TW519673B - Plasma processing apparatus - Google Patents

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519673 A7 -------------- B7_______ 五、發明説明（1 ) "~^ ~- 【相關申請案之對照參考資料】 ， 此申請案係植基於並主張來自先前於2〇〇〇年7月19日 申請的日本申請案第2〇〇〇-2 19783號的優先權利益，其整個 内容在此被併入參考。 【發明背景】 1·發明領域 本發明係關於一種能夠於電漿產生期間抑制由於濺鍍 至一處理閥室壁面所造成之損害的電漿處理裝置。 2 ·相關技藝說明 傳統上’係有兩種電漿處理裝置，一種係應用具有一 單一頻率之高頻電源來產生電漿，另一種係應用具有兩種 頻率之高頻電源來產生電漿^特別是後者之電漿處理裝置 係配置成利用具高頻之高頻電源以產生高密度電漿並利用 具低頻之尚頻電源以產生一偏差電位β於最近幾年，常用 的電漿處理裝置係根據需要改變兩種頻率^ 如第10圖所示，該電漿處理裝置包含上及下電極2&及 2b和第一及第二南頻電源供應器3&及3b。該上及下電極2a 及2b於一處理闊室1内以平行面對彼此方式排列。該第一及 第二南頻電源供應器3a及3b以具有不同頻率之第一及第二 高頻電源供應該上及下電極2a及2b。 一匹配電路5a係設於連接該第一高頻電源供應器3a 3b及該上電極2a之一第一電源供應線4a的中間。一匹配電 路5b係設於連接該第二高頻電源供應器补及該低電極“的 一第一電源供應線4b。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-4- 519673 A7 B7 五、發明説明（ Γ 請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 再者，該第一電源供應線4a與一第一濾波電路6a連接 作為一回歸電路，該第一濾波電路6a具有一固定電路常數 並減小一第一南頻成分。在該第一及第二濾波電路以及6b 中，每一電路常數被設成一與一被濾波之高頻共振的值。 當將電漿處理應用至如一個半導體晶圓之處理物件 時，譬如該處理物件被放置在該低電極孔上。該第一及第 二高頻電源供應器3a及3b分別供應對應之高頻電源給該上 及下電極2a及2b以在兩者之間產生電漿p。再者，將一偏壓 加至該低電極2b以執行用於該低電極2b上之半導體晶圓的 特定電漿處理。 .訂丨 該電漿處理裝置減小於該第一及第二電源供應線乜及 4b上具有不同頻率之高頻電源，該第一及第二高頻電源供 應器3a及3b在一最佳條件下分別供應高頻電源給該上及下 電極2a及2b。 •線· 然而在此技術中，於該電漿電位及該處理閥室1之壁面 間產生一電位差。由於電漿中之離子成分的濺鍍腐蝕該壁 面’同時用兩種高頻電源和應用單一頻率的情形相比減少 一用於一電極的有效接地面積。為了減少接地面積而增加 濺鍍率，導致該壁面更大損害，這已是縮短該處理閥室壽 命（可用期）的原因。 當該處理物件，如一半導體晶圓，具有一增加的面積、 生產量的增加或高頻電源的增加以更增加該濺鍍率等時， 縮短該處理閥室壽命的問題變得更嚴重。 傳統上，已有人採取一些對策來抑制對於該壁面的損 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公 -5- 519673 A7 ---- B7_ 五、發明説明^ ) ' "~一 " 害。例如，擴大處理閥室以增加接地面積並減少滅錢率， 或將樹脂塗層施加至壁面以避免間室的磨損。無論如何， 尚無有效的對策可用，以致引發需有額外處理而增加成本 的問題。 【發明概要】 本發明之目的係提供一種能夠於電漿產生期間減少損 害-處理閥室壁面之賤鍍率並延長該處理闊室的可用壽命 的電漿處理裝置。 為達成上述目的，一種根據本發明將一特定電漿處理 應用至一處理物件之電漿處理裝置包含於一處理閥室内以 平行之面對面排列的第一及第二電極；一經由一第一電源 供應線將第一高頻電源加至該第一電極之第一高頻電源供 應器，一經由一第二電源供應線將第二高頻電源加至該第 電極之第一咼頻電源供應器；一用來減小流經該第一電 源供應線之該第二高頻電源的第一濾波電路；及一用來減 小流經該第二電源供'應線之該第一高頻電源的第二濾波電 路，其中该第一濾波電路包含一用來改變一電路常數之可 變電谷器，其係為了自將該第二高頻電源減至最小之最佳 諧振點增加一諧振點，及用於電漿產生期間減少用於該處 理閥室之壁面的濺鍍率β 本發明之其他目的與優點將於以下之說明提出且自描 述中可獲得某種程度上的明瞭，或藉本發明之實施而可得 知。用特別是以下所指出的手段及組合可了解並獲得本發 明之目的與優點。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公釐） f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j -訂丨 :線丨 -6- 519673 A7 B7 五、發明説明（4 ) _ 【圖式簡介】 ， 其被併入並構成部分詳述的附圖說明本發明之實施 例’並連同以上所給予之一般描述及以下所給予的詳細描 述作為本發明原理之解釋。 第1圖係根據本發明第一實施例電聚處理裝置的配置 圖； 第2圖係顯示當省略第1圖中的第一濾波電路時來自一 電源供應線上之第二高頻電源供器的電壓特性； 第3圖係顯示當第1圖中之第一濾波電路的電容量設成 2500pF時來自該電源供應線上之第二高頻電源供器的電 壓特性； 第4圖係顯示當第}圖中之第一濾波電路的電容量設成 2000pF時來自該電源供應線上之第二高頻電源供器的電 壓特性； 第5A圖係顯示當電容量為25〇〇pF時用於該處理閥室 壁面之濺鍍率與用於該濾波電路之電容量之間的關係；. 第5B圖係顯示當電容量為22〇〇pF時用於該處理閥室 壁面之賤鍍率與用於該濾波電路之電容量之間的關係； 第6圖係顯示於漱錄率的減少； 第7圖係根據本發明第二實施例電漿處理裝置的配置 圖 圖 第8圖係根據本發明第三實施例電漿處理裝置的配置 第9圖係根據本發明第四實施例電漿處理裝置的配置

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可| :線丨 519673 A7 ____B7 __ 五、發明説明（5 ) 圖；及 ， 第10圖係例示一習知電漿處理裝置的配置圖。 參考附圖以詳盡說明本發明之實施例。 【本發明之詳細說明】 參考第1至6圖，以下說明本發明的第一實施例。 第1圖蓋略地顯示作為該第一實施例之一用於蝕刻的 電漿處理裝置10。此電漿處理裝置1〇包含一由導電物質， 例如鋁，所形成的處理閥室（處理區）i 1。在此處理閥室i i 中，一上電極12及一下電極13以一特定之間距面對面的平 行設置，該上電極12經由一第一電源供應線16及一第一匹 配電路17連接至一第一高頻電源供應器14，該下電極13經 由一第二匹配電路19連接至一第二高頻電源供應器15,該 下電極13亦可當作一用來設置一例如半導體晶圓之處理物 件的夾盤台之用。 該第一高頻電源供應器14將如60MHz高頻電源加至該 上電極12。於供應在該上電極12與該下電極13之間之處理 氣體的環境中產生電漿P。 該第二高頻電源供應器1 5將2MHz高頻電源加至該下 電極13以產生一相對於電漿電位之偏差電位。在該電漿中 一離子成分傳入一半導體晶圓W之表面以執行如反應離子 蝕刻（RIE)。 因設有該第一匹配電路17，使該上電極12有機會自該 第一兩頻電源供應器14得到最大功率供應。因設有該第二 匹配電路1 9，使該下電極丨3有機會自該第二高頻電源供應- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-

•訂I :線丨 -8- 519673 A7 _________B7 ___ 五、發明說明（6 ) 器1 5得到最大功率供應。 ， 該第一電源供應線16設有一第一濾波電路20 ^該第二 電源供應線18設有一第二濾波電路21。該第一濾波電路20 包含一可變電路常數之LC串聯諧振電路，該LC串聯諧振電 路選擇性地過濾一自該第二高頻電源供應器15之高頻電流 輸出以避免該電流到達該第一高頻電源供應器14。該第二 濾波電路21包含一固定電路常數之LC串聯諧振電路。此LC 串聯諧振電路避免一自該第一高頻電源供應器14的高頻電 流到達該第二高頻電源供應器15 ^ 藉由利用一可變電容器20a並改變該電容值來改變用 於該第一濾波電路20之電路常數。藉由改變該可變電容器 20a之容量減少根據該電漿p之濺鍍率。 在根據本發明的電漿處理裝置中，該第一渡波電路2〇 並不限於作為一回歸電路之用。因該電路常數係可變的， 對於如此僅稍微影響產能之程度隨該電漿電位變化及減少 該錢鍍率，該第一慮波電路亦允許該電容器電容根據該錢 鍍率而改變。因可減少該濺鍍率，有可能抑制對於該處理 閥室11之壁面的損害並且延長該處理閥室之壽命（可用 期）。 以下說明如何設定該第一濾波電路20之電路常數。首 先，找出該最佳諧振點。 該第一高頻電源供應器14(60MHz)及該第二高頻電源 供應器1 5(2MHz)將南頻電源分別加至該上電極12及兮下 電極13。藉由測量在如該第一電源供應線16上之a點的電 ----------------------.··裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- :線- -9- 519673 A7 _B7__ 五、發明説明（7 ) 壓波形改變該第一濾波電路之電容量。 ， 例如，當該第一濾波電路20的線圈20b之電感被設定成 2.5μΗ，，諧振於2MHz高頻之電容量幾近為2,500 p卜當應 用二種頻率（60MHz與2MHz)時，該電容器電容被分成三類 型，即，不設濾波電路，該電容量設為2500pF及該電容量 設為2000pF。測量每一類型之電壓波形，依照測量結果， 第2圖係顯示不設濾波電路之電壓特性，第3圖係顯示該電 容量設為2500pF之電壓特性，第4圖係顯示該電容量設為 2000電壓特性。 由該圖式清楚看出，當線圈電感固定為2.5 μΗ，該電 容量係為2500pF，允許該電壓波形至最佳正弦諧振波形。 當該電容量設為2000pF時，相較於2500pF該正弦波係稍微 的變形。 於是，當該第一濾波電路2 0僅作為一回歸電路使用 時，設定該電容量至2500PF係提供一最佳諧振點。然而根 據本發明，該第一濾波電路20除了作為一回歸電路之功能 外必須具有減少濺鍍率之功能。 為此目的’該上述最佳諧振點只需被移動，為了如此， 頻率f(=l/2 7Γ 大，其中c係為電容及L係為電感（線 圈）。 特別地，檢查該濺鍍率及該電容量之間的關係。為此 目的’該電聚處理裝置係在以下之條件下被操作。於該第 一濾波電路20中，所給予之該線圈電感係固定為2.5μΗ& 该電容量係設為2500pF，在以下之處理條件丨及2下測量該- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝丨 、τ 線- -10- 519673 A7 B7 五、發明説明 濺鍍率，該測量導致顯示於第5 A圖之關係9同樣地，當該 電容量設為2000pF時，該濺鍍率之測量導致顯示於第5B圖 之關係。 1. 用<：4尸8/入1：/02氣體的處理條件 晶圓：300mm 蝕刻之薄膜：氧化矽薄膜 處理：接觸 用至該上電極之電源··頻率=60MHz，電源=3300W 用至該下電極之電源：高頻率=2MHz，電源=3800W 兩電極之間隙：35mm 處理壓力：20mTorr 處理氣體：C4F8=20sccm，Ar=400sccm，〇2=15sccm Φ 2. 用Αγ/〇2氣體的處理條件 蝕刻之薄膜：氧化矽薄膜 處理：接觸 用至該上電極之電源：頻率=60ΜΗζ，電源=3300W 用至該下電極之電源：高頻率=2MHz，電源=3800W 兩電極之間隙：35mm 處理壓力：20mTorr 處理氣體：Ar=400sccm，〇2=400sccm 根據第5A及第5B圖中的結果，清楚的是，比起設定在 2·5μΗ及2500pF的該濾波電路，設定在2·5μΗ及2000pF的該 濾波電路大大地減小用Αγ/02氣體的濺鍍率。再者，清楚的 是，在用於兩濾波電路之濺鍍率上該C4F8/Ar/02氣體引起 -11- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 519673 A7 B7 五、發明説明（ 小變化’主要地’該C^Fg/Ar/O2氣體係為一包含一化學反 應的化學濺錄。此意味著該電漿電壓隨該電路常數而改變。 於是發現該具有2·5μΗ及2000pF的濾波電路，其減少 該濺鍍率，較優於該具有2·5μΗ及2500pF的最佳譜振濾波 電路。然而’貫際上有關於該諧振現象，前者係稿微差於 後者。 根據上述之貫施例，該第一高頻線1 6設有用來減小一 來自該第二高頻電源供應器15之高頻電流的該第一遽波電 路2 0，δ亥第一南頻線1 8設有用來減小一來自該第一高頻電 源供應器14之高頻電流的該第二濾波電路21，設有該可變 電容器作為改變該第一遽波電路2〇的電路常數之用。 當该第一濾波電路20與一該第一高頻電源供應器14之 高頻共振，該濾波電路可能不提供一用來增加在該處理閥 室11壁面上之濺鍍率的電路常數。既然這樣，調整該第一 遽波電路20的該可變電容器2〇a以具有一電容量以至於該 諧振點成為較低於該最佳諧振點，如此能夠減少在該處理 闊室11壁面上之濺鍍率、抑制對其之損害並且延長該處理 閥室之可用壽命。 該第一實施例說明，藉由，於設在該電源供應線16上 之《玄第一濾、波電路2〇内，設有用來產生高密度電聚的可變 電谷器20a ’§亥電漿處理裝置能夠改變該電路常數的例子。 藉由以一固疋電谷器代替在該第一慮波電路内之該電容 器並以一可變電容器代替設在該電源供應線丨8上之該第二 濾波電路21内的該電容，亦可能提供類似效果。 (請先閲.讀背面之注意事項再填窝本頁) ;裝· -、τ. -12- 519673 A7 B7 _

五、發明説明（W 第7圖顯示根據第二實施例電漿處理裝，置之示意結構。 一電漿處理裝置30包含一由一傳導物質所形成之處理 閥室31。於該處理閥室31中，一上電極32及一下電極33以 特疋之間距平行設置以便彼此面對面。該上電極3 2經由 第一電源供應線36及一第一匹配電路37連接一第一高頻 電源供應器34，該下電極33經由一第二匹配電路39連接一 第二高頻電源供應器35，該下電極33亦可當作一用來設置 一處理物件，例如半導體晶圓，的夾盤台之用。 該第一高頻電源供應器34將如60MHz高頻電源加至該 上電極32。於供應在該上電極32與該下電極33之間之處理 氣體的環境中產生電漿P。 5玄第二向頻電源供應器3 5將2MHz高頻電源加至該下 電極33以產生一相對於電漿電位之偏差電位。在該電漿中 一離子成分傳入一半導體晶圓W之表面以執行如反應離子 蝕刻（RIE)。 該第一電源供應線36設有一用來減小一來自該第二高 頻電源供應器35之該第二頻率電源的第三濾波電路4〇。一 能夠改變該電路常數的第一濾波電路42設於在該第一電源 供應線36上之該第三濾波電路40及該處理闊室31之間。該 第二電源供應線38設有一用來減小該第一高頻電源的第二 濾波電路41。該第三及第二濾波電路40及41分別包含如具 有固定電路常數之LC串聯諧振電路。

該第一濾波電路42包含一可變電流器42a，該可變電流 器42a習慣於藉由稍微調低用於最佳諧振2.5μΗ及2500pF 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ..................：.：裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂| :線- -13- 519673 A7 五、發明説明（11 之電路常數至用於更差的有效諧振2·5μΗ及2〇〇〇奸之電路 常數來減少該濺鍍率。 於5亥第一電源供應線3 6上，該第三濾波電路4〇係專門 用於減小來自該第二高頻電源供應器3 5之高頻，該第一遽 波電路4 2係專門用於減少該丨賤鑛率。 於是’此第二實施例能提供類似於上述第一實施例之 效果。 該第二實施例說明，藉由，於設在該電源供應線36上 之該第一濾波電路42内，設有用來產生高密度電漿的可變 電容器42a，該電漿處理裝置能夠改變該電路常數的例子。 藉由以一可變電容器代替設於該電源供應線38上之第二遽 波電路41内用來產生一偏差電位的電容器，亦可提供類似 效果。 第8圖顯示根據第三實施例電漿處理裝置之示意結 構。於第8圖及用於第一實施例的第1圖中，彼此相關構件 指定為相同的參考標號，為求簡明省略其詳細說明。 此電榮·處理裝置50以一固定電容器代替一於連接至該 第一電源供應線1 6的第一渡波電路5 1内之可變電容 (C)，以一用來配置可變電感之可變線圈代替該固定線圈。 這是因為藉由使頻率f大於該最佳諧振點並將該諧振 電移至負數邊該類似效果係可行的。代替該電容量，為改 變該電感以至於該諧振點變大，因此，盡可能藉改變該可 變線圈5 lb的電感以增加該電漿P的濺渡率。 第9圖顯示根據第四實施例電漿處理裝置之示意結 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 0裝- 訂丨 -14- 519673 發明説明（12 , 構。於第9圖及用於第二實施例的第7圖中，彼此相關構件 指定為相同的參考標號，為求簡明省略其詳細說明。 根據此實施例之電漿處理裝置6〇係配置根據上述第二 實施例在該第一濾波電路42與第三濾波電路40之間設有一 選擇開關43。 此配置範例可選擇處理閥室保護及生產量以遵從用於 不同處理物件的處理條件。即，於該高頻電源供應器產生 小的高頻電源或在一短時間内處理該處理物件的情況下處 理可能對於該處理闊室影響很小《既然如此，該電漿處理 裝置選擇具固定電路常數的習知第三濾波電路4〇以對於改 進生產量之生產率給予優先考量《相比之下，於該高頻電 源供應器產生大的高頻電源或在一長時間内處理該處理物 件的情況下處理可能對於該處理閥室影響很大。既然如 此，該電漿處理裝置選擇第一濾波電路42以對於處理闊·室 保護給予優先考量。 保護處理閥室的内壁總是降低於某種程度内之生產 量，因設有該選擇開關，可決定是否優先考量處理閥室内 壁之保護或生產量之改進。 如同該第三實施例，藉由利用該可變線圈代替該可變 電容器，該第四實施例亦能提供類似效果。 上述的每一實施例能夠減少在處理閥室壁面上之濺渡 率、抑制對於處理閥室壁面的損害並且延長該處理閥室的 可用壽命。 其他的優點及修飾容易為熟知此技藝者看出，因此， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ......................裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂丨 線丨 -15- ---—-—. 五、發明說明（13 在此所示及說明之特定細節 明夕〜 即及興型的貫施例不能限定本發 =施範圍，於是，在不違反依本⑼專利 相定義之本發明之精神與目的下可作成不同的修飾。 10 11 12 13 14 15 16 17 30 ， 50 , 60… 電漿處理裝置 31…處理闊室 32···上電極 33···下電極 34··· 第一高頻電源供應器 35… 第二高頻電源供應器 3 6…第一電源供應線 37···第一匹配電路 元件標號對照表】 18，38…第二電源供應線 19，39…第二匹配電路 20 ， 42 ， 51… 第一濾波電路 20a，42a···可變電流器 20b...線圈 21，41.··第二濾波電路 40···第三濾波電路 43...選擇開關 51b...可變線圈 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -16-

Claims (1)

1. ABC D ·:種對處理物件施加特定電漿處理的電《理裝置，包 處理閥室内平行排列之第一及第二電極； 、呈由第一電源供應線將第一高頻電源加至該第一 電極之第一高頻電源供應器； 經由一第二電源供應線將第二高頻電源加至該第二 電極之第二高頻電源供應器； 用來減小流經該第一電源供應線之該第二高頻電源 的一第一濾波電路； 用來減小流經該第二電源供應線之該第一高頻電源 的一第二濾波電路；及 一位於該第一濾波電路内之電路常數變化裝置，用 於變化電路常數’以自將第二高頻電源減至最小之最佳 谐振點偏壓一諧振點。 2·根據申請專利範圍第丨項之電漿處理裝置，其中一使高 頻電源減至最小之諧振點取決於根據構成一濾波電路之 一電容器（電容量C)及一線圈（電感l)的頻率f(=1/2冗 7(^0) 0 3·根據申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中設有一 用來改變電路常數並於電漿產生期間減少用於該處理閥 至壁面的;賤鍵率的可變電谷器’以便使一諧振點大於一 使該第一高頻電源減至最小的最佳諧振點。 4·根據申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中設有一 用來改變該電路常數之可變線圈代替該可變電容器藉由 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210Χ297公釐） -17- 519673 Λ8 B8 •， C8

   六、申請專利範圍 改變電感以改變該電路常數。 ， 5· —種對處理物件施加特定電漿處理的電漿處理裝置，包 含： 第一及第二電極，係平行於一處理閥室以便於面對 面之設置； 一第一高頻電源供應器，係經由一第一電源供應線 將第一尚頻電源加至該第一電極； 裝 一第二高頻電源供應器，係經由一第二電源供應線 將第二高頻電源加至該第二電極； 訂 一第一濾波電路，係藉由一用於改變電路常數之可 變電容器於電漿產生期間用來減少用於該處理閥室之壁 面的錢鑛率以便使一諧振點大於一使流經該第一電源供 應線之該第二高頻電源減至最小的最佳諧振點； 一第二濾波電路，係用來減小流經該第二電源供應 線之該第一高頻電源；及 線 一第二濾波電路’係用來減小流經該第一電源供應 線之一第二高頻電源，其中該第三濾波電路係相鄰該第 一濾波電路設置。 6·根據申請專利範圍第5項之電漿處理裝置，其中代替該 第一遽波電路之該第二濾，波電路設有一用來改變電路常 數並於電漿產生期間減少用於該處理閥室壁面的藏鍵率 的可變電容器以便使一諧振點大於一使該第一高頻電源 減至最小的最佳諧振點。 7·如申請專利範圍第5項所述之電漿處理裝置，更包含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X297公釐） -18- 519673 Λ8 B8 C8 D8 六、申清專利範圍 ，、、擇開關係用於連接該第一濾波電路與該第三 ;慮波電路其中之_至該第_電源供應線， 其中4選擇_之選擇決定是否優先考量減小流經 該第1：源供應線之第二高頻電源或於電漿產生期間減 少用於該處理闊室壁面的濺鍍率。 包 8·種對處理物件施加特定電聚處理的電聚處理裝置， 含： 極； 於一處理閥室内以平行方式排列之第一及第二電 裝 經由一第一電源供應線提供第一高頻電源至該第 一或該第二電極其一之第一高頻電源供應器； 訂 一經由一第二電源供應線提供第二高頻電源至該第 一或該第二電極其一之第二高頻電源供應器； 一用於減弱流過該第一電源供應線之該第二高頻電 源的第一濾波電路； f 一用於減弱流過該第二電源供應線之該第一高頻電 源的第二濾波電路；及 一位於該第一濾波電路内之電路常數變化裝置，用 於變化電路常數，以自將第二高頻電源減至最小之最佳 谐振點偏壓一諧振點。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2 10X297公楚） -19-