JPH088169A - 露光装置 - Google Patents
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- JPH088169A JPH088169A JP6141326A JP14132694A JPH088169A JP H088169 A JPH088169 A JP H088169A JP 6141326 A JP6141326 A JP 6141326A JP 14132694 A JP14132694 A JP 14132694A JP H088169 A JPH088169 A JP H088169A
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- mask
- imaging optical
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光領域が大きな場合でも、スループットを
低下させずに、良好な結像性能のもので回路パターンを
転写できる露光装置を提供すること。 【構成】 マスク(10)と基板(20)とを移動させつつマス
ク上のパターンを基板上に投影する露光装置は、マスク
の等倍の正立像を基板上に形成する第1投影光学系(31a
〜43a)及び第2投影光学系(31c〜43c)を有する。そし
て、第1及び第2投影光学系は、2つの共役点の一方を
マスクまたは基板上に位置させるように設けた第1結像
光学系(31a〜33a, 31c〜33c)と、2つの共役点の一方を
第1結像光学系の他方の共役点と一致させ他方の共役点
を基板またはマスク上に位置させるように設けた第2結
像光学系(41a〜44a, 41c〜44c)とを有する。
低下させずに、良好な結像性能のもので回路パターンを
転写できる露光装置を提供すること。 【構成】 マスク(10)と基板(20)とを移動させつつマス
ク上のパターンを基板上に投影する露光装置は、マスク
の等倍の正立像を基板上に形成する第1投影光学系(31a
〜43a)及び第2投影光学系(31c〜43c)を有する。そし
て、第1及び第2投影光学系は、2つの共役点の一方を
マスクまたは基板上に位置させるように設けた第1結像
光学系(31a〜33a, 31c〜33c)と、2つの共役点の一方を
第1結像光学系の他方の共役点と一致させ他方の共役点
を基板またはマスク上に位置させるように設けた第2結
像光学系(41a〜44a, 41c〜44c)とを有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型露光装置に関
し、特に液晶ディスプレイパネル等の大型基板の露光に
適した露光装置に関する。
し、特に液晶ディスプレイパネル等の大型基板の露光に
適した露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、ワープロ、パソコン、テレビ等の
表示素子として、液晶表示パネルが多用されるようにな
った。液晶表示パネルは、ガラス基板上に透明薄膜電極
をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパターンニ
ングして作られる。このリソグラフィのための装置とし
ては、マスクと基板とを近接させて一括露光を行う所謂
プロキシミティ方式、投影光学系として視野が広い等倍
屈折光学系を用いたステップアンドリピート方式及び投
影光学系としてオフナー型光学系を用い、円弧状の視野
領域の像を基板上に形成しマスクと基板とを投影光学系
に対して走査するミラープロジェクション方式がある。
表示素子として、液晶表示パネルが多用されるようにな
った。液晶表示パネルは、ガラス基板上に透明薄膜電極
をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパターンニ
ングして作られる。このリソグラフィのための装置とし
ては、マスクと基板とを近接させて一括露光を行う所謂
プロキシミティ方式、投影光学系として視野が広い等倍
屈折光学系を用いたステップアンドリピート方式及び投
影光学系としてオフナー型光学系を用い、円弧状の視野
領域の像を基板上に形成しマスクと基板とを投影光学系
に対して走査するミラープロジェクション方式がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】プロキシミティ方式で
大型基板の露光を行う場合、基板に応じた大型のマスク
と基板とを数十μmまで近接させる必要があり、マスク
や基板の平坦生、基板に塗布されたレジストの表面形状
(凹凸)や表面に付着したゴミ等のためにマスクの基板
とが接触する場合がある。従って、プロキシミティ方式
ではマスクのパターンを基板全体に渡って無欠陥で転写
することが相当に困難である問題がある。また、マスク
と基板との間隔が基板上に転写されるパターンの解像
度、線幅及び線の形状に大きく影響するため、この間隔
が均一に維持されない場合には、アクティブマトリック
ス方式の液晶パネルや高精細なSTN方式の液晶パネル
を製造するには適しない。
大型基板の露光を行う場合、基板に応じた大型のマスク
と基板とを数十μmまで近接させる必要があり、マスク
や基板の平坦生、基板に塗布されたレジストの表面形状
(凹凸)や表面に付着したゴミ等のためにマスクの基板
とが接触する場合がある。従って、プロキシミティ方式
ではマスクのパターンを基板全体に渡って無欠陥で転写
することが相当に困難である問題がある。また、マスク
と基板との間隔が基板上に転写されるパターンの解像
度、線幅及び線の形状に大きく影響するため、この間隔
が均一に維持されない場合には、アクティブマトリック
ス方式の液晶パネルや高精細なSTN方式の液晶パネル
を製造するには適しない。
【0004】また、ステップアンドリピート方式は、基
板に比べて相対的に小さな6インチ程度のレチクルをマ
スクとして用い、ステップアンドリピートにより大型基
板へ回路パターンの転写を行うものである。このステッ
プアンドリピート方式は、半導体素子の製造に用いられ
ているレチクルをマスクとして用いることができるた
め、その描画精度、パターン寸法管理、ゴミ管理など、
半導体素子製造で培われた技術を応用することができ
る。しかしながら、大型基板のサイズが投影光学系のイ
メージサークルを越えた面積である場合には、基板の被
転写領域を小面積に分割してそれぞれに露光を行う、所
謂分割露光を行うことが必要となる。
板に比べて相対的に小さな6インチ程度のレチクルをマ
スクとして用い、ステップアンドリピートにより大型基
板へ回路パターンの転写を行うものである。このステッ
プアンドリピート方式は、半導体素子の製造に用いられ
ているレチクルをマスクとして用いることができるた
め、その描画精度、パターン寸法管理、ゴミ管理など、
半導体素子製造で培われた技術を応用することができ
る。しかしながら、大型基板のサイズが投影光学系のイ
メージサークルを越えた面積である場合には、基板の被
転写領域を小面積に分割してそれぞれに露光を行う、所
謂分割露光を行うことが必要となる。
【0005】例えばアクティブマトリックス液晶パネル
の表示部においては、分割露光によって形成されたパタ
ーンの境界部分に微小なずれが生じた場合、この部分で
の素子の性能が変化し、完成された液晶パネル上で濃度
むらが生じることになる。これは、人間の視覚で差とし
て認識されやすく、液晶パネルの表示品質上の欠陥とな
る。
の表示部においては、分割露光によって形成されたパタ
ーンの境界部分に微小なずれが生じた場合、この部分で
の素子の性能が変化し、完成された液晶パネル上で濃度
むらが生じることになる。これは、人間の視覚で差とし
て認識されやすく、液晶パネルの表示品質上の欠陥とな
る。
【0006】また、分割数が多くなると、露光回数が増
加する他、1枚の基板を露光する間に何度もレチクルを
交換する必要が生じることもあり、装置としての処理能
力を低下させる原因となっていた。さらに、分割露光を
行う場合には、隣合う露光領域間の継ぎ精度を高める必
要がある。このため、投影露光装置においては、投影光
学系の倍率誤差を0に近づける必要があると共に、アラ
イメント精度の大幅な向上が要求され、装置のコスト高
を招くという問題点がある。
加する他、1枚の基板を露光する間に何度もレチクルを
交換する必要が生じることもあり、装置としての処理能
力を低下させる原因となっていた。さらに、分割露光を
行う場合には、隣合う露光領域間の継ぎ精度を高める必
要がある。このため、投影露光装置においては、投影光
学系の倍率誤差を0に近づける必要があると共に、アラ
イメント精度の大幅な向上が要求され、装置のコスト高
を招くという問題点がある。
【0007】そして、ミラープロジェクション方式は、
マスクや基板の走査方向に直交する方向に延びた例えば
円弧状のスリットをマスクと基板とに対して相対的に走
査することによって、マスクの全面に形成されたパター
ンを基板上に転写するものであり、大型の基板を露光す
るためには、スリットの走査直交方向の長さを基板のサ
イズと同等に長くする必要がある。従って、光学系をよ
り大型化する必要が生じる。しかしながら、投影光学系
の大型化を図るためには、大型な光学素子を非常に高精
度に製作する必要があり、製作コストの増大と装置の大
型化とを招く問題点がある。また、投影光学系の大型化
により収差も増大する問題点がある。
マスクや基板の走査方向に直交する方向に延びた例えば
円弧状のスリットをマスクと基板とに対して相対的に走
査することによって、マスクの全面に形成されたパター
ンを基板上に転写するものであり、大型の基板を露光す
るためには、スリットの走査直交方向の長さを基板のサ
イズと同等に長くする必要がある。従って、光学系をよ
り大型化する必要が生じる。しかしながら、投影光学系
の大型化を図るためには、大型な光学素子を非常に高精
度に製作する必要があり、製作コストの増大と装置の大
型化とを招く問題点がある。また、投影光学系の大型化
により収差も増大する問題点がある。
【0008】そこで、本発明は、露光領域が大きな場合
でも、スループットを低下させずに、良好な結像性能の
もとで回路パターンを転写できる露光装置を提供するこ
とを目的とする。
でも、スループットを低下させずに、良好な結像性能の
もとで回路パターンを転写できる露光装置を提供するこ
とを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、例えば図1に示す如く、本発明による露光装置
は、マスクと基板とを移動させつつ、マスク上のパター
ンを基板上に投影するものであって、マスクの等倍の正
立像を基板上に形成する第1及び第2投影光学系を有す
るように構成される。そして、第1及び第2投影光学系
は、2つの共役点の一方をマスクまたは基板上に位置さ
せるように配置した第1結像光学系と、2つの共役点の
一方を第1結像光学系の他方の共役点と一致させると共
に、他方の共役点を基板またはマスク上に位置させるよ
うに配置された第2結像光学系とをそれぞれ有するよう
に構成され、第1結像光学系は、凹面反射鏡と凸面反射
鏡とを有し、かつ一方の共役点からの光を凹面反射鏡、
凸面反射鏡及び凹面反射鏡の順に反射させて他方の共役
点へ導くように構成され、第2結像光学系は、第1及び
第2反射プリズムと、正屈折力のレンズ群と、該レンズ
群側に凹面を向けた凹面反射鏡とを有し、かつ一方の共
役点からの光を第1反射プリズム、レンズ群、凹面反射
鏡、レンズ群及び第2反射プリズムの順に経由させて他
方の共役点へ導くように構成されるものである。
めに、例えば図1に示す如く、本発明による露光装置
は、マスクと基板とを移動させつつ、マスク上のパター
ンを基板上に投影するものであって、マスクの等倍の正
立像を基板上に形成する第1及び第2投影光学系を有す
るように構成される。そして、第1及び第2投影光学系
は、2つの共役点の一方をマスクまたは基板上に位置さ
せるように配置した第1結像光学系と、2つの共役点の
一方を第1結像光学系の他方の共役点と一致させると共
に、他方の共役点を基板またはマスク上に位置させるよ
うに配置された第2結像光学系とをそれぞれ有するよう
に構成され、第1結像光学系は、凹面反射鏡と凸面反射
鏡とを有し、かつ一方の共役点からの光を凹面反射鏡、
凸面反射鏡及び凹面反射鏡の順に反射させて他方の共役
点へ導くように構成され、第2結像光学系は、第1及び
第2反射プリズムと、正屈折力のレンズ群と、該レンズ
群側に凹面を向けた凹面反射鏡とを有し、かつ一方の共
役点からの光を第1反射プリズム、レンズ群、凹面反射
鏡、レンズ群及び第2反射プリズムの順に経由させて他
方の共役点へ導くように構成されるものである。
【0010】なお、本発明において、正立像とは、上下
左右の横倍率が正となる像のことを指す。
左右の横倍率が正となる像のことを指す。
【0011】
【作用】上述の如き本発明による露光装置においては、
複数の投影光学系を組み合わせる構成であるため、個々
の投影光学系の露光領域を大きくすることなく、大きな
露光領域を得ることができる。従って、投影光学系が小
型化されるため、高精度な投影光学系を容易に製造する
ことができる。また、投影光学系を構成する各光学部材
が小型であるため、絶対的な収差量の発生が減少する。
従って、良好な光学性能のもとで走査露光が実現でき
る。
複数の投影光学系を組み合わせる構成であるため、個々
の投影光学系の露光領域を大きくすることなく、大きな
露光領域を得ることができる。従って、投影光学系が小
型化されるため、高精度な投影光学系を容易に製造する
ことができる。また、投影光学系を構成する各光学部材
が小型であるため、絶対的な収差量の発生が減少する。
従って、良好な光学性能のもとで走査露光が実現でき
る。
【0012】また、本発明による露光装置では、大きな
露光領域を一回の露光で得ることができるため、スルー
プットが高い利点がある。さらに、本発明による露光装
置では、第1結像光学系としていわゆるオフナー型光学
系を用いているため、球面収差を悪化させずに作動距離
を延ばすことができる。一般的に、オフナー型光学系
は、所定の像高の箇所のみで非点収差が補正されるもの
である。本発明では、第2結像光学系としていわゆるダ
イソン型光学系を用いているため、第1結像光学系で発
生する非点収差を補正することが可能となるため、良好
な結像性能となる像高の範囲を広げることができる。即
ち、走査露光する際のスリット幅を十分に確保すること
ができる。
露光領域を一回の露光で得ることができるため、スルー
プットが高い利点がある。さらに、本発明による露光装
置では、第1結像光学系としていわゆるオフナー型光学
系を用いているため、球面収差を悪化させずに作動距離
を延ばすことができる。一般的に、オフナー型光学系
は、所定の像高の箇所のみで非点収差が補正されるもの
である。本発明では、第2結像光学系としていわゆるダ
イソン型光学系を用いているため、第1結像光学系で発
生する非点収差を補正することが可能となるため、良好
な結像性能となる像高の範囲を広げることができる。即
ち、走査露光する際のスリット幅を十分に確保すること
ができる。
【0013】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による実施例を
説明する。図1は、本発明による第1実施例の構成を概
略的に示す図である。なお、図1では、所定の回路パタ
ーンが設けられたマスク10と、表面にレジストが塗布
されたガラス基板からなるプレート20とがそれぞれ搬
送される方向をX軸とし、マスク10の平面内において
X軸と直交する方向をY軸、マスク10の法線方向をZ
軸とする。
説明する。図1は、本発明による第1実施例の構成を概
略的に示す図である。なお、図1では、所定の回路パタ
ーンが設けられたマスク10と、表面にレジストが塗布
されたガラス基板からなるプレート20とがそれぞれ搬
送される方向をX軸とし、マスク10の平面内において
X軸と直交する方向をY軸、マスク10の法線方向をZ
軸とする。
【0014】図1において、図示なき照明光学系は、マ
スク10上のパターンに対して露光波長 (例えばg線(4
35.8nm),h線(404.7nm),i線(365.0nm))の光を供給し、
マスク10上に略円弧形状の照明領域12a〜12cを
形成する。さて、本実施例では、これらの照明領域12
a〜12cにて照明されたマスク10の回路パターンを
プレート20上に正立像を形成するために、マスク10
とプレート20との間には、3つの投影光学系が設けら
れている。以下、図2を参照して投影光学系の構成につ
いて説明する。なお、3つの投影光学系はそれぞれ同様
の構成を有するため、以下においては1つの投影光学系
のみについて説明する。
スク10上のパターンに対して露光波長 (例えばg線(4
35.8nm),h線(404.7nm),i線(365.0nm))の光を供給し、
マスク10上に略円弧形状の照明領域12a〜12cを
形成する。さて、本実施例では、これらの照明領域12
a〜12cにて照明されたマスク10の回路パターンを
プレート20上に正立像を形成するために、マスク10
とプレート20との間には、3つの投影光学系が設けら
れている。以下、図2を参照して投影光学系の構成につ
いて説明する。なお、3つの投影光学系はそれぞれ同様
の構成を有するため、以下においては1つの投影光学系
のみについて説明する。
【0015】図2は、本実施例による投影光学系の構成
図である。図2において、マスク10は、その回路パタ
ーンが図中下方(投影光学系側)を向くように配置され
ている。そして、マスク10の回路パターン側には、回
路パターンに塵芥が付着することによる不都合を防止す
るためのペリクル膜11が設けられている。図2の投影
光学系は、マスク10側から順に、マスク10の1次像
を形成するオフナー型光学系OFと、この1次像位置に
配置された視野絞りFSと、1次像からの光に基づいて
マスク10の2次像をプレート20上に形成するダイソ
ン型光学系DYとを有する。ここで、オフナー型光学系
OFは、XY平面(マスク面)に対して斜設された2つ
の反射面を持つ台形ミラー31と、凹面鏡32と、凸面
鏡33とを有する。また、ダイソン型光学系DYは、X
Y平面(プレート面)に対して斜設された全反射面を持
つプリズム41と、平凸レンズ成分42と、凹面鏡43
と、XY平面に対して斜設された全反射面を持つプリズ
ム44とを有する。
図である。図2において、マスク10は、その回路パタ
ーンが図中下方(投影光学系側)を向くように配置され
ている。そして、マスク10の回路パターン側には、回
路パターンに塵芥が付着することによる不都合を防止す
るためのペリクル膜11が設けられている。図2の投影
光学系は、マスク10側から順に、マスク10の1次像
を形成するオフナー型光学系OFと、この1次像位置に
配置された視野絞りFSと、1次像からの光に基づいて
マスク10の2次像をプレート20上に形成するダイソ
ン型光学系DYとを有する。ここで、オフナー型光学系
OFは、XY平面(マスク面)に対して斜設された2つ
の反射面を持つ台形ミラー31と、凹面鏡32と、凸面
鏡33とを有する。また、ダイソン型光学系DYは、X
Y平面(プレート面)に対して斜設された全反射面を持
つプリズム41と、平凸レンズ成分42と、凹面鏡43
と、XY平面に対して斜設された全反射面を持つプリズ
ム44とを有する。
【0016】さて、図示なき照明光学系により照明され
たマスク10からの光は、台形ミラー31の一方の反射
面により略90°偏向された後、凹面鏡33及び凸面鏡
32を順に介して、再び凹面鏡33にて反射され、台形
ミラー31の他方の反射面に達する。この反射面に達し
た光は、略90°偏向された後、視野絞りFSの開口部
に達し、マスク10の中間像を形成する。ここで、マス
ク10の中間像は、X方向の横倍率が+1倍、Y方向の
横倍率が−1倍となる。
たマスク10からの光は、台形ミラー31の一方の反射
面により略90°偏向された後、凹面鏡33及び凸面鏡
32を順に介して、再び凹面鏡33にて反射され、台形
ミラー31の他方の反射面に達する。この反射面に達し
た光は、略90°偏向された後、視野絞りFSの開口部
に達し、マスク10の中間像を形成する。ここで、マス
ク10の中間像は、X方向の横倍率が+1倍、Y方向の
横倍率が−1倍となる。
【0017】視野絞りFS上に形成される中間像からの
光は、プリズム41にてその光路が略90°偏向された
後、平凸レンズ成分42、凹面鏡43及び平凸レンズ成
分42を順に介してプリズム44に達し、このプリズム
44にてその光路が略90°偏向されてプレート20上
に中間像の像(マスク10の2次像)を形成する。ここ
で、中間像の像は、中間像に対してX方向の横倍率が+
1倍、Y方向の横倍率が−1倍となる。すなわち、プレ
ート20上の2次像は、マスク10に対してXY方向に
おける横倍率が共に+1倍となる等倍の正立像である。
光は、プリズム41にてその光路が略90°偏向された
後、平凸レンズ成分42、凹面鏡43及び平凸レンズ成
分42を順に介してプリズム44に達し、このプリズム
44にてその光路が略90°偏向されてプレート20上
に中間像の像(マスク10の2次像)を形成する。ここ
で、中間像の像は、中間像に対してX方向の横倍率が+
1倍、Y方向の横倍率が−1倍となる。すなわち、プレ
ート20上の2次像は、マスク10に対してXY方向に
おける横倍率が共に+1倍となる等倍の正立像である。
【0018】ここで、本実施例においては、マスク10
側にオフナー型光学系OFを配置し、プレート20側に
ダイソン型光学系DYを配置している。以下にその理由
について説明する。近年においては、図1に示すように
マスク10の回路パターン側にペリクル膜を設ける場合
が多い。このときには、マスク10との作動距離を長く
する必要がある。しかしながら、一般的にダイソン型光
学系においては、作動距離を長くすると球面収差を補正
できない性質がある。ここで、平凸レンズ成分42の屈
折率よりもプリズム41,44の屈折率を上げることに
より、作動距離を延ばすことが可能となるが、このよう
な手法を用いても作動距離は数mm程度しかとることが
できない。また、投影光学系内に倍率調整用光学系、像
位置用補正光学系(詳しくは後述する)を設ける場合も
あり、投影光学系自体の作動距離が短い場合には、これ
らの倍率調整用・像位置補正用光学系を配置することが
困難となる。
側にオフナー型光学系OFを配置し、プレート20側に
ダイソン型光学系DYを配置している。以下にその理由
について説明する。近年においては、図1に示すように
マスク10の回路パターン側にペリクル膜を設ける場合
が多い。このときには、マスク10との作動距離を長く
する必要がある。しかしながら、一般的にダイソン型光
学系においては、作動距離を長くすると球面収差を補正
できない性質がある。ここで、平凸レンズ成分42の屈
折率よりもプリズム41,44の屈折率を上げることに
より、作動距離を延ばすことが可能となるが、このよう
な手法を用いても作動距離は数mm程度しかとることが
できない。また、投影光学系内に倍率調整用光学系、像
位置用補正光学系(詳しくは後述する)を設ける場合も
あり、投影光学系自体の作動距離が短い場合には、これ
らの倍率調整用・像位置補正用光学系を配置することが
困難となる。
【0019】そこで、本実施例では、作動距離の長いオ
フナー型光学系OFをマスク10側に設けている。これ
により、ペリクル膜11が設けられているマスク10に
も対応することができる。さらに、オフナー型光学系O
Fと中間像形成位置(視野絞り位置)との間隔が広がる
ため、この位置に倍率調整用光学系及び像位置補正用光
学系を配置することが可能となる利点がある。
フナー型光学系OFをマスク10側に設けている。これ
により、ペリクル膜11が設けられているマスク10に
も対応することができる。さらに、オフナー型光学系O
Fと中間像形成位置(視野絞り位置)との間隔が広がる
ため、この位置に倍率調整用光学系及び像位置補正用光
学系を配置することが可能となる利点がある。
【0020】次に、上記の倍率調整用光学系について図
2を参照して説明する。図2に示す如く、本実施例にお
いては、オフナー型光学系OFとダイソン型光学系DY
との間の光路中に、平凸レンズ51と平凹レンズ52と
からなる倍率調整用光学系が設けられている。これらの
平凸レンズ51及び平凹レンズ52は、それぞれ光軸方
向(この場合ではZ軸方向)に沿って移動可能に設けら
れている。ここで、平凸レンズ51と平凹レンズ52と
を光軸方向に移動させれば、視野絞りFS上に形成され
るマスク10の中間像の横倍率が変化する。従って、オ
フナー型光学系OF及びダイソン型光学系DYから構成
される投影光学系全体の投影倍率を変化させることが可
能となる。
2を参照して説明する。図2に示す如く、本実施例にお
いては、オフナー型光学系OFとダイソン型光学系DY
との間の光路中に、平凸レンズ51と平凹レンズ52と
からなる倍率調整用光学系が設けられている。これらの
平凸レンズ51及び平凹レンズ52は、それぞれ光軸方
向(この場合ではZ軸方向)に沿って移動可能に設けら
れている。ここで、平凸レンズ51と平凹レンズ52と
を光軸方向に移動させれば、視野絞りFS上に形成され
るマスク10の中間像の横倍率が変化する。従って、オ
フナー型光学系OF及びダイソン型光学系DYから構成
される投影光学系全体の投影倍率を変化させることが可
能となる。
【0021】図1に戻って、3つのオフナー型光学系3
1a〜33cは、マスク10上の照明領域12a〜12
cの中間像Ia〜Icを形成し、3つのダイソン型光学
系41a〜44cは、中間像Ia〜Icの像(照明領域
12a〜12cの2次像)を露光領域21a〜21c上
に形成する。ここで、照明領域12a〜12cの2次像
は、それぞれ等倍の正立像となる。
1a〜33cは、マスク10上の照明領域12a〜12
cの中間像Ia〜Icを形成し、3つのダイソン型光学
系41a〜44cは、中間像Ia〜Icの像(照明領域
12a〜12cの2次像)を露光領域21a〜21c上
に形成する。ここで、照明領域12a〜12cの2次像
は、それぞれ等倍の正立像となる。
【0022】図3に示す如く、プレート20上の露光領
域21a〜21cは、Y方向において所定量だけ重なり
合うように隣接している。ここで、各露光領域21a〜
21cが重なり合う領域をオーバーラップ領域とする。
このオーバーラップ領域においては、露光領域21a,
21cのX方向の長さ(スリット幅)の和がY方向のど
の位置においても常に一定となるように規定されてお
り、同様に、露光領域21b,21cのX方向の長さ
(スリット幅)の和がY方向のどの位置においても常に
一定となるように規定されている。
域21a〜21cは、Y方向において所定量だけ重なり
合うように隣接している。ここで、各露光領域21a〜
21cが重なり合う領域をオーバーラップ領域とする。
このオーバーラップ領域においては、露光領域21a,
21cのX方向の長さ(スリット幅)の和がY方向のど
の位置においても常に一定となるように規定されてお
り、同様に、露光領域21b,21cのX方向の長さ
(スリット幅)の和がY方向のどの位置においても常に
一定となるように規定されている。
【0023】従って、マスク10とプレート20とを図
示なき搬送機構により、図中X方向に一体に移動させつ
つ露光を行えば、プレート20上には、マスク10の等
倍の正立像がY方向において3つに分割された状態で順
次形成される。従って、本実施例による露光装置では、
マスク10上の全ての回路パターンをプレート20上に
順次転写することができる。
示なき搬送機構により、図中X方向に一体に移動させつ
つ露光を行えば、プレート20上には、マスク10の等
倍の正立像がY方向において3つに分割された状態で順
次形成される。従って、本実施例による露光装置では、
マスク10上の全ての回路パターンをプレート20上に
順次転写することができる。
【0024】次に、図4を参照して、本実施例による投
影光学系が取り得る露光領域について説明する。図4
(a) は投影光学系の光路を展開した状態で示す図であ
る。尚、図4(a) に示すオフナー型光学系OFとダイソ
ン型光学系DYとはそれぞれ共通の光軸Axを持つ。な
お、本実施例において、共通の光軸Axを持つとは、オフ
ナー型光学系OFからダイソン型光学系DYへ向かう光
束(またはダイソン型光学系DYからオフナー型光学系
OFへ向かう光束)の主光線の像高がそれぞれ等しいこ
とを指す。
影光学系が取り得る露光領域について説明する。図4
(a) は投影光学系の光路を展開した状態で示す図であ
る。尚、図4(a) に示すオフナー型光学系OFとダイソ
ン型光学系DYとはそれぞれ共通の光軸Axを持つ。な
お、本実施例において、共通の光軸Axを持つとは、オフ
ナー型光学系OFからダイソン型光学系DYへ向かう光
束(またはダイソン型光学系DYからオフナー型光学系
OFへ向かう光束)の主光線の像高がそれぞれ等しいこ
とを指す。
【0025】ここで、図4(b) に示す如く、オフナー型
光学系OFの取り得る最大の視野は、凸面鏡33により
光束のケラれが発生するために半円状となる。また、オ
フナー型光学系は非点収差を有しており、この非点収差
の影響を殆ど受けない像高の範囲により、スリット幅d
が定まる。ダイソン型光学系DYの取り得る最大の視野
は、図4(c) に示す如く、半円状となる。このとき、投
影光学系全体の視野は、ダイソン光学系の視野がオフナ
ー型光学系の視野をカバーできれば、オフナー型光学系
の視野が投影光学系の視野となる。言い換えると、オフ
ナー型光学系OFの最大像高YOFよりもダイソン型光学
系DYの最大像高YDYが大きい場合(YOF≦YDY)に
は、オフナー型光学系OFの視野が投影光学系全体の視
野となる。図4(d) に投影光学系全体の視野を示す。
光学系OFの取り得る最大の視野は、凸面鏡33により
光束のケラれが発生するために半円状となる。また、オ
フナー型光学系は非点収差を有しており、この非点収差
の影響を殆ど受けない像高の範囲により、スリット幅d
が定まる。ダイソン型光学系DYの取り得る最大の視野
は、図4(c) に示す如く、半円状となる。このとき、投
影光学系全体の視野は、ダイソン光学系の視野がオフナ
ー型光学系の視野をカバーできれば、オフナー型光学系
の視野が投影光学系の視野となる。言い換えると、オフ
ナー型光学系OFの最大像高YOFよりもダイソン型光学
系DYの最大像高YDYが大きい場合(YOF≦YDY)に
は、オフナー型光学系OFの視野が投影光学系全体の視
野となる。図4(d) に投影光学系全体の視野を示す。
【0026】走査露光においては、プレート上を走査す
る露光領域の走査方向の長さ(露光領域のスリット幅)
は、走査直交方向において露光量を一定にするために、
走査直交方向におけるどの位置でも常に一定であること
が要求される。従って、プレート上に形成される露光領
域の形状は、図4(e) に示す如く、スリット幅dの分だ
け走査方向にずれた中心を持つ同一曲率半径の2つの部
分円を輪郭にもつ円弧形状となる。このとき、円弧形状
の露光領域は、図4(d) に示す投影光学系全体の視野の
範囲内とする。
る露光領域の走査方向の長さ(露光領域のスリット幅)
は、走査直交方向において露光量を一定にするために、
走査直交方向におけるどの位置でも常に一定であること
が要求される。従って、プレート上に形成される露光領
域の形状は、図4(e) に示す如く、スリット幅dの分だ
け走査方向にずれた中心を持つ同一曲率半径の2つの部
分円を輪郭にもつ円弧形状となる。このとき、円弧形状
の露光領域は、図4(d) に示す投影光学系全体の視野の
範囲内とする。
【0027】なお、図3に示す如き複数の露光領域21
a〜21cにより走査露光を行う場合には、前述したよ
うに各露光領域21a〜21cのX方向の長さは、Y方
向のどの位置においても常に一定とする必要がある。こ
のときには、各投影光学系の円弧形状の露光領域は、図
5に示す如く、スリット幅dの分だけ走査方向にずれた
中心を持つ同一曲率半径の2つの部分円と、これらの部
分円のY方向における端部に付加された三角形とを輪郭
に持つ露光領域とすることが良い。
a〜21cにより走査露光を行う場合には、前述したよ
うに各露光領域21a〜21cのX方向の長さは、Y方
向のどの位置においても常に一定とする必要がある。こ
のときには、各投影光学系の円弧形状の露光領域は、図
5に示す如く、スリット幅dの分だけ走査方向にずれた
中心を持つ同一曲率半径の2つの部分円と、これらの部
分円のY方向における端部に付加された三角形とを輪郭
に持つ露光領域とすることが良い。
【0028】さて、例えば本実施例による露光装置を用
いてアクティブマトリックス方式の液晶パネルを製造す
る際には、そのアクティブ素子を形成するために製造工
程で複数のパターン層を重ね合わせて露光することが必
要となる。ここで、ある層に対するパターン露光の後に
プロセス処理がなされるが、このプロセス処理において
プレート20が伸縮する場合がある。
いてアクティブマトリックス方式の液晶パネルを製造す
る際には、そのアクティブ素子を形成するために製造工
程で複数のパターン層を重ね合わせて露光することが必
要となる。ここで、ある層に対するパターン露光の後に
プロセス処理がなされるが、このプロセス処理において
プレート20が伸縮する場合がある。
【0029】このときには、プレート20の伸縮に応じ
て、マスク10の投影倍率を調節する必要がある。1つ
の投影光学系を持つ通常の露光装置では、投影光学系の
倍率(横倍率)のみを調整することにより、マスク10
の投影倍率を調節することができるが、本実施例の如き
複数の投影光学系を持つ露光装置においては、各々の投
影光学系の倍率を調整すると、プレート10上の複数の
露光領域21a〜21cが互いに重なり合わなくなる、
または重なり過ぎる問題が生じる。ここで、複数の露光
領域21a〜21cが互いに重なり合わなくなると、プ
レート20上に走査方向(X方向)に延びた形状の回路
パターンが転写されない中抜け領域が発生する問題点が
あり、複数の露光領域21a〜21cが重なり過ぎる
と、この重なり過ぎる領域が露光量過多となり、現像後
の回路パターンの線幅がくるう問題が生じる。
て、マスク10の投影倍率を調節する必要がある。1つ
の投影光学系を持つ通常の露光装置では、投影光学系の
倍率(横倍率)のみを調整することにより、マスク10
の投影倍率を調節することができるが、本実施例の如き
複数の投影光学系を持つ露光装置においては、各々の投
影光学系の倍率を調整すると、プレート10上の複数の
露光領域21a〜21cが互いに重なり合わなくなる、
または重なり過ぎる問題が生じる。ここで、複数の露光
領域21a〜21cが互いに重なり合わなくなると、プ
レート20上に走査方向(X方向)に延びた形状の回路
パターンが転写されない中抜け領域が発生する問題点が
あり、複数の露光領域21a〜21cが重なり過ぎる
と、この重なり過ぎる領域が露光量過多となり、現像後
の回路パターンの線幅がくるう問題が生じる。
【0030】そこで、本実施例では、オフナー型光学系
31a〜33cとダイソン型光学系41a〜44cとの
間の光路中に、像位置補正用光学系として、X軸及びY
軸方向を軸として回転可能に設けられた平行平面板53
a〜53cを設けている。そして、図2に示す如き平凸
レンズ51及び平凹レンズ52による投影光学系の倍率
調整を行う際に、平行平面板53a〜53cをX軸方向
を軸として傾け、Y方向における複数の露光領域21a
〜21cの位置を調整している。
31a〜33cとダイソン型光学系41a〜44cとの
間の光路中に、像位置補正用光学系として、X軸及びY
軸方向を軸として回転可能に設けられた平行平面板53
a〜53cを設けている。そして、図2に示す如き平凸
レンズ51及び平凹レンズ52による投影光学系の倍率
調整を行う際に、平行平面板53a〜53cをX軸方向
を軸として傾け、Y方向における複数の露光領域21a
〜21cの位置を調整している。
【0031】これにより、各投影光学系の倍率を調整し
た場合においても、常にプレート20上に回路パターン
の転写が良好に行なわれる。なお、上述の如き倍率補正
用光学系51,52にて各投影光学系の倍率を調節し、
かつX軸方向を軸として像位置補正用光学系53a〜5
3cを調整する場合には、Y軸方向における投影倍率の
調整のみしか行うことができない。しかしながら、走査
露光中に平行平面板53a〜53cをY軸方向を軸とし
て傾ければ、走査方向(X軸方向)におけるマスク10
とプレート20との倍率を変化させることができる。こ
こで、像位置補正用光学系としての平行平面板53a〜
53cは、図示なきステージによるマスク10及びプレ
ート20の走査する速度に対応してY軸を軸として回転
動作するように構成されることが良い。
た場合においても、常にプレート20上に回路パターン
の転写が良好に行なわれる。なお、上述の如き倍率補正
用光学系51,52にて各投影光学系の倍率を調節し、
かつX軸方向を軸として像位置補正用光学系53a〜5
3cを調整する場合には、Y軸方向における投影倍率の
調整のみしか行うことができない。しかしながら、走査
露光中に平行平面板53a〜53cをY軸方向を軸とし
て傾ければ、走査方向(X軸方向)におけるマスク10
とプレート20との倍率を変化させることができる。こ
こで、像位置補正用光学系としての平行平面板53a〜
53cは、図示なきステージによるマスク10及びプレ
ート20の走査する速度に対応してY軸を軸として回転
動作するように構成されることが良い。
【0032】また、オフナー型光学系OFにおいて、凹
面鏡32及び凸面鏡33の曲率を緩くすることによっ
て、オフナー型光学系OF自体から生じる収差を少なく
することができ、このときには、オフナー型光学系OF
自体の視野のスリット幅を広げることができる。ここ
で、図1に示すように、3つ以上の投影光学系を千鳥状
に配置する場合では、特に投影光学系中のオフナー型光
学系の径が大きくなると、Y方向において隣合う投影光
学系同士が互いに干渉する恐れがある。このような場合
には、隣合う投影光学系において、マスク10側にオフ
ナー型光学系OFが位置するように一方の投影光学系を
構成し、マスク10側にダイソン型光学系DYが位置す
るように他方の投影光学系を構成することも可能であ
る。
面鏡32及び凸面鏡33の曲率を緩くすることによっ
て、オフナー型光学系OF自体から生じる収差を少なく
することができ、このときには、オフナー型光学系OF
自体の視野のスリット幅を広げることができる。ここ
で、図1に示すように、3つ以上の投影光学系を千鳥状
に配置する場合では、特に投影光学系中のオフナー型光
学系の径が大きくなると、Y方向において隣合う投影光
学系同士が互いに干渉する恐れがある。このような場合
には、隣合う投影光学系において、マスク10側にオフ
ナー型光学系OFが位置するように一方の投影光学系を
構成し、マスク10側にダイソン型光学系DYが位置す
るように他方の投影光学系を構成することも可能であ
る。
【0033】上記の図1〜図5に示す実施例において
は、図4に示す如く、投影光学系を構成するオフナー型
光学系OFとダイソン型光学系DYとが共通の光軸Axを
持つように構成されている。ここで、投影光学系を構成
するオフナー型光学系OF及びダイソン型光学系DY
は、それぞれの光軸が偏心した状態で構成されても良
い。以下、図6を参照して、オフナー型光学系OFに対
してダイソン型光学系DYの光軸を偏心させた投影光学
系の構成と、それが取り得る露光領域とについて説明す
る。図6(a) は投影光学系の光路を展開した状態で示す
図である。図6(a)において、投影光学系を構成するオ
フナー型光学系OFとダイソン型光学系DYとは、それ
ぞれの有する光軸AxOF,AxDYが偏心した状態となってい
る。なお、光軸AxOF,AxDYが偏心した状態とは、オフナ
ー型光学系OFからダイソン型光学系DYへ向かう光束
の主光線の像高(オフナー型光学系OFの光軸AxOFに対
する像高)と、ダイソン型光学系DYからオフナー型光
学系へ向かう光束の主光線の像高(ダイソン型光学系D
Yの光軸AxDYに対する像高)とが互いに異なることを指
す。
は、図4に示す如く、投影光学系を構成するオフナー型
光学系OFとダイソン型光学系DYとが共通の光軸Axを
持つように構成されている。ここで、投影光学系を構成
するオフナー型光学系OF及びダイソン型光学系DY
は、それぞれの光軸が偏心した状態で構成されても良
い。以下、図6を参照して、オフナー型光学系OFに対
してダイソン型光学系DYの光軸を偏心させた投影光学
系の構成と、それが取り得る露光領域とについて説明す
る。図6(a) は投影光学系の光路を展開した状態で示す
図である。図6(a)において、投影光学系を構成するオ
フナー型光学系OFとダイソン型光学系DYとは、それ
ぞれの有する光軸AxOF,AxDYが偏心した状態となってい
る。なお、光軸AxOF,AxDYが偏心した状態とは、オフナ
ー型光学系OFからダイソン型光学系DYへ向かう光束
の主光線の像高(オフナー型光学系OFの光軸AxOFに対
する像高)と、ダイソン型光学系DYからオフナー型光
学系へ向かう光束の主光線の像高(ダイソン型光学系D
Yの光軸AxDYに対する像高)とが互いに異なることを指
す。
【0034】図6(b) に示す如く、オフナー型光学系O
Fの取り得る最大の視野は、凸面鏡33により光束のケ
ラれが発生するために半円状となる。また、オフナー型
光学系は非点収差を有しており、この非点収差の影響を
殆ど受けない像高の範囲により、スリット幅dが定ま
る。また、ダイソン型光学系DYの取り得る最大の視野
は、図6(c) に示す如く、半円状となる。
Fの取り得る最大の視野は、凸面鏡33により光束のケ
ラれが発生するために半円状となる。また、オフナー型
光学系は非点収差を有しており、この非点収差の影響を
殆ど受けない像高の範囲により、スリット幅dが定ま
る。また、ダイソン型光学系DYの取り得る最大の視野
は、図6(c) に示す如く、半円状となる。
【0035】図6(d) に投影光学系全体の視野を示す。
このとき、投影光学系の取りうる最大の視野領域は、図
中斜線で示すように、オフナー型光学系OFの円弧状の
視野とダイソン型光学系DYの半円状の視野とが重なる
領域となる。前述の如く、走査露光においては、プレー
ト上を走査する露光領域の走査方向の長さ(露光領域の
スリット幅)は、走査直交方向におけるどの位置でも常
に一定であることが要求される。従って、プレート上に
形成される露光領域の形状は、図6(e) に示す如く、ス
リット幅dの分だけ走査方向にずれた中心を持つ同一曲
率半径の2つの部分円と、これらの部分円のY方向にお
ける端部に付加された三角形とを輪郭に持つ円弧形状と
なる。なお、この円弧形状の露光領域は、図6(d) に示
す投影光学系全体の視野の範囲内である。
このとき、投影光学系の取りうる最大の視野領域は、図
中斜線で示すように、オフナー型光学系OFの円弧状の
視野とダイソン型光学系DYの半円状の視野とが重なる
領域となる。前述の如く、走査露光においては、プレー
ト上を走査する露光領域の走査方向の長さ(露光領域の
スリット幅)は、走査直交方向におけるどの位置でも常
に一定であることが要求される。従って、プレート上に
形成される露光領域の形状は、図6(e) に示す如く、ス
リット幅dの分だけ走査方向にずれた中心を持つ同一曲
率半径の2つの部分円と、これらの部分円のY方向にお
ける端部に付加された三角形とを輪郭に持つ円弧形状と
なる。なお、この円弧形状の露光領域は、図6(d) に示
す投影光学系全体の視野の範囲内である。
【0036】このように、オフナー型光学系OFとダイ
ソン型光学系DYとの光軸AxOF,Ax DYが偏心した状態で
ある場合には、図6(c) 〜(e) に示す領域13は光束が
通過しない領域となる。従って、ダイソン型光学系DY
を作る際にこの領域13を削ることもできる。このと
き、ダイソン型光学系DYのレンズ成分42の光軸AxOF
垂直方向の断面形状は小判形状となる。この構成に伴
い、ダイソン型光学系DYのプリズム41,44を小さ
く、すなわちプリズム41,44の光路長を短く構成で
きるため、レンズ成分42及びプリズム44とプレート
20との間隔が広がり、ダイソン型光学系DY自体の作
動距離を延ばす効果が生じる。
ソン型光学系DYとの光軸AxOF,Ax DYが偏心した状態で
ある場合には、図6(c) 〜(e) に示す領域13は光束が
通過しない領域となる。従って、ダイソン型光学系DY
を作る際にこの領域13を削ることもできる。このと
き、ダイソン型光学系DYのレンズ成分42の光軸AxOF
垂直方向の断面形状は小判形状となる。この構成に伴
い、ダイソン型光学系DYのプリズム41,44を小さ
く、すなわちプリズム41,44の光路長を短く構成で
きるため、レンズ成分42及びプリズム44とプレート
20との間隔が広がり、ダイソン型光学系DY自体の作
動距離を延ばす効果が生じる。
【0037】従って、ダイソン型光学系DYの作動距離
が非常に短い場合には、オフナー型光学系OFとダイソ
ン型光学系DYとの光軸AxOF,AxDYを偏心させれば良い
ことが分かる。以上の通り、本発明による各実施例によ
る露光装置においては、マスク側にオフナー型光学系O
Fを用いる場合には、マスク側の作動距離を長くするこ
とができるため、ペリクル等が貼付されたマスクに対応
でき、また、倍率調整用光学系及び像位置補正用光学系
をもその光路中に設けることができる利点がある。
が非常に短い場合には、オフナー型光学系OFとダイソ
ン型光学系DYとの光軸AxOF,AxDYを偏心させれば良い
ことが分かる。以上の通り、本発明による各実施例によ
る露光装置においては、マスク側にオフナー型光学系O
Fを用いる場合には、マスク側の作動距離を長くするこ
とができるため、ペリクル等が貼付されたマスクに対応
でき、また、倍率調整用光学系及び像位置補正用光学系
をもその光路中に設けることができる利点がある。
【0038】なお、ダイソン型光学系DYのプリズム4
1,42の光路長を短く構成すれば、ダイソン型光学系
DYの作動距離を延ばすことができる。この場合には、
プリズム41,44において短くした光路長分のガラス
を倍率調整用光学系及び像位置補正用光学系に充当する
こともできる。また、オフナー型光学系OFとダイソン
型光学系DYとが共通の光軸Axを持つ場合には、オフナ
ー型光学系OFの凸面鏡33をダブレット等のレンズ成
分で構成することもできる。このときには、凸面鏡33
での反射の代わりにレンズ成分の裏面反射を用い、ダイ
ソン型光学系DYで生じる色収差を補正することができ
る。また、オフナー型光学系OFで生じる非点収差をダ
イソン型光学系で補正することもできるため、比較的大
きなスリット幅をとることが可能となる。
1,42の光路長を短く構成すれば、ダイソン型光学系
DYの作動距離を延ばすことができる。この場合には、
プリズム41,44において短くした光路長分のガラス
を倍率調整用光学系及び像位置補正用光学系に充当する
こともできる。また、オフナー型光学系OFとダイソン
型光学系DYとが共通の光軸Axを持つ場合には、オフナ
ー型光学系OFの凸面鏡33をダブレット等のレンズ成
分で構成することもできる。このときには、凸面鏡33
での反射の代わりにレンズ成分の裏面反射を用い、ダイ
ソン型光学系DYで生じる色収差を補正することができ
る。また、オフナー型光学系OFで生じる非点収差をダ
イソン型光学系で補正することもできるため、比較的大
きなスリット幅をとることが可能となる。
【0039】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、露光領域
が大きな場合でも、スループットを低下させずに、良好
な結像性能のもとで回路パターンを転写できる露光装置
が提供できる。
が大きな場合でも、スループットを低下させずに、良好
な結像性能のもとで回路パターンを転写できる露光装置
が提供できる。
【図1】本発明による露光装置の構成を概略的に示す模
式図である。
式図である。
【図2】本発明による露光装置の投影光学系を示す断面
図である。
図である。
【図3】プレート上での露光領域の配置を示す平面図で
ある。
ある。
【図4】投影光学系の視野を説明するための図である。
【図5】露光領域と投影光学系の視野との関係を示す図
である。
である。
【図6】投影光学系の視野を説明するための図である。
DY … ダイソン型光学系、 OF … オフナー型光学系、 10 … マスク、 20 … プレート、 51,52 … 倍率補正用光学系、 53 … 像位置補正用光学系、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 欣也 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内
Claims (6)
- 【請求項1】マスクと基板とを移動させつつ、前記マス
ク上のパターンを前記基板上に投影する露光装置におい
て、 前記マスクの正立像を前記基板上に形成する第1及び第
2投影光学系を有し、 前記第1及び第2投影光学系は、2つの共役点の一方を
前記マスクまたは前記基板上に位置させるように配置し
た第1結像光学系と、2つの共役点の一方を前記第1結
像光学系の他方の共役点と一致させると共に、他方の共
役点を前記基板または前記マスク上に位置させるように
配置された第2結像光学系とをそれぞれ有し、 前記第1結像光学系は、凹面反射鏡と凸面反射鏡とを有
し、かつ一方の共役点からの光を前記凹面反射鏡、前記
凸面反射鏡及び前記凹面反射鏡の順に反射させて他方の
共役点へ導き、 前記第2結像光学系は、第1及び第2反射プリズムと、
正屈折力のレンズ群と、該レンズ群側に凹面を向けた凹
面反射鏡とを有し、かつ一方の共役点からの光を前記第
1反射プリズム、前記レンズ群、前記凹面反射鏡、前記
レンズ群及び前記第2反射プリズムの順に経由させて他
方の共役点へ導くことを特徴とする露光装置。 - 【請求項2】前記第1結像光学系の共役点と前記第2結
像光学系の共役点とが一致する位置には、視野絞りが配
置され、 前記第1結像光学系と前記第2結像光学系との間の光路
中には、屈折力が可変な倍率補正光学系が配置されるこ
とを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 【請求項3】前記視野絞りは、略弓形状の開口部を有す
ることを特徴とする請求項2記載の露光装置。 - 【請求項4】前記第1結像光学系は前記マスクの中間像
を形成し、前記第2結像光学系は前記中間像を前記基板
上に再結像させることを特徴とする請求項1記載の露光
装置。 - 【請求項5】前記第1結像光学系と前記第2結像光学系
との間の光路中には、前記第1及び第2結像光学系間の
光束に対して傾斜可能に設けられた平行平面板が配置さ
れることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 【請求項6】前記第1投影光学系の前記第1結像光学系
と前記第2投影光学系の前記第2結像光学系とは、前記
マスクの中間像を形成し、 前記第1投影光学系の前記第2結像光学系と前記第2投
影光学系の前記第1結像光学系とは、前記中間像を前記
基板上に再結像させることを特徴とする請求項1記載の
露光装置。
Priority Applications (14)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6141326A JPH088169A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 露光装置 |
US08/453,538 US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1995-05-30 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
KR1019950017375A KR960001904A (ko) | 1994-06-23 | 1995-06-22 | 노광 장치 |
US08/587,346 US6157497A (en) | 1993-06-30 | 1996-01-16 | Exposure apparatus |
US09/173,530 US6351305B1 (en) | 1993-06-30 | 1998-10-15 | Exposure apparatus and exposure method for transferring pattern onto a substrate |
US09/722,278 US6480262B1 (en) | 1993-06-30 | 2000-11-28 | Illumination optical apparatus for illuminating a mask, method of manufacturing and using same, and field stop used therein |
US09/722,515 US6509954B1 (en) | 1993-06-30 | 2000-11-28 | Aperture stop having central aperture region defined by a circular ARC and peripheral region with decreased width, and exposure apparatus and method |
US09/722,516 US6556278B1 (en) | 1993-06-30 | 2000-11-28 | Exposure/imaging apparatus and method in which imaging characteristics of a projection optical system are adjusted |
US10/382,874 US6795169B2 (en) | 1993-06-30 | 2003-03-07 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
US10/920,294 US7023527B2 (en) | 1993-06-30 | 2004-08-18 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
US11/101,553 US7088425B2 (en) | 1993-06-30 | 2005-04-08 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
US11/471,658 US7372543B2 (en) | 1993-06-30 | 2006-06-21 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
US11/797,605 US7372544B2 (en) | 1993-06-30 | 2007-05-04 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
US12/078,863 US7956984B2 (en) | 1993-06-30 | 2008-04-07 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6141326A JPH088169A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH088169A true JPH088169A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15289338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6141326A Pending JPH088169A (ja) | 1993-06-30 | 1994-06-23 | 露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH088169A (ja) |
KR (1) | KR960001904A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014110385A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
WO2016125325A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | 株式会社目白ゲノッセン | 観察装置 |
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CN113759672A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-12-07 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 曝光系统及曝光方法 |
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---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-06-23 JP JP6141326A patent/JPH088169A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-22 KR KR1019950017375A patent/KR960001904A/ko not_active Application Discontinuation
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CN113759672A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-12-07 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 曝光系统及曝光方法 |
CN113759672B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-06-11 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 曝光系统及曝光方法 |
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Publication number | Publication date |
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KR960001904A (ko) | 1996-01-26 |
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