A7 552804 ____ Β7__ 五、發明說明（I ) 【技術領域】 本發明係有關修正MOS型影像感測器中各像素之輸 出偏差之影像感測器之輸出修正裝置。 【習知技術】 習知，就MOS型影像感測器而言，其一像素份之光 敏電路如第1圖所示，由以下元件構成：光電二極體PD， 用來作爲按照入射光Ls之光量來產生感測電流之光電轉換 元件；電晶體Q1，將流過此光電二極體PD之感測電流， 利用亞閥區特性轉換成弱反轉狀態下具有對數特性之電壓 信號Vpd ;電晶體Q2，將此轉換後之電壓信號Vpd放大； 以及電晶體Q3，以讀出信號Vs之時點脈衝時序來輸出感 測信號Vo ;可擴大動態範圍，高感度進行光信號之檢測。 並且，藉由將電晶體Q1之汲極電壓VD設定成僅在預定時 間內較穩定値低，藉由將儲存於光電二極體PD之寄生電 容之殘留電荷放電來進行初始化，即使感測電流發生急遽 變化，亦可馬上獲得按照此時入射光Ls之光量之電壓信號 Vpd，即使於入射光量少的情形下，亦不會發生餘像(參考 特開2000-329616號公報）。 就此種光敏電路而言，固然如第3圖所示，於流過光 電二極體PD之感測電流多時，顯示對數輸出特性，惟於 感測電流少時，即會在光電二極體PD之寄生電容C之光 電方面發生響應遲滯，呈現大致線性之非對數輸出特性。 圖中WA顯示非對數響應區域，WB顯示對數響應區域。 使用此種光敏電路於像素單位之影像感測器，如第4 3 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨--------訂---------· A7 552804 ___Β7______ 五、發明說明) 圖所示，會發生來自各像素構成上所造成輸出特性之偏差 ，須進行各像素之輸出修正，俾使其輸出特性一致。於圖 中，1〇表示按照無入射光時流過光電二極體PD之暗電流 之暗時感測電流。 因此，過去藉由以下方法來修正各像素之輸出特性偏 差。 首先，於遮斷入射光之暗時狀態下，進行偏移修正， 俾使各像素之暗時(1〇)輸出一致。其次’於有光射入之明亮 時狀態下，進行增益修正，俾使各像素之輸出特性之斜率 一致。或者，有以與此相反之順序修正各像素之輸出特性 之偏差。 不過由於在修正影像感測器中各像素之輸出特性偏差 之際，一面對影像感測器遮斷或射入光，一面進行偏移修 正及增益修正，俾各像素之暗時和明亮時之各輸出位準一 致，故會因光源所造成照度不均，導致對各像素一面頻繁 切換，一面射入均一光有困難，會有無法高精度修正各像 素之輸出特性偏差之問題。 復由於同時進行多數影像感測器之輸出修正，故須準 備多數光源，構成導致設備增大之主因。 進而，即使進行影像感測器之輸出修正，亦會在此後 因各像素之經時變化不同而於輸出發生偏差，須一面適時 地對影像感測器遮斷或射入光，一面進行偏移修正及增益 修正，俾使各像素之暗時和明亮時之各輸出位準一致。 又，使用此種光敏電路於像素單位之影像感測器會因 4 未紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -1®^ tr--------- A7 552804 五、發明說明（Y ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 各像素構成上所造成輸出特性之偏差及溫度特性之偏差’ 而導致各感測信號VQ之輸出特性不一致，於此狀態下’ 仍然無法獲得攝影中暗時和明亮時之輸出。 因此，於製造時之最後階段或出貨時等’使用預先列 表設定按照像素偏差狀態之偏移修正値和增益修正用乘數 之記憶體，自記憶體讀出按照實際自各像素輸出之感測信 號偏差之偏移修正値和增益修正用乘數，經由運算處理’ 進行此感測信號之偏移修正及增益修正，藉此’適切地使 各像素之輸出特性一致（參考日本專利申請案第2000-404931號、日本專利申請案第2000-404933號、日本專利 申請案第2000-404933號、日本專利申請案第2001-75035 號及日本專利申請案第2001-75036號）。 然而，就光敏電路配置成藉在弱反轉狀態下動作之 MOS型電晶體，將按照入射光量而流過光電轉換元件之感 測電流轉換成電壓信號，使用該光敏電路於像素單位之影 像感測器而言，即使在使用前修正各像素之輸出信號偏差 ，使輸出特性適當地一致，亦會有在此後使用中各像素之 輸出位準不均一變動，攝影影像之品質低劣之問題。 【發明之揭示】 本發明係在像素單位使用光敏電路而構成之影像感測 器，該光敏電路，係將對應攝影時之入射光量流過光電轉 換元件之感測電流，利用電晶體之亞閾區特性而轉換成弱 反轉狀態下具有對數特性之電壓信號，並輸出對應該轉換 後之電壓信號之感測信號者，實際上不必射入光，可虛擬 5 __ 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 552804 ____B7___ 五、發明說明（恥） 作出明亮時之輸出狀態，來修正各像素之輸出特性偏差。 因此，設置修正機構，在遮斷對光電轉換元件之入射光狀 態下，使用將前述電晶體之閘極電壓和汲極電壓切換成低 於攝影時的穩定値之値時之感測器輸出，來修正各像素之 輸出偏差。 又，本發明係在像素單位使用光敏電路而構成之影像 感測器，該光敏電路，係將對應攝影時之入射光量流過光 電轉換元件之感測電流，利用電晶體之亞閾區特性而轉換 成弱反轉狀態下具有對數特性之電壓信號，並輸出對應該 轉換後之電壓信號之感測信號者，實際上不必射入光，可 虛擬作出暗時及明亮時之各輸出狀態，來修正各像素之輸 出特性偏差。因此，設置修正機構，在遮斷對光電轉換元 件之入射光狀態下，使用將前述電晶體之閘極電壓和汲極 電壓設置爲攝影時的穩定値時之第1感測信號、以及將該 電晶體之閘至之閘極電壓和汲極電壓切換成低於攝影時的 穩定値之値時之第2感測信號，來修正各像素之輸出偏差 〇 又，本發明係於影像感測器’將光敏電路使用於像素 單位，該光敏電路，係將對應攝影時之入射光量流過光電 轉換元件之感測電流，利用電晶體之亞閾區特性而轉換成 弱反轉狀態下具有對數特性之電壓信號’並輸出對應該轉 換後之電壓信號之感測信號者；並藉由設置修正機構，使 用將該電晶體之閘極電壓切換成高於攝影時的穩定値之値 而令其成導通狀態時之感測信號，來修正像素之輸出偏差 6 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---11---訂 --------^^^1. 552804 A7 __B7___ 五、發明說明（f ) ，實際上不必射入光，可虛擬作出暗時之輸出狀態，來修 正各像素之輸出特性偏差。 供此用途之第1具體機構，以將前述電晶體之閘極電 壓切換成比攝影時的穩定値爲高値時之感測信號按照攝影 中暗時之感測器輸出、而使各像素中暗時之輸出位準一致 的方式，來進行偏移修正。 並且，供此用途之第2具體機構，將前述電晶體之閘 極電壓切換成高於攝影時的穩定値之値而令其成導通狀態 ，使該電晶體之汲極電壓爲穩定値時之感測信號按照攝影 中暗時之感測器輸出，同時使將該電晶體之汲極電壓切換 成低於穩定値之値時之感測信號按照攝影中明亮時之感測 器輸出，使各像素中之暗時和明亮時之輸出位準一致的方 式來進行輸出修正。 又，本發明爲求更可適切修正各像素之輸出偏差而設 置修正機構，將前述電晶體之閘極電壓切換成高於攝影時 的穩定値之値而令該電晶體成導通狀態時之感測信號’以 成爲對應於閘極電壓爲穩定値時所得暗時之感測信號之値 的方式，來設定該電晶體之汲極電壓，並於該設定狀態下 ，使用將電晶體之閘極電壓切換成高於攝影時的穩定値之 値時之感測信號，來修正各像素之輸出偏差。 又，本發明爲求可更適切修正各像素之輸出偏差將前 述電晶體之閘極電壓切換成高於攝影時的穩定値之値而令 該電晶體成導通狀態時之感測信號，以成爲對應於閘極電 壓爲穩定値時所得暗時之感測信號之値的方式’來設定該 7 _ 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------0^--------訂---------%! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 552804 A7 五、發明說明（t ) 電晶體之汲極電壓，並且此後於該設定電壓下，令電晶體 成導通狀態時之感測信號按照攝影中暗時之感測器輸出， 同時，將該電晶體之閘極電壓切換成低於前述穩定値時之 感測信號按照攝影中明亮時之感測器輸出，而使各像素中 暗時和明亮時之輸出位準一致的方式來進行輸出修正。 又，本發明係在像素單位使用光敏電路而構成之影像 感測器，該光敏電路係將對應入射光量而流過光電轉換元 件之感測電流，藉在弱反轉狀態下動作之M〇S型電晶體轉 換成電壓信號者，於使用中各像素之輸出位準變動情形下 ，按此時各像素中感測信號之輸出狀態分出變動量’以明 亮時（輸出成爲飽和狀態之高亮度光線輸入時）之輸出位 準作爲基準，來進行該變動量之偏移修正。 具體而言，設置：抽樣及保持電路’係暫時保持按時 序自各像素讀出之平常時感測信號；虛擬明亮時輸出信號 之取得機構，係暫時將按照像素中前述電晶體之汲極電壓 下降較平常時電壓値低臨界値，來取得虛擬明亮時輸出信 號；及偏移修正機構，係求算所得虛擬明亮時輸出信號與 先前抽樣及保持後之信號之差値，以此求得之差値作爲偏 移値，來進行預先設定之明亮時基準信號之偏移修正，適 當地使各像素中之感測信號之輸出位準一致。 【圖式之簡單說明】 第1圖係表示用於本發明之影像感測器之1像素份之 光敏電路之電路圖。 第2圖係該光敏電路中各部信號之時序圖。 8 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --I I---訂--- - ----I · 552804 B7 五、發明說明（j ) 第3圖係表示感測信號相對於流過該光敏電路之光電 二極體之感測電流之輸出特性圖。 第4圖係表示使用該光敏電路於像素之影像感測器中 各像素之輸出特性之一偏差狀態例之圖式。 第5圖係表示於未進行初始化情形下，光敏電路中入 射光量少時，在時點既定時點讀出之感測信號之輸出時特 性之圖式。 第6圖係表示本發明之影像感測器構成例之方塊圖。 第7圖係該影像感測器中各部信號之時序圖。 第8圖係表示本發明影像感測器之一輸出修正裝置構 成例之方塊圖。 第9圖係表示本發明影像感測器之輸出修正裝置之輸 出修正電路之一處理流程例之圖式。 第10圖係表示由於影像感測器中各像素構成上所造成 感測信號之輸出特性偏差狀態之一例之特性圖。 第11係表示對具有第10圖所示輸出特性偏差之各像 素之感測信號偏移修正結果之特性圖。 第12圖係表示對具有第10圖所示輸出特性偏差之各 像素之感測信號偏移修正及增益修正結果之特性圖。 第13圖係表示本發明影像感測器之輸出修正裝置之輸 出修正電路之另一處理流程例之圖式。 第14圖係表示由於影像感測器中各像素構成上所造成 感測信號之輸出特性偏差狀態之另一例子之特性圖。 第15圖係表示對具有第14圖所示輸出特性偏差之各 9 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------- —訂---------· A7 552804 __B7 __ 五、發明說明) 像素之感測信號偏移修正結果之特性圖。 第16圖係表示對具有第14圖所75輸出特性之各像素 之感測信號偏移修正及增益修正結果之特性圖。 第17圖係表示本發明影像感測器之輸出修正裝置之輸 出修正電路之另一處理流程例之圖式。 第18圖係表示影像感測器之各像素構成上所造成感測 信號之輸出特性偏差狀態之再另一例之特性圖。 第19圖係表示光敏電路上對數特性轉換用電晶體成導 通狀態時之感測器輸出與實際暗時之感測器輸出之差異之 特性圖。 第20圖係表示光敏電路之對數特性轉換用電晶體成導 通狀態時之感測器輸出與用以抑制餘像而進行初始化後t 實際暗時之感測器輸出之差異之特性圖。 第21圖係表示本發明影像感測器之一基本構成例之方 塊構成圖。 第22圖係表示本發明影像感測器之一輸出修正裝置實 施例之方塊構成圖。 第23圖係此影像感測器之輸出修正裝置中各部信號之 時序圖。 【發明之較佳實施形態】 本發明之影像感測器基本上使用前述第1圖所示光敏 電路於像素單位。 該光敏電路由以下元件構成··光電二極體PD，其作爲 產生按照入射光LS光量之電流之光電轉換元件；電晶體 10 _ 幸、紙張^度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21CU 297公釐） 一 ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------- —訂---------· A7 552804 _ B7 ____ 五、發明說明（1 ) Q1，其使流過此光電二極體PD之感測電流利用亞閾區特 性，而轉換成在弱反轉狀態下具有對數特性之電壓信號 Vpd ;電晶體Q2，其放大此轉換之電壓偏號Vpd ;以及電 晶體Q3，其以讀出信號VS之脈衝時序輸出感測信號。 於此情形下，設定電晶體Q1之閘極電壓VG値，使此 値在其汲極電壓VD以下。 此光敏電路在光電二極體PD具有充份光量而射出入 射光LS，充份感測電流流過電晶體Q1，該電晶體Q1之電 阻値亦不怎麼大，因此，影像感測器具有不會產生餘像之 充份響應速度，可進行光信號檢測。 不過，一旦光電二極體PD之入射光LS光量變少，流 過電晶體Q1之感測電流變小，電晶體Q1即設定成若流過 該電晶體Q1之電流減一位數，即動作而使其電阻値大一 位數，因此，電晶體Q1之電阻値增大，光電二極體PD之 寄生電容C之時間常數變大，蓄積於該寄生電容C之電荷 放電費時。因此，隨著入射光LS之光量減少’長時間観 測餘像。 由於按照光電二極體PD之入射光LS之光量少時之感 測電流之電壓信號Vpd之飽和時間變長，故以第5圖所示 讀出信號VS之脈衝定時進行感測信號比之讀出，當初那 麼大的位準之輸出呈現餘像。且，第5圖中之Vpd’表示藉 放大用電晶體Q2反轉放大之電壓信號。 就此種光敏電路而言，於讀出感測信號Vo之前，僅 在既定時間內將電晶體Q1之汲極電極VD設定成較固穩定 11 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - · ϋ n I n I n^OJ0 n I I 1 n ϋ ϋ I · A7 552804 ___B7____ 五、發明說明（P ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 値低，使蓄積於光電二極體PD之寄生電容C之電荷放電 將其初始化，藉此，即使感測電流發生急遽變化，亦可立 即獲得按照此時入射光量之電壓信號，即使於入射光LS 之光量少情形下，亦不會產生餘像。 第2圖表示此時光敏電路中各部信號之時序圖。於此 圖中，tl表示初始化之時點，t2表示光信號檢測之時點。 在例如一像素份之讀出速度爲l〇〇n sec(n秒)程度情形下， 自固穩定値(高位準H)將電晶體Q1之汲極電壓VD切換成 低電壓(低位準L)之既定時間設定達5//sec(微秒)程度。於 圖中，T表示光電二極體PD之寄生電容C之蓄積期間， 此蓄積期間T在NTSC信號情形下達1/30 sec(或1/60 sec) 程度。 就此而言，若初始化時，電晶體Q1之汲極電壓VD切 換成低位準，此時之閘極電壓VG與汲極電壓VD間之電 位差大於電晶體Q1之臨界値，電晶體Q1即成低電阻狀態 。藉此，使此時之源極側之電位與汲極電壓VD相同(就η-M〇S電晶體而言，源極電壓=汲極電壓），使光電二極體 PD之接合電容C成爲放電狀態。 並且，若經過tm時間後，以汲極電壓VD切換成固定 之高位準，來進行光信號檢測，則源極側之電位即低於汲 極電壓VD，此時之閘極電壓VG與汲極電壓VD間之電位 差若大於電晶體Q1之臨界値，MOS電晶體Q1即成低電阻 狀態，而開始對光電二極體PD之接合電容C充電。 如此在光信號檢測之前，在使光電二極體PD之接合 12 參紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 552804 B7 五、發明說明（ί\ ) 電容C放電而初始化後之際，若使該接合電容C充電，則 從該初始化之時點經過一定時間之時點的輸出電壓(光電二 極體PD之端子電壓)Vpd成爲按照入射光Ls的光量之値。 即，在初始化後，可獲得追從入射光Ls的光量的變化後之 一定時間常數所產生之放電特性。 此時，若長時間放置，則由汲極電壓VD通過電晶體 Q1而供給之電流與流經光電二極體PD之電流雖相同，惟 若無先前殘餘之電荷，由於可獲得常時放電特性，故不會 產生餘像。 因此，若從初始化開始就決定一定之時間來檢測光信 號，則可獲得按照入射光Ls的光量之無餘像的感測信號 Vo。 第6圖表示以此種光敏電路作爲像素單位，配設複數 個像素成矩陣狀，進行各像素之感測信號之按時序讀出掃 描之影像感測器之一構成例。 此影像感測器之基本構成例如將D11〜D44所構成之4 X4像素配設成矩陣狀，藉自像素列選擇電路1依序輸出 之選擇信號LSI〜LS4來選擇各一行份之像素列，並使該 被選擇之像素列中各像素，藉自像素選擇電路2依序輸出 之選擇信號DS1〜DS4使開關群3中各按照開關SW1〜 SW4成逐次導通狀態，藉此，按時序讀出各像素之感測信 號Vo。於圖中，4係各像素中前述電晶體Q1之閘極電壓 VG用電源，6係汲極電壓VD用電源。 並且，就此種影像感測器，設置電壓切換電路5，其 13 _ 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------1T--------- 552804 A7 ___B7_____ 五、發明說明（jl) 於各個一行份之像素列選擇之際，以既定時點，將其選擇 之像素列中各若像素之前述電晶體Q1之汲極電壓VD切換 成穩定時之高位準H及初始化時之低位準L。 以下就如此構成之本發明影像感測器之動作和第7圖 所示各部信號之時序圖一起加以說明。 首先，若像素列選擇信號LS1成爲高位準H ’即選擇 與其對應之Dll、D12、D13、D14構成之第1像素列。並 且，於LSI成爲高位準Η之一定期間T1內，像素選信號 DS1〜DS4依序成爲高位準Η，依序讀出各像素Pll、Ρ12 、Ρ13、Ρ14之感測信號Vo。 其次，若在像素列選擇信號LS成爲低位準L時點次 一 LS2成爲高位準Η，即選擇與其對應之D21、D22、D23 、D24構成之第2像素列。並且，於LS2成爲位準之一定 期間內，像素選擇信號DS1〜DS4依序成爲高位準Η —依 序讀出各像素D21、D22、D23、D24之感測信號Vo。 以下同樣地，像素選擇信號LS3和LS4連續成爲高位 準Η，依序選擇各個按照之第3和第4像素列，於LS3和 LS4分別成爲高位準Η之一定期間Τ1內，像素選擇信號 DS1〜DS4依序成爲高位準Η，依序讀出各像素D31、D32 、D33、D34 及 D41、D42、D43、D44 之感測信號 Vo。 又，於像素列選擇信號Lsl在T1期間後降至低位準L 之時點，藉由在預定期間T2內，自迄此爲止之低位準L， 將此時所選擇之第1像素列中各像素Dll、D12、D13、 D14之汲極電壓VD1切換成低位準L，進行各像素之初始 14 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------梦--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 552804 a7 _______ 五、發明說明（()） 化，供一週期期間T3經過後所進行次一週期之感測信號讀 出。 其次，於像素列選擇信號LS2在T1期間後降至低位 準L之時點，藉由在預定期間T2內，自迄此爲止之高位 準Η，將此時所選擇第2像素列之各像素D21、D22、D23 、D24之汲極電壓VD1切換成低位準L，進行各像素之初 始化，供一週期期間Τ3經過後所進行次一週期之感測信號 讀出。 以下同樣地，於像素列選擇信號LS3和LS4分別在Τ1 期間後降至低位準L之時點，將分別按照此時所選擇第3 和第4像素列之汲極電壓VD3切換成低位準L，進行各像 素之初始化，供一週期期間Τ3經過後所進行次一週期之感 測信號讀出。 且，其雖於像素列選擇信號LSX(X=1〜4)在Τ1期間後 降至低位準L之時點，將汲極電壓VDX切換成低位準L， 進行初始化，惟此初始化之時點可在像素列選擇信號LSX 爲低位準L狀態之像素列選擇之休止期間T4中。 以上各部信號之產生時點係藉由在未圖示之ECLL控 制下進行像素列選擇電路1、像素選擇電路2和電壓切換 電路5之驅動來決定。 藉由如此以按照各像素之感測信號讀出掃描之適當時 點進行各像素之初始化，可減低影像感測器全體之蓄積時 間之過多與不足。 並且，無餘像、可實現動態範圍廣之具有對數輸出特 _^_ 15 _ 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---1------—-------丨訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 552804 A7 ___B7___ 五、發明說明（[十） 性之影像感測器。 本發明就如以上構成之影像感測器設置修正機構，其 爲了修正光敏電路構成上所造成輸出特性偏差引起之各像 素中感測信號Vo之輸出位準不一致，在遮斷入射光LS狀 態下，使用將對數特性轉換用電晶體Q1之閘極電壓VG和 汲極電壓VD切換成成低於攝影時的穩定値之値時之感測 器輸出，來修正各像素之輸出偏差。 此時，使將電晶體Q1之閘極電壓VG和汲極電壓VD 切換成低於攝影時的穩定値VGa、VDa之値VGb、VDb時 之感測器輸出B按照攝影中明亮時之感測信號，以使各像 素中明亮時之輸出位準一致的方式來進行增益修正。 於是，藉由設置此種機構，可實際上不將光射入影像 感測器，虛擬作出明亮時之輸出狀態，來修正各像素之輸 出特性偏差。 又，本發明就如前述構成之影像感測器設置修正機構 ，其爲了修正光敏電路構成上所造成輸出特性偏差引起之 各像素中感測信號Vq之輸出位準之不一致，在遮斷入射 光LS狀態下，使用將電晶體Q1之閘極電壓VG和汲極電 壓VD設定爲攝影時固穩定値VGa，VDa時所得感測器輸 出，以及將該電晶體Q1之閘極電壓VG和汲極電壓VD切 換或低於攝影時的穩定値之値VGb、VDb時所得感測器輸 出B，來修正各像素之輸出偏差。 此時，使感測器輸出A按照攝影中暗時之感測信號， 以使各像素中暗時之輸出位準一致的方式來進行偏移修正 16 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !丨丨丨丨訂---------^^^1 A7 552804 __B7____ 五、發明說明（if) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，同時，使感測器輸出B按照攝影中明亮時之感測信號， 以使各像素中明亮時之輸出位準一致的方式來進行增益修 正。 於是，藉由設置此種機構，可實際上不將光射入影像 感測器，虛擬作出暗時及明亮時之各輸出狀態，來修正各 像素之輸出特性偏差。 於此情形下，在VGaSVDa時，成爲感測器輸出A， 在VGb$ VDb，成爲感測器輸出B。又，電晶體Q1之閘極 VG和汲極電壓VD切換成較攝影時的穩定値低之値之範圍 ，係設定在自零至低於穩定値達該電晶體Q1之臨界電壓 Vth量之値爲止。亦即，成爲VGb—0〜(VGa-Vth)、VDb— 0〜(VDa-Vth)之關係。 就第6圖所示影像感測器之構成而言，VGa、VDb之 切換，係於設成可進行VG用電源4之電源電壓之切換之 電壓切換電路7中，在ECu之控制下進行。又，VDa、 VDb之切換，係於設可進行VD用電源6之電源電壓之切 換之電壓切換電路5中，在Ecu之控制下進行。 如此，由於根據本發明，實際上不將光射入影像感測 器，來修正各像素之輸出特性之偏差，故在一面對影像感 測器或遮斷或射入光，一面獲得各像素之暗時及明亮時之 各感測信號，來修正各像素之輸出特性偏差情形下，於各 像素完全不會發生無法一面頻繁切換一面射入均一光線之 光源所造成照度不均之問題，可高精度修正各像素之輸出 特性偏差。 17 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 552804 __B7_ 五、發明說明（[i) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 並且，不僅可於出貨時，亦可不使用光源，隨時進行 經時變化之各像素之輸出特性偏差之修正。 又，根據本發明，於同時進行多數影像感測器之輸出 修正情形下，不必準備多數光源，不會導致設備增大。 又，本發明針對如前述構成之影像感測器，爲了修正 光敏電路構成上所造成輸出特性偏差引起之各像素中感測 信號Vo之輸出位準不一致，而設置修正機構，其使用將 對數特性轉換用電晶體Q1之閘極電壓VG切換成高於攝影 時的穩定値之値而使該電晶體Q1成導通狀態時之感測信 號，來修正各像素之輸出偏差。 此時，使將電晶體Q1之閘極電壓VG切換成高於攝影 時固穩定値之値時之感測信號按照攝影中暗時之感測器輸 出，以使各像素中暗時之輸出位準一致的方式來進行偏移 修正。 於是，藉由設置此種機構，可實際上不一一遮斷射入 影像感測器之光，即使於光射入狀態下，亦可虛擬作出暗 時之輸出狀態，來修正各像素之輸出特性偏差。 現在，就第1圖所示光敏電路而言，若對數特性轉換 用電晶體1之閘極電壓VG切換成高於攝影時的穩定値之 値而成導通狀態，則該電晶體Q1之汲極電壓VD即直接施 加於次段之放大用電晶體Q2之閘極，除去電晶體Q1之臨 界電壓之偏差。並且，此時之感測器輸出相當於暗時之輸 出。 此時，對數特性轉換用電晶體Q1成導通狀態，於該 18 幸、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 552804 A7 _B7_ 五、發明說明（I Q) 電晶體Q1之汲極電壓VD直接施加於次段放大用電晶體 Q2之閘極時之感測器輸出虛擬成相當於暗時之輸出情形下 ，會發生以下問題。 亦即，在其假設爲電晶體Q1、光電二極體PD具有理 想特性情形下，即使無光射入光電二極體PD，亦有暗電流 流動，如第19圖所示，電晶體Q1成導通狀態時之感測器 輸出會與實際暗時之輸出不同。於圖中，a表示理想時之 暗時輸出，b表示實際暗時之輸出。 又，如第20圖所示，此暗時輸出之差異，係在爲了抑 制餘像，於感測信號Vo讀出之前，僅在既定時間內將電 晶體Q1之汲極電壓VD設定成低於穩定値而進行初始化情 形下，會更加擴大其間差異。圖中，c表示初始化之餘像 抑制時之暗時輸出。 因此，特別是本發明，於將對數特性轉換用電晶體Q1 之閘極電壓VG切換成高於攝影時的穩定値之値而成導通 狀態時，以獲得相對於適當之暗時輸出之感測器輸出的方 式，來可變調整電晶體Q1之汲極電壓VD。 具體而言，事先記憶輸出修正前之階段中實際暗時之 感測器輸出値，以使將電晶體Q1之閘極電壓VG切換成高 於攝影時一穩定値之値而令電晶體Q1成導通狀態時之感 測器輸出成爲先前記憶之値的方式’來設定電晶體Q1之 汲極電壓VD °此時’可使電晶體Q1成導通狀態時之感測 器輸出大致與先前記憶之値相同，且亦可在反覆進行輸出 修正情形下，與各修正時記憶之値之平均値相同。並且’ 19 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-· I 訂---------· A7 552804 五、發明說明（1&) 於進行以後輸出修正之際，在其設置狀態下，使用將電晶 體Q1之閘極電壓VG切換成高於攝影時的穩定値之値時之 感測器輸出，來進行各像素之輸出偏差之偏移修正。 若根據此時之感測器輸出算出偏移修正値，即可進行 初始値一致之暗時之輸出修正。又，亦配合對次段放大用 電晶體Q2之動作點來變化電晶體Q1之汲極電壓VD。 就圖6所示影像感測器之構成而言，於暗時之輸出修 正之際，將電晶體Q1之閘極電壓VG切換成高於攝影時的 穩定値之値之機構，以及記憶輸出修正前之階段中實際暗 時之感測器輸出値，設定電晶體Q1之汲極電壓’使將 電晶體Q1之閘極電壓VG成爲高於攝影時的穩定値之値而 令電晶體Q1成導通狀態時之感測器輸出成爲先前記憶之 値之機構，在未圖示之ECU之控制下，藉由進行設成可進 行VG用電源4和VD用電源6之電源電壓切換之電壓切換 電路7和電壓切換電路5之驅動來執行。 又，本發明就如前述構成之影像感測器設置修正機構 ，其爲了修正光敏電路構成上所造成輸出特性偏差引起之 各像素中感測信號Vo之輸出位準不一致’使用將對數特 性轉換用電晶體Q1之閘極電壓VG切換成高於攝影時的穩 定値之値而令電晶體Q1成導通狀態時之感測信號’來修 正各像素之輸出偏差。 此時，將電晶體Q1之閘極電壓VG切換成高於攝影時 的穩定値之値而令其成導通狀態，使電晶體Q1 壓VD爲穩定値時之感測信號按照攝影中暗時之感沏1器鞴1 20 ___ 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 訂--------- A7 552804 __B7____ 五、發明說明（丨）
L (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 出，同時使該電晶體Q1之汲極電壓VD切換成低於電値之 値時之感測信號按照攝影中明亮時之感測器輸出，以使各 像素中暗時及明亮時之輸出位準一致的方式來進行輸出修 正。 於是，藉由設置此種機構，可實際上不遮斷射入影像 感測器之光，在光射入狀態下虛擬作出暗時和明亮時之輸 出狀態，來修正各像素之輸出特性偏差。 具體而言，事先記憶輸出修正前之階段中實際暗時之 感測器輸出値，以使將電晶體Q1之閘極電壓VG切換成高 於攝影時的穩定値之値而令電晶體Q1成導通狀態時之感 測器輸出成爲預先記憶之値的方式，來設定電晶體Q1之 汲極電壓VD。此時，即使令電晶體Q1成爲導通狀態時之 感測器輸出成爲大致與預先記憶之値相同，亦可在又反覆 進行輸出修正情形下，與各修正時記憶之値之平均値相同 。並且，於進行以後輸出修正之際，使用在此汲極電壓VD 之設定狀態下將電晶體Q1之閘極電壓VG切換成低於攝影 時之穩定値之値而成導通狀態時之感測器輸出’來進行各 像素之輸出偏差之偏移修正。 又，本發明如以上構成之影像感測器，爲了修正光敏 電路構成上所造成輸出特性偏差引起之各像素中光射入時 之明亮時之感測信號Vo之輸出位準不一致，使將電晶體 Q1成導通狀態而將該電晶體Q1之汲極電壓VD切換成低 於穩定値(或前述設穩定値)時之感測器輸出按照攝影中明 亮時之感測信號，以使各像素中明亮時之輸出位準一致的 21__ 幸、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公ϋ 552804 A7 __ B7__ 五、發明說明) 方式來進行輸出修正。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於是，藉由設置此種機構，不論實際上影像感測器中 光之射入狀態如何，可虛擬作出明亮時之輸出狀態修正各 像素之輸出特性偏差。 於明亮時之輸出修正之際，將電晶體Q1之閘極電壓 vg切換成高於攝影時的穩定値之機構，以及將此汲極電壓 VD切換成低於攝影時的穩定値之値之機構，就如第6圖所 示之影像感測器之構成而言，係藉由在未圖示ECU(電子控 制裝置)之控制下驅動電壓切換電路5，7來進行。 第8圖表示影像感測器中用來修正各像素之輸出特性 偏差之具體構成。 其由以下裝置構成：ECU9，用以進行按時間序列讀出 影像感測器8及各像素之感測信號之驅動控制；AD轉換器 10，其將按時間序列自影像感測器8輸出之各像素之感測 信號Vo轉換成數位信號；記憶體11，其預先設定用在按 照各像素之特性之偏移修正値OFS及增益修正之乘數MLT ，按照供自ECU9之感測信號讀出時之像素位址(X，Y)之 信號ADDRESS，讀出預定偏移修正値OFS及乘數MLT ; 以及輸出修正電路12,其根據自此記憶體11讀出之偏移 修正値OFS及乘數MLT，進行轉換成數位信號之感測信號 DS之偏移修正及增益修正之各運算處理。 如前述，將用遮斷對影像感測器8射入之光狀態下之 VGa、VDa時之各像素之感測器輸出A及VGb、VDb時之 感測器輸出B，作爲按時序自感測器8輸出之各像素之感 22 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 552804 五、發明說明（v\) 測信號Vo。 第10圖表示三個像素構成上所造成各感測信號A、B 、C之輸出特性偏差狀態之一例。於此圖中，按照像素輸 出之臨界値Η之感測電流値Im，係表示各像素之感測信號 A、B、C自非對數響應區域WA切換成對數響應區域WB 之點。又，1〇表示暗時之感測電流。 其表示於此種非對數響應區域WA各像素之感測信號 之輸出特性形狀大致相同，對數響應區域WB中各像素之 感測信號之輸出特性之斜率各自不同時，進行影像感測器 之輸出修正之情形。使用各個感測信號自非對數響應區域 WA切換成對數響應區域WA之點之資訊、以及暗時之像 素輸出來作爲各像素之參數。 第9圖表示輸出修正電路12之處理流程。 於記憶體11，設定在感測電流爲Im値時使像素輸出 成爲Η之偏移修正値OFS。並且，若於偏移修正部121中 ，若藉由使用此偏移修正値0FS之加減算處理，來進行轉 換成各像素之數位信號之感測信號DS之偏移修正’則各 像素之感測信號A、Β、C中非對數響應區域WA之特性即 成爲如圖11所示一致。 其次，根據該偏移修正後之感測信號DS1 ’於增益修 正部122中進行用來對臨界値Η以上之對數響應區域WB 作增益修正之乘算處理。 具體而言，判斷經過偏移修正之感測信號DS1是否在 臨界値H以上，若在臨界値Η以上，亦即，若感測信號 23____ 木紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑽X 297公爱） --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 552804 五、發明說明（>1) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) DS1在對數響應區域內’即使用自記憶體10讀出之增益修 正用之既定乘數MLT ’進行輸出—H+(感測信號DS1 - Η)χ 乘數之運算，以此運算結果作爲輸出修正之感測信號DS2 而輸出。 進行此種各個像素之感測信號A、B、C之增益修正之 結果顯示，如第1圖所示，對數響應區域WB之特性成爲 一致。 又，此時，若經過偏移修正之感測信號DS1小於臨界 値Η，亦即，若感測信號DS1在非對數響應區域WA內， 即以此偏移修正之感測信號DS1作爲輸出修正之感測信號 DS2，予以輸出。 第14圖表示三個像素構成上所造成各感測信號A、Β 、C之輸出特性偏差狀態之另一例子。 其表示於此種對數響應區域WB中各感測信號之輸出 特性斜率大致相同，非對數響應區域WA中各感測信號之 輸出特性形狀各自不同時，進行影像感測器之輸出修正之 情形。DS2，予以輸出。 第14圖表示三個像素構成上所造成各感測信號A、Β 、C之輸出特性偏差狀態之另一例子。 其表示於此種對數響應區域WB中各感測信號之輸出 特性斜率大致相同，非對數響應區域WA中各感測信號之 輸出特性形狀各自不同時，進行影像感測器之輸出修正之 情形。 第13圖表示輸出修正電路12中之處理流程。 __24 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公tT " A7 552804 _ B7___ 五、發明說明（j) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於記憶體11設定感測電流爲値時使像素輸出成爲 Η之偏移修正區OFS。並且，在偏移修正部121中’藉由 使用此偏移修正値OFS之加減算處理’進行變更成各像素 之數位信號之感測信號DS之偏移修正’各像素之感測信 號A、Β、C中對數響應區域WB之特性即如第15圖所示 一致。 其次，根據經過此偏移修正之感測信號，於增益修正 部112中，對臨界値Η以下之非對數響應區域WA進行用 來增益修正之乘算處理。 具體而言，判斷經過偏移修正之感測信號DS1是否在 臨界値Η以下，若在臨界値Η以下，亦即，若感測信號 DS1在非對數響應區域WA內，即使用自記憶體10讀出之 增益修正用之既定乘數MLT，進行輸出—Η-(Η-感測信 號DS1)X乘數之運算，以此運算結果作爲輸出修正之感測 信號DS2，予以輸出。 進行此種各個像素之感測信號A、B、C之增益修正之 結果顯示，如第16圖所示，非對數響應區域WA之特性一 致。 又，若此時偏移修正之感測信號DS1大於臨界値Η， 亦即，若感測信號DS1在對數響應區域WB內，即以此偏 移修正之感測信號DS1作爲輸出修正之感測信號DS2，予 以輸出。 第18圖表示影像感測器8中各像素構成上所造成感測 信號A、Β、C之輸出特性之偏差狀態之再另一例子。 25 本紙張尺度適用中國國家標¥ (CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 552804 ______ B7____ 五、發明說明 ci) 其表示對數響應區域WB中各感測信號A、B、C之輸 出特性斜率各自不同，同時，非對數響應區域WA中各感 測信號A、B、C之輸出特性形狀各自不同之情形。 於此情形下，如第17圖之輸出修正電路12中之處理 流程所示，藉由組合進行前述第9圖及至第13圖所不各處 理，逐次進行各感測信號A、B、C之偏移修正和增益修正 ，最後獲得非對數響應區域WA及對數響應區域BA特性 一致之感測信號DS2’。 又，本發明可隨時進行按時間序列自第21圖所示影像 感測器讀出之各像素之感測信號Vo之輸出位準變動量之 偏移修正。 第22圖表示於此情形下影像感測器之輸出修正裝置之 構成例。 其中由以下構成：抽樣及保持電路13 ’其暫時保持按 時間序列自影像感測器8讀出之平常感測信號Vo ;運算電 路14,其求出藉由暫時下降按照像素中電晶體Q1之汲極 電壓VD達較穩定値(高位準H)低臨界値Vth所得虛擬明亮 時輸出信號Vo(h)與預先抽樣保持之感測信號Vo之差値△ = {Vo(h-Vo)};以及運算電路15，其以此求得之差値AV作 爲偏移値，自相當於預先設定之明亮時輸出之基準信號Vs 減去，進行偏移修正。並且，於未圖示之ECU之控制下， 按既定時點，來使各部動作。 第23圖表示如此構成之影像感測器之輸出修正裝置中 各部信號之時序圖。 26 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
552804 A7 _B7___ 五、發明說明（/) 又，若於tl時點像素選擇信號DSx成爲高位準Η，讀 出按照像素之感測信號Vo,即於此tl時點同時出現高位 準Η之抽樣及保持信號S/H，於此信號之後續t2時點，感 測信號Vq保持於抽樣及保持電路13。 並且，在t3時點，按照像素之電晶體Q1之汲極電壓 VD切換成自T期間之高位準Η穩定値Vh下降臨界値Vth 份之電壓値(Vh- Vth)。藉此，獲得虛擬明亮時之輸出信號 Vo(h) 0 將此時所得虛擬明亮時輸出信號Vo(h)供給至運算電 路14，求出與預先抽樣及保持之感測信號Vo間之差値八 V之偏移値，於運算電路15中進行相當於預先設定之明亮 時輸出之基準信號Vs之偏移修正，於t4時點輸出此偏移 修正之感測信號Vo’。 且，按時序自此種影像感測器7讀出之感測信號Vo 之偏移修正於常時進行。或者，亦可在ECU之控制下定期 地，抑或根據來自外部之操作指令任意進行。於此情形下 ，須在一定期間內或在迄於與次一操作指令爲止之期間內 ，逐次將偏移修正記憶於記憶體。 【產業上之可利用性】 根據本發明之影像感測器之輸出修正裝置，由於在像 素單位使用光敏電路而構成之影像感測器中設置修正機構 ;該光敏電路，係將對應攝影時之入射光量流過光電轉換 元件之感測電流，利用電晶體之亞閾區特性而轉換成弱反 轉狀態下具有對數特性之電壓信號，並輸出對應該轉換後 27 _ 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 552804 A7 _B7____ 五、發明說明（/ ) 之電壓信號之感測信號者；該修正機構，係在遮斷對光電 轉換元件之入射光狀態下，使用將前述電晶體之閘極電壓 和汲極電壓切換成低於攝影時的穩定値之値時之感測信號 ，來修正各像素之輸出偏差，故實際上可不射入光，虛擬 作出明亮時之輸出狀態，易於修正各像素之輸出特性偏差 Ο 又，根據本發明之影像感測器之輸出修正裝置，由於 在像素單位使用光敏電路而構成之影像感測器中設置修正 機構；該光敏電路，係將對應攝影時之入射光量流過光電 轉換元件之感測電流，利用電晶體之亞閾區特性而轉換成 弱反轉狀態下具有對數特性之電壓信號，並輸出對應該轉 換後之電壓信號之感測信號者；該修正機構，係在遮斷對 光電轉換元件之入射光狀態下，使用設定前述電晶體之閘 極電壓和汲極電壓爲攝影時的穩定値時之第1感測信號、 以及將該電晶體之閘極電壓和汲極電壓切換成低於攝影時 的穩定値之値時之第2感測信號，來修正各像素之輸出偏 差，故可實際上不射入光，虛擬作出暗時和明亮時之各輸 出狀態，易於修正各像素之輸出特性偏差。 又，根據本發明之影像感測器之輸出修正裝置’由於 在像素單位使用光敏電路而構成之影像感測器中設置修正 機構；該光敏電路，係將對應攝影時之入射光量流過光電 轉換元件之感測電流，利用電晶體之亞閎區特性而轉換成 弱反轉狀態下具有對數特性之電壓信號，並輸出對應該轉 換後之電壓信號之感測信號者；該修正機構，係使用將前 28 __ 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝---- 訂--------- A7 552804 五、發明說明（1) 述電晶體之閘極電壓切換成高於攝影時的穩定値之値而令 該電晶體成導通狀態時之感測信號，來修正各像素之輸出 偏差，藉此，可虛擬作出暗時之輸出狀態，易於進行各像 素之暗時輸出偏差之偏移修正。 又，本發明係藉由在此種影像感測器設置修正機構， 該修正機構，係將前述電晶體之閘極電壓切換或高於攝影 時的穩定値之値而令該電晶體成導通狀態時之感測信號’ 以成爲按照閘極電壓爲穩定値時所得暗時之感測信號之値 的方式，來設定該電晶體之汲極電壓並且此後於該設定狀 態下，使用將電晶體之閘極電壓切換成高於攝影時的穩定 値之値時之感測信號，來修正各像素之輸出偏差’藉此’ 可更適當修正各像素之暗時輸出偏差。 復且，本發明係藉由在此種影像感測器設置修正機構 ，該修正機構，係在遮斷對光電轉換元件之入射光之狀態 下，使用將對數時性轉換用電晶體之閘極電壓和汲極電壓 切換成低於攝影時的穩定値之値時之感測器輸出’來修正 各像素之輸出偏差，藉此，可實際上不使用任何光源，虛 擬作出明亮時之輸出狀態，易於進行各像素之暗時輸出偏 差之增益修正。 又，根據本發明之影像感測器之輸出修正裝置’由於 在像素單位使用光敏電路而構成之影像感測器中設置輸出 修正機構；該光敏電路，係將對應攝影時之入射光量流過 光電轉換元件之感測電流，利用電晶體之亞閩區特性而轉 換成弱反轉狀態下具有對數特性之電壓信號’並輸出對應 29 _ 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 552804 B7 五、發明說明) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該轉換後之電壓信號之感測信號者；該輸出修正機構，係 將前述電晶體之閘極電壓切換成高於攝影時的穩定値之値 而令該電晶體成導通狀態’使該電晶體之汲極電壓爲穩定 値時之感測信號按照攝影中暗時之感測器輸出，同時使該 電晶體之汲極電壓切換成低於穩定値之値時之感測信號按 照攝影中明亮時之感測器輸出’以使各像素中暗時和明亮 時之輸出位準一致的方式來進行輸出修正，故可虛擬作出 暗時和明亮時之輸出狀態，容易進行各像素之輸出偏差之 修正。 又，本發明由於在此種影像感測器設置輸出修正機構 ，該輸出修正機構，係將對數特性轉換用電晶體之聞極電 壓切換成高於攝影時的穩定値之値而令該電晶體成導通狀 態時之感測信號’以成爲按照聞極電壓爲穩定値時所得暗 時之感測信號之値的方式’來設定該電晶體之汲極電壓’ 並於此後在該設定電壓下’使電晶體成導通狀態時之感測 信號按照攝影中暗時之感測器輸出’同時使該電晶體之汲 極電壓切換成低於穩定値之値時之感測信號按照攝影中明 亮時之感測器輸出，以使各像素中暗時和明亮時之輸出位 準一致的方式來進行輸出修正，故可更適當修正各像素之 輸出偏差。 又，根據本發明之影像感測器之輸出修正裝置，由於 在像素單位使用光敏電路而構成之影像感測器中’該光敏 電路係將對應入射光量而流過光電轉換元件之感測電流’ 藉在弱反轉狀態下動作之MOS型電晶體轉換成電壓信號者 30 尺度適用國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " A7 552804 五、發明說明（〆） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，抽樣及保持按時序自各像素讀出之平常時之感測信號， 同時將按照像素中前述電晶體之汲極電壓暫時下降至較平 常時之電壓値低臨界値量，獲得虛擬明亮時輸出信號，以 此所得虛擬明亮時輸出信號與先前抽樣及保持之感測信號 間之差値作爲偏移値，進行預先設定之明亮時之基準信號 之偏移修正，故可適當地使各像素中感測信號之輸出位準 一致，可經常獲得品質優良之攝影影像。 【元件符號說明】 1 像素列選擇電路 2 像素選擇電路 3 開關群 4 VG用電源 5 電壓切換電路 6 VD用電源 7 電壓切換電路 8 影像感測器 9 ECU 10 AD轉換器 11 記憶體 12 輸出修正電路 121 偏移修正部 122 增益修正部 13 抽樣及保持電路 14 運算電路 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 552804 A7 _ B7 五、發明說明（f6) 15 運算電路 32 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 觚 --^1 I n ϋ n」,Jβ «I I n ϋ n n ϋ I I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）