TW522167B - Chemically active slurry for the polishing of noble metals and method for same - Google Patents

Description

522167 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景及概述 本發明一般性敘述了積體電路（I c )製造方法，更詳細敘述 了使貴金屬平面化及形成貴金屬金屬鑲嵌（damascene )電極 結構所用之化學-機械研磨液。 設計CMP製程需要使大量生產製造環境下的IC (積體電 路）表面研磨對晶圓表面達到約5 〇至15〇〇A範圍的平坦度。 CMP製程通常於金屬化步驟後實施。經沈積的金屬薄膜在 某些晶圓内的金屬要全部除去。因而，金屬以及矽、氧化 石夕及各種其他介電材料可同時除去，但不應污染或損壞晶 圓表面下層。 在弄多工業化生產過程中，互連金屬（如鋁或鎢）係通過 物理氣相沉積或濺射沉積於晶圓表面上沉積成薄膜。晶圓 表面上的互連線或通道形成的I C金屬上平面係通過圖形蝕 刻形成’以除去金屬薄膜的不合需要表面。氧化物一般用 於圍繞金屬互連絕緣。I c平面完成時，實施CMP製程使表 面平面平化。 始（Pt)和其它貴金屬係用於1<:結構鐵電電容器。使用貴 金屬係起因於其固有的化學耐性。其性能在高溫氧化條^ 下尤為理想，如，可在製造鐵電電容器中看到。而且，貴 金屬和鐵電材料（如鈣鈦礦金屬氧化物）之間的化學作用^ 以忽略不計。 然而，對於貴金屬的圖形蝕刻’無論通過濕潤製程還θ 乾燥製程，均存在些問題。蝕刻趨於產生不良的圖开 率。例如，生成的金屬結構時常具有傾 向不是垂直 -4-

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^蝕刻製耘亦留有化學殘留物，即使是CMP方法也不能 自垂直側壁結構除去殘餘物。 屬結構亦可以通過金屬鑲嵌技術摹製或成型。首先形 成電介質薄膜。該電介質經圖形㈣形成嵌人物。然後， 孩金屬沉積於電介質上、填入嵌入物且於電介質上形成薄 膜。CMP製程除去上層金屬膜、留下經金屬填充的嵌入 物。 只施CMP製程的工業設備很容易得到。圖丨展示了一種 製程實施裝置（先前技藝）。CMP裝置1〇包括一個旋轉 堂塾1 2，一個旋轉晶圓固定墊或軸1 4。通常，待研磨晶圓 6係倒置固足於旋轉軸14上。研磨亦同時旋轉。研磨塾 1 2通¥為工業上使用的聚酯/聚胺基甲酸酯材料。研磨液 1過出口 18送入旋轉臺墊12和晶圓支持器14之間。研磨 製程的主要變量為，墊丨2和支持器丨4的相對旋轉速率、晶 圓1 6和塾1 2間的壓力、操作持續時間以及所用研磨液類 型。 ’ 如標題所示，CMP製程使材料通過化學反應和物理腐蝕 一者自晶圓表面除去。在一般性CMP製程中，研磨液含有 化學藥劑，該化學藥劑為選擇性除去某些物質的蝕刻劑或 文丨生㈣。化學藥劑將晶圓表面化學溶解，而研磨則自晶圓 表面除去經改性之物質。例如，在用氫氧化鉀作蝕刻劑以 及氧化碎作研磨劑時，該研磨液有效地對矽、二氧化矽和 四氮化三矽研磨。 現已開了數種研磨液化合物，用以除去鋁、鎢、銅、 -5- 522167 A7 ___B7 五、發明説明（3 ) 矽、二氧化矽、四氮化三矽等。但在CMP製程中，尚沒有 除去貴金屬用的有效研磨液。使貴金屬有效電導體的品質 亦使又耐化學反應，因此難以蝕刻，即使開發了貴金屬的 沉積方法，CMP方法（尤其是有效的研磨液）的缺乏亦不能 使貴金屬電極或互連應用於目前的1C設計。 因此’開發一種CMP製程研磨液用於貴金屬的平面化將 大有益處。 同時’如果所開發的研磨液使貴金屬以標準CMp製程及 標準工業用CMP設備平面化，將更為有益。 如果貴金屬CMP能夠用金屬鑲嵌或雙道金屬鑲嵌沉積技 術形成貴金屬結構亦大有裨益。 為此，現提供了一種貴金屬研磨用之化學活性研磨液。 孩研磨液以自素溶於強鹼性溶液作為化學藥劑，同時加入 研磨劑。雖然自素較佳為溴，但亦可以為碘或氯。該水溶 性鹼可以為氫氧化鈉（Na0H)、氫氧化鉀（K〇H)、四甲基氫 氧化銨（(CHANOH)或同屬的四烷基氫氧化銨（R4N〇H)二但 較佳應使用Na〇H ,確切而言，h3莫耳濃度（Βγ2)與〇·5莫耳 氫氧化鈉混合溶於500毫升純水，形成了氫氧化鈉和溴之溶 液。 啟研磨劑可以為氧化鋁（八丨2〇3)、氧化鈽（Ce〇2)或氧化 矽。當研磨劑為Al2〇3時，其係與水混合，形成包括自1至 5 0重量％氧化鋁之懸浮液。接著，將5份體積的氫氧化鈉 和溴之溶液與1份氫氧化鋁懸浮液混合。 本發明亦提供了用標準CMP製程研磨臺墊研磨之方法。 -6-

522167 五、發明説明（4 該方法包括以下步驟： a)使貝金屬表面與研磨塾相互作用； b )將研磨液（包括鹵素的強鹼性水溶液和研磨劑）引入到 臺墊和貴金屬之間； c)響應步驟a)和b)，對貴金屬表面化學研磨。 在本發明的某些方面，Pt係以18〇〇Ά/分自表面除去。金 屬表面和臺墊之間的壓力近似為4磅/平方英寸，且研磨墊/ 轴旋轉速率約為4〇轉/分。 孩CMP製程係有效於貴金屬，該貴金屬選自鉑（pt)、銥 UO、銜（Ru)、兔（Pd)、銀（Ag)、金（Au)、餓和鍺 Uh)。我們預計，Pt CMp製程最具工業價值。 本發明亦提供了用於鐵電電容器結構之金屬鑲嵌積體電 路黾極。该金屬鑲嵌電極結構包括沿水平面具有上表面之 介電層，以及自該介電層的介電上表面至第一水平線延伸 的垂直厚度。該介電層包括自介電上表面通過垂直厚度至 介私第一水平線形成的嵌入物。貴金屬電極具有約丨5毫微 米（nm)粗糙度，且上表面與第一平面相平，使介電嵌入物 自介電上表面至介電第一水平線填充。貴金屬電極以此種 方式通過介電層。本發明亦提供了具有貴金屬電極之雙道 金屬鑲嵌互連結構。 繪圖簡述 圖1展示了一種實施CMP製程之裝置（先前技藝）。 圖2為本發明方法使具有貴金屬表面之晶圓研磨之製程步 驟流程圖。 522167 A7 B7 五、發明説明（5 ) 圖3展示了鉑景象之掃描電子顯微（SEM )相。 圖4展示了用本發明研磨液製成鉑金屬鑲嵌的光學顯微 相。 圖5為形態學（topography)效果之圓解。 圖6展不了用於鐵電電容！§結構的金屬報嵌積體電路電極 之初步結構。 圖7展示了 CMP製程後圖6之電極結構。 圖8展示了類似於圖7電極結構的雙道金屬鑲嵌貴鐵電電 容器之電極結構。 發明詳述 眾所周知，貴金屬研磨困難。這反映於還原半反應電 勢：

Ir3+ + 3e* Ir + 1.156 伏 Pt2+ + 2e_ ^ Pt + 1.118 伏 此等電勢可經氯（即，函離子）減小： IrCl63' + 3e* Ir + 6CV 0.770 伏 PtCl42- + 2e· — Pt + 4C1- + 0.775 伏 最終，還原電勢通過增加p H而減小： lr203 + 3H20 + 6e* ^ 2Ir + 60H* + 0.098 伏 Pt(0H)2 + 2e* Pt + 20H* + 0.140 伏 因此，貴金屬研磨用之化學活性研磨液包括鹵素之強鹼 性水溶液和研磨劑。強驗性水溶液一般具有大於1 0之 pH，pH較佳接近11-13。生成的研磨液用習知化學機械研 磨（CMP)設備對貴金屬研磨。 -8- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 522167 A7 B7 五、發明説明（6 ) 通常使用的氧化劑為碘、溴、碘酸鹽、高碘酸鹽、高氯 酸鹽、過二硫酸鹽和高錳酸鹽。當然，氯可通過硝酸和鹽 酸進行化學反應產生。 從以上半反應電勢分析看出，用齒素溶於強驗溶液將有 效地與貴金屬反應。水溶性驗係選自氫氧化鈉（NaOH )、氫 氧化鉀（KOH)、四曱基氫氧化銨（（CH3)4NOH)及四烷基氫 氧化銨（R4NOH)組成之群。 有強鹼中，除氟外，鹵素岐化為1當量的鹵離子X·和1當 量的次鹵酸根離子XCT : Χ2 + 20ΙΓ — χ- + ΧΟ· + H20。 在使用氯時，次鹵（即次氯）離子在室溫相當穩定，不會 進一步發生歧化。而其它卣素可發生進一步歧化，生成亞 鹵酸根離子： 2Χ〇· X' + Χ02· 或生成ώ酸根離子： 3Χ02· Χ· + 2Χ03· 或甚至最終生成高齒酸根離子： 4XCV — X· + 3XCV。 如果是氯，則存在所有的含氧自離子（次氯酸根、亞氯酸 根、氯酸根和高氯酸根）；如果是漠和琪，則只有齒酸根離 子和高鹵酸根離子穩定（次溴酸根和次碘酸為瞬間存在種 類，而亞溴酸根和亞碘酸根似乎不存在）。 因此，本發明包括選自漠，破和氯之自素，在一個較佳 具體實施例中，該自素包括溴，且溶於氫氧化錦溶液中。 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 522167 五、發明説明（7 ) 由於琪沒有足夠的氧化電勢，所以無效。但強鹼性溴溶 液和氧化銘研磨劑之混合物有效，因此鉑能夠接近15〇〇A/ 分之速率研磨。 本發明之研磨液包括研磨劑，該研磨劑係選自氧化鋁 (Al2〇3) '氧化鈽（Ce〇2)、氧化矽（si〇2)組成之群。當該研 磨劑為氧化鋁時，該氧化鋁與水混合，形成包括i至5 〇重 I%氧化鋁之懸浮液。接著將5份體積的氫氧化鈉和溴之溶 液與1份氧化鋁懸浮液混合。 ，再進一步用上述研磨液，通過金屬鑲嵌方法完成鉑圖 形。本發明一個方更使用等離子體增強化學氣相沉積 (:ECVD)二氧化梦製造之金屬鑲後結構。該金屬鑲喪蚀刻 深度為3100A。4500A鉑層係沉積於薄TaN阻擋層上，而

TaN阻擋層係沉積於經摹製圖的表面上該研磨液所用配 為： 溴·· 105克 氫氧化鋼：4 0克 砰細而T，I.3莫耳溴⑼2)經與〇5莫耳氯氧化鋼（Na〇H) :合，形成氫氧化納和漠之水溶液。決可用配衡燒杯稱 I ’且向其中加入約1〇〇毫升去離子水。由於溴比水重，與 水不混溶且，微料水，所以沈到底部。因此，漠蒸氣放 =多。在單獨的燒杯中，將氫氧化㈣於約毫升水。 氫氧化麵溶液經加熱膨大而且很熱，因此必須小心拿取。 ，於溴和氫氧化納之間的反應為高放熱反應，所 氧化納溶液緩慢加到溴和水的混合物中，以防止㈣j W尺度適用中國 •10- 五、發明説明（8 洛氣放出。所有的氫氧化鈉加入後，溴應完全溶解，形成 透明的橙色溶液。將該組合物稀釋到500毫升總體積，然後 加入100毫升R0del Msw 2000A(或等當量的）氧化鋁懸浮 液，製成研磨液。 “ 在鹼性落液中，溴酸根離子和溴離子與單質溴 衡，其式為： 卞 6Br2 + 120H- — 1〇Βγ2- +2Br03- + 6H20 溴和溴酸根離子為相當強的氧化劑，而且可以與鉑發生 反應0 天 圖2為用本發明方法對具有貴金屬表面晶圓研磨的步驟流 程圖。步驟100提供了一個CMp製程研磨臺墊和一個:心 I C晶圓就固定在軸上。步驟1〇2則安排晶圓之貴金屬表面 與研磨墊相互作用。步驟102所包括貴金屬選自鉑、銥、 釘、免、銀、金、鉞和铑，但較佳應使用鉑。 、步驟104將研磨液引入臺墊和貴金屬表面之間，所用研磨 液包括強驗性南素溶液和研磨劑。在本發明的某此方面 中，步驟104所包括鹵素選自溴、碘和氯。步驟1〇4中引入 研磨液的強鹼水性溶液包括鹼，該鹼選自氫氧化鈉 (NaOH)、氫氧化鉀（K0H)、氫氧化四甲銨（(⑶山⑽抝和 氫氧化四烷基銨（r^NOH )。由於較佳的使用鹵素為溴，所 以步驟104採用的研磨液包括溴的氫氧化鈉溶液。確切而 言，該研磨液包括使Μ莫耳^。與〇.5莫耳氫氧化鈉混 合0 步驟104引入的研磨液包括研磨劑，該研磨劑選自氧化鋁 -11 -本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公爱) 522167 五、發明説明（9 (八丨2〇3)、氧化鈽（Ce〇2)和氧化矽（si〇2)。當用氧化鋁作研 f劑時，步驟104以氧化鋁與水混合，形成自1至5〇重量％ 氧化鋁足懸浮液。研磨液則包括以5份體積的氫氧化鈉和 溴足落液與1份氧化鋁懸浮液混合。在本發明的某些方 面，步驟104以約〇至30〇毫升流速引入研磨液。在本發明 的^些方面，研磨液中的顆粒大小接近或小於i微米。 、，響應步驟102和104，步驟106將貴金屬表面研磨，形成 :滑表面。步驟102中，金屬表面和臺墊之間的壓力於約〇 土 6碡/平方英寸（pSI)範圍内，較佳接近4镑/平方英寸。研 磨:旋轉速率約為〇至轉/分，較佳轉速約為轉/分。 同樣，軸的轉速約為〇至60轉/平方英寸，較佳轉速約為4〇 轉/刀。步驟108為製成品步驟，貴金屬在該步驟以習用化 學-機械研磨（CMP )系統研磨成製品。 在本發明的某些方面，如果步驟1〇2包括貴金屬鉑，那麼 =驟106則以約1500至2000A/分之速率從鉑表面除去物 質’較佳以約1800A/分之速率除去。 在本發明的某些方面，步驟106將貴金屬研磨成小於50 納米（nm)粗糙度。該粗糙度較佳為約15納米。步驟1〇6亦 包括除去0.5微米貴金屬物質（自等平貴金屬表面測量）。 在4磅/平方英寸的壓力且軸和臺同為4〇轉/分轉速時，一 氮化鋰（TaN)阻擋層上的金屬鉑通常以約18〇〇A/分速率研 磨。而部件外側的一氮化鈕僅有少量受侵蝕除去。完成的 鉑表面極為光滑，沒有缺陷。保留的一氮化鉦可於稀H F溶 液中除去，或通過等離子體腐蝕除去。 -12- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 522167 A7 ___________B7 五、發明説明（1〇 ) 圖3展示銘的金屬鑲嵌掃描電子顯微相（SEM)。此圖展示 了以銘填充成敢入物及研磨形成的窄鉑線橫截面。金屬鑲 歲舶結構可以上述溴/氫氧化物之鉑研磨液製造，且用TiN 和T1N/T1阻擋層代替TaN。與TaN不同，該鉑研磨液很容易 地從场所區域除去阻擋層。該鉑研磨速率同樣為約15〇〇A/ 分。經研磨場所顯得清晰適度，且未受損害。 圖4展不了用本發明研磨液製成金屬鑲嵌鉑之光學顯微 相。圖4展tf 了與CMP實施製程有關的動力學，其j c結構 具有填充金屬形成電連的嵌入物或金屬鑲嵌結構。我們瞭 解’金屬鑲嵌結構包括單個嵌入物，如通路或互聯溝道。 金屬鑲嵌結構亦包括雙道金屬鑲嵌結構，該結構可以為上 互聯溝道，及與之相對自一個互連通過兩個嵌入物結構的 通路。 外形形態（topography)的平面化決定於不同高度和/或密 度部件附近的研磨製程平面化速率。例如，介電層中的介 表面和第一水平線。高度不同可能係由於嵌入物（如介 電負中的通路）造成的結果。圖5為形態學效果之圖解。在 此，研磨墊係用受基材或多或少接觸壓縮的一組彈簧表 不。此處必頊強碉’這些彈簧的物理特性不應簡單認作研 磨材料的體積性特徵。此等認定僅適用於墊表面本身為很 光滑和均勻之情形。但我們要瞭解，CMp所用研磨墊即不 光滑，也不均勻，事實上相當粗糙，而且覆有大量不規則 刀布的粗糙度。的確，為保持有益的除去率。通常在研磨 製私中有思地使聲變粗，即製出新的粗糙度。因此，以上 -13-

522167 A7 B7 五、發明説明（11 ) 圖中各個熱的粗糙度認作彈簧更為實際，粗糙度可具有與 增量性材料極為不同的彈性特徵。 圖6展示了用於鐵電電容器結構200之金屬鑲嵌積體電路 電極之初步結構。互連結構200包括一介電層202，該介電 層202沿第一水平面206具有上表面204。貴金屬經沈積形 成具有貴金屬表面之金屬薄膜。 圖7展示了經CMP製程後圖6的結構200。介電層202亦包 括第一垂直厚度（用參考符號207表示），且於介電層202自 介電上表面204延伸到第一水平線208。 介電層202包括自介電上表面204通過第一厚度207至介 電第一水平線208形成的第一嵌入物210。第一嵌入物210 通常為通路或互連溝道。貴金屬電極212具有上表面213， 其粗糙度（以參考標誌2 14表示）約0至5 0毫微米，上表面 213與第一水平面206相平，且自介電上經204至介電第一 水平線208形成介電第一嵌入物210。電極212所用貴金屬 係選自始、銥、釘、飽、銀、金、鉞和銘。貴金屬電極212 通過介電層202形成互連。在本發明的某些方面，電極212 作為互連釘於金屬平面間穿過介電内層202。 通常，互連結構200進一步於基材216上包括導電連接表 面2 1 5。導電連接表面係選自互連金屬、多晶矽及半活性表 面（如晶體管電極）之材料。介電層202覆於導電連接表面 215上。貴金屬電極212自介電上表面204至導電連接表面 215延伸通過介電層202。貴金屬鐵電電容器電極200以此 方式，自導電連接表面214至介電上表面204形成。 -14- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 522167 五、發明説明（12 ) 在本發明的某些方面，阻擔層217覆於介電層202上，而 介電層又覆於阻擋層218上。這些阻擋層一般不導電，但本 發明其它方面卻使用導電阻擋層。在本發明的某些方面， 阻擋層220成線於第一嵌入物21〇上，阻擋層22〇可以導電 或不導電。在某些方面（未顯示），導電阻擋層係插入於電 極212和導電連接表面215之間。 、私 :圖8展不了與圖7電極結構2〇〇相似的雙道金屬鑲嵌貴鐵 電電容器之電極結構250。簡明扼要言之，圖7金屬鑲嵌電 極結構的一些一般要素在實例8中重複。介電層202具有第 :垂直厚度（以參考標誌252表示），且在介電層中自介 電第一水平線208達到第二水平線254。或者，第二厚度 252為上有介電層2〇2的獨立介電層。在本發明的某些方 面’阻擋層未將兩個介電層分隔。 κ第二嵌入物256於介電層202中自介電第一水平線2〇8至 第夂平”泉2 5 4开^成。第二嵌入物2 5 6係至少部分與第一歲 入= 210相對定位。貴金屬電極212將第一介電嵌入物 和第二介電嵌入物256自介電上表面2〇4至介電第二水平線 254填充》在本發明的某些方面’第一嵌入物21〇為互連溝 通’第二嵌入物256為-通路。雙道金屬鑲嵌電極結構以此 万式形成，電極結構250 一般於電極212介電層2〇2下方的 導電表面258至介電上表面204之間形成界面。 本文提供了研磨貴金屬表面所用之研磨液及CMP製程。 金屬鑲嵌或雙道金屬鑲嵌貴金屬嵌入物可用上述研磨改和 研磨製程形成。該新穎研磨液以由素(如漠)溶於鹼性水溶 ^紙張尺度適财家標準(CNS) A4規格 •15- 522167 A7 B7 五、發明説明（13 ) 液，以於CMP製程期間與貴金屬發生化學反應。熟諳此藝 者亦將聯想到本發明的其它變化和具體實施例。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1. ^•1 ^•1 A B c D

   第專利申請案 範圍替換本(91年12月） 申请專利範圍 1· 一種研磨貴金屬用之化學活性研磨液，其包括： 一種自素之強鹼性水溶液，及一種研磨劑； 由之產生的漿液係用於以習知化學機械研磨（CMP)設 備將貴金屬研磨。 2·根據申請專利範圍第i項之研磨液，其中該函素係選自 溴、琪和氯組成之群。 3·根據申請專利範圍第1項之研磨液，其中該強驗性水溶 液具有大於10之pH。 4·根據申請專利範圍第丨項之研磨液，其中該水溶液鹼係 選自氫氧化鈉（NaOH)、氫氧化鉀（K〇H)、四甲基氫氧 化按（（CHANOH)和四烷基氫氧化銨（R4N〇H)組成之 群。 5.根據申請專利範圍第丨項之研磨液，其中該鹵素包括 溴，且該溴溶於具有氫氧化鈉之溶液中。 6·根據申請專利範圍第丨項之研磨液，其中該_研磨劑選 自氧化鋁（ai2o3)、二氧化鈽（Ce〇2)和氧化矽（si〇2)組成 之群。 7·根據申請專利範圍第6項之研磨液，其中該研磨劑為氧 化銘，且該氧化銘經與水混合，形成包括1至5 〇重量％ 氧化鋁之懸浮液。 8·根據申請專利範圍第7項之研磨液，其中13莫耳溴經與 〇·5莫耳氫氧化鈉溶於500毫升水，形成氫氧化鈉和溴之 水溶液。 9·根據申請專利範圍第8項之研磨液，丨中5份體積的該氣

   A B c D 六、申請專利範圍 氧化鈉和溴之溶液係與1份該氧化鋁懸浮液混合。 10· —種研磨具貴金屬表面之晶圓之方法，其中係使用研磨 台墊及軸，其包括以下步驟： a) 將晶圓貴金屬表面設成與與研磨墊作用； b) 將化學活性漿液引入於研磨塾和貴金屬表面之間， 其中該漿液包括選自溴、破和氯之鹵素的強驗性水溶液 和研磨劑；及 c) 響應步驟a)和b)，對貴金屬表面進行化學研磨， 由之將貴金屬以習知化學-機械研磨（CMP )系統研磨； 上述步驟（a)包括使該貴金屬表面和該台塾以大於〇小 於或等於6待1平方英寸之金屬表面和研磨塾間的壓力相 互作用’其中台塾轉速為大於〇小於或等於6〇轉/分，軸 轉速為大於0小於或等於6 0轉/分；上述步驟（b )包括以 大於0小於或等於3 0 0毫升/分之流率引入漿液。 11.根據申請專利範圍第10項之方法，其中該自素為溴，且 其中步驟b )引入之漿液包括溴，且該溴溶於具有氫氧化 鈉之溶液中。 12·根據申印專利範圍弟1 〇項之方法，其中步驟^)引入之令 強驗性水落液漿液包括一種鹼，該鹼選自氫氧化納 (NaOH)、氣氧化钾（KOH)、氫氧化四甲铵（（ch3)4n〇h) 以及氫氧化四烷基銨（R^NOH)組成之群。 13.根據申請專利範圍第1 〇項之方法，其中步驟b)中引入之 該漿液包括選自氧化鋁（Al2〇3)、二氧化鈽（Ce〇2)和氧化

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   522167 .桃r • 丧 r 一.”〜 ' .5 ，, ::， ， ^ 第088115040號專利申“案:二 中文圖式修正頁(91年6月）