TW550455B - System and method for enabling non-volatile memory to execute code while operating as a data storage/processing device - Google Patents
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Description
550455 A7 B7 五、發明説明(1 ) 發明部份及背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關使非揮發性記憶體能執行指令,同時操 作如資料儲存裝置之一種系統。 非揮發性記憶體之主要用途在指令執行。在非揮發性 指令儲存記憶體之市場中,快閃記憶體由於其較佳成本結 構,易於製造,及高密度,取代ROM各家族(ROM, PROM ,EPROM,EEPR0M)。 快閃記憶體通常用作一獨 立裝置及用作埋置記憶體。此市場之競爭集中於凝聚資訊 數元於更小之矽面積中,以減少裝置之成本。用於指令執 行上之最普通快閃記憶體型式知道爲NOR快閃記憶體。 N〇R快閃記憶體可隨機進出其每一位址,且故此可執行其 中之指令。爲此,NOR快閃記憶體亦稱爲XIP記憶體, 其中,XIP表示可當地執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖吾人迄此討論快閃記憶體在指令執行上之用法,快 閃曰5丨思體之另一浮現巾場開始長大,並變爲主宰-資料儲 存市場。資料儲存應用需要對快閃記憶體之一檔案系統管 理。用於資料儲存上之快閃記憶體稱爲快閃碟,且由H/w( 快閃s5憶體)及一 S / W (檔案系統管理,〇s介面等)構 成。 近代應用常需要用於指令執行及資料儲存二者上之快 閃記憶體。目前,大部份構造使用分開之裝置(或裝置組) 於每一功能上。非常需要使用同一裝置(單個裝置)來儲 存應用之貝料及指令。主要優點爲:減少不動產需求,晶 片數,砂體積’及功率消耗。以下情境顯示此方法之主要 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公董) ' ------- 550455 A7 B7 五、發明説明(2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 問題:假定有二工作在應用中在os下進行。第一工作 (T1)爲資料儲存驅動工作。此負責儲存所有應用資料於快 閃記憶體中。第二工作(T2)爲某指令,此由快閃記憶體( 當然,同一快閃記憶體)執行。該情境開始由T1發出 一抹消命令至快閃記憶體之某區域,作爲資料管理需求之 部份。NOR快閃記憶體之普通抹消時間爲1秒。在此時 間中(此1秒內),0S給T2 —時槽,及T2開始執行快 閃記憶體中之指令。此刻,操作失敗,並導致整個應用 程式失敗。其理由爲快閃記憶體在其忙於抹消/規劃另一 部份之期間中,不方便用於讀出操作(例如指令之執行) 。0S及T2不知道快閃記憶體現在不方便之事實。〇S 及T2期望快閃記憶體上所儲存之指令恆可執行,但情形 並非如此。如上述,有許多情形,當時快閃記憶體不方便 執行所儲存之指令。事實上,每次遵照TI要求忙於抹消 /規劃部份時,快閃並不方便。 已知之解決方法 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1. 使用二裝置,一用於資料儲存’及弟一作爲指令儲 存(XIP)。如上述,此爲目前在使用中之最普通構造。閱 圖1說明此解決方法。 此解決方法有缺點,即較高之不動產需求,晶片數’ 矽體積,及功率消耗。 2. 使用具有多排構造之一單個裝置,此可同時進出讀 出及抹消/程式。若千快閃記憶體販賣者已開始提供具有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公董) -5- 550455 A7 B7 五、發明説明(3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 多排(通常雙排)構造之快閃裝置。由此方法,減小不動 產需求,且亦減少晶片數至一個。此解決方法之缺點爲石夕 之經常費(由於多排設計)。此設計之估計成本經常費較普 通設計高30%,故此,基本上需對矽之額外功能付費。此 解決方法僅在不動產重要之應用中通行,因爲否則,其成 本太高。閱圖2顯示此解決方法。 3.使用具有特殊系統S/W之一單個裝置,此控制並 編訂系統之所有工作,例如,在Intel之PSM。此解決方 法使用快閃記憶體之暫停及回復之S/W命令,俾該裝置可 具雙功能。由此解決方法,解決該情況不知情況之問題, 但代價爲複雜之整合。此需要對每一 CPU及/或OS量 身定製之解決方法。特殊之系統S/W加於OS,並控制及 編排所有工作及岔斷。此解決方法之整合及發展時間過長 ’因其複雜性高。而且,此爲非常新闖之方法,此可適用 於一些特別市場。 故此’有廣泛認爲需要,且局度宜具有一種系統,此 能真正同時使用非揮發性記憶體於指令執行及資料儲存上 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明提供另一方法,以解決一非揮發性(快閃)裝 置(或一組裝置)用於資料儲存/處理及指令執行二者上 之問題。該解決方法使二用法可適當作用,且尤其是可在 任何時刻,包括快閃記憶體忙於抹消/規劃一些部份時 ’可由快閃記憶體執行指令。 本發明爲一硬體應用,此使快閃記憶裝置能以有效之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) -6 · 550455 A7 __ _B7___ 五、發明説明(4 ) 方式產生及操作,使快閃記憶體可同時用於指令執行及資 料儲存/處理。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明槪要 依據本發明,提供一種使非揮發性記憶體’且尤其是 快閃記憶體可用於指令執行及資料儲存/處理上’包含: CPU/匯流排/控制器; 非揮發性行列; 非揮發性裝置電路;及 邏輯電路; 其中,邏輯電路爲硬體機構,此可支持自動暫停及回 復操作。 本發明提供設計及實施一晶片上H/W機構,此可支 持自動暫停及回復操作。此解決方法可容易整合於任何 CPU/OS。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明使一非揮發性晶片,諸如快閃記憶晶片可處理 指令執行,同時處理抹消/程式操作。此由感測晶片之操 作狀態及CPU /匯流排活動,並在適當時刻命令快閃記憶 裝置暫停及/或回復程式/抹消操作達成,不致與讀出要 求衝突。該系統從而在晶片處理程式/抹消操作之期間中 ’緩衝CPU/匯標排/控制器執行讀出命令。 附圖簡述 在此僅由貫例’並寥1考附圖,說明本發明,在附圖中:
550455 A7 B7 五、發明説明(5 ) 圖1顯示最普通之現解決方法,二分開之裝置裝於記 憶晶片中,用於指令執行及資料處理。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2顯示另一解決方法,在一快閃記憶晶片中達成指 令執行及處料處理,其中使用多排構造。 圖3顯示本發明系統之基本操作。 圖4爲本發明系統之基本組成件之流程圖。 主要元件對照表 1〇 有效抹消/程式命令 11 讀出請求 12 暫停 13 時間暫停 14 回復操作 15 抹消/程式操作 17 空閒狀態 20 主CPU/匯流排/控制器 21 主匯流排 22 忙信號 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26 自動暫停邏輯 27 自動回復邏輯 較佳實施例之說明 本發明爲--種系統及方法,可使用非揮發性記憶晶片 同時用於指令執行及資料儲存及處理。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8- 550455 A7 B7 五、發明説明(β ) ^ 明確言之,本發明可用以在快閃晶片上執行指令,同 時在同晶片上儲存資料。此以使用自動暫停及自動回復操 作爲基礎 ° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考附圖及附帶說明,可更佳明瞭本發明之此一系統 之原理及操作,在附圖中: 圖3及4顯示本發明在其較佳用法上之組成件及操 作。本發明之硬體機構爲一邏輯電路(或少數電路),設計 在㉟依以下方式’自動暫停及自動回復程式及/或抹消操 作。例如,假設有一有效抹消/程式命令1 〇發給記憶 裝置。記憶裝置執行抹消/程式操作15,且同時暫存一 讀出要求1 1。與讀出要求不能執行且會使該系統當機之 現行方法相反,本發明暫停12該程式/抹消操作15。 當在暫停模式12中時,CPU/匯流排自由繼續讀出要求。 其後監視讀出操作,以偵測一時間暫停1 3( —預定時間, 在此,不執行操作)。於偵得時,自動發出一命令,以回 復操作14,使程式/抹消操作15可繼續。更詳細言之 ,該系統操作如下: 1. 在以下情況,執行自動執行暫停操作: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1.1裝置忙於抹消/程式操作15。 1.2裝置11有讀出企圖。 2. 由一忙信號22(圖4)提供指示該裝置進入暫停狀 態12(此時稱爲暫停潛伏)。該忙信號爲給CPU/匯流排 之實際信號,用於平台上,以告知快閃晶片上所儲存之指 令將可執行。主CPU/匯流排/控制器或主匯流排21 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 - 550455 A7 B7 五、發明説明(7 ) 使用此信號,使用其標準保持/再試機構’或由CPU/匯 流排/控制器所提供之任何其他裝置於保持/再試操作, 以防止由於失敗之讀出冒旨式引起當機。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 3 .於完成所有讀出週期時’自動執行回復操作1 4。 使用時間暫停偵測1 3 (—預定時間,在此,不執行讀出操 作)測該完成。可根據其他因素,諸如預定時間,或任 何其他所選方法,命令執行回復操作。 優點: 第一,本發明可使用一非揮發性晶片,或用作統一晶 片之晶片排於資料儲存/處理及指令執行。由執行此,可 大爲降低不動產需求,晶片數,矽體積,及功率消耗。比 較本發明及市面上之其他解決方法,Intel PSM(其他解決 方法:a.及b.具有較高之成本)指出在此大優點爲容易整 合快閃裝置(H/W及S/W)於平台環境(CPU,匯流排, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 及OS)中。由此解決方法,無需干涉OS組成件(例如排 程器)及其他軟體組成份子。OS及在其下進行之所有工 作均不知知快閃記憶體情況,且彼等可進出該記憶體,而 不管其情況如何。唯一需要整合者爲一簡單之H/W整合, 使CPU,匯流排,或控制器可保持/再試在暫停潛伏期間 所發生之操作。此硬體整合需要實施一定期及普通機構, 或CPU/匯流排上所存在之會延遲執行讀出/取出週期之 任何其他機構。爲達成此通知,並能在單晶片上作資料儲 存及指令執行之雙操作,邏輯電路需埋置於記憶晶片中, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) -10- 550455 以方便自動回復及暫停 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(8 或作爲外部邏輯加裝 自動暫停機構: 本節說明自動暫停特色之機構及實施。當抹消或程式 操作開始時15(圖3),操作自動暫停邏輯26(圖4)。 S偵得此等操作(抹消或程式)之一時,觸發自動暫停邏 輯2 6。自此時開始,邏輯等待來自裝置之讀出操作1( 需要輸出讀出資料之讀出操作,與狀態數元或類似者不同 )。如在收到任何讀出操作1 1之前,完成抹消/程式操作 1 5 ’則邏輯及晶片二者回至空閒狀態丨7。根據由裝置所 供應之定期及正常裝置(例如,控制信號,位址信號,讀 出命令),識別讀出操作。於偵得讀出操作1 1時,自動 暫停邏輯26執行一程序,此使裝置進入暫停狀態12。 該邏輯可使用裝置內之現有機構,以執行此工作(例如, 執行某裝置中可用之暫停命令)。而且,該邏輯可在某處 (例如I/O埠或專用暫存器)標註該裝置已進入自暫停狀態 12。此標註可由檔案系統管理S/W使用。而且,該邏輯可 使用外部信號(忙信號)22,指示該裝置在向自動暫停狀 態進行途中。此信號可由平台使用,以保持/再試讀出 操作1 1嘗試,或可延遲執行讀出/取出週期之CPU/匯 流排中之任何其他機構。該邏輯亦負責確認該裝置已實際 進入自動暫停狀態12 °在確認階段後,忙信號2 2關掉 ,以指示該裝置已進入自動暫停狀態1 2。自此刻開始,該 裝置準備執行所需之讀出要求。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公董) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-11 - 550455 A7 B7 五、發明説明(9 ) 自動回復機構: 當裝置進入自動暫停狀態12時,自動回復邏輯27 開始操作。此邏輯之目的在回復由自動暫停邏輯26中斷 之程式/抹消操作1 5。此邏輯應監視由裝置所執行之讀 出操作,例如使用與個動暫停邏輯26相同之技術。該邏 輯負責回復暫停之操作。一建議之實施爲等待裝置之讀出 操作中之一中斷。當該中斷夠長時(視應用及環境而定), 邏輯執行一程序,此使裝置回復程式/抹消操作15(例如 ’執行特定裝置中可用之回復命令)。該邏輯包含某機構 ’以決定該中斷爲一真實中斷,或僅爲一暫時中斷(例如 ’計算無讀出操作時間之一定時器)。該邏輯亦負責關掉( 例如I/O埠或專利暫存器)顯示該裝置已進入自動暫停狀 態12之標註。 雖已以有限之實施例說明本發明,但應明暸本發明可 作許多改變,修改,及其他應用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12-
Claims (1)
- ••第90114463號專利申請案中文申請專利範圍無劃線替換本 民國92年4月1日修正申請專利範圍 丨'«.-«r—tTV、 一'.V . 士 ,.、tt 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 · 一種使用非揮發性記憶裝置執行指令並同時處理資 料操作之系統,包含: CPU/匯流排/控制器,用以控制該記憶裝置; 非揮發性行列,用以保持該系統之指令及資料; 非揮發性裝置電路,用以控制該非揮發性行列之內容 及活動;及 邏輯電路,使操作能自動暫停及/或自動回復。 2. 如申請專利範圍第 1項所述之系統,其中,操 作之自動暫停及/或自動回復由一硬體裝置發動。 3. 如申請專利範圍第 1項所述之系統,其中,非 揮發性記憶裝置爲快閃記憶裝置。 4. 如申請專利範圍第1項所述之系統,其中,該 邏輯電路能由一單個矽晶粒在一單個晶片裝置內達成指令 執行及資料儲存/處理設施。 5. 如申請專利範圍第1項所述之系統,其中,該 邏輯電路能由一單個砂晶粒在一排單晶片裝置內達成指令 執行及資料儲存/處理設施。 6. 如申請專利範圍第1項所述之系統’其中’該 邏輯電路埋置於記憶晶片中。 7. 如申請專利範圍第1項所述之系.統,其中,該 邏輯電路自記憶晶片外作用。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之系統,其中’多 個邏輯電路埋置於記憶晶片中。 9.如申請專利範圍第1項所述之系統,其中,多 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、1T 『d J.V;:·:.;-:. · 1 d rl‘-li .----1---1—--- 除丨一本有.::,\.....: Ί,*ν>;,'ρ修it。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 個邏輯電路在記憶晶片外作用。 1 〇·如申請專利範圍第 i項所述之系統,其中, 邏輯電路可用以監視記憶晶片中現操作之狀態。 11.如申請專利範圍第 1項所述之系統,其中, 邏輯電路可用以標註晶片操作之現狀態,俾可由0S/應 用/檔案管理軟體讀出。 12·如申請專利範圍第 1項所述之系統,其中, CPU/匯流排/控制器由告知記憶晶片延遲 CPU/匯流 排/控制器讀出操作,以暫停及/或回復操作。 1 3 · —種用以在非揮發性記憶裝置上執行指令並同時 處理資料之方法,包括步驟: i·加裝至少一邏輯電路,俾與非揮發性記憶裝置一 起操作; ii·監視該記憶晶片中現操作狀態; iii·通知CPU/匯流排該晶片是否可用於指令執行; iv·監視 CPU/匯流排活動; v·命令晶片暫停及/或回復晶片操作。 14. 一種用以在非揮發性記憶裝置上執行指令並同時 處理資料之方法,包括以下步驟: i ·加裝至少一邏輯電路,俾與非揮發性記憶裝置一 起工作; ii·感測讀出要求,同時晶片在程式/抹消模式/ 操作; . iii.使程式及/或抹消操作自動進入暫停模式· — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 • I m · ,,;±,.; ,.5台本予修,1£。 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 iv.在執行進一步讀出 /取出命令之前,通知 CPU/匯流排等待; V.關掉信號,使 CPU/匯流排可(自動)繼續讀 | 出/取出命令; i;T Vi.使晶片進入回復操作,以繼續程式/抹消操作 0 1 5 .如申請專利範圍第 1 4項所述之方法,其中, 進入暫停模式包括標註狀態,俾由晶片中之 0S/應用/ 1 檔案管理軟體讀出。 ; 1 6. —種單快閃記憶裝置,包含: : 一暫停邏輯電路,使硬體可發動暫停資料處理操作; 及 一回復邏輯電路,使硬體可發動回復資料處理操作。 -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21 ΟΧ 297公釐) -3-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/629,966 US7032081B1 (en) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | System and method for enabling non-volatile memory to execute code while operating as a data storage/processing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW550455B true TW550455B (en) | 2003-09-01 |
Family
ID=24525212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090114463A TW550455B (en) | 2000-07-31 | 2001-06-14 | System and method for enabling non-volatile memory to execute code while operating as a data storage/processing device |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7032081B1 (zh) |
EP (1) | EP1305713A1 (zh) |
JP (1) | JP2004505374A (zh) |
KR (1) | KR100469569B1 (zh) |
CN (1) | CN1300700C (zh) |
AU (1) | AU2001266987A1 (zh) |
IL (2) | IL148619A0 (zh) |
TW (1) | TW550455B (zh) |
WO (1) | WO2002010921A1 (zh) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1323359C (zh) * | 2003-05-20 | 2007-06-27 | 群联电子股份有限公司 | 以共用汇流排方式启动外部只读存储器的单晶片快闪存储器控制系统 |
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-
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- 2001-06-14 TW TW090114463A patent/TW550455B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-18 CN CNB018022537A patent/CN1300700C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-18 KR KR10-2002-7004167A patent/KR100469569B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-18 AU AU2001266987A patent/AU2001266987A1/en not_active Abandoned
- 2001-06-18 EP EP01944595A patent/EP1305713A1/en not_active Withdrawn
- 2001-06-18 IL IL14861901A patent/IL148619A0/xx active IP Right Grant
- 2001-06-18 WO PCT/US2001/019419 patent/WO2002010921A1/en active IP Right Grant
- 2001-06-18 JP JP2002515579A patent/JP2004505374A/ja active Pending
-
2002
- 2002-03-11 IL IL148619A patent/IL148619A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020047199A (ko) | 2002-06-21 |
EP1305713A1 (en) | 2003-05-02 |
KR100469569B1 (ko) | 2005-02-02 |
IL148619A (en) | 2007-06-03 |
AU2001266987A1 (en) | 2002-02-13 |
JP2004505374A (ja) | 2004-02-19 |
IL148619A0 (en) | 2002-09-12 |
US7032081B1 (en) | 2006-04-18 |
CN1300700C (zh) | 2007-02-14 |
CN1386224A (zh) | 2002-12-18 |
WO2002010921A1 (en) | 2002-02-07 |
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