TW530309B - Synchronous semiconductor memory device having a function for controlling sense amplifiers - Google Patents
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Description
530309 A7 B7
I52pif.doc/〇CH 五、發明說明(/ ) 本發明是有關於一種同步半導體記憶體’特別是有關 於一種用來控制使用在一同步記憶體元件中之感測放大 器,以回應一外部時鐘信號之技術。 眾所皆知的,位址轉移檢測電路(Address TransitlQn Detect ion Ci rcui ts)是廣泛地使用在半導體記憶體(例如: 唯讀記憶體),以便以一適當處理時序控制內部存取電路 (例如:感測放大器),上述適當處理時序是用來加強對所 儲存資料之感測速度以及啓動複數控制信號之產生。〜位 址轉移檢測電路感測不同內部位址信號’然後產生〜用來 通知上述位址轉移之主信號。所有使於記憶體裝置中之用 來執行感測操作之控制信號是使用上述位址轉移檢測電路 所產生之主信號(例如:延遲或組合此信號)所形成。—日 依據電路設計之所需完成製造後,具有個別脈衝寬度與延 遲期間之ATD導向控制信號是固定在固定的値。 在一唯讀記憶體之感測操作中,因爲一感測週期乃爲 自感測操作開始至閂鎖感測紿果之期間,是經常固定的, 所以儘管由於電力雜訊或時序改變之延遲感測時序,其可 以選擇一弱記憶體單兀或問鎖失真感測資料。控制信號跑 感測週期時間之間的失配現像(Mismatched Phenomena)會 造成產能之降低◦並且,對於位址轉移檢測需要一新改良 電路,以使感測放大器之感測時間比所設計規格短。 爲了加強一非同步記憶體裝置之操作頻率,一同步記 憶體被認爲在高頻寬記憶體操作中是有用的方法。因爲同 步曰己彳思體執f了內部ί架作,以回應一^系統時鐘,上述系統時 — — — — — — — · 111 I 11 I ^ * — — — — — — 1— 一 C請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
530309 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(之) 鐘具有一預定時脈寬度與頻率,並且上述系統時鐘是分配 有數個頻率選擇之一,所以必須將感測放大器之控制設計 成爲可與系統時鐘外之頻率配合。 因此,本發明之目的在於提供一同步唯讀記憶體,其 具有依據一時鐘信號來控制感測操作之電路,其中上述時 鐘信號具有一固定週期。 本發明之另一目的在於提供一同步唯讀記憶體,其具 有一用來控制感測操作之電路,上述感測操作可採用不同 時鐘頻率。 本發明之另一目的在於提供一同步唯讀記體,其具有 一依據預定潛伏時間資料可在不同時鐘頻率狀態下用來控 制感測操作之電路,其中上述預定潛伏時間資料是對應於 上述時鐘頻率狀態。 爲了完成上述目的,一唯讀記憶體包括一時鐘信號源, 其具有固定振盪脈衝週期、一感測放大器,其藉由複數個 控制信號來操作、一閂鎖電路,其耦接到上述感測放大器 之輸出、一電路,其用來產生上述複數個第一控制信號與 一第二控制信號,上述第二控制信號是施加到上述閂鎖電 路,以回應對應於時鐘信號之脈衝週期之資料。 一唯讀記憶體之另一觀念包括一時鐘信號源,其具有 固定振盪脈衝週期、一感測放大器,其藉由複數個控制信 號來操作、一閂鎖電路,其耦接到上述感測放大器之輸出 以及一電路,其用來產生複數個控制信號與一閂鎖控制信 號,上述閃鎖控制信號是施加到上述問鎖電路,其中在一 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---------h···裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 530309 5152pif.doc/006 A7 B7 五、發明說明(g) 特定頻率狀態中回應對於時鐘信號之脈衝週期;^ 潛伏時 間資料,以產生上述感測放大器控制信號,以及 定頻率狀態中回應一潛伏時間計數信號,以產生上、 控制信號。上述產生電路包括至少一選擇開關,其鎖 述控制信號之延遲狀態,以回應上述潛伏時間資料 上述特定頻率狀態是指上述感測放大器之感測调_ t 、」_期時間th 上述時鐘信號之脈衝週期時間長之狀態。 本發明之另一觀念爲一唯讀記憶體,其包括 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 號 ‘時鐘信號源, 其具有固定振盪脈衝週期、一感測放大器,其藉由 不曰_俊數個 感測放大器控制信號來操作、一閂鎖電路,其親丨妾 感測放大器之輸出、一第一電路,其用來產生上= 大器控制信號中之一第一控制信號、一第二電路,其 產生上述感測放大器控制信號中之一第二控制信號, 在一特定頻率狀態中回應對應於上述時鐘信號之|肢__ 期,以產生上述第二控制信號、一第三電路,其用來產生 一閂鎖控制信號,其施加到上述閂鎖電路,其中在^寺 定頻率狀態中回應一潛伏時間計數信號,以產生上述 控制信號、一第四電路,其用來產生上述感測放大器控制 信號中之一第三控制信號,其中回應上述主信號,以使上 述第三控制信號致能以及回應上述閂鎖控制信號,以使上 述三控制信號失能。在此實施例中,第二與第三電路個別 且有一選擇開關,其決定每一控制信號之延遲狀態,以回 應潛伏時間資料信號。 源,當位址信號改變時,會產生上主信號 -----------1 I ^--------訂--------- {靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐)
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Sl52pif.d〇c/0〇6 五、發明說明(¥ ) 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式?作詳 細說明如下: 圖式之簡單說明: 第1圖係顯示出在一同步記憶體中之感測放大器控制 之功能方塊示意圖; 第2圖係顯示出在一同步記憶體中用來產生供應到感 測放大器與感測放大器閂鎖電路之控制信號之一感測放大 器控制電路的一實施例; 第3圖係顯示出當供應到同步記憶體之系統時鐘頻率 爲20MHz時,由第2圖之感測放大器控制電路所產生之信 號組態; 第4圖係顯示出當供應到同步記憶體之系統時鐘頻率 爲66MHz時,由第2圖之感測放大器控制電路所產生之信 號組態;以及 第5圖係顯示出當供應到同步記憶體之系統時鐘頻率 爲100MHz時,由第2圖之感測放大器控制電路所產生之 信號組態。 在上述圖式中,相似參考符號代表相似或對應之部分。 符號之簡單說明: 1-記體單元陣列; 5-行解碼器; 7-行選通電路; ----------L -裝------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530309 五、發明說明(6) 來選擇字元線,以回應列位址RA。位元線是經由行選通電 路7連接到感測放大器9。在上述行選通電路7中、,每一 行線藉由來自行解碼器5之解碼信號而連接到每一位元 線,以回應行位址CA。來自感測放大器9之輸出是經由感 測放大器閂鎖電路11而轉送到資料緩衝器13。感測放大 器9與閂鎖電路11是耦接到感測放大器控制電路15,而 主信號MS、時鐘信號CLK、潛伏時間資料信號L1是施加 到感測放大器控制電路15。 主信號MS是由一位址轉移檢測電路(未顯示於圖中)所 提供,當位址改變時,上述位址轉移檢測電路產生一短脈 衝ί目號。潛伏時間貪料信號L1是由一^模式暫存器(未顯不 於圖中)所提供,在啓動一位址選通信號(例如:行位址選 通信號),上述模式暫存器產生信號,以決定CLK之時鐘 週期數,直到一第一資料位元出現在一資料輸出端爲止。 在同步記憶體裝置之高頻寬操作中,適當地提供潛伏時間 (Latency),以獲得一穩定資料檢測與一可靠資料値。潛 伏時間之値是正比於上述同步記憶體裝置之操作頻率;亦 即,一較低頻率記憶體具有一小之潛伏時間値。而一較高 頻率會造成一較大之潛伏時間。例如:當感測放大器具有 30ns之感測週期以及時鐘信號之頻率爲100MHz時,必須 提供3時鐘週期之潛伏時間或更多,然而只有一時鐘週期 之潛伏時間可足夠以30ns之感測放大器來覆蓋整個操作。 因此,感測放大器控制電路15依據潛伏時間資料來操作 感測放大器19與閂鎖電路11,而上述潛伏時間資料與一 9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530309 五、發明說明(7) 最佳化感測序列協調一致。 第2圖係顯示出感測放大器控制電路之一實施例’假 設第1圖之感測放大器使用3個控制信號PSAC1、PSAC2、 PSAC3,以及閂鎖電路11回應PLCH(所有信號是由感測放 大器控制電路所產生)。參考第2圖,將主信號MS施加到 短脈衝產生器21。短脈衝產生器21之輸出是經由延遲電 路31將連接到PSAC1。延遲電路31之輸出施加到短脈衝 產生器22。將短脈衝產生器22之輸出施加到位移暫存器 41與選擇開關51。位移暫存器41產生位移一個時鐘週期 之信號,以回應時鐘信號CLK之每一輸入。選擇開關51 交替地轉送位移暫存器41之輸出與電路32之輸出中之 一,以回應潛伏時間資料信號L1,藉此使其對應於PSAC2。 PSAC2亦連接到短脈衝產生器23之輸入。短脈衝產生器23 之輸出是經由延遲電路33施加到選擇開關52之一輸入 端,然而來自一潛伏時間計數器(未顯示於圖*)CNT之輸 出是經由開關53、位移暫存器42、短脈衝產生器24、延 遲電路34而施加到選擇開關52之其它輸入端。開關53 轉送潛伏時間計數信號CNT,以回應潛伏時間資料信號L1 ’ 以及位移暫存器42依據CLK之計時將CNT轉變成爲一個 一週期位移信號。選擇開關52交替地轉送延遲電路33、34 輸出之一,以回應潛伏時間資料信號L1 ’以便產生感測放 大器閂鎖控制信號PLCH。PLCH亦是施加到所選通之閂鎖 電路60之一輸出,其它輸出則連接到短脈衝產生器21之 輸出。所選通之閂鎖電路60之輸出變成PSAC3。 ;10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
530309 l52pif.doc/006 A7 B7 五 ___ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明(^) 耦接到短脈衝產生器之延遲電路產生信號’此信號具 有將短脈衝產生器所產生之短脈衝拉長之脈衝寬度:·潛伏 時間計數信號CNT代表包含於一感測週期中之時鐘數目, 其藉由儘量在所給予之一週期感測期間內藉由延遲問鎖之 時序,以增進感測穩定度。有關於第2圖之結構擺設’應 了解的是對於短脈衝產生器、延遲電路、位移暫存器、開 關間之連接組態以及其內部結構可具有不同之修飾。例如: 在位移暫存器中之階段數決定一位移輸出信號之量。 以下依據不同時鐘頻率描述有關於個別控制信號之產 生’其中上述時鐘頻率決定同步記憶體裝置之操作速度。 假設在感測放大器中之感測週期時間大約爲3〇ns。參考第 3圖,在一低頻率(如20MHz)(其表示一 5〇ns之時鐘週期 與一般非同步記憶體週期並沒有不同),psAn是產生自延 遲電路31之輸出,上述延_路31之輸人經由短脈衝產 f器21連翻主信號MS。_ 5〇ns之時鐘酬足夠來覆 蓋大約30ns之感測週期,所以a ^ M經由短脈衝產生器22與延 遲電路32自PSAC產生PSAC2, _ 而不需要加入位移暫存器 41。在此時,潛伏時間資料信辦 、、 伏時間,藉此使選擇開關51將迹爲1 ’其表不並?又有潛 接到臟2。如匿2之操作了^電路32之輸出直接連 遲電路33之路徑自PSAC2產生m短脈衝產生器之㈣延 延遲電33之輸出直接連接到p CH。《擇開關52亦疋將 ή γμτ ΚΗ,但是並沒有連接到來 目CNT之丨目號。耢由短脈衝產吻 在高準位闇狀態之PSAG3T>Z 21之先_輸出而維持 $至低準位,以回應PLCH, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 ----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 530309 A7 1l52pif.doc/〇0b
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(彳) 其中PLCH是經由短脈衝產生器25與問鎖電路60而施加 到PSAC3。如第3圖所示,在一週期之時纟里丨目5虎5〇ns內啓 動感測放大器閂鎖控制信號PLCH,、而不需要提供潛伏時間 資料。 但是,參考第4圖’時鐘頻率爲66MHz(局頻寬),而 潛伏時間是設定爲3。經由短脈衝產生器22、延遲電路32、 位移暫存器41自PSAC1產生PSAC2。位移暫存器41將延 遲電路32之輸出信號移向右側一個時鐘脈衝(如第4圖所 示)。選擇開關51將位移暫存器41之輸出連接到PSAC2, 以取代將延遲電路32之輸出直接連接到PSAC2。這是由於 施加到選擇開關51之L1爲一有效潛伏時間資料信號,此 信號會造成自記憶體單元陣列之資料位元讀取,在啓動主 信號後之3個時鐘週期內轉送到感測放大器閃鎖電之輸 出。與第3圖之情況是不同的,選擇開關52選擇來自CNT 之路徑,而並非來自PSAC2之路徑。因此,經由開關5 3、 位移暫存器42、短脈衝產生器24、延遲電路34自CNT產 生PLCH,其在感測放大器之啓動期間之最後時鐘週期中啓 動。由PSAC3所設定之感測放大器之啓動開始於主信號MS 之啓動,上述主信號MS是施加到所選通之閂鎖電路6〇之 輸入端62,而當對應於PLCH之短脈衝產生器25之輸出施 加到所選通之問鎖電路60之輸入端64時,結束其啓重力。 第5圖係顯示出時鐘頻率比第4圖中所'述要高的情況, 其中操作頻率爲100MHz,而潛伏時間爲5。當感測放大器 之啓動期間持續5個時鐘週期(CLK)時,,控制信號pSAC2、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - n ϋ f_^i ϋ I ϋ ϋ 一 δ,I ϋ n I ϋ ·ϋ ϋ ϋ I - 530309 五、發明說明(β) PLCH、PSAC3(但並不包括PSAC1)會經由在第4圖中之目前 潛伏時間資料信號所控制之路徑來產生。 、 可了解的是:縱然是在同步記憶體裝置中,如第3圖所 示之序列(低頻率之情況)是相似於已知ATD導向與非同步 控制技術之序列。但是,在同步記憶體中之一時鐘週期變 成比感測放大器之感測期間短之情況(如第4、5圖所示), 藉由預定潛伏時間資料之控制強迫感測放大器閂鎖電路之 控制信號延遲,以便感測放大器對一有效資料位元可具有 一足夠感測時間。結果,對應於一個別時鐘頻率之潛伏時 間信號可完整地完成感測操作,藉此增加產能。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並非用 以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精 神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂----- # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱)
Claims (1)
- 530309 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 51S2pif.doc/ 0 0 6_g_ 六、申請專利範圍 一主信號源,當位址信號改變時,產生該主信號; 一時鐘信號源,其具有固定振盪脈衝週期; 一感測放大器,其藉由複數個感測放大器控制信號來 操作; 一閂鎖電路,其耦接到該感測放大器之輸出; 一第一電路,其用來產生該複數個感測放大器控制信 號中之一第一控制信號; 一第二電路,其用來產生該感測放大器控制信號中之 一第二控制信號,其中在一特定頻率狀態中回應對應於該 時鐘信號之脈衝週期之一潛伏時間資料,以產生該第二控 制信號; 一第三電路,其用來產生一施加到該閂鎖電路之閂鎖 控制信號,其中在該特定頻率狀態中回應一潛伏時間計數 信號,以產生該閂鎖控制信號;以及 一第四電路,其用來產生該感測放大器控制信號中之 一第三控制信號,其中使該第三控制信號致能,以回應該 主信號以及使該第三控制信號失能,以回應該閂鎖控制信 號。 , 6. 如申請專利範圍第5項所述之唯讀記憶體,其中第 二與第三電路個別具有一選擇開關,該選擇開關決定每一 控制信號之延遲狀態,以回應該潛伏時間資料信號。 7. 如申請專利範圍第5項所述之唯讀記憶體,其中該 特定頻率狀態爲該感測放大器之感測週期時間大於該時鐘 信號之脈衝週期時間。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂----- # 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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