈厚度應爲大致不產 生加工中晶圓邊緣變形，即可忽視彈塑性變形的厚度，實 質上10〜100 μ m左右較佳。PEEK以外使用聚醯亞胺（PI)、 聚醯亞胺-醯胺（Polyimideamide，PAI)或鐵氟隆（Teflon)也可 以。 而且’因晶圓邊緣的壓緊現象所造成的過度硏磨現象 之問題係止動裝置面依存於來自晶圓所受的力，故使晶圓 的外周端形狀之斜面（Bevel)形狀接近圖5所示的圓柱形上 ，可藉由制定爲晶圓形狀的規格來減輕擴大受壓面積。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，使用圖6說明適合實施本發明的加工裝置的具 體構成例。 基本上採取兩壓板（Platen)—臂（Arm)的構成之例。圖中 依照下述動作的擺動臂2 1的位置明示於A〜D的四個位置。 本發明的雙重止動裝置保持器20係裝配於擺動臂21。此擺 動臂21爲可旋轉移動的構造，從各壓板上方到止動裝置調 整手段的位置可決定旋轉位置。兩壓板之中圖中下部的壓 板係安裝彈性率1〇〇 kg/mm2與可顯示充分的平坦化性能的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 13 - 555616 A7 B7 五、發明説明（11 ) 磨石1-1 ，圖中上部的壓板係安裝彈性率20 kg/mm2與彈性 率比磨石1 -1還低的磨石1 -2。此乃以除去磨石1 -1所產生 的微小刮痕之精加工的目的來安裝，若無需要可省略。而 且，無限定於磨石的必要，即使使用習知的硏磨墊也能期 待同樣的功效。各壓板結合可定尺寸切入磨石的修整器 (DresserK定尺寸修整器）22。而且，在各磨石上方具備加工 液供給噴嘴（Nozzle)24。 其次，說明加工順序。晶圓2在擺動臂位置A中，藉 由真空吸引被夾在（Chuck)雙重止動裝置保持器20，移動到 位置C而待機。其間磨石1 -1以預定的公轉速度旋轉，定尺 寸修整器22-1係以切入量1 β m來修整磨石1-1。然後，由 加工液供給噴嘴24開始供給加工液。在此狀態下待機的雙 重止動裝置保持器與下降同時以預定的轉速自轉，雙重止 動裝置保持器20的外側止動裝置1 1與磨石1 -1接觸，然後 ，加壓到預定的負荷。在此時點打破雙重止動裝置保持器 20的真空，藉由加壓到預定的空壓來加壓晶圓2的背面以 加工晶圓表面。在預定的時間加工後除壓、真空吸引將晶 圓2吸附到雙重止動裝置保持器20。然後，自磨石1 -1使 保持器20上升，移動到位置B。與在磨石1 -1所進行的順 序一樣，利用磨石1 - 2來加工，最後返回到位置A卸下 (Unload)晶圓2。此爲晶圓加工的一連動作。 若晶圓的加工片數持續到預定量例如150〜200片左右， 則外側止動裝置11的磨耗持續，均勻性降低。在此時點中 移動擺動臂2 1到位置D，進行外側止動裝置11的自動調整 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 意 事 項 再 填
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 555616 A7 B7 五、發明説明（12 ) 。此調整爲配合外側止動裝置與內側止動裝置的層差到預 定量的作業，調整手段以壓緊到圖7所示的基準工作台 (Table)23爲簡略的構成可實現爲較佳。將內側止動裝置壓 緊於基準面，將外側止動裝置突出到基準工作台面來固定 的話即可。此調整的時機（Timing)爲依照累積加工片數、累 積加工時間、均勻性管理的任意時點之任何一個均可。
藉由採取這種構成與加工順序，可維持極高的平坦化 性能良好的均句性，可獲得可以無保養（Maintenance free)來 加工到磨石的壽命之晶圓10000〜20000片之習知所沒有的性 能。 產業上的利用可能性：本發明可適用於對於具有以半 導體裝置晶圓的平坦化爲首，液晶顯示元件或微機械（Micro machine)、磁碟基板、光碟基板以及菲涅爾透鏡（Fresnel lens)等的微細表面構造之元件的製造等，極高精度的基板 表面的平坦化、平滑化。 【發明的功效】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明係對於具有以半導體裝置晶圓的平坦化爲首， 液晶顯示元件或微機械、磁碟基板、光碟基板以及菲涅爾 透鏡等的微細表面構造之元件的製造等，以極高精度的基 板表面的平坦化、使平滑化加工長壽命、高可靠度的量產 水準，具備可實現的功效。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 15 -
Claims (1)
- 555616 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 、一種半導體基板的平坦化加工方法，其特徵爲將 形成圖案的半導體基板的表面壓緊於硏磨工具表面上使其 相對運動，同時平坦化硏磨該圖案，其中包含： 中介薄膜薄片將流體壓力施加於該半導體基板的背面 之工程；以及 藉由設定配設於該半導基板的跳出防止q的/內側扣 環外側的外側止動裝置的側扣環底 自硏磨工具表面以預定的間隔保持屬義側扣環之工程。、W 2、 如申請專利範圍第1項所述之半導體基板的平坦化 加工方法，其中自硏磨工具表面以預定的間隔保持該半導 體基板的跳出防止用的該內側扣環底面的距離爲該半導體 基板厚度的一分之一'以下。 3、 如申請專利範圍第1項所述之半導體基板的平坦化 加工方法，其中包含：平坦化加工半導體基板預定片數之工 程；以及突出該外側止動裝置以平行地保持該硏磨工具表 面與該內側扣環底面的位置來重覆調整之工程。 4、 如申請專利範圍第1項所述之半導體基板的平坦化 加工方法，其中令該內側扣環的壓縮強度爲3000kg/cm2以 上。 5、 如申請專利範圍第1項所述之半導體基板的平坦化 加工方法，其中該內側扣環的材料爲不銹鋼，以樹脂或TiN 來塗佈表面的至少一部分。 6、 如申請專利範圍第1項所述之半導體基板的平坦化 加工方法，其中該內側扣環的材料爲鈦，以樹脂來塗佈表 (請先閱讀背面之注意事項再 -裝·--- Ipi·本頁) 訂·· •線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-16 · 555616 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 面的至少一部分。 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 7、如申請專利範圍第1項所述之半導體基板的平坦化 加工方法，其中該內側扣環的材料爲陶瓷。 8 、一種半導體基板的平坦化加工方法，其特徵爲將 形成圖案的半導體基板的表面壓緊於硏磨工具表面上使其 相對運動，同時平坦化硏磨該圖案，其中包含： 對該半導體基板的背面全體約略均等地施加壓力，藉 由內側扣環抑制該半導體基板的水平方向的移動，藉由配 設於該內側扣環外側的外側止動裝置，使該內側扣環的底 面與該硏磨工具表面的距離保持於一定，以平坦化該半導 體基板的表面。 9、如申請專利範圍第8項所述之半導體基板的平坦化 加工方法，其中自該硏磨工具表面以一定的間隔保持該內 側扣環底面的距離爲該半導體基板厚度的二分之一以下。 1 0、一種半導體基板的平坦化裝置，其特徵爲將形成 圖案的半導體基板的表面壓緊於硏磨工具表面上使其相對 運動，同時平坦化硏磨該圖案，其中包含： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中介薄膜薄片將流體壓力施加於該半導體基板的背面 之手段； 以跳出防止用的內側扣環保持該半導體基板的手段； 以及 爲了保持該內側扣環的底面與自該硏磨工具表面的間 隔於一定，在該內側扣環的外側配設具有比該內側扣環底 面還低的底面之外側止動裝置之手段。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 555616 A8 B8 C8六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再9本頁) π、如申請專利範圍第10項所述之半導體基板的平坦 化裝置’其中該內側扣環的材料爲不銹鋼，以樹脂或ΤιΝ 來塗佈表面的至少一部分或具備扣環。 1 2、如申請專利範圍第1 〇項所述之半導體基板的平坦 化裝置’其中該內側扣環的材料爲鈦，具備對該鈦塗佈樹 脂的扣環。 1 3、如申請專利範圍第1 〇項所述之半導體基板的平坦 化裝置，其中具備該內側扣環的材料爲陶瓷的扣環。 1 4、如申請專利範圍第1 〇項所述之半導體基板的平坦 化裝置，其中由該外側止動裝置的底面與該內側扣環的底 面所形成的層差變成預先被決定的距離，且具備形成預先 被決定的層差之凸型的層差修正機構，俾該外側止動裝置 以及該內側扣環的底面互相平行。 •線—: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5、如申請專利範圍第1 4項所述之半導體基板的平坦 化裝置，其中該外側止動裝置的底面摩耗所造成的該外側 止動裝置的底面與該內側扣環的底面之間所形成的層差變 動，以及因該外側止動裝置的底面的驟減所產生的摩耗， 對該外側止動裝置的底面與該內側扣環的底面之間所形成 的平行度變動，該外側止動裝置以及該內側扣環的底面變 成預先被決定的層差之距離，調整使其相互的底面約略平 行。 本紙_張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-18-
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