TW543340B - Luminescent display device and method of manufacturing same - Google Patents

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543340 五、發明說明（1) 發明冬背景 本發明係關於一種發光顯干壯要 苴#由冉π IW π Λ、、 衣置’其包括透明基板（尤 輔助電極及發光層；及亦關於層此°於/丄板上之透明電極、 法。 j關於此一發光顯示裝置之製造方 一般知曉一種有機EL(電於氺士 φ^ 肖衽厗人认山v η 电心光或電激發光）顯示元件，其 匕括層a於由，例如，玻璃形成 的读日Η Φ ·丄士 1U 透月基板上之條紋形狀 ^ 4, ^ η ^ Λ ^ 成且層合於透明電極上之 條纹彤辟从八Η + α 以致於可垂直於透明電極之 條、，文形狀的金屬電極。將透明電極 極形成為陰極，及當在透明 =為％極及將金屬電

Hr電通過有機化合物1此，發光層發射， 使么射自發光層之光自透明電極側離開。 使用樹脂基板替代玻璃基板，以 廣#簿。佔田似n匕甘1 1文男械顯不裝置之厚 ϋ列用樹脂基板可使基板本身之厚度㈣，且幾乎 k 衣此外，利用樹脂基板之有機EL 干#署π*内 曲，因此而有利。 ，铖顯不瓜置可彎 而在使用樹脂基板之情況中，由於出古德儿入此/ 成之發光層對渴&合旦彳# ；有機化&物形 板，因而二1 且水含量會通過樹脂基 板 口而雨在樹脂基板上形成防潮層。 此外，電流會通過層合於樹脂基^ 舍雷流、J3L + 久工 < 有機化合物，及 田電/瓜通過時，需注意透明電極 極具有低電阻，且#古而 冤阻。換5之，金屬電 有較金屬^ - 孔化物製成之透明電極具 屬電“之電阻。因此’當電流通過有機化合物 第6頁 543340 五、發明說明（2) 時’透明電極之電阻變得顯著。 當電阻增加時，會產生除了對電路的連接部分之外，未 對有機化合物施加適當之電場的情況，其會在複數個有機 化口物之間產生不均勻的發光，因此而不方便且有瑕疲。 為解決此種瑕疵，而提供一種設置輔助電極之技術。換言 之，將金屬辅助電極設置於透明電極之側面上，以使其 導電’及降低陽極側上之佈線電阻。 圖6呈一現在作為基板之樹脂基板上製備有機el元件之步 驟換D之，製備樹脂基板1，及將防潮層5層合於樹脂美 板1之一表面上（步驟S1)。將作為陽極之透明電極2以薄ς 的形態形成於防潮層5上（步驟S2)，然後使經如此層合之、 透明電極2進行圖案化處理或程序（步驟S3)。接下來，在 透月電極2上形成作為輔助電極3之金屬薄膜（步驟S4)。i 後使此金屬薄膜進行圖案化處理（步驟S 5 )。 將可容易假設在使用樹脂基板製造發光顯示裝置 成：：：極 '然而’在於樹脂基板】上形成作為輔助電而極； 之金屬4膜時，將會產生以下的問題或瑕疵。 換言之，由於樹脂基板1的材料較玻璃基板柔軟（即較小 的楊氏模數（Young，s module))，因而如圖6中之步驟^ 示，在形成金屬薄膜時，樹脂基板丨大大地彎曲，其合 ，，金屬薄膜之圖案化處理之後續的程序或步驟有不θ利的 序4響。 此外，當將金屬薄膜形成於樹脂基板丨上時，會產生 紋9形成至防潮層5或透明電極2之層的情況，其^著會^ 第7頁 C:\2D-CODE\91-08\91109765.ptd 543340

•發明說明（3) 破裂而損壞。在防潮層5破f 會侵入至發光層巾，因此皮衣可的/彳；^，有害的水含量將 狀態。 j此後難將發光層保持於良好 f明之概述 因此，本發明之一目的A# 中所遭㈣之瑕Ή缺點為地消除前述在先前技藝 成輔助電極時，可防止樹 種在於樹脂基板上形 及/或透明電極不會受指夕恭土时 且I万潮層 發光顯不裝置之製造方法。 住 ，達成以上及f他的目的’本發明人發現内部應力始終 殘邊於經由真空蒸發、濺錢 石 而形成於樹脂基板上之薄；中二=類似程序或處理 土， Μ Μ中且會因殘留的内部應力而 m 或防潮層之損壞。金屬薄膜中之 内邛應力σ(達因（dyn)/平方公分）係自截面積之一側施 加至其之另一侧之每單位截面積的力。本發明人亦發現以 上在於樹脂基板上形成辅助電極時之瑕疵或損壞可經由將 總應力S= σ X d(達因/公分）（σ :内部應力；d :薄膜厚 度）降至預定值而解決。 將以上的說明列入考慮，本申請案之發明人經由在一態 j中提供一種包括具有一及另一表面之樹脂基板、及透明 I極、經設置成對透明電極具導電性之金屬輔助電極及包 S有機化合物之發光層’此透明電極、輔助電極及發光層 係以層的形態層合於樹脂基板之一表面上之發光顯示裝 置， *

第8頁 543340 五、發明說明（4) 輔助電極具有不多於13χ1〇5達因 部應力）X (发夕骟时 、α〆丄 A刀之{(内 之以上及其他的目的…； 延成根據本發明 以下將，兒明在本發 以樣中 力定為不多於！ q \ l 獨助寬極之總應 夕於1 · 3 X 1 〇5達因/公分的理由。 ，，基板之微小（微細）部分之力與力矩之間之 ‘：：ό在輔助電極之内部應力σ與樹脂基板之翹曲之： 率彳二r間的關係以下列的方程式（1)表示： r = E· bV{6(l- 〇 d. σ} · bV{6(l- ,) d . r}------(i) (r :基板之翹曲的曲率半徑；E :基板之揚氏模 基板之厚度；v :基板之卜瓦松比（p〇iss〇n，s 幻.· d ·輔助電極之薄膜厚度；σ ••輔助電極之内部應力）’ 在樹脂基板的情況中，雖然形成基板的材料不u同，作 致而言，揚氏模數10000至20000公斤力/平方公分一大 瓦松比=0·4至0·5。本申請案之發明人經由使用$二，/ 毫米及長度100毫米之一般的樹脂基板，來評估在形 表1 明於下表1之厚度之鉻膜時之翹曲量及障壁層（防次 裂紋。 9 /曰）之 薄膜厚度（人） 翹曲（1ΤΠΏ) 障壁層之裂 紋的評估 (dyn/cm) 500 5.5 良好 - 800 8.0 良-好 - 1000 9.5 不佳 1 .5x1 ο5 1500 12 不佳 *

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如可由此表1所見，在使用厚度〇· 2毫米之通常已知之樹 脂基板的情況中，對於長度丨〇 〇毫米之基板，基板需且有 不多於8毫米之翹曲量，及相對地，在超過此8毫米之值的 情況中，防潮層（障壁層）將會大大受損，且在後續的程序 中將會產生由於大翹曲所致的其他瑕疵。根據此說明，將 叶异輔助電極之薄膜的總應力，及在以上的情況中，曲率 半徑r成為155毫米（Γ = 1 55毫米）。因此，經由將此值代入 至以上之方程式（1 )，而計算總應力。舉例來說，在r = 155毫米’E = 15000克力/平方公分，ν=〇·5，1公斤力与 1 06達因/平方公分之情況中， σ · d(達因 / 公分X 1 50 00 χ 9· 8 X ι〇5 χ (2 χ ι〇-2)2 }/{6 X (1-0. 5) X 15. 5} = 1. 5 X 9. 8 X 4 X 1〇5/(6 X 〇. 5 X 15. 5) =1.26χ 105^1.3χ ίο5 經由形成金屬薄膜，以致總應力變為低於以上之計算值 時，可將金屬薄膜形態之輔助電極形成於樹脂基板上，而 不會有問題。此外，内部應力可為在透過單位截面積垂直 於基板表面作用至物體之力之拉引方向中之拉伸應力（即 在薄膜收縮時施加之應力），或可為在其之推壓方向中的 壓縮應力（即在薄膜伸展時施加之應力）。

C:\2D-roDE\91-08\91109765.ptd 第10頁 543340 五、發明說明（6) 在以上態樣之較佳具體例中，將防潮声μ 與透明電極之間，以阻絕濕氣。 脂基板 板與透明電極之一部分之間。 冤桎叹置於樹脂基 ΙΪΓ】ίΐ與？助電極之間形成一層金屬氧化物。 在I知技藝中，如圖6之步驟32至8 w 以薄膜的形態形成，然後再圖案化，其後再形月電極j:系 3 ’然後圖案 匕’以致於可與透明電極2之側面接在： 專步驟中，在對玻璃基板多於2〇〇。 在^ 極2之情況中，將不會產生問題，但==”透明電 ίϊΐΐπ極2係諸如圖8所示，在輔助曰之 以:條:此，透明電極2之表面變粗， 之2發:;所克服，其中透明電極係於輔助電極 於;^ π其Φ之後再形成及圖案化（即辅助電極係設置 電ΐ電極之一部分之間）。因此，在將輔助 ° Τ ,透明電極不會被蝕刻溶液侵蝕。因此，可 ΐί明！極之表面保持光滑’且可維持良好的發光條件。 :匕’由於金屬輔助電極經透明電極覆蓋，因而 屬輔助電極之氧化。 此外根據金屬氧化物（諸如銦-錫氧化物）之形成，在 樹脂基板與輔助電極之間之層可對輔助電極之金屬薄膜提 供良好的黏著。此外，在將輔助電極直接形成於樹脂基板 上之情況:，有輔助電極會自樹脂基板剝離的憂慮。 在另先、樣中，提供一種發光顯示裝置，其包括具有一

第11頁 C:\2D-OODE\9]-O8\911〇9765.ptd 543340 五、發明說明（？） 及另一表面之樹 極具導電性之金 此透明電極、輔 基板之一表面上 其中，輔助電 悲的銀或銀合金 在再一態樣中 及另一表面之樹 極具導電性之金 此透明電極、輔 基板之一表面上 其中，輔助電 紹形成。 此外，在再一 括下列 製備 在樹 具導電 其中 {(内部 屬形成 在此 層合之 前，將 步驟之發 具有一及 脂基板上 性之輔助 輔助電極 應力）X ( 態樣之一 後再層合 金屬氧化 脂基板、及透明電極、經設置成對透明電 屬輔助電極及包含有機化合物之發光層， 助電極及發光層係以層的形態層合於樹脂

J 極係由厚度不多於50 0奈米（nm)之薄膜形 形成。 ，提供一種發光顯示裝置，其包括具有一 脂基板、及透明電極、經設置成對透明電 屬輔助電極及包含有機化合物之發光層， 助電極及發光層係以層的形態層合於樹脂 ， 極係由厚度不多於1 5 0奈米之薄膜形態的 悲樣中’以上及其他的目的可經由提供包 光顯示裝置之製造方法而達成： 另一表面之樹脂基板；及 層合透明電極、由金屬製成為對透明電極 電極、及包含有機化合物之發光層； 係由具有不多於1· 3 X 1〇5達因/ ^分之 其之薄膜厚度）}之總應力之薄膜形態的金 較佳具體例中，透明電極係於輔助電極之 。此方法可更包括在輔助電極 物層合於樹脂基板之一表面上=之

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辅助電極係經由真空蒸發、濺鍍、離子電鍍或蠢晶生長 之任一處理或程序形成，然後再進行圖案化處理。 根據此種製造方法，可達成與先前提及之實質上相同的 本發明之性質及進一步的特性特徵將可由參照附圖而作 之以下說明而更加清楚。 體例之說明 以下將參照附圖說明本發明。 多照顯示本發明之發光顯示裝置之第一具體例的圖1， 發光顯示裝置包括樹脂基板丨丨及有機EL元件之層合結構， 此層合結構包括形成於樹脂基板上之包括透明電極1 2之

層、導電性金屬材料之輔助電極1 3及包含有機化合物之 光層14 〇 X 在本具體例，樹脂基板1 1對可見光具有透明或半透明的 性質，且具有，例如，〇· 2毫米之厚度。在樹脂基板丨丨之 至 >、表面上开》成阻絕濕氣或水含量的防潮層1 5。此種樹 =基板11可由具有PC(聚碳酸酯）之基材的液晶基板形成較 佳。然而，樹脂基板11之材料及厚度並不限於本發明之以 上的材料及厚度。然而，考慮到因使用樹脂基板，以致可 $樹脂基板做得薄且可彎曲之優點或好處，希望使用具有 f氏模數、卜瓦松比及厚度與以上樹脂基板接近之值之除 箣述之樹脂基板外的基板材料。 *在樹脂基板11之此一表面的顯示面積上設置作為陽極之 薄膜形態的透明電極1 2。透明電極丨2對視覺光具有透明或

C:\2D-CODE\91-08\91109765.ptd 第13頁 543340 五、發明說明（9) 半透明性質，且例如，係由導電性材料諸如銦—錫之氧化 物、銦-鋅之氧化物等等形成。此種透明電極〗2係經由先 透過真空蒸發、濺鍍、離子電鍍或磊晶生長處理或程序形 成氧化物之薄膜，其後再經由將如此形成之薄膜圖案化^ 形成。如此形成之透明電極12提供條紋形狀的平面。 將金屬輔助電極1 3以薄膜形態層合於透明電極〗2上，以 ，其f有導電性’然後再圖案化。輔助電極】3係經由透過 -空瘵發、濺鍍、離子電鍍或磊晶生長處理或程序形成金 屬薄膜，其後再經由利用微影（ρ]ιοί〇Ηΐ1ι〇§Γ3ρ^Η^^術或 類似技術將如此形成之金屬薄膜圖案化而形成。 金屬薄膜係經形成為使總應力S (内部應力σ (達因/平 方^分）χ薄膜厚度d)不多於1·3χ 1〇5達因/公分。更明 確吕之，在輔助電極13係由銀-鈀-銅合金或銀合金形成的 情況中，將薄膜厚度設為低於500奈米，及在輔助電極13 係由鋁形成的情況中，將薄膜厚度設為低於15〇奈米。關 於除前述之外之輔助電極13的材料，可列舉Cr、此或⑸， 且根據材料之種類，將總應力S設為不多於1 /公分：此外，輔助電極13之内部應力係利用晶=格達:之 ^變測1方法、基板之翹曲（彎曲）測量方法或類似方法測 經由療發及濺鍍有機化合物而進一步將發光層丨4形成於 輔助電極13上。由有機化合物形成之發光層14可具有僅具 :有機層之單層結構，或具有將複數個功能諸如發光功 旎、載體輸送功能或類似功能個別賦予各別層之多（複數） 1 第14頁 C:\2D-CODE\91-O8\91109765.ptd 543340 五、發明說明（10) " -- 層結構。 在發光層1 4上進一步設置作為陰極之金屬電極丨6，苴係 成為薄膜形狀並圖案化。金屬電極16係經形成為金屬 屬膜’以提供垂直於透明電極1 2之條紋形狀。 如前所述，有機EL元件包括透明電極12、輔助電極丨3、 發^層14及金屬電極16，其係依此次序設置於樹脂基板u =#表面上（如於圖1中觀看之上表面），並藉密封層17來 覆盍4。密封層1 7係由氮化矽、環氧樹脂或類似材料形成， 並係設置以阻絕大氣空氣中之濕氣或水含量侵入發光層Η 當在陽極側（透明電極12)與陰極側（金屬電極16)之間施 加DC電場時，正電洞自陽極傾洩至發光層14中，及電^亦 自陰極注入至其中，因而使發光層14中之有機化合物發 射且使發射光經由樹脂基板1 1之另一表面離開。 圖2包括呈現本發明之圖丨之發光顯示裝置之製造步驟的 首先，製備透明樹脂基板1 1 (步驟S 1 )。在下一步驟（步 驟S2)*中，透過蒸發、濺鍍、離子電鍍、磊晶生長處理& 矛王序等等將防潮層丨5以薄膜形態形成於樹脂基板11之各表 ，上。其後透過濺鍍、離子電鍍、磊晶生長處理或程序等 等將透明電極1 2以薄膜形態形成於樹脂基板丨丨之一表面上 (步驟S3)，及在下一步驟（步驟S4)中，對透明電極12進 圖案^處理（步驟S4)。接下來，透過蒸發、濺鍍、離子電 鍍、磊晶生長處理或程序、或類似方法將輔助電極丨3接著

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543340 五、發明說明（11) ΓΛ膜sr=經如此形成之透明電極12之-表面上 之軟化點高的溫度下中，由於樹脂基板η將會在較其 成係在常溫或較常溫稍1因而薄膜形態之輔助電極的形 助電極13係經形：：：=度下進行。在此步驟中，輔 (達因/平方公分)：f 5尸：膜之總應力s(内部應力σ 分。在下一步驟（步驟糾不多於Ux 105達因/公 極13進行圖案化處理：砵經由利用微影技術對輔助電 物進行蒸發、賤鑛、旋的步驟中，經由對有機化合 濺鍵或微= : : =態形成。其後經由利用蒸發、 圖3係呈現根據太称屬電極16形成於發光層14上。 剖面圖，為容易明目备、明之發光顯示裝置之第二具體例的 狀態。在此具體例中Ί f顯示在層合發光層14之前的 圖1所示之第一且μ彳丨’ 樹脂基板11及防潮層1 5具有與 同的元件編號，了不^目明因而在此經由加上相 薄膜形態之；：：：物與第-具體例不同者為先將呈層或 面上的防潮#15^匕物20層合在形成於樹脂基板之-表 如，錮-锡氧曰化物V，重金屬氧化物20係經*使用’例 真空蒸發、幾梦7成。金屬氧化物20之層係經由先透過 化物之薄膜；德：子電鍍或蠢晶生長程序或處理形成氧 成。圖案化金屬ίί將如此形成之氧化物薄膜圖案化而形 的表面形狀乳化物層20具有與輔助電極”實質上相同

第16頁 543340 五、發明說明（12) 可利用除銦-錫氧化物外之今屬g * <孟屬虱化物，只要其具有透 明度’且可充分黏者至輔助雷托 ^ 0 领助電極13即可。舉例來說，在使 用含Sn、Zn及In之任一者之急外犏从达 …， 乳化物的情況中，由於此等材 料具有導電性質，因而於形忐卜卜笪&儿心 成此4虱化物之薄膜（層）後， ^仃圖案化處理。另—方s ’在金屬氧化物2〇係由絕緣 材：形成之情況中’不需如同前述之具體例進行此種圖案 化處理’且在此種情況中，可利用包含銘（ai)、錯（zr)、 鈦（Ή)、鈣（Ca)、鉻（Cr)、鎳（Ni)及矽（Si)之至少一者的 氧化物。 在金>1氧化㈣上’透過真空蒸發、滅鑛、離子電鑛或 π晶生長程序或處理形成薄膜形態的輔助電極13，然後再 進行圖案化處理。 处在:匕第二具體例中，士口同第一具體例，進行金屬薄膜形 悲之輔助電極的形成，使金屬薄膜之總應力s(内部應力σ (達因/平方公为）χ薄膜厚度d)不多於ι·3χΐ〇5達因/公 分。此第二具體例之輔助電極丨3係由與第一具體例相同之 材料形成，且其具有與第一具體例實質上相同的平面形 在輔助電極層1 3之層下方之此種金屬氧化物層2 〇之形成 可確保對金屬輔助電極13之緊密黏著。相對地，在將金屬 電極1 3直接形成於其上具有防潮層丨5之樹脂基板丨丨上的情 況中’ ^有輔助電極1 3會自樹脂基板丨丨剝離的憂慮。 在此第二具體例中，透明電極1 2係以薄膜之形態形成於 輔助電極1 3上，其後再圖案化。換言之，在此具體例中，

543340 五、發明說明（13) ~ 如圖3所示，輔助電極1 3係設置於樹脂基板丨丨與透明電極 1 2之一部为之間。透明電極1 2係經由如同第一具體例，°進 行真空蒸發、濺錢、離子電鍵或蠢晶生長程序或處理，然 後再將如此形成之氧化物薄膜圖案化，而以氧化物薄膜之 形態形成。 ' 如前所述，於輔助電極1 3之形成及圖案化之後，亦將透 明電極1 2以薄膜形態形成，然後再圖案化，以致於在將補 助電極1 3圖案化時，沒有對樹脂基板在低溫下形成之透明 電極1 2被蝕刻溶液侵蝕的顧慮。由於此優點，可使透明電 極1 2之表面保持光滑，且亦可維持發光層之良好發光狀 態。此外’由於金屬輔助電極丨3經由金屬氧化物形成之透 明電極1 2覆蓋，因而可防止輔助電極丨3之氧化。 此外，雖然未示於圖中，但發光層、陰極層及密封層將 如同前一具體例依此次序形成於透明電極1 2上。 圖4包括呈現本發明之第二具體例之圖2之發光顯示裝置 之製造步驟的數個圖式。 首先，製備透明樹脂基板11 (步驟S1)。在下一步驟（步 驟S2)中，透過蒸發、濺鍍、離子電鍍或磊晶生長程序或 處理，將防潮層1 5以薄膜形態形成於樹脂基板11之至少一 表面上。其後透過濺鍍、離子電鍍或磊晶生長程序或處理 將金屬氧化物20之層形成於防潮層15上（步驟S3)，及在下 一步驟（步驟S4)中，透過蒸發、濺鍍、離子電鍍、磊晶生 長程序或處理，將輔助電極1 3以薄膜形態形成於金屬氧化 物層2 0上。在此薄膜形成程序（步驟S4)中，進行薄膜形

543340 五、發明說明（14) 成，以致金屬薄膜之绚靡 ^X ^ ^ - ^1： 3 0 κ ^" ι^ΙμΙΙ^-ΙΙ^ Μ +雪铲$石日4· e 圖案處理。接著透過濺鍍、 態形成於輔助電極13:;= 理牛二透明電極12以薄膜形 衣面上（步驟S 6 )，缺德緩由利田X 影技術或類似技術，將如此# ά、夕、# BB + '、、、傻、、二甶和用铽 竹如此形成之透明電極12圖案化（步 、、。接下來’透過蒸發、錢鍵、旋轉塗布、網印或微 粒喷塗處理或類似程序，將發光層以薄膜形態形成於透明 電極12上。最[透過蒸發處理或濺鍍處理或經由利 影技術’將金屬電極形成於發光層上。 以下將說明根據本發明之實施例及比較實施例。 [本發明之實施例1 ] ' 製備厚度0· 2 *米之具有市售聚碳酸酯pc之基本成份的 液晶基板，並於基板之兩表面上形成氮氧化矽薄膜作為防 潮層1 5、1 5。將透明電極1 2形成於其上，然後再圖案化。 在如此形成之透明電極12上，濺鍍50 0 0埃之銅—鈀銀合金 ’而形成薄膜。此薄膜之内部應力σ為1 · 1 X 1 〇9達因/平 方公分，因此，總應力S為S = (1 · 1 X 1 〇9) X ( 5 〇 〇 〇 X 1 〇-8)= 5 X 1 04達因/公分。在形成此種金屬薄膜時，並不會產生 因樹脂基板1 1之翹曲所致的任何問題，此外，防潮層丨5、 1 5及透明電極1 2不會被應力損壞。 [比較實施例1 ] 圖5呈現比較實施例1。參照圖5，製備厚度〇 · 2毫米之具

第19頁 543340 五、發明說明（15) ----- 有市售聚碳酸酯PC之其太#八，、 / α、#〆 土 成伤的液晶基板，並於基板之兩 表面上形成氮氧化石夕蓮聪1 ^ ^ /厚Μ作為防潮層丨5、1 5。將透明電極 1 2形成於其上，然德異m安儿 丄 傻冉圖案化。在如此形成之透明電極1 2 上，錢鑛1 0 0 0埃之終（「r、 二…ι_ ^ „ 絡ar )，而形成薄膜。此溥膜之内部應 力σ為15x109達因/平方公分，因此，總應力S為S=(15 x 1匕）x (10 0 0 x 1 〇·8) =1.5 X1 〇5達因/公分。在形成此種 金屬薄膜時，樹脂基板丨丨如圖5A所示大大地翹曲，且裂紋 1 9、1 9 · y y產生至防潮層1 5、1 5，且透明電極1 2被翹曲 之，力損壞。如圖5B所示，當將金屬薄膜丨3圖案化時，翹 曲貫質上地降低，但裂紋丨9、丨9 · .· ·殘留至防潮層1 5、j 5 及透明電極1 2。 [比較實施例2 ] 對複數個樹脂基板形成防潮層1 5、1 5，然後再於其上形 成金屬薄膜。形成之金屬薄膜為下表2所示之材料，表2 ^ 顯示此等金屬薄膜之内部應力、薄膜厚度及總應力。 參照表2，在總應力超過1 · 3 X 1 05達因/公分之值的情 況中’樹脂基板1 1提供大的勉曲及/或防潮層1 5 (其在表2 中示為障壁層）受損，因此而產生問題。 表2 材料 內部應力 (dyn/cm2) 薄膜厚 度(nm) 總應力 (dyn/cm) 基板之 翹曲 障壁層 之損壞 評估— Ag-PdCu 合金 l.lxlO9 150 1.7xl04 小 未受損 良好~ (Ag:Pd(0.9wt°/〇) Cu(1.0wt%))

第20頁 543340 五、發明說明（16)

可經由實施例及比較實施例並由上述可知 明，在製備有機EL元件時將具有不多於13χ ’根據本發、 分之小總應力之金屬薄膜形成於樹脂基板上，、達口 / Α 樹脂基板之翹曲，i可防止對防潮層造成以至m 的程序或處理（諸如圖案化處理）時可提供優ς。，、在无刖 應注意本發明並不限於所說明之具體例，且 附之申請專利範圍之範圍，而進行許多其他的變化及修通 改0 > 本申請案主張2001年5月11日提出申請之日本專利申請 案第2 0 0 1 - 1 4 2 0 6 6號，標題「發光顯示裝置及其製法 (LUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME)」之3 5U· S. C § 1 19 的優先權。將該 申請案之内容的全體併入本文為參考資料。 元件編號之說明 1 樹脂基板 2 透明電極 3 輔助電極 5 防潮層 9 裂紋 11 樹脂基板

543340 五、發明說明（17) 12 透明電極 13 輔助電極 14 發光層 15 防潮層 16 金屬電極 17 密封層 18 裂紋 20 金屬氧化物

C:\2D-CODE\91-08\91109765.ptd 第22頁 543340 圖式簡單說明 在附圖中： 圖1係顯示根據本發明之第一具體例之發光顯示裝置的 剖面圖； 圖2包括呈現圖1之發光顯示裝置之一系列製造步驟的數 個圖式； 圖3係顯示根據本發明之第二具體例之發光顯示裝置的 剖面圖； 圖4包括呈現圖3之發光顯示裝置之一系列製造步驟的數 個圖式； 圖5A顯不剛於金屬薄膜之形成後之狀態之比較例的發光 顯示裝置； 圖5B顯示於對金屬薄膜進行圖案化處理後之狀態之比 例的發光顯示裝置； 圖6包括呈現具有習知結構之發光顯示裝置之一系列掣 造步驟的數個圖式； 、 圖7係圖6中之部分VII的放大圖；及 圖8係圖6中之部分v π I的放大圖。

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Claims (1)

1. 543340 六、申請專利範圍 1 · 一種發光 板、及透明電 輔助電極及包 助電極及該發 上， 其中，該輔 U内部應力）x 2·如申請專 潮層設置於樹 3 ·如申請專 該輔助電極設 4·如申請專 基板與輔助電 5 · —種發光 板、及透明電 輔助電極及包 助電極及該發 上， 其中，該輔 形態之銀或銀 6. —種發光 板、及透明電 輔助電極及包 助電極及該發 助電極 (其之 利範圍 脂基板 利範圍 置於樹 利範圍 極之間 顯示裝 極、經 含有機 光層係

   顯示裝置，包括具有一及另一表面之樹脂基 極、經設置成對透明電極具有導電性之金屬 含有機化合物之發光層，該透明電極、該輔 光層係以層的形態層合於樹脂基板之一表面 具有不多於1·3χ 105達因/公分之 薄膜厚度）}之總應力。 第1項之發光顯示裝置，其中，將防 與透明電極之間，以阻絕濕氣。 第1或2項之發光顯示裝置，其中，將 脂基板與透明電極之一部分之間。 第3項之發光顯示裝置，其中在樹脂 形成一層金屬氧化物。 置，包括具有一及另一表面之樹脂基 設置成對透明電極具有導電性之金屬 化合物之發光層，該透明電極、該輔 以層的形態層合於樹脂基板之一表面 助電極係由厚度不多於50 0奈米（nm)之薄膜 合金形成。 顯示裝置，包括具有一及另一表面之樹骑基 極、經設置成對透明電極具有導電性之金^ 含有機化合物之發光層，該透明電極、該車甫 光層係以層的形態層合於樹脂基板之一表面

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   之ί:成該輔助電極係由厚度不多於15 °奈米之薄膜形態 7制種發光顯示裝置之製造方法，包括 ： ” t有一及另一表面之樹脂基… 且有ίif板上層合透明電⑮、由金屬製成為對透明電椏 ^ 1 Ϊ 之輔助電極、及包含有機化合物之發光層； ;、，該輔助電極係由具有不多於1 · 3 X 1 05達因/公分 =内部應力）X (其之薄膜厚度總 形態的 金屬形成。 L如申請專利範圍第7項之製造方法，其中，該透明電 極係於輔助電極之層合後進行層合。 9 ·如申清專利範圍第8項之製造方法，其更包括在形成 助電極之前’將金屬氧化物層合於樹脂基板之一表面上 1 〇 ·如申明專利範圍第7項之製造方法，其中，該輔助電 極係透過真Μ發、麵、離子錢U晶生長之任-方 法形成，然後再進行圖案化處理。