509966 A7 B7 五、發明說明（1 ) 【發明之背景】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於在半導體晶圓或LCD基板等之基板表面 形成所盼抗蝕圖案之基板處理方法及基板處理裝置。 例如，在半導體器件製造過程之光蝕法處理，乃於半 導體晶圓（以後稱謂「晶圓」）表面形成抗蝕膜，經曝光處理 後藉進行顯影而形成所定之抗蝕圖案。 此種光蝕法處理則在晶圓形成抗蝕膜所需之抗蝕劑塗 敷單元，與對該抗蝕膜施加曝光處理所需之曝光處理單元 ，及對經過曝光處理之晶圓施加顯影處理所需之顯影處理 單元之間進行輸送晶圓而進爲之。 惟，近年對形成於晶圓表面之抗蝕圖案細緻化之要求 愈來愈高漲，致對抗蝕圖案之線幅更加要求進行嚴格管理 。習知之抗蝕圖案之線幅管理係例如由工作人員使用SEM 實測自抗鈾塗敷顯影系統搬出之晶圓表面之抗鈾圖案線幅 ，並判斷該線幅是否滿足規格値之範圍，再將其判斷結果 反饋至各處理裝置之處理條件而予以進行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然，上述方法則需要昂貴之SEM，且爲線幅測定需要 很多勞力及時間等之問題。又，使用SEM測定線幅時，一 旦搬出晶圓需再搬入於SEM之真空試件室內，而有晶圓被 污染之問題。 【發明之槪要】 本發明之目的即在提供一種可進行抗蝕圖案之高精度 線幅控制之基板處理方法及基板處理裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 B7 五、發明說明（2 ) 依據本發明之主要觀點，係在形成有底層膜之基板上 形成抗鈾膜，並對該抗鈾膜施加曝光處理及顯影處理以形 成所盼抗蝕圖案之基板處理方法，具有：在形成抗蝕膜之 前，對底層膜照射與曝光處理所照射曝射光相同波長之光 ，且將其反射光加以解析之底層反射光解析工程，及根據 該反射光之解析，至少控制抗飩膜形成條件，抗蝕膜形成 形成後進行之加熱處理條件，曝光處理條件及顯影條件當 中之一之處理條件控制工程。 本發明乃著眼於在曝光時，曝射光於底層膜反射，且 對曝光產生影響，促成抗鈾圖案之線幅變動之現象進行者 〇 例如，作爲基板之半導體晶圓上，以底層膜形成有光 之反射率相異之Si〇2及A1，且對應所形成之電路圖案， SiCh所占面積與A1所占面積之比例有異，致底層膜之光反 射狀態隨其比例互異。因此，以相同條件形成抗蝕圖案時 ，對應底層膜之光之反射率，抗蝕圖案至線幅即異。 於是，本發明藉以與曝射光相同波長之光進行測定底 層膜之反射，能正確了解曝光時，底層膜所及曝光量之影 響’而藉此可控制抗蝕塗敷條件及曝光條件。 又，雖使用與曝射光等波長之光，惟處於抗蝕膜形成 前，故對抗蝕圖案並無不佳影響。 依據本發明之第二主要觀點，係在形成有底層膜之基 板上形成抗鈾膜，並對該抗鈾膜施加曝光處理及顯影處理 以形成所盼抗蝕圖案之基板處理方法，具有：在形成抗蝕 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） "" -5- ” 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 _ _B7__ 五、發明說明（3 ) 膜之前，對底層膜照射多波長之光，且將其反射光當中之 與曝光處理時所照射曝射光相同波長成分加以解析之底層 反射光解析工程，及根據該反射光之解析，至少控制抗鈾 膜形成條件，抗蝕膜形成後進行之加熱處理條件，曝光處 理條件與顯影處理條件當中之一之處理條件控制工程。 依據如此構成，由於利用多波長光，致在曝射光之波 長變動時，藉解析反射光當中之與曝射光相同波長之成份 ，而可知底層膜之狀態對於抗鈾圖案之線幅之影響。 依據本發明之第三主要觀點，係在形成有底層膜之基 板上形成抗鈾膜，並將該基板交付給曝光裝置之基板處理 裝置之基板處理方法，具有：在形成抗蝕膜之前，予照射 與上述曝光裝置之曝射光相同波長之光，且將其反射光加 以解析之底層反射光解析工程，及根據該反射光之解析， 以求上述曝光裝置之最適宜曝光處理條件之工程，及將上 述求得之最適宜曝光處理條件向上述曝光裝置側予以輸出 之工程。藉此能進行抗鈾圖案之高精度線幅控制。 依據本發明之第四主要觀點，係在形成有底層膜之基 板上形成抗蝕膜，並對該抗蝕膜施加曝光處理及顯影處理 以形成所盼抗蝕圖案之基板處理方法，具有：在形成抗飩 膜之前，對底層膜照射與曝光處理時所照射之曝射光相同 波長之光，且根據之至少控制抗蝕膜形成條件，曝光處理 條件之一之工程，及於抗蝕膜形成後，使用與曝光處理時 所照射之曝射光相異波長之光以計測抗蝕膜厚之工程。 依據如此構成，雖在抗蝕膜形成前使用與曝射光相同 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----.^w I ------ 訂- --------^^^1 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -6 - 509966 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 波長之光’唯在抗蝕膜形成後卻使用與曝射光相異波長之 光’故不會對抗蝕圖案發生不良影響，可進行各種測定。 依據本發明之第五主要觀點，係在對基板供應塗敷液 同時令基板轉動，並藉其轉動時之離心力使塗敷液擴散， 且更使基板轉動甩脫上述塗敷液予以乾燥之基板處理方法 ’具有；依據所設定目標膜厚，以所定範圍內之多數甩脫 轉動數形成塗敷膜，而依此求出上述甩脫轉動數與膜厚之 相關關係之相關關係算出工程，及判斷上述目標膜厚是否 含於上述工程所獲塗敷膜之範圍之判斷工程，以及在該判 斷工程判斷目標膜厚含於上述範圍時，將該目標膜厚適用 於上述相關關係，以求出可獲得該膜厚之甩脫轉動數之甩 脫轉動數算出工程。 依據如此構成，只要輸入·設定所盼抗蝕膜厚即能進 行旋轉夾頭之轉動數設定。又，本發明亦著眼於對膜厚之 形成最具影響者爲比起抗餓液擴散時之轉動數，甩脫時之 轉動數數更大，乃對應上述抗鈾膜之膜厚而設定該甩脫轉 動數。且藉此可正確控制膜厚，其結果能進行良好之抗鈾 圖案之線幅控制。 依據本發明之第六主要觀點，係在形成有底層膜之基 板上形成抗蝕膜並予以進行加熱處理，且將該基板交付曝 光裝置，而對自該曝光裝置承接之基板施加顯影處理，以 形成所盼抗蝕圖案之基板處理裝置，具有；在形成上述抗 蝕膜之前，對上述底層膜照射與曝光處理所照射曝光相同 波長之光，且將其反射光加以解析之底層反射光解析部， ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I-----I I------^-------I . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 509966 A7 一 —_B7___ 五、發明說明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 及根據該反射光之解析，至少控制抗蝕膜形成條件，加熱 處理條件，曝光處理條件及顯影處理條件當中之一之處理 條件控制部。 依據如此構成，由於以與曝射光相同波長之光進行測 定底層膜之反射，而能正確了解曝光時，底層膜所及曝光 量之影響，且藉此可控制抗蝕塗敷條件及曝光條件。 依據本發明之第七主要觀點，係在形成有底層膜之基 板上形成抗蝕膜並予以進行加熱處理，且將該基板交付曝 光裝置，而對自該曝光裝置承接之基板施加顯影處理，以 形成所盼抗蝕圖案之基板處理裝置，具有；在形成抗蝕膜 之前，對底層膜照射多波長之光，且將其反射光當中之與 曝光處理時所照射曝射光相同波長成分加以解析之底層反 射光解析部，及根據該反射光之解析，控制抗蝕膜形成條 件，加熱處理條件，曝光處理條件與顯影處理條件當中至 少之一之處理條件控制部。 依據如此構成，由於利用多波長光，致在曝射光之波 長變動時，藉解析反射光當中之與曝射光相同波長之成份 ，而可知底層膜之狀態對於抗蝕圖案之線幅之影響。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明之第八主要觀點，係在至少形成有底層膜 之基板上形成抗蝕膜，並將該基板交付曝光裝置之基板處 理裝置，具有；在形成上述抗蝕膜之前，對底層膜照射與 上述曝光裝置之曝射光相同波長之光，且將其反射光加以 解析之底層反射光解析部，及根據該反射光之解析，而求 出上述曝光裝置之最適宜曝光處理條件之曝光處理條件算 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - 509966 A7 ___ B7 五、發明說明（6 ) 出部，以及將上述所求出之最適宜曝光處理條件向上述曝 光裝置側予比輸出之輸出部。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 依據本發明之第九主要觀點，係在由驅動部加以轉動 之基板保持部上保持基板，並對上述基板供應塗敷液同時 令基板轉動，且藉該轉動之離心力使塗敷液擴散以形成塗 敷膜之基板處理裝置，具有爲設定上述塗敷膜之甩脫轉動 速度所需之基板轉動速度設定部，而該轉動速度設定部更 含有；爲設定上述塗敷膜之目標膜厚所需之目標膜厚設定 部，及收容甩脫轉動數與自其所得塗敷膜膜厚之相關關係 之甩脫轉動數-膜厚相關關係容納部，以及將上述膜厚設定 部所設定之目標膜厚適用於上述甩脫轉動數-膜厚相關關係 容納部所收容之相關關係，並根據之以算出爲獲得上述目 標膜厚所需之甩脫轉動數之甩脫轉動數算出部。 依據如此構成，只要輸入·設定所盼抗蝕膜厚即能進 行旋轉夾頭之轉動數設定。又，本發明亦著眼於對膜厚之 形成最具影響爲甩脫時之轉動數比起抗蝕液擴散時之轉動 數更大，乃對應上述抗蝕膜之膜厚而設定該甩脫轉動數。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 且藉此可正確控制膜厚，其結果能進行良好之抗鈾圖案之 線幅控制。 依據一實施例，本裝置更具有可測定由塗敷膜形成裝 置所形成之塗敷膜膜厚之膜厚測定裝置，及依據該膜厚測 定裝置所測定之塗敷膜膜厚而求出上述轉動數與由其所獲 塗敷膜膜厚之相關關係之相關關係算出部較宜。 依據如此構成，在量產工程前所進行之條件提出時求 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 ----- -B7__ 五、發明說明（7 ) 取塗敷液之甩脫轉動數與膜厚之相關關係，且可使用之以 進行設定甩脫轉動數。因此不必依賴操作人員之經驗値即 可設定甩脫轉動數。 又，依據其他一實施例，上述相關關係算出部係以所 定範圍內之多數甩脫轉動數形成塗敷膜，並根據各轉動數 所形成塗敷膜膜厚而求取上述相關關係爲佳。 依據如此構成，在所定狹窄之條件提出範圍內僅進行 多次甩脫動作即能得到上述相關關係，故可在較短時間完 成條件提出及設定甩脫轉動數。 惟，此時，上述膜厚設定部乃進行判斷上述目標膜厚 是否被包含於由上述所定範圍內之甩脫轉動數可得之塗敷 膜膜厚範圍內，如未被包含時，則促使上述相關關係算出 部錯開上述甩脫轉動數範圍而再度求取上述相關關係較宜 〇 依據如此構成，在上述所定範圍內如位包含所盼膜厚 時，即可再度求取上述相關關係，且藉此能進行更爲正確 之甩脫轉動數設定。又，甩脫轉動數範圍之錯開量以由已 求得之相關關係可自動算出者較妥。 【發明之實施形態】 以下，就本發明參照圖示詳細說明之。 如圖1所示，本抗蝕塗敷顯影系統1係在對半導體晶圓 塗抹化學放大型抗蝕劑予以顯影之系統，具有將匣盒站10 ，處理站11及介面部12予以一體連接之構成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------裝 ------—訂- - ---IIAWI (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) -10- 509966 A7 B7 五、發明說明（8 ) (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 匣盒站10乃如圖1所示，在匣盒承載台20上之定位凸 起20a之位置，有多數個（例如四個）匣盒c分別將晶圓W 出入口朝向處理站11側呈一列被載置於X方向（圖1中之上 下方向）。又，可移動於該匣盒C排列方向（X方向）及收容 於匣盒C內之晶圓W排列方向之晶圓搬運裝置21則被設成 沿搬運道路2 1 a移動自如，而呈能選擇性進出於各匣盒c之 構成。 又，晶圓搬運裝置2 1亦被構成爲轉動自如於β方向， 且如後述呈亦可進出於處理站1 1側之屬於第三處理裝置群 G3之多段裝置部之對準裝置（ALIM)及延伸接線裝置（EXT)。 上述處理站1 1係如圖1所示，其中心部設有垂直搬運 型主搬運裝置22，並於其周圍以處理室將各種處理裝置每 一組或多數組予以多段集體配置而構成處理裝置群。本實 施形態之抗蝕塗敷顯影系統1乃配置有五個處理裝置群G 1 ，G2，G3，G4，G5，其中第一及第二處理裝置群G1， G2被配置於系統正面側，第三處理裝置群G3被配置鄰接於 匣盒站1 0，第四處理裝置群G4被配置鄰接於介面部1 2， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 且以虛線所示第五處理裝置群G5被配置於背面側。主搬運 裝置22被構成爲轉動自如於0方向並可移動於z方向，而 在各處理裝置群G1〜G5間進行交付晶圓。 第一處理裝置群G1則如圖2所示，將在帽罩CP內將晶 圓W裝載於旋轉夾頭進行所定處理之兩台旋轉型處理裝置 ，例如抗蝕液塗敷裝置（COT)及顯影處理裝置（DEV)以上下 兩段予以重疊。且如同第一處理裝置群G1，第二處理裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 509966 A7 ___ B7 五、發明說明（9 ) (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 群G2亦於上下方向重疊有兩台旋轉型處理裝置，例如抗蝕 液塗敷^置（C〇T)及顯影處理裝置（DEV)。又，抗触液塗敷 裝置（COT)係如圖1〇所示，由旋轉夾頭俾使晶圓w轉動如 3OOOrpm左右，而自其中央之噴嘴供應抗蝕液。且例如於兩 秒鐘後停止供應抗蝕液同時，復使晶圓W繼續以2000rpm 左右轉動進行1 5秒〜20秒之甩脫乾燥。抗蝕液塗敷裝置 (C〇T)之構造則容後述之。 第三處理裝置群G3乃如圖3所示，將在載置台（未圖示 )裝載晶圓W進行所定處理之烘箱型處理裝置，例如進行冷 卻處理之冷卻處理裝置（COL)，爲提高抗蝕液之定位性進行 所謂疏水化處理之疏水化處理裝置（AD)，進行對準位置之 對準裝置（ALIM)，延伸接線裝置（EXT)，曝光處理前進行加 熱處理之預烤處理裝置（PREBAKE)，事後烤處理裝置 (POBAKE)，及曝光後烘烤處理裝置（PEB)自下向上之順序予 以例如重疊八段。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同樣，第四處理裝置群G4亦將在載置台裝載晶圓W進 行所定處理之烘箱型處理裝置，例如冷卻處理裝置（COL)， 尙兼具冷卻處理之延伸接線·冷卻處理裝置（EXT COL)，延 伸接線裝置（EXT)，疏水化處理裝置（AD)，預烤處理裝置 (PREBAKE)，及事後烤處理裝置（POBAKE)自下向上之順序 予以例如重疊八段。 介面部12則如圖1所示，其深度方向（X方向）雖具與上 述處理站11相同尺寸，但寬幅方向卻被設成較小尺寸。且 如圖1及圖2所示，該介面部1 2正面側被配置有呈兩段之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 __________ B7 五、發明說明（1〇 ) 移動性拾取匣盒CR及固定型緩衝匣盒（BUCR)，另背面部又 配設有周邊曝光裝置24(WEE)。 上述介面部1 2中央係設有晶圓搬運裝置25。該晶圓搬 運裝置25可移動於X方向，Z方向（垂直方向）並進出於兩 匣盒CR，BUCR及周邊曝光裝置24(WEE)。晶圓搬運裝置 25乃被構成爲亦可轉動自如於0方向，更可進出屬於處理 站1 1側之第四處理裝置群G4之延伸接線裝置（EXT)，或鄰 接之曝光裝置1 3側之晶圓交付台（未圖示）。 如圖4所示，匣盒站1 0頂部則設有過濾、器2 6，處理站 1 1頂部亦設有過濾器27，介面部1 2頂部又設有過濾器28 。且該等過濾器26〜28共有頂部空間29。該頂部空間29 即介導管（圖示省略）連通於下方之空調裝置（圖示省略），呈 可將除去氨，濕度及溫度均受控制之淸淨空氣自空調裝置 向頂部空間29予以供應。淸淨空氣卻自頂部空間29通過各 過濾器26〜28被吹向下方，而藉此淸淨空氣之向下氣流被 形成於各部10，11，12內。 圖5爲顯示上述第三處理裝置群G3之對準裝置（ALIM) 。如圖所示，該對準裝置（ALIM)兩側係設有匣盒站1〇之晶 圓搬運裝置2 1進出所需之開口部3 1，及處理站11之主搬 運裝置22進出所需之開口部32。而該對準裝置（ALIM)略中 央被配置有使晶圓W定位所需之晶圓載置台33，且該晶圓 載置台33上方更設有將與上述曝光裝置13所使用曝射光相 同波長之光照射於晶圓W上形成之底層膜’並測定其反射 光所需之多數反射光測定裝置34。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝-------"訂---I--I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 _ B7 五、發明說明（11 ) 各反射光測定裝置34乃具有可測定來自例如相當於晶 圓W —晶片之各領域之反射光之功能。而各反射光測定裝 置34即根據例如照射光之光量與反射光之光量之比以算出 反射率。此種測定裝置可多數配置或單數配置均無妨。 又，圖6爲上述周邊曝光裝置24( WEE)及其內部所設膜 厚測定裝置之一例示說明圖。 如圖6所示，周邊曝光裝置24之框體40內底部係配置 有X-Y台面41。X-Y台面41上尙配置有轉動機構42。該 轉動機構42乃將保持晶圓W之旋轉夾頭44轉動自如加以保 持。晶圓W即例如由真空吸住機構（圖示省略）予以吸住於 該旋轉夾頭44上。藉此晶圓W則在周邊曝光裝置24內可移 動於X-Y方向並轉動於0方向。且框體40前面（與晶圓搬 運裝置25對向之面）亦設有在晶圓搬運裝置25與框體40內 之旋轉夾頭44間進行交付晶圓W所需之開口部45。 框體40內之天花板後端部（自與晶圓搬運裝置25對向 之面觀看爲後端側）係配置有對晶圓W周邊部施加預備性曝 光處理之曝光機構47。又曝光機構47旁邊設有晶圓W位置 檢測用傳感器48。且框體40外側之開口部45尙設有爲測 定晶圓W所形成抗飩膜膜厚所需之光干涉型膜厚測定裝置 49 ° 上述傳感器48之攝像結果即被送至WEE控制部50。 該控制部50乃呈可依據該等攝像結果進行控制X-Y台面4 1 ，轉動機構42，曝光機構47等。 亦即，如此構成之周邊曝光裝置24當自晶圓搬運裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----I-----Aw I -----------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -14 - 509966 A7 B7 五、發明說明（12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 25於旋轉夾頭44上接到晶圓W時，傳感器48係檢測晶圓 W上之外周位置並使χ-γ台面4 1移動同時，亦使晶圓W轉 動，以進行晶圓W外周與曝光機構47之位置調整。卻呈不 進行定位，而檢出晶圓W外周邊緣部位置，促使曝光機構 47與晶圓W邊緣之位置經常保持於相同。 接著由曝光機構47將光向晶圓W周緣部予以照射，並 藉轉動機構42轉動晶圓W，對晶圓W全外周附近進行預備 曝光。在此自該曝光機構47照射之曝射光波長被設定爲與 上述曝光裝置相同。 又，欲測定晶圓W上之抗蝕膜膜厚時，晶圓搬運裝置 25即自旋轉夾頭44接受晶圓W，且在將晶圓W介開口部 45送出至框體40外側之過程中，由膜厚測定裝置49掃描晶 圓W上直徑方向以測定抗鈾膜膜厚。而該膜厚測定用照射 光之波長卻被設定與曝光用相異之波長，或多波長。 圖7爲如上述所構成抗蝕塗敷顯影系統1之控制系構造 方塊顯示圖。以下就該控制系構造及功能，與對於圖8所 示該系統之動作一同加以說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，晶圓W自匣盒站10被導入於處理站11之第三處 理群G3之對準裝置（ALIM)(圖8之步驟S1)。且在該對準裝 置（ALIM)內測定晶圓W之底層膜反射率，並將其資料送至 控制部35(步驟S2)。 如圖7所示，該控制部35係連接有可容納爲獲得所需 之底層膜反射率與抗蝕液塗敷裝置（COT)之抗鈾膜厚設定條 件，例如圖9所示反射率與最適宜膜厚之相關關係及圖1〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 509966 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（13 ) 所示抗鈾膜膜厚與抗蝕液塗敷裝置（COT)之旋轉夾頭所致晶 圓W甩脫轉動數之相關關係之容納部50。又，該控制部35 亦連接有可容納爲獲得所盼線幅精度所需之底層膜反射率 與曝光裝置13之曝光量設定條件，例如曝光量（單位面積之 曝光量）之相關關係之容納部5 1。且，將該控制部35構成 尙連接有可容納爲獲得所盼線幅精度所需之底層膜反射率 與曝光後烘烤處理裝置（PEB)之加熱處理溫度條件之相關關 係之容納部1 5 0，或可容納爲獲得所盼線幅精度所需之底 層膜反射率與顯影處理裝置（DEV)之顯影處理時間之相關關 係之容納部1 5 1亦可。 該控制部35乃由上述對準裝置（ALIM)測定在抗蝕膜形 成前經COT形成於晶圓W上之底層膜反射率，且將此適用 於上述相關關係容納部50而算出爲獲得所盼線幅精度所需 之COT之旋轉夾頭轉動數（加速度）及曝光裝置13之曝光量（ 步驟S3，步驟S4)。又，除了該等轉動數或曝光量之外， 將上述曝光後烘烤處理裝置（PEB)之加熱處理溫度或將上述 顯影處理裝置（DEV)之顯影處理時間設爲獲得所盼線幅精度 所需之參數亦可。而該等參數則以單獨使用之，將該等予 以組合當然無防。 在此，晶圓W上係以底層膜5 3具有如圖1 2所示形成 Si〇2之領域及如圖13所示形成A1之領域，並對應應形成之 電路圖案SiCh所佔面積與A1所佔面積之比例相異，對應其 比例底層膜5 3之光反射率亦異。經反射率測定後，晶圓W 即自對準裝置（ALIM)被搬出並予以搬送。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I---------裝---------訂-------I I . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 509966 A7 B7 五、發明說明（14) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 接著，晶圓w乃在第三處理群G3之疏水化處理裝置 (AD)被疏水化處理，且在第三處理群G3或第四處理群G4 之冷卻處理裝置（COL)經過冷卻後，復在第一處理群G1或 第二處理群G2之抗蝕液塗敷裝置（COT)被塗敷形成抗蝕膜 及感光膜（步驟S5)。此時，控制部35則以對應反射光測定 裝置34所測定之反射率資料之條件，而控制抗蝕液塗敷裝 置（COT)之甩脫乾燥時之晶圓W轉動數。又，同樣，將曝光 後烘烤處理裝置（PEB)之加熱處理溫度或顯影處理裝置 (DEV)之顯影處理時間加以控制亦無妨。 在形成感光膜後，係在第三處理群G3或第四處理群G4 之預烤處理裝置（PREBAKE)進行加熱處理，自晶圓W上之 感光膜蒸發除去殘存溶劑。繼之，在第四處理群G4之延伸 接線·冷卻處理裝置（EXT COL)冷卻晶圓W後，被載置於第 四處理群G4之延伸接線裝置（EXT)內。接著，自反側搬入 晶圓搬運裝置25，將晶圓W予以搬出。 被搬出之晶圓W則藉周邊曝光裝置24(WEE)將晶圓周 緣部以例如2mm寬幅加以周邊曝光處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該周邊曝光裝置24乃將晶圓W介晶圓搬運裝置25載置 於旋轉夾頭44上，並由傳感器48檢測晶圓W之位置，及藉 X-Y台面41與轉動機構42以進行晶圓W之定位，而進行晶 圓W之周邊曝光。且在晶圓搬運裝置25自旋轉夾頭44上接 受晶圓W，將晶圓W介開口部45送出框體40外側時，由 膜厚測定裝置49予以測定晶圓W之膜厚（步驟S6)。 周邊曝光後之晶圓W係由晶圓搬運裝置25依序收容於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐)_~~ 17- 509966 A7 _______ B7 五、發明說明（15) (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 緩衝匣盒（BUCR)內。然後，當曝光裝置13接受並輸出信號 時，被熟收容於緩衝匣盒（BUCR)之晶圓即依序藉晶圓搬運 裝置25交付給曝光裝置13，依序進行曝光處理（步驟s7)。 此時，控制部35乃介輸出部154向曝光裝置13輸出該 曰曰圓W之ID及封應該ID之上述處理所得曝光裝置13之曝 光量設定條件，例如曝光量（例如單位面積之曝光量）有關之 資料。藉此，曝光裝置1 3根據該等資料進行曝光處理。又 ’控制部35介輸出部154對曝光裝置13輸出該晶圓W之ID ，該晶圓W各晶片之位置資訊及對應該等資訊之上述處理 所得曝光裝置1 3之曝光量設定條件，例如關於曝光量（例如 單位面積之曝光量）之資料（即晶片單位之資料）。藉此，曝 光裝置1 3呈根據該等資料可進行控制各晶片曝光量之曝光 處理。 當結束該曝光裝置1 3之曝光後，經過曝光之晶圓w則 與上述相反介第四處理群G4被交付予主搬運裝置22，並由 該主搬運裝置22交付給曝光後烘烤處理單元（PEB)。藉此， 上述晶圓W被加熱處理，然後在冷卻處理單元（C0L)被冷卻 處理至所定溫度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，晶圓W被交付給主搬運裝置22，並被搬運至第 一處理群G1及第二處理群G2之顯影處理裝置（DEV)內，經 顯影液予以顯影後由沖洗液洗去顯影液，以完成顯影處理 〇 繼之，晶圓W自顯影處理裝置（DEV)內由主搬運裝置 22予以搬出。之後，晶圓W在第三處理群G3及第四處理群 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 B7 五、發明說明（16) G4之事後烤處理裝置（POBAKE)被加熱處理，復在第三處理 群G3及第四處理群G4之冷卻處理裝置（COL)經冷卻後，被 載置於第三處理群G3之延伸接線裝置（EXT)內。且自反側 搬入晶圓W搬運裝置2 1，將晶圓W予以搬出，而將晶圓W 搬入於匣盒站10所載置之處理妥晶圓收容用匣盒C。 依據本實施形態，由於在形成抗鈾圖案之前以反射光 測定裝置34檢出晶圓W之底層膜之光反射率，再依據所檢 出反射率，在抗蝕液塗敷裝置（COT)控制晶圓W甩脫乾燥時 之轉動數或曝光裝置13之曝光量，致可進行抗蝕圖案之高 精度線幅控制。因此，依據本實施形態，不必進行使用 SEM之抗蝕線幅測定，而可進行抗蝕線幅之評估。 又，依據本實施形態，由於使用與曝射光相同波長之 光進行測定反射率，故能正確檢知底層膜對於曝光處理時 之影響。雖是使用與曝射光相同波長之光，惟係在抗蝕劑 塗敷前，故不會對抗蝕圖案之線幅產生壞影響。 另，本實施形態對於抗蝕膜測定後之膜厚測定卻使用 與曝射光相異波長之光。因此，不會對抗蝕圖案之線幅產 生不良影響。 又，本發明並不被限定於上述實施形態，乃可在其技 術思想之範疇內作各種變形。 圖1 4爲第二實施形態之槪略構造顯示圖。其中，與上 述實施形態相同構成元件即附上相同符號，但省略其說明 〇 上述一實施形態雖使用與曝射光相同波長光進行底層 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " -19- -----------Awl ---I----訂--— — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 509966 A7 _______ B7 五、發明說明（17) 膜反射率之測定，惟本第二實施形態乃使用多波長之光進 行底層膜反射率之測定。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，本實施形態之裝置係具有自上述反射光測定裝 置34所獲反射光取出與曝射光相同波長成分，進行其反射 率測定之曝射光波長分析部53。促使藉使用該曝射光波長 分析部53所獲反射率進行與上述一實施形態相同之處理， 而能進行旋轉夾頭之轉動數，曝光量等之控制。 依據如此構成，因爲使用多波長之光，故雖在曝射光 波長變化時，亦具有可容易對應之效果。 又，圖15爲第三實施形態之槪略構造顯示圖。 上述一實施形態雖根據底層膜之反射率以控制抗蝕液 塗敷條件或曝光處理條件，惟本第二實施形態卻依據底層 膜之膜厚控制該等條件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，本實施形態即以上述反射光測定裝置34而使用 干涉型膜厚測定裝置。該膜厚測定裝置係對底層膜照射與 曝射光相同波長光，且自反射光之相位差檢出底層膜之膜 厚。又，上述控制部35則連接有底層膜厚-COT旋轉夾頭 轉動數相關關係容納部54及底層膜厚-曝光量相關關係容 納部5 5。 且，該控制部35自該等容納部54，55所容納相關關 係算出旋轉夾頭轉動數及曝光量予以設定於上述抗蝕液塗 敷裝置（COT)及曝光裝置13等。 依據如此構成，而具有依據底層膜之膜厚可良好控制 抗蝕圖案線幅之效果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 509966 A7 B7 五、發明說明（18) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另，上述一實施形態雖以抗蝕膜形成條件而控制甩乾 燥時之旋轉夾頭轉動數，惟非限定於此，亦可例如控制塗 敷時之旋轉夾頭轉動數或加速度無妨。 又，上述一實施形態雖以曝光條件而控制曝光量，但 非限定於此，亦可利用控制曝光時間。 且，上述反射光測定裝置3 4雖在上述一實施形態被設 置於對準裝置，惟並非限定於此。該反射光測定裝置34只 要在抗飩塗敷顯影系統1之晶圓W搬運道路上之任何地方 均可，或另別設於抗蝕塗敷顯影系統1外亦可。 又，例如基板並非限定於上述晶圓W，LCD基板，玻 璃基板，CD基板，光掩膜，印刷電路，陶瓷基板等亦可。 如上說明，依據本發明之抗蝕處理方法及抗蝕處理裝 置，乃能進行高精度之抗蝕圖案線幅控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但，如上述實施形態所作說明，本系統雖藉旋轉塗敷 法將抗鈾液塗抹於晶圓W上，然此種旋轉塗敷法，晶圓之 轉動數愈快離心力愈大，致膜厚變薄，其結果線幅即變動 。具體說之，膜厚雖受夾頭轉動之馬達轉數所左右，惟更 由於環境氣氛之溫度或濕度亦會變動。因此習知乃例如數 天一次使用試驗晶圓進行形成抗鈾膜，以決定可獲得最適 宜膜厚之馬達轉動數之目標値，並將之輸入·設定於裝置 同時，於量產工程時則控制氣氛之溫度及濕度呈一定。此 時，卻無法將所盼膜厚直接輸入於裝置，而需要由操作者 將之轉換爲馬達之轉動數再予以輸入·設定。然而如此方 法，不僅轉換麻煩，更由於是操作者之計算，時有未正確 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 ____ B7 五、發明說明（19) 輸入轉動數之情形。當設定不正確之轉動數時，量產之膜 厚即呈脫離規定値，隨其程序有時甚至需停止線路重新進 行試驗。在如此情形下，不僅無法進行穩定之處理，由於 試驗之頻率較高致構成通過量低落之原因。於是，以下實 施形態有關之系統係以可容易且正確進行爲塗敷膜能獲得 所盼膜厚之設定，而精密控制例如光蝕工程之抗鈾圖案爲 目的。以下說明本實施形態。 本實施形態之塗敷顯影處理系統乃是在圖1〜圖4所示 塗敷顯影處理系統之例如周邊曝光裝置（WEE)內具有爲檢出 形成於條件提出用晶圓W之塗敷膜厚所需之在線型周邊曝 光裝置125(WEE)。 圖16，圖17爲本實施形態有關周邊曝光裝置 1 25(WEE)與其內部所設膜厚測定裝置一例之說明用側視圖 及俯視圖。 如圖16，圖17所示，周邊曝光裝置125之框體201內 底部係配置有X-Y台面202。該X-Y台面202上並配置有 轉動機構203。該轉動機構203又將保持晶圓W之旋轉夾頭 204轉動自如地加以保持。晶圓W則例如由真空吸住機構（ 圖示省略）予以吸住於旋轉夾頭204上。藉此，晶圓W在周 邊曝光裝置125內可移動於X-Y方向，並可轉動於Θ方向 〇 框體201前面（與晶圓搬運體126對向之面）係設有爲晶 圓搬運體126與框體201內之旋轉夾頭204間進行交付晶圓 W所需之開口部205。該開口部205之寬度比晶圓W爲廣， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) -22- 509966 A7 B7 五、發明說明（20 ) 該開口部205之高度比將晶圓W載置於晶圓搬運體126時之 高度更高。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 框體201內之天花板後端部（自與晶圓搬運體126對向 之面觀之爲後側）乃配置有對晶圓W周邊部施加預備性曝光 處理之曝光機構207。又，曝光機構207旁鄰配置有晶圓W 之位置檢出用傳感器208。且在框體201外側之開口部205 上更設有爲測定晶圓W上之抗触膜膜厚所需之例如光干涉 型膜厚測定裝置209。 上述傳感器208之攝像結果或膜厚測定裝置209之膜厚 測定結果即被送至WEE控制部210。該控制部50乃依據該 等攝像結果等進行控制X-Y台面202，轉動機構203，曝光 機構207等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此構成之周邊曝光裝置125，當自晶圓搬運體126於 旋轉夾頭204上接到晶圓W時，傳感器208係檢測晶圓W 上之外周位置並使X-Y台面202移動同時，亦使晶圓W轉 動，以進行晶圓W外周與曝光機構207之位置調整。卻不 進行定位，而檢出位置（晶圓W外周邊緣部位置），促使曝 光機構207與晶圓W邊緣之位置經常保持於相同。且由曝 光機構47將光照射於晶圓W周緣部，並藉轉動機構42轉動 晶圓W，對晶圓W全外周附近進行預備曝光。 又，欲測定晶圓W上之抗蝕膜膜厚時，如上述予以定 位後，晶圓搬運體126即自旋轉夾頭204接受晶圓W，且在 將晶圓W介開口部205送出至框體201外側之過程中，由膜 厚測定裝置209測定晶圓W上之膜厚。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 -----B7______ 五、發明說明（21 ) 其次，參照圖1 8說明上述抗触膜形成用之抗蝕液塗敷 裝置（COT)，及本發明有關控制系統之構成。 首先就處理部分加以說明。在圖1 8，符號3 0 1爲基板 保持部之旋轉夾頭，被構成爲藉真空吸住晶圓W予以水平 保持。該旋轉夾頭301周圍則設有將其包圍之固定帽罩302 。固定帽罩302之側面及底面係分別形成有排氣口 303及廢 液口 304。固定帽罩302之上面開口部在塗敷抗飩液時被予 以開放。 旋轉夾頭301乃被設於轉動軸與昇降軸同軸加以組合 之驅動軸305頂部，而該驅動軸305被構成爲介含有皮帶輪 及皮帶之傳達機構306由馬達Ml可加以轉動，並藉昇降機 構307亦可予以昇降。 固定帽罩302上方側係設有向旋轉夾頭30 1所保持晶圓 W中心部滴下抗蝕液予以供應之抗蝕液噴嘴309，該抗鈾液 噴嘴309被構成爲藉未圖示之臂狀體可移動於晶圓W中心 部上方與固定帽罩302側方外側之間。又，抗蝕液噴嘴309 介未圖示之抗蝕液供應管被連接於未圖示之抗鈾液槽，例 如藉對於抗鈾液槽內加壓而可吐出所定量之抗鈾液。 其次關於檢出·控制系統加以說明。圖1 8所示控制部 311(轉動速度設定部）如僅就本發明要旨有關構成述說之， 係連接有；輸入抗蝕膜之目標膜厚用膜厚輸入部3 1 2，與 收容抗鈾液之成膜條件之成膜條件存儲部3 1 3，與收容進 行條件提出之甩脫轉動數範圍之條件提出範圍容納部3 14 ，與膜厚-甩脫轉動數相關關係存儲部3 1 5，與設於上述周 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ^------11 ^----I--11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -24- 509966 A7 -------B7___ 五、發明說明（22 ) 邊曝光裝置125(WEE)之膜厚測定裝置209，以及控制上述 馬達Μ 1所需之轉動數控制部3 1 6。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，該控制部3 1 1尙具有；條件提出轉動數範圍決定 部3 1 7，與可算出膜厚-甩脫轉動數相關之相關關係算出部 3 1 8，與可判斷上述目標膜厚是否存在於上述相關關係範圍 內，而不存在於上述相關關係範圍內時再度實行條件提出 工程之判斷部319，以及依據相關關係以算出可獲得目標 膜厚之甩脫轉動數之甩脫轉動數算出部320。 以下，將該等構成，根據各自功能加以詳細說明。 上述成膜條件存儲部3 1 3所收容之成膜條件，乃至少 含有塗敷膜之目標膜厚Μ0，旋轉夾頭30 1之抗蝕液擴散時 之轉動數Κ0。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述條件提出範圍容納部314則容納有例如對應透過 上述膜厚輸入部312(膜厚設定部）被輸入·設定之目標膜厚 Μ0，以決定比較範圍狹窄之條件提出用甩脫轉動數範圍之 圖表。該圖表規定有依據經驗値可獲得所定目標膜厚Μ0之 甩脫轉動數範圍者。該甩脫轉動數範圍例如被設定於幅度 1 Orpm左右之狹窄範圍。在此，如設定於較寬範圍時，爲條 件提出卻需費較多時間。 膜厚-甩脫轉動數相關存儲部3 1 5係收容有在上述甩脫 轉動數範圍內進行條件提出之結果所獲之甩脫轉動數-膜厚 相關關係。即，該相關關係之算出乃利用條件提出用晶圓 W加以實行。於是，首先就對於該條件提出用晶圓W之條 件提出工程參照圖19說明之。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 509966 A7 B7__ 五、發明說明（23 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先’上述操作者即透過上述膜厚輸入部3 1 2輸入所 盼之目標膜厚M0(步驟S1)。上述條件提出範圍決定部則對 應所輸入目標膜厚將條件提出範圍之上下限甩脫轉動數， 及其間之多數個轉動數作爲條件提出用甩脫轉動數加以設 定（步驟S2)。 接著，僅準備該轉動數之數目之條件提出用晶圓，藉 反複步驟S3〜步驟S9，而可取得該轉動數所對應之膜厚資 料。 就步驟S3〜S4加以說明時，首先係藉疏水化處理裝置 (AD)對晶圓W進行疏水化處理（步驟S3)。然後，藉冷卻處 理裝置（COL)將經過疏水化處理之晶圓W予以冷卻處理（步 驟S4)。繼之，將晶圓W插入於抗鈾液塗敷裝置（COT)，上 述經過冷卻處理之晶圓W上即被塗敷抗蝕液（步驟S5)。 其次，由焙烤處理裝置（P0BAKE)加熱處理經形成有抗 蝕膜之晶圓W(步驟S6)，之後再由冷卻處理裝置（C0L)冷 卻處理經加熱處理之晶圓W(步驟S7)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，介晶圓搬運體126將該晶圓W載置於周邊曝光 裝置125之旋轉夾頭204上，由傳感器208檢出晶圓W之位 置，並由控制X-Y台面202及轉動機構203進行定位晶圓W ，以實行晶圓W之周邊曝光（步驟S 8)。且晶圓搬運體126 自旋轉夾頭204上接受晶圓W，復在將晶圓W介開口部205 送出框體201外側之過程中，由膜厚測定裝置209測定晶圓 W上之膜厚（步驟S9)。 繼之，在步驟S10判斷條件提出工程是否已完成。具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •26- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 B7 五、發明說明（24) 體說之，爲判斷上述條件提出轉動數範圍內所設定之全部 轉動數之膜厚測定是否已完成。如未完成時’則在步驟s 11 變更甩脫轉動數再度實行步驟S3〜步驟S9。而如已完成條 件提出工程，乃依據上述膜厚測定結果，在步驟s 1 2算出 甩脫轉動數與膜厚之相關關係。 將此工程參照圖20〜圖22具體說明之。 假設在步驟S2，對應目標膜厚M0所設定之條件提出 轉動數範圍爲RL(上限）〜RH(下限）。此時，令該上限’下 限之間含兩個轉動數（R 1，R2)，例如予以設定四個條件提 出轉動數，且就各個轉動數進行步驟S3〜步驟S9 ’以測定 當時之膜厚。 而，根據其結果，可得圖中實線所示之相關關係顯示 曲線。具體說之，在如本實施形態之條件提出轉動數範圍 之狹窄範圍，上述相關關係可將測定資料近似於二次曲線 予以求取之。在本例，上述條件提出轉動數所獲上限轉動 數即以MH，上限轉動數則以ML獲得者。如此相關關係乃 被收容於上述相關關係存儲部3 1 5。 其次，在步驟S 1 3判斷上述測膜厚範圍內是否含有目 標膜厚M0。此時，如圖20所示，M0進入於上述MH與ML 之間時，即判斷爲「含」，在步驟S14，如圖20所示，求 取對應上述M0之轉動數R0，並將此作爲可得膜厚M0之甩 脫轉動數予以設定。 另，如圖21所示，M0並未在上述MH與ML之間時， 則在步驟S 1 5再設定可推測上述M0能進入之條件提出轉動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I·裝
---—訂· ί ------AWI -27- 509966 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（25 ) 數範圍，且再度予以實行步驟S 3〜步驟S 1 1 ◦ 圖22爲將條件提出轉動數範圍自上述RL〜RH錯開爲 RL ’〜RH ’ ，復在步驟S 1 2求取相關關係者。該條件提出 範圍之錯開量雖依據上述MH或ML與上述M0之差加以計 算較宜，惟使之向上或向來予以錯開所定量亦可。如此經 再測定之結果如被判斷在所得轉動數範圍MH ’〜ML ’含 有上述M0時（步驟S 13)，由該相關關係所求得R0即被設定 爲甩脫轉動數（步驟S14)。 依據如上說明之構成，藉輸入目標膜厚係有能自動設 定適當甩脫轉動數之效果。 即，習知之此類裝置，雖欲高精度設定者爲抗鈾膜之 膜厚，惟操作者無法將膜厚直接輸入於裝置，卻需要變換 爲轉動數等其他條件再設定於裝置。但，依據上述構成， 則只要將所盼抗蝕膜膜厚予以輸入·設定，就能進行旋轉 夾頭之轉動數。 又，本發明亦著眼於對膜厚之形成最具影響者爲比起 抗蝕液擴散時之轉動數，甩脫時之轉動數更大，乃對應上 述抗蝕膜之膜厚而設定該甩脫轉動數。且藉此可正確控制 膜厚，其結果具有能進行良好之抗蝕圖案線幅控制之效果 〇 又，上述一實施形態係在所定之狹窄範圍進行多次甩 脫動作，且僅在該範圍無法獲得所盼目標膜厚時，才再度 進行條件提出，故能於較短時間求出所盼之甩脫轉動數。 又，本發明並非被限定於上述一實施形態，在不變更 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------農--------訂---------AWI · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -28- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509966 A7 ____B7____ 五、發明說明（26 ) 發明要旨之範圍內尙可作種種變形。 例如，上述一實施形態雖在周邊曝光裝置內進行抗飩 膜之膜厚測定，但並不限定於此，在與周邊曝光裝置另外 設置之在線型膜厚測定裝置加以進行亦可。 又，上述一實施形態以基板而舉晶圓爲例加以說明， 但不限於此，液晶顯示裝置之玻璃基板亦可。又，塗敷液 或塗敷膜亦並非被限定於抗蝕液或抗蝕膜。 且，上述膜厚-甩脫轉動數相關關係被設成各抗蝕劑（ 被設定於液態噴嘴之各種抗鈾劑）均一個，而予以儲蓄·收 容於膜厚-甩脫轉動數相關關係容納部3 1 5，但將此予以關 連（連接）至該抗鈾劑之多數COT處理接受件（雖含目標膜厚 ，甩脫轉動數卻未定者）亦可。依據如此構成，當根據其處 理接受件進行抗蝕膜形成時，即不必每一處理接受件均準 備膜厚-甩脫轉動數相關關係。 又，上述處理接受件如含有是否實行甩脫轉動數之自 動補正之設定亦可。 又，尙可將本實施形態與最初所示實施形態互相組合 予以實施。 如上說明，依據本發明可不管大氣壓之變動，而進行 精度高之膜厚控制。 【圖示之簡單說明】 圖1爲本發明一實施形態有關之抗蝕塗敷顯影系統之 俯視顯示圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----I---I I AW I -----I--^ ·11111--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -29- 509966 A7 ____ B7 五、發明說明（27) 圖2爲圖1所示抗蝕塗敷顯影系統之正視圖。 圖3爲圖1所示抗鈾塗敷顯影系統之背視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖4爲圖1所示抗蝕塗敷顯影系統之氣流正視顯示圖。 圖5爲圖3所示對準裝置之槪略構成正視顯示圖。 圖6爲圖1所示周邊曝光裝置之槪略構成正視顯示圖。 圖7爲系統構成槪略構成正視顯示圖。 圖8爲說明系統動作之流程圖。 圖9爲反射率與最適宜抗蝕膜膜厚之關係一例示圖。 圖1 0爲抗鈾膜膜厚與甩脫轉動數之關係一例示圖。 圖11爲抗鈾劑塗敷單元之處理內容說明圖。 圖1 2爲底層膜之光反射率相異說明用圖。 圖13爲底層膜之光反射率相異說明用圖。 圖14爲第二實施形態之系統構成槪略構造顯示圖。 圖1 5爲第三實施形態之系統構成槪略構造顯示圖。 圖1 6爲本發明之其他實施形態有關周邊曝光裝置之正 視圖。 圖17爲圖16之周邊曝光裝置俯視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 8爲塗敷膜形成裝置及本發明有關控制系統之一實 施形態槪略構造顯本圖。 圖19爲條件提出工程之流程顯示圖。 圖20爲膜厚-甩脫轉動數相關關係之算出說明用圖。 圖2 1爲膜厚-甩脫轉動數相關關係之算出說明用圖。 圖22爲膜厚-甩脫轉動數相關關係之算出說明用圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 509966 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7五、發明說明（28 ) 【符號說明】 W · · •晶圓 G1〜G5 · ••處理裝置群 CR · ••拾取匣盒 BUCR · · •緩衝匣盒 1 ···抗鈾塗敷顯影系統 10 · · ·匣盒站 11· · •處理站 13 · · ·曝光裝置 20 · · ·匣盒承載台 20a· ··定位凸起20a 21 · · ·晶圓搬運裝置 21a · · ·搬運道路 22 · · ·主搬運裝置 24 · · ·周邊曝光裝置 25 · · ·晶圓搬運裝置 26〜28 · · _過濾器 29 · · ·頂部空間 31 · · ·開口部 3 2 · · ·開口部 33 · · ·晶圓載置台 34 ···反射光測定裝置 35 · · ·控制部 40 · . ·框體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝—-----訂---------A__wi. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - 509966 A7 _B7__ 五、發明說明（29 ) 4 1 · · X — Y 台面 4 2 · · ·轉動機構 44 · · ·旋轉夾頭 45 · · ·開口部 4 7 · · ·曝光機構 48 · · ·傳感器 49 · · ·膜厚測定裝 50 · · •底層反射率-COT旋轉夾頭轉動數相關關係容納部 51· · •底層反射率-曝光量相關關係谷納部 53 ···曝射光波長分析部 54 · · •底層膜膜厚-COT旋轉夾頭轉動數相關關係容納部 55 · · •底層膜膜厚-曝光量相關關係容納部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
--------訂---------AWI 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格m〇公愛）