TW460603B - Improved susceptor for barrel reactor - Google Patents

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TW460603B TW088111089A TW88111089A TW460603B TW 460603 B TW460603 B TW 460603B TW 088111089 A TW088111089 A TW 088111089A TW 88111089 A TW88111089 A TW 88111089A TW 460603 B TW460603 B TW 460603B
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Description

46ϋ 五、發明說明（i) 公告本」 發明背景_____ 本發明大致有關材料在半導體晶圓上 及更特別有關於化學蒸氣沈積製程期間 内支撐晶圓之改良懸吊裝置= 化學氣化沈積係一用以在半導體晶圓 製程，以使其晶格結構與該晶圓完全相 一具有不同傳導係數之材料層可塗佈至 達成所想要之電氣性質。一般言之，藉 材料（例如砂）及載運氣體之反應物氣體 反應桶反應室以完成化學蒸氣沈積。 該晶圓在該反應室係扣留在一懸吊裝 之一面暴露至該反應物氣體。該懸吊裝 室之内側及緩慢地旋轉，以將該反應物 該晶圓上方。雖然可使用其他形狀，懸 柱形及具有數個（例如五個）平面。習知 顯示在第1圖中及以參考數字10表示。[1 在該面10中，用以於一大致垂直之方位 使其大致橫向地面朝外）。習知懸吊裝j 致其頂部小於其底部。該錐形架構允許 壁凹，使得重力將該晶圓扣留成大致垂 置。該壁凹之直徑稍大於該晶圓之直徑 去晶圓時提供用以抓握邊晶圓之間隙3 米直徑晶圓之一懸吊裝置可具有直徑約 靠近每—壁凹12頂部之二矩形凹部16提 之化學蒸氣沈積， 在反應桶之反應室 上增長薄材料層之 同。使用本製程， 半導.體晶圓上，以 著將一包含該沈積 導入一含有晶圓之 置上，使得該晶圓 置係懸掛在該反應 氣體均勻地分佈在 吊裝置一般係呈稜 懸吊裝置之一面係 1形壁凹1 2係形成 中扣留晶圓W (亦即 ί係稍呈錐形，以 該晶圓向内靠入該 直抵住該懸吊裝 ，以當由該壁凹移 比方，處理1 5 0毫 ί 6 0毫米之壁凹。 供用以抓握該晶圓 五、發明說明¢2) 之附加間隙。為減低該懸吊裝置之高度，該壁凹如第1圖 所示重疊。 反應物氣體不只沈積在該晶圓上，亦沈積在該反應室之 很多内侧部件上，且其優先沈積在諸如微粒之成核部位及 該反應室内之尖銳邊緣上。由於該壁凹之重疊架構，尖銳 角落1 4係於該壁凹1 2之交叉處形成在該懸吊裝置上，如第 1圖所示=反應物氣體傾向於沈積在該尖銳帛落1 4上。因 為該晶圓W停靠抵住該角落1 4，該沈積物橋接該晶圓及該 懸吊裝置各角落間之間隙。當在完成該化學蒸氣沈積製程 之後由該懸吊裝置移去該晶圓時，該橋接物扣留該晶圓抵 住該懸吊裝置，有時當由該懸吊裝置移去該橋接物時將使 該晶圓斷裂或裂成碎片。該碎片或屑片時常於稍後之處理 期間造成該晶圓損壞°此外，該橋接物偶而造成該懸吊裝 置上之各角落斷裂。斷裂之懸吊裝置角落增加該氣體沈積 於各角落之傾向。如此，斷裂之角落造成需要較快替換該 懸吊裝置，而造成較頻繁之停止生產時間。 發明概要 在本發明之數個目的及特色之間可注意到吾人提供一種 減少該晶圓及懸吊裝置間之橋接物之懸吊裝置；提供一種 減少晶圓損壞之懸吊裝置；及提供一種具有增長使用壽命 之懸吊裝置。 本發明之懸吊裝置大致包含一用以承接在該反應桶之反 應室内之主體尺寸及形狀。該主體包含一具有多數用以在 其内承接晶圓之圓形壁凹之大致橫側面向之斜面，以用一
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460603 _ 案號 881Π089 五、發明說明（3) 大致橫互指向外側之表面支撐該晶圓，而於 積製程期間暴露至該反應桶之反應室内之反 多數壁凹之每一個具有一實質平底部及在該 侧面上具有相對之弓形壁面部分。每一壁面 一交點與該多數壁凹之至少一鄰接壁凹之對 併。在交點處之壁面部分關於至少一鄰接壁 連續及不中斷之平滑形狀，藉此當在該化學 之後由該壁凹移去該晶圊時，防止在交點處 懸吊裝置間之外延沈積及減少晶圓裂成碎片 其他目的及特色將在下文局部變明顯及局 圖面簡述 第1圖係先前技藝懸吊裝置面之一側視圖； 第2圖係反應桶之一片段透視圖；及 第3圖係本發明懸吊裝置之一側視圖。 遍及圖面之各視圖之對應參考字母指示對 主要元件代表符號 W 晶圓 1 2壁凹 1 6矩形凹部 22容器 2 6氣環 3 0反應室 34托架 4 2舉升組件 46a-46c圓形壁凹 該化學蒸氣沈 應物氣體。該 平底部之相向 部分交叉及在 應壁面部分合 面部分具有一 蒸氣沈積製程 於該晶圓及該 〇 部指出。 應之零件 1 0面 1 4尖銳角落 2 0反應爐 2 4鐘形罩 2 8密封板 32排氣孔 40懸吊裝置 44控制器 48長方形凹部
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4606 U3 _案號 88111089 五'發明說明 5 4溝槽 60開口 52a, 52b壁面部分 5 0平底部 5 6壁凹之交點 6 2壁凹中心 58a, 58b 下端 較佳實方包ί歹1J之詳I田敛述 現在參考各圖面及特別地參考第2圖，用以在一半導體 晶圓W上沈積材料（例如矽）之反應桶係大致標以2 0。該反 應爐2 0包含一由倒轉之鐘形罩2 4所形成之容器（大致標以 22)、一安裝在該鐘形罩上端之氣環26、及一用於選擇性 地蓋住該氣環以便與該容器内側之反應室3 0隔離之密封板 2 8。反應物氣體係經由該氣環2 6注入該反應室3 0及經由在 容器2 2底部之排氣孔3 2排出。由該密封板2 8懸掛下來之一 托架3 4於該反應室3 0中抓住一大致標以4 0之懸吊裝置，用
O:\59\59228.ptc 第8a頁 2001.01.10.009 460603 五、發明說明（4) 以於該化學蒸氣沈積製程期間支撐晶圓W。在完成該製程 之後，一舉升組件42升高該密封板28、托架34、及懸吊裝 置4 0，以打開該反應室3 0及由該反應室退出該懸吊裝置， 俾能卸下該晶圓W。裝在該密封板2 8内之一馬達（未示出） 於該化學蒸氣沈積製程期間轉動該托架34及懸吊裝置4 0。 藉著安裝在該密封板2 8上方之控制器44控制該馬達之運 轉。先前所述反應桶2 0之論點係習知者及於.該技藝中早已 為人所知。據此，將不再細節敘述之。 如第3圖所示，該懸吊裝置4 0具有一大致稜柱形之主體 4 2，該主體之尺寸及形狀可用以承接在該反應桶2 0 (第2 圖）之反應室3 0 (第2圖）内。雖然該懸吊裝置可用未偏離本 發明範圍之其他材料製成*較佳實施例之懸吊裝置40係由 塗上矽之石墨所製成。該主體4 2具有五個大致橫侧面向之 斜面44(於第3圖中只能看見三個面）。每一面44具有大致 指示在46a-46c之三個圓形壁凹，並在一垂直圓柱中對 齊。該主體4 2稍呈錐形，以致其頂部小於其底部及使得該 面4 4傾斜。本架構允許該晶圓W朝内靠入該壁凹4 6 a - 4 6 c， 使得重力抓住該晶圓而大致垂直地抵住該懸吊裝置4 0。雖 然較佳實施例之懸吊裝置4 0具有五個面4 4，該懸吊裝置可 具有較少或更多之面而未偏離本發明之範圍。同理，即使 該較佳實施例懸吊裝置4 0之每一面4 4具有三個圓形壁凹 46a_46c，每一面可具有較少或更多之壁凹及該壁凹可具 有其他形狀而未偏離本發明之範圍。再者，雖然該較佳實 施例之壁凹4 6 a - 4 6 c係在一圓柱中垂直對齊，其可安排成
4606 03 五 '發明說明（5) |
I 其他架構而未偏離本發明之範圍。 該壁凹4 6 a - 4 6 c之直徑比該晶圓W之直徑稍大，以當由該1 丨壁凹移去該晶圓時提供抓握該晶圓之晶隙。譬如，意欲處丨 理1 5 0毫米直徑晶圓之較佳實施例之懸吊裝置4 〇具有約1 6 0 i 宅米直徑之壁凹46a-46c。靠近每一壁凹46a-46c頂部之二 :長方形凹部4 8提供當由該壁凹移去該晶圓時用於抓握該晶 圓之壁凹。每一壁凹46a-46c大體而言_一平底部50及在 | :該平底部之相向側面上具有相對之弓形壁面部分52a， :52b °溝槽54圍繞該平底部50以消除該底部及該壁面部分 I I 5 2 a ’ 5 2 b間之花邊，使得該晶圓W平放抵住該底部。雖然 該溝槽54可未偏離本發明範圍地具有其他尺寸，該較佳實i I施例之溝槽係約〇 · 〇 1 〇吋深及約0 . 0 4 5吋寬。為減少該懸吊 :裝置40之垂直高度，該壁tHJ46a-46c如第3圖所示重疊。每
I 丨一壁面部分52a，52b交叉及在一或多個鄰接壁凹46a-46c 丨 之交點56與對應壁面部分合併。每一壁凹46a-46c之底部 ； 50為連續的及與該鄰接壁凹之底部共平面。此外，分別對1 !應於該上壁凹及中間壁凹46a，46b之壁靣部分52a，52b具； 有分別藉著開口 6 0所分開之下端5 8 a，5 8 b，該開口 6 0定位i ; | :在該壁凹中心6 2之下方。 如第3圖所示，該壁面部分52a，52b在該交點56具有一 i平滑形狀。更特別地是該上壁凹及中間壁凹46a，46b之壁| 面部分52a，52b下端58a，58b具有一伸離該對應壁凹中心卜 6 2之平滑形狀。此處所用"平滑形狀"一詞意指該壁面部分： ，5 2a，5 2b呈連續及未關於該鄰接壁面部分之至少一部分中
第10頁 460603 五、發明說明¢6) 斷=該形狀較好為彎ώ形，且該形狀在該交點5 6最好呈圓 形。當在該化學蒸氣沈積製程之後由該壁凹46a-46c移去 該晶圓時，該架構防止在交點5 6於該晶圓ff及該懸吊裝置 4 0間之外延沈積及減少晶圓裂成碎片3在該最佳貫施例交 點5 6之壁面部分5 2 a，5 2 b具有約在0 . 1 5吋及約0 . 5吋間之 半徑，及最好具有約0 . 2 5吋之半徑。 以上面之觀點，吾人將看到可達成本發明.之數個目的及 獲得其他有利之結果。 因在上面之結構中可做各種變化而未偏離本發明之範 圍，吾人意欲將上面敘述中所包含或各附圖所示之所有事 物解釋成供說明用及不具有限制性之意義。

Claims (1)

  1. 1 . 一種於化學蒸氣沈積製程期間在反應桶之反應室内支 撐晶圓之懸吊裝置，該懸吊裝置包含一用以承接在該反應 桶之反應室内之主體尺寸及形狀，該主體包含一具有多數 用以在其内承接晶圓之圓形壁凹之大致橫側面向之斜面， 以用一大致橫亙指向外側之表面支撐該晶圓，而於該化學 蒸氣沈積製程期間暴露至該反應桶之反應室内之反應物氣 體，該多數壁凹之每一個具有一實質平底部及在該平底部 之相向側面上具有相對之弓形壁面部分，每一壁面部分交 叉及在一交點與該多數壁凹之至少一鄰接壁凹之對應壁面 部分合併，在交點處之壁面部分關於至少一鄰接壁面部分 具有一連續及不中斷之平滑形狀，藉此當在該化學蒸氣沈 積製程之後由該壁凹移去該晶圓時，防止在交點處於該晶 圓及該懸吊裝置間之外延沈積及減少晶圓裂成碎片。 2 .根據申請專利範圍第1項之懸吊裝置，其中在交點處 之壁面部分具有一彎曲形狀。 3. 根據申請專利範圍第2項之懸吊裝置，其中在交點處 之壁面部分具有在0. 1 5吋及0. 5吋間之半徑。 4. 根據申請專利範圍第3項之懸吊裝置，其中在交點處 之壁面部分具有0 . 2 5吋之半徑。 5. 根據申請專利範圍第3項之懸吊裝置，其中在交點處 之壁面部分為圓形。 6. —種於化學蒸氣沈積製程期間在反應桶之反應室内支 撐晶圓之懸吊裝置，該懸吊裝置包含一用以承接在該反應 桶之反應室内之主體尺寸及形狀，該主體包含一具有用以
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    4 6 Ο 6 ϋ J f 沔 丨年 _案號 88111089_年月 La _ 六、申請專利範園 在其内承接晶圓之上下圓形壁凹之大致橫側面向之斜面， 以用一大致橫亙指向外側之表面支撐該晶圓，而於該化學 蒸氣沈積製程期間暴露至該反應桶之反應室内之反應物氣 體，該上下壁凹之每一個具有一實質平底部及在該平底部 之相向側面上具有相對之弓形壁面部分，該上壁凹之底部 呈連續性及與該下壁凹之底部共平面，該上壁凹之相向壁 面部分交又及在一交點與該下壁凹之對應壁面部分合併， 以致該上壁凹通入該下壁凹，在交點處之壁面部分關於該 鄰接壁面部分具有一連續及不中斷之平滑形狀，藉此當在 該化學蒸氣沈積製程之後由該壁凹移去該晶圓時，防止在 相交壁凹之壁面部分交點處於該晶圓及該懸吊裝置間之外 延沈積及減少晶圓裂成碎片 7.根據申請專利範圍第6項之懸吊裝置，其中該上壁凹 構成一頂部壁凹，該下壁凹構成一中間壁凹，及該主體之 面具有用以在其内承接晶圓之底部圓形壁凹，以用一大致 橫亙指向外側之表面支撐該晶圓，而於該化學蒸氣沈積製 程期間暴露至該反應桶之反應室内之反應物氣體，該底部 壁凹具有一實質平底部及在該平底部之相向側面上具有相 對之弓形壁面部分，該底部壁凹之底部呈連續性及與該中 間壁凹之底部共平面，該底部壁凹之每一相向壁面部分交 叉及在一交點與該中間壁凹之對應壁面部分合併，以致該 底部壁凹通入該中間壁凹，在交點處之壁面部分關於該底 部及中間壁凹之壁面部分具有一連續、平滑、彎曲之形 狀，藉此當在該化學蒸氣沈積製程之後由該壁凹移去該晶
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    六、申請專利範圍 圓時，防止在相交底部及中間壁凹之壁面部分交點處於該 晶圓及該懸吊裝置間之外延沈積及減少晶圓裂成碎片。 8. 根據申請專利範圍第7項之懸吊裝置，其中該主體具 有多數大致橫側面向之斜面，該多數斜面之每一面具有用 以在其内承接晶圓之頂部、中間及底部圓形壁凹*以用一 大致橫亙指向外側之表面支撐該晶圓，而於該化學蒸氣沈 積製程期間暴露至該反應桶之反應室内之反應物氣體。 9. 根據申請專利範圍第8項之懸吊裝置，其中該主體具 有五個大致橫側面向之斜面，該多數斜面之每一面具有用 以在其内承接晶圓之頂部、中間及底部圓形壁凹，以用一 大致橫亙指向外側之表面支撐該晶圓，而於該化學蒸氣沈 積製程期間暴露至該反應桶之反應室内之反應物氣體。 1 0 . —種於化學蒸氣沈積製程期間在反應桶之反應室内 支撐晶圓之懸吊裝置，該懸吊裝置包含一用以承接在該反 應桶之反應室内之主體尺寸及形狀，該主體包含一具有用 以在其内承接晶圓之圓形壁凹之大致橫側面向之斜面，以 用一大致橫亙指向外側之表面支撐該晶圓，而於該化學蒸 氣沈積製程期間暴露至該反應桶之反應室内之反應物氣 體，該壁凹具有一實質平底部及在該平底部之相向側面上 具有相對之弓形壁面部分，該壁面部分具有藉著一定位在 該壁凹中心下方之開口所分開之下端，每一壁面部分之下 端關於各個壁面部分具有一連續及不中斷之平滑形狀及伸 離該壁凹之中心，藉此當在該化學蒸氣沈積製程之後由該 壁凹移去該晶圓時，防止在該壁面部分之下端處於該晶圓
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2928210B1 (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 九州日本電気株式会社 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置
KR20030002070A (ko) * 2001-06-30 2003-01-08 삼성전자 주식회사 원심력을 이용한 비점착 웨이퍼 건조방법 및 장치
US7462246B2 (en) * 2005-04-15 2008-12-09 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for barrel reactor
US20080314319A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-25 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage
US8404049B2 (en) * 2007-12-27 2013-03-26 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity
US20100098519A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Memc Electronic Materials, Inc. Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment
US8298629B2 (en) 2009-02-25 2012-10-30 Crystal Solar Incorporated High throughput multi-wafer epitaxial reactor
US8673081B2 (en) 2009-02-25 2014-03-18 Crystal Solar, Inc. High throughput multi-wafer epitaxial reactor
TW201122148A (en) * 2009-12-24 2011-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Chemical vapor deposition device
US9441295B2 (en) * 2010-05-14 2016-09-13 Solarcity Corporation Multi-channel gas-delivery system
CN107022789B (zh) 2011-05-27 2021-03-12 斯瓦高斯技术股份有限公司 在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法
US10184193B2 (en) 2015-05-18 2019-01-22 Globalwafers Co., Ltd. Epitaxy reactor and susceptor system for improved epitaxial wafer flatness
US20160359080A1 (en) 2015-06-07 2016-12-08 Solarcity Corporation System, method and apparatus for chemical vapor deposition
US9748434B1 (en) 2016-05-24 2017-08-29 Tesla, Inc. Systems, method and apparatus for curing conductive paste
US9954136B2 (en) 2016-08-03 2018-04-24 Tesla, Inc. Cassette optimized for an inline annealing system
US10115856B2 (en) 2016-10-31 2018-10-30 Tesla, Inc. System and method for curing conductive paste using induction heating

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3806360A (en) * 1966-12-15 1974-04-23 Western Electric Co Methods for heating and/or coating articles
US3675619A (en) * 1969-02-25 1972-07-11 Monsanto Co Apparatus for production of epitaxial films
US5373806A (en) * 1985-05-20 1994-12-20 Applied Materials, Inc. Particulate-free epitaxial process
US4728389A (en) * 1985-05-20 1988-03-01 Applied Materials, Inc. Particulate-free epitaxial process
US4823736A (en) * 1985-07-22 1989-04-25 Air Products And Chemicals, Inc. Barrel structure for semiconductor epitaxial reactor
DE3707672A1 (de) * 1987-03-10 1988-09-22 Sitesa Sa Epitaxieanlage
US5116181A (en) * 1989-05-19 1992-05-26 Applied Materials, Inc. Robotically loaded epitaxial deposition apparatus
DE69126724T2 (de) * 1990-03-19 1998-01-15 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung
US5298107A (en) * 1992-02-27 1994-03-29 Applied Materials, Inc. Processing method for growing thick films
US5288364A (en) * 1992-08-20 1994-02-22 Motorola, Inc. Silicon epitaxial reactor and control method
JP2785614B2 (ja) * 1992-09-28 1998-08-13 信越半導体株式会社 シリンダー型エピタキシャル層成長装置
JP2732393B2 (ja) * 1992-09-28 1998-03-30 信越半導体株式会社 シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置
US5589224A (en) * 1992-09-30 1996-12-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for full wafer deposition
DE4305749A1 (de) * 1993-02-25 1994-09-01 Leybold Ag Vorrichtung zum Halten von flachen, kreisscheibenförmigen Substraten in der Vakuumkammer einer Beschichtungs- oder Ätzanlage
US5439523A (en) * 1994-02-14 1995-08-08 Memc Electronic Materials, Inc. Device for suppressing particle splash onto a semiconductor wafer
US5518549A (en) * 1995-04-18 1996-05-21 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor and baffle therefor

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