TW521060B - SOI/glass process for forming thin silicon micromachined structures - Google Patents
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Description
521060 A7 B7 五、發明説明（！） 待決專利申請案之相互參照 本案係關於與本案在同日所提出，並經參考併入本案， 名稱爲"THIN SILICON MICROMACHINED STRUCTURES’，之 待決美國專利申請案_ [1100.1116101]號。 發明之領域 本發明係概括關於半導體製造及微電機械系統（Micro Electro Mechanical Systems，簡稱 MEMS)。本發明尤指用於 提供薄矽微機械結構之方法。 發明之背景 微電機械系統（MEMS)常利用微機械結構諸如橫桿，平 板，梳形物，及指狀物。此等結構可能由於内部應力及掺 雜梯度而呈現彎曲。在慣性感測器諸如加速計，音叉，及 陀螺儀，彎曲可能爲重大之誤差來源。很多希望之結構具 有一種使用目前製程難以或不可能達成之平面度設計準 據。特別是，以硼重摻雜之矽層使用在懸置結構時，可能 具有重大之彎曲。 上述結構常係以一矽晶圓基板開始所作成。然後在矽晶 圓基板增長一硼摻雜矽外延層，並且隨後以希望之形狀作 成圖案。如以下所進一步説明，在稍後處理使用硼作爲蝕 刻止擋物，以允許容易去除矽基板，而僅留下薄硼摻雜外 延層。 在硼摻雜外延層與矽基板間之介面，硼會擴散脱離外延 層，並進入碎基板。這使外延層消耗若干棚，並使碎基板 富含硼。外延層靠近介面因此常有減低濃度之硼，其有時 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 521060 五、發明説明（ 候稱之爲”硼尾部，，。 在硼摻雜矽外延層已增長至希望之厚度後，常使用一種 爲棚選擇性之姓刻劑將石夕基板去除。特別是，姓刻劑將會 蝕刻掉矽基板，但不蝕刻掉硼摻雜矽外延層。一種如此之 蚀刻劑爲乙晞二胺，焦兒茶酴，及水之_種溶液（edp)。 银刻劑-般以快速速率蚀刻石夕，直到姓刻速率顯著減慢之 疋问水準硼濃度。此高硼濃度水準稱作蝕刻止擋物水 準〇 靠近具有硼尾部之外延層表面之棚濃度可低於㈣止插 物水準，允許姓刻以合理冑率去除若干外延層表面，在初 始表面下面停止在硼濃度之蝕刻止擋物水準。所產生之硼 掺雜結構’諸如橫桿，因此有二表面，有題部之碎側表 面，及具有硼表面層濃度實際等於在離開任一表面之橫捍 主體之濃度之空氣側表面。因此，相對表面具有不同:硼 表面層濃度。 圓 外 構建懸置之元件常包括使用一外延增長重摻雜有硼之單 晶矽，例如，大於每立方厘米十至二十原子（102%爪3)。在 有些應用，㈣雜材料可能呈現_。一項問題爲固有之 拉伸應力，在硼摻雜層爲相對厚時，其可能產生嚴重晶 彎曲。此晶圓彎曲與有些製造步驟不相容。另一問題爲 延層之厚度可能由於技術原因，例如敷著狀況而受到 並 制。又-問題爲蝴捧雜材料之楊氏模量可能低於石夕者 可能不爲人們所熟知及瞭解。 在 另外，硼摻雜材料之固有損失可能高於低摻雜矽者 ΐ紙張尺度適财國國家標準(CNiy^i(21G X 297公6㈤ 521060 A7 B7 五、發明説明（3 ) 晶圓的最後一過程，常使用長濕蝕刻步驟進行機械結構之 最後釋出，其可依據乙晞-二胺-焦兒茶驗ethylene-diamine-pyrocathacol，簡稱EDP )溶液，其需要仔細控制，以在製 造期間維持工業衛生標準。將宜於有一種製程，其免除需 要高度摻雜矽，並且木需要使用EDP之濕蝕刻步驟。 發明之概述 本發明包括用於作成薄矽懸臂式或懸置結構之方法，其 可用以作成微電機械系統（MEMS)。薄矽懸置結構可使用 在若干應用，包括例如加速計，陀螺儀，慣性感測裝置 等。本發明之一種例證性實施例，以一玻璃晶圓及一 SOI 晶圓開始。SOI晶圓包括一絕緣體，諸如一配置在第一矽 層與第二矽層間之氧化物層。絕緣體可例如爲一氧化矽 層。 在一種例證性實施例，使用標準照相平版印刷術及蝕刻 技術，在玻璃晶圓表面形成一個或多個凹入部。在形成凹 入部後，可至少部份在凹入部内，並且如果希望，在有些 實施例在玻璃晶圓本身之表面形成電極。在凹入部内之電 極可例如用作電容器之一板，以供感測至一稍後所增加配 置在凹入部上面之懸置結構之距離或其振動。 在凹入及非凹入部份上面，使用一種適當方法，諸如陽 極接合，黏合劑，熱接合或任何其他適當裝置，將SOI晶 圓接合至玻璃晶圓。在接合後，可使用絕緣體層作爲蚀刻 止擋物，去除位於離開玻璃晶圓之SOI晶圓之矽層。然後 可去除絕緣體層，留下一單一薄矽層。可使用一種照相平 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 521060 A7 B7 五、發明説明（4 ) 版印刷術及蝕刻步驟，將餘留之矽層作成圖案，以便界定 希望之結構。較佳爲，使用一種DREE製程或其他適當製 程將餘留之矽層作成圖案。除別項外，適當結構包括音 叉，梳形物，懸臂式結構。 在本發明之另一實施例，提供一玻璃晶圓或基板，及一 在其一表面有一金屬層之SOI晶圓。如同以上，及在一例 證性實施例，可蚀刻玻璃晶圓，以在玻璃晶圓表面形成一 凹入部或數凹入部，並可在玻璃晶圓表面及/或在凹入部 形成電極。較佳爲將SOI晶圓上之金屬層之至少一部份作 成圖案，以與在玻璃晶圓上之凹入部重合。然後可將SOI 晶圓接合至玻璃晶圓表面，而金屬層朝向玻璃晶圓。在接 合後，可使用絕緣體層作爲蝕刻止擋物，去除位於背離玻 璃晶圓SOI晶圓之矽層。然後去除絕緣體層，留下一接合 至玻璃晶圓之單一薄石夕層。 然後可使用一種照相平版印刷及DRIE或其他適當製 程，將餘留之矽層蝕刻成爲希望之圖案，較佳爲在有圖案 之金屬層上面之部位。蝕刻劑較佳予以選擇爲蝕刻通過餘 留之石夕層，但不通過下面之金屬層。金屬層因此可作用如 一蝕刻止擋物。據信金屬層允許在矽金屬化層介面之更明 晰特徵界定，並且在矽蝕刻步驟中也提供一阻擋層，其可 防止在凹入部之氣體逸出至大氣中，諸如至DRIE室。在 蝕刻餘留之矽層後，可使用標準蝕刻技術去除金屬層。 附圖之簡要説明 圖1A爲一玻璃晶圓及一有一氧化矽層配置在第一與第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
裝 訂
521060 A7 B7 五、發明説明（5 ) 二矽 層間之絕緣體外延矽晶圓之高度概略縱向 剖 面 圖 f 圖 1B爲圖1A之玻璃晶圓，在凹入部 形成 後 之 南 度概 略 縱向 剖面圖； 圖 1C爲圖1B之玻璃晶圓，在電極形 成後 之 高 度概 略 縱 向剖 面圖； 圖 1D爲圖1A之絕緣體外延矽晶圓， 接合 至 圖 1Β 之 玻璃 晶圓 之南度概略縱向剖面圖； 圖 1E爲圖1D之絕緣體外延矽晶圓及 玻璃 晶 圓 7 在 去 除 第二 矽層後之高度概略縱向剖面圖； 圖 1F爲圖1D之絕緣體外延矽晶圓及 玻璃 晶 圓 在 去 除 乳化碎層後之南度概略縱向剖面圖； 圖 1G爲圖1F之絕緣體外延矽晶圓及 玻璃 晶 圓 ， 在 選 擇 性蚀刻通過第一碎層後之高度概略縱向 剖面 圖 9 圖 2A爲一玻璃晶圓及一有一氧化矽 層配 置 在 第 一 與 第 二矽 層間之絕緣體外延矽晶圓之高度概略縱 向 剖 面 圖 其 中以 一金屬層部份塗布第一矽層表面； 圖 2B爲圖2A之玻璃晶圓，在凹入部 形成 後 之 度概 略 縱向 剖面圖； 圖 2C爲圖2B之玻璃晶圓，在電極形 成後 之 度 概 略 縱 向剖 面圖； 圖 2D爲圖2A之絕緣體外延矽晶圓，. 接合. 至ί 圖2Β 之 玻璃 晶圓 之高度概略縱向剖面圖； 圖 2E爲圖2D之絕緣體外延矽晶圓及 玻璃 晶 圓 在 去 除 第二 碎層後之南度概略縱向剖面圖； -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210x 297公釐) 521060 A7 B7 五、發明説明（6 ) 圖2F爲圖2E之絕緣體外延矽晶圓及玻璃晶圓，在去除 氧化矽層後之高度概略縱向剖面圖： 圖2G爲圖2F之絕緣體外延矽晶圓及玻璃晶圓，在選擇 性蝕刻通過第一矽層後之高度概略縱向剖面圖； 圖2H爲圖2G之絕緣體外延矽晶圓及玻璃晶圓，在去除 金屬層後之高度概略縱向剖面圖； 圖3A-3C爲相似於以上在圖1A-1D中所示者之高度概略 縱向剖面圖，但有凹入部或數凹入部形成在矽晶圓而非玻 璃晶圓；以及 圖4A-4C爲相似於以上在圖2A-2D中所示者之高度概略 縱向剖面圖，但有凹入部或數凹入部形成在矽晶圓而非玻 璃晶圓。 發明之詳細説明 圖1A例示一絕緣體外延石夕（silicon-on-insulator，簡稱簡 稱SOI)晶圓21有一第一矽晶圓或層20，一絕緣體晶圓或層 50，及一第二石夕晶圓或層60。第一石夕層20有一第一表面 28，及一鄰接絕緣體層50之第二實際共平面表面26。在 一種實施例，絕緣體層50爲一氧化物層，諸如氧化碎。依 應用而定，第一矽層20較佳爲未摻雜或實際未摻雜（諸如 少於10ls/cm3，更佳爲少於約1017/cm3，並具有厚度約在5 與200微米之間，或更佳爲在約10與100微米之間。也提供 玻璃晶圓或基板22，較佳爲自一種諸如Pyrex™ Corning型 號7740之材料形成。玻璃晶圓22有一第一表面24及實際共 平面第二表面25。 -10- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 521060 A7 B7 五、發明説明（7 ) 要形成一加速計，音叉，或陀螺儀等，可在玻璃晶圓之 頂面24形成凹入部。在圖1B中，將一第一凹入部30及一 第二凹入部34蝕刻至玻璃晶圓22之頂面24。第一凹入部 有一第一凹入表面32，及第二凹入部34有一第二凹入表面 36。在本發明之有些實施例，凹入部用以形成一電容間 隙，以供檢測慣性電極之移位，並使用精於此項技藝者所 熟知之標準蝕刻技術形成。 圖1C例示在第一凹入表面32及第二凹入表面36已形成 電極38及40後之玻璃晶圓22。雖然電極38及40示爲覆蓋 實際所有凹入部表面32及36，但如果希望，擬想可僅覆蓋 凹入表面32及36之一部份。另外，第二凹入部34有一電 極凸片或耳狀部42，延伸較靠近晶圓22之未凹入表面，依 應用而定，此可需要或可不需要。金屬電極38及40較佳爲 使用精於此項技藝者所熟知之技術形成。在一種例證性實 施例，電極爲欽-舶或金基電極。 圖1D例示在SOI晶圓21之第一矽層20之第一表面28已接 合至玻璃晶圓22後之SOI晶圓21及玻璃晶圓22。如檢查圖 1D可看出，SOI晶圓21已接合在玻璃晶圓22之凹入及非凹 入部份上面。在一種實施例，SOI晶圓21使用一種陽極接 合過程予以接合。然而，可使用其他接合技術，包括黏合 劑，熱接合等。 圖1E例示自SOI晶圓21去除第二矽層60。在一種實施 例，通過蝕刻將第二矽層60去除。在一種較佳實施例，藉 研磨或氫氧化鉀（K0H)蚀刻，後隨使用一種反應離子蚀刻 _- 11-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
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521060 A7 B7 五、發明説明（8 ) (Reactive Ion Etch，簡稱RIE )最後餘刻直到氧化物層50， 使矽層60變薄。其次，可去除氧化物層。圖1F示在較佳爲 使用一種緩衝氧化物钱刻溶液（Buffered Oxide Etch Solution ，簡稱BOE)蝕刻過程，已去除氧化物層50後之結構。 圖1G例示已在第一矽層20之第二表面26進行蝕刻後， SOI晶圓21之第一矽層20。在形成代表性裝置，諸如加速 計，音叉，或陀螺儀時，可形成若干蝕刻部位44。較佳 爲，矽蝕刻延伸通過第一矽層20，並進入玻璃晶圓22之凹 入部30及34。較佳爲使用標準矽蚀刻程序，諸如一種深層 反應離子蚀刻（Deep Reactive Ion Etch，簡稱DRIE )過程蚀刻 矽。較佳爲，使用一種標準照相平版印刷過程，在矽晶圓 20界定希望之結構形狀。適當形狀之實例包括（但不限於） 懸臂式橫桿，懸置橫桿，梳形物，音叉，板等。 在另一例證性實施例，並且現請參照圖2A，提供一 SOI 晶圓121。如同以上，SOI晶圓121有一第一石夕層120，一氧 化物層50，及一第二矽層60。然後在SOI晶圓之第一矽層 120之第一表面提供一金屬層129。可提供金屬層129作爲 原始供給之SOI晶圓121之一部份，或可予以敷著或否則使 用習知方法形成在其上。用於形成金屬層129之一種適當 金屬，爲在氧化物上之鉻，不過可使用其他金屬或合金。 如先前在以上關於圖1B所討論，圖2B例示一在已形成 玻璃晶圓22後之凹入部30及34。如先前在以上關於圖1C 所討論，圖2C例示在形成電極38及40後之玻璃晶圓22。 較佳爲，將金屬層129作成圖案，以便餘留之金屬對應於 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 521060 A7 B7 五、發明説明（9 ) 凹入部30及34，或否則界定爲配合在其内。 在圖2D中，示金屬化SOI晶圓121接合至玻璃晶圓22， 而金屬層129位於靠近玻璃晶圓22。一種用於將SOI晶圓 121接合至玻璃晶圓22之方法爲陽極接合。有些陽極接合 過程之副產品爲氧之釋出。如可看出，形成在凹入部30及 34與SOI晶圓121間之腔可收集在陽極接合過程中所釋出之 氧，並因此可增加其濃度。 圖2E示在去除SOI晶圓121之第二矽層60後之結構。在 一種較佳實施例，藉研磨或K0H蝕刻，後隨使用一種反應 離子蝕刻（RIE)最後蝕刻直到氧化物層50，使矽層60變 薄。圖2F例示在已去除SOI晶圓121之氧化物層50後之結 構。在一種實施例，通過在B0E蚀刻過程之脱除將氧化物 層50去除。 圖2G示在其中已蚀刻圖案，以形成希望之結構後，餘 留之第一石夕層120。蚀刻較佳爲包括一種適當選擇性蚀刻 劑，其蚀刻通過第一矽層120，但不通過金屬層129。可使 用標準平版印刷技術形成連串之凹入部，溝道，或孔144 通過矽晶圓120，但不通過金屬層129。金屬層129因此可 用作蝕刻止擋層。提供蝕刻止擋層，經發現在矽晶圓120 及金屬層129之介面可達成更明晰之特徵界定，在所產生 之之矽結構導致更精確之特徵界定。 提供金屬層129之另一好處，爲提供一密封或阻擋層， 以在矽蝕刻過程防止氣體自凹入部30及34逸出至大氣中。 在使用一種至少部份依靠周圍大氣中之氣體組成之蚀刻過 _- 13-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 521060 A7 B7 五、發明説明（10 ) 程，諸如一種DRIE蝕刻過程，蝕刻餘留之矽層120時，這 可能特別重要。如以上所説明，在陽極接合過程中所可能 收集在凹入部30及34之氣體諸如氧之釋出，可能實現有些 蝕刻過程，諸如DRIE蝕刻過程之有效性及/或可控制性。 圖2H例示在已去除餘留矽層120及玻璃晶圓22後之金屬 層129。可使用精於此項技藝者所熟知之技術去除在凹入 部區域30及34之金屬層129。在一種實例，可將一種能去 除金屬層129，但不能去除碎晶圓120之姓刻劑施加至碎晶 圓凹入部144。蚀刻劑因此可溶解金屬層129。在一種較佳 實施例，蚀刻劑能去除金屬層129，但不去除電極38及 40 〇 圖3A-3C爲相似於以上在圖1A-1D中所示者之高度概略 縱向剖面圖，但有凹入部或諸凹入部形成在矽晶圓150而 非玻璃晶圓182。圖3A例示一絕緣體外延矽（SOI)晶圓 150，有一第一矽晶圓或層160，一絕緣體晶圓或層154， 及一第二石夕晶圓或層152。第一碎層160有一第一表面 162。如圖所示，將一第一凹入部170及一第二凹入部172 钱刻至第一石夕晶圓或層160之第一表面162。較佳爲，第一 凹入部170及第二凹入部172不一直延伸通過第一矽晶圓或 層160。第一凹入部170有一第一凹入表面174，及第二凹 入部172有一第二凹入表面176。在有些實施例，使用凹入 部形成一電容間隙，以供檢測慣性電極之移位，並使用精 於此項技藝者所熟知之標準蝕刻技術所形成。也提供一玻 璃晶圓或基板182，較佳爲自一種諸如Pyrex™ Corning型號 _-14-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 521060 A7 B7 五、發明説明（U ) 7740之材料所形成。玻璃晶圓182有一第一表面184。 圖3B例示已在玻璃溶晶圓182之第一表面184形成電極 190及192後之玻璃晶圓182。圖3C也例示在SOI晶圓150之 第一矽層160之第一表面162已接合至玻璃溶晶圓182之第 一表面184後之SOI晶圓150及玻璃晶圓182。在一種實施 例，SOI晶圓150使用一種陽極接合過程予以接合。然而， 可使用其他接合技術，包括黏合劑，熱接合等。其餘處理 步驟可相似於以上關於圖1E-1G所示及説明者。 圖4A-4C爲相似於以上在圖2A-2D中所示者之高度概略 縱向剖面圖，但有凹入部或諸凹入部形成在矽晶圓而非玻 璃晶圓。如同在圖2A中，一 SOI晶圓200有一第一矽層 202，一氧化物層204，及一第二矽層206。第一矽層202有 一第一表面210。如圖示將一第一凹入部212及一第二凹入 部214蚀刻或否則形成至第一石夕晶圓或層202之第一表面 210。較佳爲，第一凹入部212及第二凹入部214不一直延 伸通過第一石夕晶圓或層202。第一凹入邵212有一第一凹入 表面216，及第二凹入部214有一第二凹入表面218。也提 供一玻璃晶圓或基板220，較佳爲自一種諸如Pyrex™ Corning型號7740之材料所形成。玻璃晶圓220有一第一表 面 222。 如圖4B中所示，在SOI晶圓200之第一凹入表面216及第 二凹入表面218提供一金屬層226。較佳爲使用習知方法將 金屬層敷著或以其他方式形成在其上。用於形成金屬層 226之一種適當金屬，爲在氧化物上之鉻，不過可使用其 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 521060 五 A7 B7 、發明説明（12 ) 他金屬或合金。圖4B也例示在已形成電極230及232後之 玻璃晶圓220。 圖4C示在SOI晶圓200之第一矽層202之第一表面210已 接合至玻璃晶圓220後之SOI晶圓200及玻璃晶圓220。在一 種實施例，SOI晶圓200使用一種陽極接合過程予以接合。 然而，可使用其他接合技術，包括黏合劑，熱接合等。其 餘處理步驟可相似於以上關於圖2E-2H所示及説明者。 雖然以上例證性實施例使用SOI晶圓及玻璃晶圓，但擬 想可使用任何其他適當材料系統。例如，擬想可使用任何 有一第一層，一蚀刻止擔層及一第二層之分層結構，而非 使用一有一第一矽晶圓或層，一絕緣體晶圓或層，及一第 二矽晶圓或層之絕緣體外延矽（SOI)晶圓。同樣，可使用 任何適度剛性基板，而非使用玻璃晶圓。 在上述説明業經闡釋此文件所涵蓋之本發明之很多優 點。然而，請予瞭解，此揭示在很多方面僅爲例證性。在 細節上，特別是在諸部份之形狀，大小，及配置之問題， 可作成種變化，而不逾越本發明之範圍。例如，雖然以上 例證性實施例包括一接合至一玻璃晶圓或基板之絕緣體外 延矽晶圓，但可使用其他材料系統。本發明之範圍自然係 在表示後附申請專利範圍之語言所界定。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 裝 訂
Claims (1)
- 521060 A8 B8 , C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種用於製作一薄矽懸置結構之方法，其特徵爲： 提供一有一表面（24)之玻璃晶圓（22)或基板； 提供一有一絕緣層（50)配置在一第一碎層（20)與一第 二矽層（60)間之SOI晶圓（21); 在該SI0晶圓（21)之玻璃晶圓表面（24)或第一矽層 (20)形成一凹入部（30); 將該SOI晶圓（21)接合至該玻璃晶圓表面（24)，以便 該第一矽層（20)之至少一部份接合至該玻璃晶圓表面 (24)，致使該第一石夕層（20)之至少一部份懸吊在該凹入 部（30)上； 去除S01晶圓（21)之第二矽層（60); 去除SOI晶圓（21)之絕緣層（50);以及 將SOI晶圓（21)之第一矽層（20)選擇性作成圖案，以 形成一至少部份懸吊在該凹入部（30)上之薄矽懸置結 2. 如申請專利範圍第1項用於製作薄矽懸置結構之方 法，另外其特徵爲，在該玻璃晶圓表面（24)形成至少 一與該凹入部（30)之至少一部份對準之電極（38)。 3. 如申請專利範圍第1項用於製作薄矽懸置結構之方 法’其中該接合步驟包括陽極接合。 4. 一種用於製作薄矽懸置結構之方法，其特徵爲： 提供一有一表面（24)之玻璃晶圓（22)或基板； 提供一有一絕緣層（50)配置在一第一矽層（120)與一 第二矽層（60)間之SOI晶圓（121); -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)裝 玎521060 A B c D 六、申請專利範圍 在該SIO晶圓（21)之玻璃晶圓表面（24)或第一矽層 (120)形成一凹入部（30); 靠近第一矽層（120)提供一有圖案金屬層（129)，有圖 案金屬層（129)與該凹入部（30)之至少一部份重合； 將該SOI晶圓（121)接合至該玻璃晶圓表面（24)，以便 該第一矽層（120)之至少一部份接合至該玻璃晶圓表面 (24)，致使該第一石夕層（120)之至少一部份懸吊在該凹 入部（30)上； 去除該第二秒層（60); 去除該絕緣層（50);以及 將第一矽層（120)選擇性作成圖案，以形成一至少部 份懸吊在該凹入部（30)上之薄矽懸置結構；及 去除該金屬層（129)。 5. 如申請專利範圍第4項用於製作薄矽懸置結構之方 法，其中該接合步驟包括陽極接合。 6. —種用於製作薄矽懸置結構之方法，其特徵爲： 提供一有一表面（24)之第一晶圓（22)或基板； 提供一有一蝕刻止擋層（50)配置在一第一矽層（120) 與一第二矽層（60)間之第二晶圓（121); 在該第一晶圓表面（30)或在該第二晶圓一石夕層形成 一凹入部； 將該第二晶圓（121)接合至該第一晶圓表面（24)，以 便該第二晶圓（121)之該第一層（120)之至少一部份接合 至該第一晶圓表面（24)，致使該該第一層（120)之至少 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 521060 A BCD 、申請專利範圍 一部份懸吊在該凹入部（24)上； 去除第二晶圓（121)之該第二矽層（60); 去除第二晶圓（121)之蝕刻止擋層（50);以及 將第二晶圓（121)之第一層（120)選擇性作成圖案，以 形成一至少部份懸吊在該凹入部（30)上之薄矽懸置結 構。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 -19- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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