TW520460B - Display device and manufacturing method therefor - Google Patents
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Description
520460 五、發明說明（1) 本I明係有關於可抑制 差等，而可得到良好顯示顯光；域f的亮度 液晶顯示裝置。 、"、、^、4置 特別疋適用於 習知的主動矩腺（ 配設於各書素之薄膜f a matrix)型液晶顯示裝置， 切換開—稱為m)的構造作為 報說明書。其如第二1 於特開平8—328038號公 書辛的平面円辦-"之省知的主動矩陣型顯示裝置的1 一京的千面圖所不，僅於2個 的2個汲極電極的一側使源極電極：：體：2個薄膜電晶體 形成薄膜電晶體時的氺甚 出、而美向開口率， 共通閘極電極的重疊面積使’源極電極與 個源極電極的一側使共通 係顯示連接於晝素電極=在:當= 極間（本發中=極電極與源極電 生容量（以下稱為Cgd)的分宝為汲極電極）的寄
Sh〇t ) ^ ^ ^ ^ ( „ τ # ^ # ^，；；^( '7，^ #]： 之驾知技術所示般與晝素電極常’如第11圖 明為汲極電極配螅彳 運接之源極電極配線（本發 . I ： i s; I ΐ; ^ ^ 值增大產生顯示上的問題 =、、、，巴對值增大vCgd的 閃爍）。閃爍是眾所周知的:一|含巧 圖框（frame)施加於液晶之疋圖框（fr⑽e)與次 电&的有效值不同而發生的。 1 2〇66-388〇-Pf.ptd 第4頁
I 520460 五、發明說明（2)
Cgd —增加，閘極電極配線的時間常數增加， 的驅動側到遠端部附近發生閑極施加電壓；古遷 輸入，對既定的晝素電位產生空 的二 從高遷移至低時，將發生起因於TFT的寄生容間極施金加電壓 極電f電f降低（以下稱為給穿⑴eU thr0Ugh 電 差辦：給I Γ壓增加時，TFT的汲極電極-源極電極的41位 加“從；遷= ;動：之遠端部附近的閘極施 易發生的狀態。 將成為容 ，此，_給穿電壓是以下列公式而得。 ^ ~ (Cgd/(Cs+Clc+Cgd))*(Vgh-Vgl)
Cs為i積容，為Ci閘；電極與TFT之汲極電極的重疊容量， 壓的高電墨值、低C電//容量，Vgh、分別為閘極施加電 ㈣的值，二==。該公式可知’ AVg大幅依： 減小兮△ V g的絕對值變小’ AVg的值亦變小。葬Ϊ 減小f AVg、’可抑制上述的再次輸人。 轉由 割之理：：Γ”知，構成’可抑制㈣的拍攝分 m 仁疋Cgd的絕對值增加，給穿電壓λ v 增加’：容易產生閃爍的問題。 f電“Vg亦 攝分G : : J : 3問題點，目的為得到抑制Cgd的拍 絕對值抑=而分割不均，再以減小 叫“，而侍到良好的顯示品質。 q 2066-3880-Pf.ptd 第5頁 520460 五、發明說明（3) 本發明之第1顯示裝置，i牲外达 上形成薄膜電晶n㈣為具備在絕緣性基板 而形成複數，且該複數個薄膜電=膜電晶體是對1畫素 源極電極配線，爽住該源極電：:曰：=有源極電極的 1個沒極電極配線，該各個汲極電=在九各兩侧具有至少 極相對之通道長度方向的一部和配線在與前述源極電 分形成、、乃托Φ H 於與閘極電極配線重疊部 〜成及極電極，且該汲極電 1 素電極。 电位配線的另一端是連接於晝 本务明之第2顯示裝置，其特徵為在一# 置，太^、+、、広k a t 1又钓在上述第1顯不裝 在則述源極電極之兩側各自的箭、+、舌％ μ v ^ 總和實質上相同。 L $邛为的面積之 本發明之第3顯示裝置，豆特料炎—，丄μ 置，右-r、十、、區托八将敛為在上述第2顯示裝 晶體ί : ΐ 兩側各自的前述重疊部分的薄膜雷 體的通迢長度方向的長度實質上相同。 專膜電 本發明之第4顯示裝置，其特徵 置，前述重疊部分的薄膜電晶體的^在上;^弟^示農 =為不影響前述薄膜電晶體的電流特性之既， 本發明之第5顯示裝置，其特徵為在上述第卜 弟3或第4的顯示裝置，前述汲極電極 極S?始皆& ne a人丄、 , 位配線的一端的汲極雷 才配線寬度方向全域上於與閘極電極配線 ： 述及極電極。 丨刀小成月丨j ★本發明之第6顯示裝置，其特徵為在上述第丨、 第3或第4的顯示裝置，在除了前述第、 你丨示』⑴述及極電極配線之一端附
2066-3880-Pf.ptd 第6頁 520460 五、發明說明（4) 近的端部之汲極電極配線寬卢 配線重疊部分形成汲極電極：且前與：極電極 端部是配設於前述間極電極配線外電極配線的—端 本發明之第7顯示裝置，其特徵 弟3、弟4、第5或第6的顯示裝置过第Ϊ第2、 出至前述源極電極之源極電極配線相：=極電極配線拉 而經由絕緣膜設置在前述閉極電極配線^ =絕緣性基版 第6或弟7的顯示裝置，料 a 基板，從前述源極電極配線拉 +於别述、，、邑緣性 極配線的下或上形成半導體膜。别述源極電極之源極電 第3本^明ί第9顯示裝置’其特徵為在上述第1、第2 、第5、第6、第7或第8的顯示裝置二 源極電極之各兩側之至少1個汲極電極配後θ /又於财述 電晶體與畫素電極之間連接電:配金線疋在两述薄膜 接。 1僅在该晝素電極的一處連 本發明之第1 0顯示裝置，苴 第3、第4、第5、第6、第7、第8為在上述第1、第2、 汲極電極配線盥書f電 f苐9的顯不裝置’前 本發明之第以=造樣Λ膜？。 括在絕緣性基板上形成閑極：極了宰法开 極之絕緣膜’在該絕緣膜上形成半J體膜二間極電 上積層作為源極/汲極電極的導電膜，該積導體膜 住源極電極，其各兩、a之導電膜夾 具有至少1個汲極電極配線，該 2066-3880-Pf.ptd 第7頁 五、發明說明（5) 各個汲極電極配線在與前述源極 的一部分與閘極電極配 =目對之通道長度 極電極配線的另一端是連接成汲極電極，該： 本發明之第2顯示裝置的製—造方°，而圖案化之步驟。 括在絕緣性基板上積層作為☆ j ，由於其特徵為包 極電極配線，該各個汲極電極配線在盘前述個汲 長度方向的一部分與閑極電極配線重疊 2極電極，該汲極電極配線的另；；形成 在该源極/汲極電極上形成半導體膜，形成覆蓋 體膜的絕緣膜，在該絕緣膜上形成閑極電極圖案之 、本發明之第3顯示裝置的製造方法，其特徵為在上述 番或第2之顯示裝置的製造方法，還具備形成與前述汲極 =極配線連接之晝素電極圖案之步驟，且前 以與前述晝素電極相同步驟形成。 ^極配 簡單圖式說明： 第1圖係為本發明之實施例1之主動矩陣型液晶顯示裝 置的1晝素的平面圖。 第2圖係為本發明之實施例1的第1圖的TFT部分的擴大 圖。 第3圖係說明本發明之實施例1之汲極電流與接觸長度 關係的圖。 第4圖係為本發明之實施例1的第2圖的A —a剖面之製造 520460 五、發明說明（6) 步驟圖。 第5圖係為本發明之實施例1的第2圖的A - A剖面之製造 步驟圖。 第6圖係為本發明之實施例2的TFT部分的擴大圖。 第7圖係為本發明之實施例3的TFT部分的擴大圖。 第8圖係為本發明之實施例4的TFT部分的擴大圖。 第9圖係為本發明之實施例5的T F T部分的擴大圖。 第1 0圖係為本發明之實施例6的TFT部分的擴大圖。 第11圖係為習知的主動矩陣型液晶顯示裝置的1晝素 的平面圖。 ' 實施例1 藉由第1〜5圖說明本發明之實施例1的型態。第i圖係 為本發明之實施例1之主動矩陣型液晶顯示裝置的丨圭辛的 平面圖’而第2圖係為TFT部分的擴大圖，第3圖示3y極 電流J接觸長度關係的圖，第4及5圖係顯示 :之製造過程的剖面圖。在第1圖，1為源極電極配線，2 為閘極電極配線，3為閘極電極配線突出 ' n〇(IndlumTln〇xide)等組成 二4/例如 為源極電極配線的拉出部’ 6為 】的電極’5 、々第2的m的第i、第2的汲極 7、8分別為形 非晶石夕荨組成之半導體膜。 -線，9表示例如 M2® ’與第j圖 不配設在源極電極配線下 示第1的電極配線與畫素電極的成連:"同樣符號，10表 配線與畫素電極的連接部，〗2表_妾°卩，11表示第2的電極 2066-3880-Pf.ptd 第9頁 520460 五、發明說明（7) 7如非晶矽等組成的半導體膜，13表示第i的汲極電極配 =7與閘極電極配線突出部3的重疊部（第丨的汲極電極 )，表示第2的汲極電極配線8與閘極電極配線突出部3 =重$部（第2的汲極電極），wi表示第丄的^^丁的電晶體 ^度（通-道寬），W2表示第2的TFT的電晶體寬度（通曰道寬 ，a表不第1的汲極電極的通道長度方向的長度（以下稱 為接觸長度），b表示第2的汲極電極的接觸長度。在第4 圖及第5圖中，與第i圖相同構成部分給予同樣符號，1 9 二閘極絕緣膜，2〇表示真性（丨111：1^1^：1(：)半導體層，21 不注入η型雜質的導電性半導體層，22表示鈍能 乂 (Γ==)層。又’在該說明書源極電極：汲極電極 :及，電極是表示於薄膜電晶體部，形成電晶體的源 以及〉閘極的部分，源極電極配線、汲極電極配線 及p"! t f 線是表示含有前述源極電極、汲極電極以 及閘極電極之配線。 i u Μ 的間隙部分桎1 電極配線的交又部3近從Β雷/間極電極配線與源極 5，今ifr屮夕斯# A f近足源極電極配線拉出形成配線部 Μ拉出之配線邛與源極電極6連接。在TFT八， 的更擴大圖’在閘極電極配線的突出部3，卩上述源極圖 極β為中心夾住源極電極 ’、11電 8，並且該第!、第2的汲極=二的端及^ 的汲極電極13、“，另-端在形成】畫素之m弟電2 第10頁 2066-3880-Pf.ptd 520460 五、發明說明（8) ，與連^接部1 0、1 1連接。並且，閘極電極配線突出部3與 第1、第2的汲極電極配線7、8是具有同樣的接觸長度&、b f及相同面積的重疊部分13、14而形成。又，在第1圖、 第2圖’源極電極配線之拉出部5，是顯示用以減低閘極電 極配線的時間常數，配設於閘極電極配線外之範例。 ^ 如此而在閘極電極配線突出部3中央附近配設之源極 電極的兩側形成TFT，於該閘極電極配線突出部的通道長 度方向的兩側，第1、第2汲極電極，可形成接觸長度以及 /及極電級的面積相同。藉此，即使發生拍攝分割之間的各 層間的位置偏差的場合，例如第2圖中源極/汲極電極位置 的層相對於閘極電極所位於的層往右移Δχ的場合，第1汲 =電接觸長度8增加ΔΧ，第2汲極電極14之接觸長 二的卑^ ，因此第1、第2TFT的閘極電極與汲極電極之 中，即梯浪枚/ (里素 gd)不會產生變化。又第2圖 由於第1、’第2、/及+極層相對於閘極層在上下方向有空隙， ΐ，、cg的^摄13、14在閑極電極酉己線的突出部3 上Cjd的拍攝分割間的差異不會發生。 藉此’在各拍攝分割間久 各拍攝分割間Cgd沒有嫩於 先罩的位置即使發生空隙， 均。 欠化’可抑制拍攝分割間的亮度不 _ 並且由第2圖本發明之牯 -端的接觸長度與閘極電極寺重聂為第1、第2汲極電極是將 極電極配線與源極電極相 =而形成Cgd，與習知的汲 極電極配線交又的場合 、道長度方向的全區域與閘 可縮小Cgd的值。在此，電
520460
I洛从妾觸長度的值’是如第3圖的說明没極電流與接觸 又、關係之圖所示’接觸長度為既定的長度C (例如* # ^ —以上與汲極電流為大致飽和既定的電流值，比上 0 疋的長度^短的場合將影響汲極電流的降低，但本發 曰至少上述既定的長度c (不發生汲極電流降低的值） =上為佳，Cgd的值大幅依存接觸長度χ通道寬…的面積。 此可考慮依照層構成或層材料等變化上述既定的長度 C、的值，但即使這樣的場合如第3圖所示，汲極電流特性可 以大致飽和既定的點為既定的長度c，至少可以該既定的 長度C以上為接觸長度。 相對於此，前述之習知汲極電極配線在與源極電極相 對之通道長度方向全區域與閘極電極配線交叉的場合， Cgd的值大幅依存汲極電極配線寬x通道寬的面積，汲極 電極見大多是設定為考慮其製膜上的穩定性以及圖案化時 的汲極電極側壁的過度蝕刻（over etching)等的值（例如 6 //m以上）。從上述，亦可知道依照本發明Cgd的絕對值 被縮小。從以上所述，本發明之TFT構造，Cgd的絕對值 小’可抑制閃爍的產生。 接著，以第4圖及第5圖說明第2圖中A —a剖面的^丁的 製造過程。絕緣性基板（例如玻璃基板）上以濺鍍法成膜 為低電抗金屬的銘（A1)或鉻（cr)等的導電膜。接著以照相 製版形成圖案，如第4(a)圖以蝕刻形成閘極電極圖案了接 下來如第4(b)圖般以電漿CVD連續成膜例如氮化膜等組成
五、發明說明（10) 與摻雜η型雜質的非晶矽組 然後如第4(c)圖所示進行照片…反、體層21、。 再以濺鍍法堆層作為源極/沒極電 < ’餘刻半導體層。 的導電臈。其中，如第5(a円電極之1呂(A1)或鉻(C"等 汲極電極。該源極/汲極電極的製版圖案化源極/ 汲極電極配線的一#，是在旬二案化日：，如第2圖所示’ 向的-部分之與閑極電極端部之f道長度方 :極：f配線的另-端是以連接晝素電極而圖荦化。又4 ::=Ϊ;_Χ)，因為可能帶來源極 =除去進行通道區域的分·，再㈣真性半導:層導體並 第4圖及第5圖說明逆交錯（stagger)(下閘極； =m gate型）的TFT的構造，亦可適用於閘極電 源上極=電極而配置於上層之所謂正交錯(Μ·"型 (上閘極，top gate型）的m之構造。並且，第*圖及 ίΪτ的的^造合並無特別限制，應可適用於在絕緣性基板上形成 實施例2 —以第6圖說明本發明之實施例2。第6圖係顯示本發明 之貫施例2之TFT部分的擴大圖。在第6圖，與第1圖、 圖相同構造部分給予同—符？虎，並說明與第2圖的差異。 第6圖t，第1、第2汲極電極配線7、8的_端是藉連接部 520460 五、發明說明（11) '--------- 1 0、11連接至形成1金去 除了端部之源極電極:素對V目同畫素電極4，另-端僅在與 成閉極電極配線突出二' 部分的通道長度方向的1部分形 閉極電極配線突出部3 Λ重豐沒極電極13、14。在此於 13、η之部分附右形成上述第1、第2的汲極電極 線卜8的源極電；；：：槽=，與第卜第2汲極電極配 一 4和對之一端部配設於該凹槽部。 置發：空隙為攝分割之間的各層間的位 同的理由，對i下方=向的工隙由於與實施例1之場合相 端部配設於凹槽部汲極電極配線7、8的-端 〇 14 , H P閘極電極配線外，第1、第2汲極電 和、14由於疋形成於汲極電極配線7、8上，因此不合菸 生Cgd的拍攝分割之間差異。 上u此不會發 又，在如上述第丨、第2汲極電極配一 了端部之源極電極相對部分二疋僅與除 極電極配線突出部重疊而形成向二部分與閉 電極配線之與源極電極相對之通道長度 ’立精耆汲極 為至少不產生薄膜電晶體的汲極ϋ二、°卩分設定 施例1同樣地減低㈣的值，可抑制;;：低的值以上’與實 並且，從第6圖可知道，由於僅有與 極配線的源極電極相對部分的通首 、、弟2 >及極電 汲極電極，因汲極電極配線開D 向的1部分作為 口率化。 佔有部分小，可高開 在本實施例，如第6圖顯示， 的通道寬度方向端部比半導體膜f ° “極配線的突出部 版臊的冋方向端部更配設於内
520460 五、發明說明（12) 側，但是如實施例1的第2圖所厂、 度方向端部比半導體膜的同:，閘極電極配線的通道寬 從以上所述’在本實施例：：：::設於更外側。 拍攝分割之間即使發生各罩農〃貫施例1同樣地，在各 之間_沒有變化’可抑制拍攝的二置不空/ ’在各拍 值小，亦可抑制閃爍的發生，77 ^ 句，並且Cgd的絕對 可高開口率化。 X ，可得到良好顯示品質，同時 實施例3 以第7圖說明本發明之實 之實施例3之TFT部分的_大\例3。苐7圖係顯示本發明 圖相同構成部分給予在第7圖’與第1圖、第2 第7圖係為經由絕緣膜而/置^而說明與第2圖的差異。 極電極配線2上。 又置源極電極配線的拉出部5於閘 藉由成為上述構成，哈Τ π 吴以外，Μ明入Γ 可得到與實施例1相同的效 呆以外’不透明金屬腺夕、、盾 , . ^ e „ ^ .、之源極電極配線突出部不是開口 4 置在閘極電極配線上，可提高開口率。 施例，係顯示閘極電極配線上配設著源極電極 配線的％合，但即伟尤、、店& + a 更在源極電極配線上配設閘極電極配線 的场二’於間極電極配線下設置源極電極配線的突出部， 亦可得到同樣的效果。 實施例4 一以第8圖說明本發明之實施例4。第8圖係顯示本發明 之貝施例4之TFT部分的擴大圖。在第8圖中，與第工圖、第 2圖相同構成邛分給予同一符號，而說明與第2圖的差異。
520460 五、發明說明（13) 第8丄圖#疋從源極電極配線的突出部5設置半導I*膜？ 4於舌 於半㈣膜9之源極電極6的下部。切體㈣於重疊 果以：成，除了可得到與實施例1相同的效 和因為閉極電極配線之厚度的段差而產生緩 率。 體胰的厚度之段差而抑制，可提高製造良 合，頁示半導體膜上配設源極電極配線的場 ;極電線上配設半導體膜的場合，亦可彳: 源；ΪΓ線之厚度的落差而產生之閑極電極 高製造良率。 而抑制半導體膜的厚度之落差，可提 實施例5 以第9圖說明本發明之實施。 之實施例5之TFT部分的伊大R六势〇困間，4不本發明 圖相同構成部分給；ΠΞ。在第9圖，與第1圖、第2 第9圖是在TFT二而說明與第2圖的差異。 共通化，僅於連接Ϊ = 第1、第2汲極電極配線 # 廷按σ卩分25與晝素電極4連接。 果以：由iiif構成，除了可得到與實施例1同樣的效 可提高開口率。旦素電極之連接部為-個地方， 實施例6 、第圖"兒月本發明之貫施例6。第1 〇圖係顯示本發 五、發明說明（14)
明之霄施例6之tft部八λα坡L 第2圖相同構⑼分V；的^大^。在第10圖，與第i圖、 異。第1。圖係顯示在:及予: 素電，同一透明電極之範例。 /參電極使用與畫 ^由成為上述構成，除了可得到盥實施 果之外，不需要汲極電極配線盘“電=1同樣的效 高開口率。 /、且^電極的連接部，可提 以上只施例3〜6係說明實施例1苴 施例3〜6亦適用實施例2 # …例，但即使實 果。並且，適當組合實個同樣的效 2，可達到各別效果。 7適用上迷實施例1、 又’在實施例1〜6，說明在夾住 個TFT之場合，但兩側亦可各f使用i個電極兩卿成各1 時兩側各個汲極電極配線的重 =^TFT，此 觸長度相同而構成為佳。並且接 極電極配線的重疊部分的面積之總和以及接觸長：，：2 施例卜6係顯示為同樣的場合，❻是在顯示、-广 題的範圍即使具有差显實皙p亦相π 女寸沒上/又有問 果。又，在匕、f : 亦可得到同樣的效 源極電極，即使在實施例1〜6是形成丨個的 口右疋/、通而付的構成，以複數個形成源極電極杏妙 亦沒有其他困難。 τ往电位田然 ^並且，在實施例卜6，進行液晶顯示裝置的TFT構造之 說明，但不限定於使用液晶之顯示裝置，使用電冷光 (electroluminescence)元件等之主動矩陣型顯示π裝置亦 520460 五、發明說明（15) 可適用。 、首办Ϊ且’在實施例1以及3〜6，係顯示閘極電極配線的通 ^見度方向端部配設於半導體膜的同方向端部更外側之 歹1 ，但如實施例2所示，閘極電極配 部配設於比半導體膜之同方向端部更内側^冓見成度亦方可向。知 本發明之第1顯示裝4 ’是 形成 =電晶體之顯示裝置，該薄膜電晶 電極配線，且且有类曰體具有含源極電極的源極 的汲極電極配線，該各自汲極電極配線再二：=川固 3 ΐ通道長度方向的一部分於與閘極電極：線的、ΐ,極 :形成汲極電㉟’由於該汲極電極配線C重豐部 接=素電極，可抑制續fiick -二特徵為連 不品質。 叩J侍到良好顯 本發明之第2顯示 ”源極電極的兩側之V個前述重疊A裝置，由於在 貝相特徵’可抑制閃燦，而可得到=積之總和實 本發明之第3顯干胜 良好的顯示品質。 前述源極電極的币、 、 述第2顯示裝置，由於才 福、首具疮：兩側之各個前述重疊部分沾：於在 方向的長度實質相同為特徵，：的溥膜電晶體的 付到良好的顯示品質。 了抑制閃爍，而可 本發明之第4 _ 述重疊部分的薄體置的 影響前㈣膜電晶體的電流特性度’是不會 ____ _ -炙既疋的長度為特 2066-3880-Pf.ptd 第18頁 520460 五、發明說明（16) 徵，更減低Cgd而抑制閃 討不均，可 得到良好的顯示品質。’、’、σ抑制拍攝分 本發明之第5顯示穿 的顯示裝置，由於在前述’ ^第1、第2、第3或第4 ，，寬度方向全域在與端的汲極電極 >及極電極為特徵，可 =的重疊部分形 質。 f觸而可得到良好的顯示品 本發明之第6顯示梦罢 —，、、 的顯示裝置，由於在除^前述汲極述第1、第2、第3或第4 端部之外的汲極電極配線寬产方向的f配線的一端附近的 配線的重叠部分形成前述汲：電㉟，：=舆閑極電極 的-端端部是配設在前述 ：c極配線 制閃爍，更可得到高開口率。配線之外為特徵，可抑 本發明之第7顯示裝詈，在卜β 4、第5或第的顧-姑ί 在上述第1、第2、第3、第 至前τ % 士 Κ、、Μ不波置，由於從前述源極電極配線引出 締由ίΐΪ電極之源極電極配線相對於前述絕緣性基板而 抑制拍攝分割的不均，可抑制閃爍，可更：=化加上 4々本發明之第8顯示裝置，在上述第1、第2、第3、第 4、〃第、5 '第6或第7的顯示裝置’對於前述絕緣性基板，由 於從則述源極電極配線引出至前述源極電極之源極電極配 f而經由絕緣膜設置於前述閘極電極配線上或下為特徵， 可抑制閃爍，亦可防止源極電極配線或閘極電極配線的斷 第19頁 2〇66-3880-Pf.ptd 五、發明說明（17) 本發明之第9顯示裝置，在 ^ 4、第5、第6、第7成楚在上述弟1、第2、第3、第 極電極之各兩側 2 _”、、員不I置，由於配設於前述 f曰2 至少1個汲極電極配線，是在前、原 ，日日體與畫素電極之間連接 疋在則述薄暝 發明之第i 〇顯示裝置 4、第5 、第6 、第7、筮s + Μ n ^ 弟2 、第3 、筻 電極配線，是以Μ夸3弟的顯示裝置，由於前述；^ pa ^ ^ 與旦素電極相同的膜形成為特矜 及極 閃爍，更可能高開口率化。 风馮特徵，可抑制 本發明之第丨顯示裝置的 括在絕緣性基板上形成門、 ’ 於，、特徵為包 極之絕緣膜，=圖案，形成覆蓋該間極電 上積層作為源極/;及極電桎二成：導體膜，在該半導體膜 各個汲極電極配！：：j有至少1個汲極電極配線，ί 的-邱八=與則述源極電極相對之通道長声方1 極電極配線的另-端是連接至書；電極m電匕極，該及 可抑制閃爍，而可得丨”圖案化之步驟， 太Aal ，仵到具有良好顯示品質的顯示裝置。 括i ^卷之弟2顯示裝置的製造方法，由於苴特彳1 A A 括在纟巴緣性基板上夢& 、/、符欲為包 積層之導雷膜ΐΐί 汲極電極的導電膜，嗦 極電極配缘U極電極，其各兩側上具有至少1個汲 之通道县Lii極電極配線在與前述源極電極相對 汲極電極’該汲極電極配線的另一端是以
2066-3880-Pf.ptd 第20頁 520460 五 、發明說明（18) — 該ΐ導許= 汲極電極上形成半導體膜，形成覆蓋 步n a 、、、、、巴緣膜，在該絕緣膜上形成閘極電極圖宰之 置驟’可抑制閃爍’而可得到具有良好顯示品質的顯= 本發明之第3顯示裝置的製造方法， ，顯示裝置的製造方法，還具備形达第或弟2 連接之晝素電極圖案之步驟，由於且有汲極電極配線 j以與前述畫素電極相同步驟形成之c極配線 並可能高開口率化。 亏试可抑制閃爍， 符號說明： 1〜源極電極配線 2〜閘極電極配線 3〜閘極電極突出部 4〜ΙΤ0晝素電極 5〜源極電極拉出部 6〜源極電極 7〜第一汲極電極配線 8〜第二汲極電極配線 9〜半導體膜 極配線與畫素電極的連接部 12〜半導體膜 建接部 1 3〜第一沒極配線7與閘極電極 _ 線犬出部3的重疊部
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第21頁 520460 五、發明說明（19) 1 4〜第一汲極配線8與閘極電極配線突出部3的重疊部 1 9〜閘極絕緣膜 2 0〜真性半導體層 2 1〜導電性半導體層 2 2〜純態層 2 3〜凹槽部 a〜第一沒極電極的通道長度方向的長度 b〜第二汲極電極的接觸長度 w；l〜第一TFT寬度 w2〜第二TFT寬度
2066-3880-Pf.ptd 第22頁
Claims (1)
1 · 一種顯示裝置，包括·· 的閑極電極配 線； 含有形成於絕緣性基板上之問極電極 含有經由該閘極電極配線與 極電極配線； /、、、、、父又之源電極的源 形成於該閘極電極配線與誃 近的薄膜電晶體；以及 、/Λ、電極配線之交又部附 包含該薄膜電晶體之汲極電極且 極電極配線； 电位且連接於晝素電極的汲 極配：中：：ΐ電晶體在源極電極之兩側具有2個汲極電 個端邙盥，二f2個汲極電極配線之源極電極相對之各 W、：述閘極電極配線重疊部分形成2個汲極電極。 如申請專利範圍第丨項所述之顯示裝置，其 j極電極配線與前述2個汲極電極配線之各個前述重疊 为的面積實質上相等。 且" 31如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中前述 $極電極配線與前述2個汲極電極配線的各個前述重疊部 5的 >專膜電晶體的通道長方向的長度實質上相等。 田4·如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中前述 f疊部分的薄膜電晶體的通道長方向的長度至少為不影響 如述溥膜電晶體的電流特性降低之長度。 5·如申請專利範圍第1、2、3或4項所述之顯示裝置， 其中前述汲極電極配線的一端的通道寬度方向的整個區域 在與閘極電極配線重疊部分形成前述汲極電極。
520460 六、申請專利範圍 6. ^申請專利範圍第1、2、3或4項所述之顯示裝置， 其中在前述源極電極的兩側與該源極電極相對之汲極電極 配線的通道寬度方向的一部分與前述閘極電極配線重疊 分形成 及極電極。 如申請專利範圍第1、2、3或4項所述之顯示裝置， 其中從刖述源極電極配線拉出至前述源極電極之源極電極 配線相對於前述絕緣性基板而於前述閘極電極配線上 經由絕緣膜而設置。 卜
8·如申請專利範圍第1、23或4項所述之顯示裝置， :ί相對於前述絕緣性基板，在從前述源極電極配線拉出 月J述源極電極之源極電極配線之下或上形成半導體膜。 苴由9户ΐ申请專利範圍第1、2、3或4項所述之顯示裝置， 、刖述源極電極之各兩側與該源極電極相對而配設史 及極電極配線’在前述薄膜電晶體與晝素電極之間相 互連接，且僅在一處與該晝素電極相連。 置，=·如^申请專利範圍第1、2、3或4項所述之顯示裝 ./、中則述沒極電極配線是以與晝素電極同樣的膜形
11 ·—種顯示裝置的製造方法，包括： j緣性基板上形成閘極電極配線圖案； 设蓋该閘極電極配線的絕緣膜； 在該絕緣膜上形成半導體膜；、 在4半導體膜上增層源極/汲極電極組成之導電膜
520460 六、申請專利範圍 -^4.,,,, ^ 2· 一種顯不裝置的製造方法，包括·· 在絕緣性基板上增層源極/汲極組成之導電膜； 相對二\層之‘電膜’於源極電極的兩側在與該源極電極 對之2個汲極電極配線的通道長度方向的端部與前 亟電極配線重疊的部分形成汲極電極之圖案化步驟； 在该源極/沒極電極上形成半導體膜； 形成覆蓋該半導體膜之絕緣膜；以及 在該絕緣膜上形成閘極電極圖案。 步 1 3 ·如申請專利範圍第11或1 2項所述之顯示裝置的製 造方法’其中還包括形成與前述汲極電極配線連接之畫素 電極圖案，前述没極電極配線是在與前述書去雷技^ · 驟形成。
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |