JPH0982608A - レジスト回転塗布装置における回転数決定装置、レジスト回転塗布装置およびレジスト回転塗布方法 - Google Patents
レジスト回転塗布装置における回転数決定装置、レジスト回転塗布装置およびレジスト回転塗布方法Info
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- JPH0982608A JPH0982608A JP23656595A JP23656595A JPH0982608A JP H0982608 A JPH0982608 A JP H0982608A JP 23656595 A JP23656595 A JP 23656595A JP 23656595 A JP23656595 A JP 23656595A JP H0982608 A JPH0982608 A JP H0982608A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸収光量の変動が最小限に抑えられたレジス
ト膜を形成する。 【解決手段】 所定波長の光に対するレジスト膜の屈折
率のデータと、ウエハ３０と下地膜を構成する各膜のう
ち、非透光性でありかつレジスト膜に最も近い膜あるい
はウエハ３０の屈折率のデータと、この膜あるいはウエ
ハ３０とレジスト膜との間に別の膜がある場合にその別
の膜の屈折率のデータとを記憶する記憶手段１１と、上
記別の膜がある場合にその別の膜の厚みと、上記屈折率
のデータとに基づき所定波長の光に対するレジスト膜の
厚みと吸収光量との関係を求める演算手段１２と、求め
られた関係から最適なレジスト膜の厚みを決定する膜厚
決定手段１３と、決定された厚みに基づき回転塗布の際
のウエハ３０の回転数を決定する回転数決定手段１４
と、決定された回転数でウエハ３０を回転させレジスト
３１を塗布する回転塗布装置本体２０とを備えて回転塗
布装置１を構成する。
ト膜を形成する。 【解決手段】 所定波長の光に対するレジスト膜の屈折
率のデータと、ウエハ３０と下地膜を構成する各膜のう
ち、非透光性でありかつレジスト膜に最も近い膜あるい
はウエハ３０の屈折率のデータと、この膜あるいはウエ
ハ３０とレジスト膜との間に別の膜がある場合にその別
の膜の屈折率のデータとを記憶する記憶手段１１と、上
記別の膜がある場合にその別の膜の厚みと、上記屈折率
のデータとに基づき所定波長の光に対するレジスト膜の
厚みと吸収光量との関係を求める演算手段１２と、求め
られた関係から最適なレジスト膜の厚みを決定する膜厚
決定手段１３と、決定された厚みに基づき回転塗布の際
のウエハ３０の回転数を決定する回転数決定手段１４
と、決定された回転数でウエハ３０を回転させレジスト
３１を塗布する回転塗布装置本体２０とを備えて回転塗
布装置１を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造プロセスのフォトリソグラフィー工程で使用するレジ
スト回転塗布装置における回転数決定装置、レジスト回
転塗布装置およびレジスト回転塗布方法に関するもので
ある。
造プロセスのフォトリソグラフィー工程で使用するレジ
スト回転塗布装置における回転数決定装置、レジスト回
転塗布装置およびレジスト回転塗布方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイス製造プロセスのフ
ォトリソグラフィー工程では、シリコン（Ｓｉ）ウエハ
上にレジストを回転塗布してレジスト膜を形成し、この
レジスト膜を露光、現像してレジストパターンを形成す
る。通常、上記レジストの回転塗布では、ベアＳｉウエ
ハ（ヴァージンウエハ）上に直にレジスト膜を形成する
場合の、露光光に対するレジスト膜の厚みとレジスト膜
の吸収光量との関係を予め実験にて求めてこの関係を基
準とし、吸収光量が最大あるいは最小となるような厚み
にレジスト膜を塗布形成する。
ォトリソグラフィー工程では、シリコン（Ｓｉ）ウエハ
上にレジストを回転塗布してレジスト膜を形成し、この
レジスト膜を露光、現像してレジストパターンを形成す
る。通常、上記レジストの回転塗布では、ベアＳｉウエ
ハ（ヴァージンウエハ）上に直にレジスト膜を形成する
場合の、露光光に対するレジスト膜の厚みとレジスト膜
の吸収光量との関係を予め実験にて求めてこの関係を基
準とし、吸収光量が最大あるいは最小となるような厚み
にレジスト膜を塗布形成する。
【０００３】図４は、上記した関係を演算により求めた
結果を示す図である。なお、露光光に対するレジスト膜
の吸収光量は、レジスト膜の厚みと、露光光に対するレ
ジスト膜の屈折率およびその下層の屈折率、すなわちこ
こではウエハの屈折率とがわかれば演算でき、シミュレ
ーションすることができる。演算に用いた各パラメータ
を以下に示す。 露光光の波長 ３６５ｎｍ（ｉ線） レジスト膜の屈折率 １．７〜０．０１（ｉ線に対して） ウエハの屈折率 ６．５５１〜２．６４８（ｉ線に対して）
結果を示す図である。なお、露光光に対するレジスト膜
の吸収光量は、レジスト膜の厚みと、露光光に対するレ
ジスト膜の屈折率およびその下層の屈折率、すなわちこ
こではウエハの屈折率とがわかれば演算でき、シミュレ
ーションすることができる。演算に用いた各パラメータ
を以下に示す。 露光光の波長 ３６５ｎｍ（ｉ線） レジスト膜の屈折率 １．７〜０．０１（ｉ線に対して） ウエハの屈折率 ６．５５１〜２．６４８（ｉ線に対して）
【０００４】図４に示すような、レジスト膜の厚みの変
動に伴い吸収光量が振動する現象は、定在波効果（Stan
ding Wave effect) と呼ばれており、レジスト膜をパタ
ーニングする際のレジストパターン寸法の正確な制御を
妨げる。例えば図４に示す関係において、レジスト膜の
厚みが０．９９μｍ付近では、レジスト膜厚の変動に対
する吸収光量の変動量が大きく、僅かな膜厚の変動で吸
収光量が大きく変化する。このため、レジスト膜をパタ
ーニングする際のレジストパターン寸法の変動量、例え
ばレジスト膜を線状にパターニングする場合にはその線
幅の変動量が大きくなってしまい、結果としてレジスト
パターン寸法を正確に制御できなくなってしまうのであ
る。
動に伴い吸収光量が振動する現象は、定在波効果（Stan
ding Wave effect) と呼ばれており、レジスト膜をパタ
ーニングする際のレジストパターン寸法の正確な制御を
妨げる。例えば図４に示す関係において、レジスト膜の
厚みが０．９９μｍ付近では、レジスト膜厚の変動に対
する吸収光量の変動量が大きく、僅かな膜厚の変動で吸
収光量が大きく変化する。このため、レジスト膜をパタ
ーニングする際のレジストパターン寸法の変動量、例え
ばレジスト膜を線状にパターニングする場合にはその線
幅の変動量が大きくなってしまい、結果としてレジスト
パターン寸法を正確に制御できなくなってしまうのであ
る。
【０００５】しかしながら、図４に示す関係において
は、レジスト膜の厚みが０．９６μｍで吸収光量が最
小、１．０２μｍで吸収光量が最大となっており、０．
９６μｍ付近、１．０２μｍ付近ではレジスト膜厚の変
動に対する吸収光量の変動量が最も小さくなっている。
したがって、０．９６μｍ、１．０２μｍのどちらかの
膜厚を狙ってレジストを塗布すれば、レジスト膜の膜厚
変動に対する吸収光量の変動を最小限に抑えることがで
き、レジスト膜をパターニングする際のレジストパター
ン寸法の変動量を最小限に抑えられる。つまり、従来の
レジストの回転塗布では、最終的に形成するレジストパ
ターン寸法の変動量をできるだけ小さくする目的で、レ
ジスト膜の吸収光量が最大あるいは最小となるような厚
みにレジスト膜を塗布形成しているのである。
は、レジスト膜の厚みが０．９６μｍで吸収光量が最
小、１．０２μｍで吸収光量が最大となっており、０．
９６μｍ付近、１．０２μｍ付近ではレジスト膜厚の変
動に対する吸収光量の変動量が最も小さくなっている。
したがって、０．９６μｍ、１．０２μｍのどちらかの
膜厚を狙ってレジストを塗布すれば、レジスト膜の膜厚
変動に対する吸収光量の変動を最小限に抑えることがで
き、レジスト膜をパターニングする際のレジストパター
ン寸法の変動量を最小限に抑えられる。つまり、従来の
レジストの回転塗布では、最終的に形成するレジストパ
ターン寸法の変動量をできるだけ小さくする目的で、レ
ジスト膜の吸収光量が最大あるいは最小となるような厚
みにレジスト膜を塗布形成しているのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した従
来の技術では、現実の半導体デバイス製造プロセスで上
記目的が達成されることがほとんどない。レジスト膜の
吸収光量が最大あるいは最小となるレジスト膜の厚みは
レジスト膜の下層の構造に依存し、現実のプロセスにお
いて、下層がベアＳｉウエハのみからなり、このベアＳ
ｉウエハ上に直にレジストを塗布してレジストパターン
を形成するような工程は、素子分離工程以前に行われる
Ｓｉウエハ内へのウエル形成等の極めて限られた工程の
みだからである。換言すれば、現実のプロセスでは、ベ
アＳｉウエハ上に多層構造の下地膜を介してレジスト膜
を形成する場合がほとんどであり、したがって吸収光量
が最大あるいは最小となるレジスト膜の厚みが、ベアＳ
ｉウエハの屈折率だけでなく下地膜の構造にも依存して
しまうことがほとんどだからである。
来の技術では、現実の半導体デバイス製造プロセスで上
記目的が達成されることがほとんどない。レジスト膜の
吸収光量が最大あるいは最小となるレジスト膜の厚みは
レジスト膜の下層の構造に依存し、現実のプロセスにお
いて、下層がベアＳｉウエハのみからなり、このベアＳ
ｉウエハ上に直にレジストを塗布してレジストパターン
を形成するような工程は、素子分離工程以前に行われる
Ｓｉウエハ内へのウエル形成等の極めて限られた工程の
みだからである。換言すれば、現実のプロセスでは、ベ
アＳｉウエハ上に多層構造の下地膜を介してレジスト膜
を形成する場合がほとんどであり、したがって吸収光量
が最大あるいは最小となるレジスト膜の厚みが、ベアＳ
ｉウエハの屈折率だけでなく下地膜の構造にも依存して
しまうことがほとんどだからである。
【０００７】例えばベアＳｉウエハ上に、０．１μｍの
厚みの酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜と、この上層に形成
された０．１μｍの厚みの窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
膜とからなる多層構造の下地膜が設けられ、この下地膜
上にレジストを回転塗布する場合において、露光光に対
するレジスト膜の厚みとレジスト膜の吸収光量との関係
を演算により求めた結果を図５に示す。なお、この場
合、前述の演算で用いたパラメータの他に、下地層を構
成する各膜の、それぞれの厚みと露光光に対する屈折率
とのパラメータを用いている。
厚みの酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜と、この上層に形成
された０．１μｍの厚みの窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
膜とからなる多層構造の下地膜が設けられ、この下地膜
上にレジストを回転塗布する場合において、露光光に対
するレジスト膜の厚みとレジスト膜の吸収光量との関係
を演算により求めた結果を図５に示す。なお、この場
合、前述の演算で用いたパラメータの他に、下地層を構
成する各膜の、それぞれの厚みと露光光に対する屈折率
とのパラメータを用いている。
【０００８】図５に示すように、ベアＳｉウエハ上に多
層構造の下地膜を介してレジスト膜を形成する場合で
は、ベアＳｉウエハ上に直にレジスト膜を形成する場合
に最適とされた膜厚、０．９６μｍあるいは１．０２μ
ｍの付近で、レジスト膜の吸収光量の変動量が大きく、
僅かな膜厚の変動で吸収光量が大きく変化してしまう。
このように、ベアＳｉウエハ上に直にレジスト膜を形成
する場合を想定して設定されたレジスト膜の厚みは、条
件によっては、レジスト膜厚の変動に対して吸収光量が
敏感に変動する厚みとなってしまい、レジストパターン
寸法を正確に制御するうえでふさわしい膜厚とは言えな
い。それにもかかわらず、この厚みに形成されたレジス
ト膜に対してリソグラフィーが行われてしまっているの
が現実である。
層構造の下地膜を介してレジスト膜を形成する場合で
は、ベアＳｉウエハ上に直にレジスト膜を形成する場合
に最適とされた膜厚、０．９６μｍあるいは１．０２μ
ｍの付近で、レジスト膜の吸収光量の変動量が大きく、
僅かな膜厚の変動で吸収光量が大きく変化してしまう。
このように、ベアＳｉウエハ上に直にレジスト膜を形成
する場合を想定して設定されたレジスト膜の厚みは、条
件によっては、レジスト膜厚の変動に対して吸収光量が
敏感に変動する厚みとなってしまい、レジストパターン
寸法を正確に制御するうえでふさわしい膜厚とは言えな
い。それにもかかわらず、この厚みに形成されたレジス
ト膜に対してリソグラフィーが行われてしまっているの
が現実である。
【０００９】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、レジスト膜の膜厚変動に対する吸収光量
の変動が最小限に抑えられたレジスト膜を形成すること
ができ、このことによりレジストパターン寸法の変動量
を最小限に抑えることができるレジスト回転塗布装置に
おける回転数決定装置、レジスト回転塗布装置およびレ
ジスト回転塗布方法を提供することを目的としている。
たものであり、レジスト膜の膜厚変動に対する吸収光量
の変動が最小限に抑えられたレジスト膜を形成すること
ができ、このことによりレジストパターン寸法の変動量
を最小限に抑えることができるレジスト回転塗布装置に
おける回転数決定装置、レジスト回転塗布装置およびレ
ジスト回転塗布方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト回転塗
布装置における回転数決定装置では、所定波長の光に対
するレジスト膜の屈折率のデータと、ウエハと下地膜を
構成する各膜のうち、上記所定波長の光に対して非透光
性でありかつレジスト膜に最も近い膜あるいはウエハの
屈折率のデータと、上記所定波長の光に対して非透光性
でありかつレジスト膜に最も近い膜あるいはウエハとレ
ジスト膜との間に別の膜がある場合にその別の膜の屈折
率のデータとを記憶する記憶手段と、上記別の膜がある
場合にその別の膜の厚みと、記憶手段で記憶した屈折率
のデータとに基づき、所定波長の光に対するレジスト膜
の厚みと吸収光量との関係を求める演算手段と、演算手
段で求められたレジスト膜の膜みと吸収光量との関係か
ら、吸収光量の変動が最小となるレジスト膜の厚みを決
定する膜厚決定手段と、形成するレジスト膜が膜厚決定
手段で決定された厚みとなるように、回転塗布の際のウ
エハの回転数を決定する回転数決定手段とを備えている
ことを上記課題の解決手段としている。
布装置における回転数決定装置では、所定波長の光に対
するレジスト膜の屈折率のデータと、ウエハと下地膜を
構成する各膜のうち、上記所定波長の光に対して非透光
性でありかつレジスト膜に最も近い膜あるいはウエハの
屈折率のデータと、上記所定波長の光に対して非透光性
でありかつレジスト膜に最も近い膜あるいはウエハとレ
ジスト膜との間に別の膜がある場合にその別の膜の屈折
率のデータとを記憶する記憶手段と、上記別の膜がある
場合にその別の膜の厚みと、記憶手段で記憶した屈折率
のデータとに基づき、所定波長の光に対するレジスト膜
の厚みと吸収光量との関係を求める演算手段と、演算手
段で求められたレジスト膜の膜みと吸収光量との関係か
ら、吸収光量の変動が最小となるレジスト膜の厚みを決
定する膜厚決定手段と、形成するレジスト膜が膜厚決定
手段で決定された厚みとなるように、回転塗布の際のウ
エハの回転数を決定する回転数決定手段とを備えている
ことを上記課題の解決手段としている。
【００１１】本発明のレジスト回転塗布装置では、上記
発明の記憶手段と、演算手段と、膜厚決定手段と、回転
数決定手段とに加えて、回転数決定手段で決定された回
転数でウエハを回転させ、ウエハ上に下地膜を介してレ
ジストを塗布する回転塗布装置本体を備えていることを
上記課題の解決手段としている。
発明の記憶手段と、演算手段と、膜厚決定手段と、回転
数決定手段とに加えて、回転数決定手段で決定された回
転数でウエハを回転させ、ウエハ上に下地膜を介してレ
ジストを塗布する回転塗布装置本体を備えていることを
上記課題の解決手段としている。
【００１２】本発明のレジスト回転塗布方法では、第１
工程にて、所定波長の光に対するレジスト膜の屈折率の
データと、ウエハと下地膜を構成する各膜のうち、所定
波長の光に対して非透光性でありかつレジスト膜に最も
近い膜あるいはウエハの屈折率のデータと、この膜ある
いはウエハとレジスト膜との間に別の膜がある場合にそ
の別の膜の屈折率のデータと、上記別の膜がある場合に
その別の膜の厚みとに基づき、所定波長の光に対するレ
ジスト膜の厚みと吸収光量との関係を求める。次いで第
２工程にて、第１工程で求められたレジスト膜の膜みと
吸収光量との関係から、吸収光量の変動が最小となるレ
ジスト膜の厚みを決定し、第３工程にて、形成するレジ
スト膜が決定された厚みとなるように、回転塗布の際の
ウエハの回転数を決定する。そして第４工程にて、決定
された回転数でウエハを回転させ、ウエハ上に下地膜を
介してレジストを塗布することを上記課題の解決手段と
している。
工程にて、所定波長の光に対するレジスト膜の屈折率の
データと、ウエハと下地膜を構成する各膜のうち、所定
波長の光に対して非透光性でありかつレジスト膜に最も
近い膜あるいはウエハの屈折率のデータと、この膜ある
いはウエハとレジスト膜との間に別の膜がある場合にそ
の別の膜の屈折率のデータと、上記別の膜がある場合に
その別の膜の厚みとに基づき、所定波長の光に対するレ
ジスト膜の厚みと吸収光量との関係を求める。次いで第
２工程にて、第１工程で求められたレジスト膜の膜みと
吸収光量との関係から、吸収光量の変動が最小となるレ
ジスト膜の厚みを決定し、第３工程にて、形成するレジ
スト膜が決定された厚みとなるように、回転塗布の際の
ウエハの回転数を決定する。そして第４工程にて、決定
された回転数でウエハを回転させ、ウエハ上に下地膜を
介してレジストを塗布することを上記課題の解決手段と
している。
【００１３】本発明のレジスト回転塗布装置におけるレ
ジスト回転数決定装置では、ウエハと下地膜を構成する
各膜のうち、所定波長の光に対して非透光性でありかつ
レジスト膜に最も近い膜あるいはウエハとの間に別の膜
がある場合にその別の膜の厚みと、記憶手段で記憶した
屈折率のデータとに基づき、所定波長の光に対するレジ
スト膜の厚みと吸収光量との関係を求める演算手段を備
えていることから、下地膜を考慮したレジスト膜の厚み
とレジスト膜の吸収光量との関係が求まる。また求めた
関係から、吸収光量の変動が最小となるレジスト膜の厚
みを決定する膜厚決定手段と、形成するレジスト膜がそ
の決定された厚みとなるようにウエハの回転数を決定す
る回転数決定手段とを備えているため、現実の半導体デ
バイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけ
る定在波効果を考慮した最適なレジスト膜厚と、この膜
厚に形成するためのウエハの回転数が決定される。
ジスト回転数決定装置では、ウエハと下地膜を構成する
各膜のうち、所定波長の光に対して非透光性でありかつ
レジスト膜に最も近い膜あるいはウエハとの間に別の膜
がある場合にその別の膜の厚みと、記憶手段で記憶した
屈折率のデータとに基づき、所定波長の光に対するレジ
スト膜の厚みと吸収光量との関係を求める演算手段を備
えていることから、下地膜を考慮したレジスト膜の厚み
とレジスト膜の吸収光量との関係が求まる。また求めた
関係から、吸収光量の変動が最小となるレジスト膜の厚
みを決定する膜厚決定手段と、形成するレジスト膜がそ
の決定された厚みとなるようにウエハの回転数を決定す
る回転数決定手段とを備えているため、現実の半導体デ
バイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけ
る定在波効果を考慮した最適なレジスト膜厚と、この膜
厚に形成するためのウエハの回転数が決定される。
【００１４】本発明のレジスト回転塗布装置では、上記
発明の記憶手段と、演算手段と、膜厚決定手段と、回転
数決定手段とに加えて、回転数決定手段で決定された回
転数でウエハを回転させ、ウエハ上に下地膜を介してレ
ジストを回転塗布する回転塗布装置本体を備えているこ
とから、ウエハ上に下地膜を介してレジスト膜が、その
膜厚変動に対するレジスト膜の吸収変動が最小となる厚
みに形成される。
発明の記憶手段と、演算手段と、膜厚決定手段と、回転
数決定手段とに加えて、回転数決定手段で決定された回
転数でウエハを回転させ、ウエハ上に下地膜を介してレ
ジストを回転塗布する回転塗布装置本体を備えているこ
とから、ウエハ上に下地膜を介してレジスト膜が、その
膜厚変動に対するレジスト膜の吸収変動が最小となる厚
みに形成される。
【００１５】本発明のレジスト回転塗布方法では、下地
膜を考慮して、所定波長の光に対するレジスト膜の厚み
とレジスト膜の吸収光量との関係を求めた後、吸収光量
の変動が最小となるレジスト膜の厚みを決定することか
ら、現実の半導体デバイス製造プロセスのフォトリソグ
ラフィー工程における定在波効果を考慮した最適なレジ
スト膜厚が決定される。そして、形成するレジスト膜が
その決定された厚みとなるようにウエハの回転数を決定
し、この回転数でウエハを回転させレジストを回転塗布
するため、ウエハ上に下地膜を介してレジスト膜が、そ
の膜厚変動に対するレジスト膜の吸収変動が最小となる
厚みに形成される。
膜を考慮して、所定波長の光に対するレジスト膜の厚み
とレジスト膜の吸収光量との関係を求めた後、吸収光量
の変動が最小となるレジスト膜の厚みを決定することか
ら、現実の半導体デバイス製造プロセスのフォトリソグ
ラフィー工程における定在波効果を考慮した最適なレジ
スト膜厚が決定される。そして、形成するレジスト膜が
その決定された厚みとなるようにウエハの回転数を決定
し、この回転数でウエハを回転させレジストを回転塗布
するため、ウエハ上に下地膜を介してレジスト膜が、そ
の膜厚変動に対するレジスト膜の吸収変動が最小となる
厚みに形成される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳しく説明する。図１は、本発明に係るレジス
ト回転塗布装置の一実施形態を説明する図であり、
（ａ）は概念図、（ｂ）は（ａ）におけるＣＰＵの一構
成例を示す図である。図１（ａ）に示すようにこのレジ
スト回転塗布装置（以下、単に回転塗布装置と記す）１
は、本発明に係る回転数決定装置の一実施形態となるＣ
ＰＵ１０と、ＣＰＵ１０を接続した塗布装置本体２０と
から構成されている。
基づいて詳しく説明する。図１は、本発明に係るレジス
ト回転塗布装置の一実施形態を説明する図であり、
（ａ）は概念図、（ｂ）は（ａ）におけるＣＰＵの一構
成例を示す図である。図１（ａ）に示すようにこのレジ
スト回転塗布装置（以下、単に回転塗布装置と記す）１
は、本発明に係る回転数決定装置の一実施形態となるＣ
ＰＵ１０と、ＣＰＵ１０を接続した塗布装置本体２０と
から構成されている。
【００１７】塗布装置本体２０は、ウエハ３０を回転さ
せつつウエハ３０上に下地膜（図示略）を介してレジス
ト３１を塗布し、レジスト膜（図示略）を形成するもの
であり、既存のレジスト回転塗布装置と同様に、例えば
ウエハ３０を保持する保持部２１と、保持部２１を回転
させる駆動部２２と、保持部２１に保持されたウエハ３
０にレジスト３１を供給する供給部２３とを備えて構成
されている。そして、後述するごとく、レジスト３１の
回転塗布の際、ＣＰＵ１０で決定された回転数で保持部
２１に保持されたウエハ３０を回転させるようになって
いる。
せつつウエハ３０上に下地膜（図示略）を介してレジス
ト３１を塗布し、レジスト膜（図示略）を形成するもの
であり、既存のレジスト回転塗布装置と同様に、例えば
ウエハ３０を保持する保持部２１と、保持部２１を回転
させる駆動部２２と、保持部２１に保持されたウエハ３
０にレジスト３１を供給する供給部２３とを備えて構成
されている。そして、後述するごとく、レジスト３１の
回転塗布の際、ＣＰＵ１０で決定された回転数で保持部
２１に保持されたウエハ３０を回転させるようになって
いる。
【００１８】ＣＰＵ１０は、図１（ｂ）に示すように、
記憶手段１１と、演算手段１２と、膜厚決定手段１３
と、回転数決定手段１４とを備えて構成されている。記
憶手段１１には予め、所定波長の光に対する、つまりレ
ジスト膜をパターニングする際に用いる露光光に対す
る、各種のレジスト膜の屈折率のデータと、ウエハの屈
折率のデータと、下地膜を構成する各膜の露光光に対す
る屈折率のデータとがデータベースとして入力されてい
る。また各種のレジスト３１についての、ウエハ３０の
回転数とレジスト膜厚との関係のデータもデータベース
として入力されており、記憶手段１１はこれらのデータ
を記憶している。なお、下地膜を構成する各膜の屈折率
のデータには、露光光の光に対して非透光性である膜の
屈折率のデータも含まれている。
記憶手段１１と、演算手段１２と、膜厚決定手段１３
と、回転数決定手段１４とを備えて構成されている。記
憶手段１１には予め、所定波長の光に対する、つまりレ
ジスト膜をパターニングする際に用いる露光光に対す
る、各種のレジスト膜の屈折率のデータと、ウエハの屈
折率のデータと、下地膜を構成する各膜の露光光に対す
る屈折率のデータとがデータベースとして入力されてい
る。また各種のレジスト３１についての、ウエハ３０の
回転数とレジスト膜厚との関係のデータもデータベース
として入力されており、記憶手段１１はこれらのデータ
を記憶している。なお、下地膜を構成する各膜の屈折率
のデータには、露光光の光に対して非透光性である膜の
屈折率のデータも含まれている。
【００１９】ＬＳＩ製造プロセスで用いられる膜の種類
は、ある程度限られているので、予め、屈折計等を用い
た測定や文献値から露光光に対する各膜の屈折率を求め
ることにより、記憶手段１１に各膜に対応する屈折率の
データをデータベースとして入力することができる。ま
た各種のレジスト３１についての、ウエハ３０の回転数
とレジスト膜厚との関係も予備実験を行うことにより、
記憶手段１１にデータベースとして入力することができ
る。
は、ある程度限られているので、予め、屈折計等を用い
た測定や文献値から露光光に対する各膜の屈折率を求め
ることにより、記憶手段１１に各膜に対応する屈折率の
データをデータベースとして入力することができる。ま
た各種のレジスト３１についての、ウエハ３０の回転数
とレジスト膜厚との関係も予備実験を行うことにより、
記憶手段１１にデータベースとして入力することができ
る。
【００２０】演算手段１２には、下地膜を構成する膜種
と下地膜が多層構造である場合にその積層順との情報
（以下、膜構造の情報と記す）と、レジストの種類の情
報と、その下地膜を構成する各膜の厚みの情報がユーザ
ーより入力されるようになっている。
と下地膜が多層構造である場合にその積層順との情報
（以下、膜構造の情報と記す）と、レジストの種類の情
報と、その下地膜を構成する各膜の厚みの情報がユーザ
ーより入力されるようになっている。
【００２１】そして演算手段１２は、入力された膜構造
およびレジストの種類の情報に基づき、レジスト膜の屈
折率のデータと、露光光に対して非透光性でありかつレ
ジスト膜に最も近い膜の屈折率のデータあるいはウエハ
の屈折率のデータと、上記の非透光性でありかつレジス
ト膜に最も近い膜とウエハとの間に別の膜がある場合
に、この別の膜の屈折率のデータとを記憶手段１１から
読み出すようになっている。さらに、これらの屈折率の
データと、先に入力された膜厚情報のうち、露光光に対
して非透光性でありかつレジスト膜に最も近い膜あるい
はウエハ３０とレジスト膜との間に別の膜がある場合に
その膜の厚みとから、例えば前述した図４や図５に示す
ような、露光光に対するレジスト膜の厚みとそのレジス
ト膜の吸収光量との関係を求める演算機能を備えてお
り、この結果を膜厚決定手段１３に出力するように構成
されている。
およびレジストの種類の情報に基づき、レジスト膜の屈
折率のデータと、露光光に対して非透光性でありかつレ
ジスト膜に最も近い膜の屈折率のデータあるいはウエハ
の屈折率のデータと、上記の非透光性でありかつレジス
ト膜に最も近い膜とウエハとの間に別の膜がある場合
に、この別の膜の屈折率のデータとを記憶手段１１から
読み出すようになっている。さらに、これらの屈折率の
データと、先に入力された膜厚情報のうち、露光光に対
して非透光性でありかつレジスト膜に最も近い膜あるい
はウエハ３０とレジスト膜との間に別の膜がある場合に
その膜の厚みとから、例えば前述した図４や図５に示す
ような、露光光に対するレジスト膜の厚みとそのレジス
ト膜の吸収光量との関係を求める演算機能を備えてお
り、この結果を膜厚決定手段１３に出力するように構成
されている。
【００２２】例えば図２（ａ）に示すように、ウエハ３
０上面に、露光光に対して透光性がある第１膜３４およ
び第２膜３５がこの順に積層されて下地膜３３が構成さ
れており、この多層構造の下地膜３３上にレジスト膜３
２を形成する場合、演算手段１２はレジスト膜３２の屈
折率のデータと、下地膜３３の第１膜３４、第２膜３５
の屈折率のデータと、ウエハ３０の屈折率のデータとを
記憶手段１１から読み出す。そして、読み出した屈折率
のデータと、第１膜３４、第２膜３５のそれぞれの厚み
とから、露光光に対するレジスト膜３２の厚みとその吸
収光量との関係を求めるようになっている。
０上面に、露光光に対して透光性がある第１膜３４およ
び第２膜３５がこの順に積層されて下地膜３３が構成さ
れており、この多層構造の下地膜３３上にレジスト膜３
２を形成する場合、演算手段１２はレジスト膜３２の屈
折率のデータと、下地膜３３の第１膜３４、第２膜３５
の屈折率のデータと、ウエハ３０の屈折率のデータとを
記憶手段１１から読み出す。そして、読み出した屈折率
のデータと、第１膜３４、第２膜３５のそれぞれの厚み
とから、露光光に対するレジスト膜３２の厚みとその吸
収光量との関係を求めるようになっている。
【００２３】また図２（ｂ）に示すように、下地膜３６
が、上記第１膜３４と第２膜３５との間に、露光光に対
して非透光性の第３膜３７が介在した構造となってお
り、この下地膜３６上にレジスト膜３２を形成する場
合、演算手段１２はレジスト膜３２の屈折率のデータ
と、下地膜３３のうちの第３膜３７、第２膜３５の屈折
率のデータとを記憶手段１１から読み出す。そして、そ
の屈折率のデータと、第３膜３７、第２膜３５のそれぞ
れの厚みとから、露光光に対するレジスト膜３２の厚み
とその吸収光量との関係を求めるようになっている。
が、上記第１膜３４と第２膜３５との間に、露光光に対
して非透光性の第３膜３７が介在した構造となってお
り、この下地膜３６上にレジスト膜３２を形成する場
合、演算手段１２はレジスト膜３２の屈折率のデータ
と、下地膜３３のうちの第３膜３７、第２膜３５の屈折
率のデータとを記憶手段１１から読み出す。そして、そ
の屈折率のデータと、第３膜３７、第２膜３５のそれぞ
れの厚みとから、露光光に対するレジスト膜３２の厚み
とその吸収光量との関係を求めるようになっている。
【００２４】なお、下地膜が多層構造である場合に、レ
ジスト膜の膜厚とその吸収光量との関係を計算機を用い
て演算し、シミュレーションする方法については、例え
ば「P.H.Berning,"Theory and calculations of optica
l thin films",in Physics of Thin Films,Vol.1,Georg
e Hass,Ed.New York:Academic Press,1963,pp.69-121」
あるいは、「F.H.Dill,A.R.Neureuther,J.A.Tuttle,and
E.J.Walker,"Modeling Projection Printing of Posit
ive Photoresists",IEEE Trans.Electron Device,Vol.E
D-22,No.7,July,1975 」等の文献に詳述されており、演
算手段１１は例えばこの方法で演算する機能を備えてい
る。
ジスト膜の膜厚とその吸収光量との関係を計算機を用い
て演算し、シミュレーションする方法については、例え
ば「P.H.Berning,"Theory and calculations of optica
l thin films",in Physics of Thin Films,Vol.1,Georg
e Hass,Ed.New York:Academic Press,1963,pp.69-121」
あるいは、「F.H.Dill,A.R.Neureuther,J.A.Tuttle,and
E.J.Walker,"Modeling Projection Printing of Posit
ive Photoresists",IEEE Trans.Electron Device,Vol.E
D-22,No.7,July,1975 」等の文献に詳述されており、演
算手段１１は例えばこの方法で演算する機能を備えてい
る。
【００２５】膜厚決定手段１３は、演算手段１２にて求
められた露光光に対するレジスト膜の厚みとレジスト膜
の吸収光量との関係から、レジスト膜の厚みの変動に対
して吸収光量の変動が最小となるレジスト膜の厚みを決
定するものであり、この最適レジスト膜厚の決定結果
を、回転数決定手段１４に出力するように構成されてい
る。
められた露光光に対するレジスト膜の厚みとレジスト膜
の吸収光量との関係から、レジスト膜の厚みの変動に対
して吸収光量の変動が最小となるレジスト膜の厚みを決
定するものであり、この最適レジスト膜厚の決定結果
を、回転数決定手段１４に出力するように構成されてい
る。
【００２６】回転数決定手段１４は、膜厚決定手段１３
から送られた最適な厚みにレジスト膜が形成されるよう
に、塗布装置本体２０にてレジスト３１を回転塗布する
際のウエハ３０の回転数を決定するものであり、ユーザ
ーより入力されたレジストの種類の情報が回転数決定手
段１３にも入力されるようになっている。そして回転数
決定手段１３は、その情報から記憶手段１１にて記憶さ
れているウエハ３０の回転数とレジスト膜厚との関係の
データを読み出して、このデータから膜厚決定手段１３
にて決定された最適なレジスト膜厚に基づきウエハ３０
の回転数を決定し、塗布装置本体２０の駆動部２２に出
力するように構成されている。そして前述した塗布装置
本体２０は、駆動部２２により、決定された回転数で保
持部２１に保持されたウエハ３０を回転させつつ、ウエ
ハ３０上に下地膜を介してレジスト３１を塗布し、所望
の膜厚のレジスト膜を形成するようになっている。
から送られた最適な厚みにレジスト膜が形成されるよう
に、塗布装置本体２０にてレジスト３１を回転塗布する
際のウエハ３０の回転数を決定するものであり、ユーザ
ーより入力されたレジストの種類の情報が回転数決定手
段１３にも入力されるようになっている。そして回転数
決定手段１３は、その情報から記憶手段１１にて記憶さ
れているウエハ３０の回転数とレジスト膜厚との関係の
データを読み出して、このデータから膜厚決定手段１３
にて決定された最適なレジスト膜厚に基づきウエハ３０
の回転数を決定し、塗布装置本体２０の駆動部２２に出
力するように構成されている。そして前述した塗布装置
本体２０は、駆動部２２により、決定された回転数で保
持部２１に保持されたウエハ３０を回転させつつ、ウエ
ハ３０上に下地膜を介してレジスト３１を塗布し、所望
の膜厚のレジスト膜を形成するようになっている。
【００２７】次にこのようなレジスト回転塗布装置１を
用いて行うレジスト膜の形成方法に基づき、本発明のレ
ジスト回転塗布方法の一実施形態を図３を用いて説明す
る。ウエハ３０上に下地膜を介してレジスト３１を回転
塗布するには、まずステップ（以下、ＳＴと記す）１に
示す第１工程にて、ＣＰＵ１０に下地膜の膜構造の情報
と、レジストの種類の情報と、その下地膜を構成する各
膜の厚みの情報とを入力する。そして前述したごとく、
入力された情報と記憶手段１１に記憶されたデータとに
基づき、演算手段により、露光光に対するレジスト膜の
厚みとそのレジスト膜の吸収光量との関係を求める。次
いでＳＴ２に示す第２工程にて、膜厚決定手段１３によ
り、先に求められた露光光に対するレジスト膜の厚みと
レジスト膜の吸収光量との関係から、レジスト膜の厚み
の変動に対して吸収光量の変動が最小となる最適なレジ
スト膜の厚みを決定する。
用いて行うレジスト膜の形成方法に基づき、本発明のレ
ジスト回転塗布方法の一実施形態を図３を用いて説明す
る。ウエハ３０上に下地膜を介してレジスト３１を回転
塗布するには、まずステップ（以下、ＳＴと記す）１に
示す第１工程にて、ＣＰＵ１０に下地膜の膜構造の情報
と、レジストの種類の情報と、その下地膜を構成する各
膜の厚みの情報とを入力する。そして前述したごとく、
入力された情報と記憶手段１１に記憶されたデータとに
基づき、演算手段により、露光光に対するレジスト膜の
厚みとそのレジスト膜の吸収光量との関係を求める。次
いでＳＴ２に示す第２工程にて、膜厚決定手段１３によ
り、先に求められた露光光に対するレジスト膜の厚みと
レジスト膜の吸収光量との関係から、レジスト膜の厚み
の変動に対して吸収光量の変動が最小となる最適なレジ
スト膜の厚みを決定する。
【００２８】続いてＳＴ３に示す第３工程にて、回転数
決定手段１４により、記憶手段１で記憶されたウエハ３
０の回転数とレジスト膜厚との関係のデータと、先に決
定した最適なレジスト膜厚とに基づき、この厚みにレジ
スト膜が形成されるように、回転塗布の際のウエハ３０
の回転数を決定する。そしてＳＴ４に示す第４工程に
て、塗布装置本体２０の駆動部２２により、決定した回
転数でウエハ３０を回転させつつウエハ３０上に下地膜
を介してレジスト３１を塗布し、所望の膜厚のレジスト
膜を形成する。
決定手段１４により、記憶手段１で記憶されたウエハ３
０の回転数とレジスト膜厚との関係のデータと、先に決
定した最適なレジスト膜厚とに基づき、この厚みにレジ
スト膜が形成されるように、回転塗布の際のウエハ３０
の回転数を決定する。そしてＳＴ４に示す第４工程に
て、塗布装置本体２０の駆動部２２により、決定した回
転数でウエハ３０を回転させつつウエハ３０上に下地膜
を介してレジスト３１を塗布し、所望の膜厚のレジスト
膜を形成する。
【００２９】上記したように、この実施形態では、ウエ
ハ上面と形成するレジスト膜との間に介在する下地膜を
考慮して、レジスト膜の厚みとレジスト膜の吸収光量と
の関係を求め、この関係から最適なレジスト膜厚を決定
するので、現実の半導体デバイス製造プロセスのフォト
リソグラフィー工程における定在波効果を考慮したレジ
スト膜厚を決定することができる。また決定したレジス
ト膜厚に基づき、レジストを回転塗布する際のウエハ３
０の回転数を決定し、その回転数でウエハ３０を回転さ
せつつレジスト３１を塗布するので、レジスト膜を、そ
の膜厚変動に対して吸収光量が敏感に変動する厚みに形
成することなく、常に吸収光量の変動が最小となる厚み
に形成することができる。
ハ上面と形成するレジスト膜との間に介在する下地膜を
考慮して、レジスト膜の厚みとレジスト膜の吸収光量と
の関係を求め、この関係から最適なレジスト膜厚を決定
するので、現実の半導体デバイス製造プロセスのフォト
リソグラフィー工程における定在波効果を考慮したレジ
スト膜厚を決定することができる。また決定したレジス
ト膜厚に基づき、レジストを回転塗布する際のウエハ３
０の回転数を決定し、その回転数でウエハ３０を回転さ
せつつレジスト３１を塗布するので、レジスト膜を、そ
の膜厚変動に対して吸収光量が敏感に変動する厚みに形
成することなく、常に吸収光量の変動が最小となる厚み
に形成することができる。
【００３０】したがって、この実施形態によれば、レジ
スト膜をパターニングする際のレジストパターン寸法の
変動量、例えばレジストを塗布する下地に段差があった
場合でも、段差上下におけるレジスト膜厚変動によるそ
の線幅の変動量を最小限に抑えられるレジスト膜を形成
することができ、このことにより、半導体デバイス製造
プロセスのすべてのフォトリソグラフィー工程におい
て、定在波効果によるレジストパターン寸法の精度劣化
を最小限に低減することができる。
スト膜をパターニングする際のレジストパターン寸法の
変動量、例えばレジストを塗布する下地に段差があった
場合でも、段差上下におけるレジスト膜厚変動によるそ
の線幅の変動量を最小限に抑えられるレジスト膜を形成
することができ、このことにより、半導体デバイス製造
プロセスのすべてのフォトリソグラフィー工程におい
て、定在波効果によるレジストパターン寸法の精度劣化
を最小限に低減することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレジスト回
転塗布装置におけるレジスト回転数決定装置によれば、
下地膜を考慮したレジスト膜の厚みとレジスト膜の吸収
光量との関係を求める演算手段と、求めた関係から吸収
光量の変動が最小となる最適なレジスト膜の厚みを決定
する膜厚決定手段と、形成するレジスト膜がその決定さ
れた厚みとなるようにウエハの回転数を決定する回転数
決定手段とを備えているので、現実の半導体デバイス製
造プロセスのフォトリソグラフィー工程における定在波
効果を考慮した最適な厚みにレジスト膜が形成されるよ
う、ウエハの回転数を決定することができる。よって、
この発明を用いれば、定在波効果を考慮した最適な厚み
のレジスト膜を形成することができる。また本発明のレ
ジスト回転塗布装置によれば、上記発明の記憶手段と、
演算手段と、膜厚決定手段と、回転数決定手段とに加え
て、回転数決定手段で決定された回転数でウエハを回転
させ、レジストを回転塗布する回転塗布装置本体を備え
ていることから、ウエハ上に下地膜を介してレジスト膜
を、その膜厚変動に対するレジスト膜の吸収変動が最小
となる最適な厚みに形成することができる。本発明のレ
ジスト回転塗布方法によれば、下地膜を考慮して、所定
波長の光に対するレジスト膜の厚みとレジスト膜の吸収
光量との関係を求め、この関係から最適なレジスト膜の
厚みを決定した後、レジスト膜がその決定された厚みと
なるようにウエハの回転数を決定し、この回転数でウエ
ハを回転させレジストを塗布するので、レジスト膜を、
現実の半導体デバイス製造プロセスのフォトリソグラフ
ィー工程における定在波効果を考慮した最適な厚みに形
成することができる。よって、本発明を用いれば、半導
体デバイス製造プロセスのすべてのフォトリソグラフィ
ー工程において、定在波効果によるレジストパターン寸
法の精度劣化を最小限に低減することができる。
転塗布装置におけるレジスト回転数決定装置によれば、
下地膜を考慮したレジスト膜の厚みとレジスト膜の吸収
光量との関係を求める演算手段と、求めた関係から吸収
光量の変動が最小となる最適なレジスト膜の厚みを決定
する膜厚決定手段と、形成するレジスト膜がその決定さ
れた厚みとなるようにウエハの回転数を決定する回転数
決定手段とを備えているので、現実の半導体デバイス製
造プロセスのフォトリソグラフィー工程における定在波
効果を考慮した最適な厚みにレジスト膜が形成されるよ
う、ウエハの回転数を決定することができる。よって、
この発明を用いれば、定在波効果を考慮した最適な厚み
のレジスト膜を形成することができる。また本発明のレ
ジスト回転塗布装置によれば、上記発明の記憶手段と、
演算手段と、膜厚決定手段と、回転数決定手段とに加え
て、回転数決定手段で決定された回転数でウエハを回転
させ、レジストを回転塗布する回転塗布装置本体を備え
ていることから、ウエハ上に下地膜を介してレジスト膜
を、その膜厚変動に対するレジスト膜の吸収変動が最小
となる最適な厚みに形成することができる。本発明のレ
ジスト回転塗布方法によれば、下地膜を考慮して、所定
波長の光に対するレジスト膜の厚みとレジスト膜の吸収
光量との関係を求め、この関係から最適なレジスト膜の
厚みを決定した後、レジスト膜がその決定された厚みと
なるようにウエハの回転数を決定し、この回転数でウエ
ハを回転させレジストを塗布するので、レジスト膜を、
現実の半導体デバイス製造プロセスのフォトリソグラフ
ィー工程における定在波効果を考慮した最適な厚みに形
成することができる。よって、本発明を用いれば、半導
体デバイス製造プロセスのすべてのフォトリソグラフィ
ー工程において、定在波効果によるレジストパターン寸
法の精度劣化を最小限に低減することができる。
【図１】本発明のレジスト回転塗布装置の一実施形態を
説明する図であり、（ａ）は概念図、（ｂ）は（ａ）に
おけるＣＰＵの一構成例を示すブロック図である。
説明する図であり、（ａ）は概念図、（ｂ）は（ａ）に
おけるＣＰＵの一構成例を示すブロック図である。
【図２】下地膜の構成例を説明する図であり、（ａ）は
下地膜を構成する膜のすべてが透光性の膜であるの断面
図、（ｂ）は下地膜を構成する膜の一つが非透光性の膜
である場合の断面図である。
下地膜を構成する膜のすべてが透光性の膜であるの断面
図、（ｂ）は下地膜を構成する膜の一つが非透光性の膜
である場合の断面図である。
【図３】本発明のレジスト回転塗布方法の一実施形態を
工程順に示す説明図である。
工程順に示す説明図である。
【図４】ベアＳｉウエハ上に形成したレジスト膜の厚み
と吸収光量との関係を示す図である。
と吸収光量との関係を示す図である。
【図５】ウエハ上に下地層を介して形成したレジスト膜
の厚みと吸収光量との関係を示す図である。
の厚みと吸収光量との関係を示す図である。
１ 回転塗布装置 １０ ＣＰＵ １１ 記憶手段 １２ 演算手段 １３ 膜厚決定手段 １４ 回転数決定手
段 ２０ 塗布装置本体 ３０ ウエハ ３１ レジスト ３３、３６ 下地膜
段 ２０ 塗布装置本体 ３０ ウエハ ３１ レジスト ３３、３６ 下地膜
Claims (3)
- 【請求項１】 ウエハを回転させつつ該ウエハ上に下地
膜を介してレジストを塗布し、レジスト膜を形成するレ
ジスト回転塗布装置における回転数決定装置であって、 所定波長の光に対する前記レジスト膜の屈折率のデータ
と、前記ウエハと前記下地膜を構成する各膜のうち、前
記所定波長の光に対して非透光性でありかつ前記レジス
ト膜に最も近い膜あるいはウエハの屈折率のデータと、
該膜あるいはウエハと前記レジスト膜との間に別の膜が
ある場合に該別の膜の屈折率のデータとを記憶する記憶
手段と、 前記別の膜がある場合に該別の膜の厚みと、前記記憶手
段で記憶した屈折率のデータとに基づき、前記所定波長
の光に対する前記レジスト膜の厚みと吸収光量との関係
を求める演算手段と、 該演算手段で求められた前記レジスト膜の膜みと吸収光
量との関係から、該吸収光量の変動が最小となる前記レ
ジスト膜の厚みを決定する膜厚決定手段と、 前記形成するレジスト膜が前記膜厚決定手段で決定され
た厚みとなるように、前記回転塗布の際の前記ウエハの
回転数を決定する回転数決定手段とを備えていることを
特徴とするレジスト回転塗布装置における回転数決定装
置。 - 【請求項２】 ウエハを回転させつつ該ウエハ上に下地
膜を介してレジストを塗布し、レジスト膜を形成するレ
ジスト回転塗布装置であって、 所定波長の光に対する前記レジスト膜の屈折率のデータ
と、前記ウエハと前記下地膜を構成する各膜のうち、前
記所定波長の光に対して非透光性でありかつ前記レジス
ト膜に最も近い膜あるいはウエハの屈折率のデータと、
該膜あるいはウエハと前記レジスト膜との間に別の膜が
ある場合に該別の膜の屈折率のデータとを記憶する記憶
手段と、 前記別の膜がある場合に該別の膜の厚みと、前記記憶手
段で記憶した屈折率のデータとに基づき、前記所定波長
の光に対する前記レジスト膜の厚みと吸収光量との関係
を求める演算手段と、 該演算手段で求められた前記レジスト膜の膜みと吸収光
量との関係から、該吸収光量の変動が最小となる前記レ
ジスト膜の厚みを決定する膜厚決定手段と、 前記形成するレジスト膜が前記膜厚決定手段で決定され
た厚みとなるように、前記回転塗布の際の前記ウエハの
回転数を決定する回転数決定手段と該回転数決定手段で
決定された回転数で前記ウエハを回転させ、該ウエハ上
に前記下地膜を介して前記レジストを塗布する回転塗布
装置本体とを備えていることを特徴とするレジスト膜回
転塗布装置。 - 【請求項３】 ウエハを回転させつつ該ウエハ上に下地
膜を介してレジストを塗布し、レジスト膜を形成する方
法において、 所定波長の光に対する前記レジスト膜の屈折率のデータ
と、前記ウエハと前記下地膜を構成する各膜のうち、前
記所定波長の光に対して非透光性でありかつ前記レジス
ト膜に最も近い膜あるいはウエハの屈折率のデータと、
該膜あるいはウエハと前記レジスト膜との間に別の膜が
ある場合に該別の膜の屈折率のデータと、該別の膜があ
る場合にこの別の膜の厚みとに基づき、前記所定波長の
光に対する前記レジスト膜の厚みと吸収光量との関係を
求める第１工程と、 該第１工程で求められた前記レジスト膜の厚みと吸収光
量との関係から、該吸収光量の変動が最小となる前記レ
ジスト膜の厚みを決定する第２工程と、 前記形成するレジスト膜が前記決定された厚みとなるよ
うに、前記回転塗布の際の前記ウエハの回転数を決定す
る第３工程と、 該決定された回転数で前記ウエハを回転させ、該ウエハ
上に前記下地膜を介して前記レジストを塗布する第４工
程とを有していることを特徴とするレジスト回転塗布方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23656595A JPH0982608A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | レジスト回転塗布装置における回転数決定装置、レジスト回転塗布装置およびレジスト回転塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23656595A JPH0982608A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | レジスト回転塗布装置における回転数決定装置、レジスト回転塗布装置およびレジスト回転塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982608A true JPH0982608A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17002525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23656595A Pending JPH0982608A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | レジスト回転塗布装置における回転数決定装置、レジスト回転塗布装置およびレジスト回転塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982608A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6457882B2 (en) * | 2000-03-14 | 2002-10-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US6493078B1 (en) | 2001-09-19 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to improve coating quality |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP23656595A patent/JPH0982608A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6457882B2 (en) * | 2000-03-14 | 2002-10-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| SG91902A1 (en) * | 2000-03-14 | 2002-10-15 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US6493078B1 (en) | 2001-09-19 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to improve coating quality |
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