TW531783B - Extreme ultraviolet mask with improved absorber - Google Patents

Description

531783 A7 B7 五、發明説明（ 發明背景_ 1.發明領^^ 本發明係關於半導體積體電路製造領域，更特定而言， 係關於製造使用於一極度紫外線（EUV)微影之光罩的方 法。 2·相關技蔓說明 在光學微影中持續的改良已允許縮小半導體積體電路 (1C)來產生具有較高密度及較佳效能之裝置。降低用於曝 光之波長可改良解析度及緩和繞射的影響。具有波長248或 193 nm之深紫外線（DUV)光透過由一石英基板所製造的透 射光罩而廣泛應用在曝光。具有波長為157或126 nm之DUV 光可透過由氟化鈣製成的透射光罩來用於曝光。但是，對 於約70 nm左右的節點，其將需要下一代微影（NGL)。 NGL包含EUV微影，電子投射微影（EPL)，及接近X射線 微影（PXL)。PXL之特徵在於其最為大規模，但此技術受限 於其需要一同步加速器來源，及縮小該IX光罩之困難度。 EPL適合於特定應用積體電路（ASIC)，但每當互補結構被 圖案化時，產量即明顯地降低，因為兩個通道需要具有一 模板光罩。EUV微影最適合於製造記憶體晶片及微處理器 ，因為一 EUV光罩及一 EUV來源之高成本可分攤到較高數 量的產品中。 _ EUV微影係基於利用波長為10-15 nm之電磁頻譜的部份 來曝光。一 EUV級距-掃描工具可具有一 4鏡面，4X-降低 投影系統，其數值光圈（NA)為0.10。曝光係由移動糊區在 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 531783 A7

阳圓上來疋成，並橫跨每個攔區來掃描該光罩的一 :形區域。一關鍵尺寸⑽50-70 nm，其可由厚度約！微 未㈣距（卿）來達成。另外，-EUV級距-掃描工具可具 有、6鏡面’ 4X—降低投影系統，其數值光圈（NA)為〇· 25 :=印-約20 —3〇nm的較小CD，而以減少的_為代價 ' 5X或6X-降低投影系統設計的工具也 EUV微影。 万、 DUV微衫的光罩為透射性。因此，對於一 dUv光罩上 所需要的圖案係由選擇性地移除—不透明層來定義，例如 鉻，以暴露-底部透明基板之部份，例如石英。但是，實 際上所有/辰縮材料在該Εϋν波長被吸收，所以一 e評微影 的光罩為反射性的。因此_光罩上所需要的圖案係 由選擇性地移除一吸收物層所定義，以暴露覆蓋在一基板 上一底部鏡面之部份。 因此，其需要的是一種具有？文良的吸收物層之EUV光罩 ，及一種製造這種EUV光罩之方法。 圖面簡單説明 圖Ua)-(d)所示為根據本發明形成的具有一改良吸收物 層之空白的EUV光罩之橫截面圖。 圖2(a)-(d)所不為根據本發明形成的具有一改良吸收物 層之EUV光罩之橫截面圖。 - 圖3所不為根據本發明具有一改良吸收物層之E肝光罩 之橫截面圖。 本發明之詳細說·明 -5- 本紙張尺度適财@國家標準(CNS) Μ規格(21GX撕公羞) 531783 A7 --- ------------B7___ 五、發明説3 ~)"" '〜 ------ 在以下的說明中’許多細節’例如特定材料 程，其提出皆為了提供本發明的一完整瞭解。但是 衣 藝專業人士將可瞭解到本發明可不使用這些特殊：節來： 施。在其它範例巾，熟知的+導體設備及製程並未特別ς 明細節，藉以避免混淆本發明。 w 將近所有的材料皆吸收極度紫外線（EUV)光，所以一 EM 微影的光罩為反射性的。一 Euv光罩上的圖案係由選擇性 地移除一吸收物層的部份來定義，以暴露一底部鏡面。該 吸收物層控制了關鍵尺寸（CD)，缺陷程度，及登記。因= ，在一 EUV光罩上的吸收物層對於該光罩的品質有直接的 影響。本發明為具有一改良吸收物層的Εϋν光罩，及一種 製造這種EUV光罩之方法。 根據本發明製造一 EUV光罩之製程的不同具體實施例將 在以下說明。首先，如圖1(a)所示，一具有低缺陷等級及 一平坦表面之基板1100，做為本發明的EUV光罩之啟始材 料。其需要由玻璃或玻璃-陶瓷材料來形成該基板11〇〇，其 具有一低的熱膨脹係數（CTE)。在某些狀況下，該基板11〇〇 可由矽形成，只要其大的CTE以及在曝光期間可均勻及有 效地移除熱量。 第二，如圖1(b)所示，一多層（ML)鏡面1200形成在該基 板1100之上。該ML鏡面1200具有約20-80對的一高折射係 數材料1210及一低折射係數材料1 22 0之交替層。一高折射 係數材料1210包含具有高原子數的元素，其會擴散EUV光 。一低折射係數材料1 220包含具有低原子數元素，其係要 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 531783 A7 B7 五、發明説明（4 ) 傳送EUV光。 在該ML鏡面1200中材料的選擇係根據光源波長，lambda 。對於第一近似，每個疊層具有之厚度約為lambda的四分 之一。更特定而言，該個別層的厚度係根據該光源波長， lambda，及該照明光線的入射角。對於EUV，該波長約為 13· 4 nm，而該入射角約為5度。該交替層的厚度被調整來 最大化在每個介面處反射的EUV光之建設性干涉，並最小 化該EUV光的整體吸收。該ml鏡面1200可在該尖峰光源 波長達到約60-75%的反射率。 在一具體實施例中，該ML鏡面1200具有40對的一高折 射係數材料1210及一低折射係數材料1 220之交替層。舉 例而言’該高折射係數材料121〇可由約2· 8 厚的鉬所 形成’而該低折射係數材料122〇可由約4· 1 nm厚的石夕（Si) 所形成。其可視需要，一覆蓋層1230，例如約u〇 ^瓜厚 的石夕（Si)，其可形成在該ml鏡面1200之上，以防止由於 暴硌到該環境而使翻氧化。 該ML鏡面1 200係使用離子束沉積（IBD)或直流磁控管濺 鍍來形成在該基板1100之上。該厚度均勻性在整個基板 1100上必須比〇·8%要好。IBD在該ML鏡面12〇〇的上表面 中造成較少的紊亂及較少的缺陷，因為該沉積條件通常可 最佳化來平坦化該基板丨丨〇〇上任何的缺陷。直流磁控管濺 鍍可更為保形，藉此產生較佳的厚度均勻性，但該基板丨〗〇〇 上任何缺陷將傾向往上傳遞通過該交替層到該此鏡面 1200的上表面。 ¥紙張尺度適用中國國家標準(CNS;； Μ規格(⑽χ297公爱）------ 531783 A7 B7

第三，如圖1(c)所示，—緩衝層削形成在該虬鏡面 1 200之上。該緩衝層1300之厚度約為2〇_1〇5⑽。該緩衝 層13〇〇可由二氧化矽（Si〇2)形成；例如一低溫氧化物ατ〇) 。一低處理溫度，基本上小於約15(rc，其係要防止底部虬 鏡面1 200中該交替層的互相擴散。其它材料，例如氮氧化 矽（SiOxNy)或碳（C)也可用於該緩衝層13〇(^該緩衝層13〇〇 可由RF磁控管濺鍍沉積。 第四，如圖1(d)所示，一改良的吸收物層14〇〇形成在該 緩衝層1 300之上。該改良的吸收物層14〇〇可由一種材料形 成，或由一不同材料的堆疊形成。如果存在的話，該疊層 中的變化可以連續，或可與不同的介面分離。在一具體^ 施例中，該改良的吸收物層14〇〇係由氮化鈕（TaN)形成， 其中該化學量係隨著該薄膜的厚度改變。 該改良的吸收物層1400具有整體厚度約為45_215 nm。 在大多數情況下，該改良的吸收物層1400可由RF濺鍍來 沉積。根據所選擇的材料，該改良的吸收物層14〇〇可由直 流濺鍍來沉積。在一些例子中，該改良的吸收物層丨4〇〇可 由離子束沉積（IBD)或原子層化學氣相沉積（alc)來沉積。 該改良的吸收物層1400可整個或部份地由一或多種金屬 及其硼化物，碳化物，氮化物，氧化物，磷化物或硫化物 所形成。適當金屬的範例包含釭（Ta)，鎢（W)，铪（Hf)，及 鈮（Nb)。 ' 該改良的吸收物層1400也可由非晶形的金屬合金形成。 範例包含矽鈕（TaSi)及鍺鈕（TaGe)。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱） 531783 A7 B7 五、發明説明（6 ) 如圖1(d)所示，一改良的吸收物層1400，緩衝層13〇〇， ML鏡面1200及基板1100的組合造成一 EUV光罩空白17〇〇 。如圖1(d)所示的EUV光罩空白1700可進一步處理來產生 如圖2(d)所示的一 EUV光罩1 800。 首先，如圖2(a)所示，一 EUV光罩空白1700被覆蓋一輕 射敏感層，例如光阻1600，其以一需要的圖案來覆蓋，曝 光及顯影。該光阻1 600之厚度約為1 60-640 rnn。其可視需 要來使用一化學放大的阻抗（CAR)。根據所使用的該光阻 1 600，曝光係以一電子束（e-beam)燒錄器或雷射燒錄器來 執行。 在該光阻1600中該圖案特徵之關鍵尺寸（cd)之後顯影量 測之後，該圖案被轉換到該改良的吸收物層14〇〇,如圖2(b) 所示。其可使用反應離子蝕刻。舉例而言，一改良的吸收 物層1400可用一氣體來乾蝕刻，該氣體包含氣，例如Cl2 或BCh，或是包含氟的氣體，例如NF3。氬（Ar)可做為一載 體氣體。在一些情況下，氧（〇〇也可包含在其中。該蝕刻 率及該蝕刻選擇性係根據功率，壓力及基板溫度。 該緩衝層1300做為一钱刻中止層，以協助達成在該覆蓋 的改良吸收物層1400中良好的蝕刻輪廓。該緩衝層13〇〇保 護該底部ML鏡面1200在姓刻該改良的吸收物層moo期間 受到損傷。 - 反應離子蝕刻並不適用於圖案化該改良的吸收物層14〇〇 ’如果钱刻的副產物並非揮發性，因此不能夠由反應室抽 走來移除。然後，該改良的吸收物層1400可用一氬電裝中 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 531783 A7 一 —__B7 五、發明説明（7 ) 的濺鍍處理來製作圖案。如果需要的話，其可使用一雙頻 率高密度電漿。另外，如果對於該遮罩材料的選擇是適當 的話，離子研磨可用來圖案化該改良的吸收物層14〇〇。 該光阻1600的移除係在該改良的吸收物層14〇〇中圖·案特 徵的CD之後蝕刻量測之後進行。該CD量測可由一掃描電 子顯微鏡（SEM)或一光學度量工具進行。然後缺陷檢測可在 一典型波長為150-500 ηιη之間來完成。該缺陷檢測係基於 比較該圖案化區域中光信號相對於未圖案化的區域。 如圖2(b)所示，缺陷可發生在該改良的吸收物層14〇〇中 ’其係由於來自該光阻1600的圖案轉換。第一種缺陷為一 清楚缺陷1710，而第二種缺陷為一不透明缺陷172〇。在一 清楚缺陷1710中，該改良的吸收物層14〇〇必須存在，但其 可完全或部份的消失。在一不透明缺陷1 720中，該改良的 吸收物層1400必須被移除，但其完全或部份地存在。 在該改良的吸收物層1400中缺陷的修補可視需要由一聚 焦的離子束（FIB)工具進行’如圖2(c)所示。一清楚缺陷 1710被填入一不透明修補材料1730。一不透明缺陷1720被 移除，留下底部緩衝層1 300中的Gal 1 ium應變1740。因此 ’該缓衝層1300也可保護該底部ML鏡面1200在修護該改 良的吸收物層1400期間避免損壞。 該緩衝層1300當在一晶圓上曝光光阻期間使用該EUV光 罩1720時，會增加該ML鏡面1200上的光線吸收。所造成 的對比降低會略為降低列印在一晶圓上光阻之特徵的CD控 制。產量亦會降低。因此，其有需要移除該緩衝層1300中 -10- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 五、發明説明（8 ) 未被該改良的吸收物層1400覆蓋的部份，如圖2(d)所示。 該缓衝層1300可由一乾蝕刻或一濕蝕刻或該兩種製程的 組合來被移除。用來移除該緩衝層1300的乾蝕刻或濕蝕刻 必須不能損壞到底部的吸收物層14〇〇或底部的ML鏡面 1200 〇 該缓衝層1300可由含有氟的氣體來乾蝕刻，例如cf4或 CdFs。氧（〇2)及一載體氣體，例如氬（Ar)，也可被包含。一 乾钱刻在該緩衝層1 300中提供一較陡削的輪廓及一較小 的底切。 該緩衝層1 300也可被溼蝕刻，特別是當其非常薄時，因 為任何的底切即非常地小。舉例而言，由二氧化石夕（S丨〇2) 形成的緩衝層1300可由一約3-5%氫氟酸（HF)的水溶液來蝕 刻。一濕蝕刻可補償該緩衝層13〇〇厚度上較大的變化。 上述製程的結果為具有一反射區域175〇及一黑暗區域 1 760之EUV光罩1800，如圖2(d)所示。 本發明另一具體實施例為一 EUV光罩2700,如圖3所示 。一 EUV光罩2700包含一改良的吸收物層24 〇〇, 一緩衝層 2300，一 ML 鏡面 2200 及一基板 2100。該 £UV 光罩 2700 具有一第一區域2750及一第二區域2 760。該第一區域2750 因為該ML鏡面2200未被覆蓋而為反射性。該第二區域 由於該上層2500及該改良的吸收物層2400而較黑暗。 首先’本發明的該EUV光罩2700包含一具有一低缺陷層 級的基板2100，及一平坦表面做為本發明一 £肝光罩之啟 始材料。該基板2100必須具有低膨脹係數（CTE)。該基板 -11 _ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 531783 A7 B7 五、發明説明（9 ) 2100可為一低CTE玻璃或一低CTE玻璃陶瓷。但是在一些 情況下，該基板210 0為石夕。雖然石夕具有一大CTE，其可造 成印刷影像的不需要的位移。矽也具有高熱傳導性，因此 為一可用的基板，只要熱量能夠有效率地在曝光期間由該 光罩移除。 第二，一多層（ML)鏡面2200置於該基板2100之上。該 ML鏡面2200具有約20-80對之高折射係數材料2210及低 折射係數材料2220之交替層。一高折射係數材料2210包含 具有高原子數的元素，其會擴散EUV光線。一低折射係數 材料2220包含具有低原子數的元素，其會傳送EUV光線。 在該ML鏡面2200中材料的選擇係根據光源波長，iafflbda 對於第一近似’每個疊層具有之厚度約為1 的四分 之一。更特定而言，該個別層的理想厚度係根據該光源波 長，lambda，及該照明光線的入射角。對於EUV，該波長約 為13·4ηπι，而該入射角約為5度。該交替層的理想厚度被 調整來最大化在每個介面處反射的EUV光之建設性干涉， 並最小化該EUV光的整體吸收。該ML鏡面2200可在該尖 峰光源波長達到約60-75%的反射率。 在一具體實施例中，該ML鏡面2200具有40對的一高折 射係數材料2210及一低折射係數材料2220之交替層。該 高折射係數材料2210可由約2· 8nm厚的鉬所形成，而該低 折射係數材料2220可由約4· 1 nm厚的矽（Si)所形成。其可 視需要，一覆蓋層2230，例如約11· 〇 ηιη厚的矽（Si)，其 可包含在該ML鏡面2200之上，以防止由於暴露到該環境 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂

線 531783 A7 B7 五、發明説明（10 ) 而使鉬氧化。， 第三’一緩衝層2300形成在該ML鏡面2200之上。該緩 衝層2300之厚度約為20-105 nm。該緩衝層2300可在钱刻 該吸收物層2400期間藉由做為一餘刻中止層來防止該底部 ML鏡面2200受到損壞。該緩衝層23〇〇也可在修補該改良 的吸收物層2400期間保護該底部ML鏡面2200避免損壞。 該緩衝層2300可為二氧化矽（Si〇2)，例如低溫氧化物 (LTO)。其它像是氮氧化矽（Si〇xNy)或碳（c)也可用於該緩 衝層2300。 第四’一改良的吸收物層2400形成在該緩衝層230 0之上 。該改良的吸收物層2400之厚度約為45-215 nm。該改良 的吸收物層2400必須大量地吸收EUV光線，並在曝光於euv 光線期間維持物理性及化學性的穩定，其可相容於整個光 罩製程’其包含光阻圖案化’吸收物餘刻，光阻移除，F I b 修補，及緩衝層移除。該關鍵尺寸（CD)的控制必須被維持 ，而線邊緣粗糙度（LER)必須最小化。 其有需要對於該改良的吸收物層2400儘可能地薄，藉此 在曝光期間最小化任何陰影效應。在一具體實施例中，該 改良的吸收物層2400為氮化鈕，其厚度為5〇 —1〇〇 nm。該 EUV照明光束基本上之入射角約為5度，藉以在曝光期間 最小化任何陰影，其將可降低列印偏差。類似地，在該改 良的吸收物層2400的姓刻期間最小化任何陰影將可降低餘 刻偏差。氮化组的餘刻偏差可降低到小於1〇mn。降低列印 偏差及姓刻偏差將使電子束燒錄器較為簡單地分解要在該 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 531783

阢V光罩2700上圖案化的特徵，因此將允許縮小到較小的 设計規則，其中該密集特徵將由該間隔所限制。氮化鈕必 須可延伸到該3 0 nm的設計規則世代。 該改良的吸收物層2400之CTE必須相當緊密地匹配於該 EUV光罩2700中其它材料的CTE。一般而言，該改良的吸 收物層2400需要一低的熱膨脹係數（CTE)。再者，在該改 良的吸收物層2400中的高熱傳導性有助於在曝光該EUV光 罩2700期間最小化熱點。 因為該薄膜中的應力也將會降低，該改良的吸收物層 240 0之厚度降低也有進一步的好處。該薄膜中的機械應力 疋不而要的’因為其會在該EUV光罩2700的電子束燒錄期 間’導致該EUV光罩2700上圖案的扭曲。過度的應力也會 在該EUV光罩2700曝光期間扭曲印在該晶圓上的圖案。 在一廣範圍的波長lambda之中，一具有密度rho及原子 數冗之元素的吸收係數係正比於卜“八以乂丨⑽^“^來自 該週期表的週期6及4-11族之元素為該改良的吸收物層 2400之潛在性良好的候選者。具有大『ho及大Z之元素範 例包含铪（rho = 13· 30 g/cm3，Z = 72)，钽（rho = 16· 60 g/cm3 ，Z = 73)，鎢（rho=19· 35 g/cm3, Z = 74)，銖（rho=20. 53 g/cm3 ，Z = 75)，锇（rho = 22· 48 g/cm3，Z=76)，鉑（rho:21. 45 g/cm3 ·，Z = 78)，及金（rho=19. 32 g/cm3，Z = 79)。這些元素皆可 由直流藏鍵或RF濺鑛來沉積。 對於該改良的吸收物層2400有需要與該底部緩衝層2300 具有良好的黏結性，並視需要與任何覆蓋的不透明修補材 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 531783 A7 _____B7 五、發明説明（12 ) · -- 料也有良好的黏結性。大多數但並非全部的情況，硬度也 有助於貢獻於該EUV光罩2700的整體堅固性。鈕形成良好 的薄膜。鎢薄膜為堅硬且有黏附性，雖然該氧化物為揮發 性。在某些狀況下，鍊薄膜將自我蒸發。但是，鉑薄膜及 金薄膜皆較軟，且黏結性較差。 某些合金及陶瓷也適於該改良的吸收物層2400。非晶形 合金的範例包含石夕组（TaSi)及鍺组（TaGe)。陶瓷的範例包 含碳化鎢（rho=17· 15 g/cm3)，氮化鈕（rh〇=16· 30 g/cm3)， 碳化鈕（rho=13· 90 g/cm3)，碳化铪（rh〇=12. 20 g/cm3)，硼 化鈕（rho=ll· 15 g/cm3)，及硼化铪（rh〇=l〇· 5〇 g/cm3)。這 些陶瓷可由直流濺鍍或RF濺鍍形成。硼化鎢（rh〇 = 1〇. 77 g/cm )可由RF滅鑛形成。氮化组也可由反應rf濺鍍形成 。叙可蒸發於10-3 Torr的氮氣中。 該改良的吸收物層2400可包含一種材料，或可為一不同 材料的堆疊。如果需要的話，在該疊層中的變化可為連續 ，或可用不同的介面來分離。舉例而言，在一具體實施例 中，該改良的吸收物層2400為一 TaxNy薄膜，或摻雜氛的 龜，其中x = l及y〈0.6。在另一具體實施例中，該改良的吸 收物層240 0為氮化钽（TaN)，其中該化學計量在整個薄膜 厚度中變化。 •上述已提出許多具體實施例及很多細節，藉以提供本發 明一完整的瞭解。本技藝專業人士將可瞭解到一具體實施 例中的許多特徵也可同樣應用到其它具體實施例中。本發 明專業人士亦可瞭解到其有能力來對於此處所述的那些特 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) ' 531783 A7 B7 五 發明説明（13 ) 定材料，製程，尺寸，濃度等來製作出不同的同等取代。 其應瞭解到本發明的詳細說明應視為說明性而非限制性， 其中本發明的範圍應由以下的申請專利範圍所決定。 藉此，我們已經說明了具有一改良的吸收物層之EUV光 罩，及製作這種EUV光罩之方法。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

1. 531783 第090132774號專利申請案 中文申凊專利範圍修正本(91年9月）六、申請專利範圍

   1. 一種光罩製造方法，其包含： 提供一基板； 形成一鏡面在該基板上，兮於z丄 • 土极上 4鏡面在一波長下為反射性 ， 形成一改良的吸收物層在該鏡面上，該改良的吸收物 層在忒波長下為吸收性，該改良的吸收物層具有一厚度 ，忒改良的吸收物層包含一金屬及一非金屬，其中該金 屬對於该非金屬之比例係在該厚度中變化；及 在一第一區域中移除該改良的吸收物層，而留下該改 良的吸收物層在一第二區域中 2·如申請專利範圍第1項之方法 外線（EUV)波長。 3.如申睛專利範圍第1項之方法 nm 〇 4·如申請專利範圍第1項之方法 5. 如申請專利範圍第丨項之方法 6. 如申請專利範圍第丨項之方法 7·如申請專利範圍第1項之方法 8.如申請專利範圍第1項之方法 9·如申請專利範圍第丨項之方法 1 0·如申請專利範圍第1項之方法. 1 1.如申請專利範圍第丨項之方法， I2· —種光罩製造方法，其包含： k供' —基板； 其中該波長包含極度紫 其中該波長包含約1 3.4 其中該金屬包含鈕。 其中該金屬包含铪。 其中δ亥金屬包含嫣。 其中該金屬包含銖。 其中該金屬包含餓。 其中該非金屬包含氮。 其中該非金屬包含碳。 其中該非金屬包含獨。 線 O:\75\75884-911119.DOC 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇Χ297公釐) 531783 A8 B8 C8

   夕層鏡面在該基板上，該鏡面在 跃長下為反 射性； 形成一改良的吸收物層在該多層鏡面上，該改良的吸 if物層在該波長下為吸收性，該改良的吸收物層具有一 厚度’該改良的吸收物層具有摻雜一非金屬之第二元素 之一金屬之第一元素，其中該第二元素對於該第一元素 之比例小於0 · 6到1 · 〇 ; 在第一區域中移除該改良的吸收物層，而留下該改 良的吸收物層在一第二區域中。 13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該第一元素包含 组。 14. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該第-元素包含 铪。 15. 16. 17. 18. 如申请專利範圍第12項之方法， 嫣。 如申睛專利範圍第12項之方法，氮。 如申請專利範圍第12項之方法， 碳。 如申請專利範圍第12項之方法， 爛0 其中該第一元素包含 其中該第二元素包含 其中該第二元素包含 其中該第二元素包含 19· 一種光罩，其包含： 一基板； 一置於該基板之上的鏡面 该鏡面具有一第一區域及 O:\75\75884-911119.DOC -2-

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   弟一區域；及 20. 21. 22. 23. 24. 25. ，μΓ該鏡面的該第二區域之上的改良的吸收器層 含一+ ㈢/、有厚度，该改良的吸收器層包 非金屬，其中該金屬對於該非金屬之比例 係在该厚度中變化。 如申請專利範圍第19項之光罩 如申睛專利範圍第1 9項之光罩 如申睛專利範圍第19項之光罩 如申請專利範圍第19項之光罩 如申請專利範圍第19項之光罩 如申凊專利範圍第19項之光罩 ，其中該金屬包含组 ，其中該金屬包含铪< 其中該金屬包含鎢《 其中該非金屬包含氮 其中該非金屬包含碳 其中該非金屬包含硼 O:\75\75884-911119.DOC -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐)