TW475231B

TW475231B - Mask inspection apparatus using electron beam exposure system without installing other mask inspection apparatus independently and the inspection method thereof

Info

Publication number: TW475231B
Application number: TW089124630A
Authority: TW
Inventors: Hideo Obinata
Original assignee: Nippon Electric Co
Priority date: 1999-11-29
Filing date: 2000-11-21
Publication date: 2002-02-01
Also published as: US6462346B1; KR20010052000A; KR100395117B1; CN1298203A; JP2001153637A

Description

475231 i五、發明說明（l) ； | 一本發明係有關於一種檢-視使周-於責子束曝光系統中的I I罝幕之缺陷的檢視裝置與檢視方法，上述電子束曝光系統 j係使用一電子束實現圖案的複寫。： \ 傳統工’已知用以檢視使用於電子束曝光系統中的罩， !暮之圖案的方法係發射一雷射光至罩幕上，將由其透射光 |與反射光所產生的圖案與參考圖案相比，以檢測出罩幕的 i缺陷。

I 不過’當使用於最近的電子束曝光系統中的模板印刷I 的罩幕（stencil mask)或是薄膜罩幕（membrane mask)被檢視時，雷射光並不通過薄膜。因此，除了使用反射光之 j® 外’並無其他方法。使用雷射光的反射光去檢視缺陷是很 -j 容易的。不過，薄膜罩幕的散射重金屬的膜層厚度通常是 |薄的。所以，它小於雷射光的波長。這可能會導致無法檢丨視。因此，檢視薄膜罩幕之缺陷的方法係使用透射電子顯微鏡（TEM)，其使用一電子束以檢視薄膜罝幕的缺陷。在 I * j | TEM中，如第1圖所示之配置，甴安裝於罩幕Μ上之電子槍 | 1 5 1所發射出的電子束Ε Β經由包含電子透鏡5 3、5 4的光學發| 射系統52而聚集，並且被發射至罩幕Μ。穿過罩幕Μ的電子 _ 束會再通過一個由銅材質製成的孔徑55，而由/電子檢測| 器56加以檢測。根據電子檢測器56檢測到的電流值’可以檢知罩幕Μ的圖案。罩幕Μ被檢知的圖案與一參考圖案相 !比，藉以檢視置幕Μ的缺陷。電子束的使闬使得金屬罩暮 | !或薄膜罩暮的缺陷可被檢測到。此種技術被揭露於’例如i ί ^ n

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i 曰本公開專利申請案(-Jf~-A-平成4—Mh5f4)，雖然其並夫特別描述薄膜罩幕或金屬罩慕。乂… 種傳統用於檢視罩暮缺陷的裝置被做為專周於罩幕檢視=裝置。因此，製作半導體裝置的工廠需要配備與^ 作半導體裝置的裝置分離的罩幕檢視裝置。其在製作工^ 中除了安裝用以製作半導體裝置之裝置的空間外，還需要 Ϊ留安袭罩暮檢視裝置的空間。同時，此型罩幕檢視裝置需要類似電子束曝光系統的配置，如用以發射電子炎至一罩幕的電子檜或光學發射系統。這會導致罩幕檢視裝置變得更大且更昂貴。再者，在傳統的罩幕缺陷的檢視中，電子檢測器檢測穿過罩幕的電子束，藉以檢測罩幕的圖案。然後，檢測到的圖案與參考圖案進行比較。如此，罩幕缺陷檢視的可靠度可能會有問題，也就是說，被檢測到的圖案被製成訊號，其中，被檢測到的圖案以微小的區域單位被轉換成二元值。被檢測到的圖案的一微小檢測區域的二元訊號與對應於參考圖案之微小檢測區域的區域之二元訊號相比。因此，兩個訊號彼此不吻合的部分會被判定為罩幕的缺陷。然而，在此情況中，假如錯誤是當每一個被檢測到的圖案之微小區域被轉換為二元值時發生在參考位準φ，則由每一個被檢測到的圖案之微小區域所轉換的二元值本身的可罪度即已喪失，而這會造成缺陷檢視的可靠度喪失。曰本公開專利申請案（JP-A-昭和63-38 1 49 )揭露一圖案缺陷檢視器，如下所述。圖案缺陷檢視器具有一用以掃

2139-3585-P.ptd 第5頁五、發明說明（3) 有一禽多個矩形圖案的基-板一之 :經由掃瞒所產生的訊號之裝置，一用以處 = 訊的；準=較矩形圖案資訊及對應於矩形圖案資裝置有士述問胃’本發明之目的在於提供-罩慕檢視安壯口二罢I用電子束曝光系統檢視罩幕，因此不需單獨 =刀一 1檢視裝置。本發明之另一個目的在於提供一檀罩幕檢視方法，其可改善對罩幕缺陷檢視之可靠度。為了達成本發明之一個特徵，罩幕檢視方法係包括： (a)提供一電子東曝光系統，其係周於利用一里幕使晶圓圖案化；（b)從電子束曝光系統發射電子至罩幕，·（c)檢測發射的電子中通過罩幕的電子；及（d)根據（c)的檢測結果’檢視罩暮的缺陷。 I；在此情況中，（b)被執行以使得從電子束曝光系統發 |射的電子不會被射至晶圓。 j 又5在此情沉中，罩幕檢視方法更包括：（e)當（d)的結果為罩幕沒有缺陷時，使用電子束曝光系統經由用以圖案化的罩幕，對晶圓進行曝光。 5 再者，在（b)中，電子係以使（e)被執行的方式，從電 |子束曝光系統被發射。 i 在此情況中’罩幕檢視方法更包括：（f)提供指示罩 i暮之參考圖案的參考圖案資料；及（g)計算面積率，其為

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五、發明說明（4) 包含於對應參考圖案資料之-拿幕的I視-區域的部分資料中之黑色圖案與白色圖案的比率，且其中（d)包括根據（c)的 i檢測結果及面積率，檢視罩幕缺陷。 | 同樣在此情況中，（c )包括檢測通過罩幕之電子的強 I度，且星暮檢視方法更包括：（h)提供指示罩幕之參考圖 I案的參考圖案資料；及（i)計算面積率，其為包含於對應 |參考圖案資料之罩幕的檢視區域的部分資料中之黑色圖案 |與白色圖案的比率，且其中（d )包括根據電子強度及面積 I率，檢視罩幕缺陷。 | 再者，在此情況中，罩幕檢視方法更包括：（j)計算 I指示電子強度與參考圖案間之關係的修正值，且其中（d) !包括根據電子強度、修正值與面積率，檢視罩幕缺陷。 I 在此情況中，（c)係甴一電子檢測器執行，且其中電 j子檢測器可自動從電子檢測器掩蔽晶圓使得通過罩暮的電子不會被射至晶圓處的位置，移動至電子檢測器不掩蔽晶圓使得通過罩幕的電子會被射至晶圓處的位置。 I 同樣在此情況中，（c)包括檢測通過罩幕的電子，以 i檢測當電子輸入至電子檢測器時在電子檢測器中之位置與 1 i輸入電子的強度。 I 再者，在此情況中，電子檢測器包括複數個排列成陣列的二極體。在此情況中，電子檢測器包括複數個排列成格狀的二

2139-3585-P.ptd 第7頁 475231 五、發明說明（5)

Mt K微货道板）「其在電子檢測器與罩幕間的位置上貧有 … I複數個孔；及（〇施加一電壓至MCP上，且其中（c)包括檢 ^ s §測當電子輸入至MCP時在MCP t的位置以及輸入電子的強 | i度。！ S 為了達到本發明之其他特徵，置暮檢視裝置包括：一

電子束曝光系統，用以利用罩慕將一晶圓圖案化，電子束j 曝光系統發射電子至罩幕；電子檢測器，檢測發射的電子I

ί I

1中通過罩暮的電子；及一檢視單元，根據電子檢測器的檢 I 1 ^ | !測結果，檢視罩幕缺陷。 1 i 在此情況中，當電子檢測器檢測通過罩幕的電.子時， 1 從電子束曝光系統發射出的電子不會射至晶圓。同樣在此情況中，當檢視單元檢視的結果為罩幕沒有缺陷時，電子束曝光系統經由用以圖案化的罩幕對晶圓進行曝光。再者，在此情況中，當電子檢測器檢測通過罩幕的電子時，電子束曝光系統以使得電子束曝光系統經甴罔以圖案化的罩幕對晶圓進行曝光的方式發射電子。

在此情況中，檢視單元儲存指示罩幕之參考圖案的參考圖案資料，並計算面積率，其為包含於對應參考圖案資料之置幕的檢視區域的部分資料中之黑色圖案與白色圖案的比率，且其中檢視罝元根據電子檢測器的檢測結果及面積罕’檢視星幕缺陷。同樣在此情況中，電子檢測器檢測通過罩幕的電子的強度，且其中檢視單元儲存指示罩幕之參考圖案的參考圖

2139-3585-P.ptd 第8頁 475231 五、發明說明（6) 案資料’並計算面積遂，發么罢望k、六為包含於對應表考顔紊資料々罩幕的檢視區域的部分資料中々 …1 £，.、貝；丁〜率，且i由产翊簟开椒祕+ 〜…、色圖案與白色圖案的比手五具《仏視早疋根據電子強度及认、目罢苴从陷。又久回積率，檢視罩暮缺再者’在此情況中，檢視覃元 △ 考圖案間之關係的-修正值，日复。：曰不U強度與參度、修正佶盥而籍* ^ 一其中檢視罝元根據電子強度 ^正值與面積率，檢視置幕缺陷。在此情況中，電子檢測器可自圓#得诵矾蓄墓沾Φ 2 j自動仗電子檢測器掩蔽晶 W便付通過罩幕的電子不會被雪早檢、、則哭又也过日问从攸对至日日圓處的位置，移動至一子·双艮I的不掩蔽日日圓使得通過罩慕 + 處的其他位置。的兔子3被射至日日a 同樣在此情況中，電子培、、| ,ν ^ ^ ^ ^ 包于檢成I畜檢測通過罩暮的電子，以檢測當電子輸入至電子檢測哭一丁溆於Λ Φ工从从由卞·欢^ ^日守在電子檢測器中之位置與輸入電子的強度。再者，在此情況中，雷+拾、、目丨吳4 1 列的二極體。電子私利盗包括複數個排列成陣在此情況中，電子檢測器包括複數個排列成袼狀的二極體。參 «Η樣在此情況中，罩幕檢視裝置更包括··一MCp(徼通道板），其在電子檢測器與罩幕間的位置上具有複數個-〜孔；一電壓，被施加至MCP上，且其中MCP檢測當電子輸入至MCP時在MCP中的位置以及輸入電子的強度。以r ’就圖式說明本發明之一種銅附著/阻障層製程實施例。

2139-3585-P.ptd 第9頁 7 / J厶J丄五、發明說明（7) 圖式簡單說明

第1圖係顯禾第2圖係顯禾配置的前視圖；傳統罩幕檢視裝置之配置的前視圖；一本發明之一實施例的罩慕檢視裝置之圖之罩幕檢視裝置的透視圖；示包含於第2圖之罩幕檢視裝置中透視圖；的電子的電子第3圖係第2 第4 A圖係悬貞檢測器之配置的檢測;於第2圏之罩幕檢視裝置中第5圖係用以說明在包含於第2圖之罩暮檢視裝置電子檢測器之每_一個二極體上的電流檢測操作之示意圖。、第6圖係顯不在本發明之一實施例的罩幕檢視方法之演算法的流程圖；第7A圖係顯示包含於第2圖之罩幕檢視裝置中的電子檢測器之配置的另一個例子的透視圖； | 第7B圖係顯示使用於第2圖之罩暮檢視裝置中的虹？透視圖。 ' 實施例本發明之實施例將參考圖式說明如下。 | 第2圖係顯示在本實施例中之罩幕檢視裝置的側視

|圖。第2圖係顯示在本實施例中之罩暮檢視裝置的透視 I j圖。在本實施例中之一罩暮檢視裝置2係甴用以經由散射 | 電子描繪圖案之電子束曝光系統1所構成。 i 罩幕檢視裝置2檢視散射罩幕Μ的缺陷。散射罩幕μ具

2139-3585-P.ptd 第10頁 475231 五、發明說明（8) 有轉寫至為圓W〜戶斥―必—須的圖案。罩幕檢視裝置2具有一用以發射電子束的 u，電子糊3、u，空白孔徑15，電子透鏡l7、m 聚焦平面孔徑19。 ‘《及月向電子透鏡1 3、1 4及空白孔徑〗5係包含於 12中。電子透鏡17、18及背向聚隹正統學成像系統16中。〜…面^19被包含於光白1 Ϊιΐί Ϊ1，3、14使電子搶U發射的電子束EB匯聚。空、十k 電卞束流轉變成必要的形狀。電子透鏡1 7、】8 =用以將散射罩幕M所散射的電子束⑽投射及轉寫至晶圓請二: 的電子檢測器20被立即裝置於散射 2圭二當圖案被轉寫至晶圓？時，電子檢測器20與电子，曝光糸統1分離，藉以進行電子束曝光的一般操 ^ =方面’在檢視豈幕Μ的缺陷時，電子檢測器20係女在於電子束曝光系統1中。、

如此，女裝一負载機構2 1，使得電子檢測器2 〇可被離或安裝於電子束曝光系統i。不過，詳細的說明在此省略。另外，電腦30被連接至電子束曝光系統丨（罩幕檢置2) 5使得罝暮Μ的缺陷被檢視。裝在此，已知的薄膜罩幕或金屬罩暮被用做散射置幕 Μ。在薄膜置暮中，做為散射物且具有高原子數及高密度的圖案被形成於-薄膜丨，薄膜係由具有低原子數及“丨度的材料形成。電子的散射程度上的差異被用以保持電^

五、發明說明（9) 束的對比。金屬罩暮與薄滕署金屬罩幕係由呈有厚腹幕稍有差異，其不同處在於 = 材料如”所形成。不過，金屬罩眷基本上具有與薄膜罩幕相似的結構。罩暮Μ可以以通過罩幕平& 梦命7 J, LU ^ 丫〇(未圖示）之平面XY的方向淨夕劝。如此，當以平面XV的古 ^ ^ ^ 1方向移動時’罩幕Μ的整個圖案被4寫二晶圓W上°晶圓W idr η β 广土回-λ ；日曰^ W破同樣地放置在晶圓平台上 (禾圖不），且其可沿著承而者’面·^的方向與罩幕平台同暗移動ΰ 如第4 Α圖所示，電子檢測器2 〇被配置，使得二極體 Ρ H、!l!分別被排列於上、下兩層，且由矽薄膜製成的: 極體被排列成陣列。如第4B圖所示，在下層的二極體21〇層的二極體220中，分別由電晶體等所構成的放大器213、 223沿著Ν型雜質層212、222的縱向方向分別被形成在兩端。與上層的二極體220中，複數個矩形且以χ方向與γ方向延伸的Ν型雜質層212、222，分別在ρ型石夕薄膜211、221的^ 面部分上彼此平行排列。同時，在下層的二極體21〇與上

一反向偏壓被施加在Ρ型矽薄膜211、221與Ν型雜質層 2 1 2、2 2 2間’藉以保持一穩態，其中電流並不流動。然後’由輸入至各二極體221、220的Ν型雜質層212、222之電子所產生的電洞與二次電子被各放大器213、223放大，藉此檢測電流的值。同時，電腦3 0使得這些電流值以檢測輸入電子的位置，藉以檢視里暮的缺陷。也就是。在第3圖中，電腦3 0具有記憶體3 2例如記錄

2139-3585-P.ptd 第12頁 475231 五、發明說明（1Q) 面積率咐算器33及一缺陪判磁碟等，一位f控制器射斷部分3 4。 YV方=控制器31控制沿著豈暮平台（未圖示）的平面^'之置，其中罩幕平台上至少放置有罩幕Μ 一貝W十异器3 3根據位置控制器3 1所控制的χγ位曹 ::=§己憶體32讀出對應於甴空白孔徑!5，也就是檢褶區、丄」，定的罩幕Μ之開放區域的圖案的圖案資料。缺」後宝^ Ϊ算圖案資料的面積率，也就是說，"面積率，，表示 2缺陷拿I Γ黑色圖案對白色圖案的比率。計算出的面積率為缺陷=斷部分34執行缺陷判斷時之參考資料。、 & ^ ^判斷部分34比較計算出的面積率與一電流值，豆 ::Π檢測蒸20之每一放大器213、223所放大的電流： /、丨里厂不。因此，它根據比較的結果判斷在罩幕中之白色缺陷（圖案區域的省略）與黑色缺陷（超過的圖案）。 € 9 用具有上述結構之電子束曝光系統1的罩幕檢視裝置2將說明如下。 ’ -▲首先二在罩幕被轉寫之前，電子檢測器20被安裝在電子曝光系統1中的罩幕Μ之下方的部分5如第2及3圖所示。 ? /、人，類似於圖案轉寫的情況，光學發射系統1 2射出由電子搶11所發射的電子束至設置在電子束曝光系統}中1 的罩幕Μ。在此，如上所述，在薄膜罩幕上的圖案部分是由重金屬製成，而金屬罩幕上的圖案部分是由具有如矽等的厚腠之材料所製成。如此，被射到薄獏罩幕或金屬罩暮

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475231 五、發明說明（10 时電子會以一大角度被散射複數-次…因此，很可能射至圖案部分的電子會被散射至電子檢測器2 0的外邬。或者，gp 使射至圖案部分的電子被暫時射至電子檢測器2 〇，與人射電子相同角度散射的電子數目相當地少。因此，訊號會變得很微弱，以至於無法被檢測。射至沒有圖案之部分，也厅尤疋圖案部分外之部分的電子穿過罩幕Μ，而被輸入至電丁檢測器20的各二極體210、220。輸入至各二極體21〇、 220的電子束以一特定的機率激發各二極體21〇、220的材料中之矽原子，以產生二次電子與電洞。經由施加一電場至二極體210上（Ρ型矽211與Ν型雜質層212)，二次電子與電洞被移至放大器213，如第5圖所示之二極體210的概念圖。此時，因為矽二極體21〇具有—特足的電阻，此電阻會導致電流以一特定的速率衰減。根搏饮一極體2 1 〇兩侧之放大器2 1 3讀出的電流，經甴潮量衰減的速率，電子的輸入位置可被轉定。再者，電子的強度也可依據電流值而被確定。藉此，在下層二極體2 1 〇的情況中’特定的輸入位置是在X方向上的位置，而在上層二極體220的情況中，特定的輸入位置是在¥方向上的位置。如此，有關於這些位置的所有考量使得在電子檢測器2〇的承面ΧΥ上的位置可被確定。 i

如上特定的電子的位置與強度被輪入至電腦30，复斷置幕的缺陷。 J 第6圖係顯示判斷罩幕缺陷的演算法的漭程圖。首先，電腦30控制罩幕不台，使得做為檢視罩幕請目標之 475231 五、發明說明（12) 檢視區域對應於光學發射系統1 2的孔徑1 5而被定位 … (S1 Ο ί )。因此，由電子槍1丨發射且穿過空白孔徑1 5之開口的電子束被射至覃幕Μ的圖案之檢視區域（S1 02)。如此，穿過罩幕Μ的電子束被輸入至電子檢測器2 〇。如上所述，根據由電子檢測器2 〇的放大器輸岀的電流，電子束的輪入位置可被確定。同時，根據測量的電流值，電子束的強度可被4定。 ^ 另一方面’電腦30從記憶體32讀出罩幕Μ的圖案資 i料’記憶體3 2中儲存有做為檢視目標的罩幕Μ之圖案資料的資訊（S104)。然後，在罩幕》1的檢視區域之χγ位置，具有與空白孔徑1 5的開口相同面積的區域被分割成設定的網狀（S105)。其後，面積率計算器33根據設定的區域之圖案資料計算罩幕的面積率（31〇6)。如上所述，此面積率表^ 在罩暮的區域中黑色圖案對白色圖案的比率。 · ^ 其次，缺陷判斷部分34使得在步驟S1 03檢測到的雷子束的輸入位置與在步驟81 05設定的罩幕Μ的區域相關聯％，然後比較在步驟S1 06計算得到的面積率與在步驟Si〇/ 得到的電流值（S1 0 7 )，以根據比較結果，判斷在罩幕μ、里的白色缺陷與黑色缺陷（S丨〇 8 )。卜藉此，在比較中；只有各個值的單位之外的數念較（S1 〇 7 )。如此，[面積率=電流值]的情形被判斷為左比陷，而[面積率 > 電流值]的情形被判斷為黑色的缺陷…，缺

[面積拿〈電流值]的情形被判斷為白色的缺陷（s ^ W 判斷在被當做罩幕檢視的目標之所有區域上。 '上重覆地執 ^/5231 五、發明說明（13) 行，然後完成里幕檢視（S109、S110)。- ' 在此，在面積率與電流值的比較中，較希望使用的罩幕為已預先知道罩幕沒有缺陷，然後計算一修正值，其指 $ t子強度與圖案存在或不存在之間的關係。、曰此修正值被加入至，舉例而言，電流值。然後，修正值加上電流值所得到的值與面積率比較，類似上述的情办。如此，可消除電流值檢測錯誤的影響，藉以改善缺p 的判斷準確度。 ' — 在罩幕中之缺陷的檢視可以此種方式達成。如此，假如電丁邊測為2 0被安裝在電子束曝光系統1的内侧，雷子束曝光系統1可被配置為其原來的狀態而做為罩幕檢視糸統2。如此’製造半導體裝置的工廠便無需將罩幕檢視^ 置配置成一獨立的裝置。因此，可為製作半導體裝廠減少設備的空間及其整體成本。 _ 、工設置在電子束曝光系統丨中的罩幕M在完成罩後，< 被周以對晶圓w處☆ , t t 恭私視之幕Μ的裝直間移動所需的處理時間。田於在罩另1卜命在檢視罩幕》丨時，根據罩幕Μ的圖荦資粗& & 電子檢測器20所獲得的電流Ξίπ決: :靠以在貢料轉換成二元值時參考位準誤致: 再者’取代只考量表面Ρ 旦彡光，而使用穿透式電子：1:二；：二射電子或反射不同。如此，可能考量促成雷；；：減：：著膜厚而有所丁政射，其出現未被檢視， 4?523l j五、發明說明（14) I -的值（罩幕t的膜厚等）的影響格子狀的電子檢測器20，其中二極體係由矽構成

|分別被排列在XY方向上，如第7A圖所示，其可做為使用於 j本實施例中的電子檢測器2 0的一種變化。在此情形中，關丨於那個二極體被何強度的電子照射的資訊可依據在X方向 j上檢測到的電流與在Y方向上檢測到的電流而被檢測。因 ί此，二維的位置與電流位置可依據檢測到的資訊而被檢 i測。

同時，如第7B圖所示，具有其上施加有電壓之許多孔的矽平板之一MCP (微通道板）40被安裝在罩幕Μ下方的位置 j與電子檢測器2 0或2 0 Α之間。M C Ρ 4 0被用做位置檢測器。 |同時在此情況中，可能檢測有關於其上有電子輸入之孔與 |輪入之電子強度的資訊。 | 如上所述，在根據本發明之罩幕檢視裝置中，羯以檢測穿過用於罩幕檢視之罩幕的電子束的電子檢測器，可被安裝於其中且可從設置有罩幕的電子束曝光系統中的罩幕下方的部分分離。如此，若電子檢測器被安裝在電子束曝 1光糸統中，電子束曝光系統可被以其原來狀態配置為罩幕 j檢視裝置。 j 如此5則無需單獨地裝設電子束曝光系統的罩幕檢視 j裝置。所以，製造 i置配置成一獨立的 i |廠減少設備的空間 i奋的置暮在完成罩半導體裝置的工廠便裝置。因此，可為製及其整體成本。設置幕檢視之後，可被用無需將罩幕檢視裝作半導體裝置的工在電子束曝光系統以對晶圓曝光。如

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I

475231 五、發明說明（15) 此，也可能減少由於在罩幕的間。另外％本發明之罩暮檢視的罩幕的圖案資料所決定的面之電子束的電子檢測器所獲得料轉換成二元值時參考位準誤者，罩幕之缺陷可在高準確度符號說明： 1〜電子束曝光系統 11、5 1〜電子搶 15、5 5〜孑L徑 1 9〜背向聚焦平面孔徑 13 、 14 、 17 、 18 、 53 、 54 Μ〜罩幕 2 0、2 0 A、5 6〜電子檢測器 3 0〜電腦 3 2〜記憶體 40〜MCP (微通道板）裝置間移動所需的處理時方法比較根據做為檢視目標積率與由用以檢測穿過罩幕的電流值。如此，可能在資差所導致的可靠度下降。再與高可靠度下被檢視。 2〜罩幕檢視裝置 1 2、5 2〜光學發射系統 16〜光學成像系統 2 1〜負載機構〜電子透鏡 W〜晶圓 3 1〜位置控制器 3 3〜面積率計算器 EB〜電子束

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Claims

475231 修正本 MM 89124R,Sn 六、申請專利範圍 1 · 一種罩幕檢視方法，包括·· (a) 提供一用於配合一罩幕將晶圓圖案化的電子束曝光系統； (b) 從該電子束曝光系統發射電子至該罩幕； (c )檢測該發射的電子中穿過該罩幕的電子； (d)根據（c)的檢測結果檢視該罩幕上的缺陷。、2· ^申請專利範圍第丨項之罩幕檢視方法，其中， (b )被仃以使得從該電子束曝光系統發射的該射至該晶圓。，二！請專利範圍第1項之罩幕檢視方法，更包括：克Λ 結果為該罩幕沒有缺陷，經由使用該電子 4 1Λ 圖案化的罩幕對該晶圓進行曝光。 4·如申請專利範圍第3項之罩暮檢親方沬Γϊ , 發中射該，子以使得(e)被執行的方式從該電子束曝光系統 ⑴提供指專示1广罩圍幕第2::罩幕檢視方法，更包括： (g)計算面積率考圖案的參考圖案資料；及該罩幕的檢視區域二二二=於對應該參考圖案資料之比率，且 p刀貝料中之黑色圖案與白色圖案的其中（d)包括根插广、罩幕缺陷。 ^的該檢測結果及該面積率，檢視 6 ·如申請專利笳FI榮Ί (c)包括檢測通過該 =之罩幕檢視方法，其中，皁綦之该電子的強度，且 2139-3585-PFl.ptc 第19頁 475231

曰 (h)提供指示該罩幕之參考圖案的參考圖案資料；及 (j)計算面積率，其為包含於對應該參考圖案資料之幕=檢視區域的部分資料中之黑色圖案與白色圖案的幕缺=中⑷包括根據該電子強度及該面積率，檢視該罩 7.如申請專利範圍第6項之罩幕檢視方法，正值⑴且計算指示該電子強度與該參考圖案間之關係的修其中（d)包括根據該電子強度、該修正值盘率，檢視該罩幕缺陷。。違面積、8·、如申請專利範圍第丨項至第7項中的任— 檢視方法，其中，（c)係由一電子檢測器執行，且其中該電子檢測器可自動從該電子檢 :得通過該罩幕的該電子不會被射至該晶圓處=曰，曰：動至該電子檢測器不掩蔽該 ^置移會被射至該晶圓處的另一位置圓使仵通過5亥罩幕的該電子 9. 如申請專利範圍第8項之罩幕檢視方法，其 (c) ^括檢測通過該罩幕的該電子，以檢測當該子至該電子檢測器時在該雷早扒、目丨丨盟占电子輸入的強度。亏隹以子檢測器中之位置與該輪入電子 10. 如申請專利範圍第8項之罩幕檢視方法，並中，该電子檢測盜包括複數個排列成陣列的二極體。 475231 ---_ 89124630 j 月日你不六、申請專利範圍 ' --- 11. 如申請專利範圍第8項之罩幕檢視方法，其中，該電子檢測器包括複數個排列成格狀的二極體。 12. 如申請專利範圍第8項之罩幕檢視方法，更包括： (k) 提供一MCP(微通道板），其在電子檢測器與罩幕間的位置上具有複數個孔；及 (l) 施加一電壓至該MCP上，且其中（c)包括檢測當該電子輸入至該Mcp時在該MCp中的位置以及該輸入電子的強度。 13· —種罩幕檢視裝置，包括：一電子束曝光系統，用以利用罩幕將一晶圓圖案化，該電子束曝光系統發射電子至該罩幕；電子檢測器，檢測該發射的電子中通過該罩幕的子；及一檢視單元，根據該電子檢測器的檢測結果，檢視罩幕缺陷。 ^14·如申請專利範圍第13項之罩幕檢視裝置，其中， s σ亥電子檢測器檢測通過該罩幕的該電子時，從該電子束曝光系統發射出的該電子不會射至該晶圓。 _ 1 5·如申請專利範圍第1 3項之罩幕檢視裝置，其中，當該檢視單元檢視的結果為該罩幕沒有缺陷時，該電子束曝光系統經由用以圖案化的該罩幕對該晶圓進行曝光。 16·如申請專利範圍第1 5項之罩幕檢視裝置，其中，當該電子檢測器檢測通過該罩幕的該電子時，該電子束曝光系統以使得該電子束曝光系統經由用以圖案化的該罩幕

2139-3585-PFl.ptc 第21頁 475231 'MM 89124630 六、申請專利範圍對該晶圓進行曝光的方 1 7 ·如申請專利範該檢，單元儲存指示該並計算面積率，其為包的檢視區域的部分資料且、其中，該檢視單元該面積率，檢視該罩幕 18·如申請專利範該電子檢測器檢測通過其中，該檢視單元圖案資料，並計算面積料之該罩幕的檢視區域案的比率，且其中，該檢視單元該罩幕缺陷。 19·如申請專利範該檢視單元計算指示該 —修正值》且其中，該檢視單元積率，檢視該罩幕缺陷 2〇·如申請專利範幕檢視裝置，其中，古亥掩蔽該晶圓使得通過該月曰修正式發射該電子。圍第13項之罩幕檢視裝罩幕之參考圖案的參考含於該對應參考圖案資中之黑色圖案與白色圖根據該電子檢測器的該缺陷。圍第13項之罩幕檢視裝該罩幕的該電子的強度儲存指示該罩幕之參考率，其為包含於對應該的部分資料中之黑色圖置，其中，圖案資料，料之該罩幕案的比率，檢測結果及置，其中，，且圖案的參考參考圖案資案與白色圖根據該電子強度及該面積率，檢視圍第18項之罩幕檢視裝電子強度與該參考圖案置，其中，間之關係的根據該電子強度、該修正值與該面圍第13項至第19項中的 f子檢測器可自動從該罩幕的該電子不會被射任一項之罩電子檢測器至該晶圓處

第22頁 475231 案號 89124630 年月曰修正六、申請專利範圍

的位置’移動至該電子檢測器不掩蔽該晶圓使得通母▲ 幕的該電子會被射至該晶圓處的其他位置。 ° >^罩 21·如申請專利範圍第13項之罩幕檢視裝置，其該電子檢測器檢測通過該罩幕的該電子，以檢測當^ ’ 輸入至該電子檢測器時在該電子檢測器中之位置與^輸I 22·如申請專利範圍第13項之罩幕檢視裝置，其中該電子檢測器包括複數個排列成陣列的二極體。 23·如申請專利範圍第13項之罩幕檢視裝置，其中該電子檢測器包括複數個排列成格狀的二極體。 24·如申請專利範圍第13項之罩幕檢視裝置，更包一MCP(微通道板），其在該電子檢測器與該罩幕間的位置上具有複數個孔，一電壓，被施加至該Mcp上，且其中，該MCP檢測當該電子輸入至該Mcp時在該MCp中的位置以及該輸入電子的強度。

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