A7 B7 五、發明說明（1 ) 【發明背景】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關一種例如在L C D基板或半導體晶圓等 基板上，形成由絕緣膜製成的塗佈膜之成膜方法及膜形成 系統。 例如半導體裝置（以下稱「晶圓」）之製造工程，是 利用絕緣膜形成系統，來執行於晶圓表面形成絕緣膜。就 此絕緣膜形成系統而言，形成絕緣膜的情形是，晶圓先由 運載站被搬..送到處理部，並於設在處理部的塗佈裝置中， 令形成絕緣膜用的所定塗佈液，塗佈在晶圓上。接著，此 晶圓被搬送到加熱處理裝置，來執行蒸發塗佈液中之溶劑 的處理。然後，收集所定片數的晶圓一倂放入熱處理爐。 於是，晶圓會在熱處理爐內被硬化處理，而於晶圓表面形 成像是SOG等的絕緣膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 近年來隨著晶圓材料的提升，而從晶圓上的塗佈液對 氧的反應更爲微細，到在熱處理爐完成硬化處理，均希望 能在更低氧氣氛中進行處理。但上述的絕緣膜形成系統， 在使塗佈液中的溶劑蒸發之加熱處理裝置內或自該加熱處 理裝置搬向熱處理爐時，晶圓會暴露在大氣中，故而晶圓 上的塗佈膜與空氣中的氧進行反應，致使晶圓發生絕緣不 良等之虞。 還有所謂在所形成的絕緣膜，事先形成所定的溝，且 在溝內部置入導電性配線材料，利用C Μ P ( chemical mechanical polshing )技術等，除去堆積在溝外的配線材料 ，藉此形成配線之金屬鑲嵌法的技術。被稱爲金屬鑲嵌法 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 820 4 A7 _________B7___五、發明說明（2 ) 之一的雙金屬鑲嵌法之配線技術，是種將事先形成在層間 絕緣膜之連接孔以及配線用溝的兩者，同時利用配線材料 置入，而同時形成連接栓塞與配線的技術。 利用雙金屬鑲嵌法來製造半導體元件的情形，則有目 的在於令半導體元件高速化，而應用無機絕緣膜與有機系 低誘電率膜的積層膜，做爲配線間之層間絕緣膜的技術。 應用此種層間絕緣膜的無機絕緣膜，一般利用等離子 C V D.法肢.戒之，而有機絕緣膜則是利用自旋式塗佈法所 瑕成。 然而若用CVD法完成無機絕緣膜之成膜，以及用自 旋式塗佈法完成有機絕緣膜之成膜，利用C V D裝置與自 旋式塗佈法的塗佈裝置之構造，均須完全不同的裝置，以 致於有所謂裝置成本增加的問題。 【發明槪要】 本發明就絕緣膜形成工程來看，其目的是在基板上形 成塗佈膜，到硬化處理止，抑制晶圓表面的塗佈膜_氧一 起反應。 又，本發明對含有無機絕緣膜的多層膜予以成膜之成 膜方法而言，其目的在於提供一裝置成本低的成膜方法及 膜形成系統胃。 爲達成上述目的，本發明之第1觀點1就成膜方法而 言，乃具有：在基板上供給第1塗佈液，以彤成第1塗佈 膜之工程、和在第1塗佈膜上供給第2塗佈液’以形成第 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '"裝 • I n
ϋ ai- · I ^1· n I n I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- 4 6 820 4 A7 ____B7 五、發明說明（3 ) 2塗佈膜之工程，同時前述第1塗佈膜及前述第2塗佈膜 之中的任一者須爲無機膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之第2觀點，就成膜方法而言，乃具有：在基 板上利用自旋式塗佈法塗佈有機絕緣膜材料，以形成有機 絕緣膜之工程、和在前述所塗佈的有機絕緣膜材料上利用 自旋式塗佈法塗佈無機絕緣膜材料，以形成無機絕緣膜之 工程、和用光刻法令前述有機絕綠膜及前述無機絕緣膜圖 案化，.以形..威凹部之工程、和在前述凹部置入導電材料.， 以形成導電層之工程· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之第3觀點，就成膜方法而言，乃具有：在基 板上利用自旋式塗佈法塗佈有機絕緣膜材料，予以形成第 1有機絕綠膜之工程、和在前述所塗佈的有機絕緣膜材料 上利用自旋式塗佈法塗佈無機絕緣膜材料，以形成第2無 機絕緣膜之工程、和對基板上利用自旋式塗佈法塗佈有機 絕緣膜材料，以形成第3有機絕緣膜之工程、和在前述所 塗佈的.有機絕緣膜材料上利用自旋式塗佈法塗佈無機絕緣 膜材料，以形成第4無機絕緣膜之工程、和用光刻法令前 述第3有機絕緣膜及前述第4無機絕緣膜圖案化，以形成 第1凹部之工程、和用光刻法令前述第1有機絕緣膜及前 述第2無機絕緣膜圖案化，以形成第2凹部之工程、和在 前述第1凹部及前述第2凹部置入導電材料，以形成導電 層之工程。 本發明之第4觀點，乃針對具有：在基板上塗佈第1 絕緣膜材料之第1塗佈裝置、和在前述第1塗佈暝上塗佈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 82 0 4 A7 經 濟 部 智 ，慧 財 Μ. 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 tjy 五、發明說明（4) 第2絕緣膜材料之第2塗佈裝置的膜形成系統中，、前述 第1絕緣膜材料或第2絕緣膜材料須爲無機絕緣膜材料。 本發明之第5觀點，就膜形成系統而言，乃具有：對 基板供給塗佈液*予以形成塗佈膜之塗佈裝置、和爲使溶 劑成份自所塗佈的前述塗佈液中蒸發之第1加熱裝置、和 在前述第1加熱裝置對已蒸發前述溶劑成份的前述基板進 行熱處理之第2過熱裝置、和在前述第1加熱裝置與前述 第2加熱裝，置-之間做爲轉送基板之轉送部，而前述第1加 熱裝置的處理室內，可設定在ft大氣低的氧氣氛中 本發明之第6觀點，就膜形成系統而言，乃具有：對 基板供給塗佈液，予以形成塗佈膜之塗佈裝置、和使溶劑 成份自所塗佈的前述塗佈液中蒸發之第1加熱裝置·、和在 前述加熱裝置對已蒸發前述溶劑成份的基板進行熱處理之 第2加熱裝置、和在前述第1加熱裝置與前述第2加熱裝 置之間做爲轉送前述基板之轉送部ί而配置前述第2加熱 \ 裝置與前述轉送部的領域，可設定在比大氣低的氧氣氛中 本發明之第7觀點，就膜形成系統而言，乃具有：對 基板供給塗佈液，予以形成塗佈膜之塗佈裝置、和使溶劑 成份自所塗佈的前述塗佈液中蒸發之第1加熱裝置、和在 前述加熱裝置對已蒸發前述溶劑成份的基板進行熱處理之 第2加熱裝置、和在前述第1加熱裝置與前述第2加熱裝 置之間做爲轉送前述基板之轉送部，而配置前述第2加熱 裝置與前述轉送部的領域、和前述第1加熱裝置的處理室 *—,— — —1 111 — ； Ύ I « I I (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂， 46 820 4 A7 ____B7__ 五、發明說明（5) 內，可設定在比大氣低的氧氣氛中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 按照本發明，例如塗佈任一種塗佈液，以形成絕緣膜 及金屬遮光層，而不必介裝C VD裝置，就能在形成絕緣 膜及金屬遮光層之兩層構造，使工程簡略化。 又因引用一個裝置來連接具備有，供塗佈絕緣膜用塗 佈液之第1塗佈系統、和供塗佈金屬遮光用塗佈液之第2 塗佈系統，以形成絕緣膜及金屬遮光層之兩層構造，因而 不必將基板..搬拘另外的裝置，而使該些成膜處理明顯的被 簡略化，能極迅速的予以成膜所謂的絕緣膜及金屬遮光層 0 按照本發明，例如前述第1加熱裝置的處理室內，可 設定在低氧氣氛中，故而所對應的前述處理室內即可爲低 氧氣氛。因而被搬入前述處理室的基板可在低氧氣氛內做 加熱處理。其結果，就塗佈處理裝置來看，被塗佈基板上 的塗佈膜會與氧一起反應，而防止被氧化。 經濟部智慧財產局貝工消費合作钍印製 按本發明，例如對於經過雙金屣鑲嵌工程，形成有機 絕緣膜與無機絕緣膜的積層膜中形成配線或連接栓塞的情 形，是同時用自旋式塗佈法來製造有機絕綠膜及無機絕綠 膜，而不須要c V D裝置，故得以大幅削減製造裝置成本 。又，能形成低誘電率特性良好，而有機絕緣膜與無機絕 緣膜的密著性佳之絕緣膜。 【發明之實施形態】 針對本發明之第1實施形態的膜形成系統做一說明。 本紙張尺度適用中囤國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- 46 820 4 A7 B7 五、發明說明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖係爲在晶圓W上髟成絕緣膜之膜形成系統 4 0 1的平面圖，第2圖係爲膜形成系統4 0 1之側面圖 ，第3圖係爲膜形成系統4 0 1之另一側面圖。 膜形成系統4 0 1，乃如第1圖所示具有：例如以 2 5片的晶圓W爲一匣盒單位，自外部針對膜形成系統 4 0 1做搬出入’或針對匣盒c中的晶圓W做搬出入之晶 圓匣盒站4 0 2、和在絕緣膜形成工程之中，對單片施行 所定處理的·各種處理裝置之第1處理站4 0 3、和鄰接在 該第1處埋站4 0 3而設之供轉送晶圓W等的介面都 4 〇 4、和具備分批進行熱處理的第2加熱裝置的熱處理 爐4 2 0之第2處理站4 0 5，予以多段配置而一體連接 的構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 晶圓匣盒站4 0 2是在做爲載置部的晶圓匣盒載置台 4 0 6上之所定位置，將複數的晶圓匣盒C，以一列自如 載置在X方向（第1圖中的上下方向）》而可對該晶圓匣 盒配列方向（X方向）和收容在晶圓匣盒C的晶圓W之晶 圓配列方向（Z方向；垂直方向），.進行移送之晶圓搬送 體4 0 7，是設成沿著搬送路4 0 8自如移動的對各晶圓 匣盒C選擇通路。 晶圓搬送體4 0 7則構成可對屬於如後所述的第1處 理站4 0 3側之第3處理裝置群G 3的轉送部4 4 2之通 路 第1處理站4 0 3則是在其中心部設置主搬送裝置 4 1 3，各種處理裝置乃多段配置在主搬送裝置4 13的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 46 820 4 A7 -----B7__ 五、發明說明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 周邊’以構成處理裝置群。對於該膜形成系統4 0 1則配 置有4個處理裝置群Gl、G2、G3、G4，而第1及 第2處理裝置群G 1、G 2係被配置在膜形成系統4 0 1 的正面，第3處理裝置群G 3則是鄰接的配置在晶圓匣盒 站4 0 2，第4處理裝置群G 4則鄰接的配置在介面部 4 0 4。更可自由的選擇將以虛線所示的第5處理裝置群 G 5，另外配置在背面。 第.1處.理裝置群G 1則如第2圖所示，以兩段配置自 旋型處理裝置之例如對晶圓W塗佈絕緣膜形成用塗佈液而 予以處理之塗佈裝置（COT) 415、416。在第2 處理裝置群G.2以兩段疊置著將塗佈裝置（C 0 T) 4 1 7、塗佈液中的溶媒置換爲其他溶媒之交換用藥液塗 佈裝置（DSE) 418。 第3處理裝置群G 3則如第3圖所示，由下依序例如 5段堆疊，對晶圓W執行凝膠化處理的雨個蝕刻處理裝置 (DAC) 440、441、在晶圓匣盒站402之間進 行收取晶圚W之轉送部（TRS) 4 4 2、執行冷卻處理 之冷卻裝置（C 0 L ) 4 4 3 '對晶圓W執行加熱處理之 經濟部智慧財產局員工消費合作；印製 低氧高溫加熱處理裝置（0HP) 444等。 第4處理裝置群G 4則是由下依序例如5段堆疊，例 如冷卻裝置（COL) 445、在介面部4之間進行收取 晶圓W之轉送部（TR S ) 4 4 6 ''低i溫:力D熱1處理裝B .( LHP ) 4 4 7、使塗佈在作爲第1加熱裝置的晶圓冗表 面之塗佈液中的溶劑成份蒸發的兩個低氧筒溫加熱處理裝 本纸張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）_ 1 ◦ _ A7 46 820 4 五、發明說明（8 ) 置（〇HP) 448、449 等》 其次，在介面部404設有，晶圓搬送體450、和 供載置熱處理爐4 2 0中之熱處理前後的晶圓W之載置部 4 5 1。晶圓搬送體4 5 0係構成與X方向（第1圖中的 上下方向）、Z方向（垂直方向）的移動一起向著Θ方向 (以Z軸爲中心的旋轉方向）自如的旋轉的方式，對屬於 第4處理裝置群G 4的轉.送部446和載置部451構成 通路。.^ - 又，第2處理站405是鄰接的設在介面部404， 並設有熱處理爐4 2 0、和由介面部4 0 4的載置部 4 5 1，將晶圓W搬送到熱處理爐4 2 0之搬送體4 5 2 。再者，搬送體4 5 2是構成與X方向（第1圖中的上下 方向）、Z方向（垂直方向）一起向<9方向自如移動（以 Z軸爲中心的旋轉方向）的進行旋轉。 此例也如第4圖所示，配置介面部4 0 4和第2處理 站4 0 5的領域，是形成利用做爲隔板的金屬板4 5 5覆 蓋之空間T «在此金屬板4 5 5設有自第1處理站40 3 的轉送部4 4 6供搬出入晶圓W之搬出入口 4 6 0，在搬 出入口 4 6 0設有面向著第3處理裝置群G 3的轉送部 446，令此搬出入口 460自如開關之快門456。又 ，在前述金屬板4 5 5設有使前述空間T成爲低氧氣氛而 供給氣體之供給口 4 5 7 ’如第2圖所示’該氣體是自氣 體供給源4 5 8所供給的。更如第3圖所示，在第2處理 站4 0 5的適當處設置氣體排氣口 4 5 9 ° {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 、SJ· 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X. 消 費 合 阼 ft 甲 製 4 6 8 2 0 Α7 . ___ Β7__ _ 五、發明說明（9 ) (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此’針對使晶圓w之塗佈液中的溶劑成份蒸發之前 述低氧高溫加熱處理裝置（OHP ) 4 4 9的構成，採用 第5圖做一說明。 如第5圖，此低氧高溫加熱處理裝置（〇HP) 4 4 9是因覆蓋殻體4 7 0而形成處理室S。在殼體 4 7 0的側面係爲供搬入晶圓W之搬出入口 4 8 5，在此 搬出入口 4 8 5設有供令此搬出入口 4 8 5自如開關之快 門4 7. 2。.·又-，在殼體4 7 0的下面設有例如供給氮氣之 供給口 4 7 3，氮氣是爲從氣體供給源4 7 4介於供給路 4 7 5，而自供給口 473被供給的構成》在殼體470 的上面設排出前述氮氣等之排氣口 4 7 6。因而，氣體供 給貯槽4 7 4的氮氣，會自供給口 4 7 3被供給到處理室 S內，使處理室S內成爲低氧氣氛，更可將自該氮氣與晶 圓W所發生的不純物，自排氣口 4 7 6 .予以排氣。 經濟部智慧財產局員1·消費合阼；^中製 在殼體4 7 0內設有供加熱晶圓W之厚圓盤狀的載置 台4 7 7。在該載置台4 7 7內裝有加熱際做爲熱源的加 熱器4 7 8，加熱器4 7 8是因由設置在殼體4 7 0外部 的電源4 7 9所供給的電力而發熱，藉此加熱載置台 4 7 7上的晶圓W » 又，在低氧高溫加熱處理裝置（OHP) 449內予 以搬出入晶圓W之際，支撐晶圓W使之昇降的昇降腳 480，是貫通設在載置台477的貫通孔48 1，而出 沒自如的被設在載置台4 7 7上。再者’該昇降腳4 8 0 係利用驅動機構4 8 2而予昇降。甚至’將晶圓W載置在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 46 820 4 ^ A7 ____B7___ _ 五、發明說明（10) 載置台4 7 7.時，支撐晶圓W的接近腳4 8 3，是以三處 設在載置台4 7 7上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次’說明在晶圓上形成絕緣膜之第2加熱裝置的熱 處理爐4 2 0之構成。如第6圖所示，熱處理爐4 2·0主 要具有實際加熱處理晶圓W之縱型爐5 1 0、和將複數片 晶圓W收集在前述縱型爐5 1 0內，而搭載之梯形晶舟 4 9 0。 首先，.梯形晶舟4 9 0乃如第6圖所示，具有上下相 對配置之圓形頂板4 9 1與底板4 9 2，在該些頂板 49 1與底板492之間，設4根支柱49 3、494、 495、4 96。而晶圓W係藉由搬送體452 ，自介面 部4 0 4的載置部4 5 1被搬送，於形成在前述各支柱 493、494、495、496 表面的溝部 497 內， 收納晶圓W的周緣部，藉此構成被搭載在梯形晶舟4 9 0 〇 經濟即智慧时查笱員工消費合阼；^ 又，梯形晶舟4 9 0係介於支撐構件5 0 0而裝卸自 如的被安裝在具備有例如由不銹鋼製成的凸緣部4 9 8之 石英製保溫筒4 9 9上，更將此保溫筒4 9 9載置在昇降 自如的晶圓昇降機5 0 1上，藉此晶圓昇降機5 0 1的上 昇，使晶圓W連同梯形晶舟4 9 0被裝載至縱型爐5 1 0 內之後述的反應容器512內。 另外，施行所定的絕緣膜形成處理之前述縱型爐 5 1 0係垂直方向被配置在前述梯形晶舟4 9 0的上方。 此縱型爐510的殼體511，是做成上面爲開口的略筒 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- Α7 46 82 0 厶 Β7_；_ 五、發明說明（11) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 狀之形態，在其內部則有實際對晶圓w做加熱處理的反應 容器5 1 2。在此反應容器5 1 2的外周’配置圖未示的 發熱體。又，絕緣膜形成用的處理氣體，例如氮氣’是藉 由處理氣體導入管5 2 5被導入反應容器5 1 2內’處理 後自設在反應容器5 1 2下部的排氣管5 2 6’被排出外 部。 接著，針對在晶圓W上塗佈絕緣膜用塗佈液之塗佈裝 置（C Ο T.,) >4 1 5〜4 1 7的構成採用第7圖做一說明 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 塗佈裝置（COT) 4 15爲一種在晶圓w上供塗佈 有機系低誘電率膜用塗佈液之塗佈裝置，具備有：用蓋 5 8 1來開關上面之固定碗盤5 8 2、和從此固定1碗盤 5 8 2的底面插入，可用驅動部5 8 3昇降及旋轉之旋轉 軸5 8 4、和設在上旋轉軸5 8 4之上端，爲晶圓保持部 的真空夾頭5 8 5、組合在蓋5 8 1而設之對晶圓W的中 心部供給塗佈液之塗佈液噴嘴5 8 6。在固定碗盤5 8 2 係連接有作爲供給塗佈液所用的溶媒之例如乙二醇蒸氣之 溶媒蒸氣供給管5 8 8，同時還連接有排管5 8 9、排氣 管5 9 0。再者，於此系統所用的塗佈液及溶媒，是由被 設在塗佈處理部5 2 1的上述化學室（圖未示）所供給。 於化學室收容有會對阿摩尼亞或HMD S之處理受到不良 影響之藥液以外的藥液。 再者，用S 0D形成有機系絕緣膜，係有溶膠—凝膠 法、絲綠絕法、旋轉薄.膜法、及噴霧法等。用溶膠-凝膠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14 - 46 820 4 A7 ___B7_ 五、發明說明（12) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 法形成絕緣膜的情況，使TEOS ( tetraethylonhosilicate )膠質分散在有機溶媒的塗佈液，塗佈在晶圓的表面，得 該塗佈膜凝膠化後，將塗佈膜中的溶媒置換成其他的溶媒 ，然後使之乾燥取得絕緣膜。又，用絲絕緣法、旋轉薄膜 法、及噴霧法形成有機系絕緣膜的情況，是在晶圓塗佈塗 佈液，並用加熱處理使塗佈液硬化（處理），而.取得絕緣 膜。 塗佈裝遣-4 1 6是應用於採取絲絕緣法及旋轉薄膜法 的情況下，需要黏著力促進膜之塗佈時用的1基本上具有 與塗佈裝置415相词的構造。 塗佈裝置4 1 7是種用SOG ( Spin On Glass )在有 機系低誘電率膜上，塗佈例如由S4 〇2製成的金屬遮光用 之無機絕緣膜用的塗佈液，基本上具有與塗佈裝置4 1 5 相同的構造》用SOG將例如混合著Si (0H)4等矽烷 醇化合物和乙醇等溶媒之處理溶液（S0G液），予以塗 佈在晶圓W上，並對此施行熱處理，以使溶媒蒸發’促進 矽烷醇化合物的聚合反應，以形成S i 〇2膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 交換用藥液的塗佈裝置（D S E ) 4 1 8是種應用於 藉由塗佈裝置（COT)415所塗佈的塗佈液，利用溶 膠-凝膠法予以有機系絕緣膜的形式，具有水平保持晶圓 W，而使之旋轉的旋轉夾頭' 和設成圍住此夾頭上的晶圓 W之碗盤，先將凝膠化的蝕刻處理後之塗佈液中的水份， 置換爲乙醇等’，更用庚烷等來置換塗佈膜中的溶媒。 其次，針對應用如上所構成的膜形成系統4 0 1 ，來 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 46 820 4. A7 ____B7_ 五、發明說明（13) 形成層間絕緣膜及金屬遮光層的同時，用雙金屬鑲嵌法形 成溝配線及栓塞的順序，參照第8圖做一說明。 先在晶圓W上形成下層配線7 0 2，接著形成在晶圓 W上被覆下層配線7 0 2的方式，來胗成爲第1層問絕緣 膜的有機系低誘電率膜703 (第8圖（a))，並在有 機系低誘電率膜7 0 3上形成由氧化矽（S i 〇2)膜製成 的金屬遮光層704·(第8圖（b))。 此有機.，系-低誘電率膜7 0 3及金屬遮光層7 0 4是用 上述的絕緣膜形成系統按以下而形成的。
首先，相當於有機系低誘電率膜7 0 3的形成，在有 機系低誘電率膜用的塗佈液是用絲絕緣法及旋轉薄膜法的 情形下，自晶圓匣盒站4 0 2內的晶圓匣盒所取出的晶圓 W，會被搬送到轉送部442 (TRS)。從轉送部 442 (TRS)用主搬送裝置413將之搬送到執行溫 度管理的冷卻裝置（COL ) 4 4 3 β晶圓W用冷卻裝置 (C 0 L ) _4 4 3被控制在所定溫度後，使有機系低誘電 率膜用的塗佈液先用塗佈裝置（COT) 416來塗佈黏 著力促進膜。然後以低溫用之低溫加熱處理裝置（L Η P )447來烘烤晶圓W，並用冷卻裝置（COL) 445 予以冷卻後，用塗佈裝置（COT) 4 1 5將有機系低誘 電率膜用之塗佈液予以塗佈在晶圓W上。然後，用低溫用 之低溫加熱處理裝置（LHP)447及高溫用之低氧高 溫加熱處理裝置（〇H P ) 4 4 9來進行烘烤處理。噴霧 法是按照冷卻裝置（COL) 443、塗佈裝置（COT 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ' ϋ 1 ϋ 1_ 1 a n I- n n I ·
Lt 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16 - 468204 Α7 Β7 五、發明說明（M) (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) )4 15、’低溫加熱處理裝置（LHP) 447、低氧高 溫加熱處理裝置（Ο Η P ) 4 4 9的順序處理直到烘烤而 結束。溶膠—凝膠法是按照冷卻裝置（COL) 44 3、 塗佈裝置（DOT) 4 1 5、蝕刻處理裝置（DAC) 441、交換用藥液之塗佈裝置（DSE) 418、低溫 加熱處理裝置（LHP) 447、低氧高溫加熱處理裝置 (OHP) 449的順序處理，直到結束烘烤爲止。如此 一來，.如第/38欐（a )所示，在形成配線7 〇 2的半導體 晶圓W上形成有機系低誘電率膜703» 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，用任一個冷卻裝置（C 0 L )將晶圓W冷卻到 所定溫度後，用塗佈裝置（COT) 4 1 7對形成在晶圓 W上的有機系低誘電率膜7 0 3上，加以塗佈作爲金屬遮 光膜形成用的塗佈液之例如ARAIDOSHIGUNARU公司製的 「納玻璃（Nanoglass )」。並且塗佈著塗佈液的晶圖W， 會馬上被搬送到戧刻處理裝置（DA C ) 4 4 0，而予凝 膠化處理。然後被搬送到交換用藥液之塗佈裝置（D S E )4 1 8，以實行將塗佈在晶圓W上之絕緣膜中的溶媒置 換成其他溶媒的處理。然後，爲了使晶圓W的溶媒予以蒸 發掉，而被搬送到低氧高溫加熱處理裝置（OHP ) 4 4 9。 在此，針對低氧高溫加熱處理裝置（0 Η P ) 4 4 9 之作用做一番詳細說明。 先將結束前項處理工程的晶圓W，利用主搬送裝置 4 1 3從搬出入口 4 8 5搬入低氧高溫加熱處理裝置（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 468204 A7 _____B7_ 五、發明說明（15 ) OHP)449內。此時，昇降腳480會因驅動機構 4 8 2而貫通過貫通孔4 8 1，以上昇待機到載置台 4 7 7上方的所定位置。並且載置晶圓W的主搬送裝置 4 1 3來到載置台4 7 7上方時會停止，然後下降將晶圓 W：轉送到昇降腳4 8 0。轉送晶圓W的主搬送裝置4 1 3 就馬上從處理室S內退開，開關快門4 7 2就會關上。又 ，晶圓W被支撐制止在昇降腳4 8 0上，使氣體供給源 4 7 4內的..氮氣介於供給路47 5，自供給口 47 3被供 給到處理室S內。並且，晶圓W是以被昇降腳4 8 0支撐 在載置台4 7 7上方的狀態，而供給所定時間的氮氣，以 使處理室S內的氣氛被置換成低氧氣氛。 處理室S充分爲低氧氣氛後，用驅動機構4 8 2驅使 支撐晶圓W的昇降腳4 8 0下降，令晶圓W被載置在載置 台4 7 7上的接近腳4 8 3。於是，晶圓W是用加熱.器 4 7 8被加熱到先前所定的溫度，例如3 0 0 °C的載置台 4 7 7，來執行所定時間的加熱處理。 加熱處理結束後，晶圓W則藉著驅動機構4 8 2上昇 並被支撐在昇降腳4 8 0，而再度上昇。並且，昇降腳 4 8 0上昇到載置台4 7 7上方的所定位置處就予以停止 ，晶圓W就會從搬出入口 4 8 5被轉送到放入殼體4 7 0 內的主搬送裝置4 1 3。收取晶圓W的主搬送裝置4 1 3 從殼體4 7 0內退開後，再度關上開關快門4 7 2。 自低氧高溫加熱處理裝置（OHP) 449被搬出的 晶圓W，會被搬送到冷卻裝置4 4 5進行冷卻處理。然後 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝 --^丨訂-------- 經濟部智慧財產局員Μ消費合阼：ϋ印製 -18- 46 B2〇 ^ A7 _ B7__ 五、發明說明（1ό) 被搬送到轉送部446 (TRS)，並待機到介面部 4 0 4的晶圓搬送體4 5 0作成爲通路爲止。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，介面部4 0 4的晶圓搬送體4 5 0會逋過設在 作爲隔板的金屬板4 5 5之搬出入口 4 6 0，以收取轉送 部4 4 6的晶圓W。此時，藉金屬.板4 5 5所形成的空間 T之氣氛，會因自氣體供給源4 5 8所供給的非活性氣體 的氮氣而成爲低氧氣氛。又，即使打開開關快門4 5 6， 外氣也不會、進入，反而會經常相對於外氣而保持在正壓。 然後，收取晶圓W的晶圓搬送體4 5 0則將晶圓W搬送到 位在介面部4 0 4內的載置部4 5 1 ，並平均的收集複數 片予以載置之？ 第2處理站的搬送體4 5 2是將收取載置部4 5 1的 晶圓W搬送到熱處理爐4 2 0，而予搭載在熱處理爐 420內的梯形晶舟490。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .接著，就熱處理爐4 2 0之作用做詳細的說明，首先 用圖末示的加熱體將反應容器512內的溫度加熱到例如 約4 2 0°C，同時從處理氣體導入管5 2 5導入氮氣，使 反應容器5 1 2內成爲氮氣氣氛。其次，用搬送體4 5 2 將晶圓W搭載在梯形晶舟4 9 0後，並使晶舟昇降機 5 0 1上昇，而保溫筒4 9 9的凸緣部4 9 8會令梯形晶 舟4 9 0上昇到與反應容器5 1 2下端部之圖未示的凸緣 所密貼的位置處’以使晶圓W裝載於反應容器5 1 2內。 其次’將反應谷器5 1 2內加熱到所定處理溫度，例 如4 2 〇°C ’並自處理氣體導入管5 2 5將氮氣導入反應 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19 - A7 46820 在 __ B7 五、發明說明（〗7) (請先閱請背面之注意事項再填窝本頁> 容器5 1 2內，同時從排氣管5 .2 6邊執行排氣，邊使反 應容器5 1 2內例如維持在常壓，照舊實施所定時間的熱 處理，以形成所定厚度的金屬遮光層7 0 4。就此藉由進 行硬化處理，如第8圖（b )所示，一倂硬化（處理）有 機系低誘電率膜7 0 3及金屬遮光層7 0 4，以使之形成 在晶圓W上。再者|利用溶膠-凝膠法形成有機系低誘電 率膜7 0 3的情形，是用烘烤處理完成硬化，.更不必執行 硬化處理.，..故而在熱處理路4 2 0的硬化處理，可成爲金 屬遮光層704的處理。 如此形成到金屬遮光層7 0 4後，更在此金屬遮光層 704上形成光阻膜705 (第8圖（c))，其次，用 光刻技術令光阻膜7 0 5曝光顯影，藉以形成所定的圖案 ，並以此爲掩膜，用蝕刻使金屬遮光層7 0 4圖案化，並 在執行連接下層配線7 0 2與後面所形成的溝配線的領域 ，設置寬度比下層配線70 2小的開口部7 0 6 (第8圖 (d ))。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除去光阻膜7 0 5後、在金屬遮光層7 0 4上及開口 部7 0 6形成第2層間絕緣膜的有機系低誘電率膜7 0 7 (第8圖（e ))，更在有機系低誘電率膜7 0 7上形成 例如由S i 〇2膜製成的金屬遮光層7 0 8 (第8圖（ί ) )° 該些有機系低誘電率膜7 0. 7及金屬遮光層7 0 8是 用與上述有機系低誘電率膜7 0 3及金屬遮光層7 0 4完 全相同順序的上述膜形成系統所成膜的。 本紙張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 46 820 4 A7
五、發明說明（18 ) ί靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依此形成到金屬遮光層7 0 8後，更在此金屬遮光層 708上形成光阻膜709 (第8圖（g))，用光刻技 術令光阻膜7 0 9曝光顯影，藉以形成所定的圖案，並以 此爲掩膜，來蝕刻金屬遮光層7 0 8，在金屬遮光層 7 0 8形成開口部7 1 0 (第8圖（h ))。 如以上而將圖案化的金屬遮光層7 0 8做爲掩膜，且 以金屬遮光層7 0 4作爲蝕刻柱塞膜，來蝕刻有機系低誘 電率膜7 U -'707 (第8圖（i))。藉此在各有機 系低誘電率膜70 3、707形成溝部7 1 1 ·、71 2。 在該些溝部7 1 1、7 1 2之內壁形成毛頭金屬層（ 圖未示）後，用CVD法等，在該些溝部置入導電性材料 ，更用CMP法執行拋光加工，且只選擇性的留置溝部內 的導電性材料，以完成具有栓塞7 1 3及溝配線7 1 4的 導電部（第8圖（j))。 將此處理的流程槪略，參照第9圖與習知做一比較並 說明之。 經濟部智慧財產局員1消費合阼：：d中製 習知乃如（a )所示，用塗佈技術使得作爲第1層間 絕綠膜的有機系低誘電率膜（L owk 1 )予以成膜，然 後用CVD裝置來形成第1金屬遮光層（金屬遮光層1 ) ，光刻及蝕刻後，更用S Ο D技術使得作爲第2層間絕緣 膜的有機系低誘電率膜（L owk 2 )予以成膜1並用 CVD裝置來形成第2金屬遮光層（金屬遮光層2 ) ’進 行光刻及蝕刻。對此，本實施形態用塗佈技術一倂形成作 爲第1層問絕緣膜的有機系低誘電率膜（L owk 1 )及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - 46 820 4 A7 B7__ 五、發明說明（19) (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1金屬遮光層（金屬遮光層1)，光刻及蝕刻後，更用 塗佈技術一倂形成作爲第2層間絕緣膜的有機系低誘電率 膜（Lowk2)及第2金屬遮光層（金屬遮光層2) ’ 進行光刻及蝕刻。 按此，本實施形態與習知相異，是塗佈任一種塗佈液 來形成作爲層間絕緣膜的有機系低誘電率膜及金屬遮光層 ，不必介設CVD裝置，就能一倂形成有機系低誘電率膜 及金屬遮光.置的兩層構造，故可令該些形成工程予以簡略 化。又，將該兩層構造，以上述的一個成膜裝置連續的形 成，而不必將晶圓搬送到其他裝置，得令該些成膜處理明 顯的簡略化，以極迅速的成膜完成有機系低誘電率膜及金 屬遮光層。 經濟部智慧財產局員工消費合怍法印製 又，按上述實施形態，對於使塗佈膜中的溶劑蒸發之 低氧高溫加熱處理裝置4 4 9，將處理室S內置換爲氮氣 ，充分成爲低氧氣氛後，進行所定的加熱處理，故而可防 止晶圓W上的塗佈膜與氧一起反應而氧化。甚至，介面部 4 0 4與第2處理站4 0 5的領域是用金屬板4 5 5隔開 其他的領域與氣氛，以形成空問Τ的，該空間Τ因用非活 性氣體的氮氣而成爲低氧氣氛’故可防止被搬送到該空間 τ內的晶圓W上之塗佈膜與氧一起反應而被氧化《其結果 ，可抑制晶圓W上的塗佈膜’在用熱處理爐4 2 0加熱處 理的期間被氧化，由於可適當的在該熱處理爐4 2 0進行 處理，故絕緣不良等減少，良品率提高。 又，在金屬板4 5 5設置開關自如的開關快門4 5 6 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4視格（210 X 297公釐） 46 820 4 A7 B7 五、發明說明（20) ’除搬出入晶圓W時以外，開關快門4 5 6均爲關閉的， 故可抑制目(i述空間T內的氧濃度之變動。又，由於保持在 低氧氣氛，而可削減必要的氣體量，很經濟。 上述的實施形態，爲了使塗佈膜的溶劑成份蒸發之低 氧高溫加熱處理裝置4 4 9成爲低氧氣氛，可供給作爲非 活性氣體的氮氣，且從殼體4 7 0上部予以排氣，並用作 爲減壓的排氣裝置之真空幫浦，來令低氧高溫加熱處理裝 置4 4. 9內戚爲減壓狀態，而成爲低氧氣氛》再者，此時 ，殻體4 7 0係維持氣密性的構成。 其次，針對第2實施胗態的其他構造之膜形成系統做 一說明。第2實施形態係在絕緣膜形成工程中，對於配置 施行所定處理的塗佈裝置等各種處理裝置之處理站、配置 熱處理爐之處理鈷，在該些處理站之間進行晶圓W轉送的 介面部等之位置關係，乃與第1實施形態不同。 第1 0圖表示有關第2實施形態的膜形成系統之平面 圖，第1 1圖係爲第10圖所示的膜形成系統之側面圖， 第12圖係振不安裝在第10圖所不的膜形成系統內的兩 個處理裝置部之側面圖。 此膜形成系統係具備有在絕緣膜形成工程中以多段配 置施行所定處理的各種處理裝置而成處理站之塗佈處理部 6 2 1、和側室（藥液部）6 2 2.、和載置以複數片收納 半導體晶圓（以下單稱晶圓）W的晶圓匣盒，並執行搬出 入晶圓W之晶圓匣盒站（C S B) 6 2 3、和配置一對用 分批處理，來對塗佈上塗佈液後的複數片晶圓W，施行硬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂_1------r. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23- 46 820 4 A7 B7 五、發明說明（21) 化處理的熱處理爐之硬化處理部6 2 4、和在塗佈處理部 6 2 1與硬化處理部6 2 4之間進行轉送晶圓W之介面部 6 2 5° C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 塗佈處理部6 2 1乃如第1 0圖及第1 1圖，在略中 央部設有晶圓搬送機構6 3 1，而所有的處理裝置是被配 置在晶圓搬送機構6 3 1的周圍。在塗佈處理部6 2 1之 前側部分設有堆疊2段處理裝置所構成之兩個處理裝置群 6 3 2、U -3 ，處理裝置群6 3 2係由上而下依序設有 交換用藥液之塗佈裝置（DSE) 6 34、和第1塗佈裝 置（COT) 635。又，處理裝置群633係具有第2 塗佈裝置（COT) 6 3 6、和第3塗佈裝置（COT) 6 3 7。再於塗佈處理部6 2 1設有內裝藥品等之化學室 (圖未示）。， 經濟部智慧財產笱員工消費合阼：iL中裂 在晶圓搬送機構6 3 1的兩側設有以多段堆疊複數個 處理裝置之處理裝置群6 3 8、6 3 9。左側處理裝置群 6 3 8乃如第1 2圖所示，由其上側依序堆疊構成低溫用 之低溫加熱處理裝置（LHP ) 6 4 0 '和2個低氧處理 .冷卻處理裝置（D C C ).( Dielectric Oxygen Density Controlled Cure and Coohing-off )處理元件 6 4 1、2 個 蝕刻元件（DAC) 642。又’右側處理元件群6 3 9 係由其上側依序堆疊構成2個高溫用低氧高溫加熱處理裝 置（OHP) 6 4.3、和低溫用低溫加熱處理裝置（ LHP) 644、和2個冷卻裝置（COL) 645、和 轉送部（TRS) 646、和冷卻裝置（COL) 647 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24 - 46 820 4 A7 B7 五、發明說明（22) (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 上述第1塗佈裝置（COT) 635爲一種在晶圓W 上塗佈製作層間絕緣膜而用的有機系低誘電率膜用的塗佈 液，其具有與上述第1實施形態之塗佈裝置（C 0T ) 415相同的構造。 上述第2塗佈裝置（C 0 T ) 6 3 6適甩於採取絲絕 緣法及旋轉薄膜法時，必須塗佈黏著力促進膜，基本上具 有與第1塗·.佈裝置（COT) 6 3 5相同的構造。 上述第3塗佈裝置（COT) 637係爲利用SOG (Sphn On Glass )於有機系低誘電率上，塗佈例如由 S i 〇2製成之金屬遮光用塗佈液，該等基本上具有與第1 塗佈裝置（COT) 6 3 5相同的構造。SOG係爲將例 如混合S i (0 Ή ) 4.的矽烷醇化含物與乙醇等溶媒的處 理溶液（S 0G液）塗佈在晶圓W上，並對此施行熱處理 ，以使溶媒蒸發促進矽烷醇化合物的聚合反應予以形成 S i 0 2 膜。 經濟部智慧財產笱員1·消費合昨； 上述交換用藥液塗佈裝置（C0T) 6 3 4是種用上 述第1塗佈處理裝置（S CT) 6 3 5所塗佈的塗佈液， 以溶膠一凝膠法形成有機系低誘電率膜之型式時所用的， 其具有水平保持晶圓W並使其旋轉之旋轉夾頭、和設成圍 住此夾頭上的.晶圓W之碗盤，先將後述欲凝膠化之敵刻處 理後的塗佈膜中之水份，置換成乙醇等’更用庚烷等來置 換塗佈膜中的溶媒。 屬於處理元件群6 3 8的蝕刻處理裝置（DAC) -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 =< 297公釐） 46 820 4 A* * B7 五、發明說明（23) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 4 2係在處理室內具密閉內裝加熱器的加熱板。並使阿 摩尼亞利用側室6 2 2內的起泡器6 6 5等予以蒸氣彳匕’ 並供給到處理室內，排氣是用側室6 2 2內的排水貯槽 668排除的。此蝕刻處理裝置（DAC)是種在利用溶 膠凝膠法形成有機系低誘電率膜的情形下’使τ Ε ◦ S ( tetraethylorthsilicate )收縮聚合，同時予以加水分解以使 塗佈膜凝膠化。 屬於處.裡-元件群6 3 8、6 3 9的高溫用低氧高溫加 熱處理裝置（0 Η P )及低溫用低溫加熱處理裝置.（ L Η Ρ )是種將晶圓W載置或接近，設定在所定溫度的加 熱板上，並予以烘烤塗佈上塗佈液後的晶圓W的裝置。又 ，冷卻裝置（C 0 L )是種將烘烤後的晶圓w載置或接近 ，設定在所定溫度的冷卻裝置上，令晶圓W冷卻的元件。 甚至轉送部（TRS) 646是種具有晶圓載置台，且在 晶圓匣盒站（CSB) 623之間，進行轉送晶圓的元件 。再者：，轉送部（TRS) 646可藉由將載置台控制在 所定溫度，即可兼備冷卻裝置的機能。 屬於處理裝置群6 3 8的上述低氧處理*冷卻處理裝 置6 4 1是種形成塗佈膜的晶圓W爲單片式，並於低氧濃 度氣氛執行加熱處理及冷卻處理，以使塗佈膜硬化（處理 )的裝置，而利用絲絕緣法、旋轉薄膜法或噴霧法，形成 有機系層間絕緣膜時用以硬化塗佈膜，而用溶膠-凝膠法 形成塗佈膜就不使用。此低氧處理•冷卻處理裝置6 4 1 .是在硬化溫度較低時使用，硬化溫度在4 7 0 °C以上時， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26- 46 82〇 在 座聲Sr 1 • L s t ^.rkrt A7 B7 五、發明說明（24) 可用硬化處理部6 2 4的縱型熱處理爐6 7 8。 晶圓搬送機構6 3 1乃如第1 1圖所示，設有延著垂 直方向且在垂直壁6 51 a 、6 5 1 b及該些之間具有側 面開口部6 5 1 c之筒狀支撐體6 5 1、和在其內側沿著 筒狀支撐體6 5 1 ’被昇降自如的設在垂直方向（z方向 )之晶圓搬送體6 5 2。筒狀支撐體6 5 1是爲可用馬達 6 5 3的旋轉驅動刀進行旋轉，按此，晶圓搬送體6 5 2 也會被一體..旋轉。晶圓搬送體6 5 2係具備有搬送基台 6 5 4、和可沿著搬送基台6 5 4左右移動的3根小紺子 655、656、657，該些小甜子 655、656、 6 5 7爲具有.可通過筒狀支撐體6 5 1之側面開口部 651c的大小。該些小鉗子655、656、657可 用內裝在搬送基台6 5 4內的馬達及皮帶機構，各自獨立 的進行進退移動°晶圓搬送體6 5 2則是用馬達6 5 8來 驅動皮帶6 5 9，藉此令其進行昇降。再者，符號6 6 0 爲驅動輪，6 6 1爲從動輪。 側室6 2 2是隔開塗佈處理部6 2 1被設在鄰接於塗 佈處理部6 2 1的位置，並於其上段具有供給藥液之起泡 器6 6 5、和使氣液混合流進行氣液分離，並排出排氣氣 體之噴霧管（TRAP) 6 6 6 ’且於其下段設有排出 HMD S貯槽6 6 7 a和阿摩尼亞貯槽6 6 7 b之排液的 排水貯槽6 6 8。 側室6 2 2爲此種構成’故對蝕刻處理裝置（DA C )642供給阿摩尼亞是，可自阿摩尼亞貯槽667b ’ 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -27- *1111111111-^ I i I . — I (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 46 820 ^ A7 ___B7 _ 五、發明說明（25 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 對起泡器6 6 5塡充阿摩尼亞，而阿摩尼亞即用起泡器 6 6 5完成起泡予以蒸氣化的被供給到蝕刻處理裝置（ DAC ) 6 4 2。又，對交換用藥液塗佈裝置（c〇T) 6 3 4烘給HMD S時，是自HMD S貯槽6 6 7 a直接 供給H M D S。 又，來自蝕刻處理裝置（DAC) 642的排氣是用 側室6 2 2內的排水貯槽6 6 8進行排氣。甚至混合著來 自交換用藥·.液塗佈裝置（COT) 634之液體的排氣是 用側室.6 2 2內的噴霧管6 6 6進行氣液分離，以使排液 排出排水貯槽6 6 8。 按此，分別須要自側室6 2 2供給阿摩尼亞及 HMDS的蝕刻處理裝置（DAC) 642及交換用藥液 塗佈裝置（DSE) 6 34，是鄰接的被設在側室6 22 ，故而達到藥液供給系的縮短化。 在介面部6 2 5係設有收取自塗佈處理部6 2 1被搬 送的晶圓W，並予以定位在略密閉的箱體6 7 1內之定位 機構6 7 2、和將自此定位機構6 7 2所收取的晶圓W搬 入·搬出至晶舟674之搬入•搬出機構673。又，於 介面都6 2 5內在Y方向往復移動自如的配置複數個（圖. 面爲3個）晶舟6 7 4、和載置一個虛晶圓用晶舟6 7 5 之晶舟襯墊6 7 6。介面部6 2 5內係設定在低氧氣氛。 硬化處理部6 2 4是介於開口窗6 7 7被連通到介面 部6 2 5，於硬化處理部6 2 4內配置有縱型熱處理爐 6 7 8 '和被配置在此熱處理爐6 7 8下方，令晶舟 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28- 厶 6 8 2 〇 4 A7 ____ B7 五、發明說明（20) 6 7 4昇降，並予以搬入熱處理爐6 7 8內之晶圓昇降機 679、和自介面部625的晶舟襯墊676，將晶舟 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 7 4搬入•搬出到晶圓昇降機6 7 9之搬送機構6 8 0 0 就硬化處理部6 2 4來看，乃如第1 3圖所示，是於 熱處理爐6 7 8內收納有斷面逆U字狀之石英製加工處理 管6 9 1，並於此加工處理管6 9 1.的外周圍繞加熱器 6 9 2。又v於加工處理管6 9 1的開口下端，連續設有 集合管6 9 3，並在此集合管6 9 3各自連_接對加工處理 管69 1內導入所定處理氣體之導入管（圖未示）、和進 行處理後之氣體排氣的排氣管（圖未示又，於晶圓昇 降機6 7 9設有與集合管6 9 3抵接，並以密閉狀態維持 加工處理管6 9 1內之蓋體6 9 4，在此蓋體6 9 4的上 部搭載保溫筒6 9 5。 連本實施形態也與上述第1實施形態相同，是用如上 構成的膜形成系統，來形成層間絕緣層及金屬遮光層，同 時用雙金屬鑲嵌法形成溝配線及栓塞。 其次，針對第3實施形態的其他構造之膜形成系統做 —說明。第_ 3實施形態爲種在上述絕緣膜形成系統，附加 供塗佈在光刻工程所形成的光阻膜之塗佈裝置的構造。以 下參照圖面做一說明。 第1 4圖〜第1 6圖係表示形成上述半導體元件的絕 緣膜時所用之膜形成系統外觀圖，第1 4圖係表示由平面 觀看，第1 5圖、第1 6圖係表示由側面觀看的形態。 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） -29- 468204 A7 ______B7_ 五、發明說明（27) (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 此膜形成系統1係具有例如以2 5片晶圓W爲晶圓匣 盒單位，並自外部對膜形成系統1搬出入，或是對晶圓匣 盒C搬出入晶圓W之晶圓匣盒站2'和以多段配置在成膜 處理工程中對晶圓W施行所定處理的單片式之各種處理裝 置之處理站3、和在鄰接於此處理站3而設的曝光裝置4 之間轉送晶圓W之介面部5的構成。 在晶圓匣盒站2是以一列自如載置複數個晶圓匣盒C ，並在晶亂.厘盒載置台1 0上的定位突起1 0 a的位置， 使晶圓W的出入口向著處理站3，並令之沿著X方向（第 1圖中的上下方向）。且此晶圓匣盒C的配列方向（X方 向）以及可在收容至晶圓匣盒C的晶圓W之配列方向（Z 方向；垂直方向）移動的晶圓搬送體1 1 ，是可沿著搬送 路1 2自如的移動，而對各晶圓匣盒C選擇通路。 此晶圓搬送體1 1也構成自如的在0方向旋.轉，而構 成對屬於後述的第1處理裝置群7 0之多段裝置部的晶圓 搬送體1 1與在後述的第1搬送裝置5 0之間轉送晶圓的 擴張裝置（EXT) 74、以及屬於第4處理裝置群90 的晶圓搬送體1 1與在後述的第2搬送裝置6 0之間轉送 晶圓的擴張裝置（EXT) 9 3形成通路。 於處理站3係分別在正面側配置由絕緣膜塗佈裝置、 光阻塗佈裝置、交換塗佈裝置組成的第1塗佈裝置群2 0 ，.另於背面側配置由顯影處理裝置組成的第2塗佈裝置群 3 0。 第1塗佈裝置群2 0乃如第1 5圖及第1 6圖所示， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30- 46 820 4 A7 ____B7_ 五、發明說明（28) (請先閱讀背面之注§項再填寫本頁) 重疊有光阻塗佈裝置2 2、2 4，更分別重疊著有機絕緣 膜塗佈裝置2 3、無機絕緣膜塗佈裝置2 1以及交換用藥 液塗佈裝置的構成》光阻塗佈裝置2 2、2 4是在碗盤 C P內使晶圓W載置在旋轉夾頭，並用自旋式塗佈法來塗 佈光阻液，而對該晶圓W施行光阻塗佈處理。有機絕緣膜 塗佈裝置2 3是在碗盤C P內使晶圓W載置在旋轉夾頭， 並用自旋式塗佈法來塗佈有機絕緣膜材料（此例爲 S 1 L K ) 而對該晶圓W施行有機絕緣膜塗佈處理。無 機絕緣膜塗佈裝置2 1是在碗盤C P內使晶圓W載置在旋 轉夾頭，並用自旋式塗佈法來塗佈無機絕緣膜材料（此例 爲Nanoglass.( Apliedsignal公司製）），而對該.晶圓W施 行無機絕緣膜塗.佈處理。交換用藥液塗佈裝置2 5是在碗 盤CP內使晶圓W載置在旋轉夾頭，並用自旋式塗佈法對 晶圓W上供給HMD S及庚烷等交換用藥液，且進行將塗 佈在晶圚W上的無機絕綠膜中的溶媒，在乾燥工程前’置 換成其他溶媒的處理。 第2塗佈裝置群3 0係如第1 5圖及第1 6圖所示’ 分別重疊有顯影處理裝置33、3 1、顯影處理裝置34 | 、32的構成。顯影處理裝置3 1〜34是在碗盤CP內 法 使晶圓W載置在旋轉夾頭，並供給顯影液’而對該晶圓w 时 I 進行顯影處理。 i t 在處理站3設有一可供處理站內的空間成爲低氧氣份 η I 之用以供給氣體的供給口 1 57 ’氣體是甩氣體供給源 ¥ ί 158完成供給。更設有氣體之排氣口 1 59 °因而’氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - 46 82 Ο 4 Α7 __；__Β7___ 五、發明說明（29) 體供給源1 5 8 的氮氣.可由供給口 1 5 7供給到處理站3 內，使處理站3內成爲低氧氣氛，更可將該氮氣等自排氣 口 1 5 9予以排氣。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述光阻塗佈裝置、有機絕緣膜塗佈裝置、無機絕緣 膜塗有裝置、交換用藥液塗佈裝置、顯影處理裝置均具有 相同的自旋型處理裝置構造。亦即，該些各裝置是在裝置 底部的中央部配設環狀碗盤C P，並在其內側配置旋轉夾 頭。旋轉夾.·頭是用真空吸附來而固定保持固晶圓W的狀態 ，並用驅動馬達的旋轉驅動力予以旋轉的構成》驅動馬.達 是用省略的壓缸而能昇降移動的予以配置，藉此來昇降旋 轉夾頭。更於各裝置設有對晶圓W的晶圓表面供耠溶液（ 光阻塗佈裝置爲供給抗蝕液，有機絕緣膜塗佈裝置爲供給 有機系絕綠膜材料，無機絕緣膜塗佈裝置爲供給無機系絕 緣膜材料，交換用藥液塗佈裝置爲供給交換用藥液，顯影 處理裝置爲供給顯影液）之溶液供給噴嘴。此溶液供給噴 嘴會從被配設在碗盤C P外側的噴嘴待機部，被移送到設 定在旋轉夾頭上方的所定溶液吐出位置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在處理站3的中心部具備有自如載置晶圓W的轉送台 4 0 〇 隔著此轉送台4 0而與上述第1塗佈裝置群2 0和第 2塗佈裝置群3 0相對，並分別在第1塗佈裝置群2 0與 轉送台4 0之間裝備第1搬送裝置5 0，而在第2塗佈裝 置群3 0與轉送台4 0之間裝備第2搬送裝置6 0。 根據第1 7圖來說明第1搬送裝置5 0的構成時，第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -32- A7 46 B2〇 4 ____B7_____ 五、發明說明（30 ) 1搬送裝置5 0係在由上端及下瑞被相互連接以相對的一 體之壁部5 1、5 2所構成的筒狀支撐體5 3的內側，備 置一自如的在上下方向.（Z方向）昇降之晶圓搬送裝置 5 4。筒狀支撐體5 3係被連接在馬達5 5的旋轉軸，利 用此馬達5 5的旋轉驅動力，以前述旋轉軸爲中心，與晶 圓搬送裝置5 4共同一體的旋轉。因而，晶圓搬送裝置 5 4會自如的在Θ方向旋轉。在晶圓搬送裝置5 4的搬送 基台5. 6上,;，於上下配備一供保持晶圓W的保持構件之複 數個例如兩支小鉗子5 7、5 8。各小鉗子5 7、5 8基 本上具有相同的構成，其具有自如通過筒狀支撐體5 3的 兩壁部5 1、. 5 2間的側面開口部之形態及大小《又，各 小鉗子5 7、5 8是用內裝在搬送基台5 6的馬達（圖未 示）在左右方向自如的移動。再者，在第2搬送裝置6 0 安裝具有與小鉗子57、5 8同功能及構成的小鉗子6.7 '68° 分別在第1搬送裝置5 0的兩側，配置由使各種裝置 多段重疊在第1塗佈裝置群2 0近傍之第1處理裝置群 7 0及冷卻系處理裝置所構成的第2處理裝置群8 0。並 分別在第2搬送裝置6 0的兩側，配置於第2塗佈裝置群 3 0近傍之由各種加熱系處理裝置所構成之第4處理裝置 祥9 0及第3處理裝置群1 0 ◦。 第1處理裝置群7 0及第4處理裝置群9 0係被配置 在晶圓匣盒站2，而第2處理裝置群80及第3處理裝置 群1 0 0係被配置在介面部5側。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！| 訂-! *#· 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 -33 - d6 820 ^ A7 ___B7____ 五、發明說明（31) 在此，根據自晶圓匣盒站2側觀看處理站3的第2圖 ，來說明第1處理裝置群7 0及第4處理裝置鮮9 0的構 成。 第1處理裝置群7 0係由下依序重疊，低氧高溫加熱 處理裝置（OHP) 7 2、7 5、.和執行晶圓w定位之定 向裝置（AL IM) 7 3、和使晶圓W待機之擴張裝置（ EXT) 7 4、和蝕刻處理裝置（DAC) 7 6、和低溫 加熱處理裝.瞿- (LHP) 77、和低氧處理•冷卻處理裝 置（DCC) 7 8。用蝕刻處理裝置（DAC)使混合阿 摩尼亞氣體和水蒸氣的處理氣體（NH3 + H2〇)導入可 密閉化的處理室內，並對晶圓W進行蝕刻處理，以使晶圓 W上的絕緣膜材料濕凝膠化。 第4處理裝置群9 0係由下依序重疊，定向裝置（ ALIM) 92 '和擴張裝置（EXT) 93、和對光阻 塗佈後的晶圓W執行加熱處理之預先烘烤裝置（PREBAKE )94、9 5、和對顯影處理後的晶圓W執行加熱處理之 事後烘烤裝置（POBAICE) 9 6、9 7、9 8 ° 其次，根據由介面部5側觀看處理站3的第1 6圖來 說明第2處理裝置群80及第3處理裝置群1 0 0的構成 〇 第2處理裝置群8 0係由下依序重疊，冷卻裝置（ COL) 81、82、和定向裝置（六二1从）83、和 擴張裝置（EXT) 84、和冷卻裝置（COL) 85、 8 6 、8 7 、8 8 » (諝先閱讀背面之注意事項再填窝本頁)
• H ϋ I ----訂---------广 經濟部智慧財產局員工消費合作：ώ印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34- 4 6 820 4 A7 B7 五、發明說明（32) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3處理裝置群1 0 0係由下依序重疊，預先烘烤裝 置（PREBAKE ) 1 0 1、1 〇 2、和對曝光處理後的晶圓 w執行加熱處理的曝光後顯影前之烘烤裝置（p E B ) 103、104、和事後烘烤裝置（POBAKE ) 1 〇 5、 1 0 6、1 0 7。 於介面部5裝備，可通過屬於第2處理裝置群8 0之 擴張裝置（EXT) 8 4、和屬於第3處理裝置群1 〇 〇 之各曝光後.覇影前之烘烤裝置（PEB) 103、104 的晶圓搬送體1 1 0。 晶圓搬送體110是自如的沿著軌導111向X方向 移動、和向Z.方向（第1 4圖之垂直方向）昇降，也會自 如的在0方向旋轉。並構成針對曝光裝置4或周邊曝光裝 置112，來搬送晶圓W。 第2 1圖係爲上述之低氧處理·冷卻處理裝置（. DCC)之平面圖，第22圖係爲其斷面圖 低氧處理·冷卻處理裝置（D C C )係設有加熱處理 室34 1、和鄰接於此而設之冷卻處理室3 4 2，而此加 熱處理室3 4 1係具有，設定溫度可爲2 0 0〜4 7 0°C 的熱板3 4 3。此低氧處理·冷卻處理裝置（D C C )更 具有，在主晶圓搬送機構2 2之間轉送晶圓W時可開關之 第1閘極快門3 4 4、和對加熱處理室3 4 1與冷卻處理 室3 4 2之間執行開關之第2閘極快門3 4 5、和在熱板 3 4 3的周圍邊包圍晶圓w邊與第2閘極快門3 4 5 —同 昇降之環形快門3 4 6。更在熱板3 4 3昇降自如的設有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 46 82〇 4 A7 B7 五、發明說明（33 ) ，載置晶圓W並予昇降之3個支撐腳3 4 7。再者’也可 於熱板3 4 3與環彤快門3 4 6之間設置遮蔽板。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在加熱處理室3 4 1的下方設有，供上述3個支撐腳 3 4 7昇降之昇降機構3 4 8、和供環形快門3 4 6與第 2閘極快門3 4 5 —同昇降之昇降機構3 4 9、和昇降開 關第1閘極快門344之昇降機構350。 又，加熱處理室3 4 1構成自圖未示的供給源，對其 內供給Ν 2筝非活性氣體，且對其內構成介於排氣管351 而予以排氣。並且按此即可供給非活性氣體還可加以排氣 ，藉此得令加熱處理室3 4 1內被維持在低氧濃度（例如 5 Op pm以下）氣氛" 經 濟 部 智 慧 Μ 產 % 員 X. 消 費 此加熱處理室3 4 1與冷卻處理室3 4 2是介於連通 口 3 5 2而被連通的，供載置晶圓W並予冷卻之冷卻板 3 5 3，是沿著導板3 5 4用移動機構3 5 5在水平方向 自如移動的構成。藉此，冷卻板3 5 2可介於連通口 352，進入加熱處理室341內，而將自支撐腳347 收取利用加熱處理室4 1內的熱板3 4 3予以加熱後的晶 圓W ’搬入冷卻處理室3 4 2內，使晶圓W冷卻後，將晶 圓W搬回至支撐腳3 4 7。 甚至冷卻處理室3 4 2還構成介於供給管3 5 6，對 其內洪給N2等非活性氣體，更構成其內可介於排氣管 3 5 7被排氣至外部。藉此，即與加熱處理室3 4 1相同 ，可令冷卻處理室3 4 2內維持在低氧濃度（例如5 〇 p pm以下）氣氛。 -36- A7
五、發明說明（34) 低氧高溫加熱處理裝置（OHP) 72、7 5具有， 與第1實施形態之低氧高溫加熱處理裝置（Ο Η P ) 4 4 9相同的構造。又，低溫加熱處理裝置（l Η Ρ ) (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 7 7具有’與低氧高溫加熱處理裝置（o h Ρ )相同的構 造’對晶圓W而言只有設定溫度不同而巳。 其次，針對製造應用如以上構成的膜形成系統1 ，並 經雙金屬鑲嵌工程所製造之第2 0圖（e )所示的構造之 半導體.元件..的順序，參照第1 8圖〜第2 0圖做一說明》 第1 8圖、第1 9圖係爲說明經雙金屬鑲嵌工程所製造的 半導體元件之製造裝置圖，第2 0圖係表示上述膜形成系 統中含括處理.流程的半導體元件製造之處理流程。 先針對所製造的半導體元件之構造做一說明。 如第2 0圖（e )所示，半導體元件2 0 0乃於半導 體晶圓W (以下稱晶圓W )上配置下層配線2 Q 1，並於 此下層配線2 0 1上形成由，有機絕緣膜2 0 2 a、無機 絕緣膜2 0 3 a、有機絕緣膜2 0 4 a、無機絕緣膜 2 0 5 a之積層膜所組成之層間絕緣膜。並於層間絕緣膜 彤成，由作爲導電材料之例如銅所組成之配線2 0 7 b、 由連接下層配線2 0 1與配線2 0 7 b的銅所組成之連接 栓塞2 0 7 a。更在層間絕緣膜、和配線2 0 7 b及連接 栓塞2 0 7 a之間形成，用以防止銅擴散至層問絕緣膜中 ，作爲側壁保護用的例如氮化鈦。 可在有機絕緣膜2 0 2 a及2 0 4 a使用誘電率爲3 以下的低誘電率特性之有機絕緣膜’例如可用P A E — 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -37- A7 B7 五、發明說明（35) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (s h u m a c h e r 公司製）、HSG — R7.( H i t a c h i C h e m i c a 1 公司製）、FLARE ( Aplied Signal 公司製）、B C B (Dow Chemical 公司製）、S I L K ( Dow Chemical 公司 製）、Speed Film ( W.L.Gore公司製）等之有機聚合物。 就本實施形態而言，是用SILK(DAU化學公司製） 。又，就本實施形態而言，可於無機絕緣膜2 0 3 a使用 氮化矽膜，而於無機絕緣膜2 0 5 a使用氧化矽膜，惟該 些材料不受制，例如可用無機S 0 G膜。製作無機絕緣 膜2 0 5 a，對雙金屬鑲嵌工程的CMP處理而言，只要 強度夠就可。依製作層間絕緣膜而採用有機絕緣膜，就能 藉此實現層間絕綠膜的低誘電率特性，減少在下層配線2 0 1與配線2 0 7 b之間所產生的容量。甚至製作層間絕+ 緣膜而使用無機絕緣膜，可藉此強化機械強度和耐熱性。 其次，針對使用上述之膜形成系統的半導體元件之製 造方法做一說明。 首先，如第1 8圖（a )所示，準備形成有下層配線 2 0 1之晶圓W，且將此晶圓W收容至載置在晶圓匣盒載 置台1 〇上的晶圓匣盒c。就晶圓匣盒載置台1 〇來看， 處理前的晶圓W是從晶圓匣盒CR介於晶圓搬送體11被 搬送到處理站3側的第1處理裝置群7 0之擴張裝置（ EXT)74內。對著處理站3內’自供給口157開始 供給氣體供給源1 5 8的氮氣，使之成爲低氧氣氛，而後 述的各種裝置間的晶圓W之搬送是在低氧氣氛下進行的。 其結果，可防止塗佈在晶圓w上的塗佈膜不小心與氧一起 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -38- 46 820 4 A7 ______B7__ 五、發明說明（30 ) 反應而被氧化》 被搬送的擴張裝置（EXT) 74中的轉送台之晶圓 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) W，是介於第1搬送裝置5 0被搬送到第2處理裝置群 8 0的例如冷卻裝置（COL) 8 1內。並在冷卻裝置（ C 0 L )中，例如令晶圓W冷卻到2 3 °C左右（s 1 )。 在冷卻裝置（C O L )被冷卻處理的晶圓w，是介於 第1搬送裝置5 0，被搬送到第1塗佈裝置群2 0的有機 絕緣膜塗佈_裝置（COT) 2 3。並於有機絕緣膜塗佈裝 置（COT) 2 3中，例如利用自旋式塗佈法對晶圓W上 塗佈2 0 0 nm〜5 0 0 nm左右最好爲3 0 0 nm左右 之厚度的有機，絕緣膜材料（S 2 )。藉此，如第1 8圖（ b )所示，在晶圓W上被覆下層配線2_〇 1而形成有機絕 緣膜201。此例中作爲有機絕緣膜材料，是用SILK 〇 用有機絕緣膜塗佈裝置（COT) 2 3塗佈有機絕緣 '膜材料的晶圓W，是介於第1搬送裝置50,被搬送到第 1處理裝置群7 〇的低溫加熱處理裝置（LHP) 7 7。 並於低溫加熱處理裝置（LHP) 77內的低氧下氣氛中 ’例如使晶圓W進行1 5 0 °C左右6 0秒程度的低溫加熱 處理（S 3 )。 在低溫加熱處理裝置（LHP) 77被低溫加熱處理 的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第1處理 裝置群7 0的低氧高溫加熱處理裝置（OHP) 7 5。並 於低氧高溫加熱處理裝置（OHP ) 7 5內的低氧下氣氛 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 ^97公釐） -39 - 46820 4 A7
五、發明說明（37) 中’例如使晶圓W進行2 0 〇°c左右6 0秒程度的高溫加 熱處理。甚至在低氧高.溫加熱處理裝置（〇Hp) 7 5進 行高溫加熱處理的晶圓.W，是介於第1搬送裝置5 〇，被 搬送到設定在更高溫的另一低氧高溫加熱處理裝置（ 〇HP ) 7 2。並於此低氧高溫加熱處理裝置（〇hp ) 7 2內的低氧化氣氛中’例如在1 〇 〇 p pm的氧氣氛中 ，使晶圓W進行3 5 0 °C左右6 0秒程度的高溫加熱處理 (S 4 )。'-,- 在低氧高溫加熱處理裝置（Ο HP ) 7 2進行高溫加 熱處理的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第 1處理裝置群7 0的低氧處理·冷卻處理裝置（D C C ) 76。並於低氧處理•冷卻處理裝置（DCC) 76內的 低氧氣氛中，使晶圓W進行4 5 0 °C左右6 0秒程度的高 溫加熱處理，然後在23 °C左右執行冷卻處理（S 5)。 在低氧處理·冷卻處理裝置（DCC) 7 6被處理的 晶圓w，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第2處理裝 置群的例如冷卻裝置（C0L) 8 2 $並於冷卻裝置（ C〇L) 82中，使晶圓W冷卻至23°C左右（S6)。 在冷卻裝置（C0L) 8 2被冷卻處理的晶圓W ’是 介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第1塗佈裝置群20的 無機絕緣膜塗佈裝置（COT) 2 1。並於無機絕緣膜塗 佈裝置（COT) 2 1中，例如於晶圓W上塗佈3 0 0 nm〜1 1 〇 〇 nm左右，最好是7 〇 〇 nm程度之厚度 的無機絕緣膜材料（S7)。藉此，如第I8圖（c)所 (靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I 丨 11 訂·11!1! —r 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -40- d6 820 4 經濟部智慧財產局貝X消費合阼fi中 A7 B7 五、發明說明（38) 示’可於有機絕緣膜2 0 2上形成無機絕緣膜2 0 3。此 例’作爲無機絕緣膜材料，是用納玻璃（Nanoglass )。 在無機絕緣膜塗佈裝置（COT) 2 1被塗佈無機絕 緣膜材料的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到 第1處理裝置群的蝕刻處理裝置（DAC) 76。並於蝕 刻處理裝置（DAC) 7 6中，對處理室內導入（NH3 + H2〇 )氣體，並對晶圓W執行蝕刻處理，以使晶圓W上的 無機絕緣膜.材料凝膠化（S 8 )。 在蝕刻處理裝置（DAC) 7 6被蝕刻處理的晶圓W ’是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第1塗佈裝置群 20的交換甩藥液塗佈處理裝置（DSE) 25。並於交 換用藥液塗佈處理裝置（D S E ) 2 5中，對晶圓W上供 給交換用藥液，進行將塗佈在晶圓上之絕緣膜中的溶媒， 置換成其他溶媒的處理（S9) » 在交換用藥液塗佈處理裝置（D S E ) 2 5進行置換 處理的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第1 處理裝置群的低溫加熱處理裝置（LHP) 77。並於低 溫加熱處理裝置（LHP ) 7 7內的低氧下氣氛中，使晶 圓W例如進行1 7 5 °C左右6 0秒程度的低溫加熱處理（ S 1 0 ) ° 在低溫加熱處理裝置（LHP) 77被低溫加熱處理 的晶圓W ’是介於第1搬送裝置5 0.，被搬送到低氧高溫 加熱處理裝置（0HP) 7 5。並於低氧高溫加熱處理裝 置（0 Η P ) 7 5內的低氧化氣氛中，例如使晶_圓W進行 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I K . 卜袭---- ----訂！--！_於 (猜先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 41 - 46820^ A7 ____B7__；_____ 五、發明說明（39) <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 1 0 °C左右6 0秒程度的高溫加熱處理（S 1 1 )。即 可藉由在低溫加熱處理裝置（LHP) 77及低氧高溫加 熱處理裝置（OHP ) 7 5中的加熱處理，使溶媒蒸發。 在低氧髙溫加熱處理裝置（◦ Η P ) 7 5進行高溫加 熱處理的晶圓W ’是介於第1搬送裝置5 〇，被搬送到低 氧處理·冷卻處理裝置（DC C) 7 8。並於低氧處理· 冷卻處理裝置（D C C ) 7 8內的低氧氣氛中.例如使晶 圓W進行4.-5 O°C左右6 0秒程度的高溫加熱處理，然後 在23°C左右執行冷卻處理（S12)。 在低氧處理·冷卻處理裝置（DCC) 78被處理的 晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第2處理裝 置群80的例如冷卻裝置（COL) 85。並於冷卻裝置 (C 0 L ) 8 5中，例如使晶圓W冷卻到2 3 °C左右（ S 1 3 ) ° . 經齊部智慧时轰笱員31肖費"咋甲ai 在冷卻裝置（COL) 8 5被冷卻處理的晶圓W，是 介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第1塗佈裝置群2 0的 有機絕緣膜塗佈裝置（COT) 23。並於有機絕緣膜塗 佈裝置（C 0 T ) 2 3中，例如利用自旋式塗佈法在晶圓 W上塗佈2 0 0 nm〜5 0 0 nm左右，最好爲3 0 0 nm程度之厚度的有機絕緣膜材料（S14)。藉此1如 第1 8圖（d )所示，可於無機絕緣膜2 0 3上形成有機 絕緣膜2 0 .4。此例，作爲有機絕緣膜材料’是用 SILK。 在有機絕緣膜塗佈裝置（COT) 2 3塗佈有機絕緣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -42- 4-6 8 2 〇 ^ Α7 ------Β7 ____ 五、發明說明（40) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜材料的晶圓W ’是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第 1處理裝置群7 0的低溫加熱處理裝置（LHP) 77。 並於低溫加熱處理裝置（LHP) 77內的低氧下氣氛中 ，例如使晶圓W進行1 5 0 °C左右6 0秒程度的低溫加熱 處理（s 1 5 )。 在低溫.加熱處理裝置（LHP ) 7 7被低溫加熱處理 的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 〇，被搬送到第1處理 裝置群.7 0·.的低氧高溫加熱處理裝置（OHP) 75。並 於低氧高溫加熱處理裝置（OHP ) 7 5內的低氧化氣氛 中’例如使晶圓W進行2 0 0 °C左右6 0秒程度的高溫加 熱處理。甚至，在低氧高溫加熱處理裝置（0ΗΡ) 75 進行高溫加熱處理的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 ◦， 被搬送到設定在更高溫的另一低氧高溫加熱處理裝置（ OHP) 72。並於此低氧高溫加熱處理裝置（OHP) 7 2內的低氧化氣氛中，使晶圓W進行3 5 0 °C左右6 0 秒程度的高溫加熱處理（S 1 6 )。 在氧高溫加熱處理裝置（〇H P ) 7 2進行高溫加熱 處理的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第1 處理裝置群70的低氧處理·冷卻處理裝置（DCC) 76。並於低氧處理•冷卻處理裝置（DCC) 7 6內的 低氧氣氛中，使晶圓W進行4 5 09C左右6 0秒程度的高 溫加熱處理，然後在2 3 °C左右進行冷卻處理（S 1 7 ) 0 在低氧處理.冷卻處理裝置（D c C )被處理的晶圓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -43 - 46 820 ^ A7 B7 五、發明說明（41) (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁> w，是介於第1搬送裝置5 0 ’被搬送到第2處理裝置群 的例如冷卻裝置（COL) 8 2。並於冷卻裝置（CC)L )8 2中，使晶圓W冷卻到2 3 °C左右（S 1 8 )。 在冷卻裝置（C 0 L )被冷卻處理的晶圓W ’是介於 第1搬送裝置5 0 ’被搬送到第1塗佈裝置群2 〇的無機 絕緣膜塗佈裝置（COT) 2 1。並於無機絕緣膜塗丨布裝 置（COT) 2 1中，例如在晶圓W上塗佈3 0 〇nm〜 1 1 0 0 n. m左右，最好是7 0 0 nm程度之厚度的無機 絕緣膜材料（S 1 9 )。藉此，如第1 8圖（e )所示’ 於有機絕緣膜2 0 4上形成無機絕緣膜2 0 5，於晶圓w 上的下層配線2 0 1上形成積層有機絕緣膜及無機絕緣膜 的層間絕緣膜。此例，作爲無機絕緣膜材料，是用納玻璃 (Nanoglass ) 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在無機絕緣膜塗佈裝置（COT) 2 1塗佈無機絕緣 膜材料的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第 1處理裝置群的蝕刻處理裝置（DA C ) 7 6。並於蝕刻 處理裝置（DAC)76中，對處理室內導入（NH3+ H2〇)氣體，並對晶圓W執行餽刻處理，以使晶圓W上的 無機絕緣膜材料凝膠化（S20)。 在蝕刻處理裝置（DA C ) 7 6被蝕刻處理的晶圓W ，是介於第1搬送裝置5 0 *被搬送到第1塗佈裝置群 20的交換用藥液塗佈處理裝置（DSE) 25。並於交 換用藥液塗佈處理裝置2 5中，在晶圓W上供給交換用藥 液，進行將塗佈在晶圓上的絕緣膜中之溶媒，置換成其他 本紙張尺度適用中圉國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -44 - 46 820 4 A7 B7 五、發明說明（42) 溶媒的處理（S 2 1 )。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在交換用藥液塗佈處理裝置（DSE) 25進行置換 處理的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第1 處理裝置群的低溫加熱處理裝置（L HP ) 7 7。並於低 溫加熱處理裝置（LHP ) 7 7內的低氧下氣氛中，使晶 圓W進行例如1 7 5 °C左右6 0秒程度的低溫加熱處理（ S 2 2 ) v 在低溫..加熱處理裝置（LHP) 77被低溫加熱處理 的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到低氧高溫 加熱處理裝置（OHP) 7.5。並於低氧高溫加熱處理裝 置（OHP ) 7 5內的低氧化氣氛中，例如使晶圓W進行 3 Γ 0 °C左右6 0秒程度的高溫加熱處理（S 2 3 )。 在低氧高溫加熱處理裝置（OHP) 7 5進行高溫加 熱處理的晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到低 氧處理•冷卻處理裝置（DCC) 78。並於低氧處理. 冷卻處理裝置（D C C ) 7 8內的低氧氣氛中，例如使晶 圓W進行4 5 0°C左右6 0秒程度的高溫加熱處理，然後 以2 3 °C左右進行冷卻處理（S 2 4 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在低氧處理·冷卻處理裝置（DCC) 78被處理的 晶圓W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第2處理裝 置群80的例如冷卻裝置（COL) 85。並於冷卻裝置 (C Ο L ) 8 5中，例如使晶圓W冷卻到2 3 °C左右（ S 2 5 )。 在冷卻裝置（COL) 85被冷卻處理的晶圓W，是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -45- 468204 A7 B7 五、發明說明（43) (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 介於第1搬送裝置5 0，被搬送到第1塗佈裝置群2 0的 光阻塗佈裝置（COT) 2 2。並於光阻塗佈裝置（ COT) 22中，形成光阻膜（S26)。製作光阻膜可 用例如聚甲醛系光阻。形成光阻膜的晶圓W，是以被保持 在第1搬送裝置5 0上側的小鉗子5 7之狀態，被搬送到 轉送台4 0。 被搬送到轉送台4 0的晶圓W，是被保持在第2搬送 裝置6 0的..小鉗子6 8，這次是被搬入到第3處理裝置群 1 0 0的例如預先烘烤處理裝置（PREBAKE ) 1 〇 1，來 施行所定的加熱處理（S27)。 . 相關加熱處理結束後的晶圓W，是以被保持在第2搬 送裝置的小鉗子6 8的狀態，被搬送到第2處理裝置群 80的冷卻裝置（COL) 86，以施行冷卻處理（ S28)。在冷卻裝置（COL) 86完成冷卻處理昀晶 圓W，會被搬入到第2處理裝置群8 0的擴張裝置（ E X T ) 8 4，並在.此待機。 經濟部智慧財產局員x消費合作：ώ印製 其次，晶圓w是用晶圓搬送體1 1 0被搬出擴張裝置 (EXT) 84，並被搬送到周邊曝光裝置1 1 2。並用 周邊曝光裝置1 1 2除去周邊部所不要的光阻膜（S 2 9 )。之後，晶圓W會被搬送到曝光裝置4，以施行所定的 曝光處理（S 3 0 )。 在曝光裝置4被圖案曝光的晶圓W，是用晶圓搬送體 1 1 0被搬送到第2加熱處理裝置群1 〇 〇，例如被搬入 到曝光後顯影前之烘烤裝置（PEB) 10 3 ’施行加熱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297.公釐） -46 46 82 0 4 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7_五、發明說明（44 ) 處理（S 3 1 )。 .其次，晶圓W是被保持在第2搬送裝置6 0的小鉗子 6 8，並搬入到第2處理裝置群8 0的例如冷卻裝置（ COL) 87，以施行冷卻處理（S32)。 在此冷卻裝置（C 0 L ) 8 7完成所定冷郤處理的晶 圓W，是被保持在第1搬送裝置5 0的小鉗子5 8，並被 搬送到轉送台4 0。然後，晶圓W以保持在小鉗子6 8的 狀態，自轉送治4 0被搬入到第2塗佈裝置群的例如顯影 處理裝置（DEV) 3 1，以施行所定的顯影處理.（ 5 3 3 )。藉此形成所定形狀的光阻圖案。此例，作爲顯 影處理液，是用T M A Η。 完成相關顯影處理的晶圓W，以保持在第2搬送裝置 6 0之小鉗子6 7的狀態|被搬入到第3處理裝置群 1 0 0的例如事後烘烤裝置（POBAKE ) 1 0 5，以施行 顯影處理後的加熱處理（S34)。 於事後烘烤裝置（POBAKE ) 105中完成加熱處理 的晶圓W，是以保持在第2搬送裝置6 0之小鉗子6 7的 狀態，被搬送到轉送台4 0。 被搬送到轉送台4 0的晶圓W，是被保持在第1搬送 裝置5 0的小鉗子5 8，而被搬送到第2處理裝置群8 0 的例如冷卻裝置（C0L) 88。在此冷卻裝置（COL )8 8內，晶圓W會被積極冷卻處理到所定溫度（S 3 5 )。 然後，在冷卻裝置（C 0 L ) 8 8被冷卻處理的晶圓 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 * t— ----訂--- 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -47- 468204 A7 _________B7 _ 五、發明說明（45) W’是介於第1搬送裝置5〇，被搬入到第1處理裝置群 7 0的例如擴張裝置74，在此待機。並自擴張裝置74 用晶圓搬送體1 1被搬出，收納在晶圓匣盒載置台1 〇上 的晶圓匣盒C。 然後’晶圓W用圖未示的蝕刻裝置，以光阻圖案爲掩 膜’並用乾式蝕刻處理，如第1 9圖（a )所示，對有機 絕緣膜204、無機絕緣膜205進行鈾刻。藉此，形成 相當於配線.釣凹部2 1 0之有機絕緣膜圖案20 4 a及形 成無機絕緣膜圖案2 0 5 a »此例，是用例如C F 4氣體 ，來進行蝕刻處理（S 3 6 )。蝕刻處理後，使光阻圖案 剝離。_ . 被施行蝕刻處理、光阻圖案剝離的晶圓W，是再度被 收納在晶圓匣盒載置台1 0上的晶圓匣盒C。所收納的晶 圓W，是介於晶圓搬送體1 1，被搬送到第1處理裝置群 7 0的擴張裝置（E X T ) 7 4內。 被搬送到擴張裝置（EXT) 74中的轉送台之晶圓 W，是介於第1搬送裝置50，被搬送到第2處理裝置群 80的冷卻裝置（COL) 85內。並於冷卻裝置（ COL)中，例如使晶圓W冷卻到2 3°C左右（S 3 7) 〇 在冷卻裝置（C 0 L ) 8 5被冷卻處理的晶圓W，是 介於第1搬送裝置5 0，搬送到第1塗佈裝置群2 0的光 阻塗佈裝置（COT) 2 4。並於光阻塗佈裝置（COT )2 4中，形成光阻膜（S 3 8 )。製成光阻膜’例如可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公爱〉 ------,------LV -裝·II (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員X消費合昨达中提 -48 - 4 6 8 2 0 4 A7 B7 五、發明說明（40) 用聚甲醛系光阻劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成光阻膜的晶圓W，是以保持在第1搬送裝置5 0 上側的小鉗子5 7之狀態，被搬送到轉送台4 0。 搬送轉送台4 0的晶圓W，被保持在第2搬送裝置 6 0的小鉗子6 8，這次是搬入至第3處理裝置群1 0 0 的預先烘烤處理裝置（PREBAKE ) 1 0 2，以施行所定的 加熱處理（S 3 9 )。 結束相關加熱處理後的晶圓W，是以保持在第2搬送 裝置的小鉗子6 8之狀態，被搬送到第2處理裝置群8 0 的冷卻裝置（COL) 86，以施行冷卻處理（S40) 。在冷卻裝置（COL) 86完成冷卻處理的晶圓W，是 被搬入到第2處理裝置群8 0的擴張裝置（EXT) 8 4 ，並在此待機。 其次，晶圓W是用晶圓搬送體1 1 0而自擴張裝置（ EXT) 84被搬出，並搬送到周邊曝光裝置1 1 2。並 用周邊曝光裝置1 1 2除去周邊部不要的光阻膜（s 4 1 )。之後，晶圓W被搬送到曝光裝置4，並施行所定的曝 光處理（S 4 2 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用曝光裝置4被圖案曝光的晶圓W，是用晶圓搬送體 1 1 0被搬送到第2加熱處理裝置群1 0 0 ’並被搬入例 如曝光後顯影前之烘烤裝置（PEB) 104 ’以施行加 熱處理（S 4 3 )。 其次，晶圓W是被保持在第2搬送裝置6 0的小鉗子 6 8，而被撇入到第2處理裝置群8 0的例如冷卻裝置（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -49- 經濟部智慧財產局員工消費合作；41印装 d6 8204. A7 _____B7__ 五、發明說明（47 ) C〇L) 87，以施行冷卻處理（S32)。 在此冷卻裝置（COL) 8 7完成所定之冷卻處理的 晶圓w，是被保持在第1搬送裝置5 〇的小鉗子5 8，並 被搬送到轉送台4 0。然後，晶圓W以保持在小鉗子6 8 的狀態，而自轉送台4 0被搬入到第2塗佈裝置群的例如 顯影處理裝置（DEV) 3 3，以施行所定的顯影處理（ S 4 5 )。藉此形成所定形狀的光阻圖案。此例’作爲顯 影處理，是眉T M A Η。 完成相關顯影處理的晶圓W，是以保持在第2搬送裝 置6 0之小鉗子6 7的狀態*被搬入到第3處理裝置群 1 0 0的例如事後烘烤裝置（POBAKE ) 1 0 6，以施行 顯影處理後的加熱處理（S46)。 於事後烘烤裝置（POBAKE ) 106中完成加熱處理 的晶圓W，是以保持在第2搬送裝置6 0之小鉗子6 7的 狀態，被搬送到轉送台4 0。 被搬送到轉送台4 0的晶圓W，是被保持在第1搬送 裝置5 0的小鉗子5 8，被搬送到第2處理裝置群80的 冷卻裝置（C0L) 88。並在此冷卻裝置（C0L) 8 8內，使晶圓W積極的冷卻處理到所定溫度（S 4 7 ) 〇 然後，在冷卻裝置（C0L) 88被冷卻處理的晶圓 W，是介於第1搬送裝置5 0，被搬入到第1處理裝置群 70的擴張裝置74，並在此待機。且自擴張裝置74被 晶圓搬送體1 1搬出，而被收納在晶圓匣盒載置台1 0上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） l·!· -V、-裝 ------訂---------r" (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) -50- 468204 A7 B7 五、發明說明（48) 的晶圓匣盒C。 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，晶圓W是用圖未示的蝕刻裝置，以光阻圖案爲 掩膜，並用乾式蝕刻處理，如第19圖（b)所示對有機 絕緣膜202、無機絕緣膜203進行蝕刻。藉此，形成 相當於栓塞的凹部2 1 1之有機絕緣膜圖案2 0 2 a及形 成無機絕緣膜圖案203a。此例，是用例如CF4氣體 ，來進行蝕刻處理（S48) » 然後’..I用邐未示的等離子CVD裝置，如第1 9圖（ c )·所示’在相當於配線的凹部2 1 0及相當於連接栓塞 的凹部2 1 1之內部的側壁，形成用以防止銅擴散之側壁 保護用氮化鈦（T i N )。製作側壁保護用膜，除τ i N 外’還可用 Ti、TiW、Ta、TaN、WSiN等。 其次’如第1 9圖（d)所示，例如用電鍍，對相當 於配線的凹部210及相當於連接栓塞的凹部211之內 部，置入銅2 0 7。然後，用CMP裝置硏磨，凹部以下 的無機絕緣膜2 0 5 a表面部分的銅，並只在溝中留下銅 ，製成配線2 0 7 b及連接栓塞2 0 7 a。藉此形成半導 體元件2 0 0。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 按此，本實施形態之膜彤成系統1 ，是用自旋式塗佈 法同時形成有機絕緣膜及無機絕緣膜，故能在同一膜形成 系統1內完成各項膜處理。更於就經過雙金屬鑲嵌工程的 半導體元件之製造中，加入由有機絕緣膜及無機絕緣膜製 成的層間絕緣膜之成膜，且因光阻塗佈處理也是用自旋式 塗佈法所形成的，故可在同一膜形成系統1內完成各項處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -51 - A7 46 820 4 ____B7 五、發明說明（49 ) 理。藉此不必重新設置供形成無機絕緣膜的c V D裝置等 ’而使應用於經雙金屬鑲嵌工程製造半導體元件的製造裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 置成本大幅的減少。 又，於上述實施形態中，是在無機絕緣膜形成時，於 供塗佈膜中的溶媒蒸發的低溫加熱處理裝置（L Η P )、 低氧高溫加熱處理裝置（ΟΗΡ)中，在低氧氣氛中進行 加熱處理，故可防止晶圓W上的塗佈膜與氧一起反應而氧 化。更因處理站3內是被保持在低氧氣氛，故可在從令溶 媒蒸發之加熱處理後至低氧處理*冷卻處理裝置.（DC C )的加熱處理期間，於裝置間之搬送中，抑制塗佈膜被氧 化。其結果，可適切的在低氧處理·冷卻處理裝置（ D C C )進行加熱處理，減少絕緣不良等，並提高良品率 〇 又，加入上述的構成，也可於顯影液塗佈處理工程中 *採用自旋式塗佈法進行顯影液的供給。 又，上述的實施形態雖是舉雙金屬鑲嵌法所做的說明 ，但當然也適用單金屬鑲嵌法。 經濟部智慧財產局員工消費合阼：Μ中Si 【圖面之簡單說明】 第1圖係有關第1實施形態之膜形成系統之平面圖。 第2圖係爲第1圖之膜形成系統之側面圖。 第3圖係爲第1圖之膜形成系統之另一側面圖。 第4圖係爲表示在有關第1實施形態之膜形成系統中 ’用金屬板覆蓋介面部與第2處理站的够態之要部立體圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -52- 46 820 4· A7 五、發明說明（50 ) 〇 第5圖係爲有關第1實施锻態之膜形成系統內的低氧 高溫加熱處理裝置之斷面圖。 第6圖係表示有關第1實施形態之膜形i系統內的熱 處理爐之槪觀立體，圖。 第7圖係爲表示有關搭載第1實施形態的膜形成系統 的塗佈裝？暴7之斷面圖。
經濟部智慧时轰笱員1.有費^咋；ϋ .中ai 1係爲表示用適合有關第1實施形態的成膜方法 ，嵌法製作溝配線及栓塞的形成工程圖^ 係爲說明習知方法和有關第1實施形態的方法 進行比較之工程圖。 第1 0圖係爲表示有關第2實施形態的膜形成系統之 平面圖。 第1 1圖係爲表示有關第2實施形態的膜形成系統之 側面圖。 _ .第1 2圖係爲表示裝置在有關第2實施形態的膜形成 系統內’以多段積層複數個處理元件所彤成的兩個處理元 件群及搬送機構之側面圖。 第1 3圖係爲表示有關第2實施形態的膜形成系統之 硬化處理部的縱斷面圖。 第14圖係爲有關第3實施形態的膜形成系統之平面 圖。 第1 5圖係爲第1 4圖所示之膜形成系統的側面圖。 第1 6圖係爲第1 4圖所示之膜形成系統的另—側面 之雙金繫 第 良紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） ----— — — — — 卜 L - 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂，_ -53- 4· 6 B 2 0 A7 __ B7_ 五、發明說明（51〉 圖。 第17圖係爲第14圖所示的膜形成系統中之搬送裝 置的立體圖# 第1 爲表示有關第3實施形態之半導體元件的 jl； 製造工程圖 第1 C請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> (其 賴係爲表示有關第3 .實施形態之半導體元件的 製造工程圖（其2 )。 第2 0..·圖係爲表示有關第3實施形態之半導體元件製 造中的處理流程。 第21圖係爲第14圖所示之膜形成系統的低氧處理 •冷卻處理（DCC)之平面圖.。 第2 2圖係爲第2 1圖之斷面圖。 -【符號說明】 401:絕緣膜形成系統 4 2 0 :熱處理爐 449 :加熱處理裝置 4 5 0 :金屬板 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 6，4 7 2 :開關快門 W :晶圓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格(210 X 297公釐） _以