TW455898B - Discharge luminescent device - Google Patents

Description

455898 I五、發明說明（l) I 【發明之背景】 【發明之領域】 本發明係關於一種放電發光裝置，係將xe等之放電氣 體封入電極間而藉由電極間之氣體放電產生發光者。 【習知之技術】 以往’創作有各種發光裝置係被作為光源使用。其中 | 一者係被作為讀取圖形等内容之接觸式影像感測器 (CIS:Contact Image Sensor)用之光源利用。 於第11圖及第1 2圖中揭示有組裝有習知之光源之 CIS1 00之一例。第11圖為開示於特開平4-360458號（發明 專利第2953595號）之CIS100之俯視圖，第12圖為第11圖所 示之C I S1 00之剖面圖。 i 如第11圖及第12圖所示，CIS100係備有作為光源之發 光二極體（LED:Light Emitting Diode)陣列 1〇1、框體 102、感測器IC(Integrated Circuit)103、棒狀透鏡陣列 1 0 4與玻璃板1 〇 5。 I 藉由LED陣列1 ο 1以光照射夾持於壓片玻璃板1 0 7與玻 |璃板1 05間之原稿106，反射光將通過棒狀透鏡陣列104到 達感測器IC1 0 3。又，藉由此感測器IC1 0 3，反射光被變換 成電子訊號，而可讀取原稿106之内容。 惟’如上述般，藉由將LED陣列1 0 1作為接觸式影像感 測器之光源使用時，乃會產生以下各種問題。 以LED作為光源使用時，所須之光源之光量在線性感 測器上係依影像感測器讀取一條線之時間而變化。此情形

2 0 75-3 28 8-?* ·ρΐί1 第4頁 455898 五、發明說明（2) 意味著感測器之訊號輸出I相對於讀取速度（相當於一條線 之讀取時間τ)與光源之亮度B為成為I 〇〇T X B之關係。因 ^此’即使是LED陣列101若讀取時間τ為較大時（傳真機等之 原稿之讀取為〜1 〇ms/線）可得到使用上無問題之感測器之 輸出。 惟，相對於0· 5ms/線以下之高速讀取，因讀取時間T 非常之小’故有無法得到充份之感測器輸出之問題。 又，配設LED晶片時，於LED晶片之光輸出上有較強之 j指向性，因朝前方之光量與朝向斜方之光量具有甚大之差 | 異，故亦會產生以下之問題。首先，於配設LED晶片而製 作線性光源.時，因裝設郎距之約制’於LED晶片間存在有 間距，在LED晶片上及在間隙上將產生光量差。因此，於 LED晶片之排列方向上將產生LED裝設節距之光量之偏差。 I 又，因LED之裝設精度（LED之發光中心係排列於一條 I線上之精度）之參差不齊及上述光量之指向性之影響，前 述之偏差將變大》 又，因LED晶片本身之亮度之參差情形變大及排列LED 晶片時之狀況其亮度之參差將成為線上之亮度分布情形。 因此乃有於照明全長上不易具有均一性光量之問題。 欲得到高亮度時則須高密度裝設LED晶片及增加依存 * ί | ί於發光之電流，其將成為光源發熱之原因，而有降低LED 晶片之壽命之情形。 作為CIS之光源，有使用作為熱陰極管（螢光燈）及冷 陰極管等之習知照明使用之圓筒狀燈具之情形。此情形

2075-3283-??·ptd 第5頁 :455898 五、發明說明（3) 下，作為光源之亮度可得到充份之量。 惟，其須將CIS之内部形狀作成gj冑狀源可塞入 之形狀，其斷面形狀將變大。又’此種燈具因於兩端上具 有電極’因此-定會發生數⑽之稱為陰極低 之部份。因此，光源全長上之光量為較安定之領域之比： 將變小而有問題。 為此，本發明之發明人經過刻意的檢討係設想以放電 發光形之光源作為接觸式影像感測器之光源，而终於開發 出該種類型之光源。第】圖中係揭示可作為前述光源使用 之放電發光裝置1之構造例。 如第1圖所示，放電發光裝置1係具有基板2、透明基 板3内°卩電極4、外部電極5、金屬母線6、絕緣層（電介 質層）7、第1螢光體8、第2螢光體9、封止層1〇與放電空間 j ^ 基板2及透明基板3係例如以玻璃等構成。透明基板3

I係重疊於基板2上，並具有朝基板2延伸之壁部3 a。該壁部\ 3a係介以封止層1 〇與絕緣層7而與基板2接續。藉此乃可於 基板2與透明基板3間形成放電空間11。於此放電空間11内j 封入有Xe等之放電氣體。又，上述封止層丨〇例如為以熔融/ 玻璃料（frit)所形成之玻璃層所構成。 I 内部電極4係形成於基板2上’被絕緣層7所覆蓋。絕 j 緣層7例如為以玻璃層所構成·>於絕緣層？上形成有第1螢 j &體8 ’而於透明基板3上形成有第2螢光體9。 外部電極5例如以IT0( Indium Tin Oxide)或二氧化錫

1Λ 修正氧

所 具有透光性。此外部電極5係形成於透明基板3 之夕Μ面，於外部電極5之周緣部上形成有金屬母線6。 队使具有上述構造之放電發光裝置1發光時，則對内 4電極^與外部電極5間施加一定之電壓（例如1〇〇〇乂左 右）藉此放電氣體產生電離而放出之紫外線，該紫外 線則照射第1及第2螢光體8、9 ’使第1及第2螢光體8、9發 光。 以此種方式所得到之光之亮度係較使用LEI)之習知例 之場合為高’此乃經過本發明之發明人之確認。又，亮度 分布亦甚平均，且放電發光裝置1之壽命係較LEI)之場合為 更長。又’亦可提高有效照明長之比例甚多，可使長度方 向上之尺寸縮小較為容易。而且因不使用水銀等之有害物 質’故可迴避環境破壞之作用。 如上述’依第1圖所示之放電發光裴置1，其較習知例 可得到各種較優之效果，而本發明之發明人係進行更進一 步之研究而對於前述放電發光裝置1發現了以下之新的課 題。該等課題茲說明如下。 第2囷中係揭示上述放電發光裝置1之發光時之放電空 間11内之放電路徑12a。又，第2圖中之箭碩係指光之輸出 方向。 如第2圖所示，因將内部電極4與外邹電極5相對向配 置’故放電路徑12a係朝向於與各基板2、3之主面為垂直 之方向上。因此，放電路徑12a之長度將成為基板2、3間 之最短距離，而將變短。

2075-3288-PF1 ： mflin.ptc 第7頁 455898 I五、發明說明(5) ~ ' ! 惟’―般的使用氣體放電之光源其放電路徑長越長則 丨亮度及發光效率越南。因此，如上述般藉由縮短放電路徑 長度將有使放電發光裝置丨之亮度及發光效率減低之問 題。 【發明之概述】 本發明係為解決上述課題所完成者。本發明之目的在 於提供一，放電發光裝置，為可提高亮度，且亮度分布較 丨均，且壽命較長’且可提高有效照明長之比例，且可容 易地縮小長度方向之規格尺寸，且可迴避環境破壞，且可 提高發光效率者。 本發明有關之放電發光裝置係具有第1及第2基板、第 1及第2螢光體與第1及第2電極。第2基板係重疊於第1基板 上使其與第1基板間形成封入放電氣體之放電空間，並具 |有透光性。第1及第2螢光體係被設置於放電空間内。第1 電極係設於第1基板側而第2電極係設於第2基板側。又， 為使第1及第2電極不重疊，係將第2電極相對於第1電極錯 開配置d 如此藉由將第2電極相對於第1電極錯開配置，可將放 電路徑自第1及第2基板之主面之垂直方向傾斜一定角度。 亦即可使放電路徑朝向於相對於第1及第2基板之主面之傾 斜方向。藉此，可較第1圖所示之例將放電路徑長（放電節 距）加長，可提高亮度及發光效率D又，因在第1電極及第 2電極之連結方向上產生放電發光故在電極正下方不易發 生發光領域，可將所有的發光取出外部。此情形亦可期待

2075-3288-?;-pid 第8頁 45 58 9 8 五、發明說明（6) 發光效率之改善。又’於利用放電取出放電光時，一般， 放電時所流動之電流密度越小則越可提高發光效率。為 此’如上述，藉由將第2電極相對於第1電極作錯開配置， 於第1電極及第2電極之連結方向將產生強力之放電，而於 其以外之領域則產生弱放電。因此電流密度會產生分布不 一之情形’會產生電流密度較低之領域，整體而言將可提 高發光效率。 第1基板係具有第1螢光體而第2基板係具有第2勞光 體。此時’第1螢光體之厚度較佳者為較第2螢先體之厚度| |為大。藉此，光可通過第2基板而射出。 ^ 第1基板上之放電空間側之表面上配置有第1電極，於 第2基板上於與放電空間侧相反之侧之外表面上配置有第2 電極。此時，第2電極係成為接地電位。 如此’藉由將可與外部接觸之第2電極作為接地電 位，可避免接觸第2電極而產生感電，可達到作業安全之 目的。又，以放電發光裝置之框體作為接地電位時，則不 須要框體與第2電極之絕緣設計，可迴避構造之複雜化及 框體之大型化。又，相對於來自光取出部之EMI(幅射 擾）可使其具有屏蔽效果。發光用之驅動頻率為 5 0KHz〜10OKHz，其波長較光源（放電發光裝置）之 因此此種構造亦可期待頻蔽之效果。 马長 第2基板係具有朝向第丨基板延伸 將第2電極配置於較第2基板之壁部為内;; 於電極間除放電氣體以外若存在有電容率較：：物質

455898 時則該物質與電極間將形成電容。此電容係成為較放電氣 體空間容量為大之電容。於自外部施加產生發光用之電壓 時’不依存於對上述電容實行充電之發光的電荷係較於放 電空間中提高電壓用之充電電荷為大，其全體之效率（相 對於投入電力之光量之比例）將變低。在此，因上述壁部 之電容率為較大，故藉由將第2電極配置於較壁部為内側/ 之處，可迴避對壁部施加電壓，可阻止效率之降低。藉V 此’可削除對發光而言為無效之電力而可改善發光效率。

於第1基板之與放電空間側為相反侧之外表面上配置 第1電極，而於第2基板上於放電空間侧之表面上配置第2 p 電極者亦可D此場合係將第1電極作為接地電位。A

具備有覆蓋第2電極且具有透光性之絕緣層為較佳D 藉此’可通過絕緣層將光射出至外部D 於上述絕緣層上設置通達第2基板之開口，而於位於 此開口内之第2基板之表面上形成第2螢光體者亦可。 自絕緣層側將光射出至外部時，藉由設置上述開口， 可通過該開口將光射出至外部。藉此，較通過絕緣層將光 射出至外部之場合乃可提高亮度。又，其亦不須提高絕緣 層之透明度。 於第1基板側設置朝向第2基板延伸之壁部者亦可。此 場合，係將第1電極設於較第1基板之壁部為内側之處。此 場合亦可提出發光效率。 將第1電極設為平板狀（細長狀）而將第2電極設為環 j狀。此場合將在第1電極之兩側產生放電而可更提高亮度

2075-3238-??.ir.d 第10頁 4558 9 8 五、發明說明（8) 及發光效率。又’因在環狀之第2電極所包圍之領域内產 |生發光放電，故在電極正下方不易產生發光領域’可將全 部的發光取出外部。又’於此場合中，可使電流密度較低 之領域積極地產生，整體而言係可提高發光效率。又，即 使第2電極之單側產生斷線時亦不會形成不良狀況可提高 相對於電極之斷線之容限。又，可用第2電極明確地規定 光之出口。 本發明有關之放電發光裝置作為接觸式影像感測器用 之光源係特別有用。 【發明之實施型態】 以下使用第3圖至第9圖說明本發明之實施型態。 (實施型態1 ) 第？為揭示本發明有關之放電發光裝置1之剖面圖。

又，與第1圖所不之例為相同構造者係標註以同一符號並 省略重複說明。 如第3圖所示，本實施型態之放電發光裝置1係省略第 i圖所示之外部電極5而新設置外部電極13 α此外部電極13 係選擇性地形成於透明基板3之外表面（位於與放電空間u 側相反之位置之表面）上，係成為接地電位。 如上述’第1圖所不之外部電極5之光之穿透率係㈣ 程度左右’故省略此外部電極5時可較^圖所示之場合改 善約20/ί之效率。

外部電極1 3例如為由c u、Λ! . . λΤ. ^ 碲田a A1、Ag、Αυ、Νι等之金屬或 其混3物所構成，如笛— 如第4圖所不般具有環狀之形狀。此外

455898 五、發明說明（9) 部電極1 3之外周形狀典型上係為矩形，但亦可選擇其他之 任心升y狀°外部電極1 3係介以接著層（未圖示）接著於透明 | f板t上者亦可，而以具有黏著性之透明墊片（未圖示）覆 盡外部電極1 3，而藉由將此墊片貼附於透明基板3上可於 透明基板3上安裝以外部電極1 3。 如第3圖所示’外部電極丨3係配置於較壁部3&為内側 之處’且外部電極丨3之外周與基板3之壁部3a係被隔離。 具π體上’外邵電極13之外周與壁部3a間之間隔D4設為 | 〇, 3mm以上較佳。如此，藉由隔離外部電極13之外周與壁 部3a，可抑制於壁部3a上施加電壓，可迴避無效的電力消 耗。 々内部電極4係形成於基板2之放電空間丨丨側之表面上， 其寬度係較第1圖所示之場合為小d藉此，於外部電極i 3 之内周與内部電極4之外周之間於水平方向設有間隙，可 阻止外α卩電極1 3與内部電極4相重疊。亦即，可將外部電 極13與内部電極4相互於水平方向上錯開。 藉此，可將放電路徑12b相為於基板2之主面朝向於傾 斜方向，而可増大放電路徑長’而可提高發光效率^又， 因將發光領域配置於外部電極13所包圍之領域内故可有效 地利用放電所產生之紫外光。 ’當放電時流動之電流密度越 事係屬公知。於第1圖所示之 為均一化，欲變化其大小時使

利用放電取出放電光時 小則越可提高發光效率之情 構造中’放電時之電流密度 自外部施加之電壓變化即可。

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將變得不安 此，最低掩 五、發明說明αο) 中，欲降低電流密度而降低施加電壓時則放電 定，而將產生無法得到相同的發光之現象。因 加電壓將被限制。 相對於此’如上述般藉由將外部電極丨3與内部電極4 ξ錯開配置’則於外部電極1 3與内部電極4所連結之方向將 產生強烈的放電，而其以外之領域則為弱放電。因此°電’流 密度將產生分布，而可積極地設置電流密度之較1L 其結果，對全體而言乃可提高發光效率^ ' ° 若為了增大放電路徑長之物品時，則例如如第6 圖所示，於透明基板3之右側之端部附近配置外部電極 1 3 ’而於基板2之左側之端部附近配置内部電極4亦可。藉 此’較第3圖所示之場合可更增大放電路徑長。 接著’本發明之發明人找出外部電極丨3與内部電極4 間之間隔D2、内部電極4之寬度D3與放電空間u 間之較佳關係，以下茲說明其内容。 土具體上，間隔D2與高度Η為滿足D2 g(H/2)之關係者棄 L以下使用第5圖說明其根據。第5圖為高度^丨㈣時戈 外邓電極1 3與内部電極4間之間隔D 2與内部電極4之寬产D: 與相對效率之關係之示意圖。 又’ 六如第5圖所示，間隔D24〇,5韻，寬度⑽為^錢時相 對效率為最大，而隨著外部電極丨3與内部電極4之重合其 相對效率將降低。自該結果中可知高度Η為lmm時使間隔D2 為〇· 5mm以上時亦即滿足D2 2 (Η/2 )之關係時則可提高相對 效率。

4 5 5 8 9 8 F、發明說明(11) ' I 又，外部電極1 3間之間隔D1係以D 1 = 2 x j) 2 + ]) 3表示 相對效率最大時為2mm。亦即，相對效率最大時間隔D1為 高度Η之兩倍。 接著說明第1及第2螢光體8、9。通常光源之發光色係 由真空紫外光激勵之螢光體所決定。例如作為黃綠色之高 亮度之光源用係使用LaP〇4:Ce，Tb系之螢光體，而作為白 I色光用者係將黃綠色螢光體與红色螢光體 ((Y，Gd，Eu)B03、（Y，Gd, Eu)2 03 等）與藍色螢光體 ((Ba, Eu)MgAl]QB0]7, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10C12:Eu，Sr1Q(P〇4)Ci2:Eu 等）與綠色螢光體 ((Zn2Si02 :Mn，（Zn，Mg)2Si02 等）作混合者。 上述螢光體之粒子徑為2〜10//in左右，以紫外光發光 之部份僅為粒子之表層部份 <=因此形成螢光體時其膜厚及 粒子密度係成為決定發光強度之重要參數=> 如第3圖所示，本發明之放電發光裝置1其設有形成於 位於背面側之基板2上朝透明基板3側輸出光之第1螢光體8 與形成於位於前方之透明基板3上使光透過同時自己亦發 I光之第2螢光體9。

I I 又’本發明之發明人復檢討第1及第2螢光體8、9之厚 度與相對亮度之關係。茲使用第9圖及第丨〇圖說明其結 果。第9圖為第1及第2螢光體8、9之厚度與相對亮度之關 係之不意圖。第1〇圖為第1及第2螢光體8、9之厚度與絕緣 層7之厚度與相對效率之關係之示意圖。 如第9圖所示，第1及第2螢光體8、9之厚度係影響到 第U頁 iO?5-3288-?F'P：d -------- 455898 五、發明說明（12) 相為亮度。亦即，备筮〗爲穿 範圍内時乃可维持：螢光體8、9之厚度在-定之 祀因了 J』难待兩度之相對亮度。 具體=»之，第1螢光體8之厚 、 Π下更而佳：：j體9之厚度較佳者為3_以上1{)"二 9之厚度為5二為藉第放厚/為^ 第！發光體8與絕薄則效率越佳，而 亦喂/共与度越厚則效率越佳。 具體言之，關於第2螢光體9，有鏗於 及可實現性等如上述般為5㈣左 ：之= 之厚度即使為10心，如min阁祕_ /第2榮先體9 I因此如卜、十.所不’效率並不會降低太 二 述，第2螢光體9之厚度為10/^以下者即 因第1螢光體8不如絕緣層7般密 響到的放電電壓變化並不女⑸赵r ^/艾膜;子變化所影 得到較大之亮度。•二’/二螢上體8之膜厚越厚則可 立效率改盖之避声*第體8膜厚為4〇Μ以上時 “文羊改善之程度並不大，因此為該值以上者即可。 搞4關麻於’邑左緣層7 ’其厚度越大則越可有效地保護内部電 極4。惟，隨著絕緣看7之厚度之增大電 内二電 作為現實值將絕緣層7之厚度設為5〇_左右以下較佳口此 又，絕緣層7若太薄時則有可能造成絕緣 二上為•佳。X，絕緣層7之厚度為3”ffl =

有效保護内部電極4。 卞、) J (實施型態2) 4558 98 五、發明說明（13) -— 接著使用第7圖及第8圖說明本發明之實施型態2。 圖為本發明之實施型態2之放電發光裝置】之剖面圖。第8 圖為第7圖所示之放電發光裝置丨之變形例之剖面圖。 如第7圖所示，本實施型態係具有將第3圖所示之放 發光裝置1上下反轉之構成。更詳言之係將内部電極4側之 基板作為透明基板30，而於基板20側形成外部電極丨3。 於前述之實施型態1中，外部電極丨3之形成係於基板2 與透明基板3之貼合後實施者係為現狀。放電發光裝置1具 有細長开;> 狀，而於該細長構造物上貼合細小電極圖案之外 部電極1 3者其不論是以印刷形成電極或是以膠帶等作貼合 其定位係甚困難。惟，外部電極丨3亦有將光射出外部用二 作為窗戶之功用因此其位置精度甚為重要。 為此，本實施型態中係將内部電極4 一括印刷形成於 透明基板30上，為以該透明基板30為基準實行其他要素之 疋位°藉此，各要素之定位較容易。又，外部電極13為 細長狀且不具有光透過窗戶之作用因此在作業上定位較容 易。 又，將内部電極4設為環狀而將外部電極13設為平板 狀。壁部20a係設於基板20侧。外部電極13係配置於較壁 部2 0 a更内側處，於本實施型態中係作為接地電位。 於本實施型態中，如第7圖所示’發光之光係穿透絕 緣層7，故係以具有透光性之材質構成絕緣層7。作為此絕 緣層7可使用印刷玻璃等。 接著使用第8圖說明第7圖所示之放電發光裝置〗之變

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如第8圖所示，於上述絕緣層7上設有通達透明基板30 之開口 1 4，而於位於此開口丨4 逸明基板30之表面上形 成有第1螢光體8。 如上述般藉由設置開口丨4，《通過此開口 1 4將光射出 |至外部。藉此可不須要提高絕緣層7之透明度。 如上述係說明本發明之實施裂態但本發明並不只限定 於上述之實施型態。 例如關於内部電極4與外部電極1 3之配置只要不將兩 者重疊可配置於上述以外之任意位置。又，内部電極4與 外4電極1 3之形狀亦可作成上述以外之任意形狀。又本 發明有關之放電發光裝置作為接觸式影像感測器之光源係 甚有用，但亦可使用於其以外之其他用途。 綜上所述’依本發明之放電發光裝置，其發光之光亮 度為甚高，且亮度分布係均—化，壽命較長，且可提高有 效照明比例’且其長度方向之尺寸之縮小亦較容易，不僅 可迴避環境破壞亦可提高發光效率。 【圖式簡單說明】 第1圖為本發明之發明人所發明出之放電發光裝置之 剖面圖。 第2圖為第1圖之放電發光裝置之發光狀態之剖面圖。

第3圖為本發明之實施型態1有關之放電發光裴置之剖 面圖D 第4圖為本發明之實施型態1有關之放電發光裝置之俯 455898

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Claims (1)

1. 455898 六、申請專利範圍 1. 一種放電發光裝置，包括： 第1基板； 第2基板，重合於第1基板上成於其與第1基板之間形 成有封入放電氣體之放電空間者’且具有透光性； 第1及第2螢光體，設置於前述放電空間内； 第1電極，設於前述第1基板侧；以及 第2電極，設於前述第2基板側； 其中將第2電極相對於第1電極錯開配置成使第1電極 與第2電極不相重合者。 2_如申請專利範圍第1項之放電發光裝置，其中前述 第1基板係具有第1螢光體，而前述第2基板係具有第2勞光 體’且前述第1螢光體之厚度較第2螢光體之厚度為大者。 卜3·如申請專利範圍第2項之放電發光裝置，其中前述 第1榮光體之厚度為40 以上60 以下，且前述第2營光 體之厚度為3/ζπι以上lO/zm以下。 如申請專利範圍第1項之放電發光裝置，其中於前 述第1基板之前述放電空間側之表面上配置前述第1電極， 而於前述第2基板上於與前述放電空間側相反之側之外表 面上配置前述第2電極，而將前述第2電極作為接地電位 者。 一 5.如申請專利範圍第4項之放電發光裝置，其中具有 f蓋則述第i電極且具有透光性之絕緣層，前述絕緣層之 厚度為30 以上50 /zm以下。 6·如申請專利範圍第1項之放電發光裝置，其特徵在

   4558 9 G I六、申請專利範圍 於：前述第2基板係具有朝向前述第1基板延伸之壁部，而 將前述第2電極配置於較前述第2基板之壁部為内側之處 者。 如申請專利範圍第6項之放電發光裝置，其中前述 第2電極之外周與前述壁部之外周間之間隔為〇 _ 5 mm以上 !者= 、8.如申請專利範圍第1項之放電發光裝置，其中於前 述第1基板之與前述放電空間側相反之側之外表面上配置 刖述第1電極而於第2基板上於前述放電空間側之表面上配 置剛述第2電極，而以前述第1電極為接地電位者^ I 9·如申請專利範圍第8項之放電發光裝置，其中具有 覆蓋述第2電極且具有透光性之絕緣層，且前述絕緣層 之厚度為30 //m以上50 "m以下者。 10.如申請專利範圍第9項之放電發光裝置，其中於前 述絕=層上設有通達前述第2基板之開口，而於前述開口 内之前述第2基板之表面上形成有前述第2螢光體者。 ^ 11.如申請專利範圍第1項之放電發光裝置，其中前述 第1基板具有朝向前述第2基板延伸之壁部，而將前述第1 電極配置於較前述第1基板之壁部為内側之處。 _ 1 2 ·如申請專利範圍第11項之放電發光裝置，其中前 述第1電極之外周與前述壁部之外周之間隔為0 . 5nim以上 者。 弟2電極之相對於前述第1電極之錯開量為前述第1及第2基 1 2D卜 1 3238-?;· 1 3td 1 S S 1 1 第20頁 1 3.如申請專利範圍第1項之放電發光裝置，其中前述 4558 9 六'申請專利範圍 板間之間隔之1 / 2以上者。 i 4.如申請專利範圍第1項之放電發光裝置，其中使前 述第1電極為平板狀且使前述第2電極為環狀者。 1 5.如申請專利範圍第1項之放電發光裝置，其中其係 作為接觸式影像感測器用光源使用者。

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