TW546877B - Laser apparatus - Google Patents

Laser apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW546877B
TW546877B TW091104817A TW91104817A TW546877B TW 546877 B TW546877 B TW 546877B TW 091104817 A TW091104817 A TW 091104817A TW 91104817 A TW91104817 A TW 91104817A TW 546877 B TW546877 B TW 546877B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
laser
laser pulse
reference laser
wavelength
Prior art date
Application number
TW091104817A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Kubota
Michio Oka
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW546877B publication Critical patent/TW546877B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2383—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0613—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06754—Fibre amplifiers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/036—Optical fibres with cladding with or without a coating core or cladding comprising multiple layers
    • G02B6/03616—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference
    • G02B6/03622—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference having 2 layers only
    • G02B6/03633—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference having 2 layers only arranged - -
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
    • G02B6/2848—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers having refractive means, e.g. imaging elements between light guides as splitting, branching and/or combining devices, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
    • G02B6/2861—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using fibre optic delay lines and optical elements associated with them, e.g. for use in signal processing, e.g. filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0604—Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0627—Construction or shape of active medium the resonator being monolithic, e.g. microlaser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
    • H01S3/06745—Tapering of the fibre, core or active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094003—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a fibre
    • H01S3/094007—Cladding pumping, i.e. pump light propagating in a clad surrounding the active core

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

546877 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 本發明係關於一種雷射裝置，特別係關於一種適合於 TFTs(薄膜電晶體）製造期間用於改良特性進行的退火處理 之雷射裝置，該TFT係用做為控制電流的主動元件，以及 於採用液晶或有機電致發光（EL)元件（舉例）之主動矩陣顯 示器做為各像素之開關元件。 通常，主動矩陣顯示器有大量像素排列成矩陣方式，且 經由根據指定亮度資訊控制各個像素之光強度而顯示影 像。 當液晶用做為光電材料時，各個像素之透射率係根據寫 入像素的電壓改變。 使用有機EL元件做為光電材料之主動矩陣顯示器基本 上係以使用液晶做為光電材料的相同方式操作。 例如，於液晶顯示器（LCD)，TFT用做為各像素之開關裝 置用以施加電壓至顯示電極的液晶層。TFT控制液晶的對 準，藉此控制由玻璃基板背側之背光的透射。 液晶顯示器等使用對1000°C高熱溫度有抗性的石英玻璃 做為玻璃基板。但因石英玻璃昂貴，故晚近使用耐熱溫度 較低600°C之廉價玻璃。 如此，TFT製造時的製程溫度需控制低於基板可忍受的 加熱溫度。多晶碎（polysilicon)之載子活動性比非晶碎（a-Si) 薄膜之載子活動性高約二次冪幅度，因此適合用於操作速 度高且有大量像素的大型顯示器。 當欲形成多晶矽於玻璃基板時，使用一種方法，其藉雷 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（2〗〇x‘297公釐） 546877
射光退火非晶矽薄膜而再結晶非晶矽薄膜成為多晶矽以防 玻璃基板的熱變形等。 ’知’具有振盧波長308毫微米（nm)之XeCl準分子雷射用 於雷射退火裝置進行退火處理。 根據藍達非吉司（Lambda Physik)已知材料，使用具有振篮 波長308耄微米之XeCl準分子雷射退火TFT需要的夫恩司 (fluence)為數百毫焦耳/平方厘米；平均輸出功率2〇〇瓦；重 覆頻率300赫；及脈衝寬度約2〇毫微秒（ns)。 如此可獲得足夠熔化非晶矽薄膜表面之光能◊矽表面係 藉退火至1420°C或更高溫度熔化❶ 雖然準分子雷射可於短波長範圍達成高輸出，但準分子 运射之缺點為裝置尺寸大’輸出脈衝之穩定性缺如。 結果退火裝置變大，而退火處理缺乏穩定性。因此需要 發展出一種具有較小的尺寸可產生較穩定輸出脈衝至雷射 裝置。 發明概要 本發明之目的係提供一種可縮小且可穩定輸出脈衝之雷 射裝置，如此可縮小及穩定退火裝置等。 為了達成前述目的，根據本發明之第一目的，提供一種 雷射裝置’包括：一雷射光源，其係用以發射具有預定波 長及預定脈衝寬度之參考雷射脈衝光；多根光纖，其具有 不同的傳播光之傳播延遲特性；分光裝置，其係用以將雷 射光源發射的參考雷射脈衝光劃分成為多片光俾傳播劃分 後各片參考雷射脈衝光通過多條光纖之一；以及光組合裝 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公綮）
裝 訂
k- 546877
其系用以將通過多根光纖傳播且由多根光纖發射至劃 分後的多片參考雷射脈衝光接續設置成彼此並聯，以及發 射雷射脈衝光，其具有脈衝寬度大於該參考雷射脈衝光之 脈衝寬度。 人於根據本發明之第一特徵方面之雷射裝置，該光組 合裝置包括·、皮長改變裝置，其係用以將由多條光纖發射 的劃分後多片參考雷射脈衝光波長改變成比預^波長更短 的波長’以及光學系統，其係用以將波長已經藉波長改 夂裝置而改邊後的多片雷射脈衝光彼此接續並聯設置，以 及發射雷射脈衝光其具有脈衝寬度係大於參考雷射脈衝光 之脈衝寬度。 此外於根據本發明之第一特徵方面之雷射裝置，該波 長改變裝置包括至少一個非線性光晶用以基於入射光產生 η-次冪1皆波（n為2或2以上之整數）。 較好’波長改變裝置包括··一第一非線性光晶，其係用 於接收由多條光纖發射出經劃分後之多片參考雷射脈衝 光，產生多個第二諧波，以及發射多片經劃分後之參考雷 射脈衝光及多數第二諧波；以及一第二非線性光晶，其係 用以基於由第一非線性光晶發射的多片經劃分後之參考雷 射脈衝光及多數第二諧波而產生第三諧波；以及該光學= 統接續設置由第二非線性光晶發射之多數第三諧波彼此並 聯，以及發射雷射脈衝光其具有脈衝寬度大於參考雷射脈 衝光之脈衝寬度。 此外，於根據本發明之第一特徵方面之雷射裝置，多根 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公犛） 546877 A7 __ ____B7 五、發明説明（4 ) 光纖各自設定於不同傳播長度，讓各片雷射脈衝光循序發 射而其傳播延遲時間係對應參考雷射脈衝光之脈衝寬度。 根據本發明之第二特徵方面，提供一種雷射裝置，包括： 一雷射光源，其係用以發射具有預定波長及預定脈衝寬度 (參考雷射脈衝光；多數光纖放大器，各放大器具有傳播 光足不同傳播延遲特性，其係用以使用對應供應該放大器 之激發光強度之增益而放大該傳播光；激發光供給裝置， 其係用以供給激發光給多數光纖放大器；光劃分裝置，其 係用以將雷射光源發射及參考雷射脈衝光劃分為多片光， 俾傳播劃分後多片參考雷射脈衝光各別通過多數光纖放大 器之一；以及光組合裝置，其係用以將傳播通過多數光纖 放大器且由多數光纖放大器發射之經劃分後之多片參考雷 射脈衝光接續彼此並聯設置，以及發射雷射脈衝光其具有 脈衝寬度大於參考雷射脈衝光之脈衝寬度。 又，於根據本發明第二特徵方面之雷射裝置，該光組合 裝置包括：波長改變裝置，其係用以將多數光纖放大器發 射至經劃分後之多片參考雷射脈衝光波長改變成比預定波 長更短的波長；以及一光學系統，其係用以將其波長藉波 長改變裝置改變後之多片參考雷射脈衝光接續彼此並聯設 置’以及發射雷射脈衝光其具有脈衝寬度係大於參考雷射 脈衝光之脈衝寬度。 此外，於根據本發明之第二特徵方面之雷射裝置，波長 改變裝置包括一非線性光晶，其係用以基於入射光產生η· 次冪諧波（η為2或2以上之整數）。 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ 297公楚） 546877
較好，該波長改變裝置包括：一第一非線性光晶，其係 用於接收由多數光纖放大器發射之經劃分後之多片參考雷 射脈衝光-產生多數第一諸波，以及發射經劃分後之多片 參考雷射脈衝光及多數第二諧波；以及一第二非線性光 晶，其係用以基於由第一非線性光晶發射的經劃分後之多 片參考雷射脈衝光及多數第二諧波而產生第三諧波；以及 光學系統，其係用以接續並聯設置由第二非線性光晶發射 之多數第三諧波，且發射雷射脈衝光其具有脈衝寬度大於 參考雷射脈衝光之脈衝寬度。 此外，於根據本發明之第二特徵方面之雷射裝置，多數 光纖放大器各自設定於不同傳播長度，因此各片雷射脈衝 光係以對應於參考雷射脈衝光脈衝寬度之傳播延遲時間循 序發射。 此外’於根據本發明之第二特徵方面之雷射裝置，供給 多數光纖放大器之激發光長對各該多數光纖放大器係設定 於預定值。 根據本發明，雷射光源發射具有預定長度之參考雷射脈 衝光，例如具有近紅外光波長914毫微米及脈衝寬度〇·5毫 微秒之光至光劃分裝置。 光劃分裝置將入射其中之參考雷射脈衝光劃分為多片光 俾傳播劃分後之多片參考雷射脈衝光，例如通過多數光纖 放大器。 各光纖放大器，例如藉激發光供給裝置被供給激發光。 傳播通過各光纖放大器之各片劃分後之參考雷射脈衝光係 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 546877 A7 _____B7 五、發明説明（6 ) 以對應於激發光之強度的感應增益放大，俾補償經由劃分 參考雷射脈衝光造成的光功率的減低，如此由光纖放大器 之另一端面發射經劃分後的多片參考雷射脈衝光至光組合 裝置。 多數光纖放大器具有對經劃分後各片參考雷射脈衝光或 傳播光彼此不同的傳播延遲特性。 例如，多數光纖放大器各自設定於某種長度，讓各片雷 射脈衝光係以對應於參考雷射脈衝光脈衝寬度之傳播延遲 時間循序發射。 如此，經劃分後之多片參考雷射脈衝光由多數光纖放大 器發射至光組合裝置，帶有時間關係表示〇·5毫微秒位移 (舉例）。 於光組合裝置，第一非線性光晶（舉例）基於非線性偏 光，改變入射其上之經劃分後之多片參考雷射脈衝光各自 之波長（該波長為914耄微米），藉此產生第二諧波其波長為 457毫微米。 由第一非線性光晶及經劃分後多片參考雷射脈衝光產生 的多數第二諧波進入第二非線性光晶。 第二非線性光晶對入射其中之經劃分後之多片參考雷射 脈衝光（波長914毫微米）以及多數第二諧波（波長457毫微米） 進行和頻率混合，藉此產生多數波長3〇5毫微米之第三諧 波’然後發射多數第三諧波至光學系統。 然後’该光學系統將多數第三諧波接續串聯設置，以及 發射雷射脈衝光其具有脈衝寬度係大於參考雷射脈衝光之 -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210 X 297公釐） 546877 A7
脈衝寬度。 _式之簡單說明 例圖！為組態圖顯示根據本發明之雷射裝置之—具體實施 範::為略圖顯示根據本發明做為雷射光源之主雷射組態 :3為略圖顯示根據本發明’具有不同傳播延遲特徵 光纖放大器發射之多片脈衝光間之時序關係： 圖4為略圖輔助說明雙重護套型光纖結構；，
，圖5為略圖輔助說明雙重護套型域之激發光以及劃分 後參考雷射脈衝光之傳播光徑； S 圖6為略圖顯示根據本發明之第三諧波產生單元及照明 光學系統之組態之具體實施例； 、 圖7為略圖輔助說明根據本發明由雷射裝置產生之第三 諧波之特性； 圖8為使用有機EL裝置之像素之相當電路之略圖； 圖9為使用有機EL裝置之像素主要部份之剖面圖； 圖1〇為當非晶矽以具有脈衝寬度於1〇〇毫焦耳/平方厘米 為〇·5毫微秒之脈衝光照射時之溫度側繪； 圖11為當非晶矽以具有脈衝寬度於1〇〇毫焦耳/平方厘米 為1 〇耄微秒之脈衝光照射時之溫度側緣； 圖12為略圖輔助說明圖1雷射裝置之使用實例； 圖13為略圖輔助說明圖1雷射裝置之使用另一實例； 圖14為略圖輔助說明用以產生任一退火脈衝波形做為訊 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 546877 A7 B7 五、發明説明（8 息封曲線之組態，該訊息封曲線係經由調整各脈衝串列振 幅及延遲時間獲得；以及 圖15為略圖顯示經由調整各脈衝串列之振幅及延遲時間 所得脈衝串列訊息封曲線範例。 較佳具體實施例之說明 圖1為組態圖顯示根據本發明之雷射裝置之一具體實施 例。 . 雷射裝置10有一主雷射11做為雷射光源，一光束擴張器 12，一微透鏡陣列13，N個光纖放大器14-1至14-N其各自 具有不同傳播光之傳播延遲特性，光纖耦合型激發雷射光 源15-1至15-N，激發光傳播光纖16-1至ι6-Ν，一第三諧波 產生單元17做為波長改變裝置，以及一照明光學系統丨8。 光束擴張器12及微透鏡陣列13形成光劃分裝置。第三諧 波產生單元17及照明光學系統18形成光組合裝置。激發雷 射光源15-1至15-Ν、激發光傳播光纖16-1至16-Ν、以及光 纖搞合器14Μ至141-Ν(容後詳述）構成激發光供給裝置。 主雷射11 ’例如係由振盪波長914毫微米之近紅外光微晶 片雷射形成。主雷射11發射具有波長914毫微米及脈衝寬度 〇·5毫微秒之參考雷射脈衝光RPref至光束擴張器12。 主雷射11之脈衝重覆頻率，例如為1百萬赫或以上，且 比XeCl準分子雷射之3〇〇赫脈衝重覆頻率充份更高。 圖2為略圖顯示主雷射丨丨之組態範例。 如圖2所示，主雷射11具有：激發光源111用以發射激發 光PMP ’具有輸出功率100毫瓦及波長808毫微米（舉例）； -12 - 本紙張尺度適用中國國冬標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 546877 A7 一_____B7 五、發明説明（9 ) 一雙色鏡112用以反射波長808毫微米之激發光PMP，以及 用以透射波長914毫微米之參考雷射脈衝光Rpref ;以及一 共振器單元113用以經由回應於雙色鏡112反射之激發光 PMP，調整至激發態，發射具有波長914毫微米及脈衝寬度 〇·5愛微秒之參考雷射脈衝光Rpref至雙色鏡I〗]。 共振器單元113，例如係由包括Nd: YV04之雷射桿1131 , 以及半導體超飽和吸收器鏡1丨32及輸出鏡1133形成，半導 體超飽和吸收器鏡1132及輸出鏡1133各自位於雷射桿1131 表面部份之一端。 光束擴張器12係由二個有重合焦聚之透鏡12ι及122形 成。光束擴張器12將主雷射11發射的呈細準直光束形式之 參考雷射脈衝光RPref轉成粗準直光束，然後粗準直光束進 入微透鏡陣列13。 微透鏡陣列13有N個微透鏡13-1至13-N排成一行設置於 參考雷射脈衝光RPref藉光束擴張器12轉成粗準直光束入 射區。微透鏡13-1至13-N將參考雷射脈衝光RPref分光（後 文稱做為「劃分」）成為N片光（影像），且將劃分後之各片 參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN分別聚焦於對應光纖放 大器14-1至14-N之一端面上，因而傳播經劃分後之各片參 考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN通過光纖放大器14_丨至 14-N。 特別，如圖1所示，微透鏡13-1將經劃分後之參考雷射脈 衝光DRPrefl聚焦於光纖放大器14-1之一端面。同理，微透 鏡13-2將經劃分後之參考雷射脈衝光DRPref2聚焦於光纖 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X 297公釐） 546877 A7 --- - B7 五、發明説明（1〇 ) 放大器14-2之一端面。微透鏡13-3將經劃分後之參考雷射 脈衝光DRPref3聚焦於光纖放大器14-3之一端面。微透鏡 13-N將經劃分後之參考雷射脈衝光DRprefN聚焦於光纖放 大器14-N之一端面。 光纖放大器14-1至14-N各自係由雙重護套型光纖其中添 加，例如，稀土元素钕（Nd)製成。 各自由多重模式光纖形成的激發光傳播光纖16-1至16-N 之一端部加熔絲，如此以光學方式耦合至光纖放大器14-1 至14-N之一端面側而形成光纖耦合器部份M1。 特別，光纖16-1之一端部加熔絲及耦合至光纖放大器14β1 义一端面側而形成光纖耦合器141-卜光纖放大器14-1藉波 長808亳微米之激發光（該激發光係透過光纖耦合器141_1傳 播）調整為激發態，該光纖放大器14_1以對應於激發光強度 足感應增益放大由其一端面進入光纖放大器丨‘丨之經劃分 後的參考雷射脈衝光DRPl:ef 1，俾補償經由劃分參考雷射脈 衝光DRPrefl造成的光功率降低，然後由光纖放大器14-1 之另一端面發射經過劃分之參考雷射脈衝光DRPreH至第 三諧波產生單元17。 同理’光纖16-2之一端部加熔絲及耦合至光纖放大器14-2 之一端面側而形成光纖耦合器141-2。光纖放大器14-2藉波 長808毫微米之激發光（該激發光係透過光纖耦合器丨41-2傳 播）調整為激發態，該光纖放大器14-2以對應於激發光強度 之感應增益放大由其一端面進入光纖放大器14-2之經劃分 後的參考雷射脈衝光DRPref2，俾補償經由劃分參考雷射脈 -14 - 本紙張尺度適用中國國家搮準(CNS) A4規格(2〗0 X‘297公釐）
裝 訂
546877 A7 B7 五、發明説明（11 ) 衝光RPref造成的光功率降低，進一步以最大值30至40分 貝增益放大經劃分後之參考雷射脈衝光DRPref2，然後由光 纖放大器14-2之另一端面發射經過劃分之參考雷射脈衝光 DRPref2至第三諧波產生單元17。 光纖16-3之一端部加溶絲及耦合至光纖放大器14-3之一 端面側而形成光纖耦合器141-3。光纖放大器14-3藉波長808 毫微米之激發光（該激發光係透過光纖耦合器141-3傳播）調 整為激發態，該光纖放大器14-3以對應於激發光強度之感 應增益放大由其一端面進入光纖放大器14-3之經劃分後的 參考雷射脈衝光DRPref3，俾補償經由劃分參考雷射脈衝光 RPref造成的光功率降低，進一步以最大值30至40分貝增 益放大經劃分後之參考雷射脈衝光DRPref3，然後由光纖放 大器14-3之另一端面發射經過劃分之參考雷射脈衝光 DRPref3至第三諧波產生單元17。 光纖16-N之一端部加熔絲及耦合至光纖放大器14-N之一 端面側而形成光纖耦合器141-N。光纖放大器14-N藉波長 808毫微米之激發光（該激發光係透過光纖耦合器141-N傳 播）調整為激發態，該光纖放大器14-N以對應於激發光強度 之感應增益放大由其一端面進入光纖放大器14-N之經劃分 後的參考雷射脈衝光DRPrefN，俾補償經由劃分參考雷射脈 衝光RPref造成的光功率降低，進一步以最大值30至40分 貝增益放大經劃分後之參考雷射脈衝光DRPrefN，然後由光 纖放大器14-N之另一端面發射經過劃分之參考雷射脈衝光 DRPrefN至第三諧波產生單元17。 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X 297公釐） 546877 A7 B7 五、發明説明（12 ) N個具有此種放大功能之光纖放大器14-1至14-N具有對 傳播光，亦即劃分後之參考雷射脈衝光彼此不同的傳播延 遲特性。 本具體實施例中，不同傳播延遲特性列舉如後。 本具體實施例中，傳播延遲係經由讓N條光纖長度彼此 不同而提供。 如此，延遲時間係由纖維長度決定，因此可達成極為準 確的延遲時間。 假設，纖維折射率為η=1·5及光纖長度差異為△ L，傳播 延遲時間Tdly以如下方程式表示： [方程式1] 傳播延遲時間Tdly = nAL/c = t=0.5 毫微秒 （1) 由方程式（1)，△ L = ct/n = 10厘米，此處c = 3 X 108米/秒 為光速。 特別，當假設光纖放大器14-1長度L1，光纖放大器14-2 長度L2設定為（L 1 + 10厘米）；光纖放大器14-3長度L3設定 為（L2+10厘米=L1 + 20厘米）；以及光纖放大器14-N長度 LN 設定為（LN-1 + 10 厘米=L1 + (N-1)X 10 厘米）。 製造時相當容易達成此種纖維長度差異10厘米。 劃分後之各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN(具有脈 衝寬度〇·5毫微秒）由光纖放大器14-1至Η-N發射，該光纖 放大器具有前述傳播延遲，以位移〇·5毫微秒表示之時序關 係顯示於圖3。 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格<21〇x 297公釐）
裝 訂
k 546877 A7 _______ B7 五、發明説明（13 ) 雙重護套型光纖20，例如具有圖4所示結構。 特別’如圖4所不’雙重護套型光纖2〇係由具有折射率 η 1之芯21 ’具有折射率n2形成為覆蓋芯2丨之第一護套22， 以及形成為覆蓋第一護套22之第二護套23所組成。 芯21心折射率n卜第一護套22之折射率n2及第二護套 23之折射率n3滿足如下關係·· [方程式2] nl > n2> n3 如圖5所示，於具有此種結構之雙重護套型光纖放大器 14-1至14-Ν ’具有光纖轉合器丨41_1至wi-n入射之激發光 PMP傳播通過第一護套22，而經劃分之各片參考雷射脈衝 光DRPrefl至DRPrefN傳播通過芯21。 光纖搞合型激發光光源15_丨將波長8〇8毫微米之激發光 以預定輸出功率，如8瓦聚焦於光纖16-1之另一端面俾傳 播激發光。 同理’光纖耦合型激發光光源15-2將波長808毫微米之激 發光以預定輸出功率，如8瓦聚焦於光纖16-2之另一端面 俾傳播激發光。 光纖耦合型激發光光源15-3將波長808毫微米之激發光以 預定輸出功率，如8瓦聚焦於光纖16-3之另一端面俾傳播 激發光。 光纖耦合型激發光光源15-N將波長808毫微米之激發光 以預定輸出功率，如8瓦聚焦於光纖16-Ν之另一端面俾傳 播激發光。 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（21〇 X 297公釐） 546877 A7 _________ B7 五、發明説明（14 ) 第三諧波產生單元17接收由N個光纖放大器14-1至14-N 之另一端面發射的波長914毫微米之經劃分後的多片參考 雷射脈衝光DRPirefl至DRPrefN，產生波長305毫微米及脈 衝寬度0.5毫微秒之第三諧波TRD1至TRDN，然後發射第三 諧波TRD1至TRDN至照明光學系統。 照明光學系統18發射獲得的脈衝光，係經由將藉第三諧 波產生單元17進行波長轉換獲得第三諧波TRD1至TRDN之 N片雷射脈衝光彼此接續並聯設置，以及然後將該N片雷 射脈衝光接受所謂之時間多工，所得脈衝光具有脈衝寬度 (例如10毫微秒）為參考雷射脈衝光RPref之脈衝寬度〇.5毫 微秒之N倍或N倍以上。 如下將參照圖6說明第三諧波產生單元17及照明光學系 統18之組態之具體實施例。 圖6為略圖顯示根據本發明之第三諧波產生單元及照明 光學系統之組態之具體實施例。 首先說明第三諧波產生單元17之組態。 如圖6所示，第三諧波產生單元17有第一微透鏡津列 171，第一非線性光晶172，第二微透鏡陣列173，半波長板 174，第三微透鏡陣列175，第二非線性光晶176以及第四微 透鏡陣列17 7。 第一微透鏡陣列171有N個微透鏡171_1至171-N排列成 一行，因而對應於光纖放大器14-1至14-N用以發射劃分後 各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN之端面（另一端 面）。微透鏡171-1至171-N會聚經劃分後各片參考雷射脈衝 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（2U)x 297公釐） 546877 A7 B7 五、發明説明（15 ) 光DRPrefl至DRPrefN，以及將結果所得各片參考雷射脈衝 光DRPref 1至DRPrefN入射第一非線性光晶172。 未顯示於附圖，光纖放大器14-1至14-N用以發射經劃分 後各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN之端面（另一端 面）側邊係固定於，例如由N個V字形切槽的V字形切槽 陣列。 第一非線性光晶172，例如係由LB0(LiB305)製成。第一 非線性光晶172基於非線性偏光而轉變透過第一微透鏡陣 列171入射的經劃分後各片參考雷射脈衝光DRPrefl至 DRPrefN之波長（或光學頻率，該波長為914毫微米），因而 產生波長457毫微米之第二諧波，以及發射產生的第二諧 波SND1至SNDN以及經劃分後的各片參考雷射脈衝光 DRPrefl至DRPrefN至第二微透鏡陣列173。 第二微透鏡陣列173有N個微透鏡173-1至173-N排成一 行，因而對應於第一非線性光晶172用以發射經劃分後之 各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN及第二諧波SND1 至SNDN之端面（另一端面）部份。微透鏡173-1至173-N將 經劃分後各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN以及第 二諧波SND1至SNDN轉成準直光束，然後將準直光束入 射於半波長板174。 透過第二微透鏡陣列173而入射之經劃分後各片參考雷 射脈衝光DRPrefl至DRPrefN以及第二諧波SND1至SNDN 中，半波長板174保留經劃分後各片參考雷射脈衝光 DRPrefl至DRPrefN之偏光平面，旋轉第二諧波SND1至 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 546877 A7 B7 五、發明説明（16 ) SNDN之偏光平面90度，然後將經劃分後的各片參考雷射 脈衝光DRPrefl至DRPrefN以及第二諧波SND1至SNDN 入射第三微透鏡陣列175。 第三微透鏡陣列175有N個微透鏡175-1至175-N排列成 一行，因而對應於半波長板174之用以發射經劃分後之各 片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN以及第二諧波SND1 至SNDN(其偏光平面被旋轉90度）之端面（另一端面）部份。 微透鏡175-1至175-N會聚經劃分後的各片參考雷射脈衝光 DRPrefl至DRPrefN以及第二諧波SND1至SNDN，且將經劃 分後之各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN及第二諧波 SND1至SNDN入射第二非線性光晶176。 第二非線性光晶176，例如係由LB0(LiB305)製成。第二 非線性光晶176進行透過第三微透鏡陣列175入射之具有波 長914毫微米之經劃分後各片參考雷射脈衝光DRPrefl至 DRPrefN與波長457毫微米之第二諧波SND1至SNDN之和 頻率混合，藉此產生波長305毫微米之第三諧波，以及發 射產生的第三諧波TRD1至TRDN(以及經劃分後之各片參考 雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN)至第四微透鏡陣列177。 第四微透鏡陣列177有N個微透鏡177-1至177-N排列成 一行，因而對應於第二非線性光晶176用以發射第三諧波 TRD1至TRDN(以及經劃分後之各片參考雷射脈衝光 DRPrefl至DRPrefN)之該端面（另一端面）部份。微透鏡177-1 至177-N將第三諧波TRD1至TRDN轉變成為準直光束，然 後於次一階段發射準直光束至照明光學系統18。 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X 297公釐） 546877 A7 ____ B7 五、發明説明（17 ) 實際上，希望用以濾波去除波長9 14毫微米分量之光學濾 鏡係設置於第四微透鏡陣列177之入射側或發射側。 例如圖7所示，第三諧波產生單元17具有前述組態，第 —非線性光晶172產生之波長457毫微米之第二諧波功率 约為2瓦，波長457毫微米之第二諧波轉成波長305毫微 米之第三諧波之轉化效率約為60%。 三分之一諧波之平均功率為1.2瓦；重覆頻率為1百萬 赫；脈衝寬度為0·5毫微秒；光束大小為5 X 10·4平方厘米； 以及尖峰功率密度為4.8 X 106瓦/平方厘米。 其次說明照明光學系統18之組態。 如圖6所示，照明光學系統18具有中繼透鏡181及182 以及柱狀透鏡183及184。 中繼透鏡181會聚第三諧波產生單元17之第四微透鏡陣 列177產生的Ν個第三諧波TRD1至TRDN，因而第三諧波 TRD1至TRDN之影像彼此重疊。 中繼透鏡182將中繼透鏡181會聚的第三諧波影像轉成 準直光束，以及發射準直光束給柱狀透鏡183。 柱狀透鏡183發射中繼透鏡182所得準直光束[其第三諧 波影像以空間（時間）方面彼此重合]給拄狀透鏡184但角度 較寬，故該準直光束可照明的面積加寬。 然後柱狀透鏡184照明預定照明區域，Ν個第三諧波空 間（時間）方面彼此重合，且以直線形式由柱狀透鏡183加 寬。 其次將說明前述組態之操作。 -21 - -----— 本紙張尺度通用中國國家標準(cNS) Λ4規格（210 X 297公货） 546877 A7 B7 五、發明説明（18 ) 主透鏡11發射波長914毫微米及脈衝寬度0.5毫微秒之 參考雷射脈衝光RPref給光束擴張器12。 光束擴張器12將主雷射11發射的呈細準直光束顯示之參 考雷射脈衝光RPref轉成粗準直光束，然後發射粗準直光束 至微透鏡陣列13。 於微透鏡陣列13，設置於參考雷射脈衝光RPref藉光束擴 張器12轉成粗準直光束之入射區的N個微透鏡13-1至13-N， 將參考雷射脈衝光RPref劃分成為N片光（影像）。 劃分後的各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN分別 聚焦於對應光纖放大器14-1至14-N之一端面上，藉此傳播 通過光纖放大器14-1至14-N。 來自激發雷射光源15-1至15-N之波長808毫微米之激發 光透過光纖16-1至16-N以及光纖耦合器141-1至141-N而傳 播通過光纖放大器14-1至14-N。因而光纖放大器14-1至14-N 被調整至激發態。 如此，傳播通過光纖放大器14-1至14-N之經劃分後的各 片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN各自以對應激發光強 度之感應增益放大俾補償由劃分參考雷射脈衝光RPref照 成光學功率的減低，因而劃分後之各片參考雷射脈衝光 DRPrefl至DRPrefN由光纖放大器14-1至14-N之另一端面發 射至第三諧波產生單元17。 N個具有此種放大功能之光纖放大器14-1至14-N具有對 劃分後之各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN，換言 之，傳播光不同的傳播延遲特色。 -22 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐）
裝 訂
546877 A7 B7 五、發明説明（19 ) 特別，光纖放大器14-1至14-N設定為以該順序有光纖放 大器14-1長度L1遞增長度1〇厘米，因而具有傳播延遲時間 0.5毫微秒，該傳播延遲時間為劃分後各片參考雷射脈衝光 DRPrefl至DRPrefN之脈衝寬度。如此，由光纖放大器14-1 至14-N發射之經劃分後各片參考雷射脈衝光DRPrefl至 DRPrefN發射至第三諧波產生單元17，時序關係表示0.5 毫微秒位移。 由N個光纖放大器14-1至14-N之另一端面發射出具有波 長914毫微米之經劃分後的各片參考雷射脈衝光DRPrefl 至DRPrefN，入射第三諧波產生單元17之第一透鏡陣列 171 〇 於第一透鏡陣列171，N個微透鏡Π1-1至171-N設置成對 應於光纖放大器14-1至14-N發射劃分後之各片參考雷射脈 衝光DRPrefl至DRPrefN之該端面，微透鏡聚焦經劃分後之 各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN，以及發射結果所 得各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN至第一非線性光 晶172之各別預定位置。 第一非線性光晶172基於非線性偏光，轉化入射其上之各 劃分後之各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN之波長 (914愛微米），因而產生波長457毫微米之第二諧波。 第一非線性光晶172產生之第二諧波SND1至SNDN以 及劃分後之各片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN發射至 第二微透鏡陣列173。 N個微透鏡Π3-1至173-N設置於第二微透鏡陣列173,因 -23 - 各樣準(CNS) A4規格（2i()x297公楚）
裝 訂
線 546877 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 而對應於用以發射經劃分後之多片參考雷射脈衝光 DRPrefl至DRPrefN及第二諧波SND1至SNDN之第一非線 性光晶172該端面部份，微透鏡將經劃分後的多片參考雷 射脈衝光DRPrefl至DRPrefN及第二諧波SND1至SNDN轉 成準直光束，然後發射準直光束至半波長板174。 透過第二微透鏡陣列173而入射半波長板174之經劃分後 的多片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN以及第二諧波 SND1至SNDN中，半波長板174保有經劃分後多片參考雷 射脈衝光DRPrefl至DRPrefN之偏光平面，以及然後發射經 劃分後之參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN給第三微透鏡 陣列175。 他方面，半波長板174旋轉第二諧波SND1至SNDN之偏 振平面90度，然後發射第二諧波SND1至SNDN給第三微透 鏡陣列175。 N個微透鏡175-1至175-N設置於第三微透鏡陣列175，因 而對應於半波長板174用以發射經劃分後之多片參考雷射 脈衝光DRPrefl至DRPrefN以及其偏光平面被旋轉90度至第 二諧波SND1至SNDN的該端面部份，微透鏡會聚經劃分後 之多片參考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN及第二諧波 SND1至SNDN，將劃分後之多片參考雷射脈衝光DRPrefl 至DRPrefN及第二諧波SND1至SNDN入射第二非線性光晶 176之各別預定位置。 第二非線性光晶Π6進行入射其中之經劃分後的多片參 考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN(波長914毫微米）與第二 -24 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公發）
裝 訂
546877 A7 B7 五、發明説明（21 ) 諧波SND1至SNDN(波長457毫微米）之和頻率混合，藉此產 生波長305毫微米之第三諧波TRD1至TRDN。 然後產生的第三諧波TRD1至TRDN由第二非線性光晶 176發射至第四微透鏡陣列177。 N個微透鏡177-1至177-N設置於第四微透鏡陣列177,因 而對應於第二非線性光晶176用以發射第三諧波TRD1至 TRDN之該端面部份，微透鏡將第三諧波TRD1至TRDN轉 成準直光束，然後於次一階段發射準直光束至照明光學系 統18 〇 照明光學系統18之中繼透鏡181會聚第三諧波產生單元 17產生的N個第三諧波TRD1至TRDN，讓第三諧波TRD1 至TRDN影像彼此重疊^進一步，中繼透鏡丨82將中繼透 鏡181會聚之第三諧波影像轉成準直光束。 其次柱狀透鏡183發射第三諧波之空間（時間）彼此重合的 影像之準直光束（由中繼透鏡182獲得）至柱狀透鏡184但角 度較寬，故該準直光束照射面積加寬。 然後柱狀透鏡184照射預定照射區，N個第三諧波於空間 (時間）上彼此重合且呈直線形式由柱狀透鏡183所加宽。 如前述，本發明之雷射裝置包括··主雷射U用以發射波 長914毫微米及脈衝寬度〇·5毫微秒之參考雷射脈衝光 RPref ;微透鏡陣列13用以將藉光束擴張器12轉成粗準直 光束之參考雷射脈衝光RPref劃分成為n片光；光纖放大器 14-1至14-N，用以放大傳播通過其中之劃分後之多片參考 雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN，光纖放大器14-1至14-N設 -25 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2]0X 297公釐）
裝 訂
威 546877 A7 _____B7 五、發明説明（22 ) 定為以該順序遞增其長度，因而具有傳播延遲時間〇 5毫微 秒，該傳播延遲時間為分割後多片參考雷射脈衝光DRPrefl 至DRPrefN之脈衝寬度；第三諧波產生單元17用以接收由 光纖放大器14-1至14-N之另一端面發射的波長914毫微米 具有劃为後多片參考雷射脈衝光DRprefi至DRPrefl，以及 產生波長305¾微米及脈衝寬度〇·5毫微秒之第三讀波trd 1 至TRDN ;以及照明光學系統18用以將藉第三諧波產生單 元17進行波長轉換所得第三諧波TRD1至TRDN之N片雷 射脈衝光接續彼此並聯設置所得的脈衝光發射；以及然後 將N片雷射脈衝光接受所謂的時間多工，所得脈衝光具有 脈衝寬度為參考雷射脈衝光RPref脈衝寬度0.5亳微秒之n 倍或N倍以上。因此，雷射裝置具有尺寸可微縮，可穩定 輸出脈衝等優點，因而可縮小及穩定化雷射退火裝置等。 如此，雷射裝置10適合用於雷射退火裝置，尺寸可微縮 且穩定。其理由容後詳述。 雷射退火裝置用於主動矩陣顯示器使用的TFTs之製造階 段，例如採用液晶做為光電材料之LCD、或採用有機EL元 件，例如做為光電材料之顯示器。 特別，當多晶矽具有載子活動性高於非晶矽（a-Si)薄膜之 載子活動性達約二次冪幅度，而該多晶矽欲形成於玻璃基 板時，雷射退火裝置用於製造階段，此處非晶矽薄膜藉雷 射光退火而被再結晶成為多晶矽薄膜，俾防止玻璃基板之 熱變形等。 例如使用有機EL元件做為發光裝置之像素將於後文參 -26 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公#)
装 訂
k- 546877 A7 B7 五、發明説明（23 ) 照圖8及圖9簡單說明。 圖8為使用有機EL元件之像素之相當電路略圖。 如圖8所示，像素30具有由有機EL元件形成之發光裝 置31，第一 TFT 32，第二TFT33，以及保留電容器34。 由於多種案例下有機EL元件具有整流性質，故有機EL 元件可被稱做為有機發光二極體（OLED)。圖8使用二極體 符號表示發光裝置31。 圖8實例中，第二TFT 33源極連接至參考電位（地電位 GND)。發光裝置31陽極連接至電源供應器電位Vdd，發 光裝置31之陰極連接至第二TFT 33之汲極。第一 TFT 32 之閘極係連接至掃描線SCAN，源極連接至資料線DATA， 汲極連接至保留電容器34及第二TFT 33之閘極。 當掃描線SCAN被調整至選定狀態，指示亮度資訊的資 料電位Vw施加於資料線DATA而操作像素時，第一 TFT 32 導通，保留電容器34被充電或被放電，如此第二TFT 33 之閘極電位重合資料電位Vw。 當掃描線SCAN調整至非選定狀態時，第一 TFT 32被關 閉，第二TFT 33由資料線DATA切斷電連接，而第二TFT 33之閘極電位由保留電容器34所穩定保留。 經由第二TFT 33流至發光裝置31之電流獲得對應於第 二TFT 33之閘極至源極電壓Vgs之值，發光裝置31繼續 以對應於透過第二TFT 33供應電壓量之亮度發光。 圖9為略圖示意顯示圖8所示像素之剖面結構。但為求 簡化，圖9僅顯示發光裝置31及第二TFT 33。 -27 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X 297公货） 546877 A7 B7 五、發明説明（24 如圖9所示，發光裝置3丨係經由以透明電極3 1丨、有機 EL層312及金屬電極313之順序堆疊形成。 第一 TFT 33係經由閘極332形成於玻璃基板331上，藉 二氧化矽等形成於閘極絕緣膜333覆蓋於閘極332上表面 上’以及半導體薄膜334覆蓋於閘極332上，閘極絕緣膜 333係介於半導體薄膜334與閘極332間形成。第二TFT 33 有源極S、通道Ch及汲極D其形成供給發光裝置31之電 流通道。通道Ch位在閘極332正上方。 具有此種底閘極結構之第二TFT 33係由層間絕緣膜335 覆蓋。源極336及汲極337形成於層間絕緣膜335上。發 光裝置31形成於此等組件上方，另一層間絕緣膜3%介於 發光裝置31與該等組件間。 製造第二TFT 33之方法大致如後。 閘極332、閘極絕緣膜333、及非晶矽製成的半導體薄膜 334循序於玻璃基板331上沉積及圖樣化因而形成第二tft 33 〇 本例中，包括根據本發明之雷射裝置之雷射退火裝置用 以藉雷射光退火非晶矽薄膜俾將非晶矽薄膜再結晶成為多 晶碎薄膜。 如此，可製造比較非晶矽，具有較高載子活動性以及較 高電流驅動能力之TFT 33。 本發明之雷射裝置10可用於雷射退火裝置替代XeC1準 分子雷射之理由說明如後。 如前述，波長914毫微米之近紅外光主雷射u之脈衝重 -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
裝 訂
k 546877 A7 B7 五、發明説明（25 ) 覆頻率為1百萬赫或以上，比XeCl準分子雷射之脈衝重覆 頻率300赫充份較高。但，主雷射11之脈衝寬度通常係小 於XeCl準分子雷射之脈衝寬度。 如此，藉由前述波長轉換所得波長305毫微米之紫外光之 脈衝寬度也小於XeCl準分子雷射之脈衝寬度。因此相當容 易達成高光學密度。但當非晶矽以紫外光照射，該紫外光 具有波長305毫微米且係經由波長轉換獲得時，其瞬間達 到絕對溫度3400度K，如圖10所示。 此種溫度係在適合熔化非晶矽溫度範圍1000至3500°C的 上限，因此可氣化非晶矽。 根據本發明之雷射裝置10，同等可增加近紅外光主雷射 之脈衝寬度，本發明之雷射裝置10經由使用多個光纖放大 器14-1至14-N用以放大傳播通過其中之經劃分後的多片參 考雷射脈衝光DRPrefl至DRPrefN，光纖放大器14-1至14-N 設定為以該順序遞增其長度因而具有傳播延遲時間0.5毫 微秒，該時間為經劃分後之多片參考雷射脈衝光DRPrefl 至DRPrefN之脈衝寬度。因此，雷射裝置1〇增加使用二個 非線性光晶產生之波長305毫微米之第三諧波之脈衝寬 度，且獲得足夠熔化矽表面的光能。 特別，當非晶矽係藉波長轉換而得自照明光學系統18之 波長305毫微米紫外光照射時照射，非晶矽達到約1600度 K絕對溫度，如圖11所示。如此，本發明之雷射裝置1〇可 產生最適合再結晶非晶矽之雷射光。 換言之，使用波長308毫微米之XeCl準分子雷射退火 -29 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
裝 訂
546877 A7 B7 五、發明説明（26 ) TFT需要的通量為數百毫焦耳/平方厘米，脈衝寬度約為20 毫微秒。 他方面，當呈微晶片雷射出售之近紅外光雷射用做為主 雷射時，所需通量方便經由使用光纖放大器放大及產生第 三諧波獲得。由於微晶片雷射之脈衝寬度為0.5毫微秒， 微晶片雷射之尖峰光學密度為XeCl準分子雷射於相同通 量下之尖峰光學密度之20倍。如此，矽表面被瞬間熔化， 但無法保持溫度，故無法實現足以退火矽的溫度之時間反 應。 如此，根據本發明之雷射裝置10經由進行增加脈衝寬度 之操作同時維持總通量而獲得足夠熔化矽表面的光能。 圖10為當非晶矽以於100毫焦耳/平方厘米具有脈衝寬度 0.5毫微秒之脈衝光照射時之溫度側緣。 圖11為當非晶矽以於100亳焦耳/平方厘米具有脈衝寬度 10毫微秒之脈衝光照射時之溫度側緣。 假設使用20個具有不同傳播延遲特性之光纖放大器14-1 至14-N之雷射裝置10A(舉例），脈衝可於丨〇/〇.5= 20(20時 間多工程度）拉伸，可獲得圖12所示75微米X 75微米照射 雷射光。 此種情況下，受照射面積為S，藉下式獲得通量F : [方程式3] F= 0·4焦耳/平方厘米==1.2瓦/1百萬赫/s平方厘米 [方程式4] S=3Xl〇·6平方厘米= 3xi〇2平方微米 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
裝 訂
k 546877 A7 B7 五、發明説明（27 ) 此外，如圖13所示，經由採用彼此並聯的雷射裝置 10A(空間多工程度為5)獲得照射雷射光77·5微米X 387微 米，該裝置例如各自使用20個具有不同傳播延遲特性之光 纖放大器14-1至14-Ν。 此種情況下，100S = 300 X 1〇·6平方厘米，重覆頻率為j 百萬赫。 於XeCl準分子雷射案例’ S==0.8平方厘米及重覆頻率為 300 赫。 須注意雖然前文說明假設光纖放大器14-1至14-N之感應 增益實質上彼此相等，但當經由配置雷射裝置讓感應增益 可對各別光纖放大器14-1至14-N設定，或特別配置雷射裝 置讓各個激發雷射光源15-1至15-N之輸出功率可各別調 整’提供光學放大因素（增益）根據傳播延遲時間而各異 時，可實現所需脈衝波形。 特別，經由調整各脈衝串列之振幅及延遲時間，以及經 由使用圖14等所示的透鏡40將所得輸出彼此疊置，可產 生圖15所示任一退火脈衝波形成為訊息李。 雖然已經使用特定術語說明較佳具體實施例，但此種說 明僅供舉例說明之用，須瞭解可未悖離如下申請專利範圍 之精髓及範圍做出變化及變更。 -31 -

Claims (1)

  1. 1· 一種雷射裝置，包括： 、一雷射光源，其係用以發射具有已決定之波長及已決 足之脈衝寬度之參考雷射脈衝光； 多根光纖，其具有不同的傳播光之傳播延遲特性； 分光裝置，其係用以將雷射光源發射的參考雷射脈衝 光劃分成為多片光俾傳播劃分後之每一片參考雷射脈 衝光通過多條光纖之一；以及 田 光組合裝置，其係用以將通過多根光纖傳播且自多根 光纖發射之劃分後的多片參考雷射脈衝光接續設置成 彼此並聯，以及發射雷射脈衝光，其具有脈衝寬度大於 該參考雷射脈衝光之脈衝寬度。 2·如申請專利範圍第i項之雷射裝置，其中該光組合裝置 包括： 波長改變裝置，其係用以將由多條光纖發射的劃分後 多片參考雷射脈衝光波長改變成比已決定之波長更短 的波長；以及 一光學系統，其係用以將波長已經藉波長改變裝置而 改變後的多片雷射脈衝光彼此接續並聯設置，以及發射 雷射脈衝光其具有脈衝寬度係大於參考雷射脈衝光之 脈衝寬度。 3.如申請專利範圍第2項之雷射裝置，其中該波長改變裝 置包括至少一個非線性光晶用以基於入射光產生卜次 幕譜波（η為2或2以上之整數）。 4·如申請專利範圍第2項之雷射裝置，其中該波長改變裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 546877 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 置包括： -第一非線性光晶，其係用於接收由多條光纖發射出 經劃分後《多片參考雷射脈衝光，產生多個第二諧波， 以及發射多片經劃分後之參考雷射脈衝光及多數第二 諧波；以及 一第二非線性光晶’其係用以基於由第一非線性光晶
    裝 發射的多片經劃分後之參考雷射脈衝光及多數第二諧 波而產生第三諧波；以及 該光學系統接續設置由第二非線性光晶發射之多數 第三諧波彼此並聯，以及發射雷射脈衝光其具有脈衝寬 度大於參考雷射脈衝光之脈衝寬度。 如申請專利範圍第1項之雷射裝置，其中該多根光纖各 自設足於$同傳播長度，讓各片雷射脈衝光循序發射而 其傳播延遲時間係對應參考雷射脈衝光之脈衝寬度。 如申請專利範圍第2項之雷射裝置，其中該多根光纖各 自設定於不同傳播長度，讓各片雷射脈衝光循序發射而 其傳播延遲時間係對應參考雷射脈衝光之脈衝寬度。 一種雷射裝置，包括： 一雷射光源，其係用以發射具有已決定之波長及已決 定之脈衝寬度之參考雷射脈衝光； 多數光纖放大器，各放大器具有傳播光之不同傳播延 遲特性，其係用以使用對應供應該放大器之激發光強度 之增益而放大該傳播光； 激發光供給裝置，其係用以供給激發光給多數光纖放 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公釐) 546877 A B c D 穴、申請專利敕圍 大器； 光劃分裝置，其係用以將雷射光源發射及參考雷射脈 衝光劃分為多片光，俾傳播劃分後多片參考雷射^衝光 各別通過多數光纖放大器之一；以及 光組合裝置，其係用以將傳播通過多數光纖放大器且 由多數光纖放大裔發射之經劃分後之多片參考雷射脈 衝光接續彼此並聯設置，以及發射雷射脈衝光其I有脈 衝寬度大於參考雷射脈衝光之脈衝寬度。 8·如申請專利範圍第7項之雷射裝置，其中該光組合裝置 包括： 一 口 波長改變裝置，其係用以將多數光纖放大器發射至經 劃分後之多片參考雷射脈衝光波長改變成比已決定之 波長更短的波長；以及 一光學系統，其係用以將其波長藉波長改變裝置改變 後之多片參考雷射脈衝光接續彼此並聯設置，以及發射 雷射脈衝光其具有脈衝寬度係大於參考雷射脈衝光之 脈衝宽度。 9·如申印專利範圍弟8項之雷射裝置，其中該波長改變裝 置包括一非線性光晶，其係用以基於入射光產生n_次冪 諧波（η為2或2以上之整數）。 10·如申請專利範圍第8項之雷射裝置，其中該波長改變裝 置包括： 一第一非線性光晶，其係用於接收由多數光纖放大器 發射之經劃分後之多片參考雷射脈衝光，產生多數第二 諧波’以及發射經劃分後之多片參考雷射脈衝光及多數 -3 - 546877 A8 B8 C8
    第二諧波；以及 -第二非線性光晶，其係用以基於由第一非線性光晶 發射的經劃分後之多片參考雷射脈衝光及 波而產生第三諧波；以* 弟 光學系統，其係用以接續並聯設置由第二非線性光晶 發射 < 多數第三諧波，且發射雷射脈衝光其具有脈衝寬 度大於參考雷射脈衝光之脈衝寬度。 11. 如申請專利範圍第7項之雷射裝置，其中該多數光纖放 大器各自设定於不同傳播長度，因此各片雷射脈衝光係 以對應於參考雷射脈衝光脈衝寬度之傳播延遲時間循 序發射。 12. 如申請專利範圍第8項之雷射裝置，其中該多數光纖放 大器各自設定於不同傳播長度，因此各片雷射脈衝光係 以對應於參考雷射脈衝光脈衝寬度之傳播延遲時間循 序發射。 13·如申請專利範圍第7項之雷射裝置，其中該供給多數光 纖放大器之激發光長對各該多數光纖放大器係設定於 已決定之值。 14.如申請專利範圍第8項之雷射裝置，其中該供給多數光 纖放大器之激發光長對各該多數光纖放大器係設定於 已決定之值。 -4- _____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
TW091104817A 2001-03-16 2002-03-14 Laser apparatus TW546877B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001077041A JP2002280324A (ja) 2001-03-16 2001-03-16 レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW546877B true TW546877B (en) 2003-08-11

Family

ID=18933854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091104817A TW546877B (en) 2001-03-16 2002-03-14 Laser apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6628681B2 (zh)
EP (1) EP1241745A3 (zh)
JP (1) JP2002280324A (zh)
KR (1) KR100860114B1 (zh)
TW (1) TW546877B (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7039076B2 (en) * 2001-08-10 2006-05-02 Jds Uniphase Corporation Fiber amplifier system for producing visible light
US20040087116A1 (en) * 2002-10-30 2004-05-06 Junichiro Nakayama Semiconductor devices and methods of manufacture thereof
US7486861B2 (en) 2003-01-15 2009-02-03 Negevtech Ltd. Fiber optical illumination system
US7525659B2 (en) * 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
US6892013B2 (en) * 2003-01-15 2005-05-10 Negevtech Ltd. Fiber optical illumination system
CA2522800C (en) * 2003-04-29 2012-10-02 Spi Lasers Uk Limited Laser apparatus for material processing
US7330301B2 (en) 2003-05-14 2008-02-12 Imra America, Inc. Inexpensive variable rep-rate source for high-energy, ultrafast lasers
US7116687B2 (en) * 2003-09-12 2006-10-03 Jds Uniphase Corporation High repetition rate passively Q-switched laser for blue laser based on interactions in fiber
US7120175B2 (en) 2004-01-20 2006-10-10 Northrop Grumman Corporation Scalable harmonic laser source and method
JP4496364B2 (ja) * 2004-08-30 2010-07-07 国立大学法人 千葉大学 半導体素子
US7432517B2 (en) * 2004-11-19 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US7813541B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers
US7804993B2 (en) 2005-02-28 2010-09-28 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images
JP5520431B2 (ja) * 2005-09-02 2014-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4698460B2 (ja) * 2006-03-27 2011-06-08 オムロンレーザーフロント株式会社 レーザアニーリング装置
US8031931B2 (en) 2006-04-24 2011-10-04 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Printed fourier filtering in optical inspection tools
US7714998B2 (en) 2006-11-28 2010-05-11 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Image splitting in optical inspection systems
US7719674B2 (en) * 2006-11-28 2010-05-18 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Image splitting in optical inspection systems
JP4932551B2 (ja) * 2007-03-16 2012-05-16 株式会社フジクラ 光パルス発生装置及び光ファイバレーザ装置
JP2010010607A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、プロジェクタ、モニタ装置
KR20110056127A (ko) 2009-11-20 2011-05-26 삼성전자주식회사 트랜지스터용 반도체 제조 방법 및 트랜지스터의 제조 방법
DE102010011615B4 (de) * 2010-03-16 2012-08-30 Bundesrepublik Deutschland, vertr. durch d. Bundesministerium f. Wirtschaft und Technologie, dieses vertreten durch d. Präsidenten d. Physikalisch-Technischen Bundesanstalt Kalibrieren eines optischen Sensors und Verfahren zum Herstellen einer Pulsformvorrichtung
JP5556431B2 (ja) * 2010-06-24 2014-07-23 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
EP2506291A1 (en) * 2011-03-28 2012-10-03 Excico France Method and apparatus for forming a straight line projection on a semiconductor substrate
DE102011119319A1 (de) 2011-11-24 2013-05-29 Slm Solutions Gmbh Optische Bestrahlungsvorrichtung für eine Anlage zur Herstellung von dreidimensionalen Werkstücken durch Bestrahlen von Pulverschichten eines Rohstoffpulvers mit Laserstrahlung
KR20140129162A (ko) * 2012-02-13 2014-11-06 리얼디 인크. 레이저 구조물
KR101989560B1 (ko) * 2012-12-31 2019-06-14 엔라이트 인크. Ltps 크리스탈화를 위한 짧은 펄스 섬유 레이저
KR20170017883A (ko) * 2014-06-09 2017-02-15 기가포톤 가부시키가이샤 레이저 시스템
JP2017528922A (ja) * 2014-07-03 2017-09-28 アイピージー フォトニクス コーポレーション ファイバーレーザーによってアモルファスシリコン基板を均一に結晶化させるための方法及びシステム
JP2017221969A (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 株式会社ブイ・テクノロジー レーザリフトオフ装置
KR20180013450A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 한국기계연구원 레이저 가공 장치
JP7222974B2 (ja) * 2017-07-31 2023-02-15 アイピージー フォトニクス コーポレーション 薄膜を処理するレーザ装置および方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4296319A (en) * 1979-12-07 1981-10-20 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Waveform synthesizer
KR100326037B1 (ko) * 1995-02-21 2002-06-28 윤종용 편광조정을통한저잡음광섬유증폭기.
US5694408A (en) * 1995-06-07 1997-12-02 Mcdonnell Douglas Corporation Fiber optic laser system and associated lasing method
WO1999046835A1 (fr) * 1998-03-11 1999-09-16 Nikon Corporation Dispositif a laser ultraviolet et appareil d'exposition comportant un tel dispositif a laser ultraviolet
US6061170A (en) * 1998-03-16 2000-05-09 Mcdonnell Douglas Corporation Dual frequency laser amplifier array and operating method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020073405A (ko) 2002-09-26
US6628681B2 (en) 2003-09-30
JP2002280324A (ja) 2002-09-27
KR100860114B1 (ko) 2008-09-25
EP1241745A2 (en) 2002-09-18
EP1241745A3 (en) 2004-12-22
US20020136246A1 (en) 2002-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW546877B (en) Laser apparatus
US7519252B2 (en) Laser annealing apparatus
JP5461519B2 (ja) 複数のビームを結合し、繰り返し率と平均パワーが高い偏光レーザビームを形成する方法
JP7111783B2 (ja) ファイバーレーザーによってアモルファスシリコン基板を均一に結晶化させるための方法及びシステム
KR0153823B1 (ko) 반도체 소자 제조 방법
TWI408481B (zh) 波長可調單程光學參數放大器
US20060153254A1 (en) Laser system for generation of high-power sub-nanosecond pulses with controlable wavelengths in 2-15 mum region
JP6167358B2 (ja) レーザアニール装置及びレーザアニール方法
CN106329302A (zh) 宽带激光泵浦的双啁啾光参量放大方法及装置
TW201001850A (en) Laser micromachining using programmable pulse shapes
JP2000089266A (ja) 擬位相整合パラメトリックチャ―プパルス増幅システム
CN100397576C (zh) 薄膜半导体的制造方法及制造装置
US20170141530A1 (en) Uv-visible laser system having ultrashort highpower and/or high-energy pulses
EP3900125A1 (en) Ultrashort pulse laser source with chirped pulse amplification and tailored pulse train
JP2000012484A (ja) レーザアニール装置
CN113196596A (zh) 基于图案化srb4bo7或pbb4o7晶体的高功率激光转换器
US20120154902A1 (en) Coherent Ultra-Short Ultraviolet or Extended Ultraviolet Pulse Generating Systems
KR20200004848A (ko) 고중복률 레이저 펄스 버스트를 생성하는 장치 및 방법
JP2010080642A (ja) ファイバレーザ装置、レーザ加工装置、並びにレーザ加工方法
CN101383477A (zh) 激光二次谐波发生装置
US20120229888A1 (en) Device for amplifying and/or transporting electromagnetic radiation
Fuerbach et al. Direct writing of photonic devices using femtosecond laser pulses
WO2005069452A2 (en) Industrial directly diode-pumped ultrafast amplifier system

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees