TW521409B - Package of LED - Google Patents

Package of LED Download PDF

Info

Publication number
TW521409B
TW521409B TW089121073A TW89121073A TW521409B TW 521409 B TW521409 B TW 521409B TW 089121073 A TW089121073 A TW 089121073A TW 89121073 A TW89121073 A TW 89121073A TW 521409 B TW521409 B TW 521409B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
emitting diode
light
metal
groove
circuit board
Prior art date
Application number
TW089121073A
Other languages
English (en)
Inventor
Shing Chen
Original Assignee
Shing Chen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shing Chen filed Critical Shing Chen
Priority to TW089121073A priority Critical patent/TW521409B/zh
Priority to US09/965,841 priority patent/US6562643B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TW521409B publication Critical patent/TW521409B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印f 521409 A7 '' --------- B7 五、發明説明（I ) ~ ~ -----〜---__ 衫、發光二極體(LED)之封裝型態、主要分兩種，一為燈型(Lamp)，係 米用液體樹脂灌注方式成型，另一種為表面黏著型(SMD)，它有採用模 注成型(molding)方式，也有部份採用液體樹脂灌注方<，在本案發明 創作内容主要為表面财郎婦)發光二極體之雜，另也包^ 了 LED Chip on Board (COB)新的LED封裝技術内容。 LED之封裝對其散熱性的考量是相當重要的，特別在最新的白光 LED…、月用途上，將不再是過去的或20mA為標準，而是希望 能達jOmA以上，甚至1〇〇mA(亮度比較亮），當然其消耗功率較大， 固熱ΐ也大，因此必須加強其散熱效果，美國HP公司就發展一顆特殊 封裝(俗稱食人魚)構造的LED(Hp公司稱Super Flux LEDs，型號 HPWA-MHOO等)其強調散熱性佳，可通以7〇mA沒問題(傳統封裝為 20 mA) ’現在該型LED大都被使用於汽車的第三剎車燈。 LED封裝就熱散性而言，SMD型是所有LED封裝散熱性最差的 一種，比燈型(Lamp)封裝散熱性要差很多，因此它無法通以較大電流， 其散熱性差主因為其封裝樹脂及基板本身散熱性不佳，無法有效 導熱量。 另傳統表面黏著型發光二極體(SMDLED)大都沒有反射座，有反 射座的設計的廠商並不多，目前SMDLED有反射座設計者，大都在現 成的電路板(基板)上挖孔，再施以電鍍金屬反射層，後再固晶、打線、 封膠等步驟使能完成SMDLED成品，如台灣專利公告第381313號專 利内容所示。在電路板上挖孔所製作出來的凹杯反射座其凹杯内之底 面為一孤形(因鑽孔所造成的），所以該技術在LED晶粒固晶時接觸面 不佳且較不穩固，正常的凹杯底面應為平面以利固晶，固該項技術有 缺失且傳熱性不佳。 (請先閱讀背面之^^意事項再本育) 訂
521409 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 A7 Β7 五、發明説明（> ) ' 本人長期研究LED U年來有？項專利與良好成果，今有 鑑於表絲著型LED，及LED Chip On B_i其散紐不佳加以研究 找到解決方法，並研究Α新的製程方法，並可量產 性與生產價值。 本發明發光二極體之封裝第一實施例係將電路板在須要放置 ^，位置上直接鑽洞（並非挖孔），後須做貫孔電鍍（此為一般電路 板製程），再將電勒反過錫爐，使有貫孔電鍵的孔洞位置全灌滿高溫焊 錫，再利用模具直接將焊錫點上壓成一凹槽，該凹槽為固sled晶粒 及具，反射作用，並在凹槽表面作驗金或銀等具高光反射性的 膜，最後做固晶、打線、封裝等步驟。 ^本發明最大的特點為利用電路板製程技術在貫孔位置上灌滿高 溫焊錫(250X：以上），後再該點位置上打一凹槽反射座，利用該焊錫點 做傳熱功效，且在底部可連接健材導熱，因此本項技術直接作 =Chip 0n B〇ard製作成如咖交通號誌禮，其效果比傳統用 燈來组裝其製程與材料成本便宜許多且散熱性佳，更可廡用於直他 LED燈具光源產品的開發上。 、在本案第一實施例製程中採用高溫焊錫(25(TC以上)其主要目的 》= iI^LED長期高電流(3〇mA以上)使用，LED晶粒發熱時其内部 =咼皿了此達12〇c，若使用一般焊錫(183。〇，Sn63%、pb37%)則會使 焊點軟化或形成焊錫晶粒成長或產生低溫合金等現象。 、曰 為了避免這些現象的產生而造成LED可靠性的品質問題，在本 案中特別強調使用高溫焊錫25〇。(：〜5〇〇。(：左右，最理想者為35〇。(：：，當 然在焊錫中材料大都為錫(Sn)與鉛(pb)合金的形成，若在其凹槽表面^ 上銀(Ag)或金(Au)等高光反射性材料，由於錫(Sn)很容易與金及銀產生 合f，而造成凹槽反射座的功能影響，因此在本案中在電鍍金或銀膜 層前，須再鍍一層阻隔層鉻(Cr)或其他不容易與焊錫材料產生低溫合金 現象的膜層，這樣可避免利用本技所製作出的SMD LED成品在與其他 電路板接合時過錫爐因高溫而產生不良影響。 w、 本紙張尺度適用中國國家嫜進 Μ
521409 發明説明（3 為了使本發明「發光二極體之封裝」之内容更詳細了解茲例盥本 案實施例並配合圖示說明如下： ” 第一圖：本發明發光二極體之封裝第一實施例電路板有貫孔電鍍 意圖。 第二圖：本發明發光二極體之封裝第一實施例電路板貫孔 錫之結構圖。 1隹狗坪 第三圖··本發明發光二極體之封裝第一實施例電路板在貫孔位 錫點上製作凹槽之結構圖。 第四圖：本發明發光二極體之封裝第一實施例電路板焊錫點凹 々 作LED固晶、打線、封膠之結構圖。 衣 第五圖：本發明發光二極體之封裝第一實施例電路板焊錫點上 LED並於背面加散熱材之結構圖。 ^ 第七圖 第圖 第九圖 第六圖：本發明發光二極體之封裝第一實施例SMD之結構圖一。 本發明發光二極體之封裝第一實施例SMD之結構圖二。 本發明發光二極體之封裝第二實施例電路板結構圖。 本發明發光二極體之封裝第二實施例在電路板上製作凸塊之 結構圖。 第十圖：本發明發光二極體之封裝第二實施例在金屬凸塊電極座 作凹槽之結構圖。 & 第十一圖：本發明發光二極體之封裝第二實施例在凹槽内放置發光晶 粒之結構圖。 第十二圖：本發明發光二極體之封裝第二實施例形成SMDLED封裝之 結構圖一。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 第十三圖：本發明發光二極體之封裝第二實施例形成SMD LED封穿之 結構圖二。 κ 第十四圖：本發明發光二極體之封裝第二實施例形成c〇B之結構圖。 圖號部份： 電路板基材 金屬電極 貫孔 貫孔電鍍層 焊錫點 凹槽 LED晶粒 封膠樹脂 散熱材 10 ·金屬凸塊電極 11 ·金屬凸塊電極座 4 5 521409 五、發明説明（十） 第一實施例·· 敬，參閱第-圖所示，第一圖為本發明發光二極體之封裝所用之 反土材1，在電路板基材1的表面上製作電極2，並於電路板上預 設=置LED㈤錄題减貫穿基板軸貫孔3，麟將電路板做貫 孔電鍵處理使形成貫孔電鏟金屬層4，再將電路板過錫爐，使有貫孔位 置塞滿了焊錫形成焊錫點5(如第二圖所示），後再用模具將焊錫點5之 表面壓成-小凹槽6(如第三圖所)，凹槽6主要功能為放置晶粒固 晶用，並於凹槽表祕上-層金屬層或不易與焊錫產生低溫合金的材 料(如鉻等），後再鍍上一層反射層如金或銀等材料，再將led發光晶 粒口疋於凹槽6上，並打線最後灌入封膠樹脂％如第四圖所示)即形成 曰曰片置放基板(LED COB)封裝技術成品，本項技術由於放置LED的位 置為一貫穿電路板之金屬焊錫點，所以當LED所產生的熱量可以直接 傳遞到另一端，並可在另一端面接合一散熱材9(如第五圖所示)以增加 散熱功能，所以運用本項技術其散熱佳，LED可通以大電流 (50mA〜100mA)，傳統方法由於散熱性差只能通以25mA左右電流，所 以本發明第一實施例之LED c〇B封裝技術與傳統直接將led晶粒固 定在一般電路板上是有很大的不同。 第一實施例的另一種LED封裝型態為表面黏著型元件(SMD LED)，如第六圖及第七圖所示，其製程與前段所述一樣，只是唯一不 同處疋在電極2的地方係從側面連接到底端，並將電路板上已封裝成 型之LED切割成SMD型UED，如此形成的SMD LED亦具有良好的 散熱功能。 ~ 第二實施例： 敬請參閱第八圖所示，第八圖為本發明發光二極體之封裝第二實 施例所用之電路板基材1(與第一實施例基材相同），並在基材表面製作 電極2使形成正、負電極面，將電極導電至底面，在預定設置LED晶 粒及打線的電極面上，電鍍金屬層使形成一金屬凸塊(俗稱PUMP)，其 材料主要為銅，較大的電極凸塊稱金屬凸塊電極座11，在較小的凸塊 稱為金屬凸塊電極10，在較大電極凸塊面之金屬凸塊電極座Η上，利 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閲 讀 背 之 注 意 項
訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 521409 A7
五、發明説明（f ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 用模具將該凸塊衝歷成-小凹槽6，凹槽6與第—實 相同，都為放置LED發光晶粒做固晶及光反射作用， J座Η ^凹槽^與金屬凸塊電極H)做電鑛金或銀等高反射U力， 光反射功能，最後再將發光二極體晶粒7放置於凹槽6上二 所示），並打、線賴電極於另-金屬凸塊電極1〇 ; = 成表面黏著型(8_發光二極體(如第十二及十三圖=)膠树月曰8封裝 金屬凸塊的製法除了電鑛外’還有—種塗印法，即用網版在 電極面上塗印-層金屬膠體(含有微粒金屬粉粒），後再經加溫退火 Ξϊΐί屬膠體燒結成-金屬凸塊_，後再經模具將該凸塊衝壓成 3=步驟，觀塗印法所形成的金屬材料其溫度不能太高，以』 火燒結，可用錫鉛合金材料或銅、銀等材料。 在第二實施财，可直接在電職的任何預設位置製作有反射 lj成動型態，如第十四圖所示，即形成所謂之— CQB (〇ιΦ On Board)晶片置放基板封裝技術。 ^發明「發光二極體之封裝」·舉之兩個實麵均可在電路板 接做LED COB封裝處理，亦可直接切割成SM〇 ΛτΛ!· /! 本案兩貫施烟方法均無去傳統製作SMD =的方法有所不同’具有實質的創新性與進步性；尤其發光二極體 t來在白光LED _賴作更為重要，由於本人所取得的自光LED 4〇Ξ68ζ裝必須用到凹槽的設計(請參考新型專利第157331號及公告 ,ΙΊ及美國專利第5%2971號)，也因為有鑑於白光LED未來 ί = 2運用須較大電流驅動特別在目前SM〇 LED封裝無法通大 電机的驅使下因而促使本案發明的產生。 (請先閱讀背面之注意事項再本i I - ....... 1- - 裝-
、1T 木紙張尺賴财

Claims (1)

  1. 521409f!丨丨!〆 A8 B8 C8 D8 經 央 標 準 工 六、申請專利範圍 / 1· 一種發光二極體之封裝，其結構係包含： 一電路板基材，表面具有金屬電極，並具有貫孔電鍍之結構； 一焊鎮點，形成於電路板基材貫孔電鍍結構中，具有凹槽反射座， 作為放置發光二極體晶粒及具光反射作用； 一發光二極體晶粒，黏著於焊錫點上之凹槽反射座内，並使用金 屬導線焊著發光二極體晶粒電極與電路板金屬電極； 一封膠樹脂，包覆發光二極體晶粒及金屬導線； 一種發光二極體之封裝方法，係在電路板基材之預設放置發光二 極體晶粒位置做鑽孔及貫孔電鍍處理；然後再將電路板經^錫爐 處理，使有貫孔位置填滿焊錫形成焊錫點，再將焊錫點之表面以 鑽或衝壓的方式成型一凹槽，並於凹槽表面鍍上一層金屬反射 層；將發光二極體晶粒放置固定於凹槽中，並用金屬導線連接電 極’經封膠樹脂封裝成型，形成發光二極體晶粒置放基板封裝（LED COB)，再經切割則成為具有凹槽反射座之表面黏著型發光二極體。 2·如申請專利範圍第〗項所述之發光二極體之封裝，其 為一高溫焊錫，其熔點在25(rc以上。 “、 3·如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體之封裝，其中在凹槽表 面鍍上-金屬反射層之前可先錢上一層阻隔層以避免反射層金屬 材料與焊錫點材料產生底溫合金現象，其阻隔層材料可為絡、錄、 鈦等。 . 、 4·如申凊專利|已圍第1項所述之發光二極體之封裝，其中在凹槽表 面鍍一反射層，其反射層材料為金或銀等。 5· —種發光二極體之封/裝，其結構係包含： 二霜路板基材，表面具有金屬電極,· 一金屬凸塊電極座’形成於電路板基材金屬電極平面上，具有凹 .槽反射座’作為放置發光二極體轉及具光反射作用； 二發光二極體晶粒’黏著於金屬凸塊電極座上之凹槽反射座並使 用金屬導線焊著發光二極體晶粒電極與金屬凸塊電極； Ψ 頁 訂 * 本紙張尺度逋用士同國孝標率（ CNS } kmM ( 21〇X297^jj|-) 521409 Α8 Β8 C8 D8 修'il ϋ 申請專利範圍 一封膠樹脂，包覆發光二極體晶粒及金屬導線； 一種發光二極體之封裝方法，係在電路板基材之預定設置發光二 極體晶粒的電極面上電鍍或塗印金屬層使形成一金屬凸塊電極 座再將5亥凸塊電極表面以鑽孔或衝壓的方式形成一凹槽，並於 凹槽表面鍍上一層光反射層材料；再將發光二極體晶粒放置固定 於凹槽中，並用金屬導線連接電極，再用封膠樹脂封裝成型，形 成發光二極體晶粒置放年板（LED C0B)，再經切割則成為具有^ 槽反射座之表面黏著型發光二極體。 6·如申請專利範圍第5項所述發光二極體之封裝，其中電極平面上 電鍍金屬層使形成金屬凸塊電極之材料為銅、金、銀、焊錫合金 材料。 ^ 7·如申請專利範圍第5項所述發光二極體之封裝，其中電面上 塗印金屬層其材料為銅、金、銀、焊錫合金， 理使形成一金屬凸塊電極座。 力4、、、口處 8·如申睛專利範圍第5項所述發光二極體之， 座表面鍍上-金屬反射層材料為銀或金材料。，、中於凹槽反射 ---------y裝 I — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線- 鯉濟部中央標準局員工消費合作社印製 hr. η.
TW089121073A 2000-10-06 2000-10-06 Package of LED TW521409B (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW089121073A TW521409B (en) 2000-10-06 2000-10-06 Package of LED
US09/965,841 US6562643B2 (en) 2000-10-06 2001-10-01 Packaging types of light-emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW089121073A TW521409B (en) 2000-10-06 2000-10-06 Package of LED

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW521409B true TW521409B (en) 2003-02-21

Family

ID=21661481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089121073A TW521409B (en) 2000-10-06 2000-10-06 Package of LED

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6562643B2 (zh)
TW (1) TW521409B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053421B2 (en) 2003-12-15 2006-05-30 Lighthouse Technology Co., Ltd Light-emitting diode
TWI415304B (zh) * 2010-02-03 2013-11-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構、顯示裝置、發光二極體封裝結構的製造方法
CN101776248B (zh) * 2009-01-09 2014-06-25 台达电子工业股份有限公司 灯具及其照明装置

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AUPQ818100A0 (en) 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
US7320632B2 (en) * 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
TW480749B (en) * 2001-03-15 2002-03-21 Opto Tech Corp Structure and fabrication method for electro-optics device
US6833566B2 (en) * 2001-03-28 2004-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode with heat sink
CN1663044A (zh) * 2002-06-14 2005-08-31 莱尼股份有限公司 灯和制灯方法
JP3948417B2 (ja) * 2003-02-28 2007-07-25 ノーリツ鋼機株式会社 光源ユニット
KR20060015712A (ko) * 2003-03-12 2006-02-20 레드니엄 피티와이 리미티드 램프 및 램프제조방법
US20040229391A1 (en) * 2003-04-25 2004-11-18 Kazuyuki Ohya LED lamp manufacturing process
US6828590B2 (en) * 2003-05-07 2004-12-07 Bear Hsiung Light emitting diode module device
JP2004342870A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
TWI253765B (en) * 2003-05-26 2006-04-21 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
WO2005043631A2 (en) * 2003-11-04 2005-05-12 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP3956965B2 (ja) * 2004-09-07 2007-08-08 日立エーアイシー株式会社 チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
TWI244182B (en) * 2004-11-12 2005-11-21 Via Tech Inc Heat-dissipation device
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
SE0403064D0 (sv) * 2004-12-17 2004-12-17 Johnsson Lighting Technologies A chip supporting elemnet and method for its manufacture
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
JP5059739B2 (ja) 2005-03-11 2012-10-31 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ
WO2006105644A1 (en) * 2005-04-05 2006-10-12 Tir Systems Ltd. Mounting assembly for optoelectronic devices
CN100386897C (zh) * 2005-05-31 2008-05-07 李锋 一种发光二极管支架的制作方法
JP4739851B2 (ja) * 2005-07-29 2011-08-03 スタンレー電気株式会社 表面実装型半導体装置
US20070080360A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Url Mirsky Microelectronic interconnect substrate and packaging techniques
US7497593B2 (en) * 2005-10-07 2009-03-03 Bwt Property, Inc. Rotational obstruction and beacon signaling apparatus
TWI394300B (zh) 2007-10-24 2013-04-21 Advanced Optoelectronic Tech 光電元件之封裝結構及其製造方法
US7719099B2 (en) * 2005-10-21 2010-05-18 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same
US20070096132A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Jiahn-Chang Wu Coaxial LED lighting board
WO2007059657A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Jen-Shyan Chen Package structure of light-emitting diode
JP2007194385A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US20070181897A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Been-Yu Liaw High heat dissipating package baseplate for a high brightness LED
US20070236934A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Illumination system and display device
US20070238324A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 Lotes Co., Ltd. Electrical connector
TWI296037B (en) * 2006-04-28 2008-04-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
WO2007139781A2 (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
TWI302043B (en) * 2006-06-27 2008-10-11 Everlight Electronics Co Ltd Base structure for ultra-thin light-emitting diode and manufacturing method thereof
KR100809263B1 (ko) * 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 직하 방식 백라이트 장치
TWM313759U (en) * 2007-01-12 2007-06-11 Tai Sol Electronics Co Ltd Combined assembly of LED and heat dissipation fins
JP5179766B2 (ja) * 2007-03-08 2013-04-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP5188120B2 (ja) * 2007-08-10 2013-04-24 新光電気工業株式会社 半導体装置
CN100546058C (zh) * 2007-10-15 2009-09-30 佛山市国星光电股份有限公司 功率发光二极管封装结构
US7672140B2 (en) * 2008-01-22 2010-03-02 Tensolite LLC Circuit board configuration
WO2009105821A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Hamish Mclennan A method and system responsive to intentional movement of a device
US20100181594A1 (en) * 2008-03-25 2010-07-22 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post
US8193556B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity in post
US8207553B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with base heat spreader and cavity in base
DE102008016458A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leiterplatte
TWI449221B (zh) * 2009-01-16 2014-08-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製造方法
US20120061716A1 (en) * 2009-04-10 2012-03-15 Nationstar Optoelectronics Co., Ltd. Manufacturing method for power led head-dissipating substrate and power led product and the products thereof
US20100295437A1 (en) * 2009-05-21 2010-11-25 Sheng-Hsiung Cheng Heat dissipation structure of a led light
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
TWI450425B (zh) 2010-12-31 2014-08-21 Ind Tech Res Inst 晶粒結構、其製造方法及其基板結構
DE102011012262A1 (de) * 2011-02-24 2012-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US8324082B1 (en) 2011-09-15 2012-12-04 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for fabricating conductive substrates for electronic and optoelectronic devices
CN102347297B (zh) * 2011-09-30 2013-05-08 常熟市广大电器有限公司 一种小尺寸多芯片的封装结构
CN102354720A (zh) * 2011-10-26 2012-02-15 苏州东山精密制造股份有限公司 一种led的封装方法及led封装结构
CN103311378A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构的制造方法
CN102820408A (zh) * 2012-08-07 2012-12-12 苏州金科信汇光电科技有限公司 一种高功率led芯片的封装机构
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
CN106128955A (zh) * 2016-08-01 2016-11-16 安徽贝莱电子科技有限公司 一种二极管的生产工艺
CN109424864B (zh) * 2017-08-31 2021-04-30 京东方科技集团股份有限公司 光源结构、电子装置及光源结构制作方法
CN108172679A (zh) * 2018-01-31 2018-06-15 吴相勇 灯具、直插式led灯珠及制造方法
CN109860165B (zh) * 2018-12-29 2024-09-06 广东晶科电子股份有限公司 一种led器件及其制作方法
CN111237649B (zh) * 2020-04-14 2023-09-22 深圳市佳莱特智汇科技有限公司 一种超高导热led线路基板及制作工艺

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798909A (en) * 1995-02-15 1998-08-25 International Business Machines Corporation Single-tiered organic chip carriers for wire bond-type chips

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053421B2 (en) 2003-12-15 2006-05-30 Lighthouse Technology Co., Ltd Light-emitting diode
CN101776248B (zh) * 2009-01-09 2014-06-25 台达电子工业股份有限公司 灯具及其照明装置
TWI415304B (zh) * 2010-02-03 2013-11-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構、顯示裝置、發光二極體封裝結構的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6562643B2 (en) 2003-05-13
US20020042156A1 (en) 2002-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW521409B (en) Package of LED
TWI335677B (en) Accurate alignment of an led assembly
CN100463238C (zh) 半导体发光器件及其制造方法、以及半导体发光组件
US8017964B2 (en) Light emitting device
JP2003163378A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2006278934A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
TWI231609B (en) High heat-conductive PCB type surface mounted light emitting diode
CN1129968C (zh) 发光二极管的封装方法
US7459345B2 (en) Packaging method for an electronic element
CN107785474A (zh) 发光二极管元件装置与其制作方法
CN103258932A (zh) 半导体封装件及其制法
CN113659053B (zh) 一种csp灯珠封装结构及其制作工艺
CN105244425B (zh) 倒装led芯片及其电极的制造方法
KR20060068371A (ko) 고출력 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
CN1622346A (zh) 高导热pcb型表面粘着发光二极管
CN215008257U (zh) 一种led封装支架及封装体
CN204088362U (zh) 一种倒装芯片式led灯丝
TW474030B (en) Packaging method for light-emitting diode
CN209708967U (zh) 一种led发光模块
TW540168B (en) LED package with metal substrates protrusion outside the glue
CN206471354U (zh) 一种led固晶隔膜及led封装体
CN111916435A (zh) 一种倒装led封装器件及其制备方法和应用
CN215988764U (zh) 一种csp灯珠封装结构
TW201006000A (en) Light emitting diode and method of making the same
CN210156422U (zh) Led支架及led灯珠

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees