TW520405B - Methods for etching a trench in a silicon layer - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520405 A7 _____ B7 五、發明說明（3 ) 規則◦商業上可接受的蝕刻結果係重要的，因爲它們使得 特定的方法可用於製造半導體產品，與之相對的是僅可當 作學術練習而欠缺某些蝕刻基準不能實際製造使用的方法 〇 爲了幫助討論，圖2描述一已經在矽層1 〇 4內蝕刻 出的溝2 0 2，其係在高密度電感耦合電漿處理室中用 s F 6 / 0 2當作蝕刻劑源氣。如圖2中所示，由於接近溝 2 〇 2之開口處的高側蝕程度，而在區域2 0 4內發生光 罩下切。更下方，看到溝之內表面有些粗糙處。茲推測粗 糙區域2 0 6可能部分是因爲這些區域的不充分鈍化。 更顯著地，發覺A R D E (取決於蝕刻的長寬比）在 底材上係特別嚴重的。舉例言之，〇 · 8微米溝的飩刻速 率與1 · 5微米溝的蝕刻速率之比較結果顯示在一案例中 A R D E係幾乎1 〇 〇 % (即是，1 · 5微米溝的鈾刻速 率係約兩倍快於〇 . 8微米溝的鈾刻速率）。高A R D E 程度導致在底材上的某些溝產生差的飩刻結果，使得S F 6 /〇2化學品爲主的蝕刻技術不能適用於高密度/電感耦合 電漿處理室中， 鑒於上述，本案爲在底材之矽層內飩刻溝的改良技術 ，其使用高密度電漿處理室。 發明槪述 本發明在一實施例中係關於一種在單晶矽層內蝕刻溝 的方法。此方法包括提供一種具有電漿處理室的電漿處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) ------；----Γ 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -6 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520405 A7 _ B7 五、發明說明（4 ) 系統。電漿處理系統具有一可變電漿發生源及一可變離子 能源’其中與可變離子能源無關地來獨立控制可變電槳發 生源。此方法更包括使一含有0 2、氦及至少S F 6和 N F 3中一者的蝕刻劑源氣流入電槳處理室內。其亦包括激 勵可變電漿發生源及可變離子能源以由鈾刻劑源氣形成電 漿。此外，其亦包括採用電漿來蝕刻溝。 在另一實施例中，本發明關於一種在矽層內蝕刻溝的 方法。此方法包括提供一種具有電漿處理室的電漿處理系 統。電槳處理系統具有一可變電漿發生源及一可變離子會g 源，其中與可變離子能源無關地來獨立控制可變電漿發生 源。此方法更包括使一含有〇2、氨及s F 6蝕刻劑源氣流 入電漿處理室內，其中氨的流速係大於鈾刻劑源氣總流速 的約6 5 %。其亦包括激勵可變電漿發生源及可變離子倉g 源以由蝕刻劑源氣形成電漿，及採用電漿來蝕刻溝。 在硏讀以下詳細說明和硏究不同的圖式將明瞭本發明 的這些和其它缺點。 圖式之簡單說明 藉由非用以限制的實例來說明本發明，圖中相同的參 照號數係指相同的元件，且其中： 圖1爲了幫助討論而描述一種簡化的層疊物，包括一 石夕層及一用於砂層內蝕刻溝的光罩層。 圖2描述一已經在矽層內飩刻出的溝，其係在高密度 電感耦合電漿處理室中用S F 6 / 0 2當作蝕刻劑源氣。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） t*· -----------;—裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅2事項再填寫本頁) 520405 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 圖3描述一已經在矽層內鈾刻出的溝，其係在低密度 平行板型電漿處理系統中經由硬罩層的開口。 圖4顯示TCPTM 9400 SE電漿反應器之簡 化示意圖，其代表一種適用於本發明的電漿處理室。 圖5顯示依本發明的一實施例之處理步驟，其涉及在 高密度電漿處理室中形成一穿過底材之矽層的溝且採用氦 /〇2 /無碳含氟的氣體當作鈾刻劑源氣。 主 要 元件對照表 1 〇 〇 層 疊 物 1 〇 2 光 罩 層 1 〇 4 矽 層 1 〇 6 開 □ 2 〇 2 溝 2 〇 4 域 2 〇 6 域 3 〇 2 溝 3 〇 4 硬 罩 層 3 0 6 is 域 3 0 8 傾 斜 側 壁 4 0 2 室 4 〇 4 電 極 4 〇 4 線 圈 4 〇 6 R F 發 生器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----I--訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 520405 五、發明說明（64 0 8 44 〇 4 145 0 2 5〇45 0 6 5 0 8 氣體分配板 底材 夾盤 R F發生器 步驟 步驟 步驟 步驟 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳實施例之詳細說明 現將參閱附圖中所示的一些較佳實例來詳細說明本許 明。在以下說明中，陳述許多明確的細節以便對本發明有 徹底之了解。然而，熟悉技藝者將明瞭沒有這些細節的部 分或全部仍可實行本發明。在其它例子中，未詳細說明眾 所周知的處理步驟及/或結構，以便不會模糊本發明。 依本發明一觀點，以相當高的流速將氨氣加到無碳、 氧/赢爲主的化學品中以使得能在局密度電漿室中進行溝 的飩刻。特別地，將相當高流量的氨氣（例如大於總流動 體積的約6 5 % )加到〇2 / S F 6 (或N F 3 )中以使得 能在高密度電漿室中進行溝的蝕刻。 高密度電漿處理室中較宜採用高氦氣流量、氧/氟爲 主的化學品，該室具有分開控制電漿源和離子能源的能力 。當如此採用時，與採用氟爲主的化學品或S F 6 /〇2的 先前技藝蝕刻技術（沒有高的氦氣流量）比較下，發覺實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -9- 520405 A7 B7 五、發明說明（7 ) 質改良的光罩選擇性、A R D E、蝕刻速率及粒子污染。 雖然不希望被理論所拘束，但是相信添加相當高流動 體積的氮氣會因增加離子能量而改良蝕刻的定向性，藉以 增加進入溝內的垂直鈾刻速率以及減少光罩下切。茲相信 添加高流量的氦氣會實質地增加電漿的離子能，因爲氦本 身的游離能係高於S F 6或〇2的游離能。當添加大體積的 氨氣（例如大於總體積流量的約6 5 % )，在氦變成離子 化之前可用的S F 6和〇2係實質上全部在室中被離子化了 。不需要產生額外的電子和離子，在電極處將電位提升， 此增加峰對峰之電壓以及電漿處理室內的電漿之離子能。 電漿的較高離子能（由於高流量的氮氣所致）協同電漿處 理系統之偏壓功率所供應的離子能而改良蝕刻的定向性。 如所述，本發明較佳使用於高密度電漿處理室中，其 中可獨立地控制電漿發生源及離子能源。獨立控制離子能 供給源的能力使得蝕刻過程達到最佳化而與離子密度無關 ’俾適應電漿之增加的離子能（其部分係由高流量的氮所 致）。 不使用本文中所述的高流量，則當採用於低密度電漿 處理系統時，已經證明S F 6 /〇2會產生商業上不能接受 的結果。舉例言之，L e g t e n b e r g和S a y a u報告說顯著的光罩 下切、負傾斜的輪廓、微光罩、低鈾刻速率、不良的溝形 或任一以上的組合。例如見：使用SF6/〇2/CHF3 赶^之各向異性反應離子鈾刻，R. Legtenberg, H. Jansen, M. de Boer，M. Elwenspoek，電化學學會雜誌，第 1 4 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 tr---------♦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 10 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520405 A7 _ _____ B7 五、發明說明（8 ) 冊，第6號，（1995)及使用S F 6 /〇2氣體混合物 迫^之反應離子蝕刻，T. Syau，B. Baliga，R. Hamaker， 電化學學會雜誌，第138冊，第10號，（1991) 〇 令人驚異地，將氦氣加到〇2 / S F 6化學品中，縱使 在相當高的流速，當使用於低密度電漿處理系統時，並不 會產生適宜的鈾刻結果。爲了幫助討論，圖3描述一在低 密度平行板型電漿處理系統中經由硬罩層3 0 4的開口而 在矽層1 0 4內触刻出的溝3 0 2。在圖3的例子中，触 刻期間電漿處理室內的離子能係大約1 0 1 ^至1 0 1 1離子 /立方公分。如圖3中所示，當企圖在低密度平行板型電 漿處理系統內用氦/〇2 / S F 6時，看到區域3 0 6的嚴 重光罩下切。而且蝕刻輪廓的特徵係在於傾斜的側壁 308，其產生令人不能接受的溝形。而且，在溝302 之底部出現嚴重的粗糙度，看到溝之傾斜側壁3 0 8與底 部之間的角落區域有微溝◦就發明人在此處尙未了解的原 因而論，高的氦流量似乎僅在高密度電漿處理系統中產生 商業上可接受的蝕刻結果，且較佳是在一種高密度電漿處 理系統其中獨立地控制電漿發生源和離子能源。 同樣令人驚異地，當用另一種惰氣來代替氦氣時，蝕 刻結果變差。因此，茲相信氦的特殊游離能搭配其之稀釋 效果及使用高密度電漿處理系統同時在高密度電漿處理室 中蝕刻溝係爲產生商業上可接受的蝕刻結果之關鍵。 預料本發明的改良溝鈾刻技術可在任一適合的高密度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------.----Γ 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) -11 - 520405 Α7 Β7 五、發明說明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電漿處理系統（即，那些具有離子密度大於約1 0 1 2離子 /立方公分者）中實行，包括那些適用於乾鈾刻、電漿鈾 刻、反應離子鈾刻（R I E )、磁增強反應離子鈾刻（Μ E R I Ε )或類似法者。此係真正不拘於是否經由電子迴 旋諧振源（E C R )、微波電漿源、經由電感耦合R F源 如螺圏、螺旋形諧振器和感應線圈（是否平面）傳遞能量 給電漿。其中E C R和T C Ρ -牌（變壓器耦合電槳）電 漿處理系統係可得自於加州Fermont的Lam硏究公司。如上 述，本發明較佳係在一種電漿處理系統中實行，該系統容 許與離子能源無關地來控制電漿發生源。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在一實施例中，本發明係在TCPTM 9400 S E低壓高密度電漿反應器（其得自於L a m硏究公司）實 行，但是如上述，當然可採用任何其它習知且適合的電漿 處理系統。圖4顯示T C Ρ τ M 9 4 0 0電漿反應器 400之簡化示意圖，其包含一電漿處理室402。在室 4〇2上方設有一電極4 0 4，其係由圖4例子中的感應 線圈所操作。線圈4 0 4代表電漿發生源且係被R F發生 器4 0 6經由一匹配網絡（未示於圖4中）所激勵。供應 給線圈4 0 4的R F功率可具有例如1 3 · 5 6 Μ Η Z的 R F頻率。 室4 0 2設有一氣體分配板4 0 8，其較佳包含複數 個孔，用於將氣體來源物質分配入R F -感應電漿區（介 於其本身和底材4 1 〇之間）內。亦可由建造於室本身之 壁內的口或由另一氣體分配裝置如一位於底材上方的蓮蓬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 520405 A7 _-__B7 五、發明說明（10) 頭來釋出氣體來源物質。將底材4 1 〇引入室4 0 2內及 女置在 夾盤4 1 2上’其充作底電極及較佳係被射頻發 生器4 1 4所偏壓（典型上亦經由一匹配網絡）。R F發 生器4 1 4所供應的R F能量係控制部分的電漿能量且例 如具有13 · 56MHZ的rf頻率，但是可亦採用其它 R F頻率。夾盤4 1 2可代表任一適合的工件夾持具且例 如可爲靜電夾盤（ESC)、機械型夾盤、真空夾盤等等 。在電獎鈾刻期間’室4 〇 2內壓力較宜保持低的，例如 在一實施例中係介於3 0和約6 〇毫托之間。 圖5說明依本發明一實施例的改良溝蝕刻技術，其中 採用高氮流量、氧/氟爲主的化學品在高密度電漿處理室 中於矽層內蝕刻溝。 步驟5 0 2中’提供一具有電漿處理室的高密度電漿 處理系統。如所述’高密度電漿處理系統所指的電漿處理 系統係其中產生具有離子密度大於約1 〇 1 1 / 1 〇 1 2離子 /立方公分的電漿以用於蝕刻者。對照下，中或低密度電 獎處理系統傾向於產生具有電獎密度低於約1 〇 1 1離子/ 立方公分的電漿。步驟5 0 2的高密度電漿處理系統較佳 爲能容許獨立地控制電槳發生源和離子能源以便獨立地控 制電漿密度和電漿離子能。步驟5 0 4中，一包含〇2、氨 及無碳含氟氣體（即是，一不含碳的含氟氣體）的蝕刻劑 源氣流入電漿處理室內。步驟5 0 4的含氟氣體較佳係 S F 6 及 / 或 N F 3。 步驟5 0 6中，由步驟5 0 4所提供的蝕刻劑源氣打 ------_----τ 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 520405 A7 B7 五、發明說明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 出電槳。然後利用蝕刻劑源氣於底材的砂層內蝕刻溝（步 驟5 0 8 )。如稍早所述，矽層可代表一微晶矽層。.當達 到所欲的溝深度則停止蝕刻，此在預定的時間長度後或藉 蝕刻期間監視溝的深度。 在以下實例中，預料以下參數可適用於蝕刻一種六吋 微晶矽晶圓，該晶圓上具有有約〇 · 5微米厚的硬罩。再 者，以下所述的大約參數係適用於在上述具有氣環電介質 的T C Ρ τ M 9 4 0 0 S E電漿處理系統中進行此示範 的蝕刻。然而應記在心上地，本發明非被其所限制，且使 本文中所揭示的參數和技術達到最佳化以適用於特定電漿 處理系統及/或底材的個別要求係屬於熟悉技藝者的技能 範圍內。 在此實例中，所欲鈾刻出的溝係具有約0 · 1 5微米 至2微米的溝開口且鈾刻至約1至1 5微米的深度。以相 當高流動體積的氮氣於一容許獨立控制電漿發生源和離子 能源的高密度電漿處理室中執行鈾刻。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此示範的蝕刻中，氦氣流量對總流動體積的比値係 介於6 5 %和約9 0 %之間，更佳介於約7 0 %和約8 5 %之間，尤佳約7 5 %。S F 6流量對〇2流量的比値係另 一重要參數且係介於約0 . 8和約2 · 0之間，較佳介於 約1和約1 . 6之間，尤佳約1 · 3。氧氣流量對總流動 體積的比値係介於約5 %和約2 0 %之間，較佳介於約8 %和約1 5 %之間，且尤佳約1 0 %。S F 6流量對總流動 體積的比値係介於約8 %至約3 0 %之間，更佳介於約 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520405 A7 ----- B7 五、發明說明（12 ) 1 〇 %和約2 〇 %之間，且尤佳約1 5 %。 在此代表性的蝕刻中，總流量（每分鐘的標準立方公 刀）(s c c m )係介於約4 0 s c c m和約6 0〇 s c C m之間，更佳介於6〇s c c m和約3〇0 s c c m之間，尤佳約1 0 0 s c c m。然而熟悉技藝者 將認淸總流量係取決於所欲處理的底材之大小以及室的設 計和其它交易（trade-off )的考量。底功率係介於約1 〇 瓦和約5 0瓦之間，更佳介於約1 5瓦和約4 0瓦之間， 且尤佳約3 0瓦。電漿處理室內的壓力係介於約3 0毫托 (m T )和約1 2 0 m T之間，更佳介於約4 0 m T和約 9 0 m T之間，且尤佳約6 〇 m T。夾盤的溫度係介於約 負3 0 °C和約8 0 °C之間，較佳介於0 °C和約5 0 °C之問 ，且尤佳約2 0 °C。注意溫度和〇2流量可互相平衡，溫度 的降低傾向於增加鈍化速率，可藉減少氧氣流量來補償它 ，因此不需要因溝底的過量鈍化而停止蝕刻作業。頂（ T C P )功率係介於約3 0 0瓦和約8 0 0瓦之間，更佳 介於約4 0 0瓦和約6 0 0瓦之間，且尤佳約5 0 0瓦。 飩刻的持續時間係視蝕刻深度而不同。舉例言之，就約 1 5微米深的溝而言，在一實例中蝕刻可能持續長達8分 鐘。 當採用本發明高氦流量、氧/氟爲主的化學品於高密 度電漿處理系統中在矽層內飩刻溝時，看到實質改良的飩 刻速率。舉例言之，已經在某些示範的蝕刻中看到每分鐘 丄.5至3微米的鈾刻速率。對照下，先前技藝方法產生 ^紙k尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 裝-------^訂--------- C請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁，> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520405 A7 B7 五、發明說明（13 ) 每分鐘僅約1微米的蝕刻速率。而且，看到的蝕刻輪廓和 光罩下切程度係在商業上根據製造基準來製造I C的有利 範圍內。亦實質上減少蝕刻速率的長寬比相依性。由於高 氮氣流量的加入，看到某些示範鈾刻中1微米和0 · 5微 米溝尺寸的A R D E係2 5 % (與先前技藝中的約1 0〇 %作比較）。預期本發明的鈾刻技術將適用於蝕刻現代之 高密度I C，例如那些採用最高8微米深及約3 0 : 1長 寬比的溝者（使用0 · 2 5微米光罩）。預料本發明亦可 用於飩刻與0 · 1 5微米（開口尺寸）同樣小的溝，或更 小，及約1 : 1至約4 0 : 1的長寬比的溝，且甚至可用 於蝕刻具有更高長寬比的溝（例如約1 〇 〇 : 1或更大） 0 更重要地，獲得高鈾刻速率及茼業上可接受的蝕刻結 果，不必須採用氟爲主的化學技術，後者如稍早所言係爲 一種相當”髒”的方法且需要頻繁地淸理電漿處理室。由 於室需要較少的淸理次數，所以增加底材的通過料量，而 降低所得之半導體爲主的裝置之製造成本。 雖然已經參照數個較佳實施例來說明本發明，但是替 代例、互換例及均等例仍落於本發明的範圍內。應注意的 是有許多執行本發明方法和裝置的替代方式。因此，以下 所附的申請專利範圍係意欲包括該些落於本發明的範圍內 的替代例、互換例如均等例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一* , _ 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I - -16-

Claims (1)

1. 520405 公-告本 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 附件一（A):第88 1 04862號專利申請案 中文申請專利範圍修正 民國

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 . 一種用於在單晶矽層內蝕刻溝之方法，包括： 提供一具有電漿處理室的電漿處理系統，該電漿處理 系統具有一可變電漿發生源及一可變離子能源，其中與該 可變離子能源無關地來控制該可變電漿發生源； 使一含有〇2、氨及至少S F 6和N F 3中一者的鈾亥[J 劑源氣流入該電漿處理室內； 激勵該可變電漿發生源及該可變離子能源以由該鈾刻 劑源氣形成電漿；及 採用該電漿來蝕刻該溝，其中該電漿具有大於1 〇 1 1 離子/立方公分的密度。 2 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該可變電漿 發生源係電感源。 3 .如申請專利範圍第2項之方法，其中該電感源係 線圏，該線圈在被R F能量供應時係電感親合該電漿。 4 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該電漿的離 子密度係大於1 0 1 2離子/立方公分。 5 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該氨氣的流 速係爲該鈾刻劑源氣的總流速之6 5 %。 6 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該氨氣的流 速係爲該蝕刻劑源氣的總流速之7 0 %至8 5 %。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂

   本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 520405 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8A、申請專利範圍 7 . —種用於在矽層內蝕刻溝之方法，包括： 提供一具有電漿處理室的電漿處理系統，該電漿處理 系統具有一可變電漿發生源及一可變離子能源，其中與該 可變離子能源無關地來控制該可變電漿發生源； 使一含有0 2、氦及S F 6的蝕刻劑源氣流入該電漿處 理室內，其中該氨氣的流速係大於該蝕刻劑源氣的總流速 之 6 5 % ; 激勵該可變電漿發生源及該可變離子能源以由該蝕亥!J 劑源氣形成電漿；及 · 採用該電漿來蝕刻該溝。 8 .如申請專利範圍第7項之方法，其中該可變電漿 發生源係電感源。 9 .如申請專利範圍第7項之方法，其中該電漿的離 子密度係大於1 0 1 1離子/立方公分。 1 0 . —種用於鈾刻單晶矽層之方法，該單晶層係配 置在一底材上，包括： 提供一具有電漿處理室的高密度電漿處理系統，該電 漿處理系統具有一可變電漿發生源及一可變離子能源，其 中與該可變離子能源無關地來控制該可變電漿發生源； 使一含有〇2、氨及至少S F 6和N F 3中一者的蝕亥fj 劑源氣流入該電漿處理室內，其中該氯氣的流速係大於該 鈾刻劑源氣的總流速之6 5 % 激勵該可變電漿發生源及該可變離子能源以由該蝕亥^ 劑源氣形成電漿，其中該電漿具有大於1 0 1 1離子/立方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂

   520405 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 公分的密度；及 採用該電漿來蝕刻該單晶矽層。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中該氦氣 的流速係爲該蝕刻劑源氣的總流速之7 0 %至8 5 %。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中該氨氣 的流速係爲該鈾刻劑源氣的總流速之7 5 %。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中該可變 電漿發生源係電感源。 1 4 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中該可變 離子能源係一種底電極，偶合接受R F發生器的功率，該 底材係配置於該底電極上方。 1 5 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中S F 6對 〇2的流量比値係介於〇 · 8和2 · 0之間。 1 6 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中該電漿 的離子密度係大於1 0 1 2離子/立方公分。 1 7 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中在該蝕 刻期間該電漿處理室內的壓力係介於3 0毫托與6 0毫托 之間。 1 8 . —種用於蝕刻單晶矽層之方法’該單晶層係配 置在一底材上，包括： 提供一具有電漿處理室的高密度電漿處理系統，該電 漿處理系統具有一可變電漿發生源及一可變離子能源，其 中與該可變離子能源無關地來控制該可變電漿發生源； 使一含有0 2、氦及N F 3的蝕刻劑源氣流入該電漿處 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐） q _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 訂I

   520405 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 理室內，其中該氦氣的流速係大於該蝕刻劑源氣的總流速 之 6 5 % ; 激勵該可變電漿發生源及該可變離子能源以由該蝕刻 劑源氣形成電漿，其中該電漿具有大於1 0 1 1離子/立方 公分的密度；及 採用該電漿來蝕刻該單晶矽層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -4-