TW546543B - Resist material and patterning process - Google Patents

Resist material and patterning process Download PDF

Info

Publication number
TW546543B
TW546543B TW087116629A TW87116629A TW546543B TW 546543 B TW546543 B TW 546543B TW 087116629 A TW087116629 A TW 087116629A TW 87116629 A TW87116629 A TW 87116629A TW 546543 B TW546543 B TW 546543B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
acid
cns
branched
scope
Prior art date
Application number
TW087116629A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Watanabe
Osamu Watanabe
Tomoyoshi Furihata
Yoshifumi Takeda
Shigehiro Nagura
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Chemical Co filed Critical Shinetsu Chemical Co
Application granted granted Critical
Publication of TW546543B publication Critical patent/TW546543B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/04Anhydrides, e.g. cyclic anhydrides
    • C08F222/06Maleic anhydride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F232/00Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F232/08Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having condensed rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F32/00Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F32/08Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having two condensed rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00Chemical modification by after-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/02Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
    • C08G61/04Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aliphatic carbon atoms
    • C08G61/06Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aliphatic carbon atoms prepared by ring-opening of carbocyclic compounds
    • C08G61/08Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aliphatic carbon atoms prepared by ring-opening of carbocyclic compounds of carbocyclic compounds containing one or more carbon-to-carbon double bonds in the ring
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2810/00Chemical modification of a polymer
    • C08F2810/20Chemical modification of a polymer leading to a crosslinking, either explicitly or inherently
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2810/00Chemical modification of a polymer
    • C08F2810/30Chemical modification of a polymer leading to the formation or introduction of aliphatic or alicyclic unsaturated groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

546543 五、發明説明彳) 【發明之詳細說明】 本發明係有關一種在添加一含有2種以上之由具有1 種或2種以上酸不穩定基,且於分子內及/或分子間以 C - ◦- C基之交聯基形成交聯之高分子化合物所得之作 爲基礎樹脂之抗蝕材料後,可大幅提高曝光前後之鹼溶解 反差’以其具高感度及高解像性,故可作爲特別是製造超 L S I所使用之微細圖型成型材料之具有極佳再現性的優 良抗蝕材料及圖型之形成方法。 近年來,隨著L S I之高集積化及高速度化,在尋求 圖型線路微細化之中,號稱下一世紀之微細加工技術之遠 紫外線石版印刷術爲目前之主要技術。遠紫外線石版印刷 術已可進行0 · 5 // m以下之加工,且作爲光吸收性較低 之抗蝕材料時,可於與基版成垂直之側壁形成圖型。 近年來所開發之以酸爲觸媒之增強化學性之正型抗蝕 材料(特公平2 — 27660、特開昭63 — 27829 號公報)’即有記載期待一種以利用以遠紫外線爲光源之 高亮度K r F激元激光以製得具有優良感度、解像性、耐 乾蝕刻性且適合作爲遠紫外線石版印刷術之抗蝕材料。 此增強化學性之正型抗蝕材料已知有由基礎樹脂、酸 產生劑所形成之二成分系,與基礎樹脂、酸產生劑、具有 酸不穩定劑之溶解控制劑三成分系兩種。 例如’特開昭6 2 - 1 1 5 4 4 0號公報中,即有一 以聚一 4 一 t e r t - 丁氧基苯乙烯爲酸產生劑所形成之 抗飩材料發明之揭示,與此提案類似者例如特開平 本紙張尺度適用中國國rm ( cns ) λ侦)- a—— ------------------- 546543 五、發明説明g ) 3 — 2 2 3 8 5 8號公報中也有記載由分子內具有 t e f t - 丁氧基之樹脂與酸產生劑所形成之二成分系抗 倉虫材料’又如特開平4 一 2 1 1 2 5 8號公報中亦有記載 由甲基、異丙基、t e r t — 丁基、四氫吡喃基、含有三 ¥基砂烷基之聚烴基苯乙烯基與酸產生劑所形成之二成分 系抗蝕材料等。 此外,特開平6 - 1 0 0 4 8 8號公報中,亦有提示 由聚〔3,4 一雙(2 —四氫吡喃氧基)苯乙烯〕,聚〔 3’4一雙(!61〖一丁氧羰氧基)苯乙烯〕,聚〔3 ’ 5〜雙(2 -四氫吡喃氧基)苯乙烯〕等聚二烴苯乙烯 衍生物與酸產生劑所形成之抗蝕材料。 但是此些抗蝕材料之基礎樹脂,因支鏈上具有酸不穩 定基’且酸不穩定基常因t e r t - 丁基、t e r t —丁 氧羰基等強酸而遭分解,或與空氣中之鹼性化合物反應而 失去活性,其結果將使得酸不穩定基不易分解,進而造成 抗蝕材料之圖型形狀極易形成T -冠形狀。又,乙氧乙基 等烷氧烷基因受弱酸所分解,故較少受到空氣中鹼性化合 物的影響,因此隨著曝光至加熱爲止時間的延長會有圖型 形狀顯著狹窄之缺點,且支鏈因具有極高之基團’因此會 有耐熱性降低、未能滿足感度及解像度等等問題’而至今 未能達到實用化,所以對此問題極需要有所改善。 又,特開平8 - 3 0 5 0 2 5號公報所記載之高分子 化合物係以改善上述問題爲其目的,製造方法中除對設定 酸不穩定基與交聯基間之取代基比例是較困難以外’亦具 適用中國國 ϋ 準(CNS ) Λ4Α1 怡(210x d ) - 5 - 546543 五、發明説明6 ) 有如特開平8 — 2 5 3 5 3 4號公報所記載般會有產生交 聯基等副產物之缺點。即,在設計抗蝕組成物時,在對酸 產生劑、添加劑等作選擇及設定添加量時,必須具有各種 不同鹼溶解速度之高分子化合物,且在要求該高分子化合 物在製造上之再現性時,在上記公報所記載的製造方法中 會產生無法選擇酸不穩定基及交聯基,及不能控制取代基 之比例等缺點。 本發明者們鑒於上述情事,以提供一種較以往抗蝕材 料具有更高感度及高解像度、曝光寬限度、製程適應性、 再現性等效果,及具有優良耐等離子蝕刻性、優良抗蝕圖 型耐熱性之抗蝕材料及圖型之形成方法爲本發明之目的。 經滅部中史標消费合介社印製 本發明者們’爲達上記之目的經過深入之檢討,以提 供一種使用2種以上依下述方法所製得之重量平均分子量 爲1 ,〇〇〇〜5〇〇,〇〇〇,且於分子內及/或分子 間以C - ◦- C基之交聯基形成交聯之具有1種或2種以 上酸不穩定基的高分子化合物所組合之物質作爲基礎樹酯 ,並配合酸產生劑所得之抗蝕材料時,可提高抗蝕膜之溶 解反差’若再添加鹼性化合物時,可使抗蝕膜之溶解反差 曲線之角度更向上提昇,或再添加分子內具有 =C 一 C〇〇Η基之方香族化合物所得之抗餓材料時,可 提高抗飩膜之溶解反差、特別是增大曝光後之溶解速度, 此外更可使抗蝕之P E D安定性提昇,進而改善氮化基板 邊緣之捲曲現象,又,若再添加炔醇衍生物時,可提高塗 佈性、保存之安定性等,因此具有高解像度、曝光寬限度 本紙張尺度適用中國國家万) Λ4丨々)' 7"— -------- 546543 五、發明説明4 ) 、優良之製程適應性,而有利於實用性較高等精密性細微 加工之製程,特別是作爲超L s I用之抗蝕材料時爲極有 效之化合物。其中,在將2種以上之本發明的上高分子化 合物作任意之組合時,可簡單導入在製造各種裝置時之各 層(換言之對各基板)之石板印刷上具有極重要性之酸不 穩定基或分子內及/或分子間具有c -〇一 c基之交聯基 ’或可任意導入可提高反差或改善與基板密著性之不同分 子量的高分子化合物,以使上記之效果發揮至最大。此外 ’在不消除單獨使用本發明所產生之高反差優點之情形下 ’可併用其他抗餓材料。 即,本發明係提供一種下記之抗蝕材料。 申請項1 : 一種抗飩材料,其係含有: (A )有機溶劑, (B) 2種以上之重量平均分子量爲1,〇〇〇〜 5 0 0 ’ 0 0 0之局分子化合物’其係具有1種或2種酸 不穩定基’且於分子內及/或分子間以C 一〇一 c基之交 聯基形成交聯之化合物, 經滴部中次桴^杓Β.Τ-消费合^:社印製 (C )酸產生劑。 申請項2 : 如申請項第1項記載之抗蝕材料,其中(B )成分之 2種以上局分子化合物’爲重量平均分子量、酸不穩定基 含量、父聯基含量、酸不穩定基或交聯基種類中有任一項 不同之高分子化合物。 张尺度適用中國國家枵^~CNS~)八伙仏(2 U)〆八/ :λ % 「 _〒·---- —------------ 546543
申請項3 : 如申請項第1或2項記載之抗蝕材料,其中可再添加 (D )成分之鹼性化合物。 申請項4 : 如申請項第3項記載之抗蝕材料,其中(D )成分爲 脂肪族胺。 申請項5 : 如申請項第1至4項中任一項記載之抗蝕材料,其中 可再添加(E)成分之分子內具有一 C〇〇H基之芳 香族化合物。 申請項6 · 如申請項第1至5項中任一項記載之抗餓材料,其中 (B )成分之2種以上之高分子化合物係由,具有下式( 1 )所示重複單位且其苯酚性羥基之部份氫原子受1種或 2種以上酸不穩定基所部分取代,且所剩餘之苯酚性羥基 中一部份與烯醚化合物或鹵化烷醚化合物反應所得之具有 C _〇一 c基交聯基可於分子內及/或分子間形成交聯, 上記酸不穩定基與交聯基之總量係爲式(1 )之苯酣性羥 基的氫原子全體之0莫耳%以上,8 0莫耳%以下範圍之 重量平均分子量1 ,000〜500,000之高分子化 合物中所選出; 本紙张尺度適用中國國家彳f專(CNS ) A40L格(Γ _ 〇 546543 五、發明説明专 【化8】
Ri I -(CH2C)- R2
(1) (〇H)y 經演部中史標讀為卩Τ.消t合竹社印製 (R1爲氫原子或甲基;R2爲碳數1〜8之直鏈、支 鏈或環狀烷基;又,X爲0或正整數、y爲正整數、且爲 滿足x + 之數;)。 申請項7 : 如申請項第6項記載之抗蝕材料’其中(B )成分之 2種以上之高分子化合物係由,具有下式(2 )所示重複 單位且R所示之苯酚性羥基與烯醚化合物或鹵化烷醚化合 物反應所得之具有C -〇- C基交聯基可於分子內及/或 分子間形成交聯,上記酸不穩定基與交聯基之總量係爲式 (1 )之苯酚性羥基的氫原子全體之〇莫耳%以上,8 0 莫耳%以下範圍之重量平均分子量1,0 0 0〜 5 00,〇〇〇之高分子化合物中所選出; 【化9】 R1
本紙張尺度適用中國國家代聲(CNS ) A4AL仏(2丨0,>-、广 R1 I —m2ch R2.
(〇H)m (〇R3)n -9- (2) 546543 五、發明説明《) (式中,R爲羥基或OR3基,且至少有一個爲羥基; 爲氫原子或甲基; R 爲碳數1〜8之直鏈、支鏈或環 狀烷基;R 爲酸不穩定基;又,X爲0或正整數、y爲正 整數、且爲滿足x + y$5之數,k爲0或正整數、m爲 〇或正整數、η爲正整數、且爲滿足k+m+n^5之數 ;P、q爲正數’且爲滿足p + Q = l之數;又’ η爲2 以上時,R 3可爲相同或不同)。 申請項8 : 如申請項第7項記載之抗蝕材料,其中(Β )成分之 2種以上之高分子化合物係由,具有下式(3 )所示重複 單位且R所示之苯酚性羥基中氫原子經解離後該氧原子與 下式(4 a )或(4b)所示之具有c 一 0-C基交聯基 於分子內及/或分子間形成交聯,上記酸不穩定基與交聯 基之總量係爲式(1 )之苯酚性羥基的氫原子全體之〇莫 耳%以上,8 0莫耳%以下範圍之重量平均分子量 1 ’〇〇〇〜5〇〇,〇〇〇之高分子化合物中所選出; 【化1 0】
c=o
I OR7 本紙張尺度適川中國國家枵卑(CNS ) Λ4丨丨:彳Μ 21 () x ? w ) -10- 546543 五、發明説明$ ) (式中,R爲羥基或OR3基,且至少有一個爲羥基; R1爲氫原子或甲基;R2爲碳數1〜8之直鏈、支鏈或環 狀烷基;R3爲酸不穩定基;R4、R5爲氫原子或碳數1 〜8之直鏈、支鏈或環狀烷基,R6爲碳數1〜1 8之可具 有雜原子之1價烴基,R4與R5、R4與R6、R5與R6 可形成環,形成環時,R 、R 、R 各自爲碳數1〜 1 8之直鏈、支鏈或環狀伸烷基;R 7爲碳數4〜2 0之三 級烷基、各烷基各自爲碳數爲1〜6之三烷基矽烷基、碳 數4〜20之羰烷基或—CR4R5〇R6基;Pi 、P2 爲正數,q1、q2爲0或正數,且滿足〇<Pl/( p1 + q1 + q2 + p2) SO · 8,0^q1/(p1 + q1 + q2 + p2) $〇· 8 ,〇$q2/(p1 + ql + q2 + p2) ^ 0 · 8 ’ pl + Ql + q2 + p2 二1之數,但q1與q2不同時爲〇;a爲〇或1〜6之 正整數;X、y、k、m、η各自具有與上記內容相同之 意義); 【化1 1】 經滅部中史提::緯而负工消费合:^社印紫 R8 R8 一0-Α [-〇-(R13-0),-0如 (4 a) R9 R9 R8 R8 -?-0-俨一B-A [-t (4b) R9 R9 本紙張尺度適用中國國家名導(CNS ) Λ,私() - 11 - 546543 Λ, 1「 1 一 ' 一丨丨一丨•靡一一…一丨"丨丨_一———,》 » ^ » - — - ^ , 五、發明説明自) (式中,r8、r9爲氫原子或碳數1〜8之直鏈、支 鏈或環狀烷基;或R 與R 9可形成環,形成環時,R 8、 R 9爲碳數1〜8之直鏈或支鏈之伸烷基;r 1 3爲碳數工 〜10之直鏈、支鏈或環狀之伸烷基;d爲0或1〜1() 之整數;A爲具有c價之碳數1〜5 0之脂肪族或脂環式 飽和烴基、芳香族烴基或雜環,此些基團中可夾有雜原子 ,或與碳原子鍵結之氫原子中之一部分可被羥基、羧基、 醯基或鹵原子所取代;B爲一CO—〇一、 —NHCO —〇一或一NHCONH — ; c 爲 2 〜8 、 c —爲1〜7之整數)。 申請項9 : 如申請項第8項記載之抗蝕材料,其中式(4 a )或 (4 b )所示之具有C 一〇一 C基之交聯基爲下式( 4a^)或(4b<)所示基團; 【化1 2】
RICIR R8lc-lR9 I 、乂 I (R1 T 0 h,A 1 〇 SM 3 R1 a 4
1 B 1 3 R1 i 〇 8 9 RICIR
〇 - 3 R1 I B R— b 4 A s N c :準 li5' ·'- 國 國 i中 一度 尺 紙 一本 2 546543 A 7 五、發明説明纟0 ) (式中,R8、R9爲氫原子或碳數1〜8之直鏈、支 鏈或環狀烷基;或R 8與R 9可形成環,形成環時,R 8、 R 爲碳數1〜8之直鏈或支鏈之伸烷基;R13爲碳數1 〜1 0之直鏈、支鏈或環狀之伸烷基;d爲0或1〜1〇 之整數;A >爲具有c 〃價之碳數1〜20之直鏈、支鏈 或環狀伸院基、院三基、院四基、碳數6〜3 0之伸芳基 ’此些基團中可夾有雜原子,或與碳原子鍵結之氫原子中 之一部分可被羥基、羧基、醯基或鹵原子所取代;B爲 一 C〇一〇 一、一NHC〇一〇一或一NHCONH —; c"爲2〜4、c"'爲1〜3之整數)。 申請項1 0 : 如申請項第1至9項中任一項記載之抗蝕材料,其中 所添加之(C )成分係由鐵鹽、二偶氮甲烷衍生物、乙二 肟衍生物或亞胺基磺酸酯衍生物中所選出之一種以上之化 合物所組成。 申請項1 1 : 如申請項第1至1 0項中任一項記載之抗蝕材料,其 中可再添加(F):與(B)成分不同之具有下式(1) 所示重複單位,且其苯酚性羥基之氫原子受1種或2種以 上酸不穩定基以全體之平均0莫耳%以上,8 0莫耳%以 下之比例所部分取代之之重量平均分子量3,0 〇 〇〜 300,000之高分子化合物;
本紙张尺度適用中國國家彳ί隼(CNS ) Λ4圯私(210/) - 13 - 546543 五、發明説明㈧ 【化1 3】
Ri I -iCK2C)- R2
(1) (〇H)y (式中,R1爲氫原子或甲基;R2爲碳數1〜8之直 鏈、支鏈或環狀烷基;又,X爲0或正整數、y爲正整數 、且爲滿足x+y^5之數)。 申請項1 2 : 如申請項第1 1項記載之抗飩材料,其中(F )成分 爲具有下式(1 〇 )所示重複單位之重量平均分子量 3 ,〇0〇〜3〇0 ,00〇之高分子化合物; 【化1 4】
Ri —CH2C-R2~0 〇 R4 - C 一R5 I 〇一R6
(10) (式中,R1、R2、R4、R5、R6具有與上述內容 -14- 本紙張尺度適用中國國家名準(CNS ) Ad ( 21(Κ 546543 五、發明説明彳2 ) ™一 相同之意義,爲與一 CR4R5〇R6不同之酸不穩定 基’ e、f爲0或正數,g爲正數,e + f+ g==1 ,且 〇$e/(e + f+ g)s〇.5,〇.4€ g/(e + f+ g)S〇.9)。 申請項1 3 : 如申請項第1至1 2項中任一項記載之抗蝕材料,其 可再添加(G ):溶解控制劑。 申請項1 4 : 如申請項第1至1 3項中任一項記載之抗蝕材料,其 可再添加(Η ):紫外線吸收劑。 申請項1 5 : 如申請項第1至1 4項中任一項記載之抗蝕材料,其 可再添加(I ):炔醇衍生物。 又’本發明另提供一種圖型之形成方法,其係包含, (1 )將申請項第1至1 5項中任一項記載之抗蝕材 料塗佈於基板上之步驟及, (1 1 )其次於加熱後,藉由光罩以波長3 0 0 n m 以下之高能量線或電子線進行曝光之步驟, 經Μ部中次桴冷ΛΘΤ-消费合β社印製 (i i i )必要時於經加熱處理後,使用顯像液顯像 之步驟。 其中,添加以上記高分子化合物作爲基礎樹脂之光阻 材料時,此高分子化合物’特別是以c - 0 - C基交聯基 產生交聯時,具有較大之溶解阻礙性,且具有曝光後產生 較大溶解反差等優點。 W張尺度中國國家代準(CNS ) Λ4« ( 210/ ?㈧) - 1 經潢部中史標緯局只Η消费合竹社印狀 546543 五、發明説明彳3 ) 即’支鏈上單獨附加烷氧烷基所得之聚合物,其會因 弱酸而進行解離反應故不易形成τ -冠形狀,但如上所述 般’因對酸敏感故由曝光至加熱處理間會隨著時間經過而 有使圖型形狀顯著變窄之缺點。又,因對鹼之溶解阻礙效 果較低,故未得到溶解反差則必須使用高取代率物,而會 有欠缺耐熱性之缺點產生。又,苯酚性羥基之支鏈以 t e r t -丁氧羰基保護所得之聚合物時,在添加此抗鈾 材料時,雖具有增加鹼之溶解阻礙性,較低取代率及溶解 反差’及優良耐熱性等優點,但爲形成解離之鹼可溶性必 須添加三氟甲磺酸等可產生強酸之酸產生劑,而使用此種 酸時會有容易產生上述T-冠形狀之缺點。 相對於此些聚合物,使用上述之苯酚性羥基中之一部 份與烯醚化合物或鹵化烷醚化合物反應所得之具有 C - 0 - C基交聯基於分子內及/或分子間形成交聯之高 分子化合物的抗蝕材料,因其爲支鏈具有縮醛基保護之聚 合物’故可解除耐熱性較差、因t e r t - 丁氧羰基保護 之聚合物所容易形成T -冠形狀之缺點。 又’使用本發明之高分子化合物所得之抗蝕材料的效 果,因本發明之高分子化合物係以具有酸不穩定基之 C - ◦- C基交聯基形成交聯,且以酸不穩定基所保護之 高分子化合物,抗蝕膜中未曝光部分對重量平均分子量及 鹼顯像液並不會產生溶解性之變化。抗飩膜曝光部分之重 量平均分子量,經由所產生的酸之分解,再經酸不穩定基 之解離而回復到以交聯基及酸不穩定基保護前之鹼可溶性 本紙張尺度適用中國國家彳'!準(CNS ) 仏 ( 210 f g~ ——一 ^
546543 五、發明説明μ ) 樹脂之重量平均分子量,因此鹼溶解性較未曝光部分更快 而可提高溶解之反差,其結果而可達成高解像度化。 又,具有c - 〇 - c基之交聯基經酸溶解結果,可生 成醇化合物(二醇、三醇、聚醇等),可因其親水性基之 存在而提高與鹼顯像液之親和性,其結果也達成了高解像 度之目的。 又,設計抗蝕組成物時,可以設定酸產生劑、添加劑 之內容及添加量之方式,而製得具有各種不同鹼溶解速度 之高分子化合物,且在高分子製造方法之重現性上,使用 上記高分子化合物時可在不須受到應對酸不穩定基及交聯 基作不问之選擇及設疋取代基比例之方式即可進行設定。 即,使用上述高分子化合物作爲基礎樹使用之抗飩材 料,可使容易形成τ -冠形狀、圖型形狀變窄、欠缺耐熱 性等問題降至最低,進而可提高抗蝕膜之溶解反差,其結 果可得到一種具有高感度極高解像性,且可任意控制圖型 之尺寸、圖型之形狀等組成,具有製程之適應性、再現性 優良之增強化學性之正型抗蝕材料。 經浇部中史標设扁$工消費合竹社印奴 特別是本發明係將作爲基礎樹脂之高分子化合物選擇 2種以上具有不同重量分子量、酸不穩定基、交聯基含有 率或交聯基種類之高分子化合物作組合時,即可在強調獨 立圖型、點狀圖型等獨立之圖型及,以空間線路爲代表之 密著圖型、連接點等突出之圖型之相極端之抗蝕組成物之 設計方式中,使在不損及抗蝕材料特性之情形下得到兩全 其美之設計。 尺度適用中國國家彳:?、導(CNS ) /\4以枯(210/ ) . —— …— 546543 五、發明説明(15 ) 又,在不損及耐熱性爲使曝光部分之溶解速度提昇, 即以提昇反差爲目的下,可任意導入以酸不穩定基交聯之 低分子量樹脂。且也爲可以改善與基板之密著性的物質。 以下將對本發明作更詳細之敘述,即,本發明之新穎 高分子爲一種具有1種或2種以上酸不穩定基之高分子化 合物’或於分子內及/或分子間以C 一 0 - C基交聯基交 聯之重量平均分子量爲1 ,000〜500,〇〇〇之高 分子化合物。 上記高分子化合物爲具有下式(1 )所示重複單位之 高分子化合物,且其苯酚性羥基之部份氫原子受酸不穩定 基所部分取代,且所剩餘之苯酚性羥基中一部份與烯醚化 合物或鹵化烷醚化合物反應所得之具有C 一〇一 C基交聯 基可於分子內及/或分子間形成交聯之高分子化合物。 【化1 5】 經潢部中次標跨局WJ:消费合竹社印製
佳中 較其 8 基 ~ 烷 1狀 數環 碳或 爲鏈 I2支 R 基 甲 或 子 原 氫 爲 IX R ? , 中 5 式 ~ IX 爲 爲 佳 更 鏈 直 之 3 基基 丙己 、 環 基 、、 乙基數 、 丁 整 基 I 正 甲 t 爲 爲 ry 可 CD 、 基 t 數 烷、整 狀基正 環丁或 或異 ο 鏈、爲 支基 X 、丁 , 鏈 i 又 直η; ,、 等 足 滿 爲 且 基基 丙戊 異環 y I適 一度 尺 一張 紙 I本
Ns
經淆部中史標级為ht.消费合竹社印製 546543 五、發明説明纟6 ) 〜 $5之數,y爲1〜3,又以1〜2爲佳。 本發明之高分子化合物,具體而言爲具有下式(2 } 所示重複單位之高分子化合物,且R所示之苯酚性羥基& 一部份與烯醚化合物或鹵化烷醚化合物反應所得之具有 C -〇- c基交聯基可於分子內及/或分子間形成交聯之 局分子化合物。 【化1 6】 (2) (式中,R爲羥基或OR 基,且至少有一個爲羥基; R 爲氫原子或甲基;R 爲碳數1〜8之直鏈、支鏈或壤 狀烷基;R 爲酸不穩定基;又,X爲0或正整數、y爲$ 整數、且爲滿足x + y^5之數,y爲1〜3 ,又以1〜 2爲佳;k爲〇或正整數、m爲〇或正整數、n爲正聲數 、且爲滿足k+m+n‘5之數;p、q爲正數,且爲滿 足p + Q = l之數;又,η爲2以上時,R 可爲相同或不 同。)。 其中,R 1、R 2之具體例、y之較佳範圍皆如上記內 容所述,η以1〜2,m以〇〜1爲佳。
本紙张尺度適用中國國家柊蹲(CNS ) Λ4 W ( -19- ¾¾部中央標绛局只工消费合竹社印製 546543 五、發明説明彳7 ) 上記苯酚性羥基中氫原子受取代之酸不穩基或R 3之酸 不穩基,在經過各種選擇後,以下式(5 ) 、( 6 )所示 基團’碳數4〜2 0之三級烷基,各烷基之碳數爲1〜6 之三烷基矽烷基及碳數4〜2 0之羰烷基等爲佳。 【化1 7】 R4 +〇-R6 (5) R5 〇 4CH2)rC-〇-R7 式中,R4、R5爲氫原子或碳數1〜8,較佳爲1〜 6,更佳爲1〜5之直鏈、支鏈或環狀烷基,R 6爲碳數1 〜18,較佳爲1〜10,更佳爲1〜8之可具有氧原子 等雜原子之1價烴基,R4與R5、R4與R6、R5與R6 可相互形成環,形成環時,R 4、R 5、R 6各自爲碳數1 〜18,較佳爲1〜10,更佳爲1〜8之直鏈、支鏈之 伸烷基;R7爲碳數4〜20,較佳爲4〜15,更佳爲4 〜1 0之三級烷基、各烷基碳數各自爲1〜6 ,較佳爲1 〜4之三烷基矽烷基、碳數4〜20,較佳爲4〜15, 更佳爲4〜10之羰烷基或—CR4R5 OR6基;又,a 1、紙張尺度適用中國國家)!、率(CNS ) Λ伙彳Γΐ 210, 29'd ) . 2Cl·^—™ (^1間·^$而之項Λ功巧本)
經滴部中次桴淨局K J消费合竹社印β t Λ r 基 e 烷 t 剛 , 金 如} 例基 , 甲 基 | 垸 2 級彳 三 - 546543 五、發明説明彳8 ) 爲0〜Θ之整數。 R 4、R 5之碳數1〜8之直鏈、支鏈或環狀烷基,係 _ R 2所說明之內容爲相同基團。 R 可爲直鏈、支鏈或環狀烷基、苯基、p—甲苯基、 p〜乙苯基、或p -甲氧苯基等烷氧基取代之苯基等未取 代或取代之芳基、苄基、苯乙基等芳烷基或,此些基團中 具有氧原子,或與碳鍵結之氫原子被烴基所取代,或2個 氯原子被氧原子取代而成爲羰基之下式所示之烷基等。 [化1 8】
- (CH2)4〇H - (ch2)2〇(ch2)3ch3 一 ch2-<^)-ch2〇h -(ch2)2〇(ch2)2oh —(ch2)6〇h
R , 、 t 又基 r 一—' 6 一 t
用中國國樣導(CNS ) AAniAh ( 210 ) . 21~ 546543 Λ 五、 發明説明彳9 ) R 之具有碳數 烷基、 〜6三烷基矽烷基,例如,: 乙基矽烷基、二甲基一 t e r t —丁基等。 R 之碳數4〜20羰烷基則例如3-羰環己基、或下式所 示之基團。 【化1 9】
上記式(5 )所示酸不穩定基,具體而言,例如χ 一 經滴部中次標蜱局員二消费合竹社印製 甲氧乙 氧乙基 sec ter 氧乙基 乙基、 基,四 基、丁 定基例 、t e 氧乙氧 喃基氧 烷基, 〜2〇 基、1一乙氧乙基、1一η—丙氧乙基、1一異丙 、1 — η— 丁氧乙基、1—異丁氧乙基、1一 —丁氧乙基、1 一 t e r t — 丁氧乙基、1一 t —戊氧乙基、1—乙氧基一 η—丙基、1 一環己 、甲氧丙基、乙氧丙基、1—甲氧基一 1 一甲基一 1 -乙氧基- 1 -甲基-乙基等直鏈或支鏈狀縮醛 氫呋喃、四氫吡喃等環狀縮醛基等,較佳爲乙氧乙 興乙基、乙氧丙基等。又,上述式(6)之酸不穩 如 t e r t — 丁氧羰基、t e r t — 丁氧羰甲基 r t —戊氧羰基、t e r t —戊氧羰甲基、1 一乙 基羧甲基 -四氫吡喃基氧羰甲基、2 —四氫呋 羰甲基等。又,酸不穩定基之碳數4〜2 0之三級 各烷基各自爲碳數1〜6之三甲基矽烷基,碳數4 之羰烷基等,則具有與r 7所說明之內容爲相同基團 甲基矽
本紙張尺度適用中國國家柊準(CNS ) Λ仙:i -22- 546543 A* 1Γ 五、 發明説明如 經濟部中丸桴縛局Μ H消費合竹社印製 又,上記具有C 一 ◦一 c基之交聯基,例如下式 4a)或(4b)所示基團,較佳爲下式(4a / 4 b )所示基團等。 【化2 〇】 T 〒 〜(jXO-R%〇-A [-0-(R13-〇)d-C如 R8 R8 〜?-〇-R丨3-B-A [-B-R丨3-〇-όγ R9 R9 (式中,R8、R 爲氫原子或碳數1〜8之直鏈、支 鏈或環狀烷基,或R 8與R 9可形成環,形成環時,r 8、 R 9爲碳數1〜8之直鏈或支鏈之伸烷基;R 1 3爲碳數丄 〜1 0之直鏈、支鏈或環狀之伸烷基;d爲〇或1〜1 〇 之整數;A爲具有c價之碳數1〜50之脂肪族或脂環式 飽合烴基、芳香族烴基或雜環基,此些基團中可夾有雜原 子,或與碳原子鍵結之氫原子中之一部分可被羥基、羧基 、醯基或鹵原子所取代;B爲一 C0 — 〇 —、 —NHC〇一〇一或一NHCONH — ; c 爲 2 〜8 、 c >爲1〜7之整數) (4 a) (4 b) i张尺度適用中國國^:1、準(CNS) ( 210 X ?V7 -23- ί·«1間球力而之:項•内^寫本jCC )
(4 a’) (4b,) 經Μ部中次標蜱局Μ二消费合竹社印繁 546543 五、發明説明幻) 【化2 1] R8 I R8 〜R%〇-A,[-〇-(兄3—〇)d一士七
R9 I K R9 if R8 -?-0-R丨3-B-A,[-B-R丨3—〇一(^ R9 R9 (式中,R8、R9爲氫原子或碳數1〜8之直鏈、支 鏈或環狀烷基,或R 8與R 9可形成環,形成環時,R 8、 R 爲碳數1〜8之直鏈或支鏈之伸烷基;R13爲碳數1 〜1 0之直鏈、支鏈或環狀之伸烷基;d爲0或1〜5之 整數;A /爲具有c 〃價之碳數1〜2 0之直鏈、支鏈或 環狀伸烷基、烷三基、烷四基,碳數6〜3 0之伸芳基, 此些基團中可夾有雜原子,或與碳原子鍵結之氫原子中之 一部分可被羥基、羧基、醯基或鹵原子所取代;B爲 一 C〇一〇 一、一NHCO — 〇一或一NHCONH —; c"爲2〜4、c"'爲1〜3之整數) 其中,碳數1〜8之直鏈、支鏈或環狀烷基之內容則 具有與上述內容相同之例示。又,R13爲碳數1〜1 0之 直鏈、支鏈或環狀之伸烷基,例如,伸甲基、伸乙基、伸 丙基、異伸丙基、η -伸丁基、異伸丁基、環戊亞基、環 己亞基等。又,Α之具體例將於以下敘述。此交聯基之( 4a) 、( 4 b )係由後述之烯醚化合物,鹵化烷醚化合 物所產生。 (邡1間而之注Λ,-ί.-τ項汚功寫本负)
本紙張尺度適用中國國家桴準(CNS ) A4i丨:,格(2丨OxmM; ) -24- 546543 五、發明説明) 交聯基,可由上記(4 a ) 、( 4 b )之c /値了解 ,其並不限定於2價,亦可爲3價〜8價。例如2價之交 聯基如下記之(4 a 〃 )、( 4 b 〃 ) ,3價之交聯基如 下記之(4 a )、( 4 b |")等等。 【化2 2】 R8 R« -C-(〇-*R13)d-〇-A-〇-(R13-〇)d-C- (4 a’,) R9 R9 R3 R8
I I R13-B - A-B-R 丨3-〇-0- (4b,,) R9 R8 R8 -十-(〇-R%-〇—Α-〇-,-〇),—C- (4 a,,,) R9 〇 R8 R9 (R13-〇)d-0-R9 R8 R8
I I 部 中 丸 標 h ii .1 消 合 if 社 印
一 9一 0-R13-B-A-B-R 丨3-o-c-iq I I R9 B R8 R9 I I R13-〇一 C—
I R9 本發明之經交聯之高分子化合物,其具體例如,具有 下式(3 )所示重覆單位,且R所示之苯酚性羥基中氫原 1、纸張尺度適用中國國家梢專(CRS ) A4R格(2Κ)Χ % ) _25- "" ~ 546543 五、發明説明) 子經解離後,其氧原子與上記式(4 a )或(4 b )所示 之具有C 一 〇 一 c基之交聯基於分子內及/或分子間形成 交聯之高分子化合物等。 [化2 3]
(式中,R爲羥基或OR3基,且至少有一個爲羥基; R1爲氫原子或甲基;R2爲碳數1〜8之直鏈、支鏈或環 狀烷基;R3爲酸不穩定基;R4、R5爲氫原子或碳數1 〜8之直鏈、支鏈或環狀烷基;R6爲碳數1〜18之可具 有雜原子之1價烴基,R4與R5,R4與R6,R5與R6 可形成環,形成環時R4、R5、R6各自爲碳數1〜1 8 經潢部中次標_而1'只工消费合竹社印裂 之直鏈或支鏈之伸烷基;R 7爲碳數4〜2 0之三級烷基, 各烷基爲碳數1〜6之三烷基矽烷基、碳數4〜2 0之羰 烷基或—CR4R5〇R6基;Pi 、P2爲正數,Ql 、 爲0或正數’且滿足〇<Pl/(Pl+Ql+Q2 + p2) . 8 » 0^ql/(pl + ql + q2 + p2) . 8 ^ 0^q2/(pl + ql + q2 + P2 )· 8,pl + Ql + Q2 + p2 = l 之數,但 ql _ι _ 一….丨丨.*—·- -〜 「.「™π … 〜一••一^一 本紙張尺度適用中國國家^:準(CNS ) /\4化格(2】()>,?97:Ί ) - 26 - 546543 五、發明説明8 ) 與不同時爲0 ; a爲◦或1〜6之整數;X、y 、m、η各自具有與上記內容相同之意義;又,p 14 k
P 2 = p ,q 1 + 其中,R,R q 2 1
R
Q y 、 k 、 m 、 η Λ a 之 具 1 間 :j, 5 P 1 Ρ 2 爲 正 1) 而 < P 1 / ( Ρ 1 + /'ί 芯: 1 / ( P 1 + q 1 iii t j ( P 1 + Q 1 + q 本 2 + P 2 — 1 之 數 j] 經潢部中史標泠局^( τ.消费合竹社印繁 數,Ql、q2爲0或正數,且滿足 q1 + q2 + p2) · 8 , + q2 + p2) = 0 . 8 5 0 = q2 2 + p2)$0.8,p1 + q1 + ,但Ql與q2不同時爲0。 其中更佳之pl、p2、Ql、q2値如下所述。 〇<p1/(p1 + q1 + q2 + p2) SO · 4, 更佳爲〇·0〇2<pl/(p1+q1+q2+p2) ^0.2 〇Sq1/ (p1 + q1 + q2 + p2) · 6 , 更佳爲〇$^1/(?1 + (11 + ^2 + ?2)$〇.4 0^q2/(pl + ql + q2 + p2) . 6 ? 更佳爲〇Sq2/(p1 + q1 + q2 + p2) $〇· 4 0 . 4^p2/(pl + ql + q2 + p2) <1 5 更佳爲〇· 5Sp2/(p1 + q1 + q2 + p2) S 0 . 9 0 ^ ( q 1 + q 2 ) / $〇.6,更佳爲〇.1^(9 Ρ 1 L + q ] L + q 2 + P CL ^ ) q : L + q ^ ^)/( P 1 - 卜q 訂 本紙张尺度適用中國國家行'準(CNS ) Λ4从1 ft ( 210 -27- 546543 五、發明説明b ) l + q2 + p2) . 4 又,ql/(Ql + q2)以0〜1 ,較佳爲0 〜1,更佳爲0 · 7〜1爲宜。 此高分子化合物之例,如具有下記(3 > - 1 ) 3 > - 2 )所示之化合物。 經消部中史忭譚局ΜΧ消费合竹社印裝 本紙張尺度適用中國國家梢、準(CNS ) Λ仙:½ ( 210,χ 2W、# ) - 28 - 546543 五、發明説明:) 【化2 4】
【化2 5】 經消部中央標準局Θ.Χ消费合竹社印製
~iCU2C^ R1 本紙張尺度適用中國國家指'準(CNS ) A4U:仏(210/ :> # ) - 29 - 546543 五、發明説明於' 又’上式(3 存在 一 1 )係爲分子內鍵結之狀態、( 〜2 )爲分子間鍵結之狀態’且可單獨或以混合方式 〇 Q爲具有C -〇一 C基之交聯基,典型例式如上式( 4 a )或(4 b )所示交聯基,特別是式(4 a π 4 b 〃 )或(4 a )、(4b’") ’ 較佳爲(4 或(4 b > )所示交聯基。又,交聯基爲3價以上 上記式(3 )中,即是以3個以上之下記單位(1 鍵結所得化合物。 【化2 6】
時,如 )與Q R1-icn2c)— \〇li)y (1) 經滴部中史標緯局Μ_τ-消費合竹社印製 本發明之高分子化合物,係苯酚性羥基中氫原子之一 部份受酸不穩定基及具有C〜◦一 C基之交聯基所取代之 局分子化合物’又更佳爲’對上記式(1 )化合物中苯酚 性經基之氫原子總量而言’酸不穩定基與交聯基之總量爲 平均爲0莫耳%以上,8 〇莫耳%以下,又以2〜5 〇莫 耳%爲更佳。 此情形中’具有C - 〇〜c基交聯基之比例以超過0 莫耳% ’並在8 0莫耳%以下,又以0 · 2〜2 0莫耳% 本紙張尺度適用中國國家彳:!、準(CNS ) Λ4現仏 (210. 297 :Λ j:; -30- 546543 五、發明説明纟8 ) 爲佳。若爲0莫耳%時,會使鹼溶解速度之反差減小,而 無法引導出交聯基之優點,造成解像度惡化。又,超過 8 0莫耳%時,會因交聯過多形成膠化,造成對鹼之溶解 性消失,而於鹼顯像中會引起膜厚變化,或膜內應力或氣 泡之產生等現象,使親水性基減少而降低與基板之密著性 〇 又,酸不穩定基之比例,以平均超過0莫耳% ,並在 8 0莫耳%以下,又以1 〇〜5 0莫耳%爲佳。若爲0莫 耳%時會使得鹼溶解速度之反差減小,造成解像度惡化。 又,超過8 0莫耳%時,會造成對鹼之溶解性消失,而於 鹼顯像中會降低與顯像液之親和力,使解像力劣化。 又,具有C - ◦- C基交聯基與酸不穩定基之値若在 上記範圍中作適當之選擇,可對圖型尺寸控制、圖型之形 狀控制作任意之調整。本發明之高分子化合物中,具有 C - 0 - C基交聯基與酸不穩定基之含量,爲一可影響抗 蝕膜溶解速度之反差,圖型之尺寸控制、圖型之形狀控制 等抗蝕材料特性之量。 經Μ部中史標讀局消费合竹社印製 本發明之高分子化合物,其重量平均分子量爲 1 ,〇〇〇〜5〇〇,〇〇〇,較佳爲3 , 000〜 500,000。重量平均分子量未達1 ,〇〇〇時會使 抗蝕材料之耐熱性降低,超過5 0 0,0 0 0時會使鹼溶 解性降低,造成解像性劣化。 又,本發明之高分子化合物,若交聯前之基礎樹脂之 分子量分布(Mw/Mn )過廣時,因同時存在低分子量 本紙張尺度適用中國國家;Η專(CNS ) Λ4Η:格(2K)x Γ 一― 546543 五、發明説明约) 或高分子量之聚合物故不易設計交聯數,即不易製造具有 相同功能之抗蝕材料。因此,隨著圖型線路之微細化而更 容易受到此些分子量、分子量分布之影響,所以要得到適 合微細尺寸之抗蝕材料時,分子量分布以1 · 〇〜1 · 5 ’知別是以1 · 0〜1 · 3之狹分布爲佳。但,並非限制 於此範圍,使用分子量分布大於1 · 5者當然也可以實施 〇 本發明之高分子化合物之製造方法,例如可對式(1 )所示具有重複單位之高分子化合物之苯酚性羥基中,導 入式(5 )所示酸不穩定基,經單離後,再與烯醚化合物 或鹵化院醚化合物反應以於分子內及/或分子間以具有 C -〇- C基交聯基交聯之方法,或將烯醚化合物或鹵化 烷醚化合物反應所產生之於分子內及/或分子間具有 C -〇- C基之交聯基進行交聯之方法、經單離後,導入 式(5 )所示酸不穩定基之方法、或將烯醚化合物或鹵化 法醚時合、 } 所 2 方烷同化基 ' }第 之化法氧院 1 Π 。 基鹵方矽級 c C法 定或之聚三 式或方 穩物基子、 有}之 不合定分基 具 I 物 酸化穩高定 用彳合 示醚不之穩 使式化 所烯酸到不 ,下之 }將示所酸 爲 ,} 5 以所法示 法與 a ί 又}方所 方物 5 式中 5 此 }。個合 { 入其{依 6 等1 化式 導,式,彳基第子下 與等入又式院如分 , 應等導。入 ^ 例高與 反式與佳導、、,之物 之方應爲可基言位合 物等反式時烷而單化 合行之方要矽體複醚 化進物之必基具重烯 醚時合行,烷 示乙 院同化進物三 所示
本紙張尺度適用中國國家彳'?隼(CNS ) Λ4« ( 210, ?叼: 32 546543 五、發明説明釦) 個方法例如,使用上記具有式(1 所示重複單位之高 分子化合物與,下式(W )或(观)所示鹵化烷醚化合物 與’下式(5 b )之化合物之方法等。 法 方 1—I 第
/~\ a THX R8lCH 9 II RIC 0}τ 1 3 R1 〇 + A
a THX R8lCH 9 II RIC I 〇 I 3 R1 I B X)- T* Π a- R4 6 R 〇 5 I RIC II H c a 經濟部中史標冷工消費合竹社印製 R 基
R 與 ’ 有 中具 式 2 Q
2 Q
R X 意 、 之 。同 R 目 丰 、 容 ^ 內 記 上
R p p 及且 y ,
ΊΧ Q 2 P
2 P
1—I Q 容 內 記 上 與~ 有K1 具婁 6 碳 R 或 、 子 5 原 R氫 又爲 義 意 之 同 相 鏈 直 之 7 烷 狀 環 或 鏈 支 C 合 爲飽 A 式 ’ 環 中脂 物或 合族 化肪 醚脂 烯之 乙 ο 示 5 所 ~ ) 1 Π 數 (碳 或之 ) ) I 00 { 一 式 2 , 爲 又 C /(V 價
本紙張尺度適用中國國家)八4化格(2丨()〆^ -33- 546543 ____ in — … ------一 一-一** * * — - - —™ - - —w 五、發明説明幻) 烴基、芳香族烴基或雜環基,此些基團中可夾有雜原子, 或與碳原子鍵結之氫原子中之一部分可被羥基、羧基、醯 基或鹵原子所取代;B爲一C〇一〇一、一NHCO —〇 —或一NHCONH —; d爲0或1〜10之整數。 具體而言,A之c價烴基,較佳爲碳數1〜50,特 別是碳數1〜40之可夾有〇,NH,N(CH3) ,S, S〇2等雜原子之未取代或經羥基、羧基、醯基或氟原子取 代之伸烷基,較佳爲碳數6〜5 0,特別是6〜4 0,更 佳爲6〜2 0之伸芳基,該伸院基與伸方基鍵結之基團’ 與上記各基團之碳原子鍵結之氫原子解離之c 價(c 爲3〜8之整數)之基團等等,或c價之雜環基,此些雜 環基與上記烴基鍵結之基團等等。 具體之例示,如A所不之下記內谷。 _本紙張尺ϋ用中國國家ί?'準(CNS ) Λ4八:私(21 ()以W :,、# ) - 34 -
546543 五、發明説明:b ) -CH2CH2- , -(CH2):厂,-CH-CH- , -(CH,), CH3 -ch2-ch- , —CHCH2CH厂,-(CH2)5
I I c2h5 ch3 ch3 I -ch2-c-ch2 I ch3 ch2- ch3ch2-c-ch2
I ch2-ch2-
I
CH3-0-CH2-I ch2- ch2 —(ch2)6— , (y , 一ch2<^>- -{CH2CH20)tCH2CH2- , 4CH2CH2〇feCH2—CH2—, -(CH2)4i〇-(CH2)4 w , -CH2—CH2—〇—CH2—ch2- , -ch2—ch2-〇一ch2—ch2-〇—ch2—ch2 一 CH2—〇一CH—CH2— , — CH—CH2—〇一CH—CH2—〇一(pH—CH2 ch3 ch3 ch3 ch3 ch3 【化2 9】 -35 本紙張尺度適用中國國家彳?率(CNS ) Λ 4 ii:私(210〆? ^ 7 546543 經濟部中史標泠局H〈_T-消费合e社印繁 五、發明説明釭 )
CH.OH -CH2-C-CH2-I CH2〇H CH2OH- ch2-c - ch2- I CH厂 CH广~CH2-C-CH2ch2-
2 H Η V O—CIH Hl O—CIH 1 H Hlclol· HI O—CIH ~ 2 H
2 Η Η V O—CIH I —C—H I HIC— HI O—CIH I I 0H —CH2—f-卜卜 f-CH2-, Η Η Η 【化3 Ο】
本紙张尺度適用中國國家彳’!專(CNS ) Λ4Γί:私(210_χ W) . 36 - 546543 A 7 五、發明説明彡4 ) 經滴部中次桴蜱局只Η,消费合竹社印製
cf3【化3 1】 本紙張尺度適用中國國家彳i率(CNS ) Λ4« ( 2K)x K ) - 37 - 546543 五、發明説明釦) 經滅部中史標设.^J1,n(x消费合e社印製
本紙張尺度適用中國國家d- ( CNS ) ( 210/ G ) -38- 546543 五、發明説明鉍) 式(I )所示化合物,例如可以Stephen, C,Lapin, Polymers Paint Colour Journal 179 (4237) 3 2 1 ( 1 9 8 8 )所載之方法,即將多元醇與多元苯酚 與乙炔反應,或將多元醇與多元苯酚與鹵化烷乙烯醚反應 而成。 式(I )之具體化合物,例如乙二醇二乙烯醚、三乙 二醇二乙烯醚、1 ,2 -丙二醇二乙烯醚、1 ,3 —丙二 醇二乙烯醚、1 ,3 —丁二醇二乙烯醚、1 ,4 一 丁二醇 二乙烯醚、(四甲二醇二乙烯醚)、新戊二醇二乙烯醚、 三羥甲基丙烷三乙烯醚、三羥甲基乙烷三乙烯醚、己二醇 二乙烯醚、1 ,4 —環己二醇二乙烯醚、四乙二醇二乙烯 經濟部中次忭消费合:^社印製 醚、季戊四醇二乙烯醚、季戊四醇三乙烯醚、季戊四醇四 乙烯醚、山梨糖醇四乙烯醚、山梨糖醇五乙烯醚、乙二醇 二乙烯基乙烯醚、三乙二醇二乙烯乙烯醚、乙二醇二丙烯 基乙烯醚、三乙二醇二乙烯基乙烯醇、三羥甲基丙烷三乙 烯基乙烯醚、三羥甲基丙烷二乙烯基乙烯醚、季戊四醇二 乙烯基乙烯醚、季戊四醇三乙烯基乙烯醚、季戊四醇四乙 烯基乙烯醚及下式(I〜1 )〜(I〜3 1 )所示化合物 ,但並非僅限於此些化合物。 本紙張尺度適用中國國家彳?專(CNS ) Λ4悅格(2】0 X ) . 39 - 546543
A 五、發明説明匕7 ch2=ch-och2ch2o 〇ch2ch2〇一ch=ch2 I ~ 1) CH2=CH—〇CH2CH2〇、 /〇CH2CH2〇一ch=ch:
(1—2) ch2=ch—〇ch2ch2〇
och2ch2〇-ch=ch2 1-3) ch2=ch-och2ch2〇
〇ch2ch2〇-ch=ch2 1—4) ch2=ch-och2ch2o
〇ch2ch2〇一ch=ch2 (1—5) CH2=CH-OCH2CH2〇J Λ och2ch2o-ch=ch2 I 一 6) ch2=ch-〇ch2ch2〇 、〇ch2ch2〇—ch=ch2 1-7)
ch2=ch~och2ch2〇A.X 〇ch2ch2〇—ch=ch2 經滅部中次標埤局M.T-消費合竹社印奴 ch3 ch2=ch—〇ch2ch2〇
,〇ch2ch2〇一ch=ch2 〇ch2ch2o—ch=ch2 (I — 8) (1—9〕 【化3 3】 本紙張尺度適用中國國家十l枣(CNS ) Λ4« ( 210, ) -40 - 546543 Λ Γ) 五、發明説明幻 ch^ch-och2ch2o
0CH2CH20-CH=CH2 ( I — 10) ch2=ch—〇ch2ch2.
〇ch2ch2〇—ch=ch2 (I — 11)
och2ch2o-ch=ch2 (I — 12) 1 — 13) CH2=CH-〇
〇一ch=ch2 (I - 14) ch2=ch—〇ch2ch2〇
och2ch2〇—ch=ch2 (I - 15) 經消部中史標^消費合竹社印製 ch2=ch—〇 CH2=CH-〇
〇-ch=ch2 〇-ch=ch2 (1 — 16) I ~ 17) CH产CH-〇*h^^»〇h^^〇—CH=CH2 1—18) 【化3 4 本紙張尺度適用中國國家忾卑(CN$ ) 2】0 x -41 - 546543 經淖部中史標绰杓M.T-消費合竹社印製 五、發明説明细) ch2 普 0-CH=CH, (1—19) 〇
CHfCH—〇
〇 一 ch=ch2 〇一 ch=ch2 CH^CH - 〇
ch2=
o-ch=ch2 【化3 5】 本紙張尺度適用中國國家彳!卑(CNS ) Λ4 π仏、(2丨0 / 2 W' -42- (I - 20) 1—21) I -22) 1—23) (I - 24)
546543 Λ }Γ 五、發明説明4〇 ) ch2=ch-〇
(I — 25) 〇—ch=ch2
o-ch=ch2 (I — 26)
(I - 27) 經滴部中央標緯局Μ H消费合竹社印裝 ch2=ch-〇 CH2=CH-〇
ch3 I ch2chchch2 I ch3
,〇-ch=ch2 〇—ch=ch2 1—28)
•〇-ch=ch2 o-ch=ch2 1—29) 本紙張尺度適用中國國家彳( CNS )八仙:名(210, ?V7:、H -43 - 546543 A' 五、發明説明4ι 【化3 6】
〇—CH—CHe 、〇—CH=CH2 I 一30) och=ch2 och=ch2 och-ch2 CH2=CH-〇
o-ch=ch2 (1—31) 又,B爲一 C〇一 ◦一時之上式(n)化合物,可以 經滅部中央標ί扁Μ二消费合竹社印製 多元羧酸與鹵化烷 時之上式(Π )化 烯醚、苯二酸二乙 、苯二酸二丙烯基 苯二酸二丙烯基乙 二乙烯基乙烯醚、 此內容所限定。 又,本發明中 如可由下式(m ) 化合物與具有異氰 之化合物等等。 乙烯醚反應 合物之具體 烯基乙烯醚 乙烯醚、對 烯醚、馬來 依康酸二乙 較適合使用 、(IV )或 酸酯基之化 而製得。B爲一 c〇一〇一 例如,對苯二酸二乙烯基乙 、間苯二酸二乙烯基乙烯醚 苯二酸二丙烯基乙烯醚、間 酸二乙烯基乙烯醚、福馬酸 烯基乙烯醚等等,但並不受 之含有烯醚基之化合物,例 (v )等具有活性氫之烯醚 合物反應而製得含有烯醚基 -44- III) 546543 五、發明説明冷2 【化3 7】 R丨 CH = C — 〇一ri3 一〇h R1 (IV) τ R8a〜CH = C — 〇 — R13 — NH. (V) (R R 、R 具有與前記內相同之意義) 欲製得B爲一 NHC〇〇 —或—nhC〇NH —時之 上式(Π )所示化合物之方法,可使用例如交聯劑手冊( 大成社刊’ 1 9 8 1年發行)所記載之具有異氰酸酯之化 合物。具體而言例如,三苯基甲烷三異氰酸酯、二苯基甲 火兀一異氰酸酯、甲次苯基二異氰酸酯、2 ,4 一甲次苯基 異 聚物、萘基一 1 ,5 異 經潢部中次標络扁敛J-消费合竹社印製 甲次苯基二異氰酸酯、聚亞甲基苯基異氰酸酯、六亞甲基 二異氰酸酯等聚異氰酸酯型,甲次苯基二異氰酸酯與三羥 甲基丙烷之附加物、六亞甲基二異氰酸酯與水之附加物、 二甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷之附加物等異氰酸酯加 成型等等。上述含有異氰酸酯基之化合物與含有氫之烯醚 化合物反應後,可製得末端具有烯醚基之種種化合物。此 些化合物如下式(Π〜1 ) (Π 〜1 1 所示化合物 但並非 於此些化合物 本紙張尺度適用中國國Aft蜱(CNS ) Λ4丨丨( 2丨(), 45- 546543 Λ CH2=CHOCH2CH2OOCNH-
NHCOOCH2CH2OCH=CH; ch2=choch2ch2oocnh-
(Π -4) 經消部中央標緯局妇X,消費合竹社印製 五、發明説明43 ) 【化3 8】 CH^CHOCHeCHzOOCNH NHCOQCH2CH2〇CH=CH2 ( Π — 1) CH2=CHOCH2CH2OOCNH\/NHCOOCH2CH2OCH=CH2 (Π - 2)
(Π — 3) (Π - 5) NHCOOCH2CH2OCH=CH2 (Π — 6)
【化3 9】 -46- 本紙張尺度適用中國國'木Ί1準(CNS ) Λ4Η:仏(210 X 7广、釤 546543 五 、發明説明44 ο CHa cH2-CHOCH2OOCNH ch2-choch2nhcnh
-nhcooch2och=ch2 -nhcnhch2〇ch=ch2 6 (Π - 9) (Π - 10) CH2-CHOCH2CH2OOCNH-
CH2-<f"^NHC〇〇CH2CH2〇CH=CH2 (Π —11) 上記第1方法中,可將重量平均分子量爲1 ,0 00 〜500 ,〇〇〇,較佳爲分子量分布爲1 · 〇〜1 · 5 之式(1 /)所示高分子化合物之苯酚性羥基中氫原子以 對其全羥基1莫耳,使用pi莫耳之式(I) 、(H)所 所示之化合物反應 —1)或(3a '
、1T 不細酿化合物及Q 1旲耳之式 ’而可製得例如下示之具有式 - 2 )所示之高分子化合物。 經湞部中次標绛局Ηΐ,消費合作社印製 適一度 尺 張 紙 S N C ;ίίν 47 546543 A / 五、發明説明45 )
R2
Ri -iCU2Chr R2
l 〇 R| I ^CH2C)q2^,2 (〇H)m R2
(〇H)y R'-C~R5 I 〇-R6 , (0-R6 R4—C—R5 I 〇 (3 a ’ 一 1)
(〇H)m R2 iCH2Ckr Rl
fCH2Cfer R1 (〇H)y 【化4 1】
R1 R1
(3 a’ 一 2)
本紙张尺度適用中國國家彳1準(CNS ) Λ4 格(2 1 Ο χ ) - 48 - 546543 五、發明説明46 ) (其中,m+n = y,m、n、x、y、pi、p2 、91、口2、1^1、112、尺4、115、1^6、〇等各 自具有與前記內相同之意義。) 反應溶媒可爲二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、四_口夫 喃、乙酸乙酯等非質子性極性溶媒爲佳。且可單獨或二g 以上混合使用。 觸媒之酸中,以鹽酸、硫酸、三氟甲烷磺酸、P __甲 苯磺酸、三氟醋酸、P -甲苯磺酸吡啶鐵鹽等爲佳,其使 用量對反應之式(1 /)所示高分子化合物的苯酚性羥基 中之氫原子之全羥基1莫耳爲0·1〜10莫耳。 反應溫度爲一2〇〜1 0 0°C,較佳爲0〜6 〇。<3, 反應時間爲0 · 2〜1 0 0小時,較佳爲0 · 5〜2 0小 時。 經中次標跨^(二消費合竹社A % 上記反應在不進行單離直接進行時,式(I )或(Π )所示烯醚化合物與式(5 a )所示化合物之添加順序並 無特別之限制,但以先添加式(5 a )所示化合物,待反 應充分進行時再添加式(I )或(Π )所示烯醚化合物爲 佳。例如若將式(I )或(Π )所示烯醚化合物與式( 5 a )所示化合物同時添加,或先添加式(I )或(Π ) 所示烯醚化合物時,式(I )或(Π )所示烯醚化合物中 可進行反應之反應點之一部份因水分之存在而進行加水反 應,使所製得之高分子結構複雜化,而可能會產生物性不 易控制之情形。 第2方法 本紙張尺度適用中國國家代準(CNS ) /\4現估(210χ 2〔Π .49 - 546543
R1 I +p2+q 1 +q2 R2
cr (〇H)y
R9 I A+CHRl3-〇h〇R8〕c Iz (VI) R9 I A-fBK—C—R8〕c Iz (VII) R5 I R4a—CH2-C-〇R6 Iz (5 b) 1 (式中,R 、R ' 5 6 x 、y 8
D 經滴部中次標涛局0只1消费合竹社印裝 、P 2、Q 1、 〇 ΤΛ 4 a 5 6 8 9 n 0 Q2、R > R 、r 及 R 、R 、:r13、a、b、 、d各自具有與上記內容相同之意義,Z爲鹵原子(C 、B r、I )。) 上記式(vi) 、(vn)之化合物或式(5b 物’可將式(I ) 、( Π )之化合物或式( ^ 0 S 物與氯化氫、溴化氫或碘化氫反應而製得。 上記第2方法中,可將重量平均分子量爲 之化合 之化合 0 0 0 本紙張尺度適用中國國家ft準(CNS ) A4A:i ( 210x 50-
546543 五、發明説明4s ) 〜500,〇〇〇,較佳爲對分子量分布爲1 · 〇〜 1 · 5之具有式(1 /)所示重複單位之高分子化合物中 苯酚性羥基1莫耳,使用P 1莫耳之式(VI ) 、( vn )所 示所示鹵化烷醚化合物及Q 1莫耳之式(5 b )所示之化 合物反應,而可製得例如下示之具有式(3a / - 1)、 (3 a / - 2 )所示高分子化合物。 上述製法中,溶媒中以存在鹼之情形下進行爲佳。 反應溶媒例如,乙腈、丙酮、二甲基甲醯胺、二甲基 乙醯胺、四氫呋喃、二甲基硕等非質子性之極性溶媒爲佳 。且可單獨或二種以上混合使用。 鹼可爲三乙胺、吡啶、二異丙胺、碳酸鉀等爲佳,其 使用量對反應之式(1 >)所示高分子化合物之苯酚性羥 基1莫耳爲(P 1 + Q 1 )莫耳以上爲佳。 反應溫度爲一5〇〜1〇〇°c ,較佳爲〇〜6 〇。〇, 反應時間爲0 · 5〜1 0 0小時,較佳爲1〜2 〇小時。 又如上所述般’具有式(I )所示重複單位之高分子 化合物’與式(5 a )或(5 b )化合物反應,而得具有 式(7 )所不化合物後’將其單離,其次再使用式(工) 、(Π )或式(VI )、(训)所示化合物進行交聯亦可。 本紙張尺度適用中國國家榡4M CNS ) ( 210x2g7u ) 546543 五、發明説明49 【化4 3】 R1 R1
(7) 上記第1第2方法所得到之例如具有(3 a / - 1 ) 、(3 a > - 2 )所示之高分子化合物後,必要時可與具 有原式(1 所示之高分子化合物之苯酚性羥基1莫耳 爲Q 2莫耳之二碳酸二烷基化合物、烷氧羰基烷氧化物等 反應或導入式(6 )所示酸不穩定基,三級烷基氧化物、 三院基矽烷基氧化物、羰烷化物等反應,而可製得例如具 有式(3> — 1) 、(3> — 2)所示之高分子化合物。 經湞部中央標準局Η(_τ消t合竹社印製 本紙張尺度適用中國國家彳1、率(CNS) 仏—
210 X -52- 546543 A' 1Γ 經滴部中史標跨局n〈J:消費合竹社印製 五、發明説明釦 【化4 4】 R1
\\^ι ΐ2γ7ρΓ R1 【化4 5】 R丨 I -cru
R2X H c w.
(〇H)m R2
Ri -<CH2C)-q
(〇H)m (0 、 | / 9 、 R4-C-R5 I (CH2)a l 〇-R6 1 门 C=0 I 1 OR7 ' f 〇R7 (0-R6、 I c=o R4-C-R5 1 | (CH2)a v 0 (〇H)m
R1 I
(3 b’ 一 1)
izChr Rl
n j X
R2X
R丨 I 2C)^
R1 R丨 I—(cu2cyq
一 —(CH2Cfe— (〇H)m R2 (〇H)m R2 (0 ) (0 、 1 /〇 / 1 1 Q R^-C-R5 1 (CH2)a 1 0 > y 、〇-R6 ) η C=0 I 1 ^ ΓΛΠ7 / - R2,
~(CH2Cfe~ R1 (〇H)y R1
(〇H)y (3 b’ - 2)
本紙張尺度適用中國國家彳!率(CNS ) A4U:i ( 2】0 χ . 53 - 經滴部中央標潭局員J1消费合作社印製 546543 五、發明説明0 ) 上記導入式(6 )之酸不穩定基之方法中,以溶媒中 存在鹼之情形下進行爲佳。 反應溶媒例如’乙腈、丙酮、二甲基甲醯胺、二甲基 乙醯胺、四氫呋喃、二甲基硕等非質子性之極性溶媒爲佳 。且可單獨或二種以上混合使用。 鹼可爲三乙胺、吡啶、咪唑、二異丙胺、碳酸鉀等爲 佳,其使用量對反應之式(1 /)所示化合物之羧基1莫 耳爲q 2莫耳爲佳。 反應溫度爲0〜l〇〇°C,較佳爲0〜60°C,反應 時間爲0 · 2〜1 0 0小時’較佳爲1〜1 〇小時。 二碳酸二烷基化合物例如,二碳酸二一 t e r t -丁 酯、二碳酸二一 t e r t -戊酯等,烷氧羧基烷基鹵化物 例如t e r t - 丁氧羧甲基氯化物、t e r t —戊氧羧甲 基氯化物、t e r t — 丁氧羧甲基溴化物、t e r t —戊 氧羧乙基氯化物等,三烷基矽烷基鹵化物例如三烷基矽烷 基氯鹵化物、二甲基一 t e r t -丁基矽烷基氯化物等。 又可於上記第1或第2方法所製得之具有式(3 / -1 ) 、( 3 / - 2 )所示之高分子化合物上,必要時可對 具有原式(1 /)所示之高分子化合物之苯酚性羥基1莫 耳爲Q 2莫耳之三級烷化劑、羰烷基化合物等反應使其三 烷基化或羰烷化等。 上記方法中,以溶媒中存在酸之情形下進行爲佳。 反應溶媒可爲二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、四氫呋 喃、乙酸乙酯等非質子性極性溶媒爲佳。且可單獨或二種 本紙張尺度適用中國國家;j’?、準(CNS ) ( 2丨. 54 -
546543 五、發明説明纟2 ) 以上混合使用。 作爲觸媒之酸,以鹽酸、硫酸、三氟甲烷磺酸、P — 甲苯磺酸、三氟醋酸、P -甲苯磺酸吡啶鐵鹽等爲佳,其 使用量對具有原式(1 ―)所示高分子化合物之苯酚性羥 基之1莫耳爲0 · 1〜1 〇莫耳%爲佳。 反應溫度爲一 2 0〜1 0 0 C,較佳爲0〜6 0 C ’ 反應時間爲0 · 2〜1 0 0小時,較佳爲0 · 5〜2 0小 時。 三級烷化劑例如,異丁烷、2 -甲基一 1 一 丁烷、2 一甲基一 2 - 丁烷等,羰烷化合物例如α -當歸內酯、2 一環己基一 1 一酮、5,6 —二氫一 2Η —吡喃—2 —酮 等。 又可在不經由式(3a/ — l) 、(3a>-2)所 示高分子化合物,而直接在具有下式(3c > - 1)、( 3 c / - 2 )所示重複單位之高分子化合物上導入式(6 )所示之酸不穩定基、三級烷基、三烷基矽烷基、羰烷基 等後,再依必要性導入式(5 )所示酸不穩定基。 經消部中央標蜱局KT-消費合竹社印繁 本紙張尺度適用中國國家棺準(CNS) Λ⑽:估() -55- 546543 Λ丨 1Γ: 五、發明説明系3【化4 6】
R1I
R丨 I
νν^ιι2γ;ρΐ ν^Ιΐ2γ;ς1+ς2+ρ2 (3 c ’ 一 1) R1 R1 【化4 7】
Rl
Rl 經滅部中史標泠局MT-消費合竹社印製
本紙張尺度適用中國國家柊準(CNS )八4化抓(210 χ ) (3 c ’ 一 2) (¾^間-¾ ^:而之注仑爹項A楨朽本B )
-56- 經滴部中央標緯局:uc T:消費合竹H印製 546543 五、發明説明鉍) (式中,Ri、R2、Q、pl、p2、ql、q2、 x ' y等各自具有與前記內相同之意義。) 本發明之高分子化合物中,R 3之酸不穩定基並不定爲 一種’其亦可導入二種以上。此情形中,對具有式(1 ->所示之高分子化合物之全羥基1莫耳可將Q 1莫耳之酸 不穩定基以上述方式導入後,再依上述方法導入q 2莫耳 t與其不同之酸不穩定基後,可得到導入2種酸不穩定基 或經適當操作所得之經導入2種以上酸不穩定基之高分子 化合物。 本發明中,基礎樹脂可使用2種以上上記之高分子化 合物。即,可將2種以上具有不同重量平均分子量、酸不 穩定基含有率、交聯基含有率、酸不穩基種類或交聯基種 類之高分子化合物作組合。 其中,上記高分子化合物中,若以不同重量平均分子 量作組合時,以重量平均分子量爲2 0,0 0 0〜 500,〇〇〇,較佳爲 20,000 〜100,〇〇〇 ’更佳爲20,000〜50,000之高分子化合物與 重量平均分子量爲1,000〜20,000,較佳爲 3 ,〇〇〇〜2〇,〇〇〇,更佳爲5 , 000〜 20 ,〇〇〇之低分子化合物,以重量比爲5 : 5〜2〇 :8 0之比例,較佳爲9 5 : 5〜4 0 ·· 6 0之比例,更 佳爲9 0 ·· 1 0〜5 0 : 5 0之比例混合,此種混合可改 進與各種基板之密著性。又,高分子量高分子化合物與低 分子量化合物之重量平均分子量差爲1,0 0 0〜 〜-------------------- —__ ___________ 本紙張尺度適用中國國家樣隼(CNS ) Λ个《 ( ㈧7 ) . 57~^一一 一~ (邻1間讀^::而之:Hft麥項本Ώ )
546543 五、發明説明έ5 ) …― 一 4 0 0,◦ 〇 〇,較佳爲 3 ,Q 〇 〇 〜工 〇 〇,〇 〇 〇, 更佳爲3 ,〇〇〇〜50 ,〇0〇爲宜。 又使用不同酸不穩定基率、交聯基率進行組合時,若 使用相同種類酸不穩定基及/或具有交聯基之高分子時, 以酸不穩定基及/或父聯基之取代率差爲8莫耳%以內, 特別是5莫耳%以內,更佳爲3莫耳%以內之高分子化合 物,以重量比爲99 : 1〜5〇 : 5〇,較佳爲95 : 5 〜50 : 50 ,更佳爲9〇:1()〜5〇 : 5〇之比例混 合爲佳。經此種混合方式,對於製作抗蝕膜之膜衰減,可 在不損及抗蝕膜之性能下抑制製造上之品質不均等問題。 使用不同種類之酸不穩定基及/或具有交聯基之高分子化 合物時’酸不穩定基及/或交聯基之取代率差在上記範圍 以外時也可以作任思之組合,但以在該範圍內者爲佳。 經滅部中次標纹局KJ-消費合竹社印製 又,使用不同種類之酸不穩定基及/或具有交聯基之 高分子化合物進行組合時’在滿足抗鈾之特性上可對酸不 穩定基種類及/或交聯基種類作任意之組合。較佳之組合 方式爲,上記內容記載之(3a > — 1)或(3a / — 2 )所示高分子化合物與(3b — - 1)或(3b 2) 所示高分子化合物。其中,下式所示(3 a / - 1 )或( 3a > - 2)所示高分子化合物與(3b / — 1)或( 3 b / — 2 )所示高分子化合物中之R4、R5、R6可爲 相同或不同。又,此情形中,所組合之高分子化合物間之 各分子內並不需要所有的酸不穩定基種類、交聯基種類皆 需爲不同之種類。 _本紙張尺度適用中國國家:準(CNS ) Λ4·ΓΤ7ι〇〆 297:^ ) _ 58 _ 〜—— 546543 Λ Π 五、發明説明的) 本發明之抗蝕材料,可將上記高分子化合物作爲基礎 聚合物方式使用,且含有下記成分: (A )有機溶劑、 (B )將2種以上上記式(1 )、較佳爲式(2 )、 更佳爲式(3 )之高分子化合物,較佳爲2種以上上記化 合物中,具有不同重量分子量、酸不穩定基含有率、交聯 基含有率、酸不穩定基種類或交聯基種類之高分子化合物 之組合所得之組合物、 (C )酸產生劑。 此時,本發明之抗蝕材料可再加入上記式(A )〜( C)成分,或可再含有1種或2種以上下記式(D)〜( I )成分: (D )鹼性化合物、 (D )脂肪族胺、 (E) 分子內具有一COOH基之芳香族化合物 Λ 經滅部中次標埤局Μ π消費合竹社印製 (F) :與(Β)成分不同之其他基礎樹脂,且具有 下式(1)所示重複單位之重量平均分子量3 ,000〜 3 0 0,〇 〇 〇之高分子化合物,其中苯酚性羥基中氫原 子被1種或2種以上之酸不穩定基以全體之〇莫耳%以上 8 0莫耳%以下之比例部分取代; (G )溶解控制劑、 (Η )紫外線吸收劑、 (I )炔醇衍生物。 本紙張尺度適用中國國家枵率(CNS ) ( 21(Kx ) . c〇T一" 546543 五、發明説明$7 【化4 8】
(1) (〇H)y (R 爲氫原子或甲基;R2段 舄碳數1〜8之直鏈、古 鏈或環狀烷基;又,X爲0或正敕細 又 &數、y爲正整數、 滿足x+y^5之數;)。 场 本發明之抗蝕材料可用於正_1& 此组或負型抗蝕材料,特別 是可用於增強化學型之抗鈾材料,R % ' ^ 且適用於鹼性水溶液作 爲顯像液之增強化學型之抗蝕材& ^ 列料。又,用於負型抗蝕材 料時,則以有機溶液作爲顯像劑。 經漓部中史標^消费合竹社印製 其中’本發明所使用之(A )成分有機溶劑,只要是 可以溶解酸產生劑、基礎樹脂、溶解控制劑等之有機溶媒 皆可以使用。此有機溶劑例如,環己酮、甲基一 2 — η — 戊酮等酮類;3 —甲氧基丁醇、3 —甲基一 3 —甲氧基丁 醇、1 一甲氧基一 2 —丙醇、1 一乙氧基一 2 —丙醇等醇 類;丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚 、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚 等醚類;丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯 、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、3 —甲氧基丙酸甲 丁酯、丙酸 -60 酯、3 —乙氧基丙酸乙酯、乙酸t e 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4圯仏.(2丨0〆:、、 546543 五、發明説明紐 ) t e r t 一丁酯、丙酸乙二醇一單一 t e r t — 丁醚乙酸 酯等酯類,其可單獨1種或2種以上混合使用,且不限定 於上述化合物。本發明中,此些溶劑中對抗蝕成份中酸產 生劑之溶解性最優良的除二乙二醇二甲基醚或1 一乙氧基 - 2 -丙醇、乳酸乙酯以外,其他如作爲安全溶劑之丙二 醇單甲基醚乙酸酯及其他混合溶劑皆可以配合使用。 (C )成分之酸產生劑,例如式(1 1 )之鏺鹽、式 (1 2 )之二偶氮甲烷衍生物、式(1 3 )之乙二肟衍生 物、/3 -酮磺酸衍生物、雙硕衍生物、硝基苄磺酸衍生物 、磺酸酯衍生物、亞胺基磺酸酯衍生物等等。
(R30) bMT (11) (式中,R3°爲碳數1〜1 2之直鏈、支鏈或環狀烷 基、碳數6〜2 0之芳基或碳數7〜1 2之芳烷基, Μ 1爲碘鏺、銃鹽;K ~爲非親核性對向離子,b爲2或3 )° 經濟部中次標缚^h二消费合竹社印裝 R 之烷基可爲甲基、乙基、丙基、丁基、環己基、 2 -鑛:己基、降冰片院基、金剛院基等。芳基可爲苯基 ,p —甲氧苯基、m —甲氧苯基、◦—甲氧苯基、乙氧苯 基、P—t e r t -丁氧苯基、m—t e r t — 丁氧苯基 等丨兀联本基’ 2 —甲本基、3 —甲苯基、4 一甲苯基、乙 苯基、4 一 t e r t -丁苯基、4 一 丁苯基、二甲苯基等 院基苯基;芳院基例如苄基、苯乙基等。K 一之非親核性 對向離子例如,氯化物離子、溴化物離子等鹵化物離子、 適用中國國家樣準(CNS ) ( 210 χ 297 :Λ f- ~ ~ 546543 五、發明説明如) 三聚物、1 ,1 ,1 一三氟乙烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯 胃胃烷磺酸酯;曱苯磺酸酯、苯磺酸酯、4 -氟苯磺酸酯 ' 1 ’ 2 ,3 ,4,5 -五氟苯磺酸酯等芳基磺酸酯;甲 石黃@变酯、丁烷磺酸酯等烷基磺酸酯等。 【化4 9】
R R 1 2 〇 s 2 -N=c 1 2 〇 s \uy 2 IX /fv 經潢部中次標譚局消费合竹社印狀 (式中,R ^R32爲碳數1〜12之直鏈、支鏈或 環狀烷基或鹵化烷基、碳數6〜1 2之芳基或鹵化芳基或 碳數7〜12之芳烷基)。 上記R31、R32之烷基可爲甲基、乙基、丙基、丁基 、戊基、環戊基、環己基、降冰片烷基、金剛烷基等。鹵 化烷基可爲三氟甲基、1,1 ,1一三氟乙基、1 , 1 , 1 -三氯乙基、九氟丁基等。芳基可爲苯基,p —甲氧苯 基、m —甲氧苯基、〇 —甲氧苯基、乙氧苯基、p 一 t e r t -丁氧苯基、m— t e r t -丁氧苯基等烷氧苯 基,2 —甲苯基、3 —甲苯基、4 —甲苯基、乙苯基、4 —t e ]: t — 丁苯基、4 一丁苯基、二甲苯基等烷基苯基 ;鹵化芳基可爲氟苄基、氯苄基、1 ,2,3 ,4,5 — 五氟等;芳烷基例如苄基、苯乙基等。
本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Λ川:彳Μ 2丨Ox ) 546543 五、發明説明如) R33〜
R3<, R35 I
S 〇2 —〇 一N = C — C 二N —〇一S 〇2 — R (13) (式中,R 、R 、R 爲碳數1〜12之直鏈 、支鏈或環狀院基或鹵化院基、碳數6〜1 2之方基或鹵 化芳基或碳數7〜1 2之芳烷基。又R34、R35可相互鍵 結形成環狀構造,形成環狀構造時,R 3 4、R 3 5各自爲碳 數1〜6之直鏈或支鏈伸烷基)。 R 、R 、R 爲之院基、鹵化院基、芳基、鹵 化芳基、芳烷基,其內容與R 3 1、R 3 2說明之內容相同。 又,R 3 4、R 3 5之伸烷基則例如伸甲基、伸乙基、伸丙基 、伸己基等。 具體而言,例如三氟甲烷磺酸二苯基磺鐵、三氟甲烷 磺酸(p - t e r t —丁氧苯基)苯基磺鐵、p —甲苯磺 酸二苯基碘鏺、p 一甲苯磺酸(p — t e r t — 丁氧苯基 )苯基磺鏺、三氟甲烷磺酸三苯基銃、三氟甲烷磺酸(p t e r t 苯基锍、三氟甲烷磺酸雙(p 經湞部中次標绛局”只-τ.消費合竹社印製 tert-丁氧苯基)苯基锍、 氟甲烷磺酸
P tert-丁氧苯基)銃、p—甲苯磺酸三苯基锍、p 甲苯磺酸(P — t e r t -丁氧苯基) 苯磺酸雙(P - t e r t —丁氧苯基)苯基銃、p —甲苯 磺酸三(P - t e r t -丁氧苯基)锍、九氟丁烷磺酸三 苯基銃、丁烷磺酸三苯基銃、三氟甲烷磺酸三甲基銃、p -甲苯磺酸三甲基锍、三氟甲烷磺酸環己甲基(2 —羰環 苯基銃、p —甲 本紙張尺度適用中國國家樣隼(CNS ) ( 1 ) -63-
546543
A 五、發明説明遠1 己基)銃、P —甲苯磺酸環己甲基(2 三氟甲烷磺酸二甲基苯基銃、P —甲苯磺 、三氟甲烷磺酸二環己基苯基锍、P —甲 苯基銃、三氟甲烷磺三萘基銃、 2 -羰環己基)锍、 氟 基(2 -羰環己基)锍、 銃三氟甲烷磺酸酯〕、1 聚物等鐵鹽、雙(苯磺醯 磺醯基)二偶氮甲院、雙 甲烷 乙烯 ,2 基) 氧環己基)锍、 酸二甲基苯基銃 苯磺酸二環己基 磺酸環己甲基( 磺酸(2 —降冰片烷基)甲 雙〔甲基(2 —羰環戊基) 藏甲院 萘基羰甲基四氫硫鹽三 、雙(P —甲苯 )二偶 雙( 甲烷、雙(η - 丁基磺 二偶氮甲烷 甲苯磺醯基 、雙(環戊 二偶氮甲烷 醯 偶氮甲烷、雙 烷、雙(η -丙基磺醯 基) 院、 雙( 院、雙(n -戊基磺醯 雙( 戊基 基) 偶 烷、 偶氮甲烷 基) s e )~~*偶氣甲院、 e r )二 e c c 一丁基 t 一 丁基磺 偶氮甲烷、 、雙( 醯基) 雙(異 醯基) 雙(異 經消部中次標蜱局MJ:消費合竹社印製 、雙(t e r t -擴釀基一 1— ( t -環己基磺醯基- 甲烷、 s 擴 e r t 1 一 ( 一戊 醯基 )二偶氮甲 丁基磺醯基) 氮甲烷、 )二偶氮 異丁基磺 二偶氮甲 丙基磺醯 二偶氮甲 戊基磺醯 偶氮甲烷 -環己基 甲烷、1 烷、1 二偶氮 r t 一戊基磺醯基 醯基一 1 — ( t e 物。雙 t 6 —t e r t -戊基磺 二偶 二甲 基乙二肟、雙一 基磺醯基)二偶氮甲烷等 P -甲苯磺醯基) 甲苯磺醯基)一α a 烷 乙二肟、雙 〇 〇 磺醯 二環 雙 〇
一 (P )二偶氮 r t 一丁 一 〇 -( 一(P -P —甲苯 一甲苯磺 本紙張尺度適用中國國家«準(CNS ) -64- 546543 五、發明説明紅) 醯基)一 2 ,3 —戊二醇乙二肟、雙一 〇— (P —甲苯磺 醯基)一 2 —甲基一 3 ,4 一戊二酮乙二肟、雙一 〇 —( η -丁烷磺醯基)一 α —二甲基乙二肟、雙一 〇 —(η — 丁烷磺醯基)一α—二乙基乙二肟、雙一〇—(η—丁烷 磺醯基)一 α —二環己基乙二肟、雙一 ◦一(η — 丁烷磺 醯基)一 2 ,3 -戊二醇乙二肟、雙一 〇 —(η — 丁烷磺 醯基)一 2 —甲基3 ,4 一戊二醇乙二肟、雙一 〇 — (甲 烷磺醯基)一 α -二甲基乙二肟、雙一 〇 —(三氟甲烷磺 本纸張尺度適用中國國家柯、準(CNS ) Λ4Κ格(210x ) _ 05 -
三 r 氟磺 α | } | 乙苯基二磺 3 磺等 _ e 全烷 | α 醯 ^ 基甲醯等苯,烷苯 ltcs} I 磺 I 甲 I 磺砸甲 2甲} ,丨 I 環基 }苯} 二 P 苯二 I ,氣基 II o C 醯基基基 I - 甲基 p 1 三氧 ,〇| 一磺醯丁醯 αι I 己 、·,{ 醯 1 I 雙 ο 苯磺 I 磺 I 2 Ρ 環酯物三磺 {雙 、一丨苯 r 苯 } 一彳二苯生 i 苯 I 、肟雙 I 基 t 甲基基一 、腈衍 3 甲 ◦ 肟二 、o 氟 e 二醯碳 CXI 硕二酯,I I 二乙肟 i I t C 磺基 I 二 I 酸 2 P 雙乙基二雙 P I I 烷己基苯 6 磺,{ 、基甲乙 、c P 〇 莰環醯二,基 1 三 15甲二基肟 | c I c I 磺;2 苯 、一 二二 I 甲二 ο I 雙 I 2 基物酸腈苯 3 乙 I α 一一乙 I ο 、◦。丙生磺等 }, 基 α I | 基雙 I 肟 I 物異衍苯酯氧 2 甲 | } ^ 甲 、雙二雙生 I 硕甲苯基, 二 } 基 I 二肟、乙、衍 2 氧 I 腈醯 1 I 基醯 } I 二肟基肟肟 、I Ρ 二磺 、 α 醯磺基 α 乙二甲二二烷 Θ 、一 烷苯 I 磺烷醯 I 基乙二乙乙丙等物 4 甲} }垸^^^擴} 甲基 I 基等 } 院生,丨氧 基乙 I 烷基二甲 ^ 甲肟醯丙衍 2 三基 醯氟t 辛醯 | 二 I 二二磺}砸酸 I 醯 經滴部中次標準局MJ1消費合竹社印製 546543 五、發明説明幻) 石黃酸酯衍生物。鄰苯二甲醯亞胺一基一苯磺醯酯、鄰苯二 甲_亞胺一基一甲苯磺醯酯、5 一降冰片烷基一 2 ,3 一 二羧亞胺一基一苯磺醯酯、5 -降冰片烷基一 2,3 -二 羧亞胺—基—甲苯磺醯酯、5 一降冰片烷基一 2,3 —二 竣亞胺一基_ η 一丁基磺酸酯等亞胺一基一磺酸酯衍生物 一^氣甲院礦酸二苯基硫、二氯甲垸礦酸(ρ — t e r t 一丁氧苯基)二苯基銃、三氟甲烷磺酸三(p — t e I· t 一丁氧苯基)銃、p-甲苯磺酸三苯基毓、p—甲苯磺酸 (P - t e r t — 丁氧苯基)二苯基硫、P —甲苯礦酸二 (P — t e r t - 丁氧苯基)銃、三氟甲烷磺酸三萘基锍 、=氟甲烷磺酸環己基甲基(2 —羰環己基)銃、三氟甲 烷磺酸(2 -降冰片烷基)甲基(2 —羰環己基)銃、1 ’ 2 / -萘羧甲基四氫硫苯基三聚物等鏺鹽、雙(苯磺醯 基)二偶氮甲烷、雙(P —甲苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙 (環己基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(η -丁基磺醯基)二 偶氮甲烷基、雙(異丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙( s e c -丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(η -丙基磺醯基 經满部中央標率局員工消費合竹杜印製 )二偶氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙( t e r t —丁基磺醯基)二偶氮甲烷等二偶氮甲烷衍生物 、雙一〇 —(P —甲苯磺醯基)一 α —二甲基乙二肟、雙 一 0 —(ΙΊ 一丁院擴酸基)一(2 — __*甲基乙一等乙*月5 衍生物爲佳。又,上記酸產生劑可單獨1種或2種以上組 合使用。鏺鹽有提高矩形性之優良效果,二偶氮衍生物及 乙二肟衍生物具有優良之降低定在波之效果,兩者之組合 本紙張尺度適用中國國家彳,1專(CNS ) Λ4Η:格(210 >09? Γ . 一― 546543 五、發明説明知) 可對圖型外形進行微調整。 酸產生劑之添加量’對基礎樹脂1 〇 〇份較佳爲 〇· 2〜1 5份,更佳爲〇 . 5〜8份。少於〇· 2份時 因曝光時酸產生量極少,會產生感度及解像力不佳之情形 ’多於1 5份時抗蝕材料透過率降低’而會產生解像力劣 化的情形。 (D )成份之鹼性化合物,以可抑制因酸產生劑產生 之酸在光阻膜內之擴散速度之化合物爲佳,而添加此鹼性 化合物可抑制光阻膜中酸之擴散速度使解像度提高,抑制 曝光後之感度變化,降低基板或環境之依賴性,提高曝光 之寬容度或圖型之外觀等,如特開平5 — 2 3 2 7 0 6號 ,5 — 249683 號、5 — 158239 號、5 — 249662 號、5 — 257282 號、5 — 289322號、5 — 28934 0號公報記載之內容) 〇 經滴部中次標續局y Η消費合竹社印製 此鹼性化合物例如可爲第1級、第2級、第3級脂肪 族胺類、混合胺類、芳香族胺類、雜環胺類,具有羧基之 含氮化合物、具有磺醯基之含氮化合物、具有羥基之含氮 化合物、具有羥苯基之含氮化合物、醇性含氮化合物、醯 胺衍生物、亞胺衍生物等,其中又以脂肪族胺爲最佳。 具體而言,第1級脂肪胺例如尿素、甲基胺、乙基胺 、η—丙基胺、異丙基胺、n-丁基胺、異丁基胺、 sec -丁基胺、t — 丁基胺、戊基胺、t 一戊基胺、環 戊基胺、己基胺、環己基胺、庚基胺、辛基胺、壬基胺、 本紙張尺度適用中國ϋ隼(CNS ) Γ^Κ) χ;7 :、、g 546543 五、發明説明缸) 癸基胺、月桂基胺、十六烷基胺、亞甲基二胺、亞乙基二 胺、四乙烯基戊胺等;第2級脂肪胺族類例如,二甲基胺 、二乙基胺、二一η-丙基胺、二異丙基胺、二一n一丁 基胺、二異丁基胺、二一 s e c - 丁基胺、二戊基胺、二 環戊基胺、二己基胺、二環己基胺、二庚基胺、二辛基胺 、二壬基胺、二癸基胺、二月桂基胺、二鯨蠘基胺、N, N —二甲基亞甲基二胺、N,N —二甲基亞甲基二胺、n ,N -二甲基四亞乙基戊胺等;第3級脂肪族胺類例如, 三甲基胺、三乙基胺、三一n—丙基胺、三異丙基胺、三 一 η -丁基胺、三異丁基胺、二—s e c - 丁基胺、三戊 基胺、三環戊基胺、三己基胺、三環己基胺、三庚基胺、 三辛基胺、三壬基胺、三癸基胺、三月桂基胺、三鯨鱲基 胺、N,N,N^ ,N/ —四甲基亞甲基二胺、N,N, N,,N^ —四甲基亞甲基二胺、N,N,N,,N,一 四甲基四亞乙基戊胺等。 又,混合胺類例如,二甲基乙基胺、甲基乙基丙基胺 、戊基胺、苯乙基胺、苄基二甲基胺等。芳香族胺類及雜 環胺類之具體例如,苯胺衍生物(例如苯胺、N -甲基苯 胺、N -乙基苯胺、N —丙基苯胺、N,N —二甲基苯胺 、2—甲基苯胺、3—甲基苯胺、4一甲基苯基、乙基苯 胺、丙基苯胺、三甲基苯胺、二硝基苯胺、3 -硝基苯胺 、4 一硝基苯胺、2,4 一二硝基苯胺、2,6 -二硝基 苯胺、3 ,5 -二硝基苯胺、N,N —二甲基苯胺等)、 二苯基(P -甲苯基)胺、甲基二苯基胺、三苯基胺、亞 本紙張尺度適用中國、導(CNS ί Λ伙怡(210 Ύ厂d ) - 68~~ 546543 1 T— — …·一 本基一胺、萘基胺、二氨基萘、Dfi略衍生物(例如D[t咯、 2 Η〜吡略、1 一甲基吡略、2 ,4 —二甲基吡略、2 , 5 —甲基吼略、Ν -甲基吼略等)、β惡π坐衍生物(例如 經消部中失標讀局S.X消f合作社印製 嚼唑、異噁唑等)、噻唑衍生物(例如噻唑、異噻唑等) 、咪唑衍生物(例如咪唑、4 一甲基咪唑、4 一甲基一 2 -苯基咪唑等)、吡唑衍生物、咲喃衍生物、吡咯啉衍生 物(例如吡咯啉、Ν -甲基吡咯啉、吡咯烷酮、ν —甲基 吡咯烷酮等)、咪唑啉衍生物、咪唑並吡啶衍生物、吡啶 衍生物(例如吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、丁 基吼啶、4 一( 1 一丁基吡啶)吡啶、二甲基吡啶、三甲 基吡啶、三乙基吡啶、苯基吡啶、3 -甲基一 2 —苯基吡 D定、4 一 t 一丁基吡啶、二苯基吡啶、戊基吡啶、甲氧基 吡啶、丁氧基吡啶、二甲氧基吡啶、1 一甲基一 2 —吡咯 酮、4 一吡咯烷吡咯、1 —甲基一 4 一苯基吡啶、2 —( 1 -乙基丙基)吡咯、氨基吡咯、二甲基氨基吡啶等)、 噠嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、吡唑啉衍生物、 口比_烷衍生物、哌啶衍生物、哌嗪衍生物、嗎啉衍生物、 吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1 Η -吲唑衍生物、吲哚啉 衍生物、喹啉衍生物(例如喹啉、3 -喹啉羧腈等)、異 喹啉衍生物、噌啉衍生物、喳唑啉衍生物、喹喔啉衍生物 、酞嗪衍生物、嘌呤衍生物、喋啶衍生物、咔唑衍生物、 菲繞啉衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、1 ,1 〇 -菲 繞啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍生物 、鳥脊衍生物、尿喷D定衍生物、尿嗪衍生物等等。 本紙張尺度適用中國國H举(CNS ) Λ4 仏(210 X Λ t ) - 69 _ 546543 五、發明説明) 又,具有羧基之含氮化合物,例如氨基安息香酸、吲 哚羧酸、氨基酸衍生物(例如尼古丁酸、丙氨酸、精氨酸 、天冬氨酸、枸椽酸、甘氨酸、組氨酸、異賴氨酸、甘氨 醯白氨酸、白氨酸、蛋氨酸、苯基丙氨酸、蘇氨酸、賴氨 酸、3〜氨基吡啶一 2 -羧酸、甲氧基丙氨基)等例;具 有磺酸基之含氮化合物例如3 -吡啶磺酸、P -甲苯磺酸 吡啶鏺等;具有羥基之含氮化合物,具有羥苯基之含氮化 合物、醇性含氮化合物等例如,2 -羥基吡啶、氨基甲酚 、2 ’ 4 一喹啉二醇、3 —吲哚甲醇氫化物、單乙醇胺、 二乙醇胺、三乙醇胺、N —乙基二乙醇胺、N,N —二乙 基乙醇胺、三丙醇胺、2 ,2 / -亞氨基二乙醇、2 —氨 基乙醇、3 -氨基—1 一丙醇、4 一氨基一 1 一 丁醇、4 一(2 —羥乙基)嗎啉、2 —( 2 —羥乙基)吡啶、1 一 (2 —羥乙基)哌嗪、1 —〔 2 — ( 2 —羥乙氧基)乙基 〕_嗪、哌嗪乙醇、1 一 ( 2 _羥乙基)吡咯烷、1 一 ( 2 -經乙基)—2 — 1:1比咯院酮、3 -吼略院酮基一 1 ,2 經滅部中次標率局B二消费合竹社印餐 一丙二醇、3 -吡咯烷酮基一 1,2 —丙二醇、8 —羥久 洛尼啶、3 —喂啶醇、3 —托品醇、1 一甲基一 2 —吡啶 乙醇、1 一氮雜環丙烷乙醇、N -( 2 -羥乙基)肽醯亞 胺、N —( 2 -羥乙基)異尼古丁醯胺等等。醯胺衍生物 例如,甲醯胺、N —甲基醯胺、N,N —二甲基醯胺、乙 醯胺、N —甲基乙醯胺、N,N —二甲基乙醯胺、丙醯胺 、戊醯胺等。亞胺衍生物則例如酞醯亞胺、琥珀醯酵亞胺 、馬來亞胺等等。 本紙張尺度適用中國國家柷準(CNS ) Ad ( 210, ?〔厂/_ 70 - % 每^‘部中央、 發明説明細) 又,可再添加式(1 5 )及(1 6 )所示鹼性化合物 【化5 1】 CH2CH2O (R^11 0)s~R/1/1 N-CH2CH20(R42-0)t-R^ CI^CHARtC%—R46 CH2CH20(R47-0)s~R^ Y - CH2CH2〇(IT—〇)T-R5。 H (式中,R 4 1、 (14) (15)
R
R
R R 4 8各自獨立
鹰鏈、支鏈或環狀之碳數1〜20之伸烷基、R
R
R 4 9 R5()爲氣原子、碳數1〜2 0之院 '磲氨基,R44 與 R45、R45 與 R46、r44 與 R b " \ 4 d 一 5 η 4 fi τ-k 4 9 Cfc-t -1^ 5 0
與R 4 5與R R 4 9與r 5 Q可各自鍵結形成環 % % τ · U各自爲〇〜20之整數。但當S · T · ϋ ’ R 4 4 其中 δ炭數1 Ο R45、R46、R49、R5Q 不含氫原子)。 R41、R42、R43、R47、R48 之伸烷基可 20,較佳爲1〜l〇,更佳爲碳數1〜8之 垸基,具體而言,例如,伸甲基、伸乙基、η -伸丙基 、骞伸丙基、η-伸丁基、異伸丁基、η—伸戊基、異伸 戊基、伸己基、伸壬基、伸癸基、環伸戊基、環伸己基等 %。 又
R 5 ^之烷基例如 R 4 4、R 4 5、R 4 6 碳數1〜2 0,較佳爲1〜8,更佳爲碳數1〜6之烷基 ’其可爲直鏈、支鏈、或環狀。具體而言例如,甲基、乙
R 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Λ4圯怡 21 Οχ 29'/ }:; -71 - 546543 五、發明説明鉍) 基、η -丙基、異丙基、η— 丁基、異丁基、t e r t -丁基、η-戊基、異戊基、己基、壬基、癸基、月桂烷基 、十三烷基、環戊基、環己基等。 又,R44 與 R45、尺45與尺46、R44 與 R46、 R 4 4與R 4 5與R 4 6、R 4 9與R 5 Q形成環時,於環之碳數 爲1〜20 ,更佳爲1〜8,最佳爲1〜6 ,又此些環之 碳數1〜6,特別是1〜4之烷基可具有支鏈。 S . T . U各自爲0〜20之整數,更佳爲1〜10 ,最佳爲1〜8之整數。 上述(1 4 )、 ( 1 5 )之化合物其具體例如,反{ 2 — (甲氧甲氧基)乙基}胺、反{2 — (甲氧乙氧基) 乙基}胺、反〔2 — { (2 —甲氧乙氧基)甲氧基}乙基 經滴部中央標埤局消費合竹社印製 〕胺、反{2 — (2 —甲氧乙氧基)乙基}胺、反{2 — (1 一甲氧乙氧基)乙基}胺、反{2 — (1 一乙氧乙氧 基)乙基}胺、反{2 —(1 一乙氧丙氧基)乙基}胺、 反〔2 — { (2 —羥乙氧基)乙氧基}乙基〕胺、4 ,7 ,13 ,16 ,21 ,24 —六氧一1 ,10 —二氮雜二 環〔8,8 ,8〕二十六烷,4,7,13,18 —四氧 —1 ,10 -二氮雜二環〔8,5,5〕二十烷,1 ,4 ,10,13 —四氧—7,16 —二氮雜二環十八烷、1 —氮雜—12 —冠—4,1—氮雜—15 —冠—5 ’ 1 — 氮雜一 1 8 -冠一 6等等。特別是3級胺、苯胺衍生物、 吡咯烷衍生物、吡啶衍生物、喹啉衍生物、氨基酸衍生物 、具有羥基之含氮化合物、具有羥苯基之含氮化合物、醇 本紙張尺度適用中國國家柊準(CNS ) Λ4化格(210x29) d ) . 72 - 546543 五、發明説明fo ) 性含氮化合物、醯胺衍生物、亞胺衍生物、反{ 2 一(甲 氧甲氧基)乙基}胺、反{ (2 — (2 —甲氧乙氧基)乙 基)胺、反〔2 — { (2 —甲氧乙氧基)甲基丨乙基〕胺 、1—氮雜—15 —冠一 5等爲佳。 上記鹼性化合物可可單獨1種或2種以上組合使用’ 其添加量對全部基礎樹脂100份爲〇♦〇01〜2份’ 較佳爲0 · 0 1〜1份。添加量未達〇 · 〇 1份時添加劑 之效果未能充分發揮,超過2份時感度會降低過多。 又,本發明之光阻材料,可再添加(E )成份之分子 內具有eC — C00H基,較佳爲具有一 R57 一 C〇〇H (R 5 7爲碳數1〜1 0之直鏈或支鏈伸烷基)基之芳香族 化合物, 例如可使用由下記I群及I I群中所選出之1種或2 種以上之化合物,但並不限定於此些物質。添加(E )成 份後,可提高光阻之P E D安定性,並可改善氮化膜基板 上之邊緣捲曲等問題。 經潢部中央標泠局ΚΤ.消费合竹社印製 〔I群〕 下記式(1 6 )〜(2 5 )所示化合物中苯酚性羥基 中氫原子之一部份或全部受一 R57 — C〇〇H (R57爲碳 數1〜1 0之直鏈或支鏈伸烷基)所取代,且分子中苯酚 性羥基(C)與三一 C〇〇H所示基團(D)之莫耳比C / (C + D) = 〇 · 1〜1 · 0之化合物。 本紙張尺度適用中國國家;jf、牟(CNS ) Λ4β私-(2丨0 广尨) .73~^~~ —-' 一― 546543 A' 五、發明説明fl ) 〔I I 群〕 下式(26)、 (27)所示之化合物。 【化5 2】 〔I群〕 if ί k 竹 社 印 (OH)u
(16)
R51s2(OH)t: (17) (18) (0H)t2 R5ls
(m
(0H)l2 〇5l K s2 (19) (0H)t2 (0H)t;
s2
Rl/ I 、 ch2c R51
(2 0) (2 1) \ -74- 546543 Λ )Γ 五 、發明説明f2 【化5 in
(2 2)
(2 3) (2 4) (2 5) 經滅部中史標導^JMt.消费合竹社印裝 (〇H)t4 R58 s4 (其中,R1爲氫原子或甲基,R51、R52各自爲氫 原子或碳數1〜8之直鏈或支鏈烷基或烯基,R 5 3爲氫原 子或碳數1〜8之直鏈或支鏈烷基或烯基,或 一 (R57) h— C〇〇R>基(R,爲氫原子或 一 R57— C〇〇H)、 rh 爲—(cH2) i — (i=2 〜10),碳數6〜l〇之伸芳基、碳基、磺酸基、氧原 子或硫原子、R55爲碳數1〜之伸院基、碳數6〜 1 0之伸芳基、羰基、磺酸基、氧原子或硫原子、R 5 6爲 本紙張尺度適用中國國家指專(CNS ) : -75- 546543 _ 1Γ 五、發明説明f3 ) 氫原子或碳數1〜8之直鏈或支鏈烷基、烯基、各自受羥 基取代之苯基或萘基、R57爲碳數1〜1〇之直鏈或支鏈 伸烷基,R58爲氫原子或碳數1〜8之直鏈或支鏈烷基或 烯基或一R57 — COOH基。j爲〇至5之整數,u、h 爲〇或 l°sl、 tl、 s2、 t 2 , s3、 t3、 s 4 、t4爲各自滿足sl+tl=8、 s2+t2=5、 s3+t3=4、 s4+t4=6,且各苯基骨架中至少 有1個爲羥基之數。/5爲式(2 1 )化合物中重量平均分 子量爲1 ,0〇〇〜5 ,〇〇〇之數,r爲式(23)化 合物中重量平均分子量爲1 ,〇〇〇〜10,〇〇〇之數 〔I I 群〕 【化5 4】 〔I I 群〕 (〇H)tiR5l R52
R57 ICOOH (〇H)l5 P51 Ja s5 (2 6) 經滴部中史榨準^MJ-消費合竹社印製
(0H)t5 ^^.R^-COOH (2 7) R5 R51、R52、R57具有與前記內容相同之意義。s 5 t5爲滿足s5^〇、 t520且s5+t5二5之數 -76 本紙張尺度適用中國國( CNS ) Λ4丨丨:篇(210 >097:、、 546543 Λ, Η 7 五、發明説明f4 ) 上述(E)成份之具體例如下記式I I I 一 1〜14 及I X - 1〜6所示化合物,但並不侷限於此些化合物。 【化5 5】 OR” ch3 R,,〇 〔m — 1〕
Cm-2] ch3 ch3 〔瓜一3〕 C〇〇R” CH3 R,,〇 [Π-4] ch2 (!ή2—C〇〇R” R,,〇 〔瓜 一 5〕 〇R” 〔瓜一6〕 經滴部中史標卑局ΘΗ,消費合竹杜印製 cu2^〇y〇Rn 〔瓜一7〕 -77- 本紙張尺度適用中國國家ft準(CNS ) Λ伙格(210 X '> 546543 Λ· ir 經M部中次枵辞局s t,消费合竹社印製
[Π-8] 〔瓜 一 9〕 〇Π- 10] (ΙΠ- 11] -78- 546543 Λ !Γ
五、發明説明f6 【化5 7 J R,,〇
〔m— 12〕
OR” h3c ch3 R”〇一/c ) hCH2—C〇〇R”
Cm- 13] 之
(其中R〃爲氫原子或CH2C〇〇H基,各化合物中 R"之1〇〜1〇〇莫耳%爲〇:«2〇〇〇11基,α、 /3具 有與前述內容相同之意義。) 【化5 8】 經滴部中-Φ、標淨局κτ消费合竹社印製
〔IV- 1〕 〔IV — 2〕
〔ΙΥΠ — 3〕 本纸張尺度適用中國國家柃準(CNS ) Λ4叱松(210 -79- 546543
A 五、發明説明片
ch2-cooh 〔IV — 4〕 <〇>- 經浹部中次桴枣局只工消费合竹社印製 〔IV - 5〕 h〇〜<Q>-ch2c〇〇h 〔IV - 6〕 其中,上記分子內具有三C 一 C〇〇Η基之芳香族化 合物’可單獨1種或2種以上組合使用。 上述分子內具有^ C 一 C〇0Η基之芳香族化合物的 添加量,一般對基礎樹脂100份爲〇 · 1〜5份,較佳 爲〇· 1〜5份,更佳爲0 · 1〜3份。最佳爲1〜2份 ,超過5份時會使光阻材料之解像性降低。 作爲(F)成分之與上記(Β)成分之經交聯之高分 子化合物爲不同之基礎樹脂,爲使用具有下式(1 〇)所 示重複單位之重量平均分子量3,0 0 0〜 3〇0,0 0 0之高分子化合物。經添加此(F )成分後 ,可對圖型之尺寸控制、圖型之形狀控制等作任意之調整 ,而爲有利之處理方式。 ch2cooh
本紙張尺度適用中國國家i準(CNS ) Γ' _80~ 經消部中央標讀局Μ工消費合竹社印¾ 546543 五、發明説明扣 ) 【化5 9】
上式中,R 、R 、R4、R 、R 具有與上述內容 相同之意義,R14爲上式(5 )不同之酸不穩定基,例如 上式(6 )所示基團、碳數4〜2 〇之三級烷基、各烷基 各自爲碳數1〜6之三烷基矽烷基、碳數4〜2 0之羰烷 基等等。
e、f各自爲0或正數,其中e、f可同時爲〇 ,g 爲正數,e + f+ g = l 。且〇$e/(e + f+ g) S 〇.5,較佳爲0.1$e/(e+f+g)S0.4, 〇Sf/(e + f+ g) $〇 · 5 ,較佳爲 〇$f/(e + f+ g) · 2 ’ 〇· 4Sg/(e + f+ g) S 0 · 9 ,較佳爲〇· 6Sg/(e + f+ g) SO · 8 。 e對全體(e + f + g,以下相同)之比例超過〇 · 5時 ,f對全體之比例超過0 · 5時,g對全體之比例超過 0 · 9時,或g對全體之比例未達〇 · 4時,鹼溶解速度 之反差將會降低,使解像度惡化。e、f 、g値在上述範 圍中作適當選擇時,可對圖型之尺寸控制、圖型之形狀控 制等作任意之調整。 本紙張尺度適用中國國H举(CNS ) Λ4Η:私(210x A厂H厂 ~~~~ —
經滅部中史標缚局另工消費合竹社印奴 546543 Λ / 五、發明説明f9 ) 上述高分子化合物,其重量平均分子量需爲 3 ’ 〇〇〇〜300 ,000 ,較佳爲5 ,〇〇〇〜 3〇’ 000。重量平均分子量未達3,0〇〇時抗蝕材 料之耐熱性將會劣化,超過3 0 0,0 〇 〇時鹼溶解性將 會降低,而使解像性惡化。 又,此(F )成分之基礎樹脂中,若分子量分布( Mw/mη)過廣時即同時存在低分子量或高分子量之聚 合物’其中低分子量之聚合物過多時會有耐熱性降低之情 形’高分子量之聚合物過多時,則因含有不易溶解於鹼中 之物質,故常造成圖型形成後之邊緣捲曲等問題。因此, 隨著圖型線路之微細化而更容易受到此些分子量、分子量 分布之影響,所以要得到適合微細尺寸之抗蝕材料時,分 子量分布以1 · 〇〜2 · 5,特別是以1 · 0〜1 · 5之 狹分布爲佳。 又,(F)成分之基礎樹酯的添加量與(Β)成分之 基礎樹酯(經交聯之高分子化合物)的配合比例,以〇 ·· 100〜9〇:10之重量比爲佳,又以〇:10〇〜 5 0 : 5 0爲更佳。上記(F)成分之基礎樹酯的添加量 若較上記重量比爲大時,(Β )成分之基礎樹酯(經交聯 之高分子化合物)則無法得到應有的功效。 本發明之抗蝕材料,若再添加(G )成分之溶解控制 劑時,其具有提高反差之效果。溶解控制劑爲平均分子量 100〜1 ,〇〇〇 ,更佳爲15〇〜80〇且分子內具 有2個以上苯酚性羥基之化合物,且該苯酚性羥基中氫原 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Λ4β dlO X; Λ #厂.go -
546543 Λ:. 五、發明説明έο ) 子受酸不穩定基以全體平均0〜1 0 0莫耳%之比例所取 代的化合物。 又,苯酚性羥基中氫原子受酸不穩定基取代之比例爲 ’平均爲苯酚性羥基全體之0莫耳%以上,較佳爲3 0莫 耳%以上,又其上限爲1 0 0莫耳% ,最佳爲8 0莫耳% 〇 此時,具有2個以上苯酚性羥基之化合物,例如下式 (i)〜(xi)所示基團。 【化6 〇】 CH3
身濟0H (i
〇 (ϋ ) 經湞部中史標蜱只工消费合竹社印製 【化6 1】 本紙张尺度適用中國國家根4M CNS ) Λ4悅格(210x -83- 546543 to 五、發明説明έι (〇H)t
R2ls (OH), R2ls R23
(⑽. R2ls· (OH), R2ls, 經消部中史標泠局H消費合竹社印繁
(vii) 【化6 2】
本紙张尺度適用中國國家撂準(CNS ) Λ4η:格(2】0x?W -84- 546543 Λ ,: 1Γ/ 五、發明説明έ2 ) CH - CH:
經滴部中次忭绛局ΘΤ-消费合竹社印製 本紙張尺度適用中國國家彳f:準(CNS ) Λ4圯佑(210 Λ《) .85 - 546543 五、發明説明幻) (其中R21、R22各自爲氫原子或碳數1〜8之直鏈 或支鏈烷基或烯基,R23爲氫原子或碳數丨〜8之直鏈或 支鏈烷基或烯基,或爲一(R27) c〇〇H,R24爲 —(CH2) i—(i=2〜10)、碳數6〜10之伸芳 基、擬基、擴醯基、氫原子或硫原子,R25爲碳數1〜 1〇之伸烷基,碳數6〜1 0之伸芳基、羰基、磺醯基、 氫原子或硫原子、R26爲氫原子或碳數1〜8之直鏈或支 鏈之烷基、烯基,各自受羥基取代之苯基或萘基、R 2 7爲 碳數1〜10之直鏈或支鏈伸院基。又,j爲〇〜5之整 數,u、 h 爲 〇 或 l°s、 t、 s〆、t,、 s /r t /r 各自滿足 s + t 二 8 , s ' + t ^ = 5 + t/>f = 4 ’且爲各苯基骨架中至少有1個羥基之數,α爲式( 丄11)、 (ix)之化合物中分子量爲1〇〇〜 1 ,〇〇0之數)。 經滅部中史標讀扁M.T-消费合竹社印製 上式中R21、R22例如爲氫原子、甲基、乙基、丁基 、丙基、乙炔基、環己基、R 2 3例如爲R 2 i、R 2 2相同 之基團’或一 C〇〇H ,一CH2C〇〇H ,R24例如爲 伸乙基、伸苯基、羰基、磺醯基、氫原子、硫原子等, R 2 5例如爲伸甲基、或與R 2 4相同之基團,r 2 6例如爲 氫原子、甲基、乙基、丁基、丙基、乙炔基、環己基,各 自受羥基取代之苯基、萘基等等。 其中’作爲溶解控制劑之酸不穩定基,例如上記式( 5 )所不基團’式(6 )所不基團,碳數4〜2 0之3級 烷基,各烷基之碳數爲1〜6之三烷基矽烷基、碳數4〜 本紙張尺度適用中國國象標準(CNS ) Λ4 格(2 ] 0 κ八7 86 _ —— 546543 五、發明説明b ) 2 0之羰烷基等等。 上述苯酚性羥基受酸不穩定基部份取代之化合物(溶 解控制劑)之添加量,以對基礎樹脂1 〇 〇份爲〇〜5 0 份’較佳爲5〜50份,最佳爲1〇〜30份,且可單獨 或2種以上混合使用。添加量未達5份時會使解像性無法 提升’超過5 0份時會使圖型之膜減少,而會使解像度降 低。 又’上述溶解控制劑爲具有苯酚性羥基或羰基之化合 物與基礎樹脂相同般使其與酸不穩定基產生化學反應而合 成製得。 本發明之光阻材料,可以將重量平均分子量爲 1 ,0 0 0以上,3 ,0 〇 〇以下,且分子內具有苯酚性 羥基之化合物’其中該苯酚性羥基中氫原子受酸不穩定基 以全體0 %以上6 0 %以下之比例部份取代所得之化合物 取代溶解控制劑’或添加入溶解控制劑,使成爲新的溶解 控制劑。 此時,所述以酸不穩定基將苯酚性羥基中氫原子部份 經濟部中央標绎局MJr.消费合竹社印製 取代之化合物,爲由具有下式(2 8 )之重覆單位,且重 量平均分子量爲1 ’ 〇〇〇以上,3,〇〇〇以下之化合 物所選出之1種或2種以上之化合物爲佳。 【化6 3】 I —ch2-ch— Φ φ (2 8) OR3 \ / V OH \ / vv 本紙張尺度適中國國家樣隼(CNS ) Λ4Η:格) 546543 五、發明説明舡 ) (式中,R3爲酸不穩定基,v、w爲各自滿足 /(v+w)g〇.6之數)。 其中,上記溶解控制劑之酸不穩定基例如,上式(5 } ’上式(6)所示基團,碳數4〜20之3級烷基,各 院基之碳數爲1〜6之三烷基矽烷基,碳數4〜2 0之羰 院基等。 上述另一溶解控制劑之添加量爲,對含有上述溶解控 制齊彳之全體溶解控制劑之基礎樹脂1 〇 〇份爲〇〜5 〇份 ’特別是0〜3 0份,又以使用1份以上之範圍爲最佳。 又’上述之另一溶解控制劑,可與基礎樹脂相同般, 將具有苯酚性羥基之化合物與酸不穩定基進行化學反應而 合成。 又’本發明之光阻材料中,可添加(Η )成份之紫外 線吸收劑’其爲於波長2 4 8 n m之莫耳吸光率爲 1 〇 ’ 〇 0 0以下之化合物。經由添加此成份,可對具有 經消部中次標纹而Ηΐ,消费合β社印製 射率之基板,設計出具有適當透過率之光阻。 具體而言,戊搭烯、茚、奠、庚搭烯、聯苯撐、苯駢 二、05、荀、吩吡烯、菲、蒽、熒蒽、醋菲烯、醋蒽烯、三 苯撐、蓝、屈、萘、七曜烯、茜、紫蘇烯、二苯并菲、戊 省、苯并菲、蒽醌、蒽酮駢蒽酮、2,7 —二甲氧基萘、 2 —乙基一9 ,1〇 —二甲氧基蒽、1 ,2 —萘醌、9 — 荀、下記式(2 9 )、 ( 3 0 )等之縮合多環烴衍生物、 本—,:, .88^ 一 546543
A 五、發明説明鉍) 2’3,4 —三羥基二苯甲酮、2,3,4,4 基二苯甲酮、2 ,4 一二羥基二苯甲酮、3 ,5 二苯甲_、4,4 —二羥基二苯甲酮、4,4一 甲基胺)二苯甲酮等二苯甲酮衍生物、四方酸、 方酸酯等四方酸衍生物 【化6 4】 —四羥 二羥基 雙(二 甲基四
(R63)〇 ((R64)jCOOR65)]h (2 9)
(3 0) M濟部中央代蹲為nc_T.消费合β社印製 (式中,R61、R63爲各自獨立之氫原子、直鏈或支 鏈院基、直鏈或支鏈烷氧基、直鏈或支鏈烷氧基、直鏈或 支鏈烯基或芳基。R64爲可含有氧原子之可取代或未取代 之2價脂肪烴基,可含有氫原子之可取代或非取代之2價 脂環烴基、可含有氧原子之可取代或非取代之2價芳香烴 基或氧原子,R65爲酸不穩定基。J爲〇或1。E、F、 G各爲〇或1〜9之整數,Η爲1〜1〇之正整數,且e + F + g + H$1〇)。 更詳細言之,上記式(29)、 (30)中,R61〜 R 6 3各自獨立爲氫原子、直鏈或支鏈烷基、直鏈或支鏈院 本紙張尺度適用中國國家代率(CNS ) Λ4丨丨:仏「2107^.7 :> 89- 546543 氧基等碳數 A' 五、發明説明鈐) 氧基、直鏈或支鏈烷氧烷基、直鏈或支鏈烯基或芳基;直 鏈或支鏈烷基則例如甲基、乙基、η -丙基、異丙基、η —丁基、sec- 丁基、ter t — 丁基一己基、環己基 、金剛烷基等碳數1〜1 0之烷基爲佳,其中又以甲基、 乙基、異丙基、t e r t -丁基爲較佳。直鏈或支鏈院氧 基則例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、η -丁氧 基、sec—丁氧基、tert—丁氧基、己氧基、環己 8之烷氧基爲佳,其中又以甲氧基、乙氧 基、異丙氧基、t e r t -丁氧基爲較佳。直鏈或支鏈烷 氧基例如甲氧甲基、1—乙氧乙基、1 一乙氧丙基、1 — 丙氧乙基 一tert-丁氧乙基等碳數 0之院 經浼部中次標级扃M.T-消费合0社印製 氧烷基爲佳,其中又以甲氧甲基、1 一乙氧乙基、1—乙 氧丙基、1-丙氧乙基爲較佳。直鏈或支鏈烯基例如乙烯 基、丙烯基、烯丙基、烯丁基等碳數2〜4之烯基爲佳。 芳基則如苯基、二甲苯基、甲苯醯基、異丙苯基等碳數6 〜14之芳基爲佳。 R 6 4爲可含有氧原子之可取代或非取代之2價脂肪烴 基、可a有氧原子之可取代或非取代之2價脂環烴基,可 含有氧原子之可取代或非取代之2價芳香烴基或氧原子。 又,式中J爲0或
爲0時〜R 6 4 鍵結爲單鍵 可含有氧原子之可取代或非取代之2價脂肪烴基例如 ,伸甲基、伸乙基、η —伸丙基、異丙基、打一伸丁基、 …—伸丁基、-ch2〇 —基' —CH2CH2〇 —基 〜1 〇之化合物爲佳,其 C H2〇C Hz —基般碳數 本紙张尺度適用中國國家棵卑·( CNS ) ( 210x 厂 -90- 546543 五、發明説明鈕) 〇 -C Η 2 C Η 2 〇 中又以伸甲基、伸乙基、一ch -基爲佳。 可含有氧原子之可取代或非取代之2價脂環煙基例如 1 ,4 一環己亞基、2 —氧基環己撐一丄,4 —基、2 硫基環己撐一 1,4 一基般碳數5〜1Q之化合物。 可含有氧原子之可取代或非取代之2價芳香烴基例如 〇 -伸丙基、p —伸苯基、 2 -3 6 一基、甲苯撐一 2,5 —基、1 一異丙苯撐 之碳數6〜14之取代基,或一CH2Ph— —CH2PhCH2 —基、〇一C2Ph —基、 基 2 5 —基 —〇CH2P h CH2〇一基(P h爲伸苯基)等碳數6〜 1 4之芳伸烷基等。 又,R 6 5爲酸不穩定基,此處所指酸不穩定基爲受羧 在酸存在下分解所得之1個以上官能基所取代之基團而言 ,在酸存在下可分解游離之鹼可溶性官能基並無特別之限 定,但以下式(31a)、 (31b)、 (31c)爲較 佳。 【化6 5】 RGG I -C-R08 R67 (3 1a)
Rm I - Si-RG8 R67
Rfifi . I -C-〇-R(ii) RG7 (3 1b) (3 1c) - R 6 9各自獨立氫原子、直鏈或支鏈烷 (式中,R 6 6 基、直鏈或支鏈烷氧基、直鏈或支鏈烷氧烷基、直鏈或支 91 - 本紙張尺度適州中國國家彳’1碑(CNS ) /\4丨丨:怙( 546543 Λ ·/ 五、發明説明如) 鏈烯基或芳基,且此些基於鏈中可含有羧基,但R 6 6〜 R 6 9不全部爲氫原子。又,R 6 6與R 6 7相互鍵結形成環 )。R 6 9爲直鍵或支鍵院基、直鍵或支鍵院氧院基、直鍵 或支鏈烯基或芳基,且,此些基於鏈中可含有羧基。又, R 6 9與R 6 6可鍵結形成環。) 此情形中,上記直鏈或支鏈烷基、直鏈或支鏈烷氧基 、直鏈或支鏈烷氧烷基、直鏈或支鏈烯基、芳基等具有上 記R 6 1〜R 6 3同樣之例示內容。 又,式(3 1 a )之R 6 6與R 6 7相互鍵結形成環之情 形,例如,環己亞基、環戊亞基、3-羰環己亞基、3-羰基一 4 一羰環己亞基、4 —甲基環己亞基等碳數4〜 1〇之取代基。 又,式(3 1 b )之R 6 6與R 6 7相互鍵結形成環之情 形,例如,1 一矽烷環己亞基、1 一矽烷環戊亞基、3 -氧基- 1 一砂院環戊亞基、4 一甲基一 1 一砂院環戊亞基 等碳數3〜9之取代基。 又,式(3 1 c )之R 6 9與R 6 6相互鍵結形成環之情 形,例如,2 -氧雜環己亞基、2 -氧雜環戊亞基、2 — 氧雜一 4 —甲基環己亞基等碳數4〜1 0之取代基。 其中,上式(3 1 a )所示取代基,除t e r t —戊 基、1,1—二甲基乙基、1,1 一二甲基丁基、1—乙 基一 1—甲基丙基、1 ,1 一一乙基丙基等碳數4〜10 之3級烷基外,1 一 1 一二甲基一 3 —羰丁基、3 —羰環 己基、1 一甲基—3 -羰基一 4 —氧雜環己基等3 —羰烷 尺度適用中國國^ ίί率(CNS )八4坆仏(210/ ) _ 92 _ …~
546543 Λ -丨 —_____ }\} 五、發明説明如) 基亦合使用。 乙基 上式(3 1 b )所示取代基,例如以三甲基矽烷基、 甲基矽烷基、二甲基丙基矽烷基、二乙基甲基矽烷 $、三乙基矽烷基等碳數3〜1 0之三烷基矽烷基爲佳。 上式(3 1 c )所示取代基,例如以1 一甲氧甲基、 丄〜甲氧乙基、1—乙氧乙基、1 一乙氧丙基、1 一乙氧 異丁基、1一 η —丙氧乙基、1 — ter t —丁氧乙基、 丄〜!! — 丁氧乙基、1 一異丁氧乙基、l — tetr —戊 氧乙基、1—環己氧乙基、1_ (2 — η — 丁氧乙氧基) 乙基、1— (2 —乙基己基)氧乙基、1— { (4 —乙氧 基甲基)環己甲基氧基}乙基、1— {4— (tert — 丁氧羧氧甲基)環己甲基氧基}乙基、χ一甲氧基一1一 甲基乙基、1一乙氧丙基、二甲氧甲基、二乙氧甲基、2 一四氫呋喃基、2-四氫呋喃基等碳數2〜8之取代基爲 佳。 又,上式(29)、 (30)中,E、F、G各爲0 或1〜9之正整數,Η爲1〜1 〇之正整數,且滿足E + F + G + HS10。 上式(2 9 )、 ( 3 0 )化合物之具體例,例如下記 (32a)〜(32j)所示。
C〇〇R7° (j:〇〇R7°
(3 2 b)
(3 2 c 入 /C〇〇R7° -93- 本纸張尺度適用中國國家代準(CNS ) Λ4ϋ; ( 2丨0 χ m 546543 Λ, }Γ 五、發明説明9(1 COOR7'
(3 2 e
CH2〇CH2C〇〇R
och2coor70 〇ch2c〇〇r7Q och2coor (3 2 f) COOR70 70
R7Q〇〇C (3 2 g) COOR 70
70 經消部中次栉緯^JhT-消费合竹社印聚 (式中,R7Q爲酸不穩定基。) 又,紫外線吸收劑可爲雙(4 -羥苯基)亞磺、雙( 4— t e r t — 丁氧苯基)亞磺、雙(4— t e r t — 丁 氧羧氧苯基)亞磺、雙〔4 一( 1 一乙氧乙氧基)苯基〕 亞磺等二芳基亞磺衍生物、(4 一羥苯基)砸、雙(4 一 t e r t -丁氧苯基)硕、雙(4 一 t e r t — 丁氧羧氧 本紙張尺度適用中國國家a準(CNS ) /\伙仏(210>m ) - 94 - 546543 經漭部中史標蜱局Θ工消费合竹社印製 Λ 7 —·—__________ ^ - *·.-*-**·. —, -<W· —τ——,」 . Γί. - 「 I,u 五、發明説明φ ) 苯基)fi風、雙〔4 一(1—乙氧乙氧基)苯基〕碩、雙〔 4一( 1 —乙氧丙氧基)苯基〕硕等二芳基硕衍生物、苯 酉昆二疊氮、萘醌二疊氮、蒽醌二疊氮、二偶氮芴、二偶氮 奈滿酮、二偶氮菲酮等二偶氮化合物、萘醌一 1 ,2 -二 疊氮〜5 -磺酸氯化物與2,3,4 一三羥基苯醌完全或 部份酯化之化合物、萘醌一 1 ,2 -二疊氮一 4 一磺酸氯 化物與2,4,4 / -三羥基苯醌完全或部份酯化之化合 物等含醌二疊氮基之化合物等等。 紫外線吸收劑較佳爲9 一蒽羧酸t e r t - 丁酯、9 一蒽羧酸t e t r —戊酯、9 一蒽羧酸t e r t —甲氧甲 酯、9 ~蒽羧酸t e r t —乙氧乙基、9 —蒽羧基、、、 t e r t —四氫呋喃、9 一蒽羧酸t e r t —四氫呋喃、 萘醌一 1 ,2 -二疊氮一 5 -磺酸氯化物與2,3,4 一 三羥基二苯甲酮部份酯化之化合物等等。 上式(Η )成份紫外線吸收劑之添加量,對基礎樹脂 100份爲0〜10份,更佳爲〇 · 5〜10份,最佳爲 1〜5份。 又’本發明之光阻材料,可再添加(I )成份之炔醇 衍生物,此一添加可提高保存之安定性。 炔醇衍生物以使用下式(3 3 )、 ( 3 4 )所示化合 物爲佳。 -1間 ηί 门而之、;r--":v 項朽"寫本.rcc
、-口
本紙張尺度適用中國國家稍ϊ Λ4‘ ) 546543 A' ____ΙΓ五、發明説明命 ) 【化6 7】 經滴部中夾標埤^hx消費合竹社印製 R7丨-OC一令一R7,3 (3 3) CKCH2CH2〇)rH Ru R72 R75-C-OC-C-R73 ( 3 4 )
TT I I
fH〇CH2CH2)rO 0-(CH2CH20)fH (式中,R71、R72、R73、R74、R75 各自爲氫 原子、或碳數l〜8之直鏈、支鏈或環狀院基、x、y爲 0或正數,且爲滿足0^χ$30,0$γ$30 ’ 0€ X + YS40 之値)。 炔醇衍生物較佳者爲過苯酚6 1 ,過苯酚8 2 ’過苯 酚82,過苯酚104,過苯酚104E,過苯酚104 Η,過苯酚104A,過苯酚TG,過苯酚PC,過苯酚 440、過苯酚465,過苯酚485 (氣體製造及化學 公司製)、過苯酚E 1 004 (日信化學工業(株)製) 等。 上記炔醇衍生物之添加量,以對光阻組成物1 0 0重 量%中爲0 · 0 1〜2重量%,更佳爲〇 · 02〜1重量 %。少於0 · 0 1重量%時,則未能得到充份的塗布性及 保存安定性之效果’超過2重量%時則會使光阻材料之解 像性降低。 本紙張尺度適州中國國家枵準·( CNS ) Λ4Π:格(210/χ ) . Q〇T~ ——
546543 五、發明説明私 ) 本發明之光阻材料,可在爲提高塗佈性之目的上添加 上記成份以外之任意成份作爲界面活性劑。且,此任意成 份之添加量爲在不防礙本發明效果之範圍內之一般添加量 〇 其中,界面活性劑以非離子性者爲佳,例如全氟烷基 聚氧乙炔醇、氟化烷酯、全氟烷基胺氧化物、含氟有機矽 氧烷系化合物等。例如氟萊特「FC-430」、「FC 一 4 3 1」(皆爲住友3 Μ公司製)、沙氟隆「S — 141」、「S — 145」、「S — 381」、「S — 383」(皆爲旭硝子公司製)、優尼但「DS — 401 」、「DS — 403」、 「DS — 451」(皆爲大金工 業公司製)、美格氟「F — 8151」、「F — 171」 、「F172」、「F- 173」、「F-177」(大 □本油墨公司製)、「X— 70 —〇92」、「X— 70 一093」(皆爲信越化學工業公司製)等等。其中較佳 者爲氟萊特「FC—430」(住友3Μ公司製)、「X 一70-093」(信越化學工業公司製)等等。 使用本發明之增強化學性正型光阻材料形成圖案之方 法’可採用公知之石版印刷技術等等,例如於晶圓等基板 上以旋轉塗佈方式塗佈厚度0 · 5〜2 . 〇/zm之膜,將 其於熱壓板上以6 0〜1 5 0 °C、 1〜1 0分鐘、較佳爲 80〜120 °C、 1〜5分鐘先行預熱,其次在上記光阻 膜上覆蓋欲形成目的圖案之光罩,以波長3 〇 〇 nm以下 之遠紫外線、激元激光、X線等高能量線或電子射線在曝 本紙张尺度適用中國國家棟準 ( CNS )八4代私(210〆:,、穴Γ ---------------- 546543 五、發明説明命) 光ml〜2〇 QmJ/cm2左右、較佳爲10〜100 m 左右之照射後,並在熱壓板上以6 〇〜1 5 0 C、 1〜5分鐘、較佳爲80〜120 °C、 1〜3分鐘之 後照射烘烤(P E B )。其後使用〇 · 1〜5 %,較佳爲 2〜3 %四甲基銨氫氧化物(τ M A Η )等鹼性水溶液之 顯影液,以〇 · 1〜3分鐘、較佳爲0 · 5〜2分鐘間, 以浸漬(d i ρ )法,微粒(puddle )法,噴撒法(spray >法等常用顯影方法於基板上形成目的之圖型。又,本發 明材料最適合以特別是以高能量線中2 5 4〜1 9 3 n m t遠紫外線或激元激光,X線及電子射線等描繪微細之圖 _ °又’在上記範圍之上限或下限以外時,可能無法得到 目的之圖案。 【發明之效果】 經滴部中史標^Χ消费合β社印裝 本發明之抗蝕材料,可感應高能量線,且具有優良之 感度、解像度及乾蝕刻耐性,且具有優良之抗蝕圖型之耐 熱性及重現性。且,圖型不易形成過熔狀態,而具有優良 之尺寸控制性。其他如再配合炔醇衍生物即可提昇保存之 安定性。因此,本發明之抗蝕材料,因具有上述特性,而 容易製得具有K r F激元激光波長且吸收極小之抗蝕材料 ,進而可形成微細且對基版爲垂直之圖型。因此爲一種極 適合作爲L S I製造用時之細微圖型之形成材料。 【實施例】 张尺度適用中國國家彳.ί舉(CNS )八4川佑(210 Ί -------------------— 546543 五、發明説明鉍) 以下將以合成例及實施例對本發明作更具體之說明, 但本發明並不受以下例示所限制。 〔合成例1〕 於2 L燒瓶中將聚羥基苯乙烯1 〇 〇 g溶解於二甲基 甲苯醯胺1 ,0 0 0ml中,添加觸媒量之p 一甲苯磺酸 後,於2 0°C攪拌中加入乙基乙烯醚3 0 g、三乙二醇二 乙烯醚2 g。反應1小時後,以濃氨水中和,將中和液滴 入1 0 L水中,得白色固體。過濾後溶於丙酮5 〇 〇m 1 中,再滴入1 0 L水中,經過濾、真空乾燥。所得聚合物 以1 H-NMR分析得知聚羥基苯乙烯之羥基中氫原子之 27%爲乙氧乙基化,3%產生交聯(P〇 1 ym · 1) 〇 〔合成例2〕 於2 L燒瓶中將聚羥基苯乙烯1 〇 〇 g溶解於二甲基 甲苯酿胺1 ’ 0 0 0m 1中,添加觸媒量之p —甲苯磺酸 經潢部中央標蜱^B工消费合竹社印製 後,於2 0 °C攪拌中加入乙基乙烯醚3 〇 g、1 ,4 一二 乙烯氧甲基環己烷2 g。反應1小時後,以濃氨水中和, 將中和液滴入1 0 L水中,得白色固體。過濾後溶於丙酮 5 0 0 m 1中,再滴入1 〇 L水中,經過濾、真空乾燥。 所得聚合物以1 Η - N M R分析得知聚羥基苯乙烯之羥基 中氫原子之2 7 %爲乙氧乙基化,3 %產生交聯。 其後,將所得之部分交聯之乙氧乙氧化聚經基苯乙烯 本紙張尺度適用中國國家( CNS j Λ⑽2107^:、η )' /qq 546543 五、發明説明扣) 5 〇 g溶解於吡啶5 0 0 m 1中,於4 5 °C攪拌下添加二 碳酸二—t e r t -丁酯7 g,經反應1小時後,滴入3 L水中,得白色固體。將其過濾後,溶於丙酮5 0 m 1中 ,再滴入2 L水中,過濾後進行真空乾燥,得聚合物。所 得聚合物具有下記示性式(Ρ ο 1 y m. 2 )所示結構,以 Η -NMR分析得知聚羥基苯乙烯之羥基中氫原子之乙氧乙基 化率爲27 % ,羥基中氫原子之ter t — 丁氧羰基化率 爲8 % 。 〔合成例3〕 於2 L燒瓶中將聚羥基苯乙烯5 0 g溶解於二甲基甲 苯醯胺5 0 0 m 1中,添加觸媒量之p —甲苯磺酸後,於 2〇°C攪拌中加入乙基乙烯醚27g、1 ,4 —二乙烯氧 甲基環己烷3 g。反應1小時後,以濃氨水中和,將中和 液滴入1 0 L水中,得白色固體。過濾後溶於丙酮5 0 0 m 1中,再滴入1 0 L水中,經過濾、真空乾燥。所得聚 合物以1 Η - NMR分析得知聚羥基苯乙烯之羥基中氫原 子之2 4 %爲乙氧乙基化,1 0 %產生交聯(p〇lym · 3 經漪部中次桴绛局u工消费合竹社印製 〔合成例4〜7〕 依合成例1〜3之相同方法製得具有下列示性式( Polym · 4〜7 )之聚合物。 本紙张尺度適用中國國家彳Ή- ( CNS ) Λ4化格(210_Χ π?:λ‘丨;) 546543 to 五、發明説明細) ……— 一一- 〔合成例8〕 方< 2 L·燒瓶中將聚經基苯乙烯1 〇 〇 g溶解於四氫口夫 喃9 0 〇 m 1中’添加3 · 9 g甲烷磺酸後,於3 〇 t:攪 拌中加入乙基1 一丙烯醚2 8 · 2 g,經反應3小時後, 其次加入1 ,4 一丁二醇二乙烯醚3 · 8 g,再經反應 〇 · 5小時後,以濃氨水中和。將反應液以醋酸乙酯進行 溶媒交換後,使用純水及少量之丙酮進行6次分液精製, 並以丙酮進行溶媒交換後滴入2 〇 L純水中,得白色固體 。過濾後以純水洗淨2次,經過濾、真空乾燥。所得聚合 物具有下記示性式(P〇lym · 8 )所示結構,以1 Η — NMR分析得知聚羥基苯乙烯之羥基中氫原子之2 6%爲 乙氧丙氧基化,5 · 5 %爲交聯化。 〔合成例9,1 0〕 依合成例8之相同方法製得具有下列示性式(Polym. 9,1 0 )之聚合物。 〔合成例1 1〕 於2 L燒瓶中將聚羥基苯乙烯1 〇 〇 g溶解於四氫呋 喃9 0 0 m 1中,添加3 · 9 g甲烷磺酸後,於3 0 °C攪 拌中加入乙基1 一丙烯醚2 0 · 0 g,經反應3小時後, 其次加入1,4 一丁二醇二乙烯醚3 · 8 g,經反應 〇· 5小時後,以濃氨水中和。將反應液以醋酸乙酯進行 溶媒交換後,使用純水及少量之丙酮進行6次分液精製’ — — — -- ____ __ — __. — _________________ 1 — 本紙張尺度適用中國國家牦嗥(CNS ) /\4川怡(210 < ) - 101 - 546543 五、發明説明鉍) 並以丙酮進行溶媒交換後滴入2 0 L純水中,得白色固體 。過濾後以純水洗淨2次,經過濾、真空乾燥。 其後,將所得之部分交聯之乙氧丙氧化聚羥基苯乙烯 5 0 g溶解於吡啶3 0 0 g中,於4 0 °C攪拌下添加二碳 酸二一 t e r t -丁酯4 . 5 g,經反應1小時後,將反 應液滴入1 0 L水中,得白色固體。將其過濾後,溶於丙 酮2 0 0 m 1中,再滴入2 L水中,過濾後進行真空乾燥 ,得聚合物。所得聚合物具有下記不性式(P〇lym. 1 1 ) 所示結構,以1 Η — N M R分析得知聚羥基苯乙烯之羥基 中氫原子2 1%爲乙氧丙氧化,5%爲t e r t — 丁氧羰 基化,5 · 5 %爲交聯化。 〔合成例1 2〕 經滴部中史桴绛杓HeJ-消ft合竹社印製 於2 L燒瓶中將聚羥基苯乙烯1 〇 〇 g溶解於四氫呋 喃9 0 0 m 1中,添加3 · 9 g甲烷磺酸後,於3 0 °C攪 拌中加入乙基乙烯醚2 4 . 0 g,經反應1小時後,其次 加入1 ,4 一丁二醇二乙烯醚3 · 8 g,再經反應〇 · 5 小時後,以濃氨水中和。將反應液以醋酸乙酯進行溶媒交 換後,使用純水進行6次分液精製,並以丙酮進行溶媒交 換後滴入2 0 L純水中,得白色固體。過濾後以純水洗淨 2次,經過濾、真空乾燥。所得聚合物具有下記示性式( Polym. 1 2 )所示結構,以1 Η — N M R分析得知聚羥基苯 乙烯之羥基中氫原子3 1 %爲乙氧乙基化,5 · 5 %爲交 聯化。 本紙張尺度適用中國國家k準(CNS ) Λ4ϋΜΓΓ2κΓκ^7;' γ Γ 546543 五、發明説明<〇〇 ) 〔合成例1 3〕 於2 L燒瓶中將聚羥基苯乙烯1 〇 〇 g溶解於四氫呋 喃9 0 〇 m 1中,添加3 · 9 g甲烷磺酸後,於3 〇 °C攪 拌中加入乙基乙烯醚1 6 · 4 g,經反應1小時後,其次 加入1 ,4 — 丁二醇二乙烯醚3 · 8 g,經反應〇 · 5小 時後,以濃氨水中和。將反應液以醋酸乙酯進行溶媒交換 後,使用純水進行6次分液精製,並以丙酮進行溶媒交換 後滴入2 0 L純水中,得白色固體。過濾後以純水洗淨2 次,經過濾、真空乾燥。 其後,將所得之部分交聯之乙氧乙氧化聚羥基苯乙烯 5〇g溶解於吡啶3 0 0 g中,於4 0 °C攪拌下添加二碳 酸二一 t e r t -丁酯4 · 5 g,經反應1小時後,將反 應液滴入1 0 L水中,得白色固體。將其過濾後,溶於丙 酮2 0 0 m 1中,再滴入2 L水中,過濾後進行真空乾燥 ,得聚合物。所得聚合物具有下記示性式(polYm· 1 3 ) 所示結構,以1 Η - N M R分析得知聚經基苯乙烯之羥基 中氫原子之18 · 0%爲乙氧乙氧化’ 爲1 e r t — 丁氧羰基化,5 · 5 %爲交聯化。 〔合成例1 4,1 5〕 依合成例1 1之相同方法製得具有下列示性式( Polym. 1 4,1 5 )之聚合物。 本紙張尺度適爪中國國家樣牟(CNS )以化格(210;< 2心: 546543 五、發明説明<01 ) 〔合成例1 6〕 除不使用乙基乙烯醚以外,其他皆依合成例1 2之相 同方法製得具有下列示性式(Polym. 1 6 )之聚合物。 〔合成例1 7〕 使用聚(3 ,4 一二羥基苯乙烯)與烯醚化合物(I ~ 2 2 ),依合成例1 3之相同方法製得具有下列示性式 (Polym.l 7 )之聚合物。 〔合成例1 8〕 使用烯醚化合物(I I 一 1 ),依合成例1 1之相同 方法製得具有下列示性式(P〇lym. 1 8 )之聚合物。 〔合成例1 9〕 依合成例8之相同方法製得具有下列示性式(polym· 1 9 )之聚合物。 所得聚合物之結構則如下示結構式所不’其各自之耳又 代率及重量平均分子量則如表1所示。又’下式中’尺爲 具有下記單位U 1或U 2於分子間或分子內交聯之交聯基 ,(R )則爲交聯基R鍵結之狀態。 本紙張尺度適用中國國家柊導(CNS)A4^ ( ) -104- 546543 Λ ,1 五、發明説明<02 ) U,Η
U2 (Polym.l 〜19)
ΗI Η Η
【化6 9】 經滴部中次標泠XJMJ:消费合:^社印製 ν^ι間ϋ而之/ίΛΦ項Λ項巧木Γ=;:
本紙張尺度適用中國國家彳'!專(CNS ) Λ4« ( 546543 Λ }Γ 五、發明説明ί〇3
Polym.l
Η I
Η Η
CH3
Η I
Η I
R^: -C-0-(CH2CH20)3-C ch3 ch3
Polym.2
H
H
H CH-〇C2H5 I ch3
H
經濟部中次標蜱而UCT-消費合:^社印製 H R:-C-〇-CH2 I ch3 【化7 0】 -〇 H CH2—〇一 C— I ch3 本紙張尺度適用中國國冰Ί'ί卑(CNS ) Λ4代彳M 210〆 -106- 546543 ,Λ ; 五、發明説明1(04
Polym.3
Η I
Η I Η I
CH3
O H CH2-〇—C— I ch3
H
R,: -C-〇-CH: I ch3
Polym.4
H I
H I
Ό
H
〇C(CH3)3
H
經满部中次桴埤’τ.消费合妁社印製 Η H R,: 一干一〇一CH2—<^)-CH2—〇一^一 CH3 ch3 【化7 1】. 本纸張尺度適用中國國冰( CNS ) 格(210,k ?g; -107- 546543 A, ; 五、發明説明1(〇5 )
Polym.5
Η Η I I
I 史 標 $ 消 费 今 社 印 製 CH-〇C2H5 c2h5 Η Η
R’: -0〇-(CH2CH2〇)2-0 I I ch3 ch3
Polym.6
H I
Η Η R’: —C—〇一 CH2CH2—oi— CH3 ch3 【化7 2】 本紙张尺度適用中國國家彳'!率(CNS ) /\,况仫(2U)X?W:、I; ) - 108 - 546543 經濟部中次標緯而J-消費合β社印製 五、發明説明1(06
Polym.7 Η
Η
Ό Η
CH;
Polym.8 〜10 Η
Η
CH~OC2H5 c2h5 Η Η R’: -C-〇-(CH2)4-〇- CH3 ch3 【化7 3】
本紙張尺度適用中國國家牦攀(CNS ) ( 210/ 29八 109- 546543 Λ 五、發明説明1(07 )
Polym.ll
Η Η I I
{CH2Cfe
〇 I c=〇 CH-〇C2H5 C2H5 Η
I 〇c(ch3)3
H I
Η H
R: -C-0-(CH2)4-0-C-I I CH3 ch3
Polym.12
ch3
Η H
R: -C-0-(CH2)4-0-C-I I ch3 ch3 【化7 4】 本紙張尺度適用中國國家代隼(CNS ) Λ4丨丨:ft ( 210〆) - 110 - 546543 A/ ir; 五、發明説明1(08
R · -^-0-(CH2)4-〇-C- CH3 CH3
Polym.16
中史標泠而ΘΧ消费合:^社印聚
Η I Η R’·· -(p-CKCH扣〇-C- ch3 ch3 【化7 5】 本紙張尺度適用中國國家彳!導 ( CNS ) /\4叱仏(2丨0 >wM ; 111 - 546543 Λ 五、發明説明1(09 ) Polym.17
Η Η H I I I
OD1 〇D2 〇D3 1 = H 或(R / )
H I
而 s
D D D
2 = H 或一ch—〇c2H5 I C2Hs
部 局 J- 消 费 Λii 社 印 (其中,D 1 一 CH - 002¾ c2h5 中至少1個爲R,D2中至少1個爲 、D 3中至少1個爲-f -〇C(CH3)3 0
本紙張尺度適用中國國家代導(CNS ) Λ川( 2U)/X K ) - 112- 546543 ,Λ / Π" 五、發明説明1(10
Polym.18 Η Η
Η CH-〇C2H5 c2h5
ο Η
I R: -c-och2ch2〇ocnh ch3
Η I
NHC〇〇CH2CH2〇一C 一 I ch3
Polym.19
H I
H H
C2H5 經溁部中次栉緯而巧Vi消φ:合:p社印製
H CH3 H I I I R,: 一C—〇一CHCH2—〇一C— C2H5 c2h5 - 113- 本紙張尺度適用中國國隼(CNS) Λ4Α私(2i〇x 546543 ,Λ ; 五、發明説明(⑴) [表1 ] 經滴部中史標譚^oncT-消费合β社印製 合成例 組成比(莫耳比) PHS* 之 Mw PHS* 之 Mw/Mn 高分子化合 物Mw pl ql q2 p2 1 [Polym.l] 3 27 70 11,000 1.05 22,000 2 [Polym.2] 3 27 8 62 11,000 1.05 23,000 3 [Polym.3] 10 24 66 5,000 1.05 12,000 4 [Polym.4] 7 10 5 78 5,000 1.05 12,000 5 [Polym.5] 4 35 61 11,000 1.42 24,000 6 [Polym.6] 7 25 68 13,000 1.15 30,000 7 [Polym.7] 10 20 70 3,000 1.10 8,000 8 [Polym.8] 5.5 26 68.5 11,000 1.05 22,000 9 [Polym.9] 5.5 26 68.5 5,000 1.05 11,000 10 [Polym.10] 3.5 28 69.0 11,000 1.05 19,000 11 [Polym.l 1] 5.5 21 5 68.5 11,000 1.05 24,000 12 [Polym.12] 5.5 31 63.5 11,000 1.05 25,000 13 [Polym.l 3] 5.5 18 5 71.5 11,000 1.05 24,000 14 [Polym.14] 0.25 14 14 71.75 10,000 1.05 14,000 15 [Polym.15] 1 20 14 65 6,000 1.15 9,000 16 [Polym.l 6] 4 18 78 10,000 1.08 23,000 17 [Polym.17] 4 20 4 72 10,000 1.20 25,000 18 [Polym.l 8] 2 21 5 71 10,000 1.30 27,000 19 [Polym.l 9] 5 24 71 10,000 1.10 25,000 *聚羥基苯乙烯 本紙張尺度適用中國國家牦卑(CNS ) Λ4丨丨:½ ( 210χ:Ηη:、人:) -//4 - 546543 五、發明説明1(12 ) 〔實施例,比較例〕 將上記合成例所得高分子化合物(P〇lym. 1〜1 9 ) 作爲基礎樹酯,將選自下記式(PAG · 1〜1 4 )所示 酸產生劑、下記式(D R R · 1〜4 )所示溶解控制劑、 鹼性化合物、下記式(A C C · 1 ,2 )所示分子內具有 C = C 一 C〇〇H基之芳香族化合物、下記式(DYE . 1 ’ 2 )所不紫外線吸收劑等抗餓材料用成分溶解溶劑中 ,並依表2、3所示組成製作抗飽液。必要時可添加作爲 介面活性劑之氟萊特「F C - 4 3 0 (住友3M公司)製 」0 · 1份,以改善成膜性。 又,爲進行比較另將下記示性式(Ρ ο 1 y m · 2 0 〜2 2 )所示高分子化合物作爲基礎樹脂以上表4所示組 成製作抗蝕液。 將各組成物以0 · 1 # m鐵氟隆製濾網過濾以製得各 種抗蝕液。其後將所得抗蝕液以旋轉塗佈方式塗佈於矽晶 圓上,再將此矽晶圓使用熱壓版進行1 0 0 °C、9 0秒之 烘烤。並將厚度設定爲0 · 5 5 // m。 其後,爲形成目的之圖型而藉由覆蓋光罩以激元激光 器(理光公司,NSR-20 0 5EX NA=〇 · 5) 進行曝光,進行1 1 〇 °C、9 0秒之烘烤後,於2 · 3 8 %之四甲基銨氫氧化物水溶液中進行6 0秒之顯像後而製 得正型圖型。 所得抗鈾圖型依以下方法進行評估。 首先測定感度(E t h )。其次將〇 · 2 4 // m之空 ϋΐ張尺度適用中國國 f 彳'1、準(CNS ) /\4«、( 210χ 2叼:、、' /;. ) -115- 546543 五、發明説明1(13 ) — ' 間線路之頂部與點部爲1 : 1方式解像之曝光量作爲最佳 曝光量(感度:Ε ο p ),依此曝光量所分離之空間線路 中最小線幅作爲評估抗蝕之解像度。又,解像後之抗触圖 型之形狀,以使用掃描型電子顯微鏡進行觀察,耐熱試驗 係將此抗蝕圖型於1 3 0 °C之熱壓板加熱1 〇分鐘後,觀 察加熱前後之圖型變化。 有關與基板密著性之評估,係以觀察8晶圓外周 部抗蝕圖型是否有倒塌現象作爲評估之標準。 抗蝕材料之組成記載於表2〜5,實施例之評估結果 記載於表6,比較例之評估結果則如表7所示。 546543 Λ, 1Γ 五、發明説明1(14
(CH3)3CO-^〇^-S( ch3-^〇^ b S〇3 (PAG.l)
(〇y^ CF3-SO3
(PAG.2) 〇 OCH2COOC(CH3)3 CH,
(PAG.3) CH; (PAG.4) 經溁部中史桴H消费合0、社印製 (ch3)3c〇
S〇3 (PAG.5)
-1 \T- (PAG.6) 0 546543 五、發明説明1(15 [化 7 8]
0 I 〇 (PAG.7) ch3-<^〇)--s〇3
Ό H3c ch3 q 〇 像 〇 ch3 (PAG.8) (ch3)3c〇
(PAG.9) 經滴部中史桴消费合竹社印製
(PAG. 10) [化 7 9] 本紙張尺度適用中國國ϋ導(CNS ) Λ川:i ( 2丨0 x K ) - 118 - 546543 A7 B7五、發明説明(Η匕)
(PAG.11) 3 Η 3C Η (C Τ 〇=s=〇 2 I Nnc 〇 = s=〇 3 H (c 3 H c (PAG.12) H (c c( I 〇=-s=〇 2 1 nhc I 〇=-s=〇 3C- H (c (PAG.13) 3 H c 2 H 3 3 CH—c-—CH io=-s=〇 n2=-c onnsyo CICIC H3H2-H3 cl· 3 H c (PAG.14) 【化8 0】 (¾先間讀背而之注意事項再楨寫本頁)
546543 ,Λ 1Γ 五、發明説明1〇7 CPI; I -c- ch3 o 〇 CH3 (DRR.l) ch3 ch3 CH3 CH3 - C-〇-(^-〇-f ~~CH; CHn 0 ch3 0 CH3 ch3ch2och-o ch3
o-choch2ch3 I ch3
f-CUz-CR 、 CH1H、 Φ 〇CH—〇C2H5 K L· / V άκ 、/1 【化8 1】 (DRR.2) (DRR.3) 酸不穩定基:t e r t - 丁氧羰基平均取 代率50% (DRR.4) (v/(v + w)二 0.09 重量平均分子量 3,000 本纸張尺度適用中國國家«導(CNS )八4« ( 210 -120- 546543 ^滅部中史^沣^^二消费合^::社印聚 五、發明説明1忉 ch3 ACC.l ch2 ch2-cooh
〇R” 〇R” R”=H 又(iCH2C〇〇H [CH2COOH] [h〕+[ch2c〇〇h〕 0.5 / ACC.2 【化8 2】
〔DNQ]/〔H]+〔DNQ]=0.50 D=H 又 〇
N2 (DNQ) DYE.l DYE.2 [化 8 3] 本紙張尺度適用中國國家彳’!導(CNS ) Λ川:格(210 x 〉、% ') - 121 - 546543 Λ 經濟部中吹標χ消費合^:社印製 五、發明説明1彳9 )
Polym.20 Η Η
CH3
Mw= 12,000 Mw/Mn=2.0 ql+q2/(ql+q2+p)=〇.35
Polym.21
H I
〇C(CH3)3
H
Mw=l 5,000 Mw/Mn=1.5 ql+q2/(ql+q2+p)=0.20 【化8 4】 Polym.22
H I
H -〇C2H5 ch3
H
Mw= 12,000 Mw/Mn=l.l ql/(ql+q2+p)=0.24 ql/(ql+q2+p)=0.08
本紙張尺度適用中國國家彳ί導(CNS ) Λ4丨NM 2丨0/ -122- 546543 Λ £7 /\明 説明發、 五 2 表 經滅部中次ί?^Γ^1'η:;τ_7/η费合竹社印狀 實施例 抗鈾材料組成物[括弧內.組成比(單位:重量份)] 樹脂 酸產生劑 溶解控制劑 鹼性化合物 其他添加劑 有機溶劑 1 Polym. 1 (56) Polym" 14 (24) PAG.l (3) N,N-二乙基乙醇 胺(0.1) ACC.1 (0.2) PGMEA (530) 2 Polym. 2 (40) Polym. 3 (40) PAG.2 (3) N-乙基二乙醇胺( 0.1) ACC.1 (0.2) PGMEA (530) 3 Polym.3 (56) Polym. 15 (24) PAG.3 (3) N-甲基吡喀烷酮( 0.1) ACC.1 (0.2) DGLM (300) 4 Polym.4 (40) Polym. 10 (40) PAG.4 (3) 三乙醇胺 (0.1) ACC.1 (0.2) PGMEA (530) 5 Polym. 5 (56) Polym.9 (24) PAG.5 (3) 2-羥基吡啶 (0.11) ACC.1 (0.2) PGMEA (530) 6 Polym.6 (56) Polym.9 (24) PAG.6 (3) DRR.1 (16) N,N,N 'NT -四 甲基(0.09)乙烯二 胺 ACC.1 (0.2) PGMEA (530) 7 Polym.7 (10) Polym.8 (70) PAG.l ⑴ PAG. 8 ⑵ DRR.3 (16) 三乙醇胺 (0.09) ACC.1 (0.2) ΕΙΡΑ (580) 8 Polym.8 (56) Polym.9 (24) PAG.l ⑴ PAG. 11 (2.5) 三乙醇胺(0.1) 哌啶乙醇(0.05) ACC.1 (0.2) PGMEA (530) 9 Polym. 11 (70) Polym. 14 (10) PAG.l ⑴ PAG. 12 ⑵ 三乙醇胺 (0.1) 1,8-三氮雜二環 十一烯 (0.05) ACC.1 (0.5) PGMEA (530) 10 Polym. 12 (60) Polym. 14 (20) PAG.9 ⑵ PAG.7 ⑴ DRR.2(8) N-甲基吡喀烷酮( 0.1) ACC.1 (0.2) EL/BQ (510) 11 Polym. 13 (70) Polym. 14 (10) PAG.9 ⑵ PAG. 10 ⑴ DRR.4(8) N,N-二甲基乙醯 胺 (5.0) ACC.1 (0.2) EL/BA (510) 12 Polym. 16 (40) Polym. 12 (20) Polym. 15 (20) PAG.l ⑷ 三丁基胺 (0.03) 二甲基乙醯胺(5. 〇) ACC.1 (0.2) PGMEA (530) 13 Polym. 17 (40) Polym. 12 (20) Polym. 15 (20) PAG.l ⑷ DRR.2 ⑷ 2-羥基吡啶 (0.11) ACC.2 ⑵ PGMEA (530) 本紙張尺度適用中國國家代牟(CNS )八4川仏ΰΰΓ 546543 五、發明説明(/>/) [表3 ] 經滴部中史栉蜱而π(.τ-消費合竹社印製 實施例 抗蝕材料組成物[括弧內:組成比(單位:重量份)] 樹脂 酸產生劑 溶解控制劑 鹼性化合物 其他添加劑 有機溶劑 14 Polym. 11 PAG.9 - 三乙醇胺(0.1) ACC.1 PGMEA (30) Polym.20 (30) Polym. 14 (20) ⑷ ⑴ (530) 15 Polym. 8 PAG.l - 三乙醇胺(0.05) ACC.1 PGMEA (50) ⑴ (0.2) (530) Polym. 10 PAG. 11 DYE.1 (30) (2.5) (1.2) 16 Polym. 11 PAG.l - 哌啶乙醇(0.05) ACC.1 PGMEA (24) ⑴ (0.2) (530) Polym. 14 PAG. 11 DYE.1 (56) (2.5) (1.2) 17 Polym. 12 PAG.l - 三乙醇胺 ACC.1 PGMEA (60) ⑴ (0.05) (0.2) (530) Polym. 10 PAG. 12 DYE.2 (20) ⑵ ⑷ 18 Polym. 13 PAG.l - 哌啶乙醇(0·05) ACC.1 PGMEA (70) (1) (0.2) (530) Polym. 15 PAG. 12 DYE.2 (10) ⑵ ⑷ 19 Polym. 1 PAG.l DRR.l Ν-甲基吡喀院酮 ACC.1 PGMEA/EP (70) ⑵ ⑷ (0.05) (0.2) (530) Polym. 14 DRR.3 (10) ⑷ 2 0 Polym. 1 PAG.l DRR.2 Ν-甲基咄喀烷酮 ACC.1 PGMEA/CH (70) ⑵ ⑷ (0.05) (0.2) (530) Polym. 14 DRR.4 (10) ⑷ 2 1 Polym.2 PAG.l - Ν-甲基吡喀烷酮 ACC.1 PGMEA (60) Polym. 14 (20) ⑵ (0.05) (0.2) (530) 2 2 Polym.2 PAG.l - Ν-甲基吡喀烷酮 ACC.1 . PGMEA (60) Polym. 14 (20) ⑵ (0.05) (0.2) (530) 2 3 Polym.21 PAG.l - 三乙醇胺(0.08) ACC.1 PGMEA/EL ⑻ Polym. 16 (62) Polym. 14 (10) (1.5) (0.2) (530) 2 4 Polym. 17 PAG.l - 三乙醇胺(0.08) ACC.1 PGMEA/EL (70) Polym. 15 (10) (1.5) (0.2) (530) 本紙張尺度適用中國國家樣嗥(CNS ) Λ4圯私() 546543 五、發明説明(〖>>) 〔表4〕 實施例 抗蝕材料組成物[括弧內:組成比(單位:重量份)] 樹脂 酸產生劑 溶解控制劑 鹼性化合物 其他添加劑 有機溶劑 2 5 Polym.19 PAG.2 - N,N-二甲基乙醯 ACC.1 PGMEA/EL (70) Poly m. 15 (10) ⑷ 胺(1.0) ⑵ (530) 2 6 Polym.8 PAG.l - 三乙醇胺(0.2) ACC.1 PGMEA/EL (24) ⑴ ⑴ (530) Polym.14 PAG. 11 (56) (2.4) 2 7 Polym.8 PAG.4 - 三乙醇胺(0.5) ACC.1 PGMEA/EL (24) (5) ⑴ (530) Polym.14 PAG. 11 (56) (2.4) 2 8 Polym. 8 PAG.4 - 三U-(2-甲氧甲 ACC.1 PGMEA/EL (24) (5) 氧基)乙基}胺 ⑴ (530) Polym. 14 PAG. 13 (1) (56) ⑵ 2 9 Polym. 9 PAG.l - 三{2-(2-甲氧乙 ACC.1 PGMEA/EL (40) (0.25) 氧基)乙基}胺 ⑴ (530) Polym. 1 5 PAG.4 (40) (4.5) PAG. 14 ⑵ 本紙張尺度適用中國國客Ί'!、4Μ cns ) Λ4η:^ ( Ύ ) 546543 五、發明説明(/β) 〔表5〕 比較例 [蝕材料組成物[括弧內:組成比(單位:重量份)] 樹脂 酸產生劑 溶解控制劑 鹼性化合物 其他添加劑 有機溶劑 1 P〇lym.20 PAG.l - N-甲基吡咯烷酮( ACC.1 PGMEA (80) ⑵ 0.05) (0.2) (530) 2 P〇lym.21 PAG.l 三乙醇胺(0.08) ACC.1 PGMEA (80) ⑵ (0.2) (530) 3 Poly m. 22 PAG.l N-甲基吡咯烷酮( ACC.1 PGMEA (80) ⑵ 0.05) (0.2) (530) 4 Polym. 1 PAG.l N,N-二乙 ACC.1 PGMEA (80) ⑶ 基乙醇胺( 0.1) (0.2) (530) 5 P〇lym.9 PAG.l 三乙醇胺(0.1) ACC.1 PGMEA (80) ⑴ 1,8-二氮雜二環 (0.2) (530) PAG. 12 ⑵ 十一烯(0.05) DGLM:2 —甲氧基乙烯醚 EIPA: 1 —乙氧基一2 —里丙酉享 EL/BA:乳酸乙酉ί( 8 5£量%)與酢酸丁酯(1 5重量%)之混合溶液 PGMEA:丙二醇單甲基醚乙酸酯 PGMEA/EP:丙二醇單甲基醚乙酸酯(9 0重量%)與丙酮酸乙酯(1 0重量%)之 混合溶液 PGMEA/CH:丙二醇單甲基醚乙酸酯(9 0重量%)與環己烷(1 0重量%)之混合 溶液 PGMEA/EL:丙二醇單甲基醚乙酸酯(7 0重量%)與乳酸乙酯(3 0重量% (之混 合溶液 S Ν C 牟 家 國 國 中 用 iii 度 尺 張 紙 _本 546543 Λ 五、發明説明(/>〆) 部 中 史 標 X 消 费 A 社 印 % 〔表6〕 實施例 感度: Εορ (mJ/cm2) 解像.度 (U m) 外觀 耐熱性 圖型倒塌情形 1 22.0 0.20 矩形 〇 te j \ w 2 26.0 0.20 矩形 〇 ^fnr I ITr j \ \\ 3 29.0 0.20 矩形 〇 /frrr ΙΤΓΓ 4 30.0 0.18 矩形 〇 ^fnT ΤΓΤΓ j\w 5 35.0 0.18 矩形 〇 4γττ. ΤΤΤΓ J V 6 25.0 0.18 矩形 〇 >fnT 1111 J\ \\ 7 18.0 0.18 矩形 〇 /fnr 11II J \ w 8 31.0 0.18 矩形 〇 -frrr Nik j \ w 9 27.0 0.18 矩形 〇 >fnT ΙΓΠ 10 24.0 0.18 矩形 〇 M J \\\ 11 20.0 0.18 矩形 〇 M j \\\ 12 23.0 0.18 矩形 〇 ^frrr ΙΓΠ 13 23.0 0.18 矩形 〇 >fnr ΤΤΤΓ 14 20.0 0.18 矩形 〇 /fnr tm J \\\ 15 23.0 0.20 少許順向突起 〇 M j\\\ 16 22.0 0.20 少許順向突起 〇 4τγγ 1111: 川、 17 23.0 0.20 少許順向突起 〇 1111: 18 23.0 0.20 少許順向突起 〇 4nr. Ill 1: J \\\ 19 18.0 0.18 矩形 〇 >fjjr ΜΤΓ 20 19.0 0.18 矩形 〇 M J v \\ 21 18.0 0.18 矩形 〇 4πτ. \\T\: J \ w 22 20.0 0.18 矩形 〇 >fnT itrr j \\\ 23 27.0 0.20 矩形 〇 ^frnr IHI- J \\\ 24 29.0 0.20 矩形 〇 >fnr ΊΤΤΓ J \\\ 25 32.0 0.20 矩形 〇 ^fnr ΙΤΤΓ j \\\ 26 27.0 0.18 矩形 〇 4rrr. ΤΤΤΓ J \ w 27 30.0 0.20 矩形 〇 4ml Mil J \ w 28 31.0 0.20 矩形 〇 4rrr. ΤΤΤΓ J \ w 29 28.0 0.20 矩形 〇 ItTl J \\\ 耐熱性:〇:加熱前後圖型形狀並無變化 本紙張尺度適用中國國家牦導(CNS ) Λ4^ ( 210 χ/ Μ? :λ ) 實施例 感度: Εορ (mJ/cm2) 解像.度 (β m) 外觀 耐熱性 圖型倒塌情形 1 20.0 0.22 矩形/逆向突起 X 有 2 25.0 0.24 矩形/未能解像 X 有 3 21.0 0.22 矩形/T-冠狀 X 有 4 24.0 0.20 矩形/逆向突起 〇 有 5 30.0 0.18 矩形/逆向突起 〇 有 耐熱性〇:加熱前後 圖型形狀並無變化 X :加熱後、因熱垂流而造成圖型劣化 546543 五、發明説明(py) [表7] 經滅部中央標坨而KJ-消费合e社印絜
本紙張尺度適用中國國家彳'!、導 ( CNS ) /vm’i ( 210 A 546543 五、發明説明彳26 ) 22、23、24之抗 其次,對於上記實施例2 1 飩組成物中’以全體之0 · 0 5重量%之比例添加炔醇衍 生物之具有下記結構式之過苯酚E 1 〇 〇 4 (日信化學工 業(株)製)以製得之抗鈾組成物中,觀察微粒(異物) 增加及其保存上之安定性。其結果如表8所示。此時,液 體中有關微粒之測定係使用K L — 2 Ο A (理王(股)公 司製),其係於保持4 0 t下之加速試驗中測定〇 · 3 Μ m 以上之微粒數。 【化8 5】 才>E1 0 0 4
(CH2CH20)m-H CH3\ ch/
(CH2CH2〇)n—H m’ + n’ = 3.5 欠 消 fc 合 本紙張尺度適用中國國家牦卑(CNS ) Λ川:格(21()/ 29 0 546543 五、發明説明(/>力 [表8] 濾過後(個/m) 未添加經4個月後 (個/ml) 有添加經4個月後 (個/ml) 實 21 5 31 11 施 22 7 35 7 例 23 7 25 12 24 6 270 9
I 史 標 x 消 费
A 社 印 本紙張尺度適用中國國家彳'1卑(CNS ) Λ4« ( 210,v、:、又;'

Claims (1)

  1. 546543 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 | \ Ί :,\ - ν·; I 第87116629號專利申請案 : ^ ^ t ' 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國9 1年7月修正 1 . 一種抗蝕材料,其係含有: (A )有機溶劑, (B )重量平均分子量、酸不穩定基含量、交聯基含量、 酸不穩定基或交聯基種類中有任一項不同之具有下式(1 )所示重複單位且其苯酚性羥基之部份氫原子受1種或2 種以上酸不穩定基所部分取代,且所剩餘之苯酚性羥基中 一部份與烯醚化合物或鹵化烷醚化合物反應所得之具有 C -〇- c基父聯基可於分子內及/或分子間形成交聯, 或具有下式(2 )所示重複單位且R所示之苯酚性羥基與 烯醚化合物或鹵化烷醚化合物反應所得之具有C - ◦- C 基交聯基可於分子內及/或分子間形成交聯,上記酸不穩 定基與交聯基之總量係爲式(1 )之苯酚性羥基的氫原子 全體之0莫耳%至8 0莫耳%範圍之重量平均分子量 1, 000〜500, 000之高分子化合物; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (C )酸產生劑:對全基礎樹脂1 〇 0份爲0 · 2〜1 5 份; (D )含脂肪族胺之鹼性化合物:對全基礎樹脂1 0 0份 爲〇·〇1〜2份, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 546543 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍
    (1 ) (〇H)y R爲氫原子或甲基;R2爲碳數 之直鏈 支鏈或環狀烷基;又,X爲0或正整數、y爲正整數、且 爲滿足x + yS5之數;) RI I
    (2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中·,R爲羥基或OR3基,且至少有一個爲羥 ;Ri爲氫原子或甲基;R2爲碳數丄〜8之直鏈、支 或環狀烷基;R爲酸不穩定基;又,X爲〇或正整數 y爲正整數、且爲滿足χ + y 之數,匕爲〇或正整 、111爲0或正整數、η爲正整數、且爲滿足k+m+n 5之數;p、Q爲3正數,且爲滿足p + Q;:=;1之數;又 η爲2以上時,R 3可爲相同或不同)。 2·如申請專利範圍第1項記載之抗蝕材料,其中 再添力口 (Ε)分子內具有=C — CO〇h某之芳來〜 悬Z方香族化合物: 全基礎樹脂1 0 0份爲〇 · 1〜5份。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -2- 5他43 A8 B8 C8 D8 請專利範圍 3 .如申請專手1 B )成分之2種以J: )所示重複單位且P _氧原子與下式(4 c基交聯基於分子P 疋基與交聯基之總漏 全體之0莫耳%至8 !,000 〜500 範圍第1項記載之抗蝕材料,其中( 之高分子化合物係由,具有下式(3 所示之苯酚性羥基中氫原子經解離後 a)或(4b)所示之具有c —〇一 及/或分子間形成交聯,上記酸不穩 係爲式(1 )之本酣性經基的氨原子 0莫耳%範圍之重量平均分子量 ,0 0 0之高分子化合物中所選出; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R2, R1 —fCH2Ch
    R2,
    (3) 趣濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ 甲爲 3 爲或3 、 R 子 R 鏈 , 原 ·,直 中氫基之 式爲院 8 C ' 狀 一 R 環 1 ; 或數 【基或OR3基,且至少有一個爲羥基 基;R 2爲碳數1〜8之直鏈、支鏈 酸不穩定基;R4、R5爲氫原子或碳 :鏈或環狀烷基,R 6爲碳數1〜1 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -3- 546543 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 之可具有雜原子之1價烴基,R 4與R 5、R 4與R R 5與R 6可形成環,形成環時,R 4、R 5、R 各自爲 碳數1〜18之直鏈、支鏈或環狀伸烷基;R 爲碳數4 〜2 0之三級烷基、各烷基各自爲碳數爲1〜6之三丨完基 矽烷基、碳數4〜20之羰烷基或—CR4R5〇r 基; pi 、p2爲正數,Ql 、q2爲0或正數,且滿足0 < pl/(pl + ql + q2 + p2)^0 . 8 5 O^ql /(p1 + q1 + q2 + p2) $〇.8 ,〇€q2/( pl + ql + q2 + p2) ^ 〇 . 8,pl + ql + Q2 +P2二1之數,但Ql與Q2不同時爲〇;a爲0或1 〜6之正整數;X、y、k、m、η各自具有與上記內谷 相同之意義); (請先閱讀背面之注意事項再填寫本覓) -c . f 9 RIC—R 1 d I J (R1 - 〇 [- A I 〇 ¾· Rl i ? \J/ a 4 /__' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A I B I 3 R1 f 〇 Ra—c-—R9 3 _ 9 ric—r 〇 I J Rl I B b 4 (式中,R 、R 爲氫原子或碳數1〜8之直鏈、 支鏈或環狀烷基;或R 8與R 9可形成環,形成環時,R 、爲碳數1〜8之直鏈或支鏈之伸丨元基,R 爲fc數 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4 - 546543 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍1〜1 0之直鏈、支鏈或環狀之伸烷基;d爲0或1〜 1〇之整數;A爲具有C價之碳數1〜5 0之脂肪族或脂 環式飽和烴基、芳香族烴基或雜環,此些基團中可夾有雜 原子,或與碳原子鍵結之氫原子中之一部分可被羥基、'银 基、醯基或鹵原子所取代;B爲- C〇-〇-、-NHC0-0-或 -NHCONH- ;c爲2〜8,〇>爲1〜7之整數)。4 .如申請專利範圍第3項記載之抗蝕材料,其中式 (4 a )或C 4 b )所不之具有C — 〇 —C_之交聯基爲 下式(4a')或(4b )所市基團; -Ci〇-R,3)j [-〇-(R^-〇)d«c^_R9 ^ (4a,) if -〒-〇-R,J-B-A’ [-B-R"一〇一{^«R9 R9 (4b,) (請先聞讀背面之泣意事項舟填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中,R 、R 爲氫原子或碳數1〜8之直鏈、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) - 5 - 546543 as B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 支鏈或環狀烷基;或R S與R 9可形成環,形成環時,R 、R 9爲碳數1〜8之直鏈或支鏈之伸燒基;r 1 3爲碳數 工〜1 0之直鏈、支鏈或環狀之伸烷基;d爲〇或1〜 10之整數;爲具有c 〃價之碳數1〜20之直鏈、 支鏈或環狀伸烷基、烷三基、烷四基、碳數6〜3 0之伸 芳基,此些基團中可夾有雜原子,或與碳原子鍵結之氫原 子中之一部分可被羥基、羧基、醯基或鹵原子所取代;B 爲一 C 〇一〇一、一 NHCO —〇一或一NHCONH — ;c "爲2〜4,c 爲1〜3之整數)。 5 .如申請專利範圍第1至4項中任一項記載之抗蝕 材料,其中所添加之(C )成分係由鑰鹽、二偶氮甲烷衍 生物、乙二肟衍生物或亞胺基磺酸酯衍生物中所選出之一 種以上之化合物所組成。 6 .如申請專利範圍第1至4項中任一項記載之抗蝕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 下種耳 ο 有 1 莫 ο 具受 ο ο 之子 8 , 同原至 3 不氫 % 量 分之耳子 成基莫分 }羥 ο 均 B 性均平; { 酚平量物 與苯之重合 : 其體之化 } 且 全之子 F , 以代分 彳位基取高 加單定分之 添複穩部 ο 再重不所 ο 可示酸修 ο 中 所上比 , 其 } 以之 ο , 1 種圍 ο 料 i CN1 範 CO 材式或 % ~ 張 紙 本
    釐 公 7 546543 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 (式中,R爲氣原子或甲基;R 2爲碳數]_〜8之 直鏈、支鏈或環狀院基;又,1爲〇或正整數、y爲正整 數、且爲滿足x+y§5之數)。 7 .如申請專利範圍第6項記載之抗蝕材料,其中( F )成分爲具有下式(1 〇 )所示重複單位之霞量平均分 子量3, 000〜3〇〇,〇〇〇之高分子化合物; I — --------#1 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 式中 R R R R R 具有與上述內
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 容相同之意義,R 爲與一 CR R 〇R6不同之酸不 穩疋基,e、f爲〇或正數,g爲正數,e + f+ g= i ,且〇Se / (e+f + g) · 5 ,〇.4Sg/( e + f + g) . 9)。 8 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項記載之抗鈾 材料,其可再添加(G ):溶解控制劑。 9 ·如申g靑專利範圍第1至4項中任一項記載之抗蝕 材料,其可再添加(Η ):紫外線吸收劑 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ·η · 546543 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 * ' 1 0 .如申請專利範圍第1至4項中任一項記載之< 餓材料,其可再添加(I ):炔醇衍生物。 Λ 1 1 ·如申請專利範圍第6項記載之抗蝕材料,甘 f請先閱讀背面之注意事^再填寫本頁j 、 ^ 再添加(G ):溶解控制劑。 1 2 ·如申請專利範圍第6項記載之抗蝕材料,其^ 再添加C Η ):紫外線吸收劑。 1 3 ·如申請專利範圍第丨1項記載之之抗蝕材料,其 可再添加(Η ):紫外線吸收劑。 1 4 ·如申請專利範圍第6項記載之抗蝕材料,其可 再添加(〗):炔醇衍生物。 -訂· 1 5 ·如申請專利範圍第1 1項記載之抗蝕材料,其 可再添加(I ):炔醇衍生物。 1 6 ·如申請專利範圍第1 2項記載之抗蝕材料,其 可再添加(I ):炔醇衍生物。 1 7 . —種圖型之形成方法,其係包含, C i )將申請專利範圍第1至1 6項中任一項記載之 抗蝕材料塗佈於基板上之步驟及, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 111 η 〇 ο 3 長 波, 以驟 罩步 光之 由光 藉曝 ,行 後進 熱線 加子 於電 次或 其線 ) 量 i 能 i 高 ( 之 下 以 像 顯 液 像 顯 用 偯 後 彐二 理 處 熱 加 經 於 時 要 必 驟 步 之 尺 一張 一紙 I本 準 標 家 I國I相 用 !適 I釐 公 7 9 2
TW087116629A 1997-10-08 1998-10-07 Resist material and patterning process TW546543B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29168197 1997-10-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW546543B true TW546543B (en) 2003-08-11

Family

ID=17772048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087116629A TW546543B (en) 1997-10-08 1998-10-07 Resist material and patterning process

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6136502A (zh)
EP (1) EP0908783B1 (zh)
KR (1) KR100489576B1 (zh)
DE (1) DE69806880T2 (zh)
TW (1) TW546543B (zh)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5942367A (en) * 1996-04-24 1999-08-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition, pattern forming method, and method for preparing polymer having a crosslinking group
TWI277830B (en) * 1999-01-28 2007-04-01 Sumitomo Chemical Co Resist composition
US6200728B1 (en) * 1999-02-20 2001-03-13 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions comprising blends of photoacid generators
EP1031878A1 (en) * 1999-02-23 2000-08-30 Shipley Company LLC Novel polymers and photoresist compositions comprising same
JP3771739B2 (ja) * 1999-03-18 2006-04-26 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
US6455223B1 (en) * 1999-03-26 2002-09-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6723483B1 (en) 1999-12-27 2004-04-20 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Sulfonium salt compounds
US7351353B1 (en) * 2000-01-07 2008-04-01 Electrochemicals, Inc. Method for roughening copper surfaces for bonding to substrates
AU2001238706A1 (en) * 2000-02-27 2001-09-03 Shipley Company, L.L.C. Photoacid generators and photoresists comprising same
JP3802732B2 (ja) * 2000-05-12 2006-07-26 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
TW594410B (en) * 2000-09-07 2004-06-21 Shinetsu Chemical Co Resist compositions and patterning process
US6645695B2 (en) 2000-09-11 2003-11-11 Shipley Company, L.L.C. Photoresist composition
JP4438218B2 (ja) * 2000-11-16 2010-03-24 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
EP1299773A4 (en) * 2001-04-04 2006-06-21 Fujifilm Electronic Materials SILICLE-CONTAINING ACETAL PROTECTIVE POLYMERS AND PHOTORESISTAL COMPOSITIONS THEREOF
KR100863984B1 (ko) * 2001-07-03 2008-10-16 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 레지스트 조성물
DE10203839B4 (de) * 2002-01-31 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Resist für die Fotolithografie mit reaktiven Gruppen für eine nachträgliche Modifikation der Resiststrukturen
TW200405128A (en) 2002-05-01 2004-04-01 Shinetsu Chemical Co Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US6716281B2 (en) * 2002-05-10 2004-04-06 Electrochemicals, Inc. Composition and method for preparing chemically-resistant roughened copper surfaces for bonding to substrates
JP3991222B2 (ja) * 2003-02-13 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP3991223B2 (ja) 2003-02-13 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4440600B2 (ja) * 2003-10-31 2010-03-24 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物
EP1637928B1 (en) * 2004-09-15 2012-05-02 Dongjin Semichem Co., Ltd Photoresist monomer having spiro cyclic ketal group, polymer thereof and photoresist composition including the same
JP5047502B2 (ja) * 2005-01-19 2012-10-10 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 樹脂混合物を含むフォトレジスト組成物
EP1780198B1 (en) * 2005-10-31 2011-10-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel fluorosulfonyloxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7771913B2 (en) * 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
JP4548617B2 (ja) * 2006-06-09 2010-09-22 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法
JP4623311B2 (ja) * 2006-06-14 2011-02-02 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5124806B2 (ja) * 2006-06-27 2013-01-23 信越化学工業株式会社 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
US20080268839A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Ayers John I Reducing a number of registration termination massages in a network for cellular devices
JP4466881B2 (ja) 2007-06-06 2010-05-26 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法
JP5019071B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-05 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP5245956B2 (ja) * 2008-03-25 2013-07-24 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4569786B2 (ja) 2008-05-01 2010-10-27 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP5387181B2 (ja) * 2009-07-08 2014-01-15 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法
KR20130032071A (ko) * 2011-09-22 2013-04-01 주식회사 동진쎄미켐 I-선 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성 방법
KR102310637B1 (ko) * 2015-01-12 2021-10-08 삼성전자주식회사 씬너 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2017090849A (ja) * 2015-11-17 2017-05-25 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 高耐熱性レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US10606174B2 (en) * 2017-01-25 2020-03-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and method of forming resist pattern
JP6986880B2 (ja) 2017-07-12 2021-12-22 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
WO2021065982A1 (ja) * 2019-10-02 2021-04-08 丸善石油化学株式会社 レジスト用架橋型重合体
TWI777426B (zh) * 2020-02-27 2022-09-11 台灣積體電路製造股份有限公司 光阻底層組成物與製造半導體裝置的方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4603101A (en) * 1985-09-27 1986-07-29 General Electric Company Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials
DE3750275T3 (de) * 1986-06-13 1998-10-01 Microsi Inc Lackzusammensetzung und -anwendung.
US5310619A (en) * 1986-06-13 1994-05-10 Microsi, Inc. Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable
JP2578646B2 (ja) * 1988-07-18 1997-02-05 三洋電機株式会社 非水系二次電池
JP2970879B2 (ja) * 1990-01-30 1999-11-02 和光純薬工業株式会社 化学増幅型レジスト材料
US5252435A (en) * 1990-01-30 1993-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for forming pattern
JPH03223858A (ja) * 1990-01-30 1991-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
TW304235B (zh) * 1992-04-29 1997-05-01 Ocg Microelectronic Materials
TW394861B (en) * 1994-04-25 2000-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition
DE69516101T2 (de) * 1994-12-20 2001-01-11 Arch Speciality Chemicals Inc Vernetzte Polymere
JP3173368B2 (ja) * 1995-04-12 2001-06-04 信越化学工業株式会社 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
DE69624968T2 (de) * 1995-04-21 2003-11-06 Arch Spec Chem Inc Vernetzte Polymere
JP3239772B2 (ja) * 1995-10-09 2001-12-17 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3052815B2 (ja) * 1995-12-01 2000-06-19 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
DE69628996T2 (de) * 1995-12-21 2004-04-22 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Polymerzusammensetzung und Rezistmaterial
US5942367A (en) * 1996-04-24 1999-08-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition, pattern forming method, and method for preparing polymer having a crosslinking group

Also Published As

Publication number Publication date
DE69806880T2 (de) 2003-02-27
DE69806880D1 (de) 2002-09-05
EP0908783A1 (en) 1999-04-14
US6136502A (en) 2000-10-24
KR19990036902A (ko) 1999-05-25
KR100489576B1 (ko) 2005-12-21
EP0908783B1 (en) 2002-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW546543B (en) Resist material and patterning process
TW536549B (en) Novel onium salts, photoacid generators for photo resist compositions, photo resist compositions, and patterning process
TW538314B (en) Photo resist composition and patterning process
TW494279B (en) Chemically amplified positive resist composition
US5942367A (en) Chemically amplified positive resist composition, pattern forming method, and method for preparing polymer having a crosslinking group
TWI226519B (en) Polymers, resist compositions and patterning process
TW480370B (en) Polystyrene-based polymer compound, chemical amplification positive type resist material and pattern formation
TWI237737B (en) Novel polymers, resist compositions and patterning process
TWI263861B (en) Resist material and pattern forming method
TW200304041A (en) Positive resist composition
TW553959B (en) Polymeric compound, resist material and pattern-forming method
TW200931185A (en) Patterning process and pattern surface coating composition
JPH11190904A (ja) レジスト材料及びパターン形成方法
TWI225184B (en) Chemical amplification type resist composition
TW588058B (en) Polymers, resist compositions and patterning process
TWI249649B (en) Resist composition and patterning process
TWI284782B (en) Polymers, resist compositions and patterning process
TW574629B (en) Polystyrene derivative chemically amplified positive resist compositions, and patterning method
TW526210B (en) Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
TWI420238B (zh) 聚合物,聚合物製備方法,光阻組成物及圖案形成方法
TW591340B (en) High molecular weight silicone compounds, chemically amplified positive resist compositions, and patterning method
TW530192B (en) Partially hydrogenated polymer compound and chemically sensitized positive resist material
JPH10207066A (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP3804756B2 (ja) 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
TW562998B (en) Production method for polymer compound and resist material prepared by using the polymer compound

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent