JP2009525594A - 白色光源 - Google Patents

白色光源 Download PDF

Info

Publication number
JP2009525594A
JP2009525594A JP2008551930A JP2008551930A JP2009525594A JP 2009525594 A JP2009525594 A JP 2009525594A JP 2008551930 A JP2008551930 A JP 2008551930A JP 2008551930 A JP2008551930 A JP 2008551930A JP 2009525594 A JP2009525594 A JP 2009525594A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
wavelength
white light
source according
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008551930A
Other languages
English (en)
Inventor
マルティヌス ピー ジェイ ペーターズ
ヨハンネス ピー エム アンセムス
ペーター エイチ エフ デウレンベルヒ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2009525594A publication Critical patent/JP2009525594A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2113/00Combination of light sources
    • F21Y2113/10Combination of light sources of different colours
    • F21Y2113/13Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

少なくとも1つの青色光源2、少なくとも1つの緑色光源3及び少なくとも1つの赤色光源4のアレイを有する白色光源1が開示されている。前記青色光源2は、第1波長において光を放射することが可能な第1発光ダイオード2'を有する。第1波長変換材料2''が、前記第1波長の前記光の少なくとも一部を吸収するよう構成され、前記第1波長変換材料2''は、第2波長において光を放射することが可能であり、前記第2波長は、少なくとも500nmである。

Description

本発明は、少なくとも1つの青色光源、少なくとも1つの緑色光源及び少なくとも1つの赤色光源のアレイを有する白色光源に関する。前記青色光源は、第1波長において光を放射することが可能な第1発光ダイオードを有する。第1波長変換材料が、前記第1波長の前記光の少なくとも一部を吸収するよう構成され、前記第1波長変換材料は、第2波長において光を放射することが可能である。
LEDを用いて白色光を生成するためには様々なアプローチが用いられ得る。或るアプローチは、黄色と青色とを混ぜ合わせるものである。この場合には、出力光の黄色成分は、黄色蛍光体によって供給されてもよく、青色成分は、青色LEDの一次放射(primary emission)によって供給されてもよい。これは、二色アプローチと呼ばれている。
別のアプローチは、青色LEDと、赤色LEDと、緑色LEDとの組み合わせを用いるものであり、三色アプローチ又はRGBアプローチとも呼ばれる。LEDは、ダイスとも呼ばれるチップとして設けられ得る。青色LEDは、真性青色LED(intrinsic blue LED)又は蛍光体変換紫外線ダイオードであり得る。赤色LED及び緑色LEDは、真性赤色LEDダイス及び真性緑色LEDダイスであってもよく、又は赤色チャネル及び緑色チャネルであって、各々、蛍光体変換を介して、所望の赤色及び所望の緑色をもたらす赤色チャネル及び緑色チャネルに、青色LEDが備え付けられ得る。
RGB混合の原理を用いる白色光源は、例えば米国特許番号第US6799865 B2号に記載されており、米国特許番号第US6799865 B2号においては、紫外線ダイオードの放射線が、赤色及び緑色のスペクトル領域において放射する蛍光体によって変換されている。青色成分は、青色放射LEDによって加えられる。
低い相関色温度(色度が、光源の色度に最も似ている黒体の絶対温度として規定される「CCT」)、例えば2700Kを持つ白色光を作成するためには、赤色及び緑色のチャネルにおいて蛍光体層を通って漏れる青色光の量は非常に少なくなければならない(出力における<10%)。散乱蛍光体層を用いると、これは、低効率をもたらす(図2参照)。(図2において、PS3504、NP002及びNP003は、蛍光体バッチに関し、前記蛍光体バッチは、全ての場合において、(Ba0.75Sr0.25)2Si5N8の(赤色)蛍光体であった。)S184及びOCK451は、マトリックス材料に関し、S184は、屈折率が1.4であるシルガード184(ダウ・コーニング社)であり、OCK451は、屈折率が1.51であるナイ・オプティカル(Nye optical)から得られるシリコンゲルである。
色温度可変白色光を作成しようとする場合、これは、非常に好ましくない状況(低効率)をもたらす。更に、(4−2−1RGBモジュール内の)青色チャネルにおいて放散される電力は、4000Kの色温度を持つ白色光の場合は、最大30%である。
従って、改善された白色光装置のニーズが引き続きある。
本発明の目的は、上記で確認した問題を解決し、色温度可変白色光源を提供することにある。
これは、少なくとも1つの青色光源(2)、少なくとも1つの緑色光源(3)及び少なくとも1つの赤色光源(4)のアレイを有する白色光源(1)によって達成される。前記青色光源(2)は、第1波長において光を放射することが可能な第1発光ダイオード(2')と、前記第1波長の前記光の少なくとも一部を吸収するよう構成される第1波長変換材料(2'')とを有する。前記第1波長変換材料(2'')は、少なくとも500nmである第2波長において光を放射することが可能である。前記第2波長は、とりわけ、590nmから750nmの範囲内である。
本発明による白色光源によれば、青色光が、非常に少ない損失で赤色に変換される。従来の装置の場合は、変換率の増大に伴う効率の低下は、(図2においてx=0.6における効率を、x=0.35における効率と比較する)ストークスシフトに基づいて予想される低下よりずっと大きい。それ故、薄い蛍光体層による部分的変換を用いる青色LEDを用いて幾らか赤色(又は緑色)の光を作成することはより有利である。
更に、前記青色チャネルのより良好な使用がなされ得ることから、前記モジュールにおいて放散され得る電力量が増大する。別の利点は、前記モジュールはより優れた色の均一性を示すであろうことにある。
前記第1波長変換材料によって吸収される前記第1波長の光の前記一部は、前記第1波長において放射される光の総量の10%乃至70%の範囲を占め、とりわけ、45%乃至55%の範囲を占める。
前記第1波長は、400nmから485nmの範囲内であり得る。
前記第1波長変換材料(2'')は、前記第1発光ダイオード(2')の上に、例えば1μmから10μmの範囲内の厚さの、一様な層として配置され得る。本発明において用いられるべき第1波長変換材料(2'')の網羅的ではない例は、YO2S:Eu3+, Bi3+; YVO4:Eu3+, Bi3+; SrS:Eu2+; SrY2S4:Eu2+; CaLa2S4:Ce3+; ZnCdS:Ag,Cl; (Ca,Sr)S:Eu2+; (Ca,Sr)Se:Eu2+; SrSi5N8:Eu2+; (Ba1-x-ySrxCay)2Si5N8:Eu2+;及び/又は(Sr1-x-yCaxBay)2Si5-xAlxN8-xOx:Euであり、ここで、0≦x≦1、0≦y≦1且つ0≦(x+y)≦1である。
前記緑色光源(3)は、第3波長において光を放射することが可能な第2発光ダイオード(3')と、前記第3波長の前記光の少なくとも一部を吸収するよう構成される第2波長変換材料(3'')とを有し得る。前記第2波長変換材料(3'')は、第4波長において光を放射することが可能である。
前記第3波長は、例えば、380nmから485nmの範囲内であってもよい。
前記第4波長は、例えば、500nmから590nm未満の範囲内であってもよい。
前記第2波長変換材料(3'')によって吸収される前記第3波長の光の前記一部は、前記第3波長において放射される光の総量の少なくとも90%を占める。前記第2波長変換材料(3'')は、前記第2発光ダイオードの上に、例えば5μmから40μmの範囲内の厚さの、一様な層として配置され得る。本発明用の第2波長変換材料(3'')の網羅的ではない例は、ZnS:Cu,Ag; SrSi2O2N2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+; SrGa2S4:Eu2+; (Ba1-xSrx)SiO4:Eu; (Ba,Sr,Ca)SiO4:Eu2;及び/又はYAG蛍光体であり、ここで、0≦(u、v、x、y、z)≦1、0≦(y+z)≦1且つ0≦(u+v+x)≦1である。
前記赤色光源(4)は、第5波長において光を放射することが可能な第3発光ダイオード(4')と、前記第5波長の前記光の少なくとも一部を吸収するよう構成される第3波長変換材料(4'')とを有し得る。前記第3波長変換材料(4'')は、第6波長において光を放射することが可能である。
前記第5波長は、380nmから485nmの範囲内であってもよい。
前記第6波長は、590nmから750nmの範囲内であってもよい。
前記第3波長変換材料(4'')によって吸収される前記第5波長の光の前記一部は、前記第5波長において放射される光の総量の少なくとも90%を占める。前記第3波長変換材料(4'')は、前記第3発光ダイオード(4')の上に、例えば5μmから40μmの範囲内の厚さの、一様な層として配置され得る。第3波長変換材料(4'')の網羅的ではない例は、YO2S:Eu3+, Bi3+; YVO4:Eu3+, Bi3+; SrS:Eu2+; SrY2S4:Eu2+; CaLa2S4:Ce3+; ZnCdS:Ag,Cl; (Ca,Sr)S:Eu2+; (Ca,Sr)Se:Eu2+; SrSi5N8:Eu2+; (Ba1-x-ySrxCay)2Si5N8:Eu2+; (Sr1-x-yCaxBay)2Si5-xAlxN8-xOx:Eu; YO2S2:Eu;及び/又はSrY2S4:Eu2+であり、ここで、0≦x≦1、0≦y≦1且つ0≦(x+y)≦1である。
他の例においては、前記緑色光源(3)は、500nmから590nm未満の範囲内の波長において光を放射する発光ダイオードを有してもよく、前記赤色光源は、590nmから750nmの範囲内の波長において光を放射する発光ダイオードを有してもよい。
本発明による白色光源(1)は、1つの青色光源(2)と、2つの緑色光源(3)と、4つの赤色光源(4)とを有してもよく、この場合には、前記光源(1)は、2700Kの色温度を持つ白色光を放射することが可能である。本発明による白色光源(1)はまた、2つの青色光源(2)と、2つの緑色光源(3)と、3つの赤色光源(4)とを有してもよく、この場合には、前記光源(1)は、4000Kの色温度を持つ白色光を放射することが可能である。しかしながら、本発明による白色光源は、個々の色のチャネルを通る駆動電流に依存して、或る範囲の可変色温度を持つ白色光を放射することが可能であることに注意されたい。
本発明は、上記のような白色光放射源を有する発光装置にも関する。
ここで、本発明の現在好ましい実施例を示す添付図面を参照して、本発明のこれら及び他の態様をより詳細に説明する。
本願発明者は、驚くべきことに、三色(RGB)白色光源において(蛍光体を用いて)青色LED出力の約50%を赤色に変換することが、向上した効率を備える色温度可変モジュールをもたらすことを見出した。
一般的に記述すると、本発明は、RGB白色光源内の青色光源が、好ましくは400nm乃至485nmの範囲内の、即ち青色領域内の第1波長において光を放射するLEDを有し、この光の一部が、第1波長変換材料によって吸収され、前記第1波長変換材料が、吸収光を、好ましくは590nmから750nmの範囲内の、即ち赤色領域内の第2波長に変換することを提案する。これは、効率の向上、及びLEDのより効率的な使用をもたらす。示されている波長は、波長変換材料のピーク波長に対応する。
「第2波長」は必ずしも赤色領域内であるとは限らないことも理解されたい。本発明の本質は、青色光源内のLEDによって放射される光の一部が、青色領域外の波長、即ち、少なくとも500nmの波長を持つ波長に変換されることにある。
第1波長変換材料によって吸収される光の前記一部は、放射される総量の10%から70%の範囲内であってもよく、例えば45%から55%の範囲内であってもよく、好ましくは約50%であってもよい。放射される総量のうちの前記一部が少なければ少ないほど、より大きい色域(colour gamut)をもたらすであろう。しかしながら、効率向上は、少なくなるであろう。
好ましくは、吸収される光の割合は、第1波長変換材料の層の厚さを変えることによって調節される。第1波長変換材料の層の厚さは、例えば1μmから10μmの範囲内であってもよく、好ましくは5μm以下である。厚さは、蛍光体混合物の散乱特性に依存する。散乱がより少ない混合物(即ち、より小さい蛍光体粉末又はより高い屈折率のマトリックス)の使用は、より厚い層厚をもたらすであろう。
青色光を赤色光に変換する波長変換材料の例は、YO2S:Eu3+, Bi3+; YVO4:Eu3+, Bi3+; SrS:Eu2+; SrY2S4:Eu2+; CaLa2S4:Ce3+; ZnCdS:Ag,Cl; (Ca,Sr)S:Eu2+; (Ca,Sr)Se:Eu2+; SrSi5N8:Eu2+; (Ba1-x-ySrxCay)2Si5N8:Eu2+;及び(Sr1-x-yCaxBay)2Si5-xAlxN8-xOx:Euである。
本発明による白色光源における緑色光源及び赤色光源は、青色LED及び/若しくは紫外線LEDと波長変換器とを用いることによって、又は本質的に赤色及び/若しくは緑色のLEDを用いることによって、従来の方法で、構成され得る。しかしながら、このような従来の赤色及び/又は緑色のLEDと、上記の(部分的に変換される)青色LEDの組み合わせは、これまでに記載されていないことに注意されたい。
本願明細書において用いられている「光源」は、発光ユニット、例えば、発光ダイオード(LED)を意味する。LEDは、ダイスとも呼ばれるチップとして設けられ得る。本発明の文脈においては、「白色光源」は、様々な色のLEDのアレイに関する。
本願明細書において用いられている「波長変換材料」は、或る(単色の)波長を別の波長に変換する機能を持つ材料、従って、放射される光の色を変える機能を持つ材料に関する。波長変換材料は、一般に、蛍光体と呼ばれる。
図1を参照すると、本発明による好ましい白色光源(1)は、少なくとも1つの青色光源(2)、少なくとも1つの緑色光源(3)及び少なくとも1つの赤色光源(4)のアレイを有する。各光源は、別々にアドレス指定可能なエンティティであり、即ち、各光源は、他の光源と関係なく制御され得る。
青色光源(2)は、青色LED(2')と、LED(2')の上に配置される蛍光体層(2'')とを有する。蛍光体層(2'')は、LED(2')と直接接触し得る、又はLED(2')と、蛍光体層(2'')との間にはエアギャップがあり得る。蛍光体層(2'')は、LED(2')の接触可能な面全体の上に配置され得る、又は LED(2')の前記面の一部の上に配置され得る。好ましくは、ダイの半分が厚い蛍光体層で覆われる代わりに、ダイ全体が、半分の厚さの蛍光体層で覆われる。色混合のためにも、後者が好ましい。
青色LED(2')は、青色光を放射し、蛍光体層(2'')は、放射される青色光の総量の約50%を吸収し、赤色光に変換する。従って、青色光源(2)から放射される光は、青色光と赤色光とを混合したものである。
緑色光源(3)は、青色LED(3')と、青色光を緑色光に変換する緑色蛍光体(3'')とを有してもよい。他の例においては、緑色光源(3)は、本質的に緑色のLED(図示せず)を有してもよい。
青色光を緑色光に変換する緑色蛍光体(3'')の例は、ZnS:Cu,Ag; SrSi2O2N2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+; SrGa2S4:Eu2+;及び(Ba1-xSrx)SiO4:Euであり、ここで、0≦(u、v、x、y、z)≦1、0≦(y+z)≦1且つ0≦(u+v+x)≦1である。更に、YAG蛍光体、とりわけ、(Y, Gd)3(Al,Ga)5O12, Ceが緑色蛍光体として用いられ得る。
紫外線を緑色光に変換する緑色蛍光体(3'')の例は、ZnS:Cu,Ag;及び(Ba,Sr,Ca)SiO4:Eu2+である。紫外線を緑色光に変換する緑色蛍光体(3'')の他の例は、国際特許出願公開番号第WO 2005/083036号の12頁に開示されている。
緑色蛍光体(3'')の厚さは、例えば、5μmから40μmの範囲内であり得る。しかしながら、蛍光体の厚さは、蛍光体混合物の散乱特性に強く依存する。重要な基準は、青色の漏れが10パーセント未満であることである。
赤色光源(4)は、赤色LED(4')と、青色光を赤色光に変換する赤色蛍光体(4'')とを有してもよい。他の例においては、赤色光源(4)は、本質的に赤色のLED(図示せず)を有してもよい。
青色光を赤色光に変換する赤色蛍光体(4'')の例は、YO2S:Eu3+, Bi3+; YVO4:Eu3+, Bi3+; SrS:Eu2+; SrY2S4:Eu2+; CaLa2S4:Ce3+; ZnCdS:Ag,Cl; (Ca,Sr)S:Eu2+; (Ca,Sr)Se:Eu2+; SrSi5N8:Eu2+; (Ba1-x-ySrxCay)2Si5N8:Eu2+;及び(Sr1-x-yCaxBay)2Si5-xAlxN8-xOx:Euであり、ここで、0≦x≦1、0≦y≦1且つ0≦(x+y)≦1である。
紫外線を赤色光に変換する赤色蛍光体(4'')の例は、YO2S2:Eu;及びSrY2S4:Eu2+である。紫外線を赤色光に変換する赤色蛍光体(4'')の他の例は、国際特許出願公開番号第WO 2005/083036号の13頁に開示されている。
赤色蛍光体(4'')の厚さは、例えば、5μmから40μmの範囲内であり得る。しかしながら、蛍光体の厚さは、蛍光体混合物の散乱特性に強く依存する。重要な基準は、紫外線の漏れが少ないことである。紫外線の漏れは、装置の色域には影響を及ぼさないであろうが、低効率をもたらすであろう。
従って、LED(2'、3'及び4')は、同じタイプのもの、即ち、青色LEDであってもよく、異なる色は、蛍光体変換によって得られてもよい。各LED(2'、3'及び4')は、異なるLED(2'、3'及び4')には異なる蛍光体を塗布するために供給する別々のエンティティであることに注意されたい。次いで、個々のLED(2'、3'及び4')は、完成した白色光源を得るために、アレイ内に配設される。
個々のLEDは、本発明による幾つかの構成で、例えば4−2−1RGB構成(即ち、4つの赤色LED、2つの緑色LED及び1つの青色LED)で配設され得る。適切な構成の他の例は、3−3−1構成、4−4−1構成又は(青色ダイスの2つが部分的に変換される)3−2−2構成である。
図3は、本発明による光源の色域、即ち、達成可能な色の範囲を示している。CIE色度図は、色を規定するためのよく知られている標準的基準であり、他の色空間に対する基準である。CIE色度図は、図3においては実線で表わされている、黒体軌跡(「BBL」)を含む。BBLに沿って位置する色度座標(即ち、色点)は、プランクの式:E(λ)=Aλ-5/(e(B/T)-1)に従い、ここで、Eは、発光強度であり、λは、発光波長であり、Tは、黒体の色温度であり、A及びBは、定数である。図3のBBL上には、ケルビンにおける色温度Tの様々な値が示されている。
一般的な白色光照明源は、2500Kから7000Kの範囲内の色温度を備えるBBL上の色度点を持つよう選ばれる。図3においては、左から右へ、6000K、5000K、4000K、3000K及び2700KのBBL上の5つの点が示されている。BBLから離れて位置する点又は色座標は、白色光として受け入れられない。
本発明による白色光源は、一般照明用の、特に、スポットアプリケーション用のあらゆる種類のLEDにおいて用いられ得る。
RGBモジュールは、1つの青色ダイス、2つの緑色ダイス及び4つの赤色ダイス、緑色:真性LED、赤色:蛍光体95%及び5%青色固有(出力)、青色:青色真性LED50%+50%赤色蛍光体という設計で作成された。
赤色チャネルの青色ダイスは、(例えば20vol%分散度の蛍光体を使用し、45μmの厚い蛍光体/マトリックス層を塗布する)〜9μmの蛍光体層厚を用いて赤色に変換される。 モジュールの青色チャネルは、同じ分散度でコーティングされ得るが、厚さは、〜20μmに限られるべきである(4μmの蛍光体)。これは、青色出力の50パーセントが薄い蛍光体層を用いて赤色に変換される、図3に表示されている色域を持つLEDモジュールをもたらす。
表1においては、ダイ毎に最高1Wの電力が放散されるという境界条件で、この4−2−1(RGB)モジュールの増大させられる光出力が示されている。4000Kを上回る色温度は、4−2−1構成を用いては達成され得ず、それらの場合には、3−2−2構成が用いられ得る。
表1:(1列目において%で、又は2列目において色座標で示されている)青色光の一部が赤色に変換されるR−G−B=4−2−1を持つモジュールの光出力(lm)、境界条件:1W/ダイの最大出力
Figure 2009525594
境界条件が多少厳しくない(7W/モジュール、最大2W/ダイ)場合でも、光出力の増加は依然として10%を上回っている。
本発明が決して上記の好ましい実施例に限定されないことは当業者には分かるであろう。それどころか、添付した請求項の範囲内で多くの修正及び変形が可能である。
本発明による白色光放射源を示す。 色座標Xの関数として効率(ワット放射出力/入力電力)を示す。 本発明による光源の色域、即ち、達成可能な色の範囲を示す。

Claims (29)

  1. 少なくとも1つの青色光源、
    少なくとも1つの緑色光源、及び
    少なくとも1つの赤色光源のアレイを有する白色光源であり、前記青色光源が、第1波長において光を放射することが可能な第1発光ダイオードと、前記第1波長の前記光の少なくとも一部を吸収するよう構成される第1波長変換材料とを有し、前記第1波長変換材料が、第2波長において光を放射することが可能である白色光源であって、前記第2波長が少なくとも500nmであることを特徴とする白色光源。
  2. 請求項1に記載の白色光源であって、前記第2波長が590nmから750nmの範囲内である白色光源。
  3. 請求項1又は2に記載の白色光源であって、前記第1波長の前記光の前記一部が、前記第1波長において放射される光の総量の10%乃至70%の範囲を占める白色光源。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第1波長の前記光の前記一部が、前記第1波長において放射される光の総量の45%乃至55%の範囲を占める白色光源。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第1波長が400nmから485nmの範囲内である白色光源。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第1波長変換材料が、前記第1発光ダイオードの上に一様な層として配置される白色光源。
  7. 請求項6に記載の白色光源であって、前記第1波長変換材料の前記層が、1μmから10μmの範囲内の厚さを持つ白色光源。
  8. 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第1波長変換材料が、YO2S:Eu3+, Bi3+; YVO4:Eu3+, Bi3+; SrS:Eu2+; SrY2S4:Eu2+; CaLa2S4:Ce3+; ZnCdS:Ag,Cl; (Ca,Sr)S:Eu2+; (Ca,Sr)Se:Eu2+; SrSi5N8:Eu2+; (Ba1-x-ySrxCay)2Si5N8:Eu2+;及び(Sr1-x-yCaxBay)2Si5-xAlxN8-xOx:Euから成るグループ、又はそれらの組み合わせから選択され、ここで、0≦x≦1、0≦y≦1且つ0≦(x+y)≦1である白色光源。
  9. 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記緑色光源が、第3波長において光を放射することが可能な第2発光ダイオードと、前記第3波長の前記光の少なくとも一部を吸収するよう構成される第2波長変換材料とを有し、前記第2波長変換材料が、第4波長において光を放射することが可能である白色光源。
  10. 請求項9に記載の白色光源であって、前記第3波長が、380nmから485nmの範囲内である白色光源。
  11. 請求項9又は10に記載の白色光源であって、前記第4波長が、500nmから590nm未満の範囲内である白色光源。
  12. 請求項9乃至11のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第3波長の前記光の前記一部が、前記第3波長において放射される光の総量の少なくとも90%を占める白色光源。
  13. 請求項9乃至12のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第2波長変換材料が、前記第2発光ダイオードの上に一様な層として配置される白色光源。
  14. 請求項13に記載の白色光源であって、前記第2波長変換材料の前記層が、5μmから40μmの範囲内の厚さを持つ白色光源。
  15. 請求項9乃至14のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第2波長変換材料が、ZnS:Cu,Ag; SrSi2O2N2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+; SrGa2S4:Eu2+; (Ba1-xSrx)SiO4:Eu; (Ba,Sr,Ca)SiO4:Eu2+及びYAG蛍光体から成るグループ、又はそれらの組み合わせから選択され、ここで、0≦(u、v、x、y、z)≦1、0≦(y+z)≦1且つ0≦(u+v+x)≦1である白色光源。
  16. 請求項1乃至15のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記赤色光源が、第5波長において光を放射することが可能な第3発光ダイオードと、前記第5波長の前記光の少なくとも一部を吸収するよう構成される第3波長変換材料とを有し、前記第3波長変換材料が、第6波長において光を放射することが可能である白色光源。
  17. 請求項16に記載の白色光源であって、前記第5波長が、380nmから485nmの範囲内である白色光源。
  18. 請求項16又は17に記載の白色光源であって、前記第6波長が、590nmから750nmの範囲内である白色光源。
  19. 請求項16乃至18のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第5波長の前記光の前記一部が、前記第5波長において放射される光の総量の少なくとも90%を占める白色光源。
  20. 請求項16乃至19のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第3波長変換材料が、前記第3発光ダイオードの上に一様な層として配置される白色光源。
  21. 請求項20に記載の白色光源であって、前記第3波長変換材料の前記層が、5μmから40μmの範囲内の厚さを持つ白色光源。
  22. 請求項16乃至21のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記第3波長変換材料が、YO2S:Eu3+, Bi3+; YVO4:Eu3+, Bi3+; SrS:Eu2+; SrY2S4:Eu2+; CaLa2S4:Ce3+; ZnCdS:Ag,Cl; (Ca,Sr)S:Eu2+; (Ca,Sr)Se:Eu2+; SrSi5N8:Eu2+; (Ba1-x-ySrxCay)2Si5N8:Eu2+; (Sr1-x-yCaxBay)2Si5-xAlxN8-xOx:Eu; YO2S2:Eu;及びSrY2S4:Eu2+から成るグループ、又はそれらの組み合わせから選択され、ここで、0≦x≦1、0≦y≦1且つ0≦(x+y)≦1である白色光源。
  23. 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記緑色光源が500nmから590nm未満の範囲内の波長において光を放射する発光ダイオードを有する白色光源。
  24. 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の白色光源であって、前記赤色光源が590nmから750nmの範囲内の波長において光を放射する発光ダイオードを有する白色光源。
  25. 請求項1乃至24のいずれか一項に記載の白色光源であって、1つの青色光源と、2つの緑色光源と、4つの赤色光源とを有する白色光源。
  26. 請求項25に記載の白色光源であって、当該光源が、2700Kの色温度を持つ白色光を放射することが可能である白色光源。
  27. 請求項1乃至24のいずれか一項に記載の白色光源であって、2つの青色光源と、2つの緑色光源と、3つの赤色光源とを有する白色光源。
  28. 請求項27に記載の白色光源であって、当該光源が、4000Kの色温度を持つ白色光を放射することが可能である白色光源。
  29. 請求項1乃至28のいずれか一項に記載の白色光放射源を有する発光装置。
JP2008551930A 2006-01-31 2007-01-25 白色光源 Pending JP2009525594A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06101061 2006-01-31
PCT/IB2007/050251 WO2007088501A1 (en) 2006-01-31 2007-01-25 White light source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009525594A true JP2009525594A (ja) 2009-07-09

Family

ID=37947405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008551930A Pending JP2009525594A (ja) 2006-01-31 2007-01-25 白色光源

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090008655A1 (ja)
EP (1) EP1982108A1 (ja)
JP (1) JP2009525594A (ja)
KR (1) KR20080097208A (ja)
CN (1) CN101379341B (ja)
TW (1) TW200733435A (ja)
WO (1) WO2007088501A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100080927A (ko) * 2007-10-10 2010-07-13 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치 및 그 제조 방법
JP2012221755A (ja) * 2011-04-08 2012-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 色度調整型白色発光装置。
JP2015156456A (ja) * 2014-02-21 2015-08-27 サンケン電気株式会社 照明装置
JP7519017B2 (ja) 2020-03-17 2024-07-19 サンケン電気株式会社 発光装置

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4526559B2 (ja) * 2007-11-13 2010-08-18 スタンレー電気株式会社 Led照明灯具
JP2009206246A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
DE102008025864A1 (de) * 2008-05-29 2009-12-03 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
CN101621054A (zh) * 2008-07-01 2010-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源装置
KR101039957B1 (ko) 2008-11-18 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
TWI466266B (zh) 2009-02-24 2014-12-21 Epistar Corp 陣列式發光元件及其裝置
CN101839401A (zh) * 2009-03-20 2010-09-22 晶元光电股份有限公司 阵列式发光元件及其显示装置
JP4991834B2 (ja) 2009-12-17 2012-08-01 シャープ株式会社 車両用前照灯
JP5232815B2 (ja) * 2010-02-10 2013-07-10 シャープ株式会社 車両用前照灯
CN102194970B (zh) * 2010-03-12 2014-06-25 四川新力光源股份有限公司 脉冲电流驱动的白光led照明装置
JP5059208B2 (ja) * 2010-04-07 2012-10-24 シャープ株式会社 照明装置および車両用前照灯
US8733996B2 (en) 2010-05-17 2014-05-27 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, illuminating device, and vehicle headlamp
CN102347431A (zh) * 2010-08-05 2012-02-08 展晶科技(深圳)有限公司 半导体发光二极管组件
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
DE102010046300A1 (de) * 2010-09-22 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul
US9816677B2 (en) 2010-10-29 2017-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element
KR20120097697A (ko) * 2011-02-25 2012-09-05 삼성전자주식회사 발광 다이오드
WO2013043844A1 (en) * 2011-09-20 2013-03-28 The Regents Of The University Of California Light emitting diode with conformal surface electrical contacts with glass encapsulation
KR101957701B1 (ko) * 2012-11-14 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
DE102013106519A1 (de) 2013-06-21 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zum Betrieb einer Anordnung von Mischlicht
CN104347606B (zh) * 2013-08-09 2017-03-01 启耀光电股份有限公司 发光二极管封装结构及光源模块
DE102013219930A1 (de) * 2013-10-01 2015-04-02 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung mit Messvorrichtung und Verfahren zum Betreiben dieser Beleuchtungsvorrichtung
TWI706107B (zh) * 2014-04-07 2020-10-01 晶元光電股份有限公司 一種發光裝置之色溫調整方法
CN104505389A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 广州市鸿利光电股份有限公司 一种led混光方法及led器件
CN107548468A (zh) * 2015-02-10 2018-01-05 瑞士Csem电子显微技术研发中心 白光源
WO2021021834A1 (en) * 2019-07-31 2021-02-04 Lumileds Llc Control design for perceptually uniform color-tuning
CN110649008A (zh) * 2019-09-17 2020-01-03 天津宝坻紫荆创新研究院 一种高显色性led及其生产方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001041215A1 (en) * 1999-12-02 2001-06-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid white light source comprising led and phosphor-led
JP2001272931A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 表示器
JP2003034791A (ja) * 2001-04-04 2003-02-07 Lumileds Lighting Us Llc 蛍光変換発光ダイオード
JP2004071807A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器
WO2005022030A2 (en) * 2003-08-29 2005-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-mixing lighting system
WO2005034582A1 (ja) * 2003-10-01 2005-04-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 色変換層及び発光素子
WO2005112137A1 (en) * 2004-05-13 2005-11-24 Seoul Opto-Device Co., Ltd. Light emitting device including rgb light emitting diodes and phosphor

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795798A (en) * 1996-11-27 1998-08-18 The Regents Of The University Of California Method of making full color monolithic gan based leds
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
DE10137042A1 (de) * 2001-07-31 2003-02-20 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Planare Lichtquelle auf LED-Basis
JP4274843B2 (ja) * 2003-04-21 2009-06-10 シャープ株式会社 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
CN1652360A (zh) * 2004-02-06 2005-08-10 元砷光电科技股份有限公司 白光发光二极管
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
EP1963740A4 (en) * 2005-12-21 2009-04-29 Cree Led Lighting Solutions LIGHTING DEVICE AND LIGHTING METHOD
US8415870B2 (en) * 2008-08-28 2013-04-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device and backlight source, backlight source system, display device and electronic device using the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001041215A1 (en) * 1999-12-02 2001-06-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid white light source comprising led and phosphor-led
JP2001272931A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 表示器
JP2003034791A (ja) * 2001-04-04 2003-02-07 Lumileds Lighting Us Llc 蛍光変換発光ダイオード
JP2004071807A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器
WO2005022030A2 (en) * 2003-08-29 2005-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-mixing lighting system
WO2005034582A1 (ja) * 2003-10-01 2005-04-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 色変換層及び発光素子
WO2005112137A1 (en) * 2004-05-13 2005-11-24 Seoul Opto-Device Co., Ltd. Light emitting device including rgb light emitting diodes and phosphor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100080927A (ko) * 2007-10-10 2010-07-13 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치 및 그 제조 방법
JP2011501417A (ja) * 2007-10-10 2011-01-06 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび製作方法
KR101722265B1 (ko) * 2007-10-10 2017-03-31 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 그 제조 방법
JP2012221755A (ja) * 2011-04-08 2012-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 色度調整型白色発光装置。
JP2015156456A (ja) * 2014-02-21 2015-08-27 サンケン電気株式会社 照明装置
JP7519017B2 (ja) 2020-03-17 2024-07-19 サンケン電気株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200733435A (en) 2007-09-01
EP1982108A1 (en) 2008-10-22
KR20080097208A (ko) 2008-11-04
CN101379341B (zh) 2012-03-21
CN101379341A (zh) 2009-03-04
US20090008655A1 (en) 2009-01-08
WO2007088501A1 (en) 2007-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009525594A (ja) 白色光源
US11485903B2 (en) Compositions for LED light conversions
US11064585B2 (en) Systems for providing tunable white light with high color rendering
US11198813B2 (en) Systems for providing tunable white light with high color rendering
US11168250B2 (en) Methods for generating melatonin-response-tuned white light with high color rendering
US20230381534A1 (en) Methods For Generating Melatonin-Response-Tuned White Light With High Color Rendering
US11212889B2 (en) Methods for generating tunable white light with high color rendering
JP6695327B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体デバイス、及び、フラッシュライト
US11198020B2 (en) Methods for generating melatonin-response-tuned white light with high color rendering
US11963274B2 (en) Methods for generating tunable white light with high color rendering
JP2009517858A (ja) 発光ダイオード構造
JP2023545496A (ja) 高い色忠実度及び調節可能なメラノピックコンテンツを有するチューナブル白色照明システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100108

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120214

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120703