TW541712B - Chip for the opto-electronics - Google Patents
Chip for the opto-electronics Download PDFInfo
- Publication number
- TW541712B TW541712B TW090127422A TW90127422A TW541712B TW 541712 B TW541712 B TW 541712B TW 090127422 A TW090127422 A TW 090127422A TW 90127422 A TW90127422 A TW 90127422A TW 541712 B TW541712 B TW 541712B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- patent application
- output coupling
- scope
- coupling window
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 64
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 64
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 92
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- -1 ga N Chemical compound 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
541712 五、 發明說明 ( 1 ) 本 發 明 涉 及 — 種 可 發 出 輻 射 的 晶片 ,所 述 晶 片 具 有 — 個 光 子 輻 射 的 活性 區 和 — 個 劃 分 到 此區 的, 特 別 是 與 此 區 鄰 界 的 輸 出 親 合 窗 □ 此 輸 出 耦I 合 容器 有一 個 輸 出 耦 合 面 至 少 有 — 部 分 從 活性 區 發 射 出 來 的光 線經 m 此 耦 合 面 從 晶 片 中 親 合 輸 出 〇 在 US50 87 949A 中 公 佈 了 一 種具 有一 個 截 錐 體 形 的 η 型 摻 雜 的 輸 出 耦 合 窗 □ 的 發 光 二 極體 晶片 0 : 沿; 該 η 型 摻 雜 的 基 體 的 基 面 構 成 — 個 P 型 導 電 層。 在Ρ 型 導 電 層 的下 面 y 是 一 個 被 中 心 窗 □ 斷 開 的 絕 緣 層。: 在窗 □ j 中! 該 Ρ 型 導 電 層 由 -- 個 接 觸 層 接 觸 Ο 另 — 個 接 觸層 處於 截 錐 體 基 體 的 上 側 0 流 過 P 型導電層和 η 型 導 電基 體的 電 流 被 該 絕 緣 層 限 制在 窗 □ 1¾ 〇 在 窗 □ 區 沿 著 Ρ 型導電層和 η 型 導 電 基 體 之 間 的 介 面 通 im m 電 流 發 出 光 子 。由 於基 體 的 截 錐 形 構 形 大 部 分 光 子 在 一 個 小於 全 反 射的臨 界角 度 的 角 度 下 落 射 到 截 錐 體 形 基 體 的 輸 出 親 合 面 上 。由 此這 種 公 知 的 器 件 有 比 較 闻 的 發 光 率 〇 這 種 公 知 的 發 光 二 極 體 的 缺 點 在於 ρη 接 面 處 在晶 片 的 安 裝 側 〇 在 此 在 用 導 電 的 銀 環 氧 膠合 劑安 裝 時存在有 較 筒 的 風 險 , 即 —* 側 高 度 膨 脹 的 膠 合 劑會 短路 所 述 活性 Is 從 而 使 器 件失 效 〇 從現有技 術 出 發 , 本 發 明 的 目 的在 於, 創 造 — 種 前序 部 分 所 述 的 改 進 了 的 晶 片 J 特 別 是 在很大的 程 度 上 消 除 了 活 性 或 部 分活性 區 被 短 路 的風 -3- 險。 541712 五、發明說明(2) 此目的通過一種具有申請專利範圍第1項特徵的晶片來 達成。 本發明的優越性的擴展由申請專利範圍第2至 2 5項得 知。 在下文中“晶片軸線”之意義是一條垂直於該晶片安裝 面且穿過晶片而延伸的直線。 根據本發明,晶片的活性區有一個垂直於晶片軸線的輸 出耦合窗口截面,並且活性區沿晶片的發射方向安排在輸 出耦合窗口後。在輸出耦合窗口的背離活性區,並從而朝 向安裝面的側面構成一個鏡面。該鏡面優選地大於上述的 活性區並且優選地由金屬化層構成,該金屬化層同時用於 作晶片的電接觸。 在本發明的晶片中,發射光子的活性區與那些把晶片固 定在晶片座上的導電粘接材料離開足夠遠的距離,從而在 很大的程度上消除了由導電粘接材料造成短路的風險。使 本發明中的晶片安裝時更具可靠性。 在一個根據本發明的器件的優選的實施形式中,輸出耦 合窗口的經過活性區的側面有一個突出的部分區域,其向 者晶片的輪射的方向有一個彎曲的表面,例如一個圓弧形 地向外拱起的表面。最好使該彎曲表面完全地環繞著該活 性區,從而輸出耦合窗口至少有一個近似於碗形的外輪廓 活性區的截面和輸出耦合窗口的彎曲表面的曲率半徑R2 541712 五、發明說明(3) 是這樣決定的,以使得由反射出現在鏡面上的活性區虛像 落在扇形的外氏橢球內。這特別意味著,曲率半徑R2大 於或者等於該器件高度的兩倍。此外活性區的最大半外部 尺寸R1沿輸出耦合面Rl<R2nA/ni,式中ni是輸出耦合窗 口的材料的折射率而ηA是環境的折射率,所述環境特別 由一種晶片澆注物構成。 以這樣的安排,晶片接近於理想的外氏(We i e r s t r a s s ) 橢圓的形狀,因爲活性區的虛像落在外氏球體內,並且在 此成像的光子可以離開基體。 本發明特別適用於輸出耦合窗口的材料的折射率大於鄰 接的活性區的材料的折射率的晶片,所述的活性區大多構 成爲活性的多層接面構。由此可以有利地避免由活性區向 後發出的輻射反射在活性區和輸出耦合窗口之間的介面上 ,並且實現把饋入到輸出耦合窗口的輻射進行壓縮。 根據本發明的晶片幾何形狀特別適用於以S i C或S i C爲 主之生長晶片上產生活性多層接面構以氮化物爲主的LED 晶片上。在此有活性層的折射率 > 晶片的折射率。GaN爲 主的LED晶片是一種其輻射發出層具有例如GaN、In、A1N 、AlGaN 和 / 或 InGaAIN 的 LED 晶片。 “以氮化物爲主”特別是涉及所有的具有二價、三價、 四價氮的I II — V族半導體混合晶體,例如g a N、I η N、A 1 N 、AlGaN 及 InGaN、 InAIN 和 AlInGaN。 類似地,“以S i C爲主”指各種主要特性由S丨和C成分 541712 五、發明說明(4) 所顯示的混合晶體。 活性區的層列優選地已經在晶片材料上生長出,以後進 一步加工成親合窗口。 下面借助于附圖說明本發明的細節。 圖式簡單說明: 弟1圖爲尊循外氏原理的出光件的截面不思圖。 第2圖爲本發明的晶片的截面示意圖。 第3圖爲第2圖的晶片的一個截面的不意圖,在此圖中 不出活性區的像的位置。 第4圖爲根據本發明的晶片的一個實施例的截面示意圖 〇 第5圖爲一個繪出定向輻射的實施例的截面。 第6圖爲一個其鏡面在活性區下有把光子導向側面方向 的隆起的實施例的截面。 第7圖爲一個具有凹鏡面的實施例。 第8圖爲一個具有多個相鄰設置的活性區的器件,對所 述活性區各劃分出$個合窗口的截錐形截面。 第1圖中所示的器件具有一個按照外氏原理構成的截面 。所述的器件有一個半徑爲R1的內部的光產生區1。該光 產生區1由一個折射率爲ni並且半徑是R2的殼2包繞。 殻2由一種折射率是nA的材料包繞(例如空氣或者塑膠澆 注材料。爲了在光產生區1中產生的光可以完全地從殼2 耦合輸出,應當符合:Rl/R2< nA/ ni。 541712 五、發明說明(5) 第2圖不出一個發光二極體(LED)晶片3的截面,所述 的晶片有一個半球形輸出耦合窗口 4,在其基面5上構成 一個鏡層6。對著鏡層6在輸出耦合窗口 4上設有一個發 出光子的活性區8。該活性區8包含一個具有輻射發出區 1〇’特別是有一個輻射發出的pn接面1 〇的層列9,並且 由一個接觸層1 1覆蓋。活性區8可以在除輻射發出區1 〇 的層之外包含其他的層,例如涉及晶體或者電性相匹配的 層,和/或還包含所謂的覆蓋層。這樣的層列是公知的, 從而在此不加詳述。鏡層6也可以構成爲接觸層。 通過流經輸出耦合窗口 4和活性區8的電流,在輻射產 生區10中通過電荷載體的結合作用而產生光子。這些產 生的光子的一部分發射向輸出耦合窗口 4,在基面5上反 射然後大部分導向沿向著輸出耦合面7的方向。如果光子 以一個小於全反射的臨界角(也稱爲邊界角)的角度落射在 此處,光子可以穿過輸出耦合面7並且離開輸出耦合窗口 4,後述情況發生的槪率在根據本發明的晶片比常規的晶 片幾何形狀提高了。 如果如此地選擇晶片的幾何關係,使活性區8的虛像12 對於輸出面7達到沒有全反射的外氏(Wei ers trass)輸出 耦合條件,則這樣是特別優越的。如果輸出耦合面7的曲 率半徑 R2 選擇得有:2H— R2nA/ni<<R2«2H + R2nA/ni,優選 地R2 = 2H,就是這樣的情況,式中Η是晶片3的高。此外 活性區的外半展R 1,活性區8的折射率η 1和輸出耦合窗 541712 五、發明說明(6) 口 4的折射率n2符合:l/R2< nA/ni。在這種情況下落 在鏡面6的一大部分光子可以通過輸出耦合面7輸出。其 例外只是那些在鏡面6和活性區8之間往復反射的或者吸 收回活性區8的光子。 第4圖中表示出一種變型的晶片丨3,其輸出耦合窗口 1 4通過一個部分厚度,從介面出發向活性區8借助于一個 斜向晶片軸線的側面1 5呈截錐狀。該傾斜側面1 5與輸出 耦合窗口 1 4的其餘側面一起構成一個穹頂形拱起的輸出 面’其外殻近似半球形。後者在第4圖中通過虛線示出。 在第4圖中所示的晶片的優點是,它用簡單的方式生產並 且可以有近似外氏橢圓的理想形狀。 與第4圖中所示的晶片13不同,在第5圖中所示的晶 片1 6中斜行側面1 7對晶片軸線比第4圖的晶片1 3的相 應側面1 5對晶片軸線所成的角度更銳。晶片1 3的側面1 5 在第5圖中用虛線示出。通過側面1 7的較銳的角度把從 晶片1 6出發的射線聚集在輻射方向1 8的方向上。這通過 用第1 5圖中的貫穿線表示的光子軌跡表示,該光子軌跡 對第4圖所示的晶片1 3的用虛線所示的光子軌跡20較強 地對準輻射方向1 8。 從第5圖還可以看出,一些光子軌跡1 9在接觸層1 1和 鏡層6之間多次往復走行。有這樣軌跡的光子,一部分在 活性區8中被吸收或損耗掉。如第6圖所示,通過在輸出 耦合窗口 14的背向活性區8的側面上設置傾斜於晶片軸 541712 五、 發明說明(7) 線 的 面 3 0,此面最好由鏡面構成,可以至少減輕這個 問 題 〇 斜 面 3 0可以把所述的光子軌跡1 9沿晶片軸線兩側 方 向 引 導 從而使之不再反射入活性區8,而是反射進輸 出 耦 合 窗 □ 1 4的一個側面。 這 樣 的傾斜於晶片軸線的輻射偏轉面30例如可以 通 CJEL 過 輸 出 耦 合窗口 1 4的適當的接面構借助於凹陷2 1和在其 中 的 隆 起 22在活性區8下的基面5中得到。 凹 陷 21可以例如通過反應性離子蝕刻(RIE)或者通 過 鋸 開 的 方 法製成。 在 第 7圖所示的另一個實施例的截面上,輸出耦合 窗 □ 26 在其背離活性區8的側面上有拋物線形凹面鏡。優 心BB 鏡 層 6 的焦點在活性區8中。通過在鏡面6上的反射, 把從 活 性 區 8出發的光子軌跡如此地反射,使光子在一個 小於 全 反射 的臨界角的角度下落在輸出耦合窗口 26的前側 24 〇 這 在 第7圖中借助於光子軌跡25示出。除了拋物 線 形 的 晶 片 背側之外,輸出耦合窗口 2 6的上側2 4也可以如 第 2, ‘4 和 5圖所示晶片那樣地構成。 根 據 第7圖所示的晶片幾何形狀的優點是,輸出牵禹 合面 在 窗 □ 層2 6的前側上並且較小。光密度有優越性地 局 於 根 據 第 2圖的晶片3。由此光線可以容易地投在後續 的 境 片 上 〇 如 第 8圖所示,最後可以把多個晶片3、13或23 相 互 貼 近 設 置,並且連接成一個單一的晶片2 7。這裏側面 -9- 15 541712 五、發明說明(8) 在輸出耦合窗口 4中通過凹處28構成。優選地凹處28通 過仿形鋸在輸出窗口 4中形成。 在第1至8圖所示的實施例中鏡面6均構成爲接觸層。 也可以不在整個層上採取觸點接通,而是除了一部分覆蓋 基面5的觸點接通之外,設置其餘的面爲鏡面。一個部分 覆蓋基面5的觸點接通例如可以是網狀或者條形。應當有 目的的使沿基面5構成的接觸層準確地位於上接觸層1 1 上,以保持很小的電損耗。 還有可能設一個側面引出的,在活性區8與輸出耦合窗 口 4及26之間的觸點接通,以取代沿基面的觸點接通。 在第2至8圖中示出的實施例中活性區8都安排在一個 透鏡形的輸出耦合窗口 4上。還可以設想,在第2至6圖 示出的實施例中用菲涅耳透鏡形狀構成輸出耦合窗口。同 樣地在第7圖所示的實施例中鏡面6也可以用菲涅耳鏡的 形狀構成。 接觸點可以條形或者網狀地構成,在此條紋或網線間的 中間空間可以優選地有反射性地構成。 例1 :用第5圖所示的晶片16,接面合400微米X400 微米的基面和120微米X 120微米面積的pn接面10進行 輸出耦合效率試驗。在鏡面6上的反射率爲90%,在接觸 層1 1上的反射率是80%。側面1 7有一個60度的傾斜角。 用SiC製造輸出耦合窗口 4並且在InGaN的基礎上製造活 性區8。在這種情況下發出的光子42%可以離開晶片1 6。 •10- 541712 五、發明說明(9) 例2 在另一個晶片1 6,它與例1的晶片的區別僅在於側面 1 7的傾斜角是45度,輸出耦合效率是39%。 比較例1 在一個基面爲400微米X 400微米、後向反射率爲90% 、在接點的前向反射率爲80%的常規立方體晶片的輸出耦 合效率爲28%。 比較例2 在一個基面爲400微米X 400微米的常規立方體晶片中 ,其吸附在基面的前側觸點接通爲120微米X 120微米, 且另一個前側的,用於電流擴展的透明透點的透射率爲 5 0%,其後向反射率爲90%,其輸出耦合效率爲25%。 試驗表明,第5圖所示的晶片1 6相對於常規的立方體 晶片以1 . 7的係數提高了光輸出率。第1至4圖所示的實 施例中光輸出率的提高還要明顯。 光輸出率的提高對於發射紫外光的晶片尤其重要,因爲 澆注晶片用的材料一般都吸收紫外光,因而不能被採用。 本文提出的晶片3、1 3、1 6和2 3卻有很高的輸出耦合效 率’以致可以不需澆注工藝。 -11-
Claims (1)
- 541712 六、申請專利範圍 第901 27422號「光電子晶片」專利案申覆書 (9 2年4月修正) 六申請專利範圍: 1· 一種光電子晶片,特別是LED晶片,具有一個可發射 光子的活性區(8 )和一個至少有一輸出耦合面(7、! 5 、1 7 )的輸出耦合窗口( 4 ),其特徵在於,就晶片的一 個主輻射方向(1 8 )而言活性區(8 )配置在輸出耦合窗 口( 4 )之後;在輸出耦合窗口( 4 )之面對活性區(8 )的 側面(5 )上形成一個鏡面(6 );並且輸出親合面(7、1 5 、1 7 )在側面上經過活性區(8 )之側面而向外突出。 2·如申請專利範圍第1項之晶片,其中活性區(8 )在輸 出耦合窗口( 4 )上構成層列(9 )。 3·如申請專利範圍第1或2項之晶片,其中晶片有一個 經過活性區(8 )而延伸的晶片軸線。 4. 如申請專利範圍第1或2項之晶片,其中輸出耦合窗 口( 4 )有一個圓頂形的特別是半球形之形式,輸出耦 合窗口向活性區漸細。 5. 如申請專利範圍第4項之晶片,其中輸出耦合面(7 ) 的曲率半徑 R2^2H — R2nA/ni,且 S2H + R2nA/ni,在此 Η等於晶片的高度。 6. 如申請專利範圍第5項之晶片,其中層列(9 )沿輸出 耦合面的最大尺寸之一半Ri符合: Ri < R2nA/ni。 541712 六、申請專利範圍 7·如申請專利範圍第1或2項之晶片,其中輸出耦合 視窗(4 )至少分段地構成截錐形。 8.如申請專利範圍第7項之晶片,其中至少分段地由截 錐形構成的輸出鍋合窗口( 4 )包繞著一個球體區段。 9·如申請專利範圍第7項之晶片,其中至少分段地由截 錐形構成的輸出耦合窗口( 4 )包繞著一個長軸穿過活 性區(8 )的旋轉橢圓體。 10.如申請專利範圍第1或2項之晶片,其中耦合視窗 (4)由菲捏耳(Fresnel)透鏡構成。 11·如申請專利範圍第1或2項之晶片,其中鏡面(6 )在 活性區(8 )下方有使光子導向側面方向所用的隆起(2 1 ) 〇 12.如申g靑專利範圍第1或2項之晶片,其中鏡面(6 )是 彎曲的。 13·如申請專利範圍第1 2項之晶片,其中從活性區(8 )看 時此鏡面(6 )構成凹面。 14.如申請專利範圍第1 3項之晶片,其中鏡面(6 )構成拋 物線形狀。 15·如申請專利範圍第1項之晶片,其中鏡面(6 )由菲涅 耳透鏡構成。 16·如申請專利範圍第1或1 5項之晶片,其中鏡面(6 ) 作爲接觸面。 17·如申請專利範圍第1 6項之晶片,其中鏡面(6 )在接 541712 六、申請專利範圍 觸面旁形成。 18. 如申請專利範圍第1 7項之晶片’其中接觸點呈條形 〇 19. 如申請專利範圍第1 7項之晶片’其中接觸點呈網狀 〇 20. 如申請專利範圍第1 7項之晶片,其中接觸面設在活 性區(8 )的對面。 21. 如申請專利範圍第1項之晶片’其中在活性區(8 )與 輸出耦合窗口( 4 )之間形成一個接觸層。 22. 如申請專利範圍第1或2項之晶片,其中輸出耦合窗 口的材料之折射率大於活性區材料的折射率。 23·如申請專利範圍第1或2項之晶片,其中設有氮化物 爲主的活性區,並且輸出耦合窗口含有S i C材料或以 S i C爲主之材料。 24. 如申請專利範圍第23項之晶片,其中活性區的輻射 發出層具有 GaN、InGaN、AlGaN、和 /或 InGaAIN。 25. 如申請專利範圍第2 3項之晶片,其中活性區在輸出 耦合窗口上生長。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10054966A DE10054966A1 (de) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | Bauelement für die Optoelektronik |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW541712B true TW541712B (en) | 2003-07-11 |
Family
ID=7662306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090127422A TW541712B (en) | 2000-11-06 | 2001-11-05 | Chip for the opto-electronics |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6897488B2 (zh) |
EP (1) | EP1332521B1 (zh) |
JP (1) | JP4029034B2 (zh) |
CN (2) | CN1242494C (zh) |
DE (1) | DE10054966A1 (zh) |
TW (1) | TW541712B (zh) |
WO (1) | WO2002037578A1 (zh) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141556A (ja) | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
US7053419B1 (en) | 2000-09-12 | 2006-05-30 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
US7064355B2 (en) | 2000-09-12 | 2006-06-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
DE10054966A1 (de) * | 2000-11-06 | 2002-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement für die Optoelektronik |
US6987613B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-01-17 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction |
EP1596443B1 (en) | 2001-05-29 | 2015-04-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting element |
TWI294699B (en) * | 2006-01-27 | 2008-03-11 | Epistar Corp | Light emitting device and method of forming the same |
US6995032B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-02-07 | Cree, Inc. | Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same |
DE10234976B4 (de) * | 2002-07-31 | 2012-05-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6730940B1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-04 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Enhanced brightness light emitting device spot emitter |
CN1729600B (zh) | 2002-12-20 | 2010-05-26 | 克里公司 | 具有自对准半导体平台和接触层的半导体器件和相关器件的制造方法 |
US7009213B2 (en) | 2003-07-31 | 2006-03-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting devices with improved light extraction efficiency |
US7008861B2 (en) | 2003-12-11 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Semiconductor substrate assemblies and methods for preparing and dicing the same |
JP4868709B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2012-02-01 | 三洋電機株式会社 | 発光素子 |
DE102005016592A1 (de) * | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
US7462502B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-12-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Color control by alteration of wavelength converting element |
US7419839B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
US20060204865A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Luminus Devices, Inc. | Patterned light-emitting devices |
CN101385145B (zh) | 2006-01-05 | 2011-06-08 | 伊鲁米特克斯公司 | 用于引导来自led的光的分立光学装置 |
TWI303115B (en) | 2006-04-13 | 2008-11-11 | Epistar Corp | Semiconductor light emitting device |
US20080030974A1 (en) * | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Abu-Ageel Nayef M | LED-Based Illumination System |
WO2008042351A2 (en) | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Illumitex, Inc. | Led system and method |
US8110838B2 (en) * | 2006-12-08 | 2012-02-07 | Luminus Devices, Inc. | Spatial localization of light-generating portions in LEDs |
DE102007049799A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
TWI360238B (en) * | 2007-10-29 | 2012-03-11 | Epistar Corp | Photoelectric device |
KR20100122485A (ko) | 2008-02-08 | 2010-11-22 | 일루미텍스, 인크. | 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법 |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
WO2010090862A2 (en) * | 2009-01-21 | 2010-08-12 | Abu-Ageel Nayef M | Illumination system utilizing wavelength conversion materials and light recycling |
US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
DE102010032041A1 (de) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Bauelemnenten |
DE102011015726B9 (de) * | 2011-03-31 | 2023-07-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterchip, Display mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Verfahren zu deren Herstellung |
GB201202222D0 (en) * | 2012-02-09 | 2012-03-28 | Mled Ltd | Enhanced light extraction |
TWI520383B (zh) * | 2013-10-14 | 2016-02-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體封裝結構 |
DE102014110054A1 (de) | 2014-07-17 | 2016-01-21 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe |
EP3297044A1 (en) * | 2016-09-19 | 2018-03-21 | Nick Shepherd | Improved led emitter, led emitter array and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1081835A (fr) | 1953-05-05 | 1954-12-23 | Csf | Dispositif émetteur de lumière modulable |
FR2175571B1 (zh) * | 1972-03-14 | 1978-08-25 | Radiotechnique Compelec | |
CH600578A5 (zh) * | 1974-09-05 | 1978-06-15 | Centre Electron Horloger | |
US4398239A (en) * | 1981-03-04 | 1983-08-09 | Gte Products Corporation | Luminaire adapted for horizontal and vertical operation |
JPS59205774A (ja) | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
JPS61110476A (ja) | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Nec Corp | 赤外発光ダイオ−ド |
US5087949A (en) * | 1989-06-27 | 1992-02-11 | Hewlett-Packard Company | Light-emitting diode with diagonal faces |
US5055892A (en) * | 1989-08-29 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency lamp or light accepter |
US5273933A (en) * | 1991-07-23 | 1993-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vapor phase growth method of forming film in process of manufacturing semiconductor device |
US5349211A (en) * | 1992-03-26 | 1994-09-20 | Nec Corporation | Semiconductor infrared emitting device with oblique side surface with respect to the cleavage |
DE4305296C3 (de) | 1993-02-20 | 1999-07-15 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode |
US5521747A (en) * | 1993-02-22 | 1996-05-28 | Engle; Craig D. | Electronically addressed deformable media light modulator |
JPH06338630A (ja) | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Omron Corp | 半導体発光素子、並びに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置、光結合装置及び発光装置 |
JPH0738147A (ja) | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光装置 |
WO1996037000A1 (de) * | 1995-05-18 | 1996-11-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Lichtemittierendes halbleiterbauelement |
DE19536438A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement und Herstellverfahren |
JP2000002872A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
US6255707B1 (en) * | 1998-08-24 | 2001-07-03 | Lucent Technologies, Inc. | Semiconductor laser reliability test structure and method |
US7064355B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-06-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
DE10054966A1 (de) * | 2000-11-06 | 2002-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement für die Optoelektronik |
-
2000
- 2000-11-06 DE DE10054966A patent/DE10054966A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-11-05 TW TW090127422A patent/TW541712B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-06 CN CN01818489.8A patent/CN1242494C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-06 JP JP2002540222A patent/JP4029034B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-06 US US10/415,810 patent/US6897488B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-06 WO PCT/DE2001/004171 patent/WO2002037578A1/de active Application Filing
- 2001-11-06 CN CNB2005101164813A patent/CN100452453C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-06 EP EP01993029.6A patent/EP1332521B1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6897488B2 (en) | 2005-05-24 |
JP2004513519A (ja) | 2004-04-30 |
CN100452453C (zh) | 2009-01-14 |
JP4029034B2 (ja) | 2008-01-09 |
CN1242494C (zh) | 2006-02-15 |
EP1332521A1 (de) | 2003-08-06 |
WO2002037578A1 (de) | 2002-05-10 |
US20040048429A1 (en) | 2004-03-11 |
DE10054966A1 (de) | 2002-05-16 |
CN1473364A (zh) | 2004-02-04 |
CN1780005A (zh) | 2006-05-31 |
EP1332521B1 (de) | 2013-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW541712B (en) | Chip for the opto-electronics | |
US7518149B2 (en) | Light emitting mesa structures with high aspect ratio and near-parabolic sidewalls | |
JP5511114B2 (ja) | 光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ | |
EP1849193B1 (en) | LED with current confinement structure and surface roughening | |
US6784460B2 (en) | Chip shaping for flip-chip light emitting diode | |
JP4642731B2 (ja) | 光抽出用の改良を含む発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2980121B2 (ja) | 信号用発光ダイオード及びそれを用いた信号機 | |
US6891199B2 (en) | Radiation-emitting semiconductor chip and light-emitting diode | |
JP2005057266A (ja) | 光取り出し効率が改善された発光装置 | |
KR20140103337A (ko) | 전류 저감 구조물들을 갖는 발광 소자들 및 전류 저감 구조물들을 갖는 발광 소자들을 형성하는 방법 | |
KR20120027318A (ko) | 반사 구조를 갖는 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
JP2008205475A (ja) | ダブルフリップ半導体デバイスおよび製作方法 | |
JP2004511080A (ja) | 内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード | |
JP2004006893A (ja) | 改善された光抽出のためのフリップチップ発光ダイオードの量子井戸の選択配置 | |
KR102271159B1 (ko) | 반도체 소자, 반도체 소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명 시스템 | |
JP2015041763A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2003086838A (ja) | 発光素子 | |
JP2006351809A (ja) | 発光装置 | |
JP2003179255A (ja) | 光の抽出を改善すべくフリップチップ発光ダイオードに量子井戸を選択的に設ける方法 | |
JP4107814B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2006310893A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2002026382A (ja) | 発光ダイオード | |
TW201543714A (zh) | 具有定型基板的發光裝置 | |
KR102307081B1 (ko) | 성형된 기판을 갖는 반도체 발광 디바이스 및 그 제조 방법 | |
US20220190222A1 (en) | Optoelectronic semiconductor device comprising a dielectric layer and a transparent conductive layer and method for manufacturing the optoelectronic semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |