TW525219B - Treated air supplying apparatus and method - Google Patents

Description

1 五、發明説明（ 技Jf範圍 -Γ二L;: lean r_(在半導體產業中應是指 至：下稱為無塵室)中的空氣供給之處理裳置以及 特収財較提供給被設置在無塵室之巾的半導 ::造裝置使用之乾淨空氣所需之處理空氣供給裝置以及 具方法。 技術背景 在汉有半導體製造裝置的無塵室之中，$氣中 :去，溫渥度的調整，以及處理過之乾淨空氣的提供是本 發明的㈣。一般而言，由於半導體製造裝置，會隨其運 轉而發熱，或產生包含有毒氣體在内之各種氣體。因此， 在無塵室中所設置之各種半導體製造裝置大多分別設置在 各別的，間之中。而在個別空間中循環後之的线，則通 過通風管直接排出無塵室外，或經由濾淨器將有毒成份除 去之後排出無塵室外。 也就是說，將無塵室内的乾淨空氣，導入設置在無塵室 中之各半導體製造裝置之空間。然後，將因為在設有半導 體製造裝置的空間中循環，而混雜了機器所發生之熱以及 有毒成份之空氣，從個別空間中直接排出無塵室。 由於，被導入設有半導體製造裝置的空間之中的無塵室 的空氣，全部經由各空間之通風設備被排出到無塵室外。 因此，必須提供給無塵室内相當於被排出之空氣的量。而 這些提供給無塵室内的乾淨空氣’則是經由HEP A等過濾器 ’被淨化並精確控制了其溫溼度之後的乾淨空氣。 -4- 本紙張尺度適财@ 8家標準(CNS) A4規格(21QX 297公愛了 525219

因此’提供給無塵室所需之乾淨空氣的製造，必須要花 費非#大的·成本。換言之，為了讓外部空氣通過濾淨器而 達到淨化效果’所必需之推動空氣用之鼓風機的運轉成本 ’以及溫渥度控制所需之冷卻、加溫等空調談備的運轉成 本’都是必要的。 口此如上述所說’目前有關於無塵室中之半導體製造 裝置的空調系統，大多數是使用了需要大成本的空調系統 來將空氣排出無塵室。而後，將新製造之乾淨並已經過溫 屋度凋正之二軋^供給無塵室。這樣的新空氣之製造所需 要的成本，往往是使無塵室的營運成本增加的重要因素。 發明的開示 本發明的總目的，是要提供改良後已經消除上述之問題 的有效之處理空氣供給裝置以及方法。 而本發明的具體目的是要提供一種，在無塵室外，將經 過一定程序所處理過之乾淨空氣，直接提供給在無塵室之 内設置有半導體製造裝置的空間，以此來減低無塵室内空 氣之消耗量，進而達到降低無塵室之運作成本的處理空氣 供給裝置及方法。 為了達成上述之目的，以一個方面來說，本發明是指提 供給設置在無塵室内的半導體製造裝置，經過一定程序所 處理過之乾淨空氣之處理空氣供給裝置，其包含，設置在 連接到所排出之空氣與無塵室内之空氣具有實質上同等溫 度之第一個半導體製造裝置之第一排氣管與連接設置在2 塵室外的空氣淨化處理機之空氣供給管之間的第一個熱^ -5- 525219 A7 B7 五、發明説明（3 ) 換器，以及設置在連接到所排出之空氣比無塵室内之空氣 較為高溫之.第二半導體製造裝置容器之第二排氣管與空氣 供給管之間的第二個熱交換器。讓第一排氣管之空氣與空 氣供給管内之空氣，通過第一個熱交換器經由熱交換，讓 來自空氣淨化處理機之空氣冷卻並除濕。而第二交換器則 是經由來自第二排氣管的空氣與來自空氣淨化處理機之空 氣的熱交換，將經過第一熱交換器除濕過後之空氣加熱。 而關於本發明之處理空氣供給裝置具有，第一個半導體 製造裝置，是蝕刻裝置較為適當。而第二個半導體製造裝 置，是熱處理裝置較為適當。另外，本發明之處理空氣供 給裝置具有，在接近熱處理裝置之位置設置洗淨裝置，而 空氣供給管會連接熱處理裝置以及洗淨裝置。如果是第二 排氣管連接熱處理裝置以及洗淨裝置也可以。 另一方面而言，本發明將提供一種當設置在無塵室中之半 導體製造裝置所排出之空氣溫度高於無塵室内之空氣溫度時 ，經由一定程序所處理過之乾淨空氣的處理空氣供給方法。 其是具有，將無塵室外空氣的吸入製程，以及吸入後的 空氣經由與來自無塵室内所設置之半導體製造裝置所排出 的空氣之間的熱交換所發生之加熱製程，以及將加熱後的 無塵室外來空氣提供給半導體製造裝置容器之製程。 此外，一可以稱本發明所提供的處理空氣供給方法，是 一種將來自無塵室外的空氣加熱之前，將外來空氣與來自 所排出之空氣與無塵室内之空氣有實質上相同溫度的半導 體製造裝置所排出之空氣，經由熱交換製程將外來空氣冷 -6- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 525219 A7 B7

五、發明説明（4 熱 卻並除濕之處理空氣方法。而吸入之無塵室外之空 交換’使用熱導管來進行也可以。 ；； $經由本發明之處理空氣供給裝置來處理空氣，來自無 塵室外之空氣經過一定程序理過後之乾淨空氣，將直接^ 供2所排放的空氣溫度比無塵室内之空氣溫度為高之半導 醴製造裝置。而所必須之加熱或冷卻等處理，則經由所提 供之空氣與來自半導體製造裝置本身所排出之空氣所發生 之熱父換過私來達成。因此，對於提供給半導體製造裝置 之空氣所需要的處理，只有推送空氣用之風扇之運轉所必 須的電力，而達到加熱以及冷卻所需要之電力的節省。而 由於加熱或冷卻之需要而使用熱導管，可以達到更有效率 的熱交換以及空氣供給流量的把握。 參考下面的圖面以及詳細說明，將可以更加了解本發明 的其他目的，特徵以及利點。 圖式之簡要說明 圖式1是縱型熱處理裝置的構造之簡單圖面。 圖式2是蝕刻裝置用的溫溼度調整機的全體構成之概略 構成圖。 圖式3是依照本發明的第一實施例設置了處理空氣供給 裝置的無塵室的構成之概略平面圖。 圖式4是依照本發明的第二實施例設置了處理空氣供給 裝置的無塵室的構成之概略平面圖。 f施本發明的最好型熊 以下，將參照圖面--說明本發明的實施例。而在與圖 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 525219 A7 ~—--- Β7 五、發明説明（5 ) 面中同樣的構成部分附有同樣號碼。 百先由設置在無塵室中之半導體製造裝置所排出之☆氣 開始說明。半導體的製造製程，包含有積體電：版 、、洗乎，熱處理，不純物導入，薄模形成，蝕刻，等等各 式各樣的製程。而各個製程，是在設置於無塵室中的個別 裝置中進行。因此，會從無塵室中的各個半導體製造裝置 中排放出各種不同組成狀態的空氣。也就是說，提供給設 置在無塵室中的各個半導體製造裝置與無塵室内相同的空 氣但疋會攸各半導體製造裝置所排放出不同溫度及溼度 的空氣。 & 例如為了半導體積體電路版的熱處理·製程，必須要有加 熱裝置，因此會有可將半導體積體電路版加熱至1〇〇〇艺的 加熱爐。而加熱處理以及加熱處理過後的製品 取出等過程，都會向四周散放出大量的熱量。圖式^是路在版半) 導體積體電路版的熱處理過程中，被廣為使用的縱型熱處 理裝置之構造的簡單圖式。 在圖式1裡面，縱型熱處理裝置2被設置在無塵室4内。而 縱型熱處理裝置2具有一個本體外框6，在本體外框6裡面具 有一個加熱爐8。而加熱爐8經由附在其外側之水冷卻裝置 1〇來冷卻。加熱爐8的下方具有一個為了將要處理的半導體 積體電路版12搬入或搬出加熱爐8而設置的搬送機構ι4。本 體外框6的下方，則具有一個風扇16將無塵室4中的空氣導 入本體外框6的内部。而被導入本體外框6之内的來自無塵 至之空氣，通過本體外框6的内部，最後進入設置在本體外 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 525219 A7 一… B7 五、發明説明（6一) * --- 框6頂部的排氣官丨§，通過排氣管丨8排放到無塵室4的外面。 在如上述所說之縱型熱處理裝置2之中，從加熱爐8所放 出之熱將會使其周圍的空氣溫度上升。另外，#已經熱處 理成之半導體積體電路版12從加熱爐8取出的時候，也會 有大量的熱被放出到加熱爐8之外。而半導體積體電路版的 熱處理溫度有1〇〇〇。〇左右的高溫，即使用加熱爐8的周圍所 附有之水冷卻裝置1 〇來冷卻，本體外框6内部的空氣溫度， 仍然會有3(TC〜55艺左右的溫度。因此，這3(rc〜55它的空 氣就經由排氣管1 8被排放到無塵室外。 以上是經由熱處理裝置所排放之空氣溫度比無塵室的空 氣溫度較為南溫的情形。 以下疋所排出之空氣溫度與無塵室之空氣溫度相比沒有 多大變化的半導體製造裝置蝕刻裝置的情形。蝕刻裝置是 以感光樹酯在半導體積體電路板上形成一個面，然後以蝕 刻技術讓薄膜依照所希望之形狀來形成之裝置。因此在蝕 刻裝置中會包含有’為了塗佈感光樹酯用的塗料器，以及 照射之後感光樹酯顯像用的顯像劑等。 一般而言塗料器以及顯像劑，會用含有有機溶劑的感光 樹酯來作處理。因此，含有感光樹酯的有機溶劑會蒸發並 擴散到周圍的空氣中。為了除去這些擴散到空氣中的有機 容媒’钱刻裝置中的空氣，要排出到無塵室外。 而由於以塗料器來塗佈感光樹酯的塗佈製程當中，有機 溶劑的黏稠度依存於周圍的溫度以及溼度的變化。因此， 溫度以及渔度的精確控制是必須要的。一般而言，無塵室 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 525219 A7

中的空氣溫度會維持在23 °C，而澄度則在45%。因此，餘 刻裝置内的空氣溫度-般也是維持在饥。^機溶劑的 蒸發速度也依存於周圍溫度以及溼度的變化，因此，蝕刻 裝置内的空氣溼度也是維持在4 5 %。 塗料裔以及顯像劑是蝕刻裝置的一部分，故會裝設在蝕 刻裝置的本體内。而如上述的熱處理裝置一樣，將無塵室 内的空氣提供給蝕刻裝置之時，由於必須要維持其^體内 的空氣之溫溼度，因此，提供給蝕刻裝置之空氣必須再次 經過其專用之空氣溫溼度調整機處理過之後才可以提供給 蝕刻裝置。 圖式2是姓刻裝置用之溫溼度調整機2〇的整體構造圖。來 自無塵室的空氣，首先經由冷卻器22將空氣冷卻並除去水 分。然後經過冷卻器22處理過後低溫而且低溼度的空氣在 經由加濕器24以及加溫器26來將空氣加溫並加濕。一般是 將其調整在溫度2 3 °C、溼度4 5 %的狀態，此外更將其調整 到不會在有大幅變化的狀態。而加濕氣24以及加溫器26則 是由電熱器來構成。 然後溫溼度調整好之空氣則經由風扇28推送到平本印刷 裝置的本體之内。而在風扇28的出風口處，設置一個溫度 感測器30以及一個溼度感測器32。溫溼度的檢查結果個別 送到溫度調節機34以及溼度調節機36，經由溫度調節機34 以及溼度調節機3 6來控制傳給加濕氣24以及加溫器26的電 力’以達到精確控制空氣溫度保持在23 °C以及溼度45%的 狀態。 -1 〇 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（ 8 ) 由此便可將已經被調整為。 給㈣裝置。而經過排氣管度45%的空氣提供 熱處理裝置相比較由純刻塵室外’而與前述之 的熱源存在，故由㈣裝置戶 =本體内並無發生大熱量 度饥〜抓，㈣45%〜^的^空氣的狀態大約在溫 J此可知’由㈣裝置所排出之空氣的溫度，較上述之 熱處理裝置所排出之空氣的溫度為低，…本發明= :者們’觸利用熱處理裝置與餘刻裝置所排出：同： 度之空氣的溫差來處理欲提供給熱處理裝置之空氣， 到降低熱處理裝置消耗高價之無塵室空氣之量的目的。 曰以下’將參照圖式3來說明本發明的第—實施例。圖式3 是依照本發明的第-實施例設置了處理空氣供給裝置的益 屋室的構成之概略平面圖。圖式3中之虛線所表示之處_ 處理空氣供給裝置60。 無塵室40被區分成4(M’40-2，與4(M等複數之空間。而 在各空間分別^置有半導體製造裝置，如在隔間你2設置 有蝕刻裝置44，而隔間40-3則設有縱型熱處理裝置耗以及 洗淨裝置48, 一般而言在熱處理裝置旁邊會設有洗淨裝置。 而在無塵室40的兩側則設置有空氣循環管42，以循環無 塵室内之空氣，提供給無塵室之空氣則經由外部空調機5”〇 來處理。而外部空調機50設有空氣淨化用之過濾器（包含 HEPA過濾器）將外來空氣中之塵埃以過濾器去除，而淨化 後之空氣則由如圖式2所述之溫、溼度調整機以同樣方法調 整其空氣之溫度與渔度，但是，加熱的時候不使用電熱5| - 11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 525219 A7 B7 五、發明説明（9 ) ，大多使用蒸氣或是溫水。也就是說，例如當外來空氣的 溫度是33 °C的情形時，淨化後之外來空氣被暫時冷卻到 16°C並除濕之後，會再度被加溫到23°C並同時加濕到溼度 45%的狀態。因此，外部空調機50會包含有冷凍機等冷卻 裝置以及電熱器或熱交換器等的加熱裝置。 而被淨化並且調整到溫度23 °C溼度45%後之外來空氣， 便作為無塵室用之空氣經由無塵室空氣供給管52送進無塵 室40内。 而蝕刻裝置44與縱型熱處理裝置46以外的半導體製造裝 置所排出之空氣，經由排氣管54排出到無塵室40之外。蝕 刻裝置44所排出之空氣是經由與排氣管54不同之排氣管56 排出到無塵室40之外。另外，縱型熱處理裝置46所排出之 空氣，則是經由排氣管58排出到無塵室40之外。 以下將解說有關本實施例之處理空氣供給裝置60之相關 說明。另外，在本實施例中所稱部分處理空氣，並非指如 無塵室中之空氣那樣被完全調整在溫度23 °C溼度45%的乾 淨空氣。而是指如後述的那樣只經過大約的溫溼度調整之 乾淨空氣，因此與部分處理空氣相比較，如無塵室所用之 完全被控制在溫度23 °C溼度45%的乾淨空氣，將稱之為完 全處理空氣。 ' 在本實施例之處理空氣供給裝置60，有一個與縱型熱處 理裝置46接續的給氣管62而給氣管62則與空氣供給機64連 接，空氣供給機64與製造無塵室所需空氣之外部空調機50 一樣，經由過濾器將外來空氣淨化，然後送進給給氣管62 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）

裝 訂

525219 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 。但是空氣供給機64與外部空調機50不一樣的是，不具有 調整空氣溫溼度之機能。也就是說，空機供給機64並不具 有冷凍機等冷卻裝置，也不具有電熱器等熱源，只能將空 氣淨化到如無塵室所用之空氣的程度之後就這樣送進給氣 管62 〇 而在空氣供給機64的鄰近處，在給氣管62與蝕刻裝置44 的排氣管56之間，設置第一個熱導管66，這個第一熱導管 ，是為了將來自空氣供給機64的空氣冷卻並除濕的目的而 設置。而在第一熱導管66所設置之位置的靠近熱處理器46 的一側，在給氣管62與排氣管58之間，設置第二熱導管68 作為熱交換器。這個第二熱導管68，是為了將來自空氣供 給機64並經過第一熱導管除濕之後的空氣再度加熱的目的 而設置。 現在，將外部空氣的溫度設定在33 °C而相對溼度是90% 的情形。在這樣的情況下，將外部空氣淨化之後就直接經 由給氣管62送給縱型熱處理裝置46時，將可能會發生在給 氣管62裡面有露水產生的情形。也就是說因為無塵室中的 空氣溫度為23°C，所以給氣管62的内部空氣溫度也會是接 近23 °C。而相對於進入到給氣管62的外來空氣，其溫度有 33°C並且相對溼度90% 。因此，會在給氣管62的内側與空 氣接觸的部分產生露水。 為了解決此結露問題，在本實施例中由空氣供給機64所 提供之溫度33 °C的外來空氣，在第一熱導管66中除濕並降 溫至27°C。第一熱導管66的一端連接於蝕刻裝置44的排氣 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 525219 、發明説明（ 6而另一端則連接在給氣管62。由於從蝕刻裝置所排 2之空氣溫度通常為231，因此，在第一熱導管66的兩端 /成二氣溫度差l〇C(33-23 = 10)的情形，因此可以在執導 & τ進行有效率的熱交換。 、^而在第一熱導管中除濕並降至27。〇之後的空氣，其相 對屋度為100%。因此必須再次加溫使其相對溼度降低。為 此，在本實施例中，使用第二熱導管68讓空氣與來自縱型 二處理裝置46所排出之空氣進行熱交換，將經由第一熱導 & 66除濕並冷卻的空氣加熱。也就是說，因為縱型熱處理 所排出之空氣其平均溫度在5〇χ：，而與經過第一熱 裝 ‘ & 66除濕並冷卻後溫度為271的空氣有大約23t的溫差 ，由於有這樣的溫差，就可以熱導管來進行有效率之熱交 4奐。 ”、、 經過第二熱導管68的熱交換過程，來自第一熱導管已被 除濕並降溫至27t的空氣會被加熱至35t。在這樣的加熱 2況下，給氣管62中的相對溼度就可以減少到即使與給氣 官62的内側接觸也不會產生結露。 線 而這樣被製造出的空氣（部分處理空氣），經過給氣管Μ 供應給縱型熱處理裝置46。而吸收了由縱型熱處理裝置Μ 所放出之熱能而上升至50t：後，經由排氣管58排出到無 室40之外。 … ▲然而隨著外部空氣溫度23t的下降，第—熱導管的除濕 效果將會減低。但是，由於外部空氣的溫度與無塵室之空 氣溫差縮小的時候就不必擔心結露問題的發生。因此就沒 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 525219 A7 B7 五、發明説明（' -- 有* 的必要，也不會有問題。另外，當外部空氣的溫度 二；"、、塵至，内的空氣溫度時，在給氣管6 2的外側也會有結 路問題的產生。但是，由於第二熱導管68通常會將部分處 二氣加熱到某一定程度，因此這樣的結露問題也不會發 .生。 如上所述之本實施例當中，由處理空氣供給裝置60所產 生之空氣，代替提供給無塵室的完全處理空氣來提供給縱 $熱處理裝置46。而製造部分處理空氣之所需只有空氣供 給機64的風扇所必須之動力。也就是說，除濕與再加熱的 過程不須使用冷凍機與電熱器，即可經由第一以及第二熱 導管的熱交換過程來達成，因此可達成提供比完全處理空 氣更低成本的空氣給縱型熱處理裝置。 在本實施例中，提供給縱型熱處理裝置46的空氣是，部 =處理空氣50%，完全處理空氣5〇%。也就是說，所能夠 衣仏的部分處理空氣的量，是依照由蝕刻裝置44所排出之 23 C空氣1而定。因此提供給縱型熱處理裝置46的空氣量 沒有辦法完全由部分處理空氣來取代。而部分處理空氣與 兀全處理空氣的比例並非限制於上述所說之比例值，任何 的比例都沒有關係，如果可能的話，達到i〇〇%部分處理空 氣是較為理想的。 、 以下將參照圖式4來說明本發明的第二實施例。圖式4是 依照本發明的第二實施例設置了處理空氣供給裝置的無塵 室的構成之概略平面圖。圖式4中之虛線所表示之處即是相 當於本發明的第二實施例處理空氣供給裝置8〇，而在圖式4 -15- 本紙張尺度適财@國家標準(CNS) Α4Λ格(21QX 297公爱y 525219 五、發明説明（13 。中η圖式3所表不之構成部分相同的地方有附上相同的符 號’在此便省略其詳細說明。 在本貫施例中的處理空氣供給機8〇，與圖式3相比較，除 將給氣管62與給氣管82交換，以及排氣管 4 換之外，其他的構造皆與圖式3所示相同。 "^就是說，在本實施例中的處理空氣供給裝置80，其給 亂官82並非只連接在縱型熱處理裝置牝而已，也連接設置 在縱型熱處理裝置46旁的洗淨裝置48。由此，便構成處理 空氣供給裝置80也提供部分處理空氣給洗淨裝置Μ之狀雜 ，。，排氣管58並非只連接縱型熱處理裝置46，其也連接；^ 洗淨裝置48。由此，來自洗淨裝置48的空氣也經由排氣管 84被排出。 併寂* s 由於洗淨裝置48是以溫水來清洗半導體積體電路版，因 此他的内部空氣溫度會較高。也就是說，洗淨裝置48與縱 型：處理裝置46一樣須要有冷卻過程。在本實施例中 洗淨裝置48的冷卻過程，設計成也使用部分處理空氣 造，而且，由洗淨裝置48所排出之空氣溫度也比較高 如是排出溫度6〇t的空氣。因此，如果洗淨裝置48所排出 ，空氣也經由排氣管64排出之情形時，則也可以被 第一熱導管中之空氣的再加熱過释。 在本實施例中’以部分處理空氣7〇%，完全處理空 的比例’嘗試了計算一年之間所能節約的用電量 。 說’將提供給縱型熱處理裝置46與洗淨裝置叫吏 / 是廳。完全處理空氣或是观是部分處理空氣的 = -16- 本紙張尺度適用巾目g家鮮(CNS) A4規格(21GX297公^7 525219 A7 B7 五、發明説明（14 ) 之下的用電量作了比較。 其計算的結果是，為了生產給熱處理裝置46與洗淨裝置 48所使用之空氣之用電量，由19(^kwh/y減低到％萬 kWh/y，節省了 95萬kwh/y的用電量。 另外，在上述的實施例中使用了第一以及第二熱導管來 作熱交換。但並不一定需要是使用熱導管，而是一般的熱 交換器也是可以。 而在上述的實施例中，排氣溫度較為低溫的一方是使用 了由蝕刻裝置所排出的空氣。但是並未限定只有蝕刻裝置 。例如從沒有熱源的地方所排出之空氣，或是由無塵^内 的計測器材室’保管室等所排出之空氣皆可以使用。上述 的實施例以蝕刻裝置為例的理由只是因為由於蝕刻裝置所 排出之空氣多有一定之溫度，且其量較多之故。 本i明並沒有被限制只能應用在如上所說明之具體案例 中’在本發明的m圍中具有許多各式各樣的變形案例二及 改良案例的可能性。

Claims (1)

1. 申請專利範圍 介，，理空氣供給.裝丨ip係將經過一定程序處理後之 :礼提供給設置在無的半導體製造裝置，其特徵 為包含·货 _L L : 5 ‘孕 中 办·弟一排氣管，_「連接在所排出之空氣與無塵室 之空氧有實質上之相同溫度的第一半導體製造裝置 卜 · 楚 一 咖二乐二排氣管，其連接在所排出之空氣比無塵室中之 二=恤度為高的半導體製造裝置上；一給氣管；連接在 述之第二半導體製造裝置的本體内；一外氣供給機， =上述給氣管連接，將無塵室外的空氣淨化之後送給上 j之給氣官；第一熱交換器，其裝置在上述的第一排氣 、&、2上述給氣管之間，使上述第一排氣管中的空氣與上 2給氣官中的空氣經由熱交換過程將由上述之外氣供 給機所提供的空氣冷卻並除濕；第二熱交換器，其裝置 j上述第二排氣管與上述給氣管之間，使上述第二排氣 &中的空氣與上述給氣管中的空氣經由熱交換過程將 經由上述之第一熱交換器所除濕並冷卻後之空氣加熱。 2.根據申請專利範圍第1項之處理空氣供給裝置，其中上 述第一半導體製造裝置係蝕刻裝置。 3·根據申請專利範圍第1或2項之處理空氣供給裝置，其中 上述第二半導體製造裝置係熱處理裝置。 八 4·根據申請專利範圍第3項之處理空氣供給裝置，其中上 述熱處理裝置的鄰近處設有洗淨裝置，上述給氣管連接 至上述熱處理裝置與上述洗淨裝置，上述第二排氣管連 接至上述熱處理裝置與上述洗淨裝置的處理空氣供泠 ___ -18-

   本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ297公釐) 525219 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 5. —種處理空氣供給方法，其將經過一定程序處理後之空 氣提供給設置在無塵室内而其所排出之空氣比無塵室 内的空氣溫度為高之半導體製造裝置，其特徵為具有： 無塵室外之空氣的吸入製程；經由吸入後之無塵室外的 空氣與上述半導體製造裝置所排出之空氣作熱交換而 將所吸入之無塵室外空氣加熱的加熱製程；及將加熱後 之無塵室外空氣送到上述之半導體製造裝置本體内之 空氣供給製程。 6. 根據申請專利範圍第5項之處理空氣供給方法，其中將 無塵室外之空氣加熱之前，使吸入之無塵室外之空氣與 來自設置在無塵室内的半導體製造裝置所排出之與無 塵室内之空氣有實質上同等溫度的空氣，經由熱交換過 程將吸入後之無塵室外空氣冷卻並除濕的製程。 7. 根據申請專利範圍第5或6項之處理空氣供給方法，其中 利用導熱管來進行吸入之無塵室外空氣的熱交換。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X297公釐）