JPH1030195A - プラズマエッチング装置 - Google Patents

プラズマエッチング装置

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JPH1030195A
JPH1030195A JP9096838A JP9683897A JPH1030195A JP H1030195 A JPH1030195 A JP H1030195A JP 9096838 A JP9096838 A JP 9096838A JP 9683897 A JP9683897 A JP 9683897A JP H1030195 A JPH1030195 A JP H1030195A
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electrode
counter electrode
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frequency power
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David H Tracy
エイチ トレイシー デビッド
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
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    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334Etching

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマエッチング装置において迷走放電を
低減する。 【解決手段】 エッチングを行なうための接地した反応
チャンバと、エッチングすべきフィルムを載せたウエハ
を受けるための対向電極および支持電極と、接地されて
いない無線周波電源とを有し、前記対向電極および支持
電極は前記反応チャンバの壁から絶縁されており、前記
無線周波電源は、前記対向電極と支持電極間に接続され
ており、前記両電極から前記反応チャンバへの放電を最
小にしつつ、エッチング動作を行なわせるためのもので
あり、前記無線周波電源は、前記対向電極と支持電極と
の間に接続された2次巻線を備えた整合変圧器を有し、
前記2次巻線に並列にインダクタンスが接続されてお
り、該インダクタンスによって前記チャンバに接続され
た素子の容量効果が減少させるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマエッチング
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】プラズマエッチング装置は無線周波電力
を与えられる一対の電極を有する反応チャンバを含んで
いる。エッチングすべきフィルムを載置したウエハがこ
れら電極の一方の上に配置される。このチャンバに適当
なガスが注入されそしてプラズマがフィルムのエッチン
グを行うべく形成される。エッチングされるフィルムの
種類によりこのエッチングプロセス中に無線周波が使用
される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような無線周波プ
ラズマエッチングに固有の問題の一つは電極から反応チ
ャンバおよびこの方式内の他の部分への迷走放電が大き
いということである。ウエハが接地された支持電極上に
あって電圧が上側の対向電極に加えられる場合には、対
向電極とウエハの間の電圧は対向電極と一般に接地され
ているこの方式内の壁部分間の電圧より常に低くなって
いる。すなわちウエハ自体が支持電極電位にならずウエ
ハの背面の絶縁コーティングにより支持電極から電気的
に絶縁されているためである。その結果いく分かの電流
が対向電極から、エッチングプロセスにおいて好ましい
ウエハにではなくこの方式内の種々の接地された表面に
流れることになる。
【0004】電源周波数が高くなればそれだけこの迷走
放電の問題が大きくなり、無線周波電流が接地面へと消
散される。この迷走放電はそれでも或る量の電力がウエ
ハに達しなければならないから大きな問題である。迷走
放電は突発的であり且つ不安定となる傾向を有する。す
なわちどの程度の電力がウエハに供給されそしてどの程
度が迷走放電に費やされるかを常に予測することは困難
である。
【0005】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、エッチングを行なうための接地した反応チャンバ
と、エッチングすべきフィルムを載せたウエハを受ける
ための対向電極および支持電極と、接地されていない無
線周波電源とを有し、前記対向電極および支持電極は前
記反応チャンバの壁から絶縁されており、前記無線周波
電源は、前記対向電極と支持電極間に接続されており、
前記両電極から前記反応チャンバへの放電を最小にしつ
つ、エッチング動作を行なわせるためのものであり、前
記無線周波電源は、前記対向電極と支持電極との間に接
続された2次巻線を備えた整合変圧器を有し、前記2次
巻線に並列にインダクタンスが接続されており、該イン
ダクタンスによって前記チャンバに接続された素子の容
量効果が減少させるように構成して解決される。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の構成により、電源周波数
が高くなればなるほど迷走放電が大きくなってしまうと
いう従来技術の問題が解決され、対向電極と支持電極を
反応チャンバの壁から絶縁して、両電極からチャンバの
壁に迷走放電が生じないようにすることができ、反応チ
ャンバを接地することによって、万が一チヤンバの壁に
迷走放電がリークしたとしても、迷走放電を接地に放電
させることができ、無線周波電力を供給される両電極と
プラズマエッチング装置の、この他の各部分との間の迷
走放電を極めて小さくすることができ、所要高周波電力
を極めて小さくすることができる。電極−接地無線周波
電位に対する迷走放電無線周波電流の依存性を示す第4
図から分かるように、シングルエンデッドエッチングの
場合の無線周波電圧29に対して、本発明の場合、30
で示すように、エッチング速度は同じであるが、迷走放
電電流は、ほぼ0の程度まで小さくすることができる。
【0007】本発明により、無線周波電力を受ける電極
と他の部分との間の迷走放電が最少となる。また電力要
求自体も最少となる。また、プロセスの一貫性および信
頼性が向上し、また空間エッチの均一性も改善される。
【0008】
【実施例】第1図に示す本発明の一実施例において、こ
のプラズマエッチング装置はプラズマエッチングチャン
バ10を有する。このチャンバの壁は接地され、あるい
は適当な基準電位点に接続される。このチャンバにはガ
スが注入されそして従来のごとくに冷却される。プラズ
マエッチング装置内の真空ポンプ系および他の要素のよ
うな物に関係する細部の多くは従来と同様であり本発明
に直接係わるものではないからこの説明においては図示
せずあるいは詳述しない。
【0009】チャンバ10内の対向電極12と支持電極
14はその壁から絶縁されている。支持電極14にはウ
エハ16が配置されている。このウエハ16は、絶縁膜
を介して支持電極14に容量結合される。この絶縁膜は
通常、ウエハまたは支持電極に設けられている。この容
量結合はウエハ16の無線周波電位を支持電極14のそ
れに近いものに維持する。
【0010】無線周波電源18が整合変圧器20に接続
されている。この変圧器は1次巻線22と電極12と1
4間に接続する2次巻線24を有する。同調用インダク
タンス26が2次巻線24に並列に接続されており、変
圧器20のマッチングを改善し、チャンバ10の容量と
放電容量の効果を打ち消すようになっている。
【0011】電極12と14は接地されておらず電源1
8からの逆相の無線周波信号により駆動される。そのた
め、夫々の電極の電位は従来のインダクタンスにおける
被駆動電極のそれの約半分となる。
【0012】2つの電極12と14からのグランドへの
容量性の迷走放電電流が等しくなるように、高周波電位
と任意の直流電位の両電位に対して、変圧器20の2次
回路全体を浮かせることができる。上述のように全体と
しての無線周波電圧は2個の電極間に等しく2分され
る。400KHzでのSiOのエッチングについての
エッチング特性は、勿論同じ無線周波電圧が電極間に加
えられるとすればシングルエンド方式と比較して基本的
に影響を受けないことがわかった。しかしながら第1図
の例を用いた場合無線周波電力要求は少なくなり他の利
点が得られることがわかった。
【0013】殆んど放電が消滅したものと考えることの
出来る400KHzでのこの迷走放電の減少は電極から
接地点までの無線周波電位に関しての迷走放電電力の非
線形性によるものである。迷走電力は電極電圧Vcにお
いて比較的鋭い遮断特性を示すようにその電圧の少なく
とも自乗をもって増加することがわかった。それ故、ピ
ーク電極電圧から接地電圧までを半分にすることは極め
て有効である。
【0014】第4図の曲線28は電極−接地無線周波電
位に対する迷走放電無線周波電流の依存性を示してい
る。29で示す無線周波電圧は代表的なシングルエンド
エッチング条件に対応し、そこではかなりの迷走放電電
流が接地点へと流れる。30で示す電圧は、両電極が本
発明により分離されるときの各電極上の電圧を示してい
る。エッチングの速度は同じであるが迷走放電電流はほ
ぼ0である。ウエハ上の所定の電力密度より低いところ
では、無線周波駆動を分離することにより迷走放電電流
が本質的に消滅する。
【0015】第2図に示す本発明の他の実施例において
は第1図の装置よりも高い周波数を用いる無線周波プラ
ズマエッチング装置が示されており、電極の擬似対称励
起を達成する技術は放電負荷インピーダンスがほぼ容量
性であるときにのみ適用出来る。
【0016】接地された反応チャンバ32は対向電極3
4と支持電極36を含んでいる。エッチングされるべき
フィルムを有するウエハ38は支持電極36上に配置さ
れる。
【0017】13.56MHzの周波数範囲で信号を発
生する無線周波電源40は電極34,36間にシングル
エンド整合回路42とインダクタンス44を通じて接続
される。インダクタンス44は電極36と接地間にあ
る。この実施例では電源40も接地されあるいは他の基
準電位点に接続される。周波数13.56MHzで放電圧
力0.3〜5Torr である図示の実施例では負荷インピー
ダンスはほぼ容量性である。
【0018】電極34はシングルエンド形の可変整合回
路を用いて従来のごとくに駆動される。電極36は可変
インダクタンス44を介して接地される。
【0019】インダクタンス44の値は無線駆動周波数
でプラズマ直列容量に同調するように選らばれる。この
容量は主として電極34と36間の容量とプラズマシー
スの容量の和である。インダクタンス44は電極34と
36の無線周波電位を通常のシングルエンド形励起圧電
の半分よりいく分高い電圧となるように実質的に等しく
するように調整される。第2図の例の動作を第3図のベ
クトル図に示す。
【0020】インダクタンス44を流れる無線周波直列
電流では位相基準として使用される。プラズマにまたが
る電圧(Vuc→)=(Vu→)−(Vc→)であり、
但しVu→は対向電極の電圧、Vc→は支持電極の電圧
である。
【0021】Vu→はプラズマ放電の容量性によりiよ
りほぼ90°遅れている。支持電極電圧Vc→は逆にL
iより90°進んでおり、(Vc→)=jwLiであ
る。
【0022】第4図から|Vu|<|Vuc|であり、
そしてL(インダクタンス44)は|Vc|≒|Vu|
≒0.5|Vuc|となるように調整出来ることがわか
る。
【0023】Lすなわちインダクタンス44がそのよう
に調整されると、整合回路42からみた有効負荷インピ
ーダンスは(Vu→)/(i→)であり、支持電極が接
地される(L=0)場合より小さく且つ容量性も少なく
なる。このように整合回路についてのインピーダンス変
換要求は少なくなり、場合によってはこの回路を省略す
ることも出来る。また循環電流およびピーク電圧も減少
する。除去はされないが、迷走放電も、特に高密度プラ
ズマ状態(>2W/cm)で動作するとき著しく抑圧
される。
【0024】
【発明の効果】基本的に本発明は400KHzと13.
56MHzの無線周波の両方につきプラズマエッチング
装置の迷走放電を著しく減少させる回路を提供するもの
である。これは時間と品質の両方においてエッチング動
作そのものに影響を及ぼさないように2個の電極間の電
圧をシングルエンド形のエッチング装置におけるとほぼ
同じにしつつ電極での電圧要求を通常のレベルのほぼ半
分まで低下させることにより達成される。
【0025】なお、本明細書中の→はベクトルを表すも
のであり、例えばVu→は
【0026】
【数1】
【0027】を表すものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す図。
【図2】本発明の実施例を示す図。
【図3】実施例の動作を示す線図。
【図4】実施例の動作を示す線図。
【符号の説明】
10 反応チャンバ 12,34 対向電極 14,36 支持電極 16,38 ウエハ 18,40 無線周波電源 42 シングルエンド整合回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラズマエッチング装置において、 エッチングを行なうための接地した反応チャンバと、 エッチングすべきフィルムを載せたウエハを受けるため
    の対向電極および支持電極と、 接地されていない無線周波電源とを有し、 前記対向電極および支持電極は前記反応チャンバの壁か
    ら絶縁されており、 前記無線周波電源は、前記対向電極と支持電極間に接続
    されており、前記両電極から前記反応チャンバへの放電
    を最小にしつつ、エッチング動作を行なわせるためのも
    のであり、 前記無線周波電源は、前記対向電極と支持電極との間に
    接続された2次巻線を備えた整合変圧器を有し、 前記2次巻線に並列にインダクタンスが接続されてお
    り、 該インダクタンスによって前記チャンバに接続された素
    子の容量効果が減少させることを特徴とする、プラズマ
    エッチング装置。
  2. 【請求項2】 前記ウエハは、支持電極に容量結合され
    ている、請求項1記載のプラズマエッチング装置。
  3. 【請求項3】 無線周波電源の周波数は、400kHz
    である、請求項1記載のプラズマエッチング装置。
  4. 【請求項4】 プラズマエッチング装置において、 エッチングを行なうための接地した反応チャンバと、 エッチングするべきフィルムを載せたウエハを受けるた
    めの、前記反応チャンバの壁から絶縁された対向電極及
    び支持電極と、 無線周波電源と、 前記無線周波電源から電力を前記対向電極と支持電極と
    の間に与える手段と、 前記無線周波電源の一端及び前記対向電極との間に接続
    された整合回路と、 前記無線周波電源の他端と前記支持電極との間に接続さ
    れて、前記対向電極と支持電極に加えられる無線周波数
    電位を実質的に等しくするように可変である可変インダ
    クタンス(44)とを有しており、 前記可変インダクタンス(44)の値は、実質的に前記
    両電極間の容量とプラズマシースの容量とを有する無線
    駆動周波数でのプラズマ直列容量に同調するように選定
    されていることを特徴とする、プラズマエッチング装
    置。
JP9096838A 1985-06-24 1997-04-15 プラズマエッチング装置 Pending JPH1030195A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004535039A (ja) * 2001-06-07 2004-11-18 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理装置方法および装置

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4818359A (en) * 1986-08-27 1989-04-04 International Business Machines Corporation Low contamination RF sputter deposition apparatus
JPH0831442B2 (ja) * 1987-03-11 1996-03-27 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法及び装置
US4871421A (en) * 1988-09-15 1989-10-03 Lam Research Corporation Split-phase driver for plasma etch system
US5421891A (en) * 1989-06-13 1995-06-06 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US4948458A (en) * 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
JP3016821B2 (ja) * 1990-06-15 2000-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US5314603A (en) * 1991-07-24 1994-05-24 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma processing apparatus capable of detecting and regulating actual RF power at electrode within chamber
JP3119693B2 (ja) * 1991-10-08 2000-12-25 エム・セテック株式会社 半導体基板の製造方法及びその装置
US5849136A (en) * 1991-10-11 1998-12-15 Applied Materials, Inc. High frequency semiconductor wafer processing apparatus and method
US5330615A (en) * 1991-11-04 1994-07-19 Cheng Chu Symmetric double water plasma etching system
US5228939A (en) * 1991-12-30 1993-07-20 Cheng Chu Single wafer plasma etching system
US5349313A (en) * 1992-01-23 1994-09-20 Applied Materials Inc. Variable RF power splitter
JP2609792B2 (ja) * 1993-03-17 1997-05-14 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JP3525119B2 (ja) * 1993-05-27 2004-05-10 セイコーエプソン株式会社 周波数調整加工装置
JP3525120B2 (ja) * 1993-05-27 2004-05-10 セイコーエプソン株式会社 圧電素子の周波数調整方法
JP3573142B2 (ja) * 1993-05-27 2004-10-06 セイコーエプソン株式会社 周波数調整加工装置
KR100302167B1 (ko) * 1993-11-05 2001-11-22 히가시 데쓰로 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법
US6264812B1 (en) 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US6254746B1 (en) 1996-05-09 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Recessed coil for generating a plasma
KR100489918B1 (ko) * 1996-05-09 2005-08-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마발생및스퍼터링용코일
US6368469B1 (en) * 1996-05-09 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Coils for generating a plasma and for sputtering
US6190513B1 (en) 1997-05-14 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition
US6254737B1 (en) 1996-10-08 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Active shield for generating a plasma for sputtering
US6308654B1 (en) 1996-10-18 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome
US5961793A (en) * 1996-10-31 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber
TW358964B (en) 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
US6451179B1 (en) 1997-01-30 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
US6599399B2 (en) 1997-03-07 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US6210539B1 (en) 1997-05-14 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate
US6103070A (en) * 1997-05-14 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Powered shield source for high density plasma
US6361661B2 (en) 1997-05-16 2002-03-26 Applies Materials, Inc. Hybrid coil design for ionized deposition
US6077402A (en) * 1997-05-16 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Central coil design for ionized metal plasma deposition
US6579426B1 (en) 1997-05-16 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6652717B1 (en) 1997-05-16 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6345588B1 (en) 1997-08-07 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Use of variable RF generator to control coil voltage distribution
US6375810B2 (en) 1997-08-07 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma vapor deposition with coil sputtering
US6235169B1 (en) 1997-08-07 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Modulated power for ionized metal plasma deposition
US5902461A (en) * 1997-09-03 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for enhancing uniformity of a metal film formed on a substrate with the aid of an inductively coupled plasma
US6042700A (en) * 1997-09-15 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source
US6565717B1 (en) 1997-09-15 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma
US6023038A (en) * 1997-09-16 2000-02-08 Applied Materials, Inc. Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system
US6280579B1 (en) 1997-12-19 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Target misalignment detector
US6506287B1 (en) 1998-03-16 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Overlap design of one-turn coil
US6254738B1 (en) 1998-03-31 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution
TW434636B (en) 1998-07-13 2001-05-16 Applied Komatsu Technology Inc RF matching network with distributed outputs
US6238528B1 (en) 1998-10-13 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source
US6217718B1 (en) 1999-02-17 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing plasma nonuniformity across the surface of a substrate in apparatus for producing an ionized metal plasma
JP4819244B2 (ja) * 2001-05-15 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4226597B2 (ja) * 2003-03-04 2009-02-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置およびデバイスの製造方法
US20050258148A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Nordson Corporation Plasma system with isolated radio-frequency powered electrodes
US7511936B2 (en) * 2005-07-20 2009-03-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for dynamic plasma treatment of bipolar ESC system

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2376904A1 (fr) * 1977-01-11 1978-08-04 Alsthom Atlantique Procede d'attaque d'une couche mince par decomposition d'un gaz dans un plasma
JPS55119175A (en) * 1979-03-07 1980-09-12 Toshiba Corp Reactive ion etching method
US4253907A (en) * 1979-03-28 1981-03-03 Western Electric Company, Inc. Anisotropic plasma etching
JPS57149734A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Plasma applying working device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004535039A (ja) * 2001-06-07 2004-11-18 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理装置方法および装置
JP4897195B2 (ja) * 2001-06-07 2012-03-14 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理方法、プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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KR950007961B1 (ko) 1995-07-21
US4626312A (en) 1986-12-02

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