TW494582B - White light illumination system with improved color output - Google Patents

White light illumination system with improved color output Download PDF

Info

Publication number
TW494582B
TW494582B TW090105974A TW90105974A TW494582B TW 494582 B TW494582 B TW 494582B TW 090105974 A TW090105974 A TW 090105974A TW 90105974 A TW90105974 A TW 90105974A TW 494582 B TW494582 B TW 494582B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
patent application
item
emitting diode
light
scope
Prior art date
Application number
TW090105974A
Other languages
English (en)
Inventor
Anil Raj Duggal
Alok Mani Srivastava
Holly Ann Comanzo
Original Assignee
Gen Electric
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric
Application granted granted Critical
Publication of TW494582B publication Critical patent/TW494582B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of group II and group VI of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of group IV of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Description

494582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 ______B7五、發明説明（1 ) 發明背景 本發明大體上關於一種白光照射系統，且特別地關於 一種陶瓷YAG:Ce:Gd磷光體，用於將發光二極體（"LED")所 發出的監光轉變成爲白光。 白LED係用當作液晶顯示器中的背光及用當作小的傳 統燈和螢光燈的替代物。如S· Nakamura等人在「藍色雷射 —*極體」之弟10.4早弟216-221頁（Springer 1997)中所目寸論 的，其倂於本文中作參考，白光LED之製造係藉由在藍發 光半導體LED的輸出表面上形成一種陶瓷磷光體層。傳統 地，藍LED係一種InGaN單量子井LED，而磷光體係一種 經鈽摻雜的釔鋁石榴石（"YGA")，即Y3Ah〇12:Ce3+。LED所 放出的藍光激發磷光體導致其放出黃光。LED所放出藍光 係透射經過磷光體且與磷光體所放出的黃光混合。觀察者 將藍光和黃光的混合光看成白光。 藍LED、黃YAG磷光體以及LED和磷光體之白光合倂 輸出的色度座標可繪在周知的CIE色度圖上，如第1圖中所 示。在一些教科書中有詳細解釋色度座標和CIE色度圖， 如Κ· H. Butler的「螢光燈磷光體」（賓夕凡尼亞州立大學 出版部1980)第98-107頁，及G. Blasse等人的「發光物質 」（Springer-Verlag 1 994)第109-110頁，兩者皆倂於本文中 作參考。如第1圖中所示，先前技藝用於發出白光的藍led 之色度座標係在於第1圖中的CIE色度圖上的圓圈1。換言 之，LED的色度座標將由圓圈1內的單點所表示，特定點 的位置係取決於LED的波峰發射波長。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_
、1T 線 -4- 494582 A7 B7 五、發明説明（2 ) 丫0八：。63 +磷光體的色度座標係由第1圖中沿著線：3的點 所表示，取決於Y晶格位置上的Gd摻雜物之含量及/或A1 晶格位置上的Ga摻雜物之含量。例如，含高含量Gd及/或 低含量Ga摻雜物的YAG磷光體之色度座標可位於點5處， 而低含量Gd及/或高含量Ga摻雜物的YAG磷光體之色度座 標可位於點7處。含中量Gd及/或Ga摻雜物的YAG磷光體 之色度座標可位於沿著點5與7之間的線4上之任何點，例 如點 9、1 1、13 或 15。 藍LED和YAG磷光體的組合輸出之色度座標可在第1 圖中的CIE色度圖上的扇形區域內變動，邊界爲線1 7和1 9 。換言之，LED和磷光體的輸出之組合色度座標可在第1 圖中的圓圈1、線1 3、線1 7和線1 9爲邊界的區域內之任何 點，如Nakamura等人的教科書之第220頁所述者。然而， Nakamura等人所述的LED-磷光體係有數個缺點。 如第1圖中所示，CIE色度圖含有眾所周知的黑體軌跡 ("BBL")，由線21所表示。沿著BBL的色度座標（即色點）會 服從普朗克方程式：Ε(λ) = Αλ_5/(6(Β/τ)-1)，其中E係發射強 度，λ係發射波長，Τ係黑體的色溫，而Α和Β係常數。第 1圖中的BBL上顯示色溫T(凱氏度）的不同値。再者，位置 在BBL上或接近BBL者的點或色座標會產生令觀看內愉悅 的白光。典型的白光照明源係選自於具有色溫在範圍2500K 至7000K內的BBL上之色度點。例如，在BBL上具有色溫 3900K的點之燈係稱爲「自然白」，色溫300.0K係稱爲「標 準暖白」，等等。然而，位置離開BBL的點或色座標係爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ r 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 494582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印t A7 ___ B7 ____五、發明説明（3 ) 觀看人較不能接受的白光。因此，第1圖中所示的LED-磷 光體含有許多介於線1 7和1 9之間的點和色座標，它們不會 產生令人可接受的照明用白光。 爲了可用當作白光源，LED-磷光體系統的色度座標必 須位於BBL上或接近BBL。在磷光體的製造期間，LED-磷 光體系統的色輸出會由於頻常、不可避免的、與所欲參數 之例行偏差（即製造的系統性誤差），而大大地變化。 例如，LED-磷光體系統的色輸對於磷光體的厚度係非 常敏感的。若磷光體太薄，則LED所發出之超過適量的藍 光將穿透過磷光體，而組合的LED-磷光體系統之光輸出將 顯現淺藍色的，因爲其由LED的輸出所主控。在此情況中 ，系統的輸出波長之色度座標將靠近LED色度座標而離開 CIE色度圖上的BBL。與之成對比地，若磷光體太厚度，則 少於適量的藍LED光將穿透過厚的磷光體層。於是組合的 LED-磷光體系統將顯現淺黃色的，因爲其由磷光體的黃色 輸出所主控。 因此，磷光體的厚度係爲一種影響系統之色輸出的關 鍵變數。不幸地，在大規模製造LED-磷光體系統時係難以 控制磷光體的厚度，而磷光體的變化常常造成系統的輸出 不適合於白光照明用途或呈現非白色的（即淡藍色或淡黃色） ，此導致一種令人不能接受的低LED-磷光體生產良率。 第2圖顯示一種CIE色度圖’其包含先前技藝YAG:Ce3 + 磷光體層之點1 1的色度座標’其位於一具有在點23的色度 座標之藍LED上。因此在第2圖中’此系統的色度座標將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝 、1Τ 線 -6 - 494582 A7 B7 五、發明説明（4 ) 沿著連接點1 1和23的線25。若磷光體層係比產生白光者 所需者薄的話，則太多的藍LED光將穿透過磷光體層，而 系統的光輸出之色度座標將接近LED座標，如在點27，位 於BBL下方。此系統的輸出將呈現淡藍色。若磷光體層係 比產生白光者所需者厚的話，則太少的LED光將被磷光體 所吸收，而系統的色度座標將接近磷光體座標，如在點29 ，位於BBL上方。系統的輸出將呈現淡黃色。只要磷光體 層的厚度幾乎完全等於產生可接受的白光所需者，則系統 的色度座標將靠近在點31的BBL或在BBL上。因此，第2 圖顯示系統色輸出對於磷光體層厚度變化的敏感度。 再者，先前技藝的LED-磷光體系統係有許多的其它缺 陷。爲了獲得色度座標在或接近BBL的具有不同色溫度白 光照明系統（即一種產生用於照明目的之可接受的白光），必 須改變磷光體的組成。例如，若先前技藝的系統包含一種 具有色座標位於第2圖中的點1 1之組成的磷光體，則含此 特定磷光體的LED-磷光體系統將具有接近BBL的色座標， 僅有介於約5 800K和6800K之間的窄色溫範圍。就此色溫 範圍之外的照明用途而言，具有該特定磷光體組成的系統 係不會產生一種令人可接受的白光。因此，必須改變磷光 體組成，俾獲得一種令人可接受的白光，其適合於範圍 5 800K和6 800K之外的適宜色溫之照明用途。磷光體組成所 需的改變會增加製程的成本和複雜性。本發明之目標爲克 服或至少減少上述問題。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言
T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) t明簡述 本發明之一觀點爲提供一種白光照射系統，其包括一 輻射源及一發光物質，其中輻射源的發射光譜代表CIE色 度圖上的第一點，發光物質的發射光譜代表CIE色度圖上 的第二點，而一連接第一點與第二點的第一條線係接近CIE 色度圖上的黑體軌跡。 本發明另一觀點爲提供一種白光照射系統，其包括 (Ai，xGdx)3D5Ei2:Ce，其中 A 包括 Y、Lu、Sm和 La 中的至 少一者，D包括Al、Ga、Sc和In中的至少一者，E包括 氧’ x>0.4，及提供一種具有尖峰發射波長大於470nm的發 光二極體。 _ 本發明又一觀點爲提供一種產生白光照射系統之方法 ，該系統包含一輻射源及一發光物質，該方法包括：選擇 一接近CIE色度圖上的黑體軌跡之第一線，形成輻射源， 其中射源的發射光譜係由第一線上的第一點所表示，及 形成發光物質，其中發光物質的發射光譜係由第一線上的 第二點所表示。 圖式之簡單說明 第1-2圖係爲先前技藝照射系統之CIE色度圖。 第3和5圖係爲依本發明較佳實施例的照射系統之CIE 色度圖。 第4和6圖係爲依本發明較佳實施例的照射系統之CIE 色度圖的中央區域之特寫視圖。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X29<7公釐） --1------丨批衣------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8 - 494582 A7 B7 五、發明説明（6 ) 第7-9圖係爲本發明之照射系統的較佳結構之剖面示意 圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 1 圓圈 3 線 5 點 7 點 9 點 11 點 13 點 15 點 17 線 19 線 21 B B L曲線 23 點 25 線 27 點 29 點 31 點 33 線 35 點 37 點 39 LED色度座標39 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -9- 494582 A7 B7 五、發明説明（7 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 41 發光物質色度座標 43 線 45 線 47 線 49 點 5 1 點 55 線 57 線 59 點 65 線 66 點 67 點 69 點 70 點 71 LED晶片 73 導線 75 引線框 77 殼 79 包膠材料 81 發光物質 83 白光 85 藍或藍-綠光 發明之詳細說明 _ 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -10- 494582 A7 B7 五、發明説明（8 ) 鑒於先前技藝的問題，茲希望能夠獲得一種白光輻射 源-發光物質照射系統，其之色輸出係較不敏感於系統製程 期間的誤差，尤其發光物質的厚度誤差和變化。再者，希 望能夠獲得一種白光輻射源-發光物質照射系統，其可提供 ~種適於照明用途的可接受之白光，有寬廣範圍的色溫， 而不改變發光物質的組成。較宜地，輻射源包括LED。 本案發明人已經發現當一連接代表LED色度座標的點 與一代表發光物質色度座標的點之線係接近CIE色度圖上 的BBL時，則LED-發光物質系統的色輸出係較不敏感於製 造誤差。再者，這樣的系統係能提供一種可用於照明用途 的令人可接受之白光，具有廣範圍的色溫而不改變發光物 質的組成。 術語發光物質包括粉未形式（磷光體）和固體‘形式（閃爍 體）的發光物質。術語”LED色度座標”係指CIE色度圖上的 LED發射光譜之色度座標。術語”發光物質色度座標”係指 CIE色度圖上的發光物質發射光譜之色度座標。 連接LED和發光物質色度座標的線係可能以許多不同 的方式來接近BBL曲線。在本發明一較佳實施例中，一與 BBL曲線相交兩次的線係接近BBL曲線，如第3和4圖中所 示。第4圖係爲第3圖之中央部位的特寫。例如，線3 3可 在點35和37與BBL曲線21相交兩次。線33連接LED色度 座標39與發光物質色度座標41。當然，所示的線33係僅 爲說明之目的。可以有許多其它的線來連接不同的LED色 度座標與不同的發光物質色度座標，且其與BBL曲線相交 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 494582 Α7 Β7 五、發明説明（9 ) 兩次。例如，可藉改變尖峰發射波長，及因此改變沿著線 43的LED之色度座標，或藉由改變沿著線3的尖峰發光物 質發射波長，而改變線的斜度。 被視爲可用於照明用途的白光源典型上係在BBL的+/-O.Oly單位內，且較佳在BBL的+/-0.〇〇5y單位內。”y單位” 係一種沿著CIE色度圖的y軸之單位。線，如線3 3，係與 BBL曲線相交兩次而接近BBL曲線，因爲此線上的許多點 係與BBL曲線相隔O.Oly單位或更小，且較佳與BBL曲線相 隔0.005y單位或更小。 例如介於約7000K和3500K間的線33上之點對於觀看 人而言係呈現白色，而對應於一令人可接受的白光源，因 爲這些點係位於線45和47之間，其描繪出含有色度座標爲 與BBL曲線21相隔O.Oly單位或更小的CIE色度圖上之空 間。 較宜地，線33與BBL曲線相交，俾其含有對應於至少 2000K分開的色溫之兩點，且它們係與BBL曲線21相隔 0.0 1 y單位或更小，如第4圖中所示。例如，對應於約 6000K和4000K溫度的點49和51係位於線33上，與BBL曲 線21相隔O.Oly單位或更小。位於點49和51間的線33上 之點係亦位於線45和47間，在與BBL曲線相隔O.Oly單位 內，如第4圖中所示。因此，所有這些點係對應一令人可 接受的用於照明用途之白光源。再者，藉由選擇一種具有 色座標在對應於約1 0,800K和3 800K(點53)的色溫之線33上 的任一點之系統，則可以獲得一種具有寬色溫範圍而不改 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） — 穿-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 A7 B7 五、發明説明（) 變發光物質組成的白光照射系統。 最宜地，線33與BBL曲線相交，俾其含有對應於至少 2000K分開的色溫之兩點，且它們係與BBL曲線21相隔 0.〇05y單位或更小，如第5圖中所示。例如，對應於約 6000K和4000K溫度的點49和51係位於線33上，與BBL曲 線21相隔0.005y單位或更小。位於點49和51間的線33上 之點係亦位於線55和57間，在與BBL曲線相隔〇.〇〇5y單位 內，如第5圖中所示。因此，所有這些點係對應一令人可 接受的用於照明用途之白光源。 對照下，沿著線25的介於4000K和6000K間的大部分 色座標之位置並不在與BBL相隔O.Oly單位之內。例如，先 前技藝線25上僅介於約5200K(第4圖中的點59)和6400K( 第4圖中的點61)間的色座標係位於與BBL相隔〇.〇ly單位 之內。再者，先前技藝線2 5上僅介於約5 7 7 0 K (第5圖中的 點63)和67 80K間（第5圖中的點64)的色座標係位於與BBL 相隔0.005y單位之內。具有低5200K(點59上方）的相關色 溫之可達到的色座標之位置係超過與BBL相隔O.Oly單位處 (即，在描述與BBL相隔O.Oly單位的線45之上方。點59上 方的線2 5上之點因此不會是一種適合於照明用途的可接受 .之白光源。因此，先前技藝系統係本發明第一較佳實施例 的系統更敏感於製造誤差。再者，先前技藝系統的磷光體 組成必須被改變，俾獲得一種具有對應於5200至6400K範 圍外的色溫之色座標的系統，該範圍係可用於照明用途的 〇 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) _ ^ 13- 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494582 A7 B7 五、發明説明（11 ) 在本發明的第二較佳實施例中’ 一接近B B L曲線的線 係與B B L曲線相切的，如第6圖中所示。例如，線6 5係與 B B L.曲線2 1相切。當然，所示的線6 5係僅用於說明之目的 。可以有許多其它的線來連接不同的LED色度座標與不同 的發光物質色度座標，且其係與BBL曲線相切。例如，可 藉由改變改變沿著線43的LED之尖峰發射波長或藉由改變 沿著線3的發光物質尖峰發射波長，而改變線的斜度。 線’如線65，係與BBL曲線相切，其接近BBL曲線， 因爲此線上的許多點係與B B L曲線相隔〇. 〇 1 y單位或更小， 且較佳0.005y單位或更小。例如，約6000K和3500K間的 線6 5上之任一點係對應於一可接受的白光，因爲這些點係 位於線45和47間。較宜地，線65係與BBL曲線相切，俾 其含有對應於至少2000K分開的色溫之兩點，且它們係與 BBL曲線21相隔O.Oly單位或更小，較佳〇.〇〇5y單位或更 小。例如，對應於4000K和6000K的色溫之點之間的CIE色 度圖上的線65上之點，應位於第6圖中的線45和47之間。 換言之，點66和67之間的線65上之所有點係位於與BBL 相隔O.Oly單位之內，即介於線45和47之間，如第6圖中 所示。因此，點66和67之間的線65上之所有點係對應於 可用於照明用途的白光。
在本發明第三較佳實施例中，一接近BBL曲線的線係 含有至少2000K分開的兩點且係位於與BBL曲線相隔O.Oly 單位或更小。例如，如第6圖中所示，線68含有兩點69和 70，其分別對應於6000和4000K的色溫，其之位置與BBL 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 494582 A7 B7 五、發明説明（12 ) 曲線相隔0.0 ly單位或更小（即，點69和70係位於線45和 47之間）。當然，所示的線68係僅用於說明之目的。可以 有許多其它的線來連接不同的LED色度座標與不同的發光 物質色度座標，至少2000K分開的兩點，它們係與BBL曲 線相隔0.0 1 y單位或更小。例如，可藉由改變改變沿著線4 3 的LED之尖峰發射波長或藉由改變沿著線3的發光物質尖 峰發射波長，而改變線的斜度。再者，一接近BBL曲線的 線可位於BBL曲線21和線47之間。 應注意的是，可以用與第一、第二和第三較佳實施例 不同的方式使線接近BBL曲線。較宜地，LED-發光物質系 統所放出的輻射之CIE色座標之範圍爲從x = 0.31和 y 二 0.33(T:6700K 或”晝光”）至 χ = 0·44 和 y:〇.4(T:3000K 或”標 準暖白”）。然而，若需要，此系統所放出的輻射可具有其它 座標，它們被視爲係對應於白色。 在本發明的第一較佳觀點中，發光物質包括 (Ai-xGdxhDdaCe，其中 A包括 Y、Lu、Sm和 La 中的至 少一者，D包括Al、Ga、Sc和In中的至少一者，E包括 氧，而x>0.4。在本發明的第二較佳觀點中，發光二極體較 佳包括一種具有尖峰發射波長大於47Onm的發光二極體。 較宜地，尖峰發射波長係介於4 7 0和5 0 0 n m之間，且最佳介 於475和480nm之間，如47 8nm。在本發明的第三較佳觀點 中，白光照射系統含有第一較佳觀點的發光物質和第二較 佳觀點的發光二極體。 在第一較佳觀點的發光物質中，Ce離子係充當激活離 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇χ297公釐） — ―一------— 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 494582 A7 B7 五、發明説明（13 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 子，且係負責由發光物質發出黃光。Gd離子影響照射系統 的輸出顏色（即色座標）。本案發明人已經判定，當Gd離子 的原子比（即”x”）大於0.4時，發光物質所發出的光線係容許 一連接這些座標至LED色座標的線能接近BBL曲線。例如 ，具x>0.4的（Ai.xGdx)3D5Ei2:Ce發光物質係發出具有色座標 大約在第1圖中的點5和1 5之間的光線。與含很少量或沒 有Gd的發光物質比較下，高Gd含量會減少發光物質效率 一些百分率。然而，藉由增加Gd含量可以達成照射系統製 造良率的改良，而抵銷系統效率的小減少。 較宜地，發光物質不含有或含有微量的Ga且包括 (YnzGdxCe小Al5〇i2，其中 0·7>χ>0.4 且 0.1>z>0。然而，若 需要，値可增加至高達於0.8。若在製造發光物質時使 用一種基於氟的助熔劑，如氟化銨、YF3或A1F3，則發光物 質可含有其它元素，如少量的氟。最宜地，發光物質包括 (Y〇.37Gd〇.6Ce〇.03)3Ah〇12磷光體。然而，若需要，發光物質可 包含一種閃爍體。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 第二較佳觀點的LED可包括任何具有尖峰發射波長大 於47 0nm且當其發出輻射時係能產生白光朝向發光物質者 的LED。換言之，該LED可包括一種基於適合的III-V、 II-VI或IV-IV半導體層的半導體二極體。較宜地，該LED 可含有至少一個包含GaN、ZnSe或SiC的半導體層。更宜 地，LED包括單量子井LED，其具有InGaNp-n接點，具有 大於47 0nm但小於500nm的尖峰發射波長。然而，亦可使 用多量子井LED或無量子井LED。介於475和480nm間， 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 A7 B7 五、發明説明（14 ) 如47 8 nm的尖峰發射波長係最佳的。沿著第3和5圖中的線 43之介於470和5 OOnm間的尖峰發射波長係容許一連接LED 色座標與發光物質色座標的線接近B B L曲線。 最宜地，依本發明第三較佳觀點，發光物質包括 (Ai_xGdx；hD5Ei2:Ce，其中x>0.4且LED尖峰發射波長大於 47Onm者，係容許一連接發光物質和LED色座標的線接近 BBL曲線，如以上就第一、第二和第三較佳實施例所說明 者。再者’ ％ 3-6圖中所不的光輸出色座標之發光物質包括 (A^xGdxhDsEaCe其中x〉0.4者，而第3-6圖中亦顯示LED 的色座標具有大於47Onm的尖峰發射波長者係能讓線33 ' 6 5和6 8接近第3 - 6圖中的B B L曲線2 1。 對照下，先前技藝LED-磷光體白光照射系統利用具有 至多465nm的較佳尖峰發射波長之藍LED，如第1和2圖中 的圓圈1所示。再者，具有高Gd含量的YAG:Ce3 +磷光體在 先前技藝中係不被喜愛的，因爲與具有低Gd含量的磷光體 比較下，高G d含量會減少系統效率的一些百分率。在該先 g[J技藝系統中，連接磷光體和LED色座標的線係不會接近 BBL曲線。 依本發明較佳觀點的照射系統（如表1中所示）係與 Nakamura教科書中所述的先前技藝照射系統（如表2中所示） 作比較。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（21〇><297公釐） _ 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 Α7 _____________________________________ Β7 五、發明説明（15 ) 表1 系統=具有 47 8nm 發射的 LED + (YQ.37GduCe〇_(n)3Ah〇 磷光體 色溫 ； 與BBL的色座標距離(Υ-單位） 3800 Κ 0.005 4000 Κ 0.003 5000 Κ -0.003 _— 6000 Κ_ -0.004 __ 7000 Κ_ -0.002 8000 Κ -.00009 9000 Κ 0.002 _ 10,000 Κ__ 0.004 10,800 Κ 0.005 表2 先前技藝系統=具有460nm發射的 LED + (Y〇.”Ce〇.〇3)3Al5〇i2 憐光體 色溫 與BBL的色座標距離(Y-單位） __4000 K_ 0.072 5000 K 0.020 一 5800 K 0.005 6000 K 0.002 — 6800 K '0005 如表1和2中所計算的，依本發明一範例系統係發出具 有與BBL相隔〇.〇iy單位內，較佳〇.〇〇5y單位內的色座標， 其之色溫範圍（約3,800K至1 0,800K)係比先前技藝的系統（ 約5,800至6,8 00Κ)寬。因此，依本發明較佳實施例的系統 將比先前技藝系統較不敏感於發光物質的厚度誤差和變化 。此造成與先前技藝系統比較下，依本發明所製造的系統 係具有改良的製造良率。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 批衣 訂 "線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -18- 494582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（16 ) 例如，假定系統所發出的適宜光色係對應於位置接近 第4圖中點3 1和49的色座標。爲了獲得所欲的顏色，發光 物質的厚度應等於預定値。然而，由於製造誤差，所製造 的發光物質之厚度可能大於預定値。 比所欲之發光物質厚度大時將造成系統的色座標移動 朝向一線（此線連接發光物質色座標與L E D色座標）的發光 物質色座標，即朝向第3圖中的線3)。例如，依第一較佳 實施例的系統之色座標將由點4 9移動，沿著線3 3朝向第3 圖中的線3上之點4 1。同樣地，先前技藝系統的色座標將 由點49移動，沿著線25朝向線3上的點1 1。 如第3和4圖中所示，第一較佳實施例的系統在發光物 質厚度方面係比先前技藝系統容許與預定値有較大的誤差 ，同時保持一令人可接受的白系統色輸出。例如，厚度的 偏差可使第一較佳實施例的系統之色座標移動直到點5 3， 其中線3 3與線45相交，同時仍保持一種令人可接受的白色 系統輸出（即，系統色座標仍介於線4 5和4 7間）。對照下， 厚度的偏差僅可使先前技藝系統的色座標移動至59，而仍 保持一適合於照明用途的白色系統輸出。任何更進一步的 厚度偏差將導致先前技藝系統的輸出不適合於照明用途（即 系統色座標將位於點5 9和1 1之間，在第3 - 4圖中的線4 5上 方）。 本發明的其它較佳實施例亦可獲得優於先前技藝系統 的相同優點，當發光物質的厚度低於預定値時亦如此。在 此情況中，色座標將移動至左邊（朝向線43)而非朝向右邊（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ~ _ ' -19 - I--------批衣------、玎------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 A 7 _ _ B7 五、發明説明（W) 朝向線3)。再者，依本發明較佳實施例的系統係能提供一 種令人可接受的適於照明用途之白光，其之色溫範圍係比 先前技藝系統者廣，不改變發光物質的組成。 依本發明較佳觀點的白光照射系統可具有不同的結構 。一種較佳結構係如第7圖中所示意表示。照射系統包括 一 LED晶片71及一電氣連接至LED晶片的導線73。導線 7 3可包括被較厚的引線框7 5所支撐的細線，或導線可包括 自我支撐的電極而可省略引線框。導線73供應電流給LED 晶片7 1，而因此造成LED晶片7 1發出輻射，如具有波長介 於470和5OOnm間的藍或藍-綠光。 LED晶片71較佳係被包封在一殼77內，此殻包圍LED 晶片及一包膠材料79。殼77例如可爲透明玻璃或塑膠。包 膠材料例如可爲環氧樹脂或聚合物材料，如聚矽氧。然而 ，爲了簡化加工，可以省略殼或包膠材料。再者，殼可包 括不透明的底部及透明的頂部（含玻璃、塑膠或開口）。再者 ，除了以下圖中所示的形狀，殼7 7亦可具有任何適宜的形 狀。L E D晶片7 1可被支撐，例如被引線框7 5、自我支撐性 電極、殼7 7底部或一固定於殼或引線框的基座所支撐。 照射系統的第一較佳結構包括一發光物質8 1。發光物 質可包括（A「xGdx)3D5Ei2:Ce磷光體或閃爍體，其中x>0.4， 形成LED晶片附近。若發光物質8 1係一種磷光體，則磷光 體可覆蓋或直接在LED晶片71的發光表面上。若發光物質 8 1係一種固態閃爍體，則閃爍體可附著於或在LED晶片7 1 的發光表面上。殼77和包膠劑79應爲透明的，以便讓光線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚） 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -20- 494582 A7 B7 五、發明説明（18 ) 83透射經過這些元件。 弟8圖顯不本發明的第二較佳結構。第8圖的結構係相 同於第7圖者，但是發光物質8 1係散佈於包膠材料7 9中， 而非形成在LED晶片7 1上。發光物質8 1可包括一種磷光體 粉末，其係散佈於包膠材料7 9的單一區域內或遍及於包膠 材料的整個體積內。LED晶片71所發出的藍或藍-綠光85 係與磷光體8 1所發出的黃光混合，而呈現白光83。 弟9圖顯不本發明的第二較佳結構。第9圖的結構係與 相同於第7圖者，但是發光物質8 1係塗覆於殼77上，而非 形成在LED晶片7 1上。發光物質8 1較佳係一種磷光體8 1 ’其塗覆在殼77之內表面上，但是若需要亦可將發光物質 塗覆在殼之外表面上。磷光體81可塗覆在殼的整個表面上 或僅在殼的表面之頂部上。LED晶片71所發出的藍或藍-綠 光85係與磷光體81所發出的黃光混合，而呈現白光83。 另可選擇地，殼77可由閃爍體形式的發光物質81製成 。當然，第7-9圖的實施例可以被合倂，且發光物質可位於 任二個或所有的三個位置中或在任何其它適合位置中，如 與殼分開或整合入LED內。 依本發明的第四較佳實施例，白光照射系統可由以下 方法製得。首先，選擇一接近BBL的線。例如，依本發明 第一、第二或第三較佳實施例的線係接近B B L。然而，可 選擇其它接近BBL的線。根據所選擇的線’形成一種LED ，其具有接近BBL的線上之點所表示的發射光譜。再者，
根據所選擇的線，形成一種發光物質，其具有有接近BBL 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 494582 A7 B7 五、發明説明（19 ) 的線上另一點所表示的發射光譜。 在本發明第四較佳實施例的方法中，術語「被形成」 或「形成」係涉及LED及/或發光物質的製造，以及將現存 的LED及/或現存的發光物質置入白光照射系統內。例如， 藉由選擇或買入一現存的LED(其具有接近BBL的線上之點 所表示的尖峰發射波長）’然後將LED置入白光照射系統內 ’則LED可’’被形成’’爲系統的一部分。可將LED晶片置入 殼內及連接至導線。再者，以一接近BBL的單線爲基準， 可形成數個LED及/或發光物質。例如，在選擇一接近BBL 的單線後，數個LED及/或發光物質可被製得或選擇或置入 以單選擇線爲基準的照射系統內。 磷光體形式的發光物質例如可由任何陶瓷粉未方法製 得’如液相（流動）方法或固態方法。較宜地，磷.光體的製法 包括以下步驟。首先，磷光體材料的起始化合物係在坦堝 或另一適合的容器內混合，如球磨機，以形成第一複合粉 末。較佳的起始磷光體化合物包括化學計量的氧化鈽Ce〇2 、氧化釓Gd〇2、氧化釔Y2〇3、及氧化鋁AI2O3。若需要， 亦可添加一種助熔劑，如氟化銨、氟化釔YF3及/或氟化鋁 A1F;，其改良磷光體的發光度及效率，其濃度較佳爲每莫 .耳所製造的磷光體使用0.02-0.2莫耳百分率。另可選擇地， 稀土元素可由一種酸溶液中共沈澱以形成一種複合稀土氧 化物粉末，其然後與氧化鋁粉末混合或視需要可與助熔劑 如A1F3混合。 摻合後的第一粉末然後在1 000至1 600 °C的爐或坩堝中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 494582 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 燒結約2至10小時，較佳在1 500 °C燒結六小時，以形成一 種燒結體或餅。若使用助熔劑，則燒結較佳係在還原氣氛 中進行，如在形成氣中或在木炭蒸氣中。然後將燒結體硏 磨成爲第二粉末。較宜地，第二粉末係被硏磨直到具有約6 微米的平均粒子大小者。第二粉末較佳係以丙醇或水當作 硏磨介質而作硏磨，隨後經乾燥。然而，其它硏磨介質， 如甲醇，係可替代地使用。 然後’將第二粉末置於白光照射系統內。第二粉末可 置於LED晶片上，散佈於包膠材料中，或塗覆在殼的表面 上’如以上就本發明第一、第二和第三較佳結構所述者。 較宜地’使用第二粉末和液體的懸浮液來塗覆LED晶片或 殼表面。懸浮液亦可視需要地含有一種在溶劑中的黏合劑 。較宜地’黏合劑包括一種有機物質，如硝基纖維素，在 溶劑中’如在醋酸丁酯、醋酸戊酯、甲基丙醇或丙二醇單 甲醚醋酸酯中，爲9 0 - 9 5 %含量且具有1 - 2 %變性乙醇。黏合 劑可增進粉末粒子的互相黏附性及與LED或殼的黏附性。 然而’若需要，可省略黏合劑以簡化加工。在塗覆後，懸 浮液被乾燥且可被加熱以蒸發黏合劑。在乾燥溶劑後，所 塗覆的第二粉末係充當磷光體。 若磷光體欲散佈於包膠材料中，則磷光體可當作第二 粉末加到聚合物前驅物，然後可使聚合物前驅物硬化以固 化聚合物材料。另可選擇地，第二粉末可與環氧樹脂包膠 劑混合。亦可使用其它磷光體散佈方法。 可藉由任何閃爍體製造方法來製造閃爍體形式的發光 本紙張尺度適用中^'^標準（〇奶）八^>格（210'乂297公釐) " ~— -23- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 經濟部智慧財產局工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（21 ) 物質。例如’可由柴氏浮區法或其它晶體成長法來形成閃 爍體。然後可將閃爍體置於led晶片上或用當作殼或當作 殼的頂部。 已經將白光照射系統的輻射源敘述爲半導體發光二極 體。然而，本發明的輻射源不限於半導體發光二極體。例 如，白光照射系統可包括一種有發光二極體（OLED)、一種 電漿顯示裝置或一種螢光燈。輻射源可包括一種氣體，其 產生輻射放電以響應電極所放出的帶電粒子之碰撞。氣體 所發出的輻射係投射到塗在系統一部分上的發光物質上， 此導致發光物質發出黃光。黃光與氣體所產生的輻射混合 ，而對觀看人呈現白色。 再者，上述較佳的系統含有單一輻射源及單一發光物 質。然而，若需要，在系統中可以使用具有不同發射色座 標的數個輻射源及/或數個發光物質，俾改良所發出的白光 或使所發出的光與不同顏色的光作合倂。例如，在顯示裝 置中，白光發射系統可與紅及/或藍發光二極體組合。 爲了說明之目的，已經揭示較佳的實施例。然而，此 說明應非視爲本發明範圍的一種限制。因此，熟悉技藝者 可作出各種修飾例、變化例和替代例而仍不脫離本發明之 精神和觀念範圍。 本紙張尺度適用中國國家標準^奶^料見格丨210〆29^*) -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ
-24 -

Claims (1)

  1. 494582 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種白光照射系統，包括一輻射源及一發光物質， 其中： 輻射源的發射光譜代表CIE色度圖上的第一點； 發光物質的發射光譜代表CIE色度圖上的第二點；及 一連接第一點與第二點的第一條線係接近CIE色度圖 上的黑體軌跡。 2. 如申請專利範圍第1項之系統，其中輻射源包括發 光二極體。 3 .如申|靑專利範圍第2項之系統，其中第一條線係與 黑體軌跡相交兩次。 4. 如申請專利範圍第2項之系統，其中第一條線係與 黑體軌跡相切。 5. 如申請專利範圍第2項之系統，其中： 第一條線上的第三點和第四點之位置係與CIE色度圖 上的黑體軌跡相隔0.01 y單位以下； 第三點對應於第一色溫；及 第四點對應於第二色溫，其係比第一色溫大至少2 0 0 0 K 〇 6. 如申請專利範圍第5項之系統，其中第一條線上的 第三點和第四點之位置係與CIE色度圖上的黑體軌跡相隔 0.005y單位以下。 7. 如申請專利範圍第6項之系統，其中第一色溫係 4000K，而第二色溫係6000K。 8. 如申請專利範圍第2項之系統，其中： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 (a) 發光物質包括： (Ai-xGdx)3D5Ei2:Ce ’ 其中A包括Y、Lu、Sm和中的至少一者； D包括Al、Ga、Sc和In中的至少一者； E包括氧；及 x>0.4 ;及 (b) 發光二極體的尖峰發射波長大於47〇nm。 9 ·如申請專利範圍第8項之系統，其中發光物質包括 (Yi-x_zGdxCez)3Al5〇i2 ’ 其中 〇·7>χ>〇·4 且 〇.ι>ζ>〇。 1 0.如申請專利範圍第9項之系統，其中發光物質更含 有氟。 1 1.如申請專利範圍第9項之系統，其中發光物質包括 (丫。.37〇(1〇.6〇6。.。3)^15〇12磷光體。 1 2.如申請專利範圍第8項之系統，其中發光二極體含 有一種包含至少一個包含GaN、ZnSe或SiC的半導體層， 其具有大於470nm但小於500nm的尖峰發射波長。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之系統，其中發光二極體的 尖峰發射波長係475至480nm。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項之系統，其中發光二極體包 括InGaN p-n接點。 1 5 .如.申請專利範圍第8項之系統，其中： 發光物質包括（YnzGdxCez)3Ah〇12，其中〇.7>χ>〇.4且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） r 111— 11 - n 11 I 訂 - 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -26- 494582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 〇.1〉z > 0 ;及 發光二極體的尖峰發射波長大於大於4 7 0 n m但小於 5OOnm 。 16.如申請專利範圍第15項之系統，其更包括一殼，此 殼含有發光二極體及一介於殼與發光二極體之間的包膠材 料，及其中： (a) 發光物質係一種塗覆在發光二極體表面上的磷光體 (b) 發光物質係一種散佈在包膠材料內的磷光體；或 (c) 發光物質係一種塗覆在殼上的磷光體；或 (d) 發光物質係一種覆蓋在發光二極體表面上的閃爍體 〇 1 7.如申請專利範圍第2項之系統，其中系統所發出的 輻射係接近CIE色度圖上的黑體軌跡，實質上與色溫範圍 4000K至6000K的發光物質之厚度無關。 1 8.如申請專利範圍第2項之系統，其中系統所發出的 輻射之CIE色座標之範圍爲從x = 0.31和y = 0.33至x = 〇.44和 y=0.4 ° 1 9.如申請專利範圍第1項之系統，其中輻射源包括雷 射源、有機發光二極體或電漿顯示器或螢光燈中的輻射氣 體放電之一。 2 0.—種白光照射系統，包括： (a)發光物質，其包括： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ; 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -27- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (Ai-xGdx)3DsEi2：Ce j 其中A包括Y、Lu、Sm和La中的至少一者； D包括A1、Ga、Sc和In中的至少一者； E包括氧；及 x>〇.4 ;及 (b)具有尖峰發射波長大於47Onm的發光二極體。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之系統，其中發光物質包括 (YnzGdxCez)3Al5〇i2，其中 0·7〉χ〉0·4 且 〇·1>ζ>〇。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項之系統，其中發光物質更含 有氟。 2 3 ·如申請專利範圍第2 1項之系統，其中發光物質包括 (Y〇.37Gd〇.6Ce〇.0 3)3Al5〇12 磷光體。 2 4.如申請專利範圍第2 0項之系統，其中發光二極體含 有〜種包含至少一個包含GaN、ZnSe或SiC的半導體層， 其具有大於4 7 0 n m但小於5 0 0 n m的尖峰發射波長。 25.如申請專利範圍第24項之系統，其中發光二極體的 尖峰發射波長係475至480nm。 2 6.如申請專利範圍第20項之系統，其中： 發光物質包括（YmGdxCez)3Ah〇12，其中〇.7>x>〇.4且 〇. 1 >z>〇 ;及 發光二極體的尖峰發射波長大於大於47Onm但小於 5〇〇nm。 27 ·如申請專利範圍第26項之系統，其更包括一殼，此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' 一 -28- J I 訂 線 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 A8 B8 C8 D8 、申請專利托圍 殼含有發光二極體及一介於殼與發光二極體之間的包膠材 料，及其中： (a) 發光物質係一種塗覆在發光二極體表面上的磷光體 ， (b) 發光物質係一種散佈在包膠材料內的磷光體；或 (c) 發光物質係一種塗覆在殼上的磷光體；或 (d) 發光物質係一種覆蓋在發光二極體表面上的閃爍體 〇 28·如申請專利範圍第20項之系統，其中系統所發出的 輻射係接近CIE色度圖上的黑體軌跡，實質上與色溫範圍 4000K至6000K的發光物質之厚度無關。 29 ·如申請專利範圍第20項之系統，其中系統所發出的 輻射之CIE色座標之範圍爲從x = 0.31和y = 0.33至x = 0.44和 y 二0.4 0 30·—種製造含有輻射源和發光物質的白光照射系統之 方法，包括： 選擇一接近CIE色度圖上的黑體軌跡之第一條線； 形成該輻射源，其中輻射源的發射光譜係由第一條線 上之第一點所代表；及 形成該發光物質，其中發光物質的發射光譜係由第一 條線上之第二點所代表。 3 1 ·如申請專利範圍第30項之方法，其中輻射源包括發 光二極體。 3 2 .如申S靑專利¥E圍弟3 1項之方法，其中第一'條線係與 土紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - ' -29 - ^ 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 494582
    其中第一色溫係 其中 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 黑體軌跡相交兩次。 3 3 ·如申請專利範圍第3 1項之方法，其中第一條線係與 黑體軌跡相切。 34·如申請專利範圍第31項之方法，其中： 第一條線上的第三點和第四點之位置係與CIE色度圖 上的黑體軌跡相隔〇.〇1 y單位以下； 第三點對應於第一色溫；及 第四點對應於第二色溫，其係比第一色溫大至少2000K 〇 3 5 ·如申請專利範圍第3 4項之方法，其中： 第一條線上的第三點和第四點之位置係與CIE色度圖 上的黑體軌跡相隔〇.〇〇5y單位以下。 36.如申請專利範圍第35項 4000K，而第二色溫係6000K。 37·如申請專利範圍第31項之 U)發光物質包括： (Ai-xGdx)3D5Ei2：Ce 5 其中A包括Y、Lu、Sm和La中的至少一者 D包括Al、Ga、Sc和In中的至少一者； E包括氧；及 χ>0·4 ;及 (b)發光二極體的尖峰發射波長大於470nm ° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） : 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494582 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 8 .如申請專利範圍第3 7項之方法，其中： 發光物質包括（丫1^0心〇€小八15〇12，其中〇.7>}〇0.4且 0 · 1 >z>0 ;及 發光二極體的尖峰發射波長大於大於470nm但小於 5 OOnm 0 39. 如申請專利範圍第38項之方法，其中發光物質包括 (Y〇.37Gd〇.6Ce〇.(n)：jAl5〇12磷光體，而發光二極體包括一種具有 尖峰發射波長爲475至480nm的InGaN p-n接點。 40. 如申請專利範圍第37項之方法，其中發光物質的形 成步驟包括： 混合Y 2 0 3混末、C e 0 2粉末、A12 ◦ 3粉末、G d 0 2粉末及 A1F 3助熔劑以形成第一粉末； 在還原氣氛中燒結第一粉末以形成一種燒結體；及 將燒結體轉變成爲第二粉末。 41. 如申請專利範圍第40項之方法，其中： 形成發光二極體的步驟包括： 將發光二極體置入一殼內；及 用包膠材料塡滿殼內； 且其中形成發光二極體的步驟更包括： (a) 將第二粉末和溶劑的懸浮液塗覆在發光二極體的表 面上，及使懸浮液乾燥； (b) 將第二粉末散佈在包膠材料內；或 (c) 將第二粉末和溶劑的懸浮液塗覆在殼上，及使懸浮 液乾燥。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ — -31 - ——Μ-------¾------訂------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494582 AB<CD 六、申請專利範圍 42·如申請專利範圍第31項之方法，其中系統所發出的 輻射係接近CIE色度圖上的黑體軌跡，實質上與色溫範圍 4000K至6000K的發光物質之厚度無關。 4 3 ·如申請專利範圍第3 1項之方法，其中形成發光二極 體的步驟包括： 選擇一種現存的發光二極體，其具有第一條線上第一 點所代表的發射光譜；及 將發光二極體置入照射系統內。 44 ·如申請專利範圍第3 1項之方法，其中形成發光二極 體的步驟包括： 選擇一種現存的發光二極體，其具有第一條線上第二 點所代表的發射光譜；及 將發光二極體置入照射系統內。 45.如申請專利範圍第3 1項之方法，其更包括以選擇接 近黑體軌跡的第一條線之單一步驟爲基礎，形成數發光二 極體和數發光物質的至少之一。 4 6 ·如申請專利範圍第3 0項之方法，其中輻射源包括雷 射源、有機發光二極體或電漿顯示器或螢光燈中的輻射氣 體放電之一· 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） • 0¾ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32-
TW090105974A 2000-03-27 2001-03-14 White light illumination system with improved color output TW494582B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/534,575 US6538371B1 (en) 2000-03-27 2000-03-27 White light illumination system with improved color output

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW494582B true TW494582B (en) 2002-07-11

Family

ID=24130642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090105974A TW494582B (en) 2000-03-27 2001-03-14 White light illumination system with improved color output

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6538371B1 (zh)
EP (1) EP1139440A3 (zh)
JP (1) JP2001320094A (zh)
KR (1) KR100912204B1 (zh)
CN (1) CN1197174C (zh)
CA (1) CA2340968A1 (zh)
TW (1) TW494582B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI422785B (zh) * 2007-05-08 2014-01-11 Cree Inc 照明裝置及照明方法
TWI493746B (zh) * 2008-02-21 2015-07-21 Nitto Denko Corp 具有半透明陶瓷板之發光元件

Families Citing this family (146)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU744210B2 (en) * 1996-07-29 2002-02-21 Nichia Corporation Light emitting device and display
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US20030133292A1 (en) * 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US7038398B1 (en) * 1997-08-26 2006-05-02 Color Kinetics, Incorporated Kinetic illumination system and methods
FI108582B (fi) 2000-05-02 2002-02-15 Nokia Corp Näppäimistön valaisujärjestely, joka mahdollistaa näppäinten muuttuvan ja yksilöllisen valaisemisen, sekä menetelmä sen käyttämiseksi
JP4683719B2 (ja) * 2000-12-21 2011-05-18 株式会社日立メディコ 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置
US7858403B2 (en) 2001-10-31 2010-12-28 Cree, Inc. Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices
JP2003152227A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄの色補正手段および色補正方法
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
ITBO20020439A1 (it) * 2002-07-05 2004-01-05 Cefla Coop Gruppo di strumentazione integrato per un riunito odontoiatrico
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7768189B2 (en) * 2004-08-02 2010-08-03 Lumination Llc White LEDs with tunable CRI
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US20060023447A1 (en) * 2002-10-14 2006-02-02 Thomas Justel Luminous body for generating white light
US6765237B1 (en) 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
CN101556985B (zh) * 2003-04-30 2017-06-09 克利公司 具有小型光学元件的高功率发光器封装
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
EP1659335A4 (en) 2003-08-28 2010-05-05 Mitsubishi Chem Corp LIGHT DISPENSER AND PHOSPHORUS
US20050069726A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Douglas Elliot Paul Light emitting composite material and devices thereof
CN100354389C (zh) * 2003-10-09 2007-12-12 中国科学院上海硅酸盐研究所 铝酸钆基发光薄膜材料芯片及其制备方法
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
US7442326B2 (en) 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
US7094362B2 (en) * 2003-10-29 2006-08-22 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7252787B2 (en) * 2003-10-29 2007-08-07 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
US7977694B2 (en) * 2006-11-15 2011-07-12 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (LED) with emitters within structured materials
US8227820B2 (en) * 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US7768023B2 (en) 2005-10-14 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices
US7582910B2 (en) * 2005-02-28 2009-09-01 The Regents Of The University Of California High efficiency light emitting diode (LED) with optimized photonic crystal extractor
US7345298B2 (en) * 2005-02-28 2008-03-18 The Regents Of The University Of California Horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (DFB) lasers by growth over a patterned substrate
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US20060181192A1 (en) * 2004-08-02 2006-08-17 Gelcore White LEDs with tailorable color temperature
US7453195B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US20070241657A1 (en) * 2004-08-02 2007-10-18 Lumination, Llc White light apparatus with enhanced color contrast
US7223998B2 (en) * 2004-09-10 2007-05-29 The Regents Of The University Of California White, single or multi-color light emitting diodes by recycling guided modes
DE602005007629D1 (de) 2004-11-18 2008-07-31 Philips Intellectual Property Lichtemittierende vorrichtung mit umwandlungsstruktur
WO2006057357A1 (ja) * 2004-11-25 2006-06-01 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US8125137B2 (en) * 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7291864B2 (en) * 2005-02-28 2007-11-06 The Regents Of The University Of California Single or multi-color high efficiency light emitting diode (LED) by growth over a patterned substrate
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
ES2375211T3 (es) * 2005-04-14 2012-02-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Control del color de lámparas led blancas.
US7329371B2 (en) * 2005-04-19 2008-02-12 Lumination Llc Red phosphor for LED based lighting
AU2006262152B2 (en) * 2005-06-23 2011-04-21 Rensselaer Polytechnic Institute Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials
US8123375B2 (en) * 2005-11-18 2012-02-28 Cree, Inc. Tile for solid state lighting
WO2007075815A2 (en) * 2005-12-21 2007-07-05 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
CN101460779A (zh) * 2005-12-21 2009-06-17 科锐Led照明技术公司 照明装置
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
TWI396814B (zh) * 2005-12-22 2013-05-21 克里公司 照明裝置
US20070147072A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 General Electric Company Optical structures that provide directionally enhanced luminance
JP2009525594A (ja) * 2006-01-31 2009-07-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 白色光源
CN101422087A (zh) * 2006-04-11 2009-04-29 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于调暗生成具有可变颜色的光的光生成系统的方法
US8998444B2 (en) * 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US7821194B2 (en) * 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US9921428B2 (en) 2006-04-18 2018-03-20 Cree, Inc. Light devices, display devices, backlighting devices, edge-lighting devices, combination backlighting and edge-lighting devices
JP5053363B2 (ja) * 2006-04-18 2012-10-17 クリー インコーポレイテッド 照明装置、および、照明方法
US8513875B2 (en) * 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) * 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
BRPI0710461A2 (pt) * 2006-04-20 2011-08-16 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
WO2007142946A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of lighting
WO2007142947A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
DE102006037730A1 (de) * 2006-08-11 2008-02-14 Merck Patent Gmbh LED-Konversionsleuchtstoffe in Form von keramischen Körpern
WO2008024385A2 (en) * 2006-08-23 2008-02-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US8029155B2 (en) * 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
JP2010510661A (ja) * 2006-11-15 2010-04-02 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 複数の抽出器による高い光抽出効率の発光ダイオード（ｌｅｄ）
WO2008060601A2 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California High efficiency, white, single or multi-color light emitting diodes (leds) by index matching structures
JP5171841B2 (ja) * 2006-11-30 2013-03-27 クリー インコーポレイテッド 照明デバイス及び照明方法
US9441793B2 (en) * 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
KR101446366B1 (ko) * 2006-12-07 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
US7959827B2 (en) * 2007-12-12 2011-06-14 General Electric Company Persistent phosphor
US8333907B2 (en) 2007-01-17 2012-12-18 Utc Fire & Security Corporation Articles using persistent phosphors
CN101657671B (zh) * 2007-02-22 2012-07-11 科锐公司 照明装置、照明方法、滤光器和滤光方法
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
US7708968B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
JP5325208B2 (ja) * 2007-05-08 2013-10-23 クリー インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
CN101711325B (zh) * 2007-05-08 2013-07-10 科锐公司 照明装置和照明方法
WO2008137983A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008137977A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US7847309B2 (en) 2007-07-16 2010-12-07 GE Lighting Solutions, LLC Red line emitting complex fluoride phosphors activated with Mn4+
US20090026913A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Matthew Steven Mrakovich Dynamic color or white light phosphor converted LED illumination system
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US20090039375A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
CN101821544B (zh) * 2007-10-10 2012-11-28 科锐公司 照明装置及制造方法
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
US8545723B2 (en) * 2007-12-12 2013-10-01 General Electric Company Persistent phosphor
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
WO2009108840A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-03 The Regents Of The University Of California Yellow emitting phosphors based on ce3+-doped aluminate and via solid solution for solid-state lighting applications
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8350461B2 (en) 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
WO2009148176A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-10 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
US8240875B2 (en) * 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
CN102124263B (zh) * 2008-06-25 2013-07-24 克里公司 包括光混合的固态照明装置
TW201003974A (en) * 2008-07-11 2010-01-16 wei-hong Luo White light emitting diode and light conversion layer thereof
US7955875B2 (en) 2008-09-26 2011-06-07 Cree, Inc. Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures
CN101412026B (zh) * 2008-10-28 2012-07-25 广州市鸿利光电股份有限公司 一种白光led分选方法
US8022631B2 (en) * 2008-11-03 2011-09-20 General Electric Company Color control of light sources employing phosphors
KR101014319B1 (ko) * 2008-11-26 2011-02-16 에스티엑스조선해양 주식회사 화재 감지기 점검을 위한 휴대용 회로 점검기
US7967652B2 (en) 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8377335B2 (en) 2009-02-23 2013-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid scintillator, radiation detector, and tomograph
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
US8921876B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8344611B2 (en) * 2009-06-16 2013-01-01 The Regents Of The University Of California Oxyfluoride phosphors and white light emitting diodes including the oxyfluoride phosphor for solid-state lighting applications
US8648546B2 (en) * 2009-08-14 2014-02-11 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more saturated light emitters, and method of lighting
US8901845B2 (en) 2009-09-24 2014-12-02 Cree, Inc. Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
JP5327872B2 (ja) * 2009-11-25 2013-10-30 Ｎｅｃライティング株式会社 照明装置および調光モード切替方法
US8508116B2 (en) 2010-01-27 2013-08-13 Cree, Inc. Lighting device with multi-chip light emitters, solid state light emitter support members and lighting elements
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
JP5749327B2 (ja) 2010-03-19 2015-07-15 日東電工株式会社 発光装置用ガーネット系蛍光体セラミックシート
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
WO2011143197A2 (en) 2010-05-13 2011-11-17 Cree, Inc. Lighting device and method of making
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
EP2612182A1 (en) 2010-09-02 2013-07-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Daylight illumination apparatus
KR101843760B1 (ko) 2010-12-01 2018-05-14 닛토 덴코 가부시키가이샤 도펀트 농도 구배를 갖는 방사성 세라믹 재료들 및 그것을 제조하고 사용하는 방법들
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US8968600B2 (en) * 2011-02-24 2015-03-03 Nitto Denko Corporation Light emitting composite with phosphor components
DE202011111089U1 (de) * 2011-11-04 2019-06-13 Jenoptik Industrial Metrology Germany Gmbh Vorrichtung zur Abbildung der Innenfläche eines Hohlraumes in einem Werkstück
EP3470495B1 (en) 2012-04-24 2022-08-24 National Institute for Materials Science Transparent member and light-emitting device
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US9353917B2 (en) 2012-09-14 2016-05-31 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
CN104006306A (zh) * 2013-02-22 2014-08-27 台达电子工业股份有限公司 发光二极管灯具及其应用于植物生长的用途及发光二极管单元
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
CN103840066B (zh) * 2013-12-30 2016-08-17 广州市鸿利光电股份有限公司 一种通过调节荧光粉浓度制作led器件的方法
TWI706107B (zh) * 2014-04-07 2020-10-01 晶元光電股份有限公司 一種發光裝置之色溫調整方法
RU2582699C1 (ru) * 2015-02-16 2016-04-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) Способ твёрдофазного синтеза люминофоров белого свечения на основе редкоземельных гранатов
US9943042B2 (en) 2015-05-18 2018-04-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Grow light embodying power delivery and data communications features
DE102015010225B4 (de) 2015-08-12 2017-09-21 Jenoptik Industrial Metrology Germany Gmbh Bohrungsinspektionsvorrichtung
US9788387B2 (en) 2015-09-15 2017-10-10 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US9844116B2 (en) 2015-09-15 2017-12-12 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US10595376B2 (en) 2016-09-13 2020-03-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
KR102001548B1 (ko) 2018-11-14 2019-07-19 지엘비텍 주식회사 노광 공정 조명용 백색 광원 및 조명 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3699478A (en) * 1969-05-26 1972-10-17 Bell Telephone Labor Inc Display system
US4661419A (en) 1984-07-31 1987-04-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor and radiation image storage panel containing the same
US5198679A (en) 1984-11-16 1993-03-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor and image storage panel
EP0548366A1 (en) * 1991-07-12 1993-06-30 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescent element
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US6013199A (en) * 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US5571451A (en) 1995-01-03 1996-11-05 General Electric Company Quantum splitting oxide phosphor and method of making
JPH0927642A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Clarion Co Ltd 照明装置
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5851063A (en) 1996-10-28 1998-12-22 General Electric Company Light-emitting diode white light source
US5966393A (en) 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
US5925897A (en) 1997-02-14 1999-07-20 Oberman; David B. Optoelectronic semiconductor diodes and devices comprising same
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6319425B1 (en) * 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US6409938B1 (en) * 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI422785B (zh) * 2007-05-08 2014-01-11 Cree Inc 照明裝置及照明方法
TWI493746B (zh) * 2008-02-21 2015-07-21 Nitto Denko Corp 具有半透明陶瓷板之發光元件

Also Published As

Publication number Publication date
CN1319899A (zh) 2001-10-31
CN1197174C (zh) 2005-04-13
US6538371B1 (en) 2003-03-25
CA2340968A1 (en) 2001-09-27
EP1139440A2 (en) 2001-10-04
EP1139440A3 (en) 2007-03-28
KR20010090583A (ko) 2001-10-18
KR100912204B1 (ko) 2009-08-14
JP2001320094A (ja) 2001-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW494582B (en) White light illumination system with improved color output
US6409938B1 (en) Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6501100B1 (en) White light emitting phosphor blend for LED devices
KR100860755B1 (ko) 백색 조명 시스템
CN110234926B (zh) 用于led灯的窄带红色磷光体
EP1875781B1 (en) Illumination system comprising a ceramic luminescence converter
JP5099418B2 (ja) 照明装置
JP5057998B2 (ja) 緑色放射性セラミック発光コンバータを含む光源システム
KR102119859B1 (ko) 청녹색 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
JP3931239B2 (ja) 発光素子及び照明器具
CN108305929B (zh) 具有高显色性的白光发光装置
EP1853681B1 (en) Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
WO2009093427A1 (ja) 発光装置
JP5125039B2 (ja) 希土類酸窒化物系蛍光体及びこれを用いた発光装置
TWI642762B (zh) 螢光體及其製造方法、及ｌｅｄ燈
KR20120063923A (ko) 알카리 토류 포스포러스 나이트라이드계 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치
JP4948015B2 (ja) アルミン酸系青色蛍光体およびそれを用いた発光装置
EP2682447B1 (en) Method of manufacturing nanophosphors, light emitting diode and method of manufacturing light emitting diode
CN109072072A (zh) 氧溴化物磷光体及其用途

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent