JP2001085343A - 横型気相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
横型気相エピタキシャル成長方法Info
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- JP2001085343A JP2001085343A JP26406599A JP26406599A JP2001085343A JP 2001085343 A JP2001085343 A JP 2001085343A JP 26406599 A JP26406599 A JP 26406599A JP 26406599 A JP26406599 A JP 26406599A JP 2001085343 A JP2001085343 A JP 2001085343A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス整流管の異常を早期に発見することがで
き、しかも成長室を開けずにガス整流管の交換ができる
横型気相エピタキシャル成長方法を提供する。 【解決手段】 基板を保持したサセプタ１２と、ツメ付
ガス整流管１１とを、水平な原料ガスの管路２、３内に
挿入した後、管路２、３を介してガス整流管１１内に原
料ガスを流すと共に、ツメ付ガス整流管１１上に配置さ
れたヒータ９の熱で原料ガスを分解し、基板上に薄膜を
形成するエピタキシャル装置の基板設定時及び薄膜形成
後にサセプタ１２をツメ付ガス整流管１１ごと同時に移
動させることにより、成長室１を開けることなく、ツメ
付ガス整流管１１の異常を早期に発見することができ、
異常を発見した場合にはそのままツメ付ガス整流管１を
交換することができる。
き、しかも成長室を開けずにガス整流管の交換ができる
横型気相エピタキシャル成長方法を提供する。 【解決手段】 基板を保持したサセプタ１２と、ツメ付
ガス整流管１１とを、水平な原料ガスの管路２、３内に
挿入した後、管路２、３を介してガス整流管１１内に原
料ガスを流すと共に、ツメ付ガス整流管１１上に配置さ
れたヒータ９の熱で原料ガスを分解し、基板上に薄膜を
形成するエピタキシャル装置の基板設定時及び薄膜形成
後にサセプタ１２をツメ付ガス整流管１１ごと同時に移
動させることにより、成長室１を開けることなく、ツメ
付ガス整流管１１の異常を早期に発見することができ、
異常を発見した場合にはそのままツメ付ガス整流管１を
交換することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられる横型気相エピタキシャル成長方法に関する
ものである。
に用いられる横型気相エピタキシャル成長方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、横型気相エピタキシャル成長方
法は、横型気相エピタキシャル成長装置を用いて、アル
シン等を原料ガスとして基板上にＧａＡｓ層又はＡｌＧ
ａＡｓ層等を有機金属化合物（ＴＭＧ、ＴＭＡ）を形成
する方法として知られている。
法は、横型気相エピタキシャル成長装置を用いて、アル
シン等を原料ガスとして基板上にＧａＡｓ層又はＡｌＧ
ａＡｓ層等を有機金属化合物（ＴＭＧ、ＴＭＡ）を形成
する方法として知られている。
【０００３】図４は従来の横型気相エピタキシャル成長
方法を適用したエピタキシャル装置の正面断面図であ
る。
方法を適用したエピタキシャル装置の正面断面図であ
る。
【０００４】このエピタキシャル装置は、装置内部に流
した原料ガスが外部に漏出することが無いようにＳＵＳ
（スチールステンレス）によって覆われた成長室１を具
備する。
した原料ガスが外部に漏出することが無いようにＳＵＳ
（スチールステンレス）によって覆われた成長室１を具
備する。
【０００５】成長室１の一方（図では左側）の側壁に
は、成長室１の内部に原料ガスを流すための石英製のガ
ス導入管２が水平に設けられている。成長室１の他方
（図では右側）の側壁には不要なガスを排出するための
石英製のガス排出管３がガス導入管２の延長線上に設け
られている。
は、成長室１の内部に原料ガスを流すための石英製のガ
ス導入管２が水平に設けられている。成長室１の他方
（図では右側）の側壁には不要なガスを排出するための
石英製のガス排出管３がガス導入管２の延長線上に設け
られている。
【０００６】ガス導入管２とガス排出管３との間には、
ガス整流管昇降台５が昇降自在に配置されている。この
ガス整流管昇降台５の上にはガス導入管２から導入され
た原料ガスを整流するためのガス整流管４が水平に配置
されている。ガス整流管４の上側には開口部４ａが形成
されており、この開口部４ａは後述するサセプタ６で閉
じられるようになっている。
ガス整流管昇降台５が昇降自在に配置されている。この
ガス整流管昇降台５の上にはガス導入管２から導入され
た原料ガスを整流するためのガス整流管４が水平に配置
されている。ガス整流管４の上側には開口部４ａが形成
されており、この開口部４ａは後述するサセプタ６で閉
じられるようになっている。
【０００７】成長室１の天板にはモータ８が設けられて
いる。モータ８の回転軸には支持軸７が回転自在かつ昇
降自在に設けられている。支持軸７の下端には円板１３
が取り付けられている。この円板１３には、図には示さ
れていない複数の基板を表面が下側になるように保持す
るグラファイト製のサセプタ６が、サセプタ６に形成さ
れたツメ６ａで吊り下げられている。
いる。モータ８の回転軸には支持軸７が回転自在かつ昇
降自在に設けられている。支持軸７の下端には円板１３
が取り付けられている。この円板１３には、図には示さ
れていない複数の基板を表面が下側になるように保持す
るグラファイト製のサセプタ６が、サセプタ６に形成さ
れたツメ６ａで吊り下げられている。
【０００８】サセプタ６の上側にはガス整流管４内を流
れる原料ガスを加熱するためのヒータ９が設けられてい
る。
れる原料ガスを加熱するためのヒータ９が設けられてい
る。
【０００９】次にこのエピタキシャル装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
【００１０】図５は図４に示したエピタキシャル装置の
ガス整流管が下降してアームが成長室に入った状態を示
す図である。図６は図４に示したエピタキシャル装置の
ガス整流管がアームに載った状態を示す図である。
ガス整流管が下降してアームが成長室に入った状態を示
す図である。図６は図４に示したエピタキシャル装置の
ガス整流管がアームに載った状態を示す図である。
【００１１】図４に示すようにガス導入管２とガス排出
管３からなる管路内に、ガス整流管４と、基板を保持し
たサセプタ６とが挿入された後、エピタキシャル装置が
作動すると、モータ８により、支持軸７が矢印ａ方向
（逆方向でもよい）に回転し、原料ガスの有機金属（Ｔ
ＭＧ、ＴＭＡ）、アルシンガス等が矢印ｂ方向にガス導
入管２からガス整流管４内に導入され、ガス整流管４に
原料ガスが流れる際、ヒータ９の熱で熱分解され、サセ
プタ６に保持された基板上にエピタキシャル層が形成さ
れ、余分なガスはガス排気管を矢印ｄ方向に通って排気
される。
管３からなる管路内に、ガス整流管４と、基板を保持し
たサセプタ６とが挿入された後、エピタキシャル装置が
作動すると、モータ８により、支持軸７が矢印ａ方向
（逆方向でもよい）に回転し、原料ガスの有機金属（Ｔ
ＭＧ、ＴＭＡ）、アルシンガス等が矢印ｂ方向にガス導
入管２からガス整流管４内に導入され、ガス整流管４に
原料ガスが流れる際、ヒータ９の熱で熱分解され、サセ
プタ６に保持された基板上にエピタキシャル層が形成さ
れ、余分なガスはガス排気管を矢印ｄ方向に通って排気
される。
【００１２】次にこのエピタキシャル装置により基板上
にエピタキシャル成長させた後の基板の取り出し動作手
順について図４〜図６を参照して説明する。
にエピタキシャル成長させた後の基板の取り出し動作手
順について図４〜図６を参照して説明する。
【００１３】ガス整流管昇降台５がガス整流管４と共に
矢印ｅ方向に下降する。次にアーム１０はサセプタ６を
基板取り出しセット室（図示せず）に移動させるため、
サセプタ６の真下に移動する（図５）。
矢印ｅ方向に下降する。次にアーム１０はサセプタ６を
基板取り出しセット室（図示せず）に移動させるため、
サセプタ６の真下に移動する（図５）。
【００１４】サセプタ６は、支持軸７が矢印ｆ方向に下
降することによりアーム１０の上に載る（図６）。
降することによりアーム１０の上に載る（図６）。
【００１５】アーム１０はサセプタ６を載せたまま基板
取り出しセット室に移動する。基板取り出しセット室で
は、サセプタ６の上にセットされた基板が取り出される
か、新たな基板がセットされる。
取り出しセット室に移動する。基板取り出しセット室で
は、サセプタ６の上にセットされた基板が取り出される
か、新たな基板がセットされる。
【００１６】成長室内に基板を載せたサセプタ６を成長
室１にセットする場合は、上記基板取り出し動作の逆の
手順で操作される。
室１にセットする場合は、上記基板取り出し動作の逆の
手順で操作される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のエピタキシャル装置を用いて、ＧａＡｓ層又はＡｌ
ＧａＡｓ層等のエピタキシャル成長を連続して行うと、
あるエピタキシャル成長回数以上で石英製のガス整流管
が割れてしまう。
来のエピタキシャル装置を用いて、ＧａＡｓ層又はＡｌ
ＧａＡｓ層等のエピタキシャル成長を連続して行うと、
あるエピタキシャル成長回数以上で石英製のガス整流管
が割れてしまう。
【００１８】ガス整流管に付着したＧａＡｓ層又はＡｌ
ＧａＡｓ層の積算膜厚を調査した結果、積算膜厚がほぼ
１３０ｎｍの厚さになると割れることが判明した。
ＧａＡｓ層の積算膜厚を調査した結果、積算膜厚がほぼ
１３０ｎｍの厚さになると割れることが判明した。
【００１９】ガス整流管に付着した薄膜の積算膜厚が１
３０ｎｍで割れる理由は、石英とガス整流管とに付着す
る薄膜（ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓ等）の熱膨張係数の違
いによるものであると考えられる。
３０ｎｍで割れる理由は、石英とガス整流管とに付着す
る薄膜（ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓ等）の熱膨張係数の違
いによるものであると考えられる。
【００２０】そこで、ガス整流管に付着したＧａＡｓ又
はＡｌＧａＡｓ等の膜厚が１３０ｎｍに成長した時点
で、ガス整流管を交換することを試みたが、付着膜厚が
１３０ｎｍに達しない場合においても、ガス整流管が突
然に割れることがあり、非常に生産性が悪かった。
はＡｌＧａＡｓ等の膜厚が１３０ｎｍに成長した時点
で、ガス整流管を交換することを試みたが、付着膜厚が
１３０ｎｍに達しない場合においても、ガス整流管が突
然に割れることがあり、非常に生産性が悪かった。
【００２１】しかも、ガス整流管の交換作業は、成長室
を開けなければ行えず、成長室を開けると内部に不純物
が多量に付着してしまう。この不純物を除去するには、
成長室内部を数時間加熱する等の処理が行われるが、元
の雰囲気を戻すには約２日間（約４８時間）必要である
という問題があった。
を開けなければ行えず、成長室を開けると内部に不純物
が多量に付着してしまう。この不純物を除去するには、
成長室内部を数時間加熱する等の処理が行われるが、元
の雰囲気を戻すには約２日間（約４８時間）必要である
という問題があった。
【００２２】そこで上記課題を解決するため、本発明の
目的は、ガス整流管の異常を早期に発見することがで
き、しかも成長室を開けずにガス整流管の交換ができる
横型気相エピタキシャル成長方法を提供することにあ
る。
目的は、ガス整流管の異常を早期に発見することがで
き、しかも成長室を開けずにガス整流管の交換ができる
横型気相エピタキシャル成長方法を提供することにあ
る。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の横型気相エピタキシャル成長方法は、基板を
保持したサセプタと、ガス整流管とを、水平な原料ガス
の管路内に挿入した後、ガス整流管内に原料ガスを流す
と共に、ガス整流管上に配置されたヒータの熱で原料ガ
スを分解し、基板上に薄膜を形成する横型気相エピタキ
シャル成長方法において、基板設定時及び薄膜形成後に
サセプタをガス整流管ごと同時に移動させるものであ
る。
に本発明の横型気相エピタキシャル成長方法は、基板を
保持したサセプタと、ガス整流管とを、水平な原料ガス
の管路内に挿入した後、ガス整流管内に原料ガスを流す
と共に、ガス整流管上に配置されたヒータの熱で原料ガ
スを分解し、基板上に薄膜を形成する横型気相エピタキ
シャル成長方法において、基板設定時及び薄膜形成後に
サセプタをガス整流管ごと同時に移動させるものであ
る。
【００２４】上記構成に加え本発明の横型気相エピタキ
シャル成長方法は、サセプタが少なくとも１か所のツメ
でガス整流管に吊り下がることにより、サセプタがガス
整流管ごと同時に移動するようにしてもよい。
シャル成長方法は、サセプタが少なくとも１か所のツメ
でガス整流管に吊り下がることにより、サセプタがガス
整流管ごと同時に移動するようにしてもよい。
【００２５】上記構成に加え本発明の横型気相エピタキ
シャル成長方法は、サセプタに少なくとも１か所の保持
治具によりツメを保持するようにしてもよい。
シャル成長方法は、サセプタに少なくとも１か所の保持
治具によりツメを保持するようにしてもよい。
【００２６】本発明によれば、基板設定時及び薄膜形成
後にサセプタをガス整流管ごと同時に移動させることに
より、成長室を開けることなく、ガス整流管の異常を早
期に発見することができ、異常を発見した場合にはその
ままガス整流管を交換することができる。
後にサセプタをガス整流管ごと同時に移動させることに
より、成長室を開けることなく、ガス整流管の異常を早
期に発見することができ、異常を発見した場合にはその
ままガス整流管を交換することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。
の実施の形態について説明する。
【００２８】図１は、本発明の横型気相エピタキシャル
成長方法を適用した一実施の形態を示す正面断面図であ
る。なお、図４に示した従来例と同様の部材には共通の
符号を用いた。
成長方法を適用した一実施の形態を示す正面断面図であ
る。なお、図４に示した従来例と同様の部材には共通の
符号を用いた。
【００２９】成長室１の一方（図では左側）の側壁に
は、成長室１の内部に原料ガスを流すための石英製のガ
ス導入管２が水平に設けられている。成長室１の他方
（図では右側）の側壁には不要なガスを排出するための
石英製のガス排出管３がガス導入管２の延長線上に設け
られている。
は、成長室１の内部に原料ガスを流すための石英製のガ
ス導入管２が水平に設けられている。成長室１の他方
（図では右側）の側壁には不要なガスを排出するための
石英製のガス排出管３がガス導入管２の延長線上に設け
られている。
【００３０】ガス導入管２とガス排出管３との間には、
ガス整流管昇降台５が昇降自在に配置されている。この
ガス整流管昇降台５の上にはガス導入管２から導入され
た原料ガスを整流するためのツメ付ガス整流管１１が水
平に配置されている。ツメ付ガス整流管１１の上側には
開口部１１ａが形成されており、この開口部１１ａは後
述するガス整流管保持治具付サセプタ（以下「サセプ
タ」という。）１２で閉じられるようになっている。ツ
メ付ガス整流管１１の両端（図では左右両側）の上部に
はサセプタ１２に吊り下げられるためのツメ１１ｂが設
けられている。
ガス整流管昇降台５が昇降自在に配置されている。この
ガス整流管昇降台５の上にはガス導入管２から導入され
た原料ガスを整流するためのツメ付ガス整流管１１が水
平に配置されている。ツメ付ガス整流管１１の上側には
開口部１１ａが形成されており、この開口部１１ａは後
述するガス整流管保持治具付サセプタ（以下「サセプ
タ」という。）１２で閉じられるようになっている。ツ
メ付ガス整流管１１の両端（図では左右両側）の上部に
はサセプタ１２に吊り下げられるためのツメ１１ｂが設
けられている。
【００３１】成長室１の天板にはモータ８が設けられて
いる。モータ８の回転軸には支持軸７が回転自在かつ昇
降自在に設けられている。支持軸７の下端には円板１３
が取り付けられている。この円板１３には、図には示さ
れていない複数の基板を表面が下側になるように保持す
るグラファイト製のサセプタ１２が、サセプタ１２に形
成されたツメ１２ａで吊り下げられている。
いる。モータ８の回転軸には支持軸７が回転自在かつ昇
降自在に設けられている。支持軸７の下端には円板１３
が取り付けられている。この円板１３には、図には示さ
れていない複数の基板を表面が下側になるように保持す
るグラファイト製のサセプタ１２が、サセプタ１２に形
成されたツメ１２ａで吊り下げられている。
【００３２】サセプタ１２にはツメ付ガス整流管１１の
ツメを保持するための保持具１２ｂが取り付けられてい
る。
ツメを保持するための保持具１２ｂが取り付けられてい
る。
【００３３】サセプタ６の上側にはツメ付ガス整流管１
１内を流れる原料ガスを加熱するためのヒータ９が設け
られている。
１内を流れる原料ガスを加熱するためのヒータ９が設け
られている。
【００３４】次にこのエピタキシャル装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
【００３５】図２は図１に示したエピタキシャル装置の
ガス整流管が下降してアームが成長室に入った状態を示
す図である。図３は図１に示したエピタキシャル装置の
ガス整流管がアームに載った状態を示す図である。
ガス整流管が下降してアームが成長室に入った状態を示
す図である。図３は図１に示したエピタキシャル装置の
ガス整流管がアームに載った状態を示す図である。
【００３６】図１に示すようにガス導入管２とガス排出
管３からなる管路内に、ツメ付ガス整流管１１と、基板
を保持したサセプタ１２とが挿入された後、エピタキシ
ャル装置が作動すると、図４に示したエピタキシャル装
置と同様に、モータ８により、支持軸７が矢印ａ方向
（逆方向でもよい）に回転し、原料ガスの有機金属（Ｔ
ＭＧ、ＴＭＡ）、アルシンガス等が矢印ｂ方向にガス導
入管２からツメ付ガス整流管１１内に導入され、ツメ付
ガス整流管１１に原料ガスが流れる際、ヒータ９の熱で
熱分解され、サセプタ１２に保持された基板上にエピタ
キシャル層が形成され、余分なガスはガス排気管を矢印
ｄ方向に通って排気される。
管３からなる管路内に、ツメ付ガス整流管１１と、基板
を保持したサセプタ１２とが挿入された後、エピタキシ
ャル装置が作動すると、図４に示したエピタキシャル装
置と同様に、モータ８により、支持軸７が矢印ａ方向
（逆方向でもよい）に回転し、原料ガスの有機金属（Ｔ
ＭＧ、ＴＭＡ）、アルシンガス等が矢印ｂ方向にガス導
入管２からツメ付ガス整流管１１内に導入され、ツメ付
ガス整流管１１に原料ガスが流れる際、ヒータ９の熱で
熱分解され、サセプタ１２に保持された基板上にエピタ
キシャル層が形成され、余分なガスはガス排気管を矢印
ｄ方向に通って排気される。
【００３７】次にこのエピタキシャル装置により基板上
にエピタキシャル成長させた後の基板の取り出し動作手
順について図１〜図３を参照して説明する。
にエピタキシャル成長させた後の基板の取り出し動作手
順について図１〜図３を参照して説明する。
【００３８】ガス整流管昇降台５が矢印ｇ方向に下降す
ると、ツメ付ガス整流管１１は、ツメ付ガス整流管１１
のツメ１１ｂが引っ掛かるように加工された保持治具１
２ｂをもつサセプタ１２にぶら下がるように設置される
（図１）。
ると、ツメ付ガス整流管１１は、ツメ付ガス整流管１１
のツメ１１ｂが引っ掛かるように加工された保持治具１
２ｂをもつサセプタ１２にぶら下がるように設置される
（図１）。
【００３９】次にアーム１０でサセプタ１２及びツメ付
ガス整流管１１を共に、基板取り出しセット室に移動さ
せるためにサセプタ１２及びツメ付きガス整流管１１の
真下に移動する（図２）。
ガス整流管１１を共に、基板取り出しセット室に移動さ
せるためにサセプタ１２及びツメ付きガス整流管１１の
真下に移動する（図２）。
【００４０】サセプタ１２及びツメ付きガス整流管１１
は、支持軸７が矢印ｈ方向に下降することによりアーム
１０の上に載る（図３）。
は、支持軸７が矢印ｈ方向に下降することによりアーム
１０の上に載る（図３）。
【００４１】アーム１０はサセプタ１２及びツメ付きガ
ス整流管１１を載せたまま基板取り出しセット室に移動
する。基板取り出しセット室では、サセプタ１２上にセ
ットされた基板が取り出されるか、新たな基板がセット
される。その際、ツメ付きガス整流管１１に割れや傷等
を発見した場合にはその場で交換可能である。また、ツ
メ付きガス整流管１１に堆積したＧａＡｓ層やＡｌＧａ
Ａｓ層の積算膜厚が１３０ｎｍを超えた時点で、ツメ付
きガス整流管１１を交換することで成長室１をその都度
開ける必要がない。
ス整流管１１を載せたまま基板取り出しセット室に移動
する。基板取り出しセット室では、サセプタ１２上にセ
ットされた基板が取り出されるか、新たな基板がセット
される。その際、ツメ付きガス整流管１１に割れや傷等
を発見した場合にはその場で交換可能である。また、ツ
メ付きガス整流管１１に堆積したＧａＡｓ層やＡｌＧａ
Ａｓ層の積算膜厚が１３０ｎｍを超えた時点で、ツメ付
きガス整流管１１を交換することで成長室１をその都度
開ける必要がない。
【００４２】なお、基板を載せたサセプタ１２とツメ付
きガス整流管１１とを成長室１へ移動させる場合は、上
記の基板取り出し動作の逆の手順で操作すればよい。
きガス整流管１１とを成長室１へ移動させる場合は、上
記の基板取り出し動作の逆の手順で操作すればよい。
【００４３】ここで、エピタキシャル装置が大型化する
と、ガス整流管も大きくなる。そのため、サセプタで大
きなガス整流管を吊り下げると非常に不安定になってし
まう。そこで、ガス整流管の最も割れる箇所は、ヒータ
に近いガス整流管の上面であるため、ガス整流管を上面
だけ分割型にして、上面ツメを、上付け上面だけがサセ
プタに吊り下がるようにしてもよい。
と、ガス整流管も大きくなる。そのため、サセプタで大
きなガス整流管を吊り下げると非常に不安定になってし
まう。そこで、ガス整流管の最も割れる箇所は、ヒータ
に近いガス整流管の上面であるため、ガス整流管を上面
だけ分割型にして、上面ツメを、上付け上面だけがサセ
プタに吊り下がるようにしてもよい。
【００４４】以上において本発明によれば、サセプタを
ガス整流管ごと同時に移動させるようにしたので、ガス
整流管の異常を早期に発見することができ、成長室を開
けることなくガス整流管を交換できるので、生産性が大
幅に向上した。
ガス整流管ごと同時に移動させるようにしたので、ガス
整流管の異常を早期に発見することができ、成長室を開
けることなくガス整流管を交換できるので、生産性が大
幅に向上した。
【００４５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００４６】ガス整流管の異常を早期に発見することが
でき、しかも成長室を開けずにガス整流管の交換ができ
る横型気相エピタキシャル成長方法の提供を実現するこ
とができる。
でき、しかも成長室を開けずにガス整流管の交換ができ
る横型気相エピタキシャル成長方法の提供を実現するこ
とができる。
【図１】図１は、本発明の横型気相エピタキシャル成長
方法を適用した一実施の形態を示す正面断面図である。
方法を適用した一実施の形態を示す正面断面図である。
【図２】図１に示したエピタキシャル装置のガス整流管
が下降してアームが成長室に入った状態を示す図であ
る。
が下降してアームが成長室に入った状態を示す図であ
る。
【図３】図１に示したエピタキシャル装置のガス整流管
がアームに載った状態を示す図である。
がアームに載った状態を示す図である。
【図４】従来の横型気相エピタキシャル成長方法を適用
したエピタキシャル装置の正面断面図である。
したエピタキシャル装置の正面断面図である。
【図５】図４に示したエピタキシャル装置のガス整流管
が下降してアームが成長室に入った状態を示す図であ
る。
が下降してアームが成長室に入った状態を示す図であ
る。
【図６】図４に示したエピタキシャル装置のガス整流管
がアームに載った状態を示す図である。
がアームに載った状態を示す図である。
１ 成長室 ２ ガス導入管 ３ ガス排出管 ５ ガス整流管昇降台 ７ 支持軸 ８ モータ ９ ヒータ １０ アーム １１ ツメ付ガス整流管 １２ ガス整流管保持治具付サセプタ（サセプタ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA05 AA11 BA02 BA08 BA25 BA35 BB02 GA02 GA12 KA02 LA12 LA15 5F045 AB10 AB17 AC01 AC08 BB20 DQ06 EF13 EN08
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を保持したサセプタと、ガス整流管
とを、水平な原料ガスの管路内に挿入した後、該管路を
介して上記ガス整流管内に原料ガスを流すと共に、上記
ガス整流管上に配置されたヒータの熱で上記原料ガスを
分解し、上記基板上に薄膜を形成する横型気相エピタキ
シャル成長方法において、基板設定時及び薄膜形成後に
上記サセプタを上記ガス整流管ごと同時に移動させるこ
とを特徴とする横型気相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項２】 上記サセプタが少なくとも１か所のツメ
で上記ガス整流管に吊り下がることにより、上記サセプ
タが上記ガス整流管ごと同時に移動する請求項１に記載
の横型気相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項３】 上記サセプタに少なくとも１か所の保持
治具により上記ツメを保持する請求項２に記載の横型気
相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26406599A JP2001085343A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 横型気相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26406599A JP2001085343A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 横型気相エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085343A true JP2001085343A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17398046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26406599A Pending JP2001085343A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 横型気相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085343A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060292A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Furukawa Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2008280617A (ja) * | 2008-07-30 | 2008-11-20 | Shimadzu Corp | 複合成膜装置 |
-
1999
- 1999-09-17 JP JP26406599A patent/JP2001085343A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060292A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Furukawa Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2008280617A (ja) * | 2008-07-30 | 2008-11-20 | Shimadzu Corp | 複合成膜装置 |
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