TW554600B - Semiconductor laser device including light receiving element for receiving monitoring laser beam - Google Patents

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554600 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（彳) 本發明是有關具備接受監視用雷射光的受光元件的半 導體雷射裝置。 採用第1A圖、第1 B圖、及第1 C圖來說明習知的 半導體雷射裝置的構造。第1 A圖是表示習知的半導體雷 射裝置的構成的平面圖。第1 B圖是沿著前述平面圖中的 1 B - 1 B線的斷面圖。第1 C圖是由雷射光的發光面側 觀看前述半導體雷射裝置的正面圖。 如第1A圖〜第1 C圖所示，半導體雷射元件用安裝 頭（以下稱半導體雷射元件）1 〇 1是被載置在矽基板 1 ◦ 2上。在該矽基板1 〇 2上形成受光元件1 0 3。更 在形成模組的引線框架1 〇 4上，載置矽基板1 0 2。 在引線框架1 0 4的周圍，配置引線端子1 0 5。在 該引線端子1 0 5與矽基板1 0 2、受光元件1 0 3之間 ，以及在引線框架1 0 4與半導體雷射元件1 0 1之間， 形成搭接線1 0 6。更在引線框架1 0 4上覆蓋前述半導 體雷射元件1 0 1、矽基板1 02、受光元件1 0 3、及 搭接線1 0 6地，設有外圍器1 0 7。 在此種半導體雷射裝置中，會因裝置組裝時的熱履歴 或雷射振盪時的發熱，使應力施加於半導體雷射元件 1 0 1上的話，半導體雷射元件1 0 1所具有的特性，會 很快產生臨時性劣化。因此，半導體雷射元件1 0 1的壽 命減短。此對策是半導體雷射元件1 0 1不直接載置在引 線框架1 0 4上，而是將之載置在線膨脹係數比較相近的 矽基板1 0 2上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 554600 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（2 ) 從半導體雷射元件1 0 1其中一方的端面1 〇 1 A射 出主雷射光L 1 。從與該其中一方的端面1 0 1 a相反的 另一方的端面1 0 1 B發出監視用雷射光L 2。監視用雷 射光L 2從另一方的端面1 0 1 B向後方射出的話，該監 視用雷射光L 2就會射入受光元件1 0 3，且會因該受光 元件1 0 3被轉換爲光電，成爲電流被檢測。 第1 B圖所示的半導體雷射裝置中，在構造上，監視 用雷射光L 2的主射出方向與受光元件1 0 3的受光面是 成平行的。在此，主射出方向是指監視用雷射光L 2的射 出方向中，所射出的雷射光L 2的光強度爲最強的方向。 如前所述，與監視用雷射光L 2的主射出方向平行地 配置受光元件1 0 3的受光面的話，大部分的監視用雷射 光L 2不會射入受光元件1 0 3，不當的光就不會被周圍 的外圍器1 0 7或引線框架1 0 4吸收，或者散射。可是 監視用雷射光L 2具有某種廣角會被射出，故受光元件 1 0 3會拾得自主射出方向錯開的一部分監視用雷射光 L 2，而轉換成監視用的電流。因此習知的半導體雷射裝 置中，因受光元件1 0 3引起的監視用雷射光L 2的受光 率非常低。爲了將該不當的光抑制在最小限，通常受光元 件1 0 3是配置在半導體雷射元件1 0 1的監視用雷射光 射出點的附近。如此一來，對半導體雷射元件1 0 1的配 置就存在著很大的制約性。 而不射入到受光元件1 0 3 ，周圍的外圍器1 0 7或 從引線框架1 0 4反射而成的散射光，向半導體雷射元件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -5- 554600 A7 B7 五、發明説明（3 ) 1 0 1射入的話，很容易產生雜訊，使雷射振盪產生錯亂 的不當影響。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由某一側面觀看本發明的半導體雷射裝置乃具備有： 射出雷射光的片狀半導體雷射元件；接受從前述半導體雷 射元件被射出的監視用雷射光，並轉換爲電子信號的片狀 受光元件；載置前述半導體雷射元件及前述受光元件的引 線框架；以及具有包圍前述半導體雷射元件及前述受光元 件周圍的構造’且在其內面的至少一部分具有光反射面的 外圍器。 以下參照圖面針對本發明的實施形態做說明。說明時 ，於全圖中共通的部分附上共通的參考符號，其說明則予 省略。 第一實施形態 首先針對本發明的第一實施形態的半導體雷射裝置做 說明。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 第2 A圖是表示第一實施形態的半導體雷射裝置構成 的平面圖。第2 B圖是沿著前述平面圖中的2 B — 2B線 的斷面圖，第2 C圖是由雷射光的發光面側觀看前述半導 體雷射裝置的正面圖。如第2 A圖〜第2 C圖所示，半導 體雷射元件11是被載置在陶瓷基披12上。成爲下部的 外圍器1 3的模組是被形成在引線框架1 4。在引線框架 1 4上載置陶瓷基板1 2、及受光元件1 5。前述引線框 架1 4是例如由平板狀金屬材料製成的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6- 554600 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在前述引線框架1 4的周圍，配置引線端子1 6。在 該引線端子1 6與陶瓷基板1 2及受光元件1 5之間，形 成搭接線1 7。更在引線框架1 4與半導體雷射元件1 1 之間，也形成搭接線1 7。再者，第2 B圖、第2 C圖中 ，省略了搭接線1 7。 而在引線框架1 4上則覆蓋前述半導體雷射元件1 1 、陶瓷基板1 2、受光元件1 5、及搭接線1 7地，形成 上部的外圍器1 3。外圍器1 3在覆蓋前述半導體雷射元 件1 1、陶瓷基板1 2、受光元件1 5、及搭接線1 7的 內面，如第2 B圖及第2 C圖所示，具有上面1 3A和側 面1 3 B。而且上面1 3 A是成爲用來反射從半導體雷射 元件1 1被射出的雷射光的光反射面。 經濟部智慧財產局員工消贽合作社印製 雷射光L 1是從前述半導體雷射元件1 1的其中一方 的端面1 1 A被射出。監視用雷射光L 2則是從與該其中 一方的端面1 1 A相反的另一方的端面1 1 B被射出。監 視用雷射光L 2從前述另一方的端面1 1 B向後方被射出 的話，該監視用雷射光L 2會射入到受光元件1 5，且會 因該受光元件1 5引起光電轉換，成爲電流檢測。 接著詳細說明前述半導體雷射裝置的構造及製造方法 〇 首先，對引線框架材料施行沖壓，形成所希望的圖案 ，更進行施行成型加工而形成引線框架1 4。在該引線ί匡 架1 4，利用射出成型等，將成爲下部的外圍器的樹脂， 包圍住載置半導體雷射元件1 1的部分地加以成型。對於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 554600 A7 B7 五、發明説明（5 ) 引線框架1 4的母材，考慮到半導體雷射元件1 1動作時 的散熱性，而使用銅系材料。再者，因場合也可使用4 2 合金等鐵系材料。對於引線框架1 4考慮到組裝性，事先 施以鍍金或鈀等的適當外裝。 接著，在形成前述下部的外圍器1 3的引線框架1 4 上，例如介著陶瓷基板1 2等，來載置半導體雷射元件 1 1和受光元件1 5。半導體雷射元件1 1，乃如習知例 所做的說明，如直接接觸到引線框架1 4地加以載置的話 ，經歷時間劣化變快。於是通常在半導體雷射元件1 1， 將由線膨脹係數比矽等近，熱傳導率高的氮化鋁等所製成 的陶瓷基板1 2，設在引線框架1 4和半導體雷射元件 1 1之間。 '在前述陶瓷基板12，事先藉由蒸鍍金和圖案化，在 其背面形成電極。半導體雷射元件1 1的裝置方法，例如 藉由將金錫焊料等的接著劑加熱到3 0 0 t的程度，且將 該金錫焊料熔融後，使之硬化，在陶瓷基板1 2上熔融接 合導體雷射元件1 1。藉此來確保半導體雷射元件1 1和 陶瓷基板1 2上的電極之間的電氣導通。也有因場合而取 代焊料，使用銀環氧接著劑等的狀況。但此時會有因接著 劑蔓延和所產生的氣體污染等問題的緣故，並不太適合本 實施形態。 考慮到在前述半導體雷射裝置的背面，接合半導體雷 射元件1 1時的加熱和實裝該半導體雷射裝置後的散熱性 ，會從外圍器1 3的一部分露出引線框架1 4。前述外圍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Ρ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554600 A7 __B7 五、發明説明（6 ) 器1 3的一部分特別是指夾住引線框架1 4而載置半導體 雷射元件1 1的位置背側的部分。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此，半導體雷射元件1 1和受光元件1 5同樣地是 被載置在與引線框架1 4的表面平行的平面上。於是受光 元件1 5會直接接受到來自半導體雷射元件1 1的監視用 雷射光L 2，因此，朝向半導體雷射元件1 1側傾斜載置 受光元件1 5的話，載置受光元件1 5的引線框架1 4的 裝置面必須形成傾斜。爲了將前述引線框架1 4的載置面 形成傾斜，就需要將引線框架1 4折彎，使得相對於載置 陶瓷基板1 2的面形成斜面。假設在引線框架1 4形成斜 面時，認爲環線等一連的引線框架在工程流動時，對產品 設計和裝置設計上會有非常大的限制。此結果會發生製品 特性惡化、設備費用增加以及組裝速度降低等很大的弊端 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而引線框架1 4上的受光元件1 5的載置部，爲了成 爲壓入已成型的樹脂內的形狀，如前所述，很難在受光元 件1 5的載置時進行高溫加熱。此結果對組裝性產生很大 的問題。因而包括該第一實施形態的本發明的實施形態， 則是將載置在引線框架1 4上的半導體雷射元件1 1、陶 瓷基板1 2、及受光元件1 5 ，成爲大致與引線框架1 4 平行地加以配置的設計。 接著針對該第一實施形態的外圍器做詳細說明。外圍 器1 3是由下部及上部兩個部分所構成。下部的外圍器 1 3乃如前所述，以密貼在引線框架1 4的形式，事先被 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 554600 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成型。半導體雷射元件1 1則被加熱接合在該已成型的引 線框架1 4上。因此在下部的外圍器可使用耐熱性工程塑 料（例如聚醚醚銅（PEEK)等）或液晶聚合體（ LCP)等材料。其他也可使用聚酯棉（pSf)、聚醚 石風（PES)、聚伸苯基硫（PPS)、聚醯胺（ PPA)、芳香族聚酯（PAR) (U聚合物）、聚醯胺 一醯亞胺（PAI)、聚醚醯亞銨（PEI)、聚醯亞胺 (P I )及聚四氟乙烯等（FR (PTFE))等材料。 但是綜合性考量耐熱性、耐藥品性、機械性強度、引線密 著性、成形性、發生氣體以及成本等等的話，對於包括該 第一實施形態的本發明的實施形態則更適合P E E K或 L C P、P P A。 而就耐熱性面來看，除如上所述的熱可塑性樹脂以外 ，也可考慮環氧等熱硬化性樹脂。但是對於環氧等熱硬化 性樹脂會有因模塑法後產生毛邊和傳遞高溫特性變動等問 題，並不太適合本發明的實施形態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而上部的外圍器1 3乃藉由載置半導體雷射元件1 1 和搭接線1 7的結線等，於半導體雷射裝置內部組裝完成 後，藉由接著劑和熱壓固、超音波接合、壓入、嵌合等， 就能成爲蓋部而對下部的外圍器做精度佳的安裝。 前述上部及下部的外圍器1 3的形狀可以單純地分爲 上部和下部的形式，也可以朝著略呈箱狀的下部內嵌入上 部的方式。嵌入時例如在接合面的任何一方’設置凸部’ 在另一方設置凹部，推入時正好嚙合凹凸的形狀亦可。而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 554600 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明（8 ) 在任何一方設有返折的突起部，推入時可以朝向設在另一 方的凹部扣住的形狀。而上部的外圍器當然是由兩個以上 的零件所構成。 該第一實施形態是在上部或下部的外圍器1 3的接著 面，塗佈矽系接著劑。然後將上部朝下部安裝，且以約 2 0 0 °C的程度使之熱硬化，令上部的外圍器接合在下部 的外圍器。 前述外圍器13的材料是選定外圍器13內面的光反 射率高的材料。或對外圍器1 3的內面施行其內面的光反 射率高地表面處理。在此，外圍器1 3的內面是指朝向載 置在具有中空構造的外圍器內部的半導體雷射元件1 1側 的面。再者，通常我們由外側觀看半導體雷射裝置的外圍 器的時候，看得見外圍器的面爲外面。 該第一實施形態中，在面對受光元件1 5的受光面側 亦即上部的外圍器1 3的內面（上面1 3 A )設置光反射 面的話，特別有效。若考慮此點，上部的外圍器1 3的材 料適用光反射率高的白色耐熱P B T樹脂等。該p B T樹 脂的情形乃考慮到耐熱性、光反射率、及成形性，混入 1 0 %〜3 0 %左右的玻璃 維。在此，考慮到接著劑的 硬化溫度，將荷重彎曲溫度2 1 0 °C〜2 2 0 °C左右的 P B T射出成型，製成上部的外圍器。就連p b τ的難燃 性也是U L - 9 4 V 0等級，没有問題。 前述外圍器1 3的其他材料，就連使用對樹脂（例如 A B S等）施行金屬（例如鉻等）電鍍的材料，也能獲得 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ^ 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 f 554600 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 同樣的效果。而即使不用樹脂，而是用具有光澤的金屬材 料等，也能獲得同樣的效果。考慮到外圍器1 3的製造成 本等，在該第一實施形態中則使用P B T。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 也可以在形成於引線框架1 4下部的外圍器1 3這邊 ，設置光反射面。而且也可以只在外圍器1 3內面的一部 分形成光反射面，也可以形成在整個內面。例如外圍器 1 3內面中，只有射入具有由半導體雷射元件1 1寬大p 的監視用雷射光L 2的部分成爲光反射面的話，除此以外 的部分都不需要光反射面。亦即，外圍器1 3內面中，只 有監視用雷射光L 2的射入部分成爲所希望的光反射面的 話，除此以外的部分就不需要特別成爲光反射面。同樣地 ，只有射入部分成爲所希望的光反射面形狀的話，除此以 外的部分就不需要特別考慮光學性的形狀。與其顧慮無用 的反射光再射入到半導體雷射元件而成爲雜訊，倒不如希 望必要部分以外，特別將面對半導體雷射元件這側等積極 地成爲非反射面的情形也有。像這樣，外圍器1 3內面中 ，加以限定作爲光反射面機能的部分，也就能節省材料費 和成形費。 儘量縮小作爲前述外圍器1 3內面的光反射面機能的 部分的面積，爲了達到更低成本、小型化，希望儘量將光 反射面設置在半導體雷射元件1 1的近傍。進而，半導體 雷射元件1 1到受光元件1 5的距離比半導體雷射元件 1 1到光反射面的距離短爲佳。爲了實現該條件，本發明 的實施形態多半是在平行於通過雷射光射出點的雷射光主 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 554600 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（1〇 ) 射出方向的直線上，且與直至受光元件1 5的距離相等， 或接近相等的位置，來設置光反射面。在引線框架上連接 複數個半導體雷射元件時，於最後施行切斷引線，分開成 一個個的半導體雷射裝置。 完成的半導體雷射裝置外形，乃如第2 A圖所示，由 外圍器1 3向兩側面突出，供對外部導電連接的四條外引 線、和供實裝時定位，或供散熱的葉片板（引線框架1 4 )。藉由對拾波器的安裝方法，由半導體雷射裝置的側面 突出導電連接用引線（外引線）的形狀也沒關係。而自外 圍器突出爲了從半導體雷射裝置後方散熱的葉片板的形狀 也沒關係。也有在葉片板的前端部設置螺固用孔等情形。 按此，半導體雷射裝置爲2波長振盪時，有四條引線 。該四條引線細分爲對半導體雷射元件1 1施加用的兩條 ，取得來自受光元件1 5的電流所用的一條，進而作爲共 通接地用的一條。引線的極性是根據半導體雷射元件1 1 的極性所決定。1波長振盪時，對半導體雷射元件1 1施 加用的爲一條，合計有三條引線。引線的條數，在半導體 雷射元件1 1的振盪波長數和載置複數個半導體雷射元件 的時候，是根據半導體雷射元件數量等所決定。 而除了供導電連接的引線以外，從外圍器1 3露出的 葉片板和背面散熱板等全部爲接地狀態地加以設計引線框 架1 4。這是爲了對拾波器部的金屬框體實裝該半導體雷 射裝置時，考慮不會電氣短路。 在半導體雷射裝置的前面，設有欲取得來自半導體雷 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -13- 554600 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明（n ) 射元件1 1的主雷射光的開口部。也可以按情況在該開口 部設置玻璃等透光性構件。 接著針對前述第一實施形態的變形例的半導體雷射裝 置做說明。該變形例是將前述第一實施形態的半導體雷射 裝置實裝在拾波器框體的情形，考慮到對拾波器框體進行 壓入、及旋轉方向的光軸調整等而加以變形。 第3 A圖是表示第一實施形態的變形例的半導體雷射 裝置構成的平面圖。第3 B圖是沿著前述平面圖中的3 B - 3 B線的斷面圖。第3 C圖是由雷射光的發光兩側觀看 前述半導體雷射裝置的正面圖。 如第3 A圖〜第3 C圖所示，對拾波器框體的圓筒孔 部，壓入半導體雷射裝置後，以能旋轉地將形成半導體雷 射裝置的側面的外圍器1 8作成部分圓筒形狀。進而除去 引線框架1 9的葉片板的部分。此時，旋轉調整而需要的 雷射光射出點是設計成爲圓筒的中心。外圍器1 8的內面 乃如第3B圖所示，具有上面1 8A和側面1 8B。上面 18A是成爲用來反射從半導體雷射元件11被射出的監 視用雷射光L 2的光反射面。 而下部的外圍器1 8在形成半導體雷射裝置的側面的 時候，在組裝精度上、及零件精度上，如果上部的外圍器 1 8露出側面，就會在側面產生段差，達不到作爲外形基 準的作用。爲了防止此現象，採取將上部的外圍器嵌入下 部的外圍器內側的方式。 如以上說明般，在該第一實施形態及變形例中，藉由 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） -14- 554600 A7 B7 五、發明説明（12 ) 以外圍器的內面作爲光反射面，使得至今仍爲浪費的光被 周圍吸收、散射的監視用雷射光向受光元件側反射，射入 到受光元件。藉此就能確認從半導體雷射元件射出監視用 雷射光的主雷射光狀態，做有效的利用。而按照該第一實 施形態及變形例，不必另外設置反射板等高價的零件，就 能飛躍性地提高監視用雷射光的受光效率，以低成本實現 具有高生產性的超小型半導體雷射裝置。 第二實施形態 接著針對本發明的第二實施形態的半導體雷射裝置做 說明。該第二實施形態中，在與前述第一實施形態中的構 成同樣的部分，附上相同符號，其說明則予省略。 第4 A圖是表示第二實施形態的半導體雷射裝置構成 的平面圖。第4 B圖是沿著前述平面圖中的4 B — 4 B線 的斷面圖，第4 C圖是由雷射光發光兩側觀看前述半導體 雷射裝置的正面圖。 如第4 B圖所示，外圍器2 3的內面成爲光反射面， 且該光反射面的內面的一部分爲斜面。亦即，覆蓋受光元 件1 5的外圍器2 3的內面，乃具有上面2 3A、斜面 23B、及上面23C。而且上面23A、斜面23B、 及上面2 3 C則成爲用來反射從半導體雷射元件1 1被射 出的監視用雷射光L 2的光反射面。此時，只有斜面 2 3 B作爲光反射面亦可。屬於光反射面的斜面角度只要 是設定在利用受光元件1 5的受光效率變高的所定角度即 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -15- 554600 A7 B7 五、發明説明（13 ) 可。在此例如斜面2 3 B的角度相對監視用雷射光L 2的 主射出光軸而設定在4 5度。 如此，外圍器2 3內面的至少一部分爲光反射面，且 成爲斜面，藉此就能效率良好的朝受光元件1 5射入來自 半導體雷射元件1 1的監視用雷射光L 2。 該第二實施形態中，就算半導體雷射元件1 1與受光 元件1 5的配置場所改變，也能適當設定斜面2 3 B的角 度，藉此就能將對受光元件1 5的監視用雷射光L 2的射 入光量最適化。 接著針對前述第二實施形態的變形例的半導體雷射裝 置做說明。 第4 D圖是相當於前述第二實施形態的變形例的第 4 B圖的斷面圖。 該實施形態中，覆蓋受光元件1 5的外圍器2 4的內 面，乃具有上面24A、斜面24B、及上面24C。上 面24A、斜面24B及上面24C是成爲用來反射從半 導體雷射元件1 1被射出的監視用雷射光L 2的光反射面 。此時，只有斜面2 4 B作爲光反射面亦可。 進而該實施形態與第4 B圖所示的構造相比，是將外 圍器24內面的斜面246，接近半導體雷射元件11的 射出點，配置在受光元件1 5的正上方。屬於光反射面的 斜面2 4 B的角度只要是設定在受光效率變高的所定角度 即可。在此例如斜面2 4 B的角度也是相對監視用雷射光 L 2的主射出光軸而設定在4 5度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------批衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印焚 -16- 554600 A7 _____B7_ 五、發明説明（14 ) 像這樣，只要將外圍器的斜面2 4 B設置在受光元件 1 5的正上方，如前所述由於光反射面很接近半導體雷射 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 元件1 1的雷射光射出點，故易令半導體雷射裝置小型化 〇 如以上說明般，該第二實施形態及其變形例是以外圍 器的內面作爲光反射面，更藉由將該光反射面的一部分形 成斜面，使得至今仍爲浪費的光被周圍吸收、散射的監視 用雷射光向受光元件側反射，射入到受光元件。藉此就能 確認監視用雷射光爲主雷射光的狀態，做有效的利用。而 按照該些實施形態，就不必另外設置反射板等高價的零件 ，能飛躍性地提高監視用雷射光的受光效率，以低成本實 現具有高生產性的超小型半導體雷射裝置。 第三實施形態 接著針對本發明的第三實施形態的半導體雷射裝置做 說明。該第三實施形態中，在與前述第一實施形態中的構 成同樣的部分，附上相同的符號，其說明則予省略。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第5 A圖是表示第三實施形態的半導體雷射裝置構成 的平面圖。第5 B圖是沿著前述平面圖中的5 B — 5 B線 的斷面圖，第5 C圖是由雷射光發光面側觀看前述半導體 雷射裝置的正面圖。 如第5 B圖所示’外圍器3 3的內面成爲光反射面， 且屬於該光反射面的內面的一部分成爲橢圓面形狀。亦即 ’覆蓋受光元件1 5的外圍器3 3的內面，具有橢圓面形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（ 210X297公釐）—' 一 ---- 554600 A7 __B7_ 五、發明説明（15 ) C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 狀3 3 A。而橢圓面形狀3 3 A是成爲用來反射從半導體 雷射元件1 1被射出的監視用雷射光L 2的光反射面。此 時，橢圓面形狀3 3 A中，也可以只有照射監視用雷射光 L 2的一部分作爲光反射面。 在外圍器3 3的內面具有橢圓面形狀3 3 A的該實施 形態中，是將雷射光射出點配置在橢圓面其中一方的焦點 ，若將受光元件1 5的受光面配置橢圓面另一方的焦點， 就能藉由橢圓面的光學性特長，令監視用雷射光L 2聚光 在受光元件15的受光面。 像這樣，藉由以外圍器3 3的內面的至少一部分爲光 反射面，且形成橢圓面，就能令來自半導體雷射元件1 1 的監視用雷射光L 2，效率好的射向受光元件1 5。再者 ，對於前述橢圓面也包括球面者。 經濟部智悲財產局員工消費合作社印製 而包括該第三實施形態的本發明的其他實施形態中， 半導體雷射元件是用單片的2波長型的半導體雷射元件。 前述2波長型的半導體雷射元件能用一個元件射出紅色和 紅外線的2波長的雷射光。2波長型的半導體雷射元件設 有：在砷化鎵基板具有砷化鎵鋁雙異質構造活性層的紅外 線發光部、和在同一基板上具有銦鎵鋁磷多重量子井構造 活性層的紅色發光部。紅色、紅外線的開發光部均爲具有 被稱爲S B R ( Selectively Buried Ridge)的凹形構造的半 導體雷射元件。 前述兩發光部的間隔是由從半導體雷射元件前面被射 出的主雷射光的要求特性所決定。在此，前述兩發光部的 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554600 kl _ B7____ 五、發明説明（16 ) 間隔，例如以1 1 0 // m而形成。從半導體雷射元件的後 面被射出的兩個監視用雷射光的間隔，在構造上是與從半 導體雷射元件的前面被射出的兩個主雷射光的間隔相同的 〇 由搭載此種半導體雷射裝置的D V D / C D用的拾波 器頭的要求來看，必須加寬主雷射光的間隔時，監視用雷 射光的間隔也加寬的緣故，如第1 A圖〜第1 C圖所示， 習知構造中需要加大受光元件面積等的變更。 因此，會產生半導體雷射裝置本身的尺寸變大等弊端 〇 但是按照該第三實施形態，藉由光反射面的吸光效果 ，就能縮小受光元件，貢獻於半導體雷射裝置本身的小型 化。而且只要配合雷射光的間隔稍微變更光反射面形狀， 就連配置複數個半導體雷射元件時，也能將各元件保留在 與變更前相同的配置中。 而就算半導體雷射元件不是單片的，只要利用上述效 果，就能實現小型的半導體雷射裝置。亦即，將紅色發光 雷射元件和紅外線發光雷射元件以所希望的間隔載置在引 線框架上時，只要根據該兩個雷射元件的配置，就能最適 當地設計光反射面的形狀，使用更小的受光元件。上述效 果的應用就連應用H D - D V D用的藍紫色、紅色、紅外 線的3波長型半導體雷射裝置，或應用該些當中的兩個的 2波長型半導體雷射裝置也能小型化。 接著針對前述第三實施形態的變形例的半導體雷射裝 本紙張尺度適用中國國家標準^〇奶)八4規格（210X 297公釐) 77 ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

554600 Μ _Β7_ 五、發明説明（17 ) 置做說明。 第6 A圖是表示第三實施形態的變形例的半導體雷射 裝置構成的平面圖。第6 B圖是沿著前述平面圖中的6 B - 6 B線的斷面圖，第6 C圖是由雷射光發光面側觀看前 述半導體雷射裝置的正面圖。 如第6 A圖〜第6 C圖所示，外圍器3 4的內面不是 橢圓面形狀，而是橢圓柱面形狀3 4 A亦可。亦即，沿著 監視用雷射光L 2的射出方向的斷面，如第6 B圖所示， 外圍器3 4的內面（光反射面）具有橢圓形狀，由雷射光 的發光兩側所觀看的圖，乃如第6 B圖所示，外圍器3 4 的內面具有直線形狀者亦可。 來自前述半導體雷射元件1 1的雷射光的放射分佈， -般是表示以主射出方向爲中心，而具有某種縱橫比的橢 圓狀分佈。因而根據受光元件1 5的大小和配置，於橢圓 的短軸方向（此時針對雷射元件載置面指示平行方向）中 也有不太要求聚光性的情形。此時製造上比橢圓面還容易 形成的橢圓柱面，對成本是很有利的。 再者前述橢圓狀柱面也包括圓柱面。 如以上說明，該第三實施形態及其變形例中，藉由以 外圍器的內面作爲光反射面，且將該光反射面成爲橢圓面 形狀或橢圓柱面形狀，目前爲止成爲不當的光，會向受光 元件側反射被周圍吸收 散射的監視用雷射光，射入到受 光元件。藉此就能有效的利用於用來確認監視用雷射光爲 主雷射光的狀態。而按照該些實施形態，不必另外設置反 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _!·裝.

*1T 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -20- 554600 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（18 ) 射板等昂貴的零件，就能飛躍性提高監視用雷射光的受光 效率，實現以低成本而具有高生產性的超小型半導體雷射 裝置。 第四實施形態 其次，針對本發明的第四實施形態的半導體雷射裝置 做說明。該第四實施形態中，在與前述第一實施形態中的 構成同樣的部分，附上相同的符號，其說明則予以省略。 第7 A圖是表示第四實施形態的半導體雷射裝置構成 的平面圖。第7 B圖是沿著前述平面圖中的7 B — 7 B線 的斷面圖，第7 C圖是由雷射光發光面側觀看前述半導體 雷射裝置的正面圖。 如第7 B圖所示，外圍器4 3的內面是成爲光反射面 ，且該光反射面的內面的一部分則成爲抛物面形狀4 3 A 。亦即，覆蓋受光元件1 5的外圍器4 3的內面，具有抛 物面形狀4 3 A。而且抛物面形狀4 3 A是成爲用來反射 從半導體雷射元件1 1被射出的監視用雷射光L 2的光反 射面。此時，抛物面形狀4 3 A中，只有照射監視用雷射 光L 2的一部分爲光反射面亦可。 在外圍器4 3的內面具有抛物面形狀4 3 A的該實施 形態中，雷射光射出點偏離受光元件1 5時，爲了稍微平 行光觀看雷射光，只要將受光元件1 5的受光面配置在抛 物面的焦點，就能藉由拋物面的光學性特長，令監視用雷 射光聚光在受光面。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 554600 A7 B7 五、發明説明（19 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 像這樣，藉由外圍器4 3的內面的至少一部分爲光反 射面，且形成抛物面，就能將來自半導體雷射元件1 1的 監視用雷射光L 2，效率好的射向受光元件1 5。該第四 實施形態中，利用聚光效果，就能夠具有與前述第三實施 形態同樣的應用。 接著針對前述第四實施形態的變形例的半導體雷射裝 置做說明。 第8 A圖是表示第四實施形態的變形例的半導體雷射 裝置構成的平面圖。第8 B圖是沿著前述平面圖中的8 B - 8 B線的斷面圖，第8 C圖是由雷射光發光面側觀看前 述半導體雷射裝置的正面圖。 如第8A圖〜第8 C圖所示，外圍器4 4的內面不是 抛物面形狀，而是抛物柱面形狀4 4 A亦可。亦即，沿著 監視用雷射光的射出方向的斷面，乃如第8 B圖所示，外 圍器4 4的內面（光反射面）具有放射形狀，由雷射光的 發光面側觀看的圖，乃如第8 C圖所示，外圍器4 4的內 面具有直線形狀者亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如前所述，來自半導體雷射元件1 1的雷射光的放射 分佈，一般是以主射出方向爲中心，顯示具有某種縱橫比 的橢圓狀分佈。因而，根據受光元件1 5的大小和配置， 針對橢圓短軸方向（此時是相對雷射元件載置面指示平行 方向）也有不太要求聚光性的情形。此種情形下，製造上 更容易形成拋物面的抛物柱面這方，對成本而言是很有利 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •22- 554600 A7 _B7_ 五、發明説明（2〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如以上說明般，該第四實施形態及其變形例中，藉由 以外圍器的內面作爲光反射面，且將該光反射面形成抛物 面形狀或抛物柱面形狀，就能令至今仍成爲浪費光被周圍 吸收 散射的監視用雷射光向受光元件側反射，射入到受 光元件。藉此就能確認監視用雷射光爲主雷射光的狀態， 做有效的利用。而按照該些實施形態，不必另外設置反射 板等高價的零件，就能飛躍性地提高監視用雷射光的受光 效率，以低成本實現具有高生產性的超小型半導體雷射裝 置。 第五實施形態 接著針對本發明的第五實施形態的半導體雷射裝置做 說明。該第五實施形態中，在與前述第一實施形態中的構 成同樣的部分，附上相同的符號，其說明則予省略。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第9 A圖是表示第五實施形態的半導體雷射裝置構成 的平面圖。第9 B圖是沿著前述平面圖中的9 B — 9 B線 的斷面圖，第9 C圖是由雷射光發光兩側觀看前述半導體 雷射裝置的正面圖。 如第9 A圖所示，受光元件1 5的受光面的中心部， 是通過監視用雷射光L 2的射出點，被配置在偏離平行於 該監視用雷射光L 2的主射出方向的直線（主射出軸）的 位置。亦即，相對引線框架5 4的面，由垂直方向觀看時 ，受光元件1 5的受光面的中心部和前述主射出軸不存在 同一平面上。對於此種配置，受光元件1 5的整個受光面 -23 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 554600 A7 B7 五、發明説明（21 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，也包括配置在偏離前述主射出軸的位置的情形。亦即針 對引線框架5 4的面，由垂直方向觀看時，受光元件1 5 的受光面區域和前述主射出軸也包括不存在同一平面上的 情形。 前述的受光元件1 5的受光面的中心部是被配置在偏 離前述主射出面的位置，不會因製造上的誤差產位置偏離 。即所謂設計上意圖錯開的情形。前述的配置由引線框架 的圖案化和半導體雷射裝置的外形尺寸等的限制來看，發 生無法將受光元件1 5配置在雷射光中心的情形具多。 並包括通過射出監視用雷射光L 2的射出點，平行於 監視用雷射光L 2的主射出方向的直線，且相對引線框架 表面與垂直的平面（以下記載爲主射出平面）交叉地在外 圍器5 3的一部分配置光反射面5 3 A。藉此就能令監視 用雷射光L 2向受光元件1 5側反射。在此，爲了令監視 用雷射光L 2有效也向受光元件1 5反射，前述光反射面 5 3 A只相對監視用雷射光L 2的主射出方向，成爲某角 度0傾斜的面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如前所述，受光元件1 5是在偏離前述主射出平面上 的位置時，也能將設在外圍器5 3 —部分的光反射面形成 適當的形狀，例如部分圓柱面等，具有適當的角度0，而 將光反射面與前述主射出平面交叉地加以配置的話，受光 元件1 5就能確保充分的受光量。其結果能明顯的提昇配 置半導體雷射元件1 1時的自由度。前述光反射面要是存 在前述主射出平面近傍，就·能將偏離前述主射出平面的前 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 554600 A7 B7 五、發明説明（22 ) 述光反射面的一部分，如第9 C圖所示，形成削去的形狀 ，就能對半導體雷射裝置的小型化提出貢獻。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 習知朝向雷射光的射出軸配置受光元件乃爲必要條件 。該第五實施形態中，能解決此種構造上的限制，能成爲 更自由的裝置設計。 而使用引線框架的習知裝置中，如前所述爲了提高監 視用雷射光的受光率，受光元件必需儘量配置在雷射光射 出點的近傍。 但是按照該第五實施形態，受光元件就不一定要配置 在監視用雷射光的射出點的近傍，例如像第9 B圖所示， 將相當厚的陶瓷基板5 2插入半導體雷射元件1 1和引線 框架5 4之間，也不會有任何問題能充分地獲得監視用雷 射光L 2。再者，此時也如前面所述，藉由儘量將光反射 面設置在半導體雷射元件1 1的雷射光射出點的近傍，半 導體雷射裝置就能小型化。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 而習知構造的半導體雷射裝置中，藉由插入陶瓷基板 等，就可遮蔽來自半導體雷射元件的雷射光，雖會產生受 光率更低的不當情形，但只要是該第五實施形態的半導體 雷射裝置構造，也就不會發生那樣的問題。 而該第五實施形態中，是在陶瓷基板5 2上將雷射元 件基板側向著陶瓷基板來裝置半導體雷射元件1 1。由於 雷射元件是種在1 0 0 //m左右的砷化鎵基板上將數//m 左右的薄膜用Μ〇C V D法加以積層的構造。雷射光射出 位置是在離載置面數//m左右的位置。於半導體雷射元件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 554600 A7 _ B7 五、發明説明（23 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1動作時，在P N接合面（#雷射光射出位置）的散熱 ’會有效率良好的向陶瓷基板5 2側進行散熱，施行此種 載置方法。 一方面，習知構造的半導體雷射裝置只要按照上述載 置方法’由雷射光射出位置至受光元件的受光面的高度差 頂多數// m左右，在受光率這點上不許有致命性的問題。 可是只要半導體雷射元件本身的溫度特性被改善，與上述 才目S的’就能將砷化鎵基板側向著陶瓷基板加以載置的方 法（其方法能提昇組裝性）。此時，該第五實施形態的半 導體雷射裝置中，根據與使用前述相當厚的陶瓷基板情形 同樣的理由，成爲沒問題的機能。但是習知構造中，只有 砷化鎵基板的部分會與受光面的高度產生差異，發生受光 率大幅降低的致命性不當現象。 接著針對前述第五實施形態的變形例的半導體雷射裝 置做說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 Ο A圖是表示第五實施形態的變形例的半導體雷 射裝置構成的平面圖。第1 〇 B圖是沿著前述平面圖中的 1 0B — 1 〇B線的斷面圖，第1 0C圖是由雷射光發光 面側觀看前述半導體雷射裝置的正面圖。 如第1 0A圖〜第1 〇 C圖所示，針對前述第五實施 形態的半導體雷射裝置，施行適當的引線成型加工，形成 引線框架5 5亦可。藉由將引線框架5 5施行成型加工， 就能調節來自外圍器5 3的電氣連接用引線和葉片板的取 出位置，或者防止從外圍器5 3脫落。只要適當採用此種 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X；297公釐） -26- 554600 A7 ___B7_ 五、發明説明（24 ) 成型加工，就連將該半導體雷射裝置，朝向金屬製的拾波 器框體加以安裝時，也不必擔心該些會短路。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如以上說明般，該第五實施形態及其變形例中，藉由 以外圍器的內面作爲光反射面，且在該光反射面，相對監 視用雷射光的射出方向，設定所定的角度，令監視用雷射 光反射到受光元件，就能令至今仍爲浪費的光被周圍吸收 散射的監視用雷射光，向受光元件側反射，射入到受光 元件。藉此，確認監視用雷射光爲主雷射光的狀態，就能 有效地烈用。而按照該些實施形態，就不必另外設置反射 板等高價的零件，能飛躍性地提高監視用雷射光的受光效 率，以低成本實現具有高生產性的超小型半導體雷射裝置 0 而本發明的前述實施形態的半導體雷射裝置製造中， 將上部及下部的兩個外圍器合而爲一個外圍器的樣子表示 在第1 1圖。第1 1圖是前述實施形態的半導體雷射裝置 的上部及下部的兩個外圍器的側面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第1 1圖所示，在引線框架1 4上載置半導體雷射 元件1 1。更在引線框架1 4形成下部的外圍器1 3。在 該下部的外圍器1 3上接合上部的外圍器1 3。像這樣將 上部及下部兩個外圍器合爲一個外圍器的方法，就能通用 於本發明前述的實施形態的半導體雷射裝置的製造方法。 最後將由本發明的前述實施形態的半導體雷射裝置所 得到的受光率表示在第1 2圖中。第1 2圖是表示使用在 前述實施形態的半導體雷射裝置的外圍器的光反射面形狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ^ 554600 A7 _B7_ 五、發明説明（25 ) 和監視用雷射光的受光率關係的座標圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如第1 2圖所示，外圍器內面的光反射面形狀有具有 4 5度斜面（斜平面）的情形、橢圓面的情形、及抛物面 的情形，可得到比第1 A圖〜第1 C圖所示的習知例還高 兩倍程度的受光率。 而前述的各實施形態不光是能各別單獨實施，還可適 當組合實施。甚至前述的各實施形態還包括各種階段的發 明，藉由於各實施形態中所揭示的複數個構成要件的適當 組合，也能挑選各種階段的發明。 如以上所述，按照本發明的實施形態，藉由將被周圍 吸收及散射的監視用雷射光向著受光元件側反射加以射入 ，就能提供提高監視用雷射光的受光效率的半導體雷射裝 置。 雖然，本發明在廣義方面並不限於所揭露描述的實施 例及特定的細節，凡熟習此項技藝者所附加的有利修改， 或根據本發明之精神所爲之各種不同修改，或與本發明一 般性之觀念相關的等效物，皆不脫本發明的專利範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔圖面的簡單說明〕 第1 A圖是表示習知的半導體雷射裝置構成的平面圖 〇 第1B圖是沿著前述第1A圖所示的前述平面圖中的 1 B — 1 B線的斷面圖。 第1 c圖是由雷射光的發光兩側觀看習知的前述半導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -28- 554600 A7 B7 五、發明説明（26 ) 體雷射裝置的正面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2 A圖是表示本發明的第一實施形態的半導體雷射 裝置構成的平面圖。 第2 B圖是沿著前述第2 A圖所示的前述平面圖中的 2 B — 2 B線的斷面圖。 第2 C圖是由雷射光的發光兩側觀看前述第一實施形 態的前述半導體雷射裝置的正面圖。 第3 A圖是表示本發明的第一實施形態的變形例的半 導體雷射裝置構成的平面圖。 第3 B圖是沿著前述第3 A圖所示的前述平面圖中的 3 B - 3 B線的斷面圖。 第3 C圖是由雷射光的發光兩側觀看前述第一實施形 態的變形例的前述半導體雷射裝置的正面圖。 第4 A圖是表示本發明的第二實施形態的半導體雷射 裝置構成的平面圖。 第4 B圖是沿著前述第4 A圖所示的前述平面圖中的 4 B — 4 B線的斷面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印紫 第4 C圖是由雷射光發光面側觀看前述第二實施形態 的前述半導體雷射裝置的正面圖。 第4 D圖是相當於前述第二實施形態的變形例的半導 體雷射裝置的前述4 B - 4 B線的斷面圖。 第5 A圖是表示本發明的第三實施形態的半導體雷射 裝置構成的平面圖。 / 第5 B圖是沿著前述第5 A圖所示的前述平面圖中的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） -29- 554600 A7 ___B7_ 五、發明説明（27 ) 5 B — 5 B線的斷面圖 。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第5 C圖是由雷射光發光面側觀看前述第三實施形態 的前述半導體雷射裝置的正面圖。 第6 A圖是表示本發明的第三實施形態的變形例的半 導體雷射裝置構成的平面圖。 第6 B圖是沿著前述第6 A圖所示的前述平面圖中的 6 B — 6 B線的斷面圖。 第6 C圖是由雷射光發光面側觀看前述第三實施形態 的變形例的前述半導體雷射裝置的正面圖。 第7 A圖是表示本發明的第四實施形態的半導體雷射 裝置構成的平面圖。 第7 B圖是沿著前述第7A圖所示的前述平面圖中的 7 B — 7 B線的斷面圖。 第7 C圖是由雷射光發光面側觀看前述第四實施形態 的前述半導體雷射裝置的正面圖。 第8 A圖是表示本發明的第四實施形態的變形例的半 導體雷射裝置構成的平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第8 B圖是沿著前述第8 A圖所示的前述平面圖中的 8 B — 8 B線的斷面圖。 第8 C圖是由雷射光發光面側觀看前述第四實施形態 的變形例的前述半導體雷射裝置的正面圖。 第9 A圖是表示本發明的第五實施形態的半導體雷射 裝置構成的平面圖。 第9 B圖是沿著前述第9 A圖所示的前述平面圖中的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） -30- 554600 A7 ___B7__ 五、發明説明（28 ) 9 B - 9 B線的斷面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第9 C圖是由雷射光發光面側觀看前述第五實施形態 的前述半導體雷射裝置的正面圖。 第1 0 A圖是表示本發明的第五實施形態的變形例的 半導體雷射裝置構成的平面圖。 第10B圖是沿著前述第10A圖所示的前述平面圖 中的1 0 B — 1 0 B線的斷面圖。 第1 0 C圖是由雷射光發光面側觀看前述第五實施形 態的變形例的前述半導體雷射裝置的正面圖。 第1 1圖是本發明的前述實施形態的半導體雷射裝置 中的上部及下部的兩個外圍器的側面圖。 第1 2圖是表示應用於本發明的前述實施形態的半導 體雷射裝置的外圍器的光反射面形狀和監視用雷射光的受 光率的關係的座標圖。 〔符號說明〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11:半導體雷射元件 1 1 A :端面 1 1 B :端面 1 2 :陶瓷基板 1 3 :外圍器 1 3 A :上面 1 4 :引線框架 1 5 :受光元件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 554600 A7 五、發明説明（29 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 16:引線端子 17:搭接線 18:外圍器 1 8 A :上面 1 8 B :側面 19:引線框架 L 1 :主雷射光 L 2 :監視用雷射光 2 3 :外圍器 2 3 A :上面 2 3 B :斜面 2 3 C :上面 2 4 :外圍器 2 4 A :上面 2 4 B :斜面 2 4 C :上面 3 3 :外圍器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 3 A :橢圓面形狀 3 4 :外圍器 4 3 :外圍器 4 3 A :抛物面形狀 4 4 :外圍器 5 2 :陶瓷基板 5 3 :外圍器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 554600 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 5 3 A :光反射面 5 4 :引線框架 5 5 :引線框架 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·

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Claims (1)

1. 554600 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1、 一種半導體雷射裝置，其特徵爲具備有： 射出雷射光的片狀半導體雷射元件； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接受由前述半導體雷射元件射出的監視用雷射光，並 轉換爲電子信號的片狀受光元件； 載置前述半導體雷射元件及前述受光元件的引線框架 :以及 包圍前述半導體雷射元件及前述受光元件周圍的外圍 器，前述外圍器在其內面的至少一部分具有光反射面。 2、 如申請專利範圍第1項所記載的半導體雷射裝置 ，#其中，前述受光元件具有受光面，具有前述外圍器的前 述光反射面的至少一部分是被配置在面對前述受光面的位 置。 3、 如申請專利範圍第2項所記載的半導體雷射裝置 ，其中，前述受光元件的前述受光面是相對平行於通過射 出前述半導體雷射元件的前述監視用雷射光的射出點的前 述監視用雷射光的主射出方向的直線而成平行。 經濟部智慧財產局員工消脅合作社印製 4、 如申請專利範圍第1項所記載的半導體雷射裝置 ，其中，具有前述外圍器的前述光反射面的至少一部分爲 凹面。 5、 如申請專利範圍第4項所記載的半零體雷射裝置 ，其中，前述凹面是橢圓面。 6、 如申請專利範圍第4項所記載的半導體雷射裝置 ，其中，前述凹面是抛物面。 · 7、 如申請專利範圍第1項所記載的半導體雷射裝置 本張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34- ： 554600 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 2 ’其中，具有前述外圍器的前述光反射面的至少一部分是 白色的。 8、 如申請專利範圍第1項所記載的半導體雷射裝置 ’其中，前述受光元件具有受光面，且前述受光面的中心 是包括平行於通過射出前述半導體雷射元件的前述監視用 雷射光的射出點的前述監視用雷射光的主射出方向的直線 ’且相對於前述引線框架表面被配置在偏移垂直的平面上 的位置。 9、 如申請專利範圍第8項所記載的半導體雷射裝置 ’其中，具有前述外圍器的前述光反射面是包括平行於通 過射出前述半導體雷射元件的前述監視用雷射光的射出點 的前述監視用雷射光的主射出方向的直線，且相對於前述 引線框架表面被配置在與垂直的平面交叉的位置。 1 0、如申請專利範圍第8項所記載的半導體雷射裝 置，其中，前述受光元件的前述受光面，由前述引線框架 的表面觀看，被設定與載置前述半導體雷射元件的面不同 的高度上。 1 1 、如申請專利範圍第1項所記載的半導體雷射裝 置’其中，前述半導體雷射元件會射出兩種以上波長的雷 射光。 1 2、如申請專利範圍第1 1項所記載的半導體雷射 裝置，其中，前述兩種以上波長的雷射光，分別爲紅色區 域及紅外線區域。 · 13、一種半導體雷射裝置，其特徵爲具備有： 本紙張尺度逍用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 554600 A8 B8 C8 _____ D8 六、申請專利範圍 3 平板狀的引線框架；· (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 被載置在前述引線框架上的片狀半導體雷射元件，前 述半導體雷射元件會射出主雷射光及監視用雷射光； 被載置在前述引線框架上的片狀受光元件，前述受光 元件是接受由前述半導體雷射元件所射出的前述監視用雷 射光，並轉換爲電子信號；以及 覆蓋被載置在前述引線框架上的前述半導體雷射元件 及前述受光元件的外圍器，前述外圍器具有面對前述半導 體雷射及前述受光元件的內面、和外部側的外面，前述外 圍器的前述內面的至少一部分具有光反射面。 1 4、如申請專利範圍第1 3項所記載的半導體雷射 裝置，其中，前述受光元件具有受光面，具有前述外圍器 的前述光反射面的至少一部分是被配置在面對前述受光面 的位置。 1 5、如申請專利範圍第1 4項所記載的半導體雷射 裝置，其中，前述受光元件的前述受光面是相對平行於通 過射出前述半導體雷射元件的前述監視用雷射光的射出點 • I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的前述監視用雷射光的主射出方向的直線而成平行。 1 6、如申請專利範圍第1 3項所記載的半導體雷射 裝置，其中，具有前述外圍器的前述光反射同的至少一部 分爲凹面。 1 7、如申請專利範圍第1 6項所記載的半導體雷射 裝置，其中，前述凹面爲橢圓面。 · 1 8、如申請專利範圍第1 6項所記載的半導體雷射 本#^張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格(210X297公釐） -36 - ： 554600 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 4 裝置，其中，前述凹面爲抛物面。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 9、如申請專利範圍第1 3項所記載的半導體雷射 裝置，其中，具有前述外圍器的前述光反射面的至少一部 分是白色的。 2 〇、如申請專利範圍第1 3項所記載的半導體雷射 裝置，其中，前述受光元件具有受光面，且前述受光面的 中心是包括平行於通過射出前述半導體雷射元件的前述監 視用雷射光的射出點的前述監視用雷射光的主射出方向的 直線，且相對於前述引線框架表面，被配置在偏移垂直的 平面上的位置。 2 1、如申請專利範圍第2 0項所記載的半導體雷射 裝置，其中，具有前述外圍器的前述光反射面是包括平行 於通過射出前述半導體雷射元件的前述監視用雷射光的射 出點的前述監視用雷射光的主射出方向的直線，且相對前 述引線框架表面，被配置在與垂直的平面交叉的位置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2、如申請專利範圍第2 0項所記載的半導體雷射 裝置，其中，前述受光元件的前述受光面，由前述引線框 架的表面觀看，被設定在與載置前述半導體雷射元件的面 不同的高度上。 2 3、如申請專利範圍第1 3項所記載均半導體雷射 裝置，其中，前述半導體雷射元件會射出兩種以上波長的 雷射光。 2 4、如申請專利範圍第2 3項所記載的半導體雷射 裝置，其中，前述兩種以上波長的雷射光，分別爲紅色區 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 37 · 554600 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 域及紅外線區域。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38 -