TW530335B - Image-forming optical system and exposure device equipped therewith - Google Patents

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530335 A7 B7 五、發明説- 一 【發明之A術領域】 ： /本發明與一種結像光學系統及具備該結像光學系統之曝 光裝置有關’尤與適合多掃描型投影曝光裝置之投影光學 單元’對複數反射折射型投影光學單元，邊移動遮光罩與 感光性基板，於感光性基板上投影曝光遮光罩有關。 【先前技術】 近年來，文處理器、個人電腦及電視等顯示元件，漸多 用液晶顯不板-。液晶顯示板係以光刻法於基板上，形成透 明薄膜電極成所希望之形狀圖案，製造而成。此光刻步驟 用裝置使用投影曝光裝置，藉投影光學系統於基板上光抗 蚀層投景>曝光形成於遮光罩上之原圖圖案。 又最近對液晶顯示板大面積化之要求增高，隨著其要求 此種投衫曝光裝置亦希望曝光範圍擴大。爲擴大曝光範 圍，提出多掃描型投影曝光裝置。於多掃描型投影曝光裝 置，對由複-數投影光學單元（結像光學系統）而成之投影光 學單7L，邊移動遮光罩與基板，於基板上投影曝光遮光罩 之圖案。日本特開2000_39557號公報揭示此種投影光學單 元，對g線與h線與i線良好消色之反射折射型等倍光學系 、統。 口 #、 【發明所欲解決之課題】 上述公報揭示之反射折射型等倍光學系統，因具有一對 反射折射光岸系統，各反射折射光學系統具有J個凹面反 射鏡與6個透鏡成分，故整體而言，由1 4個功率光學構件 構成。在此，功率光學構件係指如凹面反射鏡及透鏡成 -4-

530335 A7 B7 五、發明説明（2 ) 分，具有加i成曲面狀光學面之光學構件。故例如於投影 光學系統爲5個投影光學單元構成之多掃描型投影曝光裝 置，適用依上述先前技術之投影光學單元時，投影光學系 統即含合計7 0個功率光學構件。 可是，近年來，多掃描型投影曝光裝置要求光學性能之 提高，要求構成投影光學系統之凹面反射鏡及透鏡成分之 加工精度亦增高。結果，如依上述先前技術之投影光學單 二 元之功率光芩構件多之構造，有招致投影光學系統之價 ^ 昂，甚至曝光裝置價昂之缺失。 本發明有鑑於上述課題，其目的在提供一種反射折射型 結像光學系統（投影光學單元），具有略等倍倍率，雖由較 少數功率光學構件構成，但仍對例如含g線與h線與i線之 '寬波長範圍，能良好校正色差。 又本發明之目的在提供一種曝光裝置，具有上述良好之 --光學性能r例如用含g線與h線與i線之寬波長範圍曝光之 二 光，能執行生產率高之良好曝光。 此外，本發明之目的在提供一種微裝置製造方法，用上 述曝光裝置之良好曝光，可製造大面積良好之微裝置（半 導體元件、攝影元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等）。 【課題之解決手段】 爲解決上述課題，本發明之第1發明係提供一種結像光 學系統，其_-係實質上以等倍倍率於像面形成物體面之圖 -像，其特徵爲 上述結像光學系統包含··折射光學系統與凹面反射鏡， -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 B7 五、發明説明（3 ) 構成來自上述物體面之光，藉上述折射羌學系統，經上述 凹面反射鏡反射後，藉上述折射光學系統於上述像面形成 上述物體面之圖像， 上述折射光學系統含負透鏡，至少1方折射面形成非球 面形狀。 本發明之第2發明係提供一種結像光學系统，其係實質 上以等倍倍卑於像面形成物體面之圖像，其特徵爲 上述結像光學系統包含：折射光學系統與凹面反射鏡， 構成來自上述物體面之光，藉上述折射光學系統，經上述 凹面反射鏡反射後，藉上述折射光學系統於上述像面形成 上述物體面之圖像， 上述折射光學系統從上述物體侧依序包含··正透鏡群， 具有正折射力；及負透鏡群，具有負折射力； 上述負透鏡群含透鏡，至少1方折射面形成非球面形 狀。 二 依第2發明之良好態樣，上述透鏡，至少1面折射面形 成非球面形狀，包括：第1折射面，凹面向上述正透鏡群 侧；及第2折射面，凸面向上述凹面反射鏡群側。又最好 上述正透鏡群含透鏡，至少1面折射面形成非球面形狀。 本發明之第3發明係提供一種結像光學系統，其係實質 上以等倍倍率於像面形成物體面之圖像，其特徵爲 上述結像光學系統包含：折射光學系統，沿一定基準光 軸配置；及凹面反射鏡；構成來自上述物體面之光，藉上 述折射光學系統，經上述凹面反射鏡反射後，藉上述折射 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 B7 五、發明説明（4 ) 光學系統於1述像面形成上述物體之圖像， 上述折射光學系統，具有非球面狀折射面，形成非球形 狀，設沿上述凹面反射鏡反射面至上述非球面狀折射面之 上述基準光軸之距離爲L1，沿向上述凹面反射鏡反射面 中心垂直射入之光線路徑之上述凹面反射鏡反射面至物體 面之距離爲L T時，滿足 0.03<L1/LT<0.9 之條件。 —— 本發明之第4發明係提供一種曝光裝置，其係包含：結 像光學系統，如第1發明〜第3發明中任一項；及照明光學 系統，向設定於上述物體面之遮光罩照明；其特徵爲藉上 述結像光學系統將形成於上述遮光罩之圖案，向設定於上 述像面之感光性基板投影曝光。 本發明之第5發明係提供一種曝光裝置，其係包含：投 影光學系統、具有沿一定方向排列之如第1發明〜第3發明 中任一項複數結像光學系統；及照明光學系統’向設定於 上述物體面之遮光罩照明；其特徵爲 上述結像投影光學系統之一方，形成於設定在上述物體 面之遮光罩圖案像爲像面之中間像面，上述複數結像光學 系統之另一方，再形成於將上述中間像面爲物體面以上述 遮光罩圖案像爲像面之最終像面，對上述投影光學系統， 沿上述一定_方向交叉之方向，相對移動設定於上述遮光罩 及設定於上述最終像面之感光性基板，藉上述投影光學系 統向上述感光性基板，投影曝光形成於上述遮光罩之圖 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A7

案。 ; 種微裝置之製造方法 ，其特 本發明之第.6發明係提供一 徵爲包括： 曝光步驟，用第4發明或第5發明之曝光裝置 感光性基板曝光上述遮光罩之圖案；及 向上述 顯像步驟， 將藉上述曝光步驟曝光之上 述感光性基板顯 其特徵爲包 本發明之第7發明係提供一種曝光方法 栝： 照明步驟，照明形成一定圖案之遮光罩；及 曝光步驟，用如第i發明〜第3發明中任一項之i或複數 結像光學系統，向上述感光性基板曝光上述遮光 案。 " 【發明之實施形態】 如上述，-本發明之結像光學系統係一種反射折射型光學 系統’具有Ϊ斤射光學系統與凹面反射鏡。而折射光學系統 具有負透鏡，至少1方折射面形成非球面狀。或折射光學 系統從物體面側依序具有正透鏡群與負透鏡群，負透鏡群 具有透鏡，至少1方折射面形成非球面狀。 一般，具有折射光學系統與凹面反射鏡之結像光學系 統’於配置在其可變光闌面之凹面反射鏡附近配置負透鏡 群。故由於皇交接近結像光學系統可變光闌面之負透鏡或負 透鏡群中之透鏡，導入非球面，即使以較少數功率光學構 件（透鏡成分）構成光學系統，仍可有利校正球面像差，例 -8 - 本紙乐尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 530335 A7 __ B7 五、發明説明（6 ) 如對含g線4 h線與i線之寬波長範圍，能良好校正色差。 又負透鏡群之凹面反射鏡附近配置彎月型透鏡，凸面向 凹面反射鏡。故將非球面導入負透鏡群中之透鏡時，最好 將非球面導入彎月型透鏡，具有凹面向正透鏡群側之第1 折射面與凸面向凹面反射鏡側之第2折射面。又爲了充分 獲知導入非球面之像差校正效果，不僅對負透鏡群中之透 鏡，最好對—正透鏡群中之透鏡，亦導入非球面。 〒 此外’具體扁言，本發明之折射光學系統具有非球面狀 & 折射面，形成非球面狀，此非球面狀折射面滿足下列條件 式（1)。 〇.〇3<Ll/LT<〇.9 (1) 式中1係沿凹面反射鏡反射面至非球面狀折射面之基 準光軸之距離。又L T係沿向凹面反射鏡反射面中心垂直 射入之光線路徑之凹面反射鏡反射面至物體面之距離。 低於條件$ (1 )之下限値時，凹面反射鏡與非球面狀折 二 射面過分接4，易引起凹面反射鏡與透鏡成分間之機械干 擾，光學系統製造困難。一方面，若高於條件式（1 )之上 限値時’工作距離（最物體面側之透鏡面與物體面之距離） 過小，將所需偏轉構件藉裝於物體面與折射光學系統間困 難。又爲了將非球面導入較接近結像光學系統之可變光闌 面位置，俾獲得更良好之像差校正效果，最好將條件式 (1)之上限値設定爲0.6。 _ 於本發明若折射光學系統S包括正透鏡群P與負透鏡群 GN時，正透鏡群gp應滿足下列條件式。 -9- 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) — -- ㈣335

發明説明 〇.7〈fGp/Fs S 1 (2) 。又fGP係正透鏡群 式中Fs係折射光學系統S之焦點距離 G P之焦點距離。 /、有略等倍倍率之本發明之反射折射型結像光學 系統’不僅由較少數功率光學構件構成，且對例如含㈣ 與h線與1線〈寬波長範圍，良好校正色差。故將本發明之 結像學系統.做爲投影光學I统或投影光學單元使用之曝光 裝置，例如用含g線與h線與1線之寬波長範圍曝光之光， 即可執行生產率高之良好曝光。又用依本發明構成之曝光 裝置I艮好曝光，可製造大面積良好之微裝置，例如高精 度之液晶顯示元件等。 以下’依附圖說明本發明之實施形態。 圖1係本發明實施形態有關之曝光裝置整體構造示意透 視圖。又圖2係於圖丨之曝光裝置構成投影光學系統之各 投影光學單f之構造示意圖。 本實施形怨係將本發明適用於多掃描型投影曝光裝置， 對複數反射折射型投影光學單元而成之投影光學系統，邊 移動遮光罩與基板，於基板上投影曝光遮光罩圖案。換言 之，本實施形態係將本發明之結像光學系統，適用於多掃 描型投影曝光裝置之各投影光學單元。又於圖1及圖2， 沿一定電路_圖案形成之塗抹遮光罩及光蚀劑之基板移動方 向（掃描方向=)設定X軸。又沿遮光罩平面内與X軸正交方 向設定Y軸，沿基板法線方向設定Z軸。 本實施形態之曝光裝置具有照明系統IL，俾均勻照明於 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 B7 五、發明説明（8 遮光罩載物台（圖1上未圖示）]^13上，藉遮光罩夹（未圖示） 平行於X Y平面支持之遮光罩Μ。參考圖1，照明系統工L 具有光源1，例如由超高壓水銀燈而成。光源1係定位於 具有旋轉橢圓面而成之橢圓鏡2之第1焦點位置。故從光 源1射出之照明光束係藉反射鏡（平面鏡）3，於橢圓鏡2之 第2焦點位置形成光源像。於第2焦點位置配置快門（未圖 示）。 - 來自形成 > 橢圓鏡2之第2焦點位置光源像之發散光 束，藉中繼透鏡系統4再結像。中繼透鏡系統4之可變光 闌面附近，配置波長選擇性濾光片（未圖示），僅穿過所需 波長區之光束。波長選擇性濾光片同時選擇g線（43 6 nm ) 光與h線（405 nm)與i線（ 365 nm)光做爲曝光之光。又波長 選擇性濾光片亦可同時選擇g線光與h線光，亦可同時選 擇h線光與i線光，此外，亦可僅選擇i線光。 依中繼透^竟系統4之光源像形成位置附近，配置光導5 之射入端5a、光導5係隨機光導纖維，隨機將多數纖維素 線成束構成，具有··射入端5 a，與光源1之數（圖1爲1個） 同數；及射出端5 b〜5 f，與構成投影光學系統P L之投影 光學單元之數（圖1爲5個）同數。如此，射入光導5之射入 端5a之光，傳播其内部後，從5個射出端5b〜5f射出。 從光導5之射出端5b射出之發散光束，由準直透鏡（未 圖示）變換备略平行之光束後，射入複眼積分器（光學積分 器）6 b。複跟積分器6 b係使多數正透鏡元件之中心軸線 沿光軸A X延伸，縱橫且稠密排列構成。故射入複眼積分 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 B7

五、發明説明（9 器6 b之光束、由多數透鏡元件分割波忐，於其後側焦點 面（即射出面附近）形成二次光源，與透鏡元件數同數之光 源像而成。 即於複眼積分器6 b後侧焦點面，形成實質之面光源。 又光學積分器（6b〜6f)不限於複眼積分器，亦可爲含衍射 光學元件、微小透鏡元件之集合體構成之微複眼透鏡、或 内面反射型—之样狀積分器（中空管或光管、棒狀玻璃捍等） 之構造。 一- 來自二次光源之光束，由配置於複眼積分器6 b後側焦 點面附近之開口光圈（未圖示）限制後，射入聚光透鏡系統 7b。又開口光圈配置於與對應之投影光學單元pli之可 變光闌面光學上略共軛之位置，具有可變開口部，俾規定 有用於照明之二次光源範圍。開口光圈由改變可變開口部 之開口徑，將決定照明條件之σ値（構成投影光學系統p l 之投影光參單元PL1〜PL5之對可變光闌面開口徑之其可 變光闌面上之二次光源像之口徑比）設定於所希望之値。 藉聚光透鏡系統7 b之光束，重疊照明形成一定複製圖 案之遮光罩Μ。同樣，從光導5之其他射出端5c〜5f射出 之發散光束’亦藉各準直透鏡、複眼積分器6c〜6f、各開 口光圈、及聚光透鏡系統7 c〜7f (未圖示），重疊分別照明 遮光罩Μ。即照明系統IL照明遮光罩M上向γ方向排列之 複數（圖1爲立計5隻）台狀區。 又上述例係於照明系統][L，藉光導5將來自1個光源1之 照明光，等分爲5個照明光，惟不受光源數及投影光學單 -12-

530335 A7 ___B7 五、發明説明（10 ) 元數之限制，可變爲各種變形例。即亦可因應需要設2個 以上光源，藉隨機性良好之光導將來自此等2個以上光源 之照明光，等分割爲所需數（投影光學單元數）之照明光。 此時，光導具有··射入端，與光源數同數；及射出端，與 投影光學單元數同數。 來自遮光罩Μ上各照明區之光，射入投影光學系統 P L，對應各照明區沿Υ方向排列之複數（圖1爲合計5隻） ' 投影光學單—先PL1〜PL5而成。在此，投影光學單元 = PL1〜PL5之構造互同。以下參考圖2説明各投影光學單 元之構造。 圖2所示投影光學單元，具有：第i結像光學系統κ 1， 依遮光罩Μ之光形成遮光罩圖案之一次像；及第2結像光 學系統Κ2 ’依一；人像之光於基板ρ上形成遮光罩圖案之正 I— * 立正像（二次像）。又遮光罩圖案之一次像形成位置（中間 二 像面）附近L設有視野光圈F S，俾規定遮光罩Μ上投影光 二、 學單元視野區（照明區）及基板ρ上投影光學單元投影區 (曝光區）。 第1結像光學系統Κ 1具有第1直角棱鏡P i，具備第1反 射面俾將遮光罩Μ沿-Z方向射入之光，向-X方向反射， 對遮光罩面（ΧΥ平面）以45。角度傾斜設置。第1結像光學 系統Κ 1從第1直角棱鏡ρ 1側依序具有：第1折射光學系統 S 1 ’具有正4斤射力；及第1凹面反射鏡mi，凹面向第1直 二 角棱鏡Ρ 1側。第i折射光學系統S 1及第1凹面反射鏡 Ml ’沿向X方向延伸之光軸Αχι配置，整體構成第1反 —1 - Ί 3 - 本紙張尺度適财㈣家 530335 A7 B7 五、發明説明（n 射折射光學系統HK 1。從第1反射折射光學系統HK 1沿 + X方向射入第1直角棱鏡P1之光，由對遮光罩面（XY平 面）以45。角度傾斜設置之第2反射面，向-Z方向反射。 一方面，第2結像光學系統K 2，具有第2直角稜鏡P 2， 具備第1反射面，俾向-X方向反射從第1直角棱鏡P1之第 2反射面向-Z方向反射之光，對基板面（χγ平面）以45。角 度傾斜設置·。又第2結像光學系統K 2從第2直角稜鏡P 2側 〒、 依序具有：第2折射光學系統S2，具有正折射力；及第2 二二 凹面反射鏡Μ 2，凹面向第2直角稜鏡P 2侧。第2折射光學 系統S 2及第2凹面反射鏡Μ 2，沿向X方向延伸之光軸 ΑΧ2配置，整體構成第2反射折射光學系統ΗΚ2。從第2 反射折射光學系統ΗΚ 2沿+Χ方向射入第2直角棱鏡Ρ2之 光，由對基板面（ΧΥ平面）以45°角度傾斜設置之第2反射 面，向_Ζ方向反射，抵達設定於最終像面之基板ρ。 ·： 又本實施—卞態於遮光罩Μ與第1直角棱鏡Ρ 1之第丨反射 二， 面間之光程中，第1直角棱鏡Ρ 1之第2反射面與視野光圈 F S間之光程中，視野光圈F S與第2直角稜鏡P 2之第1反射 面間之光程中，及第2直角稜鏡P2之第2反射面與基板ρ 間之光程中，設有圖像移相器之平行平面板Η 1〜H4。圖 像移相器之平行平面板Η 1〜Η4，於基準狀態下將其平行 面沿ΧΥ平面設定，向X軸圓周及Υ軸圓周僅以微小量可 旋轉構成^向X軸圓周僅以微小量旋轉平行平面板 . Η1〜Η4時’'形成於基板Ρ上之像於ΧΥ平面向γ方向微動 (移像）。又向Υ軸圓周僅以微小量旋轉平行平面板 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 530335 A7 ____B7 __ i、發明説明（12~~) ^ H1〜H4時，形成於基板p上之像於χγ平面向X方向微動 (移像）。 以下’說明各投影光學單元之基本動作。如上述，形成 於遮光罩Μ上之圖案，以照明系統〗l之照明光（曝光之 光），以略均勻之照明度照明。從形成於遮光罩Μ上各照 明區之遮光罩圖案，沿_Ζ方向進行之光，藉平行平面板 Η 1後，經第1直角稜鏡ρ 1之第1反射面僅偏轉9 〇。，沿-X 方向射入第ί皮射折射光學系統ΗΚ1。 射入第1反射折射光學系統ΗΚ 1之光，藉第1折射光學 系統S 1，抵達第1凹面反射鏡μ 1。經第1凹面反射鏡Μ 1 反射之光，再藉第1折射光學系統S 1，沿+ X方向射入第1 直角稜鏡Ρ1之第2反射面。以第1直角棱鏡pi之第2反射 面僅偏轉90。，沿-Ζ方向進行之光，藉平行平面板Η2 後，於視野光圈F S附近形成遮光罩圖案之一次像。又一 次像之X方苎之橫倍率爲+ 1倍，γ方向之橫倍率爲^倍。 從遮光罩圖案之一次像沿-Ζ方向進行之光，藉平行平面 板Η 3後，以第2直角棱鏡Ρ 2之第1反射面僅偏轉90。，沿 -X方向射入第2反射折射光學系統Η Κ 2。射入第2反射折 射光學系統ΗΚ2之光，藉第2折射光學系統S2，抵達第2 凹面反射鏡M2。經第2凹面反射鏡M2反射之光，再藉第 2折射光學系統S2，沿+ Χ方向射入第2直角棱鏡Ρ2之第2 反射面0 3 以第2直角棱鏡Ρ2之第2反射面僅偏轉90。，沿方向 進行之光，藉平行平面板Η4後，於基板Ρ上對應之曝光區 -15- 本纸張尺度適用中S國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公I) "" --- 530335 A7

形成遮光罩圖案之二次像。在此，二次像之χ方向之橫倍 率及Υ方向之横倍率均爲+ 1倍。即藉各投影光學單元形成 於基板ρ上之.遮光罩圖案像係等倍之正立正像，各投影光 學單元構成等倍正立系統。 又上述第1反射折射光學系統ΗΚ 1，因於第i折射光學 系統S 1之後側焦點位置附近，配置第1凹面反射鏡Μ 1， 故於遮光罩禎側及視野光圈FS側略成焦闌。又第2反射折 射光學系統HK2，因亦於第2折射光學系統s 2之後側焦點 位置附近’配置第2凹面反射鏡μ 2，故於視野光圈ρ s側 及基板Ρ側略成焦闌。結果，各投影光學系統爲略兩側 (遮光罩Μ側及基板Ρ側）成焦闌之光學系統。 如此，藉由複數投影光學單元PLi〜PL5構成之投影光 學系統PL之光，於基板載物台（圖i上並未圖示）ps上藉 基板夾平行支持於χγ平面之基板P上，形成遮光罩圖案 像。即如上:_述，各投影光學單元PL1〜PL5因構成等倍正 立系統’故灰感光性基板之基板ρ上對應各照明區，向γ 方向排列之複數台形狀曝光區，形成遮光罩圖案之等倍正 像0 於遮光罩載物台MS設有具備長行程之掃描驅動系統（未 圖示），俾沿掃描方向X方向移動此載物台。又設有一對 校直驅動系統（未圖示），俾沿掃描正交方向γ方向僅微量 移動’並繞-Z軸圓周僅微量旋轉遮光罩載物台MS。而構 成用和動知·之雷射干擾计ΜIF量測且控制遮光罩载物台 M S之位置座標。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 530335 A7 -- —— _______B7 五、發明説明（14 ) 同樣驅動系統亦設於基板載物台P S ό即設有：具備長 仃秸I掃描驅動系統（未圖示），俾沿掃描方向χ方向移動 基板載物台P S ;及一對校直驅動系統（未圖示），俾沿掃 描正父方向Υ方向僅微量移動，並繞Ζ軸圓周僅微量旋轉 基板載物台P S。而構成用移動鏡之雷射干擾計p J F量測且 控制基板載物台p S之位置座標。 此外，將一對校直系統AL配置於遮光罩Μ上方，做爲 沿ΧΥ平面栢對對準遮光罩Μ與基板ρ用之機構。校直系 統A L可用圖像處理求例如形成於遮光罩μ上之遮光罩校 直標洁，與形成於基板Ρ上之基板校直標誌之相對位置方 式之校直系統。 如此，由遮光罩載物台M S側之掃描驅動系統，及基板 載物台P S側之掃描驅動系統之作用，對複數投影光學單 元P L 1〜P L 5構成之投影光學系統p L，沿同一方向（X方 向）一體移€遮光罩Μ與基板ρ，俾將遮光罩Μ上圖案區全 部複製（掃描曝光）於基板Ρ上曝光區全部。又有關複數之 台狀曝光區形狀及配置，甚至複數之台狀照明區形狀及配 置，例如詳細説明於特開平7-183212號公報等，故省略重 複説明。 [第1實施例] 圖3係本言施形態第1實施例有關之投影光學單元之第1 结像光學系統（或弟2結像光學系統κ 2 )之透鏡構造圖。於 圖3省略第1直角棱鏡Ρ1 (第2直角棱鏡Ρ2)之圖示。第1 實施例有關之投影光學單元係如圖2所示，由具有互相完 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公 530335 A7 B7 五、發明説明（15 全同構造之二對結像光學系統，即第1婊像光學系統K 1與 第2結像光學系統K 2構成。 第1實施例有關之投影光學單元之第1結像光學系統K 1 (第2結像光學系統K 2)中之第1反射折射光學系統Η K 1 (第2反射折射光學系統ΗΚ2)，從第1直角稜鏡Ρ1 (第2直 角棱鏡Ρ2)側依序包括：兩凸透鏡L11(L21);負彎月透 鏡L12(L22)，凹面向第1直角棱鏡P1 (第2直角棱鏡P2) 側；負彎月透鏡L13(L23)，凹面向第1直角棱鏡P1 (第2 直角稜鏡P 2 )側；及第1凹面反射鏡Μ 1 (第2凹面反射鏡 M2)，凹面向第1直角棱鏡Ρ 1 (第2直角稜鏡Ρ 2)侧。 又負彎月透鏡L12(L22)之第1直角棱鏡Ρ1 (第2直角棱 鏡P2)側之凹面，及負彎月透鏡LI 3 (L23)之第1凹面反 射鏡Ml (第2凹面反射鏡M2)側之凸面，形成非球面狀。 又兩凸透鏡Lll (L21)與負彎月透鏡L12(L22)，構成正 透鏡群G1P(G2P)，具有正折射力，而負彎月透鏡L13 (L23)構成負透鏡群G1N(G2N).，具有負折射力。此 外，平行平面板HI (H3)與H2(H4)，對稱配置於第1直 角棱鏡P1 (第2直角棱鏡P2)。 又各實施例之非球面，設垂直於光軸方向之高度爲y， 非球面頂點之接平面至高度y之非球面上位置之沿光軸之 距離（弛垂量）爲X，頂點曲率半徑爲r，圓錐係數爲κ，η 次非球面係數爲C η時，以以下之數式（a )表示。 【數1】 x-(y2/r)/[l + {l-(l+K)] -y2/r2}1/2] χ/ -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 _— B7 五、發明謂用（16~^-- +C4 · y4+C6 · y6+C8 · y8+Ci〇 · y10+Ci2 · y12 (a) 各實施例於形成非球面狀之透鏡面，面號碼右侧 妹。 卩心 於次表（1)列舉第1實施例有關投影光學單元之第i、社像 光學系統K1 (第2結像光學系統K2)之諸元値。表（1)之 主要諸元中，N A表示物體側開口數（圖像側開口數亦 同），Y0表示最大圖像高度。又表（！）之光學構件諸元 中’第1行之面说碼’表示沿來自物體面（第1結像光學系 統K 1爲遮光罩面，第2結像光學系統κ 2爲視野光圈面）之 光線進行方向面之順序；第2行之r，表示各面之曲率半 徑（非球面時爲頂點曲率半徑：mm);第3行之d，表示各 面t軸上間隔即面間隔（mm);第4行之ng，表示對§線（人 二436 nm)光之折射率；第5行之nJi，表示對j^^u = 4〇6 nm)光之折射率；第6行之ni，表示對1線以二刊5光 I折射率。―此外，於表（1)之條件式對應値，Fs表示第1 折射光學系統S 1 (第2折射光學系統s 2 )之焦點距離，f w 表示正透鏡群G1P(G2P)之焦點距離。 【表1】 (主要諸元） NA = 〇.1〇 Y0 = 47 mm -19- 530335 A7 B7 五、發明説明（17 ) (光學構件‘元） 面號碼 Γ d ng nh ni 光學構件 (物體面） 23 1 〇〇 10 1.60361 1.60801 1.61549 H1(H3) 2 〇〇 99 3 560.28 27.8 1.45815 1.46030 1.46393 L11(L21) 4 -125.17 7.9 5* -108.9Ϊ 29.2 1.59429 1.60099 1.61292 L12(L22) 6 -163.69 77.4 7 -290.66 15 1.45815 1.46030 1.46393 L13(L23) 8* -428.14 292.7 9 -632.06 Ml (M2) (非球面資料） 第5面 r二-108.91 κ二 0 C4 二 0.2435X10-7 C6 - 0.1573xl0"n C8 = 0.1270χ10~15 C10 二 0.2100χ10·20 C12 二 0·1597χ10·23 第8面 3 r 二-428.14 κ = 0 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 B7 五、發明説明（18 ) C4 = 〇.171〇x10'7 C6 = 0.1886x1(T12 C8 = -0.1643x1(T17 C10 = 0.1454xlCT20 C12 二-0·1811χ1(Τ24 (條件式對應値）

Fs = 427.4 mm :、 fGp = 365.3 mm · 二 (1) L1/LT = 0.71 (第 5 面） L1/LT 二 0.5 (第 8 面） (2) fGP/Fs = 〇.85 又於次表（2 )列舉第1實施例有關投影光學單元之第1結 '像光學系統K 1 (第2結像光學系統K 2 )之每圖像高度波面 像差之 rms (root mean square)値。又表（2 )中 Wrms(g)表示 對g線之波Φ像差之r m s値，Wrms(h)表示對h線之波面像 二 差之rms値，Wrms(i)表示對i線之波面像差之rms値。 [表2】 像高Y Wrms(g) Wrms(h) Wrms(i) 0 0.0079 0.0025 0.0085 14.1 0.0087 0.0036 0.0067 23.5 _ 0.0094 0.0047 0.0048 32.9 -0.0083 0.0037 0.0053 42.3 0.0064 0.0020 0.0065 47 0.0094 0.0036 0.0062 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 530335 A7 B7 五、發明説明（19 ) 參考表（2)可知，第1實施例之投影光'學單元，對g線光 與h線光與i線光良好色差校正且像面彎曲亦良好校正，即 確保良好之光學性能。 [第2實施例] 圖4係本實施形態第2實施例有關之投影光學單元之第i 結像光學系統（或第2結像光學系統K 2 )之透鏡構造圖。於 圖4省略第1直角棱鏡p][(第2直角稜鏡P2)之圖示。第2 實施例有關之投影光學單元亦與第1實施例同樣，由具有 ^ 互相完全同構造之一對結像光學系統，即第1結像光學系 統K 1與第2結像光學系統K 2構成。 第2實施例有關之投影光學單元之第1結像光學系統K 1 (第2結像光學系統K 2)中之第1反射折射光學系統Η K 1 '(第2反射折射光學系統ΗΚ 2)，從第1直角棱鏡Ρ 1 (第2直 角棱鏡Ρ 2 )側依序包括：兩凸透鏡L 1 1 (L 2 1 );負彎月透 了 鏡L12(L23)，凹面向第1直角稜鏡Ρ1 (第2直角棱鏡Ρ2) " 側；正彎月透鏡L 1 3 (L23 )，凹面向第1直角棱鏡P 1 (第2 ‘ 直角棱鏡P2)側；負彎月透鏡L14 (L2 4)，凹面向第1直 角稜鏡P 1 (第2直角棱鏡P 2 )側；及第1凹面反射鏡Μ 1 (第 2凹面反射鏡M2)，凹面向第1直角棱鏡Ρ1 (第2直角稜鏡 Ρ2)側。 又負彎月透鏡L14(L24)之第1直角棱鏡Ρ1(第2直角棱 鏡P2)側之C3面，形成非球面狀。又兩凸透鏡Lll (L21) 與負彎月透鏡L12(L22)與正彎月透鏡L13 (L23)，構成 正透鏡群G 1 P ( G 2 P )，具有正折射力，而負彎月透鏡L 1 4 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公釐) 530335

(L2 4)構成負透鏡群G1N (G2N)，具有負折射力。此 外，平行平面板HI (H3)與H2 (H4)，對稱配置於第i直 角棱鏡P1 (第2直角稜鏡P2)。 於次表（3 )列舉第2實施例有關投影光學單元之第1結像 光學系統K 1 (第2結像光學系統K 2 )之諸元値。表（3 )之 主要諸元中，N A表示物體側開口數（圖像側開口數亦 同），Y0表示最大圖像高度。又表（3)之光學構件諸元 中，第1行乏面號碼，表示沿來自物體面（第i結像光學系 統K 1爲遮光罩面，第2結像光學系統κ 2爲視野光圈面）之 光線進行方向面之順序；第2行之Γ，表示各面之曲率半 徑（非球面時爲頂點曲率半徑：mm);第3行之d，表示各 面之軸上間隔即面間隔（mm);第4行之ng，表示對§線（入 —43 6 nm)光之折射率；第5行之^h，表示對h線（λ二406 nm)光心折射率；第6行之ni，表示對i線（λ = 365 nm)光 t折射率° _此外，於表（3 )之條件式對應値，Fs表示第1 折射光學系統S 1 (第2折射光學系統S 2 )之焦點距離，fGP 表示正透鏡群G1P(G2P)之焦點距離。 【表3】 (主要諸元） NA = 0.10 Υ〇 = 47 mm -23 - 本紙張尺度適财®國家標準(CNS) Μ規格(21Gχ 297公爱) 530335 A7 B7 五、發明説明（21 ) (光學構件^諸元） 面號碼 Γ d ng nh ni 光學構件 (物體面） 23 1 〇〇 10 1.60361 1.6080 1.61549 H1(H3) 2 〇〇 99 3 1235.83 22.8 1.45815 1.46030 1.46393 L11(L21) 4 -154,20 4.1 5 -141.48 36.3 1.59429 1.60099 1.61292 L12(L22) 6 -240.01 51.1 7 -752.57 19.5 1.45815 1.46030 1.46393 L13(L23) 8 -206.82 120.9 9* -257.30 15 1.45815 1.46030 1.46393 L14(L24) 10 -603.28 180.3 11 -619.04 Ml (M2) (非球面赉料） 第9面 r 二-257.30 κ = 0 :-0.5567xl(Ts c6: =-0.7911xl(T13 c8 = = -0.2423xl0'16 C10 = 0.6793么1〇·20 C12 = -0.9006xl(T24 (條件式對應値） -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 B7 五、發明説明（22 )

Fs = 390.5 mm * fGp = 321.4 mm (1) L1/LT = 0.34 (第 9 面） (2) fop/Fs — 0.82 又於次表（4 )列舉第2實施例有關投影光學單元之第1結 像光學系統K 1 (第2結像光學系統K 2 )之每圖像高度波面 像差之 rms (root mean square)値。又表（4 )中 Wrms(g)表示 ： 對g線之波Sr像差之r m s値，Wrms(h)表示對h線之波面像 二^ 差之rms値，Wrms(i)表示對i線之波面像差之rms値。 [表4】 像高Y Wrms(g) Wrms(h) Wrms(i) 0 0.0057 0.0017 0.0059 14.1 0.0058 0.0023 0.0040 23.5 0.0068 0.0035 0.0021 32.9 r 0.0079 0.0048 0.0020 42.3 Ό.0077 0.0051 0.0046 47 0.0086 0.0024 0.0040 參考表（4 )可知，第2實施例之投影光學單元，對g線光 與h線光與i線光良好色差校正且像面彎曲亦良好校正，即 確保良好之光學性能。 [第3實施例] 圖5係本 <施形態第3實施例有關之投影光學單元之第1 結像光學系統（或第2結像光學系統K 2 )之透鏡構造圖。於 圖5省略第1直角稜鏡P1 (第2直角棱鏡P2)之圖示。第3 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 B7 五、發明説明（23 ) 實施例有關之投影光學單元亦與第1實‘施例及第2實施例 同樣，由具有互相完全同構造之一對結像光學系統，即第 1結像光學系統K 1與第2結像光學系統K 2構成。 第3實施例有關之投影光學單元之第1結像光學系統K 1 (第2結像光學系統K2)中之第1反射折射光學系統HK1 (第2反射折射光學系統Η K 2 )，從第1直角棱鏡p 1 (第2直 角棱鏡Ρ 2 )側依序包括：兩凸透鏡L 1 1 (L 2 1 );負彎月透 \ 鏡L12(L2 2—)，凹面向第1直角棱鏡pi (第2直角棱鏡Ρ2) — 側；負彎月透鏡L 1 3 ( L 2 3 )，凹面向第1直角棱鏡Ρ 1 (第2 ‘ 直角棱鏡P2)侧；及第1凹面反射鏡Ml (第2凹面反射鏡 M2)，凹面向第1直角稜鏡P1 (第2直角棱鏡P2)側。 又兩凸透鏡Lll (L21)之第1凹面反射鏡Ml (第2凹面 '反射鏡Μ 2 )側之凸面，負彎月透鏡l 1 2 (L 2 2 )之第1凹面 反射鏡Μ 1 (第2凹面反射鏡Μ 2 )側之凸面，負彎月透鏡 了 ~ L 1 3 (L 2 3 )-之第1凹面反射鏡μ 1 (第2凹面反射鏡Μ 2 )側 : 之凸面，形成非球面狀。又兩凸透鏡L11(L21)與負彎月· 透鏡L12 (L22)，構成正透鏡群G1P (G2P)，具有正折 射力，而負彎月透鏡L13(L23)構成負透鏡群G1N (G2N)，具有負折射力。此外，平行平面板hi (H3)與 H2(H4) ’對稱配置於第1直角棱鏡pi (第2直角棱鏡 P2)。 於次表（5 i列舉第3實施例有關投影光學單元之第1結像 一 光學系統K 1 (第2結像光學系統K 2 )之諸元値。表（5 )之 主要諸元中，N A表示物體侧開口數（圖像側開口數亦 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 530335 A7 B7 五、發明説明（24 ) 同），Y 0表>示最大圖像高度。又表（5；)之光學構件諸元 中，第1行之面號碼，表示沿來自物體面（第1結像光學系 統K 1爲遮光罩面，第2結像光學系統K 2爲視野光圈面）之 光線進行方向面之順序；第2行之r，表示各面之曲率半 徑（非球面時爲頂點曲率半徑：m m );第3行之d，表示各 面之軸上間隔即面間隔（m m );第4行之n g，表示對g線（λ =436 nm)光之折射率；第5行之nh，表示對h線（λ = 406 、' nm )光之折射率；第6行之ni，表示對i線（λ = 365 nm)光 二 之折射率。此外，於表（5 )之條件式對應値，Fs表示第1 折射光學系統S 1 (第2折射光學系統S 2 )之焦點距離，fGP 表示正透鏡群G1P(G2P)之焦點距離。 【表5】 (主要諸元） ΝΑ = 0·10 Υ0 = 47 mm (光學構件#元） 面號碼 Γ d ng nh ni 光學構件 (物體面） 23 1 〇〇 10 1.60361 1.60801 1.61549 H1(H3) 2 〇〇 99 3 335,81 27.9 1.45815 1.46030 1.46393 L11(L21) 4* -150 - 19 5 -155.87 34.5 1.60361 1.60801 1.61549 L12(L22) 6* -364.84 320.5 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 B7 五、發明説明（25 7 -1567.94 15 1.46674 1.46966 1.47455 8* -1683.07 33.1 9 -611.76 (非球面資料） L13(L23) Ml (M2) 第4面 r = -150 κ = 0 - C4 = 0.2442x—10、7 C6 = -0.4864x10'12 C8 = 0.5858x10'16 Ci〇 = -0.1008x10*2° Ci2 = 〇.3511xl〇·24 第6面 r 二-364.84 κ = 0 C4 = -〇.4533xl〇·8 C6 = 0.5932xl0-12 C8 = -0.2389x1〇·16 Ci〇 = -〇.889〇xl(T21 C12 = -〇.6355x10'25 第8面 r = -1683.07 -κ = 0 C4 = 〇.1291xl〇·8 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 530335 A7 B7 五、發明説明（26 )

c6 二-0.5490、1(T13 J C8 = 0„6956χ10'16 C10 = -0.3699xl0·19 Ci2 = 〇.729〇xlO'23 (條件式對應値）

Fs 二 43 1 ·0 mm fGp = 429.3 mm (1) L1/LT = 0.73 (第 4 面））

Ll/LT = 0·63 (第 6 面） L1/LT = 0.06 (第 8 面） (2) fGP/Fs = l.〇〇 又於次表（6 )列舉第3實施例有關投影光學單元之第1結 像光學系統K1 (第2結像光學系統K2)之每圖像高度波面 像差之 rms (root mean square)値。又表（6 )中 Wrms(g)表示 對g線之波Φ像差之r m s値，Wrms(h)表示對h線之波面像 差之rms値，Wrms(i)表示對i線之波面像差之rms値。 【表6】 像高Y Wrms(g) Wrms(h) Wrms(i) 0 0.0003 0.0003 0.0004 14.1 0.0023 0.0009 0.0026 23.5 0.0076 0.0036 0.0050 32.9 &.0154 0.0080 0.0070 42.3 0.0199 0.0102 0.0088 47 0.0156 0.0070 0.0102 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A7 -------- B7 五、發明説明（27 ) 參考表（6 )可知，第3實施例之投影；學 與h線光與t線光良好色差校正且像面彎曲亦良好校=、，即 確保良好之光學性能。 爲達成如上述功能，將圖1所示本實施形態之各光學構 件及各載物台|，以電氣、機械^光學連接，即可組合本 實施形態有關之曝光裝置。而以照明系統IL照明遮光罩 (照明步驟）、，用投影光學單元？1^〜？1^構成之投影光學 系統PL，將-形·成於遮光罩之複製用圖案，掃描曝光於感 光性基板（曝光步驟），俾可製造微裝置（半導體元件、攝 影兀件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等）。以下，參考圖6 之流程圖説明用圖1所示本實施形態之曝光裝置，於感光 性基板晶圓等形成一定電路圖案，俾得微裝置之半導體裝 置時之方法。 首先，於圖6之步驟3 0 1，於}批量之晶圓上蒸鍍金屬 膜。在次一r步驟3 0 2，於其i批量晶圓上之金屬膜上塗光 抗蝕劑。然後，於步驟3 0 3，用圖1所示曝光裝置，藉其 投影光學系統（投影光學單元），將遮光罩上圖案圖像依序 曝光複製於其1批量晶圓上之各攝影區。然後，於步驟 3 0 4 ’執行其1批量晶圓上之光抗蝕劑之顯像後，於步驟 3 〇 5，在其1批量晶圓上以光抗蝕劑爲遮光罩執行蝕刻， 俾將對應遮光罩上圖案之電路圖案，形成於各晶圓上之各 攝影區。然灰，形成更上層之電路圖案等，俾製造半導體 元件等裝置_。依上述半導體裝置製造方法，可獲得生產率 良好之具有極微小電路圖案之半導體裝置。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 五、發明説明（28 ) 又圖1所示曝光裝置，亦可於基板（玻璃基板）上形成一 定圖案（電路圖案、電極圖案等），獲得微裝置之液晶顯示 元件。以下，參考圖7之流程圖説明此時方法之—例。圖 7中於圖案形成步驟4 G 1 ’執行光刻步驟，用本實施形態 之曝光裝置，將遮光罩圖案曝光複製於感光性基板（塗光 蚀劑之玻璃基板等）。由光刻步驟，於感光性基板上形成 一定圖案，、含多數電極等。然後，曝光之基板經顯像步 驟、蝕刻步驟、標線片剥離步驟等各步驟，於基板上形成 一定圖案’移至次一濾色片形成步驟4〇2。 其次，於濾色片形成步驟402，形成濾色片，排列多數 矩陣狀對應R (Red)、G (Green)、B (Blue)之3個點狀組， 或向複數水平掃描線方向排列r、G、B之3支條狀減色片 組。而在濾色片形成步驟4 〇 2後，執行功能電路胞組合步 驟4 0 3。於功能電路胞組合步驟4〇3，用圖案形成步驟 4〇1所得具女一定圖案之基板，及濾色片形成步驟4〇2所 得濾色片等；組合液晶板（液晶功能電路胞）。於功能電路 胞組合步驟4 0 3，例如將液晶注入圖案形成步驟4 〇丨所得 具有一定圖案之基板，與濾色片形成步驟4〇2所得濾色片 間’製造液晶板（液晶功能電路胞）。 然後，於模組組合步驟404，組裝執行組合之液晶板 (液晶功能電路胞）顯示動作之電路、背光等各構件，完成 液晶顯示元各。依上述液晶顯示元件之製造方法，可得生 產率良好之具有極微小電路圖案之液晶顯示元件。 又上述實施形態係將本發明適用於各投影光學單元具有 -31 - 本紙張尺度適财，家鮮(CNS) M規格㈣χ撕公寶) 530335 A7 B7 五、發明説明（29 ) 一對結像光¥系統之多掃描型投影曝光裝置，惟本發明亦 可適用於各投影光學單元具有1個或3個以上結像光學系 統型式之多掃描型投影曝光裝置。尤其各投影光學單元具 有1個結像光學系統時，亦可將直角棱鏡之第1反射面或 第2反射面，做爲破除面構成，俾以1個結像光學系統形 成等倍之正立正像。 又上述實施形態之光源使用超高壓水銀燈，惟不受此限 ；、 制，而可用其他適當光源。即本發明之曝光波長並不特別 = 限定g線、h線、i線等。 又上述實施形態就多掃描型投影曝光裝置，對由複數投 影光學單元構成之投影光學系統，邊移動遮光罩及感光性 基板執行掃描曝光，説明本發明。惟本發明亦可適用於一 種投影曝光裝置，無需對複數投影光學單元構成之投影光 . 學系統，移動遮光罩及感光性基板執行總括曝光。此外， 7 本發明亦可:適用於一種掃描型投影曝光裝置，對單一投影 二〜 光學單元構咸之投影光學系統，邊移動遮光罩及感光性基 板執行掃描曝光。 【發明之效果】 如以上説明，依本發明，可實現一種反射折射型結像光 學系統（投影光學單元），具有略等倍倍率，雖由較少數功 率光學構件_構成，但仍對例如含g線與h線與i線之寬波長 範圍，能良·妤校正色差。 々 又依本發明，可實現一種曝光裝置，具有投影光學系 統，具備複數結像光學系統，具有上述良好之光學性能， -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 530335 A7 B7

玉、發明説明（3〇 例如用含g ^與h線與i線之寬波長範圍曝光之光，能執行 高生產率之良好曝光。 此外’由於用依本發明構成之曝光裝置之良好曝光，可 製造大面積良好之微裝置，例如高精度之液晶顯示元件。 【圖式之簡要説明】 圖1係本發明實施形態有關之曝光裝置整體構造示意透 視圖。 . ， 圖2係於圖1之曝光裝置構成投影光學系統之各投影光 4 學單元之構造示意圖。 ~ 圖3係本實施形態第i實施例有關之投影光學單元之第i 結像光學系統（或第2結像光學系統K2)之透鏡構造圖。 圖4係本實施形態第2實施例有關之投影光學單元之第i 結像光學系統（或第2結像光學系統K2)之透鏡構造圖。 圖5係本實施形態第3實施例有關之投影光學系單元之 〜 第1結像光f系統（或第2結像光學系統K2)之透鏡構造 ’ 圖。 · 圖6係用本實施形態之曝光裝置將一定電路圖案形成於 感光性基板之晶圓等，俾得微裝置之半導體裝置時之方法 流程圖。 圖7係用本實施形態之曝光裝置將一定圖案形成於基板 上’俾得微_裝置之液晶顯示元件時之方法流程圖。 【元件符號之説明】 1光源 — 2 橢圓鏡 -33-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 530335 A7 B7 五、發明説明（31 ) 3 反射鏡 4 中繼透鏡系統 5光導 6 複眼積分器 7 聚光透鏡 Μ遮光罩 P L 投影光學系統 PL1〜PL5—投影光學單元 Ρ 基板 F S 視野可變光闌 ΗΚ1第1反射折射光學系統 ΗΚ2 第2反射折射光學系統 S 1 第 1折射光學 系 統 S2 第 2折射光學 系 統 Ml 第 1凹面反射 鏡 M2 第 2凹面反射 鏡 K 1 第 1結像光學 系 統 K2 第 2結像光學 系 統 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

1. 第090116863號專利申請案 g 中文申請專利範圍倐正太Γ91玍11 η、

   530335 1. 一種結像光學系統，其係於像面形成物體面之圖像， 其特徵為： 上述結像光學系統包含：折射光學系統與凹面反射 鏡’構成為來自上述物體面之光，藉上述折射光學系 統，經上述凹面反射鏡反射後，藉上述折射光學系統 於上述像面形成上述物體之圖像， 上述折射光學系統含負透鏡，其至少1折射面形成非 球面形狀。 2· —種結像光學系統，其係於像面形成物體面之圖像， 其特徵為： 上述結像光學系統包含：折射光學系統與凹面反射 鏡，構成為來自上述物體面之光，藉上述折射光學系 統，經上述凹面反射鏡反射後，藉上述折射光學系統 於上述像面形成上述物體之圖像， 上述折射光學系統從上述物體侧依序包含：正透鏡 群，具有正折射力；及負透鏡群，具有負折射力； 上述負透鏡群含透鏡，至少1折射面形成非球面形 狀。 3·如申請專利範圍第2項之結像光學系統，其中上述透 鏡，至少1折射面形成非球面形狀，包括：第丨折射 面，凹面向上述正透鏡群侧；及第2折射面，凸面向上 述凹面反射鏡群侧。 4·如申請專利範圍第2項之結像光學系統，其中上述正透 鏡群含透鏡，至少1折射面形成非球面形狀。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

   裝 訂

   530335 A8 B8 C8 __________D8 _ _ 六、申請專利範園 5·如申凊專利範圍第3項之結像光學系統，其中上述正透 鏡群含透鏡，至少1折射面形成非球面形狀。 6·如申請專利範圍第2項之結像光學系統，其中設上述折 射光學系統之焦點距離為fs，上述正透鏡群之焦點距 離為f G p時，滿足 〇.7<fGP/fs ^ 1 之條件。 7. —種結像光學系統，其係於像面形成物體面之圖像， 其特徵為 上述結像光學系統包含：折射光學系統，沿一定基 準光軸配置；及凹面反射鏡；構成來自上述物體面之. 光’藉上述折射光學系統，經上述凹面反射鏡反射 後’藉上述折射光學系統於上述像面形成上述物體之 圖像， 上述折射光學系統含折射面，具有形成非球面形 狀’設沿上述凹面反射鏡反射面至上述非球面狀折射 面之上述基準光軸之距離為L1，上述凹面反射鏡反射 面至上述物體面之距離為LT時，滿足 0.03<L1/LT<0.9 之條件。 8·如申請專利範圍第7項之結像光學系統，其中設上述折 射光學系統之焦點距離為f s，上述正透鏡群之焦點距 離為fGp時，滿足 〇.7<fGP/fs^l -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 530335 A8 B8 C8 D8

   申請專利範園 之條件。 9· 一種結像光學系統，其係於像面形成物體面之圖像， 其特徵為 上述結像光學系統包含：折射光學系統，沿一定基 準光軸配置；及凹面反射鏡；構成為來自上述物體面 之光，藉上述折射光學系統，經上述凹面反射鏡反射 後，藉上述折射光學系統於上述像面形成上述物體之 圖像， 上述折射光學系統含折射面，具有形成非球面形 狀，設沿上述凹面反射鏡反射面至上述非球面狀折射 面之上述基準光軸之距離為L1，上述凹面反射鏡反射 面至上述物體面之距離為LT時，滿足 0.03<L1/LT<0.6 之條件。 10. —種曝光裝置，其係包含：如申請專利範圍第i〜9項 中任一項之結像光學系統；及照明光學系統，向設定 於上述物體面之遮光罩照明；其特徵為藉上述結像光 學系統將形成於上述遮光罩之圖案，向設定於上述像 面之感光性基板投影曝光。 11·如申請專利範圍第1 0項之曝光裝置，其中上述照明光 學系統含變更機構，為變更照明條件變更上述結像光 學系統焦點之光強度分布。 12·如申請專利範圍第1 〇項之曝光裝置，其中上述照明光 學系統包含：變更機構，為變更照明條件變更上述結 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 像光學系統焦點之光強度分布；光學積分器，均勻照 明上述感光性基板。 13. —種曝光裝置，其係包含：投影光學系統，含沿一定 方向排列之複數投影光學單元；及照明光學系統，向 設定於上述物體面之遮光罩照明；其特徵為 上述投影光學系統包含如申請專利範圍第1〜9項中 任一項之結像光學系統， 上述結像投影光學系統之一方，形成於設定在上述 物體面之遮光罩圖案像為像面之中間像面，上述結像 投影光學系統之另一方，再形成於將上述中間像面為 物體面以上述遮光罩圖案像為像面之最終像面， 對上述投影光學系統，沿上述一定方向交叉之方 向，相對移動設定於上述遮光罩及上述最終像面之感 光性基板，藉上述投影光學系統向上述感光性基板， 投影曝光形成於上述遮光罩之圖案。 14. 如申請專利範圍第1 3項之曝光裝置，其中上述照明光 學系統含複數照明光學單元，對應上述複數投影光學 單元， 上述照明光學單元，含變更機構，為變更照明條件 變更對應上述投影光學單元焦點之光強度分佈。 15. 如申請專利範圍第1 3項之曝光裝置，其中上述照明光 學系統含複數照明光學單元，對應上述複數投影光學 txt» — 早兀， 上述照明光學系統包含：變更機構，為變更照明條 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 530335 AB c D 六、申請專利範圍 件變更對應上述投影光學單元焦點之光強度分佈；及 光學積分器，均勻照明上述感光性基板。 16· —種微裝置之製造方法，其特徵為包括： 曝光步驟’用申請專利範圍第1〇項之曝光裝置，向 上述感光性基板曝光上述遮光罩之圖案；及 顯像步驟’將藉上述曝光步騾曝光之上述感光性基 板顯像。 17· —種微裝置之製造方法，其特徵為包括： 曝光步驟’用申請專利範圍第12項之曝光裝置，向 上述感光性基板曝光上述遮光罩之圖案；及 顯像步驟’將藉上述曝光步騾曝光之上述感光性基 板顯像。 18. —種微裝置之製造方法，其特徵為包括： 曝光步驟’用申請專利範圍第1 3項之曝光裝置，向 上述感光性基板曝光上述遮光罩之圖案；及 顯像步騾，將藉上述曝光步騾曝光之上述感光性基 板顯像。 19· 一種微裝置之製造方法，其特徵為包括： 曝光步騾，用申請專利範圍第1 4項之曝光裝置，向 上述感光性基板曝光上述遮光罩之圖案；及 顯像步騾，將藉上述曝光步驟曝光之上述感光性基 板顯像。 20· —種曝光方法，其特徵為包括： 照明步驟，照明形成一定圖案之遮光罩；及 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 530335 A B c D 々、申請專利範圍 曝光步騾，用申請專利範圍第1至9項中任一項之1或 複數結像光學系統，向上述感光性基板曝光上述遮光 罩之圖案。 21.如申請專利範圍第2 0項之曝光方法，其中上述照明步 騾更含變更步騾，變更上述1或複數結像光學系統焦點 之光強度分佈。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）