TW548862B - Method of preventing anode of active matrix organic light emitting diode from breaking - Google Patents
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Description
548862 五、發明說明（1) 防止主動式有機發光二極# 决’且特別是有關於一種 有機發光二極體；一之陰極產生斷裂之方法。 轉換效率的半導f亓杜彳可將電能轉換成光能且具有高 以及光學’常見的用途為指示燈、顯示面板 件具備=之等：。由於有機發光二極體元 速度、使用溫度“廣:::全易符；=體= 示器特性之要求，近年來？ “化=:°夕媒體w代顯 人 ％牛术已成為研究之熱潮。 中。！1二：^動式有㈣光二㈣元件以在極的發展 所述I ;動式有機發光二極體之結構其及製造方法如下 =1圖所不，其繪不為習知一種主動式有機發二 體疋件之結構剖面示意圖。 ^凊參照第1圖，習知主動式有機發光二極體元件的製 k方法係首先在一基板1 〇 0上形成一閘極1 〇 2。接著於基 板1 0 0與閘極1 〇 2上形成一閘極絕緣層丨〇 4。並且在閘極丨〇 2 上方之閘極絕緣層丨〇4上形成一通道層1〇6。之後，於通道 層106上形成一汲極1〇83/源極1〇8b，以構成一薄膜電晶 體。 、 緊接著，於基板100上方形成一保護層11(),覆蓋住薄 膜電晶體。之後，於保護層丨丨〇中形成一開口丨丨2，並暴露 出源極1 08b。之後，再於保護層丨丨〇上與部分開口丨丨2内部 形成一陽極層1 14，而使陽極層1 14與源極1 08b電性連接。
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=，於基板100上方依序形成一發光層116 118。如此’即完成—主動式有機發光 ：極層 在習知主動式有機發光二極體元件 之I作。 有機層11 6與陰極層i i 8係以茱 乍過較中，其 層118之階梯覆蓋能力較差、 膜f層11 6與陰極 軒4·絲么各，ΟΛ ^ 因此在涛膜電晶體結構中之 將::如是在沒極/源極1〇8a/108b圖案兩端 =角處12G ’將特別容易使後續形成於其上方有機声116 ，、陰極層118產生不連續或斷裂之情形。 】 不連續或斷裂之情形發生時，非但會對元 '層= 到影響，且對元件之發光也會造成嚴重的影響。^¥又 因此，本發明的目的就是在提供一種防止主動式有機 =極體元件之陰極產生斷裂之情形，以使元件= 傳V與元件之發光機制能正常運作。 本發明提出一種防止主動式有機發光二極體元件之陰 極產生斷裂之^法，此錢係f練供―基板，其中基板 上已形成有數個呈陣列排列之薄膜電晶體，且每一薄膜電 ，體係包括一閘極、一通道層、一源極以及一汲極。接 著’在基板上方形成一保護層，並且平坦化此保護層。其 中此保護層之材質例如是介電樹脂⑶“丨^“卜^以以。 之後，在保護層中形成一開口，暴露出没極。然後，在保 濩層上與部分開口内形成一陽極層，以使汲極與陽極層電 性連接。之後，再於在基板上方依序形成一發光層以及一 陰極層’而形成一主動式有機發光二極體元件。
548862 五、發明說明（3) 出另一種防止主動式有機發光二極體元件之 陰極產生断裂之方法，此方法係 ^遐兀件之 上已形成有數個呈陣列埋列之 ’、土板，而基板 電晶體對應之一陽極層，其中每」-薄膜 極、-通道層、一源極以及_;朽4膜，晶體包括-閉 連接。接著，▲基板上形成一圖案化與，電？ 膜電晶體而暴露出大部分之陽極層。° = S >專 成：圖案化之感光材質[覆蓋“；ί 不千之保護層。其中圖案化感光曰罩 材質層與陽極層然·’在感光 主動式有機發光二極二元:;及一陰極層’而形成- 提出一種防止主動式有機發光二極體元件之 L及極：产之方法，其係藉由削緩-薄膜電晶體之-源 生斷裂之情形，此方法包括在-基板形 :-”層，其中此導電層之材質例如是銷/鋁，翻堆疊 :光電：上形成一圖案化之光阻層，並且以 < # \ 仃一乾式蝕刻製程，而形成薄膜電晶體 汽m 中所形成之源極/汲極圖案兩端之輪 斜坡狀。而此乾式钱刻製程之一反應氣體例如是 之混合氣體，或者是cl2_ei3之混合氣體，且 F6/0之比例係介於0.5]』之間，CVBci3之比例係介於 ..8之間。最後再將光阻層移除。由於所形成之源極/ 548862
因此可防止後續於其上 汲極圖案兩端之輪廓係呈斜坡狀 方所形成之陰極層產生斷裂。 本發明再提出一種防止主動式有 陰極產生斷裂之方法，其係藉由 二二 w -兀 之 故/ 精田則緩一薄膜電晶體之一泝 極/汲極兩端之一轉角處，藉以改盖 ，、 體凡件之一陰極層產生斷裂之情形，此方法包光一= 形成一導電層。接著在導電層上形 々 ' 層，並且以第一光阻層為罩幕進行一第一 第一光阻 除導電層之部分厚度。之後，移 (Ashmg)，以移除第一光阻層之部分厚度，而形成一第二 光阻層。然後，再以第二光阻層為罩幕進行一第二蝕刻製 程，而形成薄膜電晶體之源極/汲極圖案。盆中，源極〆、及 極圖案兩端之輪廓係呈階梯狀。最後再將第、二光阻層移， 除。由於所形成之源極/汲極圖案兩端之輪廓係呈階梯 狀，因此可防止後續於其上方所形成之陰極層產生斷裂。 本發明再提出一種防止主動式有機發光二極體元件之 陰極產生斷裂之方法，其係藉由削緩一薄膜電晶體之一源 極/汲極兩端之一轉角處，藉以改善該主動式有機發光二” 極體元件之一陰極層產生斷裂之情形，此方法包括在一某 板形成一導電層。之後，在導電層上形成一光阻層，並二 此光阻層為罩幕進行一蝕刻製程，以形成薄膜電晶體之源 極/汲極圖案，其中此蝕刻製程之一蝕刻液係為 HN03/H3P04/CH3C00H，且蝕刻液中hn〇3之重量比係介於 0· 1〜0· 2之間。由於本發明之方法所使用餘刻液之hn〇之 3
9048twf.ptd 第8頁 發明說明（5) 濃度較高，因此其 — " 削緩薄膜電晶俨盾；；丨、面之蝕刻速率相對較高，而藉以 續於其上方所形^ 沒極兩端陡崎之轉角，以防止後 本發明提出-種ΓΓΐ產生斷裂。 極產生斷裂之方法 主動式有機發光二極體元件之陰 上已形成有複數個3 Ϊ方法係首先提供一基板，其中基板 電晶體係包括—間極車列排列之薄膜電晶體，且每一薄膜 著，在基板上形：：每層、-源極以及-汲極。接 中陽極層係盥薄膜雷曰’、電晶體對應之一陽極層’其 上方形成-發:體之源極電性連接。之後，在基板 極層。當所形成：陰極；：；^覆蓋住薄膜電晶體與陽 之表面上形成一 二產生斷裂之情形時，可於陰極層 處。其中，形1 =電層，藉以修補陰極層發生斷裂之 形成此修補導電c方法例如是濺鍍法。另外， 子束蒸鍍步驟，再進行二以先進行一熱蒸鍍步驟或電 可以是任何能用於修補而修補導電層之材質 層相同之材質。 π θ之導電材質，較佳的是陰極 本發明所提出之防+ t 極產生斷裂之方法，勺式有機發光二極體元件之陰 護層上形成一感光材^屏將保護層平坦化，或是於保 蝕刻方式’以削減源極"及極兩端之轉角處 ;;料Π以有效的達到防止後續所形成之陰極層產生 =丄:：==7以利用-修補步驟，以修= 辦淚處而使疋件仍能正常運作。 548862 五、發明說明（6) 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 懂， 下文特舉一 較佳 實施 例，並配合所附圖式 明如 下： 圖式 之標示說明 • 100 、400 、 500 、600 :基 板 102 :閘極 104 :閘氧化層 106 :通道層 108a/108b、408a/408b、508a/508b、608 ··汲極/ 源 極 11 0、2 1 0、3 1 0 :保護層 11 2、2 1 2 ··開口 114、214、314 :陽極層 116 > 216 > 316 > 616 ：發光層 118 >218 >318 ^ 618 ：陰極層 120 、 615 :轉角處 302 :感光材質層 108、408、508 :導電層 402、502、504 :光阻層 620 :修補導電層 第一實施例 第2圖所示，其繪示是依照本發明第一實施例之主動 式有機發光二極體元件之結構剖面示意圖。 請參照第2圖，本發明第一實施例之主動式有機發光
9048twf.ptd 第10頁 548862 五、發明說明（7) 二極體兀件的製造方法係首先在一基板1〇〇上形成一圖案 化之第一導電層1 02，其係作為一閘極之用。其中，閘極 102之材質例如是鉻金屬。之後，在基板1〇〇與閘極1〇2上 形成一閘極絕緣層104。 接著，於閘極1 0 2上方之閘極絕緣層丨〇 4上形成一通道 層106。其中，通道層1〇6之材質例如是非晶矽。緊接著， 於通道層106上形成一圖案化之第二導電層1〇8a/1〇8b，其 係作為一汲極/源極。如此即形成一薄膜電晶體結構。 之後，在基板100上方形成一保護層210，覆蓋住薄膜 電晶體。其中保護層2 1 0之材質例如是一介電樹脂 (Dielectric Resin)。緊接著，進行一平坦化步驟，以使 保護層210具有一平坦之表面。 然後’在保護層2 1 0中形成一開口 2 1 2，暴露出源極 108b。之後，於保護層210上與部分開口212内形成一陽極 層2 1 4 ’以使陽極層2 1 4與源極1 〇 8 b電性連接。其中，陽極 層2 1 4之材質例如是銦錫氧化物。接著，於基板丨〇 〇上方形 成一發光層216 ’覆盍住陽極層214，其中發光層2ΐβ之材 吳係為具有發光特性之有機化合物。之後，於發光層21 6 上形成一陰極層218，以形成一主動式有機發光二極體元 件。 由於本實施例在薄膜電晶體結構上形成具有平坦表面 的保濩層2 1 0，因此後續於保護層2 1 0上形成發光層21 6與 陰極層2 1 8時，可減少因發光層2 1 6與陰極層2 1 8之階梯覆 蓋能力較差而造成陰極層218產生斷裂之問題。
548862 '發明說明（8) 第二實施例 第3圖所示，其繪示是依照本發明第二實施例之主動 式有機發光二極體元件之結構剖面示意圖。 睛參照第3圖 本發明苐·一貫施例之主動式有機發光 二極體元件的製造方法係首先在一基板100上形成一圖案 化之第一導電層1 〇 2 ’其係作為一閘極之用。其中，閘極 之材質例如疋絡金屬。之後，在基板與閘極上 形成一閘極絕緣層1 0 4。 接著，於閘極1 〇 2上方之閘極絕緣層1 〇 4上形成一通道 層1 0 6。其中通道層1 〇 6之材質例如是非晶矽。緊接著，於 閘極絕緣層104上形成一陽極層314。其中陽極層314之材 質例如是銦錫氧化物。 之後，於通道層106與部分陽極層314上形成一圖案化 之第二導電層108a/108b，其係作為一汲極/源極之用。其 中源極1 0 8 b係與陽極層3 1 4電性連接。如此，即形成一薄 膜電晶體結構。 緊接著’在基板100上方形成一圖案化之保護層310， 覆蓋住薄膜電晶體結構以及一小部分之陽極層3丨4。其 中’保護層3 1 0之材質例如是氮化矽。之後，在基板丨〇 〇上 I成一感光材質層，以填平凹凸不平之保護層31〇。之後 進行一微影製程，以使感光材質層3〇2僅覆蓋住保護層 10 ’而暴露出陽極層314。 材所接著’在基板100上方形成一發光層316 ’覆蓋住感光 貝層302以及陽極層314。其中發光層316之材質係為具
548862 五、發明說明（9) -----" 有發光特性之有機化合物。之後，於發光層316上形成一 陰極層318，以形成一主動式有機發光二極體元件。 由於本發明第二實施例係藉由感光材質層3 〇 2而將薄 膜電晶體上方凹凸不平之保護層31〇填平。因此，後續於 感光材質層302上形成發光層316與陰極層318時，可減少 因發光層31 6與陰極層3丨8之階梯覆蓋能力較差而造成陰極 層318產生斷裂之問題。 第三實施例 以成主動式有機發光二極體元件之陰極層產生斷裂， 主要疋因為薄膜電晶體之源極/沒極在特 之轉角處，因此後續於轉角處上方所形成之陰域極曰層較容易 產生斷裂。而要避免元件之陰極層產生斷裂，可直接由汲 極/源極之大轉角處進行改善步驟。 第4A圖至第4C圖所示，其繪示為依照本發明第三實施 =之防止主動式有機發光二極體元件之陰極產生斷裂之流 程剖面示意圖。 曰睛參照第4A圖，本實施例之方法係利用於形成薄膜電 =體之源極/汲極時進行改良步驟，此方法包括在一基板 Γ ί形成一導電層408 ’其中導電層408之材質例如是鈦/ ίΐ堆疊層或鉬堆疊層。之後，於導電層408上形成一圖 八之光阻層402，覆蓋住預定形成源極/汲極之處。 一一 ^後’請參照第4Β圖，以光阻層402為一蝕刻罩幕進 =了乾式蝕刻製程，以形成汲極/源極4〇8a/4〇8b圖案。其 所形成之汲極/源極408a/408b圖案兩端之輪廓係為斜 548862 五、發明說明（10) ---- 坡狀。而此乾式蝕刻製程所使用之一反應氣體係為SFe與02 之混合氣體，或是C!2與ΒΠ3之混合氣體。本實施例就是利 用凋整SFe/Ο2或Clg/BCl3之比例，而使光阻層4〇2側向被蝕 刻之速率和導電層408被蝕刻之速率的關係達最佳化，進 ==最後所形成之汲極/源極408a/4〇8b圖案兩端之輪廓係 為斜坡狀。在本實施例中，SF〆％之比例例如是介於 .5 1 · 〇+之間，c 12 /bc 13之比例例如是介於〇. 4〜〇 · 8之間。 接著，請參照第4C圖，將光阻層402移除。之後，再 =序於基板400上方形成主動式有機發光二極體元件之各 =巧，例如保護層、陽極層、發光層、陰極層等等。由於 後續各層膜之製作已於習知技術中說明，在此不再贅述。 本實施例係於源極/汲極圖案兩端原先會形成有轉角 处之部分，利用特殊之蝕刻方法將轉角處削緩。因此，可 =免後續於其上方所形成之主動式有機發光二極體元件之 陰極層產生斷裂。 h触另一種利用特殊之蝕刻方式以改善主動式有機發光二 極體=件之陰極層產生斷裂之方法如下所述。
睛參照第5 A圖，此方法係亦是利用於形成薄膜電晶體 2極/沒極時進行改良步驟，此方法包括在一基板5〇〇上 ^ 一導電層508。之後，於導電層508上形成一圖案化之 先阻層502，覆蓋住預定形成源極/汲極之處。 一之後，請參照第5B圖，以光阻層5〇2為一蝕刻罩幕進 仃蝕刻製程，以移除部分厚度的導電層5 〇 8。 接著，請參照第5C圖與第51)圖，進行一光阻層灰化
548862 五、發明說明（11) (Ashing)步驟，以移除光阻層5〇2的部分厚度，而形成光 阻層504。之後，以光阻層504為—蝕刻罩幕進行一蝕刻步 驟，以形成汲極/源極5 08a/508b圖案。其中，所形成之汲 極/源極50 8a/50 8b圖案兩端之輪廓係呈階梯狀。之後，再 將光阻層5 0 4移除。 一然後，再依序於基板500上形成主動式有機發光二極 $兀件之各層m ’例如保護層、陽極層、發光層、陰極層 專等。由於後續各層膜之製作已於習知技術中說明，在此 不再贅述。 本實施例係於源極/汲極圖案兩端先 ”部分’利用特殊之㈣方法將原先之轉角處成形有成轉階角梯 狀。因此，可避免後續於其上方所形成之主動式有機發光 一極體元件之陰極層產生斷裂。 再者，另一種利用特殊之蝕刻方式，以改善主動式 機發光二極體元件之陰極層生斷裂之方法，係利用於形成 源極/汲極之蝕刻製程中，將蝕刻液中之hn〇3之濃度提 °轉角處之目的，進而使後續所形成之陰極層不 a產生斷裂。其詳細之說明如下。 、，二ϋ式係於姓刻一基板上之一導電層以形成源極/ 及極圖㈣’將此㈣製程所使用之液巾 提高。在本實施例巾’所使用之姓刻液例如& 。農度 _3/h3p〇4/CH3c〇oh ’且蝕刻液中之_3之重量比例如a入 於O.H. 2之間，由於介面之姓刻速率提高可產生較^^
第15頁 548862 五、發明說明（12) ' - 之角度，如此可避免所形成之源極/汲極圖案兩端形成陡 山肖之輪靡。因此，此種方法亦可防止後續於其上方所开> 成 之主動式有機發光二極體元件之陰極層產生斷裂。 弟四實施例 本實施例之方法係於當主動式有機發光二極體元件於 製作完成之後，發現元件之陰極層產生斷裂時，可利用二 修補方式進行陰極層之修補，以使元件仍能正常運作。豆 详細之說明如下。 第6A圖至第6B圖所示，其繪示為依照本發明第四實施 例之防止主動式有機發光二極體元件之陰極產生二= 程剖面示意圖。 Km 請參照第6A圖，首先提供一基板6〇〇，其中基板6〇〇上 已形成一主動式有機發光二極體元件，其包括一薄膜 體、一保護層610、一陽極層614、一發光層616以及一 極層618。其+，薄膜電晶體包括—閘極（未繪示）、一^ 極/汲極608以及一通道舞（夹終+、 π ^ ^ ^ , "、 通運層I禾繪不），且源極/汲極608圖荦 兩鈿具有一轉角處615。由於在轉角處615上方之發 ，、 616,與陰極層=特別是陰極層618因其階梯覆““ 差’因此將非常容易於此處產生斷裂。 請參照第6B圖’當主動式有機發光 層^產生㈣之情料，便可進行—修補步驟件之以陰極 ::極：618之不連續或斷裂情形。而此修補步心利用， /賤鑛之方式於陰極層6 1 8之表面上带占樣、、 朴丄 ^ ^ 0心衣1®上形成一修補導電
其中，修補導電層620之奸曾可，、，s v & π电屬bZU 之材貝了 U疋任何月匕用於修補陰極 548862 五、發明說明（13) 層618之材貝，較佳的是與陰極層618相同之金屬材質。由 於濺鍍製程之階梯覆蓋能力較佳，因此於陰極層618之表 面上形成此修補導電層620，可修補陰極層618於轉角處 61 5產生斷裂之情形。而由於此修補導電層62〇僅是用來修 補陰極層618，以使整個陰極層618之導通電流與元件之發 光機制不會受到陰極層618斷裂之影響，因此，此修補導 電層620之厚度不需太厚。 另外，本實施例於陰極層Mg上形成修補導電層62〇之 方^更包括在陰極層Π?上先進行—熱蒸鍍步驟或一電子 。二步驟如此緊接/再以進行一濺鍍步驟，而形成修補導 電層620。如此’亦同樣可達到修補陰極層61 形。 I月 斷麥i::之=主動式有機發光二極體元件之陰極產生 一感光材質層以填平凹凸不羋夕仅上日上办成 々# ^^ t具十凹凸不千之保護層，或者是利用特殊 之：刻方=以削減源極/汲極兩端之轉角處之方式，都可 :，ϊ ϊ明ί:止後續所形成之陰極層產生斷裂。特別 處，而使兀件仍能正常運作。 辦^ 雖然本發明已以較佳實施例揭， 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離：發； 内’當可作些許之更動與调飾，因此=日= 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 4月之保護
548862 圖式簡單說明 " 第1圖為習知一種主動式有機發光二極體元件之結構 °1】面示意圖； 第2圖是依照本發明第一實施例之主動式有機發光二 極體元件之結構剖面示意圖； 第3圖是依照本發明第二實施例之主動式有機發光二 極體元件之結構剖面示意圖； 第4A圖至第4C圖是依照本發明第三實施例之防止主動 式有機發光二極體元件之陰極產生斷裂之流程剖面示音 圖； " 第5 A圖至第5 D圖是依照本發明第三實施例之防止主動 式有機發光二極體元件之陰極產生斷裂之流程剖面示意 圖；以及 第6A圖至第6B圖是依照本發明第四實施例之防止主動 式有機發光二極體元件之陰極產生斷裂之流程剖面示意 圖。
9()48twf.ptd 第18頁
Claims (1)
- 548862 六、申請專利範圍 1 · 一種防止主動式有機發光二極體 裂之方法，包括： 丁 <仏極產生斷 ?供-基板1中該基板上已形成有複數個 列之薄膜電晶體，且# ^ ^ g ^ 車歹〗才卜 極、一通道層、一源極以及一汲極； Μ有-閘 體；S 方形成一保護層，覆蓋住該些薄膜電晶 平坦化該保護層； 在該保護層中形成一開口，暴露出該汲極； 在該保護層上與部分該開口内形成一陽極層； 在該基板上方形成一發光層，覆蓋該陽極^ ’· 在該發光層上形成一陰極層。 ’ & 2.如申請專利範圍第丨項所述之防止主動式有 二極，元，之陰極產生斷裂之方法，其中該保護層之"材質 包括介電樹脂。 、 二二如1請i利範圍第1項所述之防止主動式有機發光 一木體7〇件之陰極產生斷裂之方法，其中該 包括銦錫氧化物。 噌之材貝 4·如申請專利範圍第丨項所述之防止主動式有 二極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中該發光層機t 包括具有發光特性之一有機化合物。 列5七一種防止主動式有機發光二極體元件之陰極產生斷 衣之方法，包括： 提供一基板，該基板上已形成有複數個呈陣列排列之 9048twf.ptd 第19頁 548862 六、申請專利範圍 薄膜電晶體以及與每一該些薄膜電晶體對應之一 ㈣極層， 其中每一該些薄膜電晶體包括一閘極、一通道爲· 〜，、一源極 以及一汲極，且該陽極層係與該源極電性連接； 在該基板上方形成一圖案化之保護層，覆蓋住令此薄 膜電晶體，暴露出部分該陽極層； ^二/ 在該基板上方形成一圖案化之感光材質層，覆蓋住$ 保護層，以填平凹凸不平之該保護層； ^ 在該感光材質層與該陽極層上形成一發光層；以及 在該發光層上形成一陰極層。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之防止主動式有機發光 二極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中該保護；χ 包括氮化石夕。 胃 7·如申請專利範圍第5項所述之防止主動式有機發光 二極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中圖案化該 質層所使用之光罩與圖案化該保護層時所使用 相同之一光罩。 < 九罩係為 極體元：ί ΐ ϊ ΐ Ϊ第5項所u防此王動式有機發光 桎體70件之陰極產生斷裂之方法’其中該陽極 括錮錫氧化物。 《之材貝 包括錮錫氧化物 極 L如：：2 ^圍第5項所述之防止主動式有機發光 體7C件之陰極產生斷裂之方法，其中該發 包括具有發光特性之-有機化合物。 材質 1 0. —種防/主動式有機發光二極體元件之陰極產生 斷衣之方法，，、係藉由削緩一薄膜電晶體之一源極/汲極9048twf.ptd 第20頁 548862 六、申請專利範圍 兩端之一轉角處，藉以改善該主動式有機發光二極體元件 之一陰極層產生斷裂之情形，該方法包括·· 在一基板形成一導電層； 在該導電層上形成一圖案化之光阻層； 以該光阻層為罩幕進行一乾式蝕刻製程，以形成該薄 膜電晶體之該源極/汲極圖案，其中該源極/汲極圖案兩端 之輪廓係呈斜坡狀；以及 移除該光阻層。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之防止主動式有機發 光二極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中該乾式蝕刻製 籲 程之一反應氣體包括sf6與〇2之混合氣體，且sf6/02之比例 係介於0 · 5〜1 · 〇之間。 1 2·如申請專利範圍第1 0項所述之防止主動式有機發 光二極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中該乾式蝕刻製 程之一反應氣體包括Cl2與BC13之混合氣體，且口^以込之 比例係介於〇· 4〜0· 8之間。 ^ 1 3 ·如申請專利範圍第1 0項所述之防止主動式有機發 光二極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中該導電層之材 質包括欽/紹/欽堆疊層。 14·如申請專利範圍第1 〇項所述之防止主動式有機發 春 光二極體70件之陰極產生斷裂之方法，其中該導電層之材 質包括鉬。 4 15· 一種防止主動式有機發光二極體元件之陰極產生 斷裂之方法，其係藉由削緩一薄膜電晶體之一源極/汲極第21頁 548862 六、申請專利範圍 兩端之一轉角處，藉以改善該彡動式有機發光二極體元件 之一陰極層產生斷裂之情形，該方法包括： 在一基板形成一導電層；以及 進行一餘刻製裎，以形成該薄膜電晶體之該源極/汲 極圖案’其中该源極/汲極圖案雨端之輪廓係呈階梯狀。 一 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項戶斤述之防止主動式有機發 光一極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中形成該薄膜電 晶體之該源極/汲極圖案之方法包括： 在該導電層上形成一圖案化之第一光阻層； 以該第一光阻層為罩幕進行〆第一蝕刻製程，以移除 該導電層之部分厚度； 移除該第一光阻層之部分厚度，而形成一第二光阻 層；以及 以該第二光阻層為罩幕進行一第二蝕刻製程，以形成 該源極/汲極圖案。 ^ 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之防止主動式有機發 光一極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中移除該第一光 阻層之部分厚度之方法包括利用一氧氣電漿進行一灰化 驟。 .18. —種防止主動式有機發光二極體元件之陰極產生 斷裂之方法，其係藉由削緩一薄膿電晶體之一源極/汲極 兩端之一轉角處，藉以改善該主動式有機發光二極體元件 之一陰極層產生斷裂之情形，該方法包括： 在一基板形成一導電層；以及第22頁 548862以形成該薄膜電晶體之該源極/汲 程之一蝕刻液係為 "亥餘刻液中之HN〇3之重量比係介於 進行一钱刻製程， 極圖案，其中該蝕刻製 HN〇3/H3P04/CH3CO〇H，且 〇 · 1〜0 · 2之間。 種防止主動式有 光 1 y· 斷裂之方法，包括·· 極體元件之陰極產生 =丞极，”該基板上已形成有複數 列之溥膜電晶體，且每_兮4巧时帝曰触A』〆 平 该些溥膜電日日體包括形成有一閘 極、一通道層、一源極以及一汲極； 在該基板上方形成與每一該些薄膜電晶體對應之一陽 極層，其中該陽極層係與該源極電性連接； 在该基板上方形成一發光層以及一陰極層，覆蓋該些 薄膜電晶體與該％極層；以及 在遺陰極層上形成一修補導電層，藉以修補該陰極層 發生斷裂之處。 曰 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項所述之防止主動式有機發 光二極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中形成該修補導 電層之方法包括濺鍍法。 21 ·如申請專利範圍第1 9項所述之防止主動式有機發 光二極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中形成該修補導 電層之方法包括先進行一蒸鑛少棘’再進行一澂鑛步驟。 2 2 ·如申請專利範圍第1 9項所述之防止主動式有機發 光二極體元件之陰極產生斷裂之方法’其中形成該修補導 電層之方法包括先進行一電子束蒸鍍步驟，再進行一濺鍍9048twf.ptd 第23頁 548862 六、申請專利範圍 步驟。 2 3.如申請專利範圍第1 9項所述之防止主動式有機發 光二極體元件之陰極產生斷裂之方法，其中該修補導電層 之材質係與該陰極層之材質相同。9048twf.ptd 第24頁
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2003
- 2003-03-07 US US10/248,990 patent/US6949468B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111796706A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-10-20 | 南昌欧菲显示科技有限公司 | 面板及其制备方法、触控显示屏和电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6949468B2 (en) | 2005-09-27 |
| US7018860B1 (en) | 2006-03-28 |
| US20030224547A1 (en) | 2003-12-04 |
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