TW451208B - Failure analysis system, fatal failure extraction method and recording medium - Google Patents

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____07 ____07 經^部^慧財產局員工滿費合作钍印敦 A7 五、發明說明（1 ) [發明所屬之技術領域] 本發明係關於能自動抽出形成有複數個各含有複數記 憶體晶胞之晶片的半導體晶圓之致命缺陷的缺陷分析系 統。 [習用的技術] 對於形成有複數個各含有複數記憶體晶胞（melnory cell)(—般係以特定行及列配置成矩陣狀）的半導體晶片 (chip)之半導體晶圓之缺陷分析方法，習用上一般是使用 測試器（亦稱「L SI測試器」的方法。該方法對於半導體 晶圓内之所有記憶體晶胞實行電氣特性的測試，由其結果 將檢出之記憶體晶胞缺陷在沿列方向的X座標及沿行方向 的y座標規定的座標空間内以缺陷圖案（pattern)(一般稱 為缺陷位元圖/fail bit map(以下簡稱r fbm的形式表示， 而用該FBM推定缺陷原因。 通常於含有複數記憶體晶胞的半導體晶片，為要補救 缺陷的記憶體晶胞設有冗餘（替換）用的記憶體晶胞，用該 冗餘（rodurdancy)記憶體晶胞在可能補救的範圍内能對缺 陷記憶體晶胞實行補救.因此在含有複數記憶體晶胞之半 導體晶片其缺陷可分能補救的缺陷與不能補救的缺陷^於 此之能補救的缺陷為不影響生產率的缺陷，而不能補救的 缺陷則成為降低製造生產率之致命缺陷，關於瞭解不能補 救的缺陷（以下時稱為 致命缺陷是如何形成，在對於 複數個各含有複數記憶體晶胞的丰導體晶片所形成之半導 體晶圓的缺陷分析上非常重要， , f f — 知 _ II 1 'ΜΙ I »»| IM ,-f,, TT-.| 1J 上「 史卞\芏適用t國®家择法；ci規格.u⑴， a; ϋ ; ――一〜丁…一 裝--------訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451 2 0 8 A7 —-— _ R7 五、發明說明（2 ) 、 [發明所欲解決的課題] 然而為要瞭解上述致命缺陷是如何形成，習用上由缺 陷分析工程師從FBM資料以手操作方式抽出致命缺陷分 析’其作業費時，又抽樣數亦受限而構成問題。 本發明為解決上述的問題，以提供不需用人手而能自 動的判明致命缺陷之原因的缺陷分析系統為目的。 [解決課題的手段] 本發明申請專利範圍第1項之缺陷分析系統，為對於 含有複數晶片之分析用晶圓實行缺陷分析的系統，前述複 數晶片各含有界定於X方向及γ方向之配置成矩陣狀之 複數記憶體晶胞以及可與前述複數記憶體晶胞中之缺陷記 憶體晶胞替換之替換記憶體晶胞群，前述替換記憶體晶胞 群可於X方向及Y方向各依預定的X方向替換能力及預 定的Y方向替換能力實行替換，而為具備檢出各前述複 數晶片中之前述複數記憶體晶胞之良好/缺陷而輸出對缺 陷之記憶體晶胞附加缺陷位元資料之記憶體晶胞測試結果 的記憶體晶胞測試裝置’以及依據前述記憶體晶胞測試結 果以實行包含考慮前述Y方向之缺陷之依前述X方向替 換能力的X方向補救判定處理與考慮前述X方向之缺陷 之依前述Y方向替換能力的Y方向補救判定處理之連績 處理以及致命缺陷統計處理之致命缺陷自動抽出處理的數 據分析裝置，其中前述X方向補救判定處理包含（a)使前 述複數記憶體晶胞退化（degenerate)為複數X方向替換對 象記憶體晶胞群，對各前述複數X方向替換對象記憶體 (請先聞讀背面之注意事項爯填寫本貢> 訂---1-----線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2 310902 經濟部=慧財產局員工鸲費合作社a.於 A7 ______B7________ 五、發明說明（3 ) 晶胞群。’依據前述缺陷位元資料及預定之γ方向假想 替換能力’並考慮前述Y方向之缺陷而判定良好/缺陷的 步辣，以及（b)對於前述複數X方向替換對象記憶體晶胞 群之中經前述步驟（a)判定為缺陷的各第1數的X方向替 換對象記憶體晶胞群’依據前述X方向替換能力在能補 救的範圍實行補救判定的步驟，又前述γ方向補救判定 處理包含（c)使前述複數記憶體晶胞退化為複數γ方向替 換對象記憶體晶胞群，對各前述複數γ方向替換對象記 憶體晶胞群’依據前述缺陷位元資料及預定之X方向假 想替換能力，並考慮前述X方向而判定缺陷的良好/缺陷的 步驟，以及（d)對於前述複數γ方向替換對象記憶體晶胞 群之中經前述步驟（c)假判定為缺陷的各第2數的γ方向 替換對象記憶體晶胞群，依據前述γ方向替換能力在能 補救的範圍實行補救判定的步驟，以及前述致命缺陷統計 處理為包含（e)將前述記憶體晶胞測試結果的前述缺陷位 元資料之中，經刚述X方向補救判定處理及前述Y方向 補救判定處理而不能補救之記憶體晶胞之缺陷位元資料之 致命缺陷位元資料予以統計的步驟。 申β專利範圍第2項之缺陷分析系統.其前述γ方 向饭心、替換能力包含從前述γ方向替換能力所決定之最 大能力至〇逐一加以設定之第3數的Υ方向設定假想替 換能力 '又前述X方向假想替換能力包含從前述χ方向 替換能力所決定之最大能力至〇逐加以設定之前述第3 數的Χ方向設定假想替換能力：而前述第3數的χ方向 ------------------ .…H j 310902 I— I I I I I I I I · --- ---------- I I II— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ! 4 51 2 0 8 A7 B7 五、發明說明（4 ) 設疋假想替換能力為對應於前述第3數的Y方向設定假 想替換能力，又前述X方向補救判定處理及前述γ方向 補救判定處理為依各前述第3數的γ方向設定假想替換 能力及前述X方向假想替換能力連續實行前述第3數次， 並按各次識別不能補救的前述致命缺陷位元資料。 申請專利範圍第3項之缺陷分析系統，前述致命缺陷 位元資料為依據前述第3數次所實行之前述χ方向補救 判定處理及前述Y方向補救判定處理而判定為不能補救 時之y方向設定假想替換能力及X方向設定假想替換能 力中之至少一方的能力，而將層別（ievei)設定於預先設定 之複數層別之一，而前述致命缺陷統計處理為分類成前述 複數層別以實行前述致命缺陷位元資料的統計β 申請專利範圍第4項之缺陷分析系統，其前述γ方 向假想替換能力包含設定有第1至第Z(Z g 2)層別的第1 至第ζ之γ方向設定假想替換能力’前述χ方向假想替 換能力包含設定有第1至第ζ層別的第1至第2之又方 向設疋假想替換能力，前述χ方向補救判定處理及前述 Υ方向補救判定處理為依各前述第1至第2之丫方向設 定假想替換能力及前述χ方向假想替換能力連續實行ζ 次’並按各次識別不能補救之前述致命缺陷位元資料，如 前述致命缺陷位元資料於第i(i=1至2中之任一）之前述χ 方向補救判定處理及前述γ方向補救判定處理中識別為 不能補救，則分類為第i層別，而前述致命缺陷統計處理 則統計分類為第1至第Z層別之前述致命缺陷位元資料。 規格⑵㈣97公楚） --—— <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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— — — — — — —— s , - — —Ills — — — L II--1 t ^ I I I A7 A7 經-部智慧財產局員工4費合^.^^欠· 五、發明說明（ 申請專利範圍签< 項之缺陷分析系統，其前述致命缺 陷統計處理在前述舟跋t ’ 步驟（e)之後再包含（f)對於前述複數晶 片中含有月』述致命缺陷位元資料的晶片以能由視覺瞭解之 顯示用晶圓顯示的步輝。 申请專利範圍第6項之缺陷分析系統，其前述致命缺 fe統计處理在刖述步驟(e)之後再包含⑴對於前述致命缺 陷位7L資料所界定的缺陷區域以能由視覺瞭解之顯示用晶 圓顯示的步驟。 申請專利範圍第7項之缺陷分析系統，其前述致命缺 陷統計處理在前述步驟0)之後再包含（f)將自前述缺陷位 元資料除去前述致命缺陷位元資料的非致命缺陷位元資料 所界定之缺陷區域以能由視覺瞭解之顯示用晶圓顯示的步 驟。 申請專利範圍第8項之缺陷分析系統，其前述致命缺 陷統計處理在前述步驟之後再包含（f)將第1層別之前 述致命缺陷位元資料所界定的缺陷區域以能由視覺瞭解之 第1顯示用晶圓顯示的步驟，以及（g)將不同於前述第1 層別之第2層別之前述致命缺陷位元資料所界定的缺陷區 域以能由視覺瞭解之第2顯示用晶圓顯示的步驟° 申請專利範圍第9項之缺陷分析系統，其前述致命缺 陷統計處理在前述步驟（e)之後再包含（f)識別第丨層別之 前述致命缺陷位元資料所界定的缺陷區域，及不同於前述 第丨層別之第2的前述致命缺陷位元資料所界定的缺陷區 域並以能由視覺瞭解之顯示用晶圓顯示的步驊 -------------~----- 310902 i 1 J t I I I I I I I I----訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451 208 A7 ----*____ B7 五、發明說明（6) 申請專利範圍第10項之缺陷分析系統，更具備用以 供給界定有包含前述分析用晶圓申之圖案（pattern)缺陷之 缺陷區域之缺陷區域資料的缺陷區域資料供給裝置，又前 述致命缺陷統計處理在前述步驟（e)之後’再包含（f)將存 在於以藉前述缺陷區域資料供給裝置而得之前述缺陷區域 資料所界定的前述缺陷區域及前述致命缺陷位元資料所界 定之缺陷區域為基礎之第1區域内的致命缺陷區域，存在 於以自前述缺陷位元資料除去前述致命缺陷位元資料之非 致命缺陷位元資料所界定的缺陷區域為基礎之第2區域内 的非致命缺陷區域，以及不存在於前述第1及第2區域内 之無影響缺陷區域予以分類的步驟β 申請專利範圍第II項之缺陷分析統計，其前述致命 缺陷統計處理在前述步驟（f)之後，再包含（g)將前述致命 缺陷區域以能由視覺瞭解之第i顯示用晶圓顯示的步驟， (h)將前述非致命缺陷區域以能由視覺瞭解之第2顯示用 晶圓顯示的步驟，以及⑴將前述無影響缺陷區域以能由 視覺瞭解之第3顯示用晶圓顯示的步驟。 申請專利範圍第12項之缺陷分析系統，其前述致命 缺陷統計處理在前述步驟（f)之後，再包含（g)識別前述致 命缺陷區域，前述非致命缺陷區域及前述無影響缺陷區域 之各區域並以能由視覺瞭解之顯示用晶圓顯示的步驟。 申請專利範圍第13項之缺陷分析系統，更具備用以 供給界定有包含前述分析用晶圓中之圖案缺陷的缺陷區域 之缺陷區域資料的缺陷區域資料供給裝置，又前述致命缺 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------線— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 310902 經濟部^慧財產局員工-"費仓作让-"._ A7 —_______B7 五、發明說明（7 ) 陷統計處理在前述步驟（e)之後，再包含（f)將存在於以藉 前述缺陷區域資料供給裝置而得之前述缺陷區域資料所界 定的前述缺陷區域及第1層別之前述致命缺陷位元資料所 界疋的缺陷區域為基礎之第1區域内的第1層別致命缺陷 區域，存在於以不同於前述第1層別之第2層別的前述致 命缺陷位元資料所界定的缺陷區域為基礎之第2區域内的 第2層別致命缺陷區域’存在於以自前述缺陷位元資料 除去前述致命缺陷位元資料之非致命缺陷位元資料所界定 之缺陷區域為基礎之第3區域内的非致命缺陷區域，以及 不存在於前述第1至第3區域内之無影響缺陷區域予以分 類的步驟。 申請專利範圍第14項之缺陷分析系統，其前述致命 缺陷統計處理在前述步驟（f)之後，再包含(g)將前述第j 層別之致命缺陷區域以能由視覺瞭解之第1顯示用晶圓顯 示的步驟，（h)將前述第2層別之致命缺陷區域以能由視 覺瞭解之第2顯示用晶圓顯示的步驟’⑴將前述非致命 缺陷區域以能由視覺瞭解之第3顯示用晶圓顯示的步驟， 以及（j)將前述無影響缺陷區域以能由視覺瞭解之第4顯 示用晶圓顯示的步驟。 申請專利範圍第1 5項之缺陷分析系統，其前述致命 缺陷統計處理在前述步驟（f)之後，再包含（g)識別前述第 3層別之致命缺陷區域，前述第2層別之致命缺陷區域 前述非致命缺陷區域及前述無影響缺陷區域之各區域並以 能由視覺瞭解之顯示用晶圓顯示的步驟- ·...一一一."一-一—1 , 一―一— 一.—一 .二.¾尺違通$ 士3國家標準 iCNgAi 埤格 ι ::κ; ::.¾ : ” .10Q,V, 一〜〜一 -------------裝---------訂---------線 (琦先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 451 2 0 8 五、發明說明（8) 申請專利範圍第16項之缺陷公把么& ' 項炙研分析系統，更具備分別 對前述分析用晶圓之前述各複數晶片，供給包含將前述複 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 數記憶體晶胞中之缺陷記憶趙晶胞替換為前述替換用記憶 體晶胞群後所測試之電氣特性的良好/缺陷判定結果之晶 圓測試資料的晶圓測試資料供給裝置，又前述致命缺陷自

動抽出處理更包含在前述X方向補救判定處理及前述Y 方向補救判定處理之前實行之依據前述晶圓測試資料，只 對前述複數晶片之中滿足預定的條件之晶片實行前述χ 方向補救判定處理及前述γ方向補救判定處理之晶片選 擇處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之申請專利範圍第17項之致命缺陷抽出方 法，為對於含有複數晶片之分析用晶圓抽出其致命缺陷的 方法，前述複數晶片各含有由界定於χ方向及γ方向之 配置成矩陣狀之複數記憶體晶胞以及可與前述複數記憶趙 晶胞中之缺陷記憶體晶胞替換之替換記憶體晶胞群，而前 述替換記憶體體晶胞群可於X方向及γ方向各依預定的 X方向替換能力及預定的Y方向替換能力實行替換，而 為具備（a)檢出各前述複數晶片中之前述複數記憶體晶胞 之良好/缺陷而對缺陷記憶體晶胞附加缺陷位元資料以得 該記億體晶胞測試結果的步驟，（b)使前述複數記憶體晶 胞退化為複數X方向替換對象記憶體晶胞群，對各前述 複數X方向替換對象記憶體晶胞群，依據前述記憶體晶 胞測試結果之前述缺陷位元資料及預定的Y方向假想替 換能力，並考慮前述Y方向之缺陷而判定良好/缺陷的步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 8 310902 缦濟邾智慧財產局具工消费Atl作.杜印*··〆- 3i0902 A7 ' --------B7__ 五、發明說明（9) 驟…（C)對於前述複數χ方向替換對象記憶體晶胞群令， 經削述步驟（b)判定為缺陷之各第1數的X方向替換對象’ 記憶體晶胞群依據前述x方向替換能力在能補救的範圍 實行補救判定的步驟，⑷使前述複數記憶體晶胞退化為 複數γ方向替換對象記億體晶胞群’對各前述複數丫方 向替換對象記憶體晶胞群，依據前述記憶體晶胞測試結果 之前述缺陷位元資料及預定的x方向假想替換能力，考 慮刖述X方向之缺陷而判定良好/缺陷的步驟’（e)對於前 述複數Y方向替換對象記憶體晶胞群中，經前述步驟（d) 假判定為缺陷之第2數的γ方向替換對象記憶體晶胞群 依據則述Υ方向替換能力在能補救的範圍實行補救判定 的步驟，以及（f)在前述記憶體晶胞測試結果之前述缺陷 位元資料之t，將經前述步驟（C)及步驟（e)而不能補救之 。己憶體晶胞的缺陷位元資料之致命缺陷位元資料予以統計 的步驟。 申請專利範圍第1 8項之記錄媒體，為將申請專利範 圍第17項之致命缺陷抽出方法以能由電腦執行之程式加 以記錄之記憶媒體。 [發明之實施形態】

Ik實施形態 <硬體構成> 第I圖表示本發明之第1實施形態的缺陷分析系統之 系統構成方塊圖如圖所示.1於網路上設有L s丨測試器！、 數據分桁用EWS2 [S〗測試器1對於分析用之丰導體晶 --------- --： — < 度这# w 阁围家 4 ,ίΐ' c \ :七 a _ -------------· I I I I I I —---------- (請先閲讀背面之;i意事項再填寫本頁) A7 451 2 0 8 五、發明說明（10) 圓之複數晶片中除替換用的記憶艘晶胞以外的記憶艘晶 胞，以晶片為單位實行有關電氣特性的測試，由以作成檢 出記憶體晶胞缺陷的测試結果β 具備在LSI測試器1之測試用電腦1Α依據由LSI測 試器1所得的測試結果統計記^體晶胞表示為缺陷 位元資料之FBM資料。數據work station)2則依據測試用電腦計的資料實行後 述之致命缺陷自動抽出處理。玄數據分析用EWS2並能執 行CD-ROM5等之記憶媒體記錄的程式。 測試器用電腦1A及數據分析用EWS2各為連接於對 應的連接器12 ’各連接器12、12間則用電纜13連接， 使得能於測試器用電腦1A與數據分析用EWS間授受數 據。電纜13的終端部則設有终端（terminal)14。 <方法> <全球處理> 第2及第3圖表示第1實施形態之缺陷分析系統之致 命缺陷自動抽出處理（方法）之全體處理的流程圖。以下參 照該圊等說明第1實施形態之致命缺陷自動抽出方法。以 下所述致命缺陷自動抽出方法是在將測試器用電腦1A統 計之FBM資料輪入數據分析用EWS的步驟後實行。 首先於步驟S1設定依每分析用晶圓而設定之每品種 的規則，即設定晶片尺寸為nXm位元、替換最小單位為 nlxml位元、X線替換對象區域為nxXmx圖素（Pixel)、 γ線替換對象區域為nyxmy圖素、X線替換可能圖素數 本纸張尺度適“關家料（CNS)A4祕⑽κ 297公釐） (請先間讀背面之沒意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -^1 ^1 1 n i I I - _ϋ i If t— t— n · 310902 A7 A7 經濟部^.慧財產局WT工消费合作¾印絜 五、發明說明（U) 為a圖素、及Y線替換可能圖素數為b圖素。以下詳細 說明各設定規則。於X線替換對象區域與γ線替換區域: 之間則滿足mx>my、nx<ny的關係。 晶片尺寸（py位it)為如第8圖所示，由—晶片内配 置成矩陣狀之記憶體晶胞之X方向及丫方向之各個位元 數決定。第8圖表示成為χ方向n位元，…m位元 之ηχπι矩陣。 替換最小單位(Xxy位元)表示於實行替換時之最小的 X方向及Y方向的線幅（以該線幅為單位實行替換）。例如 替換最小單位為3X3位元時’如第9圖所示，9(3χ3)個 位元的區域ΒΑ成為一替換最小單位，而以此成為一單位 的圖素領域ΡΑ。 X線替換對象區域（XXy圖素）之線」表示具有共 通之X位址的線，X線替換對象區域表示能夠實行替換 之X線用之几餘§己憶體晶胞的範圍。例如替換最小單位 為3X3位元，X線替換對象區域為2χ4圖素時，如第9 圖所示，由8個（2X4)圖素區域pA決定X線替換對象區 域XA。

Y線替換對象區域（X X y圖素）之「Y線」表示具有共 通之Y位址的線，Y線替換對象區域表示能夠實行替換 之Y線用之/L餘s己憶趙晶胞的範圍：例如替換最小單位 為3 X 3位元’ Υ線替換對象區域為6 χ丨圖素時，如第[C 圖所示 由6悃圖素領域Ρ Α決定γ線替換對象區 域 ΥΑ 510902 ---------------------訂·-------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 51 2 0 B A7 B7 五、發明說明（12) X線替換可能圖素數表示在X線替換對象區域内能 替換之X線用的冗餘記憶體晶胞的個數以替換最小單位 之X方向位元除之所得。表示X線方向的替換能力。 Y線替換可能圖素數表示在Y線替換對象區域内能 替換之Y線用的冗餘記憶體晶胞的個數以替換最小單位 之Y方向位元除之所得。表示Y線方向的替換能力。 在步驟S1完了，並於步驟S2選擇對象晶片後，於 步琢S3如第11圖所示，以替換最小單位（n lxml)使對象 晶片之 FBM 退化（degenerate)。 其次於步驟S4,如第12圖所示，於第11圖所示FBM 上設定X線替換對象區域（nxxmy圖素），並按各X線替 換對象區域設定X線替換可能圖素數（a)。即將X線替換 對象區域以X(ax，ay)表示，並設定{a(ax, ay)=a; ax = l〜nl(nl · nx), ay=l〜m/(ml · mx)}。 其次於步驟S5,如第13圖所示，於第11圖所示FBM 上設定Y線替換對象區域（nyxmy圖素），並按各Y線替 換對象區域設定Υ線替換可能圖素數（b)。即將Υ線替換 對象區域以Y(bx, by)表示，並設定{b(bx，by)=b; bx=l〜n/(nl · ny)，by=l〜m/(ml · my)} 〇 其次於步驟S6，將Y線替換可能圖素數b輸入於表 示Y線方向之假想替換能力的變數<2，將X線替換可能 圖素數a輪入於表示X線方向之假想替換能力的變數/3， 以實行變數α、召的初期設定。如後所述，藉著使該等變 數α、泠分別在b、a與0之間變化即可設定複數假想替 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 72 310902 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

I n n 1 . - I— n .^1 El I 經濟部智慧財產局員工消費合作社ti.'f 'Mem: A7 _B7_ 五、發明說明（π) 換能力。 其次於步驟S7判定對於缺陷記憶體晶胞的補救判定 順序是X線優先實行或是Υ線優先實行，如為X線優先 實行時進入步驟S8a，而如為Υ線優先實行時則進入步驟 S86。又補救判定順序預先做初期設定亦可。 首先說明以X線優先實行之處理。 於步驟S8a實行考慮Y線方向之缺陷的X線之補救 判定處理，其次於步驟S9a實行考慮X線方向之缺陷的 Y 線之補救判定處理。 其後於步驟SlOa判定是否成立α=/?=0，如不成立 (2=/3=0則前進至步驟Slia，而如〇:=冷=0成立則前進至 步驟S14。 於步驟11a判定是否，如則前進至步驟 S12a，而如α參泠則前進至步驟S13a。 於步驟S12a將α、泠各減1後回到步驟S8a =另一 方面，於步驟S13a如α大於/3則只有α減i，而如召大 於α則只有泠減1後，回到步驟S8a。其後重複步驟S8a 至S13a直到步驟S10a判定為α =咨二0為止。 其次說明以Υ線優先實行之處理。 於步驟S8b實行考慮X線方向之缺陷的Υ線之補救 判定處理，其次於步驟S9b實行考慮Y線方向之缺陷的 X線之補救判定處理》 其後於步驟S丨0 b判定是否e 〇 如_ /5 0不成 i則前進至步驟S H b，面如d。/3 -(.)則前進至步驟S ! 4 : ；Ι；..Γ：·；ϊ . ·：'Κ' < ：：：97 ,：s_ --------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ] 451 2 0 8 A7 五、發明說明（l4) 於步驟silb判定是泠，如則前進至 S12b，而如α竽石則前進至步驟si3b。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於步驟Sl2b將α、召各減j後回到步驟S8b。另一 方面，於步驟SI3b如α大於冷則只有“減1，而如沒大 於α則只有石減1後，回到步驟S8b。其後重複步驟S8b 至S13b直到步驟S10b判定為α=^=〇為止。 有關實行考慮到方向之線的補救判定處理之步驟（步 驊S8a、S8b、S9a及S9b)的内容在以後詳述。在上述之 以X線為優先或γ線為優先實行的處理終了後前進至步 驟 S14。 於步驟S14實行對於判斷為不能補救之缺陷位元資 料所決定的區域之缺陷形狀的分類處理，於步驟S15判 定該晶片是否為最後晶片，如為最後晶片則前進至步驟 S17 ’而如非為最後則在步驟S16選擇下一晶片後回到步 驟S3。其後重複步驟33至S16直到步驟S15判定為最後 的晶片為止β 於步称S15如判定為最後的晶片，則於步驟si?輸 r濟部智慧財產局員工消費合作社印製 出每一晶圓的致命缺陷位元資料的統計處理，結束致命蜗 陷自動抽出處理β <χ線補救判定處理①> 第4及第5圖詳細表示前述考慮γ線方向之缺陷而 實行X線之補救判定處理之步驟（S8a，S9b)之處理内容的 流程圖。以下參照第4及第5圖說明考慮γ線方向之缺 陷而實行X線之補救判定處理的流程。 本紙張尺度適用令躅國家標準（CNS)A4規格（2】〇 κ 297公釐） 14 310902 A7

經濟部智慧財產局員Η消費合作社印": 五、發明說明（is) 首先於步驟S21’如第丨4圖所示將退化為替換最小 單位（nlxnn)的FBM按每（〗Xmy圖素）區分，檢驗該區域 内的缺陷數，如缺陷數超過^則使之退化為缺陷之第丨退 化圖素，而如缺陷數不超過α則使之退化為正常之第丨退 化圖素’作成如第15圖所示之退化FBM 3因此第15圖 所示之各第1退化圖素可識別為缺陷或正常的退化圖素。 其次於步驟S 22再使在步球s 21退化之FBM再以 lx(mx/my)圖素退化，作成如第μ圖所示，X線的替換最 小單位之Y方向為由一個區域表示之由第2退化圖素所 形成的退化FBM。於此之第一退化圖素中如至少一個圖 素為缺陷圖素時，則退化後的第2退化圖素亦成為缺陷圖 素。 其次於步驟S2 3以“ 1 ”代入ax、ay實行初期設定。 接著於步驟S24判定替換可能圖素數a(a?c、ay)是小於 或是在“ 0”以上，如小於0則判定以X(ax, ay)表 示之X線替換對象區域之補救為不可能，並為了要進入 下一區域而進行至步騍S 33,如在0以上則判定以X(ax, ay) 表示之X線替換對象區域XA(參照第1 7圖）還有冗餘用 記憶體晶胞，仍可補救而進入下一步驊S2 5 = 於步额S 25計算相當於X(ax . ay)之X線替換對象區 域内的缺陷圖素數，由替換可能圖素數a(ax, ay)減去所計 算之缺陷圖素數= 其次於步騾S: 2 6 定在步驟S 2 5之減算處理後之替 換5能圖素數au、 )之渔是丨'於負）或在0以上如 ίΐ. ^ ¾ΐ iS ® 15 .5 K1902 I--------t---------^ f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} ά51208 Α7 Β7 五、發明說明（I6) 在0以上則判定為能正常補救，而於步驟S 27消去以x(ax， ay)表示之X線替換對象區域内之缺陷圖素内發生的缺陷 囷素之資料，並為了檢驗下_又線替換對象區域而進入 步驟S 33。 另一方面’如於步驟S26判定為小於〇,則於步驟S28 判疋<2、彡之值疋否為初期值（即a=b，；S=a)。如〇：、/$ 之值為初期值’則判斷為絕對不可能補救’於步驟S29 將有缺陷的處所當作不能補救缺陷發生處所（致命缺陷位 元資料）記憶在數據分析用EWS2内之預定的記憶部，消 去以X(ax，ay)表示之X線替換對象區域内的缺陷位元資 料’並為了檢驗下一 X線替換對象區域而進入步驟S3 3。 另一方面’如於步驟S28判定〇：、泠在初期值以外 時’則再於步驟S30判定補救判定順序為X線優先實行 還是Y線優先實行》 如補救判定順序以γ線優先實行時，由於X線補救 為最後的補救處理而判斷為絕對不可能補救，於步騨S31 將X(ax，ay)表示之X線替換對象區域全體當作不能補救 缺陷發生處所（致命缺陷位元資料）記憶在數據分析用 EWS2内之預定的記憶部，消去該X線替換對象區域内的 缺陷位元資料，並為了檢驗下一 X線替換對象區域而進 入步驟S33。 另一方面’如於步驟S30判定補救判定順序為X線 優先實行’則判斷為Y線仍具補救可能性，於步驟S32 計算缺陷圖素内的缺陷位元數，由缺陷位元較多的圖素選 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297·公爱〉 16 310902 (請先閱讀背面之注杳3事項再填寫本頁) ^--------訂---------線-一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印势 Λ7 _____B7_ _ 五、發明說明（17) 擇補救可能之圖素數（於步驟S25實行減算之前的個數）份 的缺陷圖素’消去其中所有的缺陷位元資料而進入步驟 S33。 於步驟S33，為要變更對於下一 X線替換對象區域的 檢驗對象’將ax遞增“ 1 ” 。然後於步称S34判斷ax之 值是否不大於{n/(nb nx)}(二ax之最大值），如axg{n/(ni · nx)}時回到步驟S24 ’實行下一 X線替換對象區域的補救 判定。其後重複步驟S24至S34直到步驟S34判定 ax>{n/(nl . nx)}為止。 如於步驟S34判定ax>{n/(nl · /nx))，則判定為對ax 完成一線份’於步驟S35將ax還原為初期值（1)，將 遞增“ r 。 然後於步聪S36判定ay之值是否不大於{m/\m 1 · mx)}( = ay之最大值），如ay S {m/(ml * mx)}則回到步驟 S24，實行下—X線替換對象的補救判定。其後重複步驟 S24至S36直到步驟S36判定ay> {m/(m 1 · ΐΐΐχ)}為止。 最後於步驟S36判定ay>{m/(ml * mx)丨時，即完成一 晶片内之全部X線替換對象區域之補救判定處理，_民卩 終了本處理3 線補救判定處理 第6及第7圖表示前述考慮X線方向之缺陷而實行 Υ線之補救判定處理之步驟i:S8b，S9a)之處理内容的流程 圖以下參照第6及第’7圖說明考慮X線方向之缺陷而 實行Y緯之補救判定處理的流韁 --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 208 五、發明說明（ι〇 首先於步驟S4】，如第18圖所示將退化為替換最小 單 位（ill xm I)的 FBM 按每（ηχχ I圓素）區分， 檢驗該區 域 内 的缺陷數， 如 缺陷數超過α 則當使之退化 為缺陷之 第3 I 退 化圖素，而 如 缺陷數不超過 α則使之退化 為正常之 第3 請 先 閱 退 化圖素，作 成 如第19圖所示之退化fbm 。因此第 19 讀 背 |右 圖 所示之各第 3 退化圖素可識別為缺陷或正 常的退化 圖 之 注 素 6 意 事 項 1 3J 其次於步驟 S42使在步驟； S41退化之FBM再以（ny/nx) 1再 填 寫 X ] 1圖素退化， ’作成如第20圖 所示之Y線的 替換最小 單 本 頁 1 位之X方向為由一個區域表示之由第4退化圖素所形成 的退化聰。於此之第3退化圖素中如至少一個圖素為 缺陷圖素時’則退化後的第4退化圖素亦成為缺陷圖素。 其次於步驟S43以“ ！”代入bx，bye接著於步驟S44 判疋替換可能圖素數b(bx，by)小於“〇”或是在“〇”以 上’如小於0則判定對於以Y(bx，by)表示之¥線替換對 象區域之補救為不可能而為了要進入下一區域前進至步驟 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 S53如在〇以上則判定以Y(bx，by)表示之γ線替換對象 區域YA(參照第21)還有冗餘用記憶體晶胞，仍能補救而 進入下一步驟S45。 〜 於步驟S45計算相當於X(bx，by)之γ線替換對象區 域内的缺陷圖素數，由替換可能圖素數b(bx，Μ減去計 算之缺陷圖素數》 其次於步驟S46判定在步驟S45之減算處理之替換 可能圖素數b(bx，by)之值小於〇(負)或在0以上，如在〇 本紙張尺度適用_冢標準（CNS)AT·規格⑵Q χ 297公爱 18 310902 B7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作钍ep rim)2 五、發明說明（19) 以上則判定為能正常補救’而於步驟S47消去以Y(b、by) 表示之Y線替換對象區域内之缺陷圖素内發生的缺陷位 元之資料，並為了檢驗下一 Υ線替換對象區域而進入步 驟 S53。 另 方面’如於步驟S46判定為小於〇，則於步興S28 判疋α ' /3之值是否為初期值（即“ =¾、召=a)。如α、万 之值為初期值’則判斷為絕對不可能補救，於步驟S49 將有缺陷的處所當作不能補救缺陷發生處所（致命缺陷位 元資料）記憶在數據分析用EWS2内之預定的記憶部，並 消去以Y(bx，ay)表示之γ線替換對象區域内的缺陷位元 資料’並為了檢驗下一 γ線替換對象區域而進入步辣 S53 = 另一方面’如於步驟S48判定α、召在初期值以外 時’則再於步驟S50判定補救判定順序為γ線優先實行 還是X線優先實行。 如補救判定順序為X線優先實行時，由於γ線補救 為最後的補救處理而判斷為絕對不可能補救，於步驟S5 1 將以Y(bx，by)表示之γ線替換對象區域全體當作不能補 救缺陷發生處所（致命缺陷位元資料）記憶在數據分析用 EWS2内之預定的記憶部，並消去該γ線替換對象區域内 的缺陷位元資料，進入為檢驗下一 γ線替換對象區域之 步驟S 5 3。 另方面.如於步驟S 5 0判定補救判定順序為Y線 ! 優先實行‘則K斷岛X線仍具補救可能性 於步驟S3 2 1 _ , 1. - --III lull 良々..忙,< .¾ ^用中國闯玄桴氓V ί.： NS) ) 裝-------—訂---------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 • Α7 Β7______ 五、發明說明（20 ) 計算缺陷圖素内的缺陷位元數，由缺陷位元數多的圖素選 擇能補救之圖素數（步驟S45之減算處理前的個數）份的缺 陷圖素，消去其中所有的缺陷位元資料而進入步驊S5 3。 於步驟S53為要變更對於下一 Y線替換對象區域的 檢驗對象，將bx遞增“ Γ 。然後於步驟S54判斷bx之 值是否不大於{n/(nl · ny)} (=bx之最大值），如bx各{n/(nl * ny)}時回到步驟S44，實行下一 Y線替換對象區域的補救 判定。其後重複步驟S44至S54直到步驟S54判定bx> {n/(nl * ny)}為止 β 如於步驟S54判定bx>{n/(nl . ny)}，則判定為對bx 完成一線份，於步驟S5 5將bx還原為初期值（1)，將by 遞增“ Γ 。 然後於步驟S56判定by之值是否不大於 (=by之最大值），如by彡{m/(ml · my)}則回到步驟S44， 實行下一 Y線替換對象的補救判定。其後重複步驟S44 至S56直到步騍S56判定by>{m/(ml · my)}為止。 最後於步驟S56判定by>{m/(ml · my)}時，即完成 一晶片内之全部Y線替換對象區域之補救判定處理，亦 即终了本處理》 <效果> 如上述’依第1實施形態之缺陷分析系統輪人由LSi 測試器〗對分析用晶圊實施電氣測試所得的結果，用數據 分析用EWS2自動的實施如第2至第7圖所示致命缺陷自 動抽出處理’如此可自動的實施習用上由人手操作的致命 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4_規格（210 X 297公釐） 31〇9〇2 ,L -----I I I I « --------訂*------I <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) B， 程臂部智慧財產局員工消費合作杜扣.！ 五、發明說明（21) 缺陷抽出作業。 由於對X線補救判定處理為考慮γ線方向之缺陷而 實施，又對於γ線補救判定處理則為考慮χ線方向之缺 陷而實施，因此能得精度比較高的致命缺陷位元資料。 又’從Υ線及Χ線替換能力所決定之最大能力（b, a) 至0逐一設定表示γ線及X線設定假想替換能力的α、 石’因此能依實際之Υ線及χ線替換能力細密的實施考 慮Υ線方向及X線方向之缺陷的χ方向及Υ方向補救判 疋處理，其結果可得正確的致命缺陷位元資料。 第2實施形氛| <全體處理> 第22及第23圖表示第2實施形態之缺陷分析系統的 致命缺陷自動抽出方法之全體處理流程圖。以下參照該圖 等並與第2及第3圖所示第1實施形態之處理比較以說明 第2實施形態的致命缺陷自動抽出方法。第2實施形態之 缺陷分析系統的硬體構成與第1圖之第1實施形態的構成 相同，以下所述致命缺陷自動抽出方法亦與第1實施形態 相同 '在將測試用電腦1 Α統計之FBM資料輸入數據解 析用EWS的步驟後實行。 首先於步驟S6!與第1實施形態之步驟同樣的設 定對各品種的規則s但與第丨實施形態不同為將表示x 線及Y線方向之假想設定替換能力的X線假想設疋替換 對象圖素數及Y線假想設定替換對象圖素數分為2種類 的層別（leve丨:η,第】至第/層別）而預先設定 . — — — [mi I I I--— 訂---I----- C琦先閱璜背面之;it事項再填寫本頁> 31090.2 A7 B7 五、發明說明（22) 、 即由第1層別至第Z層別將X線假想設定替換對象 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖素數設定為al至az囷素，將Y線假想設定替換對象 圖素數設定為bl至bZ圖素。該等X線及Y線假想設定 替換對象圖素數（al至aZ，bl至bZ)可關連於X線及Y 線替換對象圖素數（a, b)而設定，又全無關連的設定亦可。 在完成步驟S61，並於步驟S62選擇對象晶片後，於 步驟S63以“ 1 ”代入層別設定用之變數n以實行初期設 定。 然後於步騾S64與第1實施形態之步驟S3同樣的使 對象晶片上的FBM以替換最小單位（η 1 xml)退化》 其次於步驟S65與第1實施形態之步驟S4同樣的， 在FBM上設定X線替換對象區域（nxxmx圖案）。但與步 驟S4不同的對層別n之每一 X線替換對象區域設定X 線假想設定替換可能圖素數（aN)。即將X線替換對象區 域以X(ax，ay)表示，並且設定為{a(ax, ay) = aN ; ax=l〜n/(nl · nx)，ay=l〜m/(ml . mx)}。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次於步驟S66與第1實施形態之步驟S5同樣的， 在FBM上設定Y線替換對象區域（nyxmy圓素）。但與步 驟S5不同的對於等於ν之每一 Υ線替換對象區域設定Υ 線假想設定替換可能圖素數（bN)。即將Υ線替換對象區 域以Y(bx, by)表示，並且設定為{b(bx, by)=bN ; bx=l〜n/(nl · ny)，by=l〜m/(ml · my)}。 其次於步驟S67將Y線假想設定替換可能圖素數bN 輸入變數α ’將X線假想設定替換可能圖素數輸入變 本紙張尺度適.用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐） 22 310902 經濟部智慧財產局員工消費合作社in** Λ7 ___B7__ 五、發明說明（23) 數冷。 其次於步驟S68判定補救判定順序是X線優先實行 還是Y線優先實行’如為X線優先實行則進入步驟S69a， 而如為Y線優先實行則進入步驟S 6 9 b。又補救判定順序 可預先做初期設定。 如為X線優先實行的處理時’於步驟S 69a實行考慮 Y線方向之缺陷的X線補救判定，其次於步驟S70a實行 考慮X線方向之缺陷的Y線補救判定。 如為Y線優先實行的處理時，於步驟S69b實行考慮 X線方向之缺陷的Y線補救判定’其次於步驟S 7 〇b實行 考慮Y線方向之缺陷的X線補救判定。 有關上述考慮別方向之線實行補救判定的步驟（步驟 S69a，S69b, S70a及S70b)之内容則容後述。於完成上述 X線優先或Y線優先實行的處理後，前進至步驟SU。 於步驟S71實行對於判斷為補救不能之區域所發生 缺陷形狀的分類處理，將缺陷模式（缺陷形式）分類而將層 別N之致命缺陷位元資料記憶在數據分析用E WS2之預 定的記憶部。 然後於步驟S72檢驗是否N = 2,如N辛2則於步驟S73 將N遞增”厂’而回到步驟S64 :其後重複步驟S64至S73 直到步驟S72判定N二2為止。 如於步驟S72判定N---2則於步騍S74判定該晶片 是否為最後的晶片，如為最後晶片則前進至步驟S76 如 非最後的晶Η則於步驟選擇下-晶片後，因到 '..呔張（芎適用士® 闽家棉辛~ ~~~ ---------- --------------敦--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "10902 451 20 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（24) S63 ^其後重複步驟S63至S75直到步驟S74判定為最後 的晶片為止。 如於步驟S74判定為最後的晶片，則於步驟S76輪 出一晶圓份之致命缺陷位元資料的統計處理，完成致命缺 陷自動抽出處理。 <Χ線補救判定處理③> 第24圖表示前述之考慮Υ線方向之缺陷而實行X線 之補救判定處理之步驟（s69a，S70b)之處理内容的流程 圖β以下參照第24圖並比較第4及第5圖所示之第1實 施形態之X線補救判定處理①，以說明考慮γ線方向之 缺陷而實行X線之補救判定處理③的流程。 首先於步驟S81與第1實施形態之步驟S21同樣的 使以替換最小單位（nl Xml)退化之FBM退化為第1退化 圖素。 於步驟S82與第1實施形態之步驟S22同樣的，使 於步錄S81退化之FBM再以1 X(mx/my)圖素退化而作成 由第2退化圖素所形成的退化FBM » 其次於步驟S83將”1”代入ax，ay。接著於步驟S84 與第1實施形態之步驟S2S同樣的計算X(ax，ay)之X線 替換對象區域内之缺陷圖素數’並自替換可能圖素數a(ax， ay)減去所計算的缺陷圖素數。 其次於步驟S85判定步驟S84之減算處理後之替換 可能圖素數a(ax，ay)之值，小於0(負）或在〇以上，如是 在0以上則判斷為能正常補救，而於步驟S86A消去以X(ax， Γ* „ II1--------訂--------線 1, V f請先閱讀背面之注专？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用令國國家標準<CNS>A4規格（210 X 297公釐） 24 310902 蛵濟部智慧时產局員工消費合作社印裊 10902 五、發明說明（25 ) ay)表示之X線替換對象區域内之缺陷圖素内發生的缺陷 位元資料’然後為了檢驗下一 X線替換對象區域而進入 步驟S87。 另一方面，於步驟S85如判定為小於〇,則判斷在層 別N為不能補救，於步騍S86B將發生缺陷圖素的位置當 作層別N之缺陷發生位置（致命缺陷位元資料）記憶在數據 分析用EWS2内之預定的記憶部，並消去缺陷圖素内之缺 陷位元資料’然後為了檢驗下一 X線替換對象區域而進 入步驟S87 = 於步驟S87，為變更檢驗對象為下一 X線替換對象區 域’將ax遞增” 1”。然後於步驟S88判定ax之值是否不 大於{n/(nl · nx)}( = ax 之最大值），如 axg {n/(nl · nx)}則 回到步驟S84，實行下一 χ線替換對象區域之補救判定。 其後重複步驟S84至S88直到步驟S88判定ax> {n/(nl · nx)}為止。 如於步驟S88判定ax> {n/(nl · ηχ)}，則判斷對於ax. 已完成一線份，而於步驟S89將ax還原為初期值（1 )，將 a y遞增"1 ”。 然後於步驟S90判定a>之值是否不大於{ m/( in I · mx)}( = ay之最大值），如ay g {m/(m 1 * mx)丨則回到步驟 S84 '實行下一 X線替換對象區域之補救判定。其後重複 步驟S 8 4至S 9 〇直到步驟s 9 0判定a y > i m / (m 1 · m χ ))為 最後於步驟S糾判定ay > ; nr丨m丨.m χ !;時 則對於 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（26) 一晶片内之全部X線替換對象區域之補救判定完了而终 止其處理。 < Υ線補救判定處理④> 第25圖表示前述之考慮X線方向之缺陷而實行γ線 之補救判定處理之步驟（S70a，S69b)之處理内容的流程 圖。以下參照第25圖並比較第6及第7圖所示之第！實 施形態之Y線補救判定處理0以說明考慮χ線方向之缺 陷而實行Y線之補救判定處理④的流程。 首先於步驟S91與第1實施形態之步驟S41同樣的 使以替換最小單位（nl Xml)退化之FBM退化為第3退化 圖素。 於步驟S92與第1實施形態之步驟S42同樣的，使 於步驟S91退化之FBM再以（ng/nx) χι圖素退化而作成 由第4退化圖素所形成的退化fbm。 其次於步驟S93將"1”代入bx，by。接著於步驟S94 與第1實施形態之步驟S45同樣的計算Y(bx, by)之Y線 替換對象區域内之缺陷圖素數’並自替換可能圖素數b(bx， by)減去所計算的缺陷圖素數β 其次於步驟S95判定步驟S94之減算處理後之替換 可能圖素數b(bx，by)之值小於0(負）或以〇以上*如是在 0以上則判斷為能正常補救，於步驟S96A消去以Y(bx，by) 表不之Y線替換對象區域内之缺陷圖素内發生的缺陷位 70資料，然後為了檢驗下一 Υ線替換對象區域而進入步 驟 S97。 (請先閱讀背面之注i項再填寫本頁) I ------— —訂--------線 I,-------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） 26 310902 經濟^智慧財產局員工湞費合作社的製 A7 B7 五、發明說明（27) 、 另一方面，於步驟S95如判定為小於0，則判定在層 別N為不能補救，於步驟S96B將發生缺陷圖素的位置當 作層別N之缺陷發生位置（致命缺陷位元資料）記憶在數據 分析用EWS2内之預定的記憶部，並消去缺陷圖素内之缺 陷位元資料，然後為了檢驗下一 γ線替換對象區域而進 入步驟S97。 於步驟S97為變更檢驗對象為下一 γ線替換對象區 域，將bx遞增”1”。然後於步驟S98判定bx之值是否不 大於{n/(nl . nx)}( = bx 之最大值），如 bx g {η/(η1 · ηχ))則 回到步驟S94，實行下一 γ線替換對象區域之補救判定。 其後重複步驟S94至S98直到步驟S98判定bx> {η/(η1 · nx)}為止。 如於步驟s98判定bx>in/⑷.ηχΜ，則判斷對於“ 已完成一線份，而於步藤S99將“還原為初期值⑴，將 by遞增”Γ·。 然後於步驟S 1 〇〇判定by之伯县丕τ , y炙值疋否不大於· mym = by之最大值）’如byg{m/⑻·叫}則回到步驟 S94 ’實行1線㈣對象區域之補救判定其後重複 步驟S94至S100直到步驟Sl〇()判 ^ . my)} 為止。 最後於步驟S〗00判定by、丨】 1 /(〇ΐί · my)}時' 則完成 對於一晶片内之全部γ線替換對象 f u场•之補救判定而終 止其處理 <效果、 -七S泛度迓闲Φ s阎f桴準i 〇:s) Λ』規格。丨〇 -------—·S一_______一__ -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^10902 45120G A7 --------B7 五、發明說明（28) 如上所述，第2實施形態之缺陷分析系統為與第1實 施形態同樣的，由輸入用LSI測試器i實行電氣測試的结 果’以數據分析用EWS2自動的實行第22圖及第23至25 圖所示的處理而可自動的實行依據預先決定之z種類之 假想設定替換能力之致命缺陷抽出β 由於X線補救判定處理為考慮γ線方向之缺陷而實 施，又Υ線補救判定處理為考慮X線方向之缺陷而實施， 因此能得精度比較高的致命缺陷位元資料。 又第2實施形態之缺陷分析系統由於對第1至第ζ 層別為按每層別實行致命缺陷資料的分類處理，而由檢驗 致命缺陷位元資料的層別可識別缺陷的危險度，並可依據 危險度有效率的實行缺陷分析時的抽樣工序。 第3會施形態 <全體處理> 第26及27圖表示本發明之第3實施形態之缺陷分析 系統的致命缺陷自動抽出方法之全體處理流程度。第3實 施形態之全體處理實施與第2圖及第3圊所示第1實施形 態之全體處理大體同樣的處理，第3實施形態之步騍S101 至S117為對應於第1實施形態之步驟S1至S17。又第3 實施形態之缺陷分析系統的硬體構成為同樣於第1實施形 態的構成，以下所述致命缺陷自動抽出方法係在實施將測 試用電腦1Α統計之FBM資料輸入數據分析用EWS的步 驟之後實行。 但其中步驟SI 08a與SI 09b之考慮Υ線方向之缺陷 本紙張尺度適用中國固家標準<CNS>A4規格<210x297公釐） 28 310902 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i I I I I — i --I I I I i I · S-IIIIIIIII — — — — — — — 經濟部智慧財產局員工消費合作祍 1(0902 A7 ____B7__ 五、發明說明（29) 而實行X線之補救判定處理⑤之内容以及步驟Sl〇8b與 S 1 0 9 a之考慮X線方向之缺陷而實行γ線之補救判定處 理⑥之内容於以下詳述，其内容與第4及第5圖、第6 及第7圖所示之第1實施形態的補救判定處理内容①、② 不同。 又步驟S114之處理在實行判斷為不能補救的區域所 發生之缺陷形狀的分類處理之前與第1實施形態之步驟 S 14相同’但在其後將所設定每層別之缺陷數保存於數據 分析用E W S 2之預定的記憶部之處則有不同。 〈X線補救判定處理⑤> 第28及第29圖表示前述考慮γ線方向之缺陷而實 行X線補救判定處理之步驟（S 108a，S 109b)之處理内容流 程圖。第3實施形態之X線補救判定處理⑤實施大體與 第4及第5圖所示之第1實施形態之X線補救判定處理 ①同樣的處理’第3實施形態之步驟S121至· S 136為對 應於第1實施形態之步驟S21至S36。 但步驟S129及步驟S131之處理内容則為對於步驟 S29及S3]之處理内容再加上對於缺陷之層別的考慮。 即於步驟S 129之處理為將發生缺陷圖素之位置當作 「層別〇」之不能補救缺陷發生位置（致命缺陷位元資料） 記憶在數擄分析用E WS2内之預定的記憶部’消去以x(ax， ay)表示之X線替換對象區域内的缺陷位元資料並為了 檢驗下一 X線替換對象區域而進./、步驟S丨3'3之.處理<· 又於步驟S丨3 !之處理為將以x(ax av .丨表示之，X線替 -r ili ϋ τΐΐ·? ;規格 -------------裝--------訂----------線 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451 2 0 8 a; --- B7 五、發明說明（30 ) 、 換對象區域全體當作「層別N(N為b-α、a-；9中較大者）」 之不能補救缺陷發生位置（致命缺陷位元資料）記憶在數據 分析用EWS2内之預定的記憶部，消去該X線替換對象 區域内之缺陷位元資料，並為了檢驗下一 X線替換對象 區域而進入步驟S133之處理》 <Y線補救判定處理⑥> 第30及第31圖表示前述考慮X線方向之缺陷而實 行Υ線補救判定處理之步驟（S 108b，S 109a)之處理内容流 程圖》第3實施形態之γ線補救判定處理⑥實行大體與 第4及第5圖所示之第1實施形態之Υ線補救判定處理 ②同樣的處理’第3實施形態之步驟S141至S1 56為對 應於第1實施形態之步驟S41至S56。 但步驟S149及步驟S151之處理内容則為對於步輝 S49及S51之處理内容再加上對於缺陷之層別的考慮。 即於步驟S149之處理為將發生缺陷圖素之位置當作 「層別〇」之不能補救缺陷發生位置（致命缺陷位元資料） 記憶在數據分析用EWS2内之預定的記憶部，消去以Y(bx， by)表示之Y線替換對象區域内的缺陷位元資料，並為了 檢驗下一 Y線替換對象區域移入步驟S153之處理。 又於步瑪S151之處理為將以Y(bx, by)表示之γ線替 換對象區域全體當作「層別N(N為b-α、3-石令較大者 之不能補救缺陷發生位置（致命缺陷位元資料）記憶在數據 分析用EWS2内之預定的記憶部，消去該γ線替換對象 區域内之缺陷位元資料，並為了檢驗下一 γ線調換對象 ,, J ----,1i — — — — — — 訂—-----1·線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 30 310902 A7 B7 濟 部 智 慧 財 產 局 費 合

五、發明說明（31) 區域而進入少驟Si53之處理° <效果> 如上所述，第3實施形態之缺陷分析系統為與第1實 施形態同樣的’係藉由輸入以LSI測試器1實行電氣測試 的結果，而在數據分析用EWS2上自動的實行第26及第 27至第30圖以及第31圖所示的處理，因此能自動的實 行習用上為由人手操作的致命缺陷抽出處理。 由於X線補救判定處理為考慮γ線方向之缺陷而實施， 又Υ線補救判定處理為考慮χ線方向之缺陷而實施，因 此能得精度比較高的致命缺陷位元資料。 又從Υ線及X線替換能力決定之最大能力（b，a)至〇 逐一設定表示γ線及X線設定假想替換能力的α、召， 因此能與第1實施形癌同樣的得到正確的致命缺陷位元資 料。 又第3實形態之#陷分析系统由於是依每層別實行 致命缺陷位元資料之分類處理，因此由檢驗致命缺陷位元 資料之層別可識別缺陷的彔P、, 阳幻危險度’亚可依據危險度而有效 率的實行缺陷分析時的柄樣工序5 1-1實施形雜 第32圖表示本發明 ,,. 第4實轭形態之致命缺陷自動 柚出方法之致命缺陷統 ^ 题理之輸出結果的說明圖。第32 圖所π輸出結果為相當於 嫌ς μ虚 ‘以第丨實施形態之全體處理之步 驟1實行相當於晶圓份之致命， 出結果 ~. 厂"一—— "" ητΐ· ^ ·β； ίΡ * rxj 一™ .…：-ϋ ：，^ $ (LN;-)A ； )¾½. ； Γ；〜~ —l'-j " 1; ,4 I 缺陷的統計處理之輸 310902 ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451 208 A7 ____ B7 五、發明說明（32) 如第32圖所示’將被測定樣品之晶圓37上所設複數 晶片38分類表示為致命缺陷發生晶片38a及致命缺陷未 發生晶片38b。 如上所述，第4實施形態為依據第1實施形態之致命 缺陷自動抽出方法所得補救判定結果，以能識別為致命缺 陷發生晶片與致命缺陷未發生晶片之晶圓圖（wafer map) 顯示’因此能由視覺瞭解分析用晶圓上之致命缺陷晶片的 分佈。 又第32圖所示的輪出結果藉由省去層別分類，將全 部層別之致命缺陷位元資料共通化，亦可作為依第22及 第23圖所示第2實施形態之全體處理之步驟S76或第26 及第27圖所示之第3實施形態之全趙處理之步錄sii7 之一晶圓份的致命缺陷之統計處理的輸出結果而輸出。 第5實施形態 第33圖表示本發明之第5實施形態之致命缺陷自動 抽出方法的致命缺陷統計處理之輸出結果說明圖。第33 圖所示輸出結果為相當於第2圖之第1實施形態的全體處 理依步驟S17之一晶圓份的致命缺陷之統計處理的輸出 結果。 如第3 3圖所示’被測定樣品之顯示用晶圓3 7上所設 之複數晶片38令之致命缺陷發生晶片上，顯示有以致命 缺陷位元資料界定之缺陷區域之缺陷位元領域3 9a。 如上所述’第5實施形態為依據第1實施形態之致命 缺陷自動抽出方法所得補救判定結果，能將致命缺陷發生 V I,--1-1Ί I-------Ί--- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 幽- .線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格<2l〇X297公釐） 32 310902 Η0902 A7 ____B7___ 五、發明說明（33) 晶片之缺陷區域顯示於晶圓圊上，因此能由視覺瞭解缺陷 位元區域的分佈及種類（區段（block)、線（line)及位元等）。 又第33圖所示的輸出結果藉由省去層別分類，將全 部層別之致命缺陷位元資料共通化，亦可作為依第22及 第23圖所示第2實施形態之全體處理之步爾$76或第26 及第27圖所示之第3實施形態之全體處理之步驟 之一晶圓份的致命缺陷之統計處理的輸出結果而輸出。 茗6實施形態 第34圖表示本發明之第6實施形態之致命缺陷自動 抽出方法的致命缺陷統計處理之輸出結果說明圖。第34 圖所示輸出結果為相當於依第2圖之第1實施形態的全體 處理之步隸SI7之一晶圓份的致命缺陷之統計處理的輸 出結果。 如第34圖所示，被測定樣品之顯示用晶圓37上所設 複數之晶片38上顯示有非致命缺陷之缺陷位元區域39b。 非致命缺陷之缺陷位元區域39b表示在資料之缺陷 位元資料中除去致命缺陷位元資料後之由缺陷位元資料界 定的缺陷區域。 如上所述，第6實施形態為依據第[實施形態之致命 缺自勤抽出方法所得之補救判定結果，將非致命缺陷之 缺陷位元區域顯示在晶圓圖上，因此能由視覺瞭解對生產 手無影響之缺陷區域之分佈 '種類（區段，線及位元等）3 又第34圖所示之輸出結果藉由省去層別分類^將全 i部蜃兔疋致命缺陷位元賨料共通化' 布可作為依第2 2及 ίίιΐ I .......«Ill !· ..... 裝*-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4512 0 8 A7 _____B7 五、發明說明（34 ) 第23圖所示之第2實施形態之全體處理步驟s %或第26 及第27圖所示之第3實施形態之全體處理步驟之 一晶圓份的致命缺陷之統計處理的輪出結果而輸出。 # 7實施形態 第35及第36圖表示本發明之第7實施形態之致命缺 陷自動抽出方法的致命缺陷統計處理之輸出結果說明圖。 第35及第36圖所示輪出結果為相當於依第22及第23圖 所示第2實施形態之全體處理步驟S76或第26及第27 圖所示第3實施形態之全體處理步驟之一晶圓之致 命缺陷之統計處理的輸出結果。 如第35圖所示，於被測定樣品之顯示用晶圓37上所 設之複數Β曰片38中顯不有層別α(α=〇, 1,2,…之任·一）之致 命缺陷位元資料所界定的缺陷位元區域36Α。 如第3ό圖所示，於被測定樣品之晶圓37上所設之複 數晶片38中顯示有層別β(Β = 0，1，2,…之任一，但與層別 Α不同）之致命缺陷位元資料界定的缺陷位元區域36Ββ 又第35圖及第36圖之顯示可同時或分別實行β 如上所述，第7實施形態為依據第2實施形態或第3 實施形態之致命缺陷自動抽出方法的判定結果，將致命缺 陷發生晶片之缺陷位元區域以層別為單位顯示在晶圓圖 上’因此能瞭解依每層別之缺陷位元區域的分佈、種類（區 段、線、位元等）。 第8實施形熊 第37圖表示本發明之第8實施形態之致命缺陷自動

Mi I ---— 111--I · ill--tl-^illll — I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐〉 34 310902 經濟部智慧时產局員工消費合作枝 ?,丨*-r' A7 ____B7___________ 五、發明說明（35 ) 抽出方法的致命缺陷統計處理之輸出結果說明圖。第3 7 圖所示輸出結果為相當於依第22及第23圖所示第2實施 形態之全體處理步驟S67或第2ό圖及第27圖所示第3 實施形態之全體處理步驟SH7之一晶圓之致命缺陷之統 計處理的輸出結果。 如第37圖所示’於被測定樣品之一顯示用晶圓37上 所設之複數晶圓38中一併顯示，有依層別a(a=〇，i ,2,‘.· 之任一）之致命缺陷位元資料而界定之缺陷位元區域 及依層別Β(Β = 0,1,2,…之任一，但與層別a不同）之致命 缺陷位元資料而界定的缺陷位元區域36b。 如上所述，第8實施形態為依據第2實施形態或第3 實施形態之致命缺陷自動抽出方法的補救判定結果，將依 致命缺陷位元資料界定之缺陷位元區域以複數之層別為單 位一起顯示在晶圓圖上’因此能由視覺瞭解依各層別之缺 陷位元區域的分佈及種類（區段、線、位元等），並能由視 覺立即瞭解一起表示之複數層別間之缺陷位元區域的分佈 及種類的相關關係。 IL上實施形錤 <硬體構成> 第38圖表示本發明之第9實施形態之缺陷分析系統 的系統構成方塊圖，如該圖所示 '其構成與第丨圖之第】 實施形態的缺陷分析系統大體相同、然以追加有缺陷資料 庫Uata base)4之處不同， …缺上1料庫4用以記存分析用晶圓上之.圖案（pauern丨 ϋ n n I * n n l n n n > ϋ n n I ^ I (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) :^1090/ 4512 0 8

五、發明說明（36 ) 缺陷，含有異物等之缺陷區域的資料。缺陷區域可由既存 之缺陷檢查裝置檢出。上述記存有缺陷區域之資料的缺陷 資料庫4以對應之連接部12在其與LSI測試器丨，數據 分析用EWS2之間構成綱路。其他的構成則與第！圖相同 而省略其說明。 <分類方法> 第39圖表示第9實施形態之致命缺陷自動抽出方法 中致命缺陷統計處理之分類方法的說明圖。第39圖所示 分類方法相當於依第2及第3圖所示第1實施形態之全體 處理步錄S17實施每一晶圓份的致命缺陷處理的分類方 法。 如第39圖所示’由缺陷數據庫4所得之圖案缺陷區 域41a至41c，與致命缺陷之缺陷位元區域40a及非致命 缺陷之缺陷位元區域40b以一致的座標系表示於同一平面 上以作比較。 圖案缺陷區域41a至41c為如前述之分析用晶圓上的 圖案缺陷、異物等的區域。致命缺陷之缺陷位元區域40a 及非致命缺陷之缺陷位元區域40b則是將利用第1實施增 態之致命缺陷自動抽出方法所抽出之致命缺陷之缺陷位元 區域39a(參照第33圖）及非致命缺陷之缺陷位元區域 3 9b(參照第34圖）變換為上述圖案缺陷區域41a至41c之 座標系所得的區域。 如第39圖所示，設定距離致命缺陷之缺陷位元區域 40a及非致命缺陷之缺陷位元區域40b之座標為T的區 [ΜΙΙΙΙΙΙΪ--^!·1--訂 *--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 41 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 36 310902 經濟郜知曰慧財產局員工消費合作社印 A： B7 五、發明說明（37 ) 域，然後判定圖案缺陷區域41a至41c是否在距離致命缺 陷之缺陷位7L區域40a或非致命缺陷之缺陷位元區域40b 為T的範圍内。 然後如第39圖所示’將存在於距離致命缺陷之缺陷 位兀區域40a為T的範圍内的第！區域内的圖案缺陷區 域41a識別為致命缺陷’將存在於距離非致命缺陷之缺陷 位元區域40b為T的範圍内的第2區域内的圖案缺陷區 域41b識別為非致命缺陷，而將不存在於上述第1及第2 區域的圖案缺陷區域41c識別為無影響缺陷。 如上所述，第9實施形態藉由將依第1實施形態之致 命缺陷自動抽出方法所得之補救判定結果與由缺陷數據庫 所得之圖案缺陷區域對照，即可將圖案缺陷分類為對生產 率有影響的致命缺陷，對缺陷有影響但對生產率無影響之 非致命缺陷’以及對缺陷無影響之無影響缺陷等。 第39圖所示之分類方法’藉由省去層別分類，使所 有層別的致命缺陷位元資料共通化，亦可使用作為依第22 及第23圖所示第2實施形態之全體處理步驟S76或第26 及第27圖所示第3實施形態之全體處理步騍si] 7之每 一晶圓的致命缺陷之統計處理的分類方法。 第10實施形態 第40圖表示本發明之第1 0實施形態之致命缺陷自動 柚出方法中致命缺陷統計處理之分類方法的說明圖。第40 圖新示之分類方法係依苐2 2及第23圖所示第2實施形態 之免體處理之步驟^6或第：>6及第2?圖所示第3實施 -----^---------------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) " f. *ΐ 'f 家 欠· i· 規 λ 10902 4 51 2 0 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印" 五、發明說明（38) 、 形態之全艘處理之步驟S117之每一晶圓之致命缺陷的統 計處理之輸出結果的分類方法。第實施形態之缺陷分 析系統之硬體構成為與第38圓所示第9實施形態之構成 相同β 如第40圖所示，將圖案缺陷區域41<^至44,層別 Α(Α=0，1，2“·之任一）之缺陷位元區域3 5Α，層別 Β(Β = 0，1’2.··之任一’但與層別a不同）之缺陷位元區域 35B’以及非致命缺陷之缺陷位元區域40b於同_晶圓區 域3 3上比較。 圖案缺陷區域41d至41g為如前所述之在晶圓上之圖 案缺陷’異物等的區域。層別A之缺陷位元區域35 A， 層別B之缺陷位元區域35b及非致命缺陷之缺陷位元區 域40b係將利用第2實施形態2或第3實施形態3之致命 缺陷自動抽出方法抽出之層別A的缺陷位元區域3 6 A(參 照第35圖），層別β的缺陷位元區域36B(參照第36圖） 及非致命缺陷之缺陷位元區域39變換為上述圖案缺陷區 域41d至41g之座標系所得之區域。 如第40圖所示’設定距離層別a之缺陷位元區域 3 5A’層別B之缺陷位元區域3 5B及非致命缺陷之缺陷位 元區域40b之座標為τ的區域，判定囷案缺陷區域41d 至41g是在距離層別a之缺陷位元區域35A，層別β之 缺陷位元區域3 5B或非致命缺陷之缺陷位元區域4〇b為T 的範圍内或是在範圍外β 然後如第40囷所示，將存在於距離層別a之缺陷位 .1— ! I Ί I ----------------訂 *1 — — — ! 睡,- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 38 310902 Δ7 Δ7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 费 合 作 社 印 Vi

L 以' 國國家榫丑（cNsvvi mum 五、發明說明（39) 元區域3 5A為T之範圍之第1區域内的圖案缺陷區域41d 識別為層別A的致命缺陷，將存在於距離層別b之缺陷 位疋區域3 5B為T之範圍之第2區域内的圖案缺陷區域 41e識別為層別B的致命缺陷’將存在於距離非致命缺陷 之缺陷位元區域40b為T之範圍之第3區域内的圖案缺 陷區域40f識別為與致命缺陷以外之缺陷相同的非致命缺 陷’而將不存在於前述苐]至第3區域内的圖案缺陷區域 41g識別為無影響缺陷。 如上所述’第1 0實施形態將第2實施形態或第3實 施形態之致命缺陷自動抽出方法所得之判定結果與由缺陷 數據庠所得之圖案缺陷區域對照，即可將圖案缺陷分類為 依層別分類之對生產率有影響的致命缺陷’對缺陷有影響 但對生產率無影響的非致命缺陷，以及對缺陷無影響之無 影響缺陷等。 第11實施形態 第41至第43圖表示本發明之第丨丨實施形態之致命 缺陷自動抽a方法之致命缺陷、统計處理之輸出、结果的說明 圖。第41至第43圖所示輪出結果為依據第”圖所示第 9實施形態的分類方法之輸出結果。 如第4 1圖所示於被測定樣品之顯示用晶圓3 7上所 设之複數晶片38中顯示所存在的絲a & 1 只f m仔隹的致命缺陷區域42a(.相當 於第3 9圖之圖案缺陷區域4〗a), 如第42圖所示1晶圖上所設之複數晶片則 #示所存在非致命缺陷區域U…相當於第3 Q圖之圖案 3 [0902 — — — Ι!ιιί!* · I I----- (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 4512 0 8 A7 B7 五、發明說明（40 ) 缺陷區域41b)。 如第43圖所示，於晶圓37上所設之複數晶片38中 顯示所存在的無影響缺陷區域42 c(相當於第39圖之圖案 缺陷區域41c)。第41至第43圖之顯示可同時或分別實 行。 如上所述’第11實施形態應用第9實施形態的識別 方法’分類為對生產率有影響的致命缺陷，對缺陷有影響 但對生產率無影響的非致命缺陷，以及對缺陷無影響的無 影響缺陷之後’即能由視覺瞭解各圖案缺陷之重量發生分 佈0 第12實施形態 第44至第47圖表示本發明之第12實施形態之致命 缺陷自動抽出方法之致命缺陷統計處理之輸出結果的說明 圖。第44至第47圓所示輸出結果為依據第40圖所示第 10實施形態之分類方法的輸出決果β 如第44圖所示，於被測定樣品之顯示用之晶圓37上 所設之複數晶片38中顯示所存在之層別Α之致命缺陷區 域34A(相當於第40圖之圊案缺陷區域41 d)。 如第45圖所示，於被測定樣品之晶圓37上所設之複 數晶片38中顯示所存在之層別b之致命缺陷34B(相當於 第40圖之圖案缺陷區域41e)» 如第46圖所示，於晶圓37上所設之複數晶片38中 顯示所存在之非致命缺陷區域3 4C(相當於第40圖之圖案 缺陷區域41f)〇 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •^,OJ 1 ear n n I 1 -r i.» n I I n I J n If n . 310902 經濟部智慧財產局_工消費合作.社印智 A7 ------------ B7_ 五、發明說明（41) 如第47圖所示，於晶圓37上所設之複數晶片38中 顯示所存在之無影響缺陷區域3 (相當於第圖之圖案 缺陷區域41 g)。又第44至第47圖之顯示可同時實行， 然分別實行亦可。 如上所述，第丨2實施形態應用第10實施形態的識別 方法，分類為對生產率有影響之依層別區分的致命缺陷， 對缺fe有影響但對生產率無影響之非致命缺陷，以及對缺 陷無影響之無影響缺陷之後，即能由視覺瞭解各層別之圖 案缺陷的發生分佈。 ! 施形旗 第48圖表示本發明之第π實施形態之致命缺陷自動 抽出方法之致命缺陷統計處理之輸出結果的說明圖。第48 圖所不的輸出結果為依據第39圖之第9實施形態之分類 方法的輸出結果。 如第48圖所示’於被測定樣品之一顯示用晶圓37上 所設之複數晶片38中將致命缺陷區域42 a(相當於第39 圖之圖案缺陷區域4la)，非致命缺陷區域42b(相當於第39 圖之圖案缺陷區域4ib)，以及無影響缺陷區域42c (相當 於第39圖之圖案缺陷區域41c)一起顯示= 如上所述’第〗3實施形態為應用第9實施形態的識 別方法 '將分類為對生產率有影響的致命缺陷，對缺陷有 衫響但對生產率無影響的非致命缺陷，以及對缺陷無影響 的無影響缺陷之圖案缺陷，可識別的顯示在一晶圓上因 此能由視覺立即瞭解圖案缺陷的重疊之發生分佈狀態 1.1 I,,,,. . H ________ . 裝-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 512 0 8 at B7 五、發明說明（《) 、 第14管施形態 第49圖表示本發明之第14實施形態之致命缺陷自動 抽出方法之致命缺陷統計處理之輸出結果的說明圖。第49 圖所示之輸出結果為依據第40圖所示之第1〇實施形態的 分類方法之輸出結果。 如第49圖所示’於被測定樣品之晶圓37上所設之複 數晶片38中，將層別Α之致命缺陷區域34 Α(相當於第40 圖之圖案缺陷區域41 d)，層別B之致命缺陷區域3 4B(相 當於第40圖之圖案缺陷區域41 e)，非致命缺陷區域34C (相 當於第40囷之圖案缺陷區域41 f)，以及無影響缺陷區域 3 4D(相當於第40圖之圖案缺陷區域41 g)—起顯示》 如上所述’第14實施形態應用第1〇實施形態之識別 方法，將分類為對生產率有影響的致命缺陷，對缺陷有影 攀但對生產率無影響的非致命缺陷，以及對缺陷無影響的 無影響缺陷之圖案缺陷，可識別的顯示在一晶圓上，因此 能由視覺立即瞭解各層別之圖案缺陷的發生分佈狀態。 第15實施形態 <硬體構成> 第50囷表示本發明第15實施形態之缺陷分析系統之 系統構成方塊圖。如圖所示，本實施形態與第1圖所示之 第1實施形態的缺陷分析系統之構成大體相同，但以追加 有WT資料庫3之處為不同。 WT資料庫3記存有對於分析用晶園上之複數晶片實 施電氣試驗以邦定是否為良好之晶圓測試（wafer test/WT) 本紙張尺度適用令周國家標準（CNS)A4規格（2J0 X 297公楚） (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i ,束 -------訂---------線 —.乂--------------- 310902 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印絮 n〇9()2 五、發明說明（43) ' 的結果。wt之測試項目包含對於替換用之記憶體晶胞的 替換是否為可能的判定，因此於WT判定為不良的晶片為 具有不能用替換用記憶體晶胞補救之致命缺陷的晶片’又 於WT實行功能（funct；i〇n)不良，待機電流異常不良等項 目別的測試。如上述之記存有WT資料的WT資料庫3係 介由連接部在其與LSI測試器1，數據分析用EWS2 之間形成網路。其他部分之構成則與第1圖相同而省略其 說明。 <第1方法> <全體處理> 第5 1及第5 2圖表示第1 5實施形態之缺陷分析系統 之致命缺陷自動抽出方法之第1方法的全體處理流程圖。 如該圖所示’第1方法之全體處理流程與第2及第3圖所 不第I實施形態之全體處理流程大體相同，但於步驟S 2， S3之間追加步驟Si8之處為不同。 步驟S18係在步驟S2之後實行，即依據WT資料庫 3記存之過去的WT結果’對於步驟S2的選擇的晶片判 定是否實行步驟S3至S14之致命缺陷自動柚出處理。 如於步驟S18判定為實行致命缺陷自動抽出處理時 則進入步驟S 3 ’實行與第1實施形態同樣的致命缺陷自 動柚出處理，而如判定為不實行致命缺陷自動抽出處理時 則進入步棘S15，不實行致命缺陷自動柚出處理而直接實 行下一晶片選擇處理。 又於步驟s 18之判斷的基準可考慮（丨丨只以缺陷晶片 衣 Ά ^ ® 0 ?^TcNS)A4 ΐ 21(7^ 297 > -— 一"一"— 裝--------訂- ---I---線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經 濟 部 智 慧 財 產 肩 消 費 合 作 社 印 製 4 512 0 η 五、發明說明（44) 為對象，（2)在缺陷晶片中只對層於特定的項目（功能不 良，待機電流異常不良等）之缺陷晶片為對象，以及（3)只 對屬於複數之項目之任一的缺陷晶片為對象等基準，於第 1 5實施形態只對相當於上述基準之晶片實施致命缺陷抽 出的處理。 <第2方法> <全體處理> 第53及第54圖表示第1 5實施形態之缺陷分析系統 之致命缺陷自動抽出方法之第2方法的全體處理流程圖。 如該圖所示’第2方法之全體處理流程與第26及第27圖 所示第3實施形態之全體處理流程大體相同，而只在追加 步驟S118之處不同。 步驟S118為在步驟SI02之後實行，即依據WT資料 庫3所記存之過去的WT結果，對於步驟S102所選擇的 晶片判定是否實行步驟S103至S114之致命缺陷自動抽 出處理。 如於步驟S118判定為實行致命缺陷自動抽出處理時 則進入步驟S103,實行與第3實施形態同樣的致命缺陷 自動抽出處理，而如判定為不實行致命缺陷自動抽出處理 時則進入步驟S115，不實行致命缺陷自動抽出處理而直 接實行下一晶片選擇處理》 於步驟S118使用之判斷基準係與第1方法之步驟S18 使用的判斷基準相同。 <效果> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----JI — 訂·--------線— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210x297公釐） 44 310902 轉濟部智慧財產局員工消費合作祛印": A7 ________B7__ 五、發明說明（45) 如上所述’於實行致命缺陷自動抽出方法之處理時， 參照記存在WT資料庫3之WT結果’判定是否對選擇之 晶片實行致命缺陷自動抽出處理而能於短時間内實行致命 缺陷自動抽出處理。又由於採用上述（2)或（3)之判斷基準， 亦可對各缺陷項目實行致命缺陷的自動統計。 <對於記錄媒體的適用> 將第1實施形態至第1 5實施形態所述致命缺陷自動 抽出方法之致命缺陷自動抽出處理實行程式記錄在可由數 據分析用EWS2之CPU讀取之CD-R0M5(參照第！圖）等 的記錄媒體’然後依據記錄在CD-R0M5之致命缺陷自動 抽出處理實行程式由數據分析用EWS2實行致命缺陷自動 抽出處理的構成亦可。 [發明的效果] 如以上的說明’本發明申請專利範圍第1項之缺陷分 析系統的數據分析手段為依據記憶體晶胞的測試結果，實 行包含依考慮了 Y方向之缺陷之X方向替換能力之乂方 向補救判定處理與依考慮了 X方向之缺陷之γ方向替換 能力之Y方向補救判定處理之連續處理以及致命缺陷統 計處理的致命缺陷自動抽出處理，因此能自動的統計致命 缺陷位元資料。 於此之X方向補救判定處理為考慮γ方向之缺陷而 實行’又Y方向補救判定處理為考慮X方向之缺陷而實 行因此能得精度比較高之致命缺陷位元資料」 依申請專利範圍第.3項之缺陷分析系统，v方向及χ •U.请 ;ϊ 通用 國 g 家標準 ί CNS; Α4 規格 c 丨ν :?9:.公釐） ~~ - 310902 f I ----- ---訂·！------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 45 451208 A7 B7_ _____ 五、發明說明（46 ) 1請先閱讀背面之注意事項典填寫本 方向假想替換能力各含有從Y方向及X方向替換能力所 決定之最大能力至0逐一設定之第3之數的γ方向及χ 方向設定假想替換能力，X方向及Υ方向補救判定處理 由於是按第3數的Υ方向及X方向假想替換能力各連績 實行第3數次，因此能依實際Υ方向及X方向替換能力 細密的各實行考慮Υ方向及X方向之缺陷的X方向及γ 方向補救判定處理，其結果能得正確的致命缺陷位元資 料。 依申請專利範圍第3項之缺陷分析系統，其致命缺陷 位元資料係依據實行第3數次的X方向補救判定處理及 Υ方向補救判定處理而判定為不能補救時之γ方向設定 假想替換能力及X方向設定假想替換能力中之至少一方 的能力’設定在預先設定的複數層別之一層別，因此由檢 驗致命缺陷位元資料的層別即可識別缺陷的危險度β 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 依申請專利範圍第4項之缺陷分析系統，其致命缺陷 位元資料於第i(i=l至Ζ之任一）之X方向補救判定處理 及Y方向補救判定處理識別為不能補救時，可將其分類 為第i層別，因此由檢驗致命缺陷位元資料的層別即可識 別缺陷的危險度。 依申請專利範圍第5項之缺陷分析系統之數據分析手 段的致命缺陷統計處理，由於包含（f)將複數晶片之中含 有致命缺陷位元資料的晶片以能由視覺瞭解之顯示用晶圓 顯示的步驟’因此由觀察顯示用晶圓即可瞭解晶圓上之致 命缺陷的晶片分佈。 310902 本纸張尺度適用中國國家標苹（CNS>A4規格（210 X 297公龙 經濟部智慧財產局員工消費合作社印.失 A7 _____B7__^ 五、發明說明（47) 依申請專利範圍第6項之缺陷分析系統之數據分析手 段分析手段的致命缺陷統計處理，由於包含（f)將致命缺 陷位元資料所界定之缺陷區域以能由視覺瞭解之顯示用晶 圓顯示的步驟’因此由觀察顯示用晶圓即可瞭解晶圖上之 致命缺陷區域的分佈。 依申請專利範圍第7項之缺陷分析系統之數據分析手 段的致命缺陷統計處理，由於包含（f)將由缺陷位元資料 除去致命缺陷位元資料而得之非致命缺陷位元資料所界定 的缺陷區域以能由視覺瞭解之顯示用晶圓顯示的步驟，因 此由觀察顯示用晶圓即可瞭解晶圓上之非致命缺陷區域的 分佈。 依申請專利範圍第8項之缺陷分析系統之數據分析手 段的致命缺陷統計處理，由於包含（f)將第1層別的致命 缺陷位元資料所界定之缺陷區域以能由視覺瞭解之第}顯 示用晶圓顯示的步驟，及（g)將不同於第1層別之第2層 別的致命缺陷位A資料Μ定之缺陷區_能由視覺瞭解 之第2顯示用晶圓顯示的步驟，因此藉由分別觀察第}及 第2顯示用晶圓即可瞭解晶圓上之第1及第2層別之致命 缺陷區域的分佈。 依申請專利議9項之缺陷分析系統之數據分析乎 段的致命缺陷統計處理，由於包含（f)識別第ι層别之致 命缺陷位元資料所界定的缺陷區域以及與帛i層日別不同之 第2場別之致命缺陷位元資料所界定的缺陷區域而以能由 視覺瞭解之顯示用晶圓顯示的步驟.因此由觀察顯示用晶 用：i 國家 ϋ(：'π)7Γ^ 格— ----- -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項存填窵本頁) 47 310902 A7 B7 五、發明說明（40 圓即可同時瞭解晶圓上之第丨及第2層別之致命缺陷區域 的分佈。 依申請專利範圍第10項之缺陷分析系統之數據分析 手段的致命缺陷統計處理，由於包含⑴將存在於以藉缺 陷區域資料附加手段而得之缺陷區域資料所界定的缺陷區 域及致命缺陷位元資料所界定之缺陷區域為基礎之第1區 域内的致命缺陷區域；存在於以且缺陷位元資料除去致命 缺陷位元資料所得之非致命缺陷位元資料所界定之缺陷區 域為基礎之第2區域内的非致命缺陷區域；以及不存在於 第1及第2區域内之無影響缺陷區域予以分類的步驟，因 此能將缺陷區域依其與致命缺陷位元資料的關係予以分 類。 依申請專利範圍第11項之缺陷分析系統之數據分析 手段的致命缺陷統計處理，由於在步驟（f)之後，再包含（g) 將致命缺陷區域以能由視覺瞭解之第1顯示用晶圓顯示的 步驟，（h)將非致命缺陷區域以能由視覺瞭解之第2顯示 用晶圓顯示的步驟’以及⑴將無影響缺陷區域以能由視 覺瞭解之第3顯示用晶圓顯示的步驟，因此由觀察第1至 第3顯示用晶圓即可瞭解晶圓上之致命缺陷區域，非致命 缺陷區域及無影響缺陷區域之分佈β 依申請專利範圍第12項之缺陷分析系統之數據分析 手段的致命缺陷統計處理，由於在步驟（f)之後，再包含（g) 識別致命缺陷區域’非致命缺陷區域及無影響缺陷區域之 各區域而以能由視覺瞭解之顯示用晶圓顆示的步驟，因此 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I I--I I 訂 ------I I · I. 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 冬纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱 48 310902

五、發明說明（49) 經濟郭智慧財產局員工消費合作社印製 觀察顯示用晶圓，可同時瞭解晶圓上之致命缺陷區域’非 致命缺陷區域及無影響缺陷區域的分佈。 依申請專利範圍第13項之缺陷分析系統之數據分析 手段的致命缺陷統計處理，由於包含⑴將存在於以藉缺 陷區域資料附加手段而得之缺陷區域資料所界定之缺陷區 域及第1層別之致命缺陷位元資料所界定的缺陷區域為基 礎之第1區域内的第1層別致命缺陷區域；存在於不同於 第1層別之第2層別之致命缺陷位元資料所界定之缺陷區 域為基礎的第2區域内之第2層別致命缺陷區域；存在於 由缺陷位元資料除去致命缺陷位元資料之非致命缺陷位元 資料所界定的缺陷區域為基礎的第3區域内之非致命缺陷 區域；以及不存在於第1至第3區域内之無影響缺陷區域 予以分類的步驟，因此可將缺陷區域依其與第1及第2層 別之致命缺陷位元資料的關係予以分類。 依申請專利範圍第1 4項之缺陷分析系統之數據分析 手段的致命缺陷統計處理，由於在步騍之後，包含（g) 將第1層別之致命缺陷區域以能由視覺瞭解之第1顯示用 晶圓顯示的步騍，（h)將第2層別之致命缺陷區域以能由 視覺瞭解之第2顯示用晶圓顯示的步驟，（丨）將非致命缺 陷區域以能由視覺瞭解之第3顯示用晶圓顯示的步称，以 及⑴將無影響缺陷區域以能由視覺瞭解之第4顯示用晶 圓顯示的步驟f因此由觀察第1至第4之顯示用晶圓，可 分別瞭解晶圓上之第1及第2層別之致命缺陷區域，非致 命缺陷區域以及無影響缺陷區域的分佈. ^--------^---------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參紙張尺沒適用中國ϋ家標罩（CXS)A ί規格（2丨0、> 49 310902 A7 4 51 2 0 8 B7_ 五、發明說明（5〇) 依申請專利範圍第15項之缺陷分析系統之數據分析 手段的致命缺陷統計處理，由於在步驟（f)之後，再包含 識別致命缺陷區域’非致命缺陷區域及無影響缺陷區域之 各區域而以能由視覺瞭解之顯示用晶圓顯示的步驟，因此 藉由分別觀察顯示用晶圓可同時瞭解晶圓上之第1及第2 層別之致命缺陷區域’非致命缺陷區域以及無影響缺陷區 域之分佈》 依申請專利範圍第16項之缺陷分析系統之數據分析 手段的致命缺陷統計處理，由於再包含在X方向補救判 定處理及Y方向補救判定處理之前實行之依據晶圓測試 資料’而只對複數晶片中滿足預定條件之晶片實行X方 向補救判定處理及Y方向補救判定處理之晶片選擇處理， 因此能只對需要最小限的晶片實行X方向補救判定處理 及Y方向補救判定處理，由此可圖得實行時間的縮短。 依本發明申請專利範圍第17項之致命缺陷抽出方 法，係依據得自步驟（a)之記憶體晶胞測試結果實行依步 驟（b)及步驟（c)之考慮Y方向之缺陷而實行依X方向替換 能力的X方向補救判定處理，依步驟（d)及步驟（e)之考慮 X方向之缺陷而實行依Y方向替換能力的γ方向補救判 定處理，以及依步驟（f)之致命缺陷統計處理。 上述X方向補救判定處理為考慮Y方向之缺陷而實 行’而上述Y方向補救判定處理為考慮X方向之缺陷而 實行，因此能得精度比較高的致命缺陷位元資料。 依本發明申請專利範圍第18項之記錄媒體，由於係 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製

-I n. n ^-°4I n 1· I I - h I n n I— It I I I I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 50 310902 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合fT?:tH;-'絮 五、發明說明（5〇 7 將申明專利範圍第17項之致命缺陷抽出方法之能由電腦 執行的程式°己存，因此由電腦執行該程式即可自動的實行 致命缺陷位元資料的統計。 [圖面的簡單說明] 第1圖表示本發明第1實施形態之缺陷分析系統之系 統構成方塊圖。 第2圖表示第〗實施形態之致命缺陷自動抽出方法全 體處理的流程圖。 第3圖表示第1實施形態之致命缺陷自動抽出方法全 體處理的流程圖。 第4圖表示第2及第3圖之X線補救判定處理之詳 細流程圖。 第5圖表示第2及第3圖之x線補救判定處理之詳 細流程圖。 第6圖表示第2及第3圖之γ線補救判定處理之詳 細流程圖。 第7圖表示第2及第3圖之γ線補救判定處理之詳 細流程圖。 第8圖表示用位元表示之晶片平面的說明圖。 第9圖表示位元尺寸，替換最小單位及X線替換對 象區域之關係的說明圖。 第丨〇圖表示位元尺寸1替換最小單位及Υ線替換對 象區域之關係的說明圖， 第Η圖表示以替換最+單位退化之.晶片斗面的說·明 -¾ 4¾ A Ϊ (：；)0 乂; 51 Γΰ)9〇2 I II I — — — — — — · f I -------------- f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 51 2 0 8 A7 B7 五、發明說明（52) 圖。 第12圊表不晶片平面上之χ線替換對象區域的說明 圖。 第13圈表示晶片平面上之γ線替換對象區域的說明 圖。 第14圖表示X線補救判定處理之說明圖。 第15圖表示X線補救判定處理之說明圖a 第16圖表示X線補救判定處理之說明圖。 第17圖表示X線補救判定處理之說明圖。 第18圖表示Y線補救判定處理之說明圖。 第19圊表示Y線補救判定處理之說明圖。 第20圖表示Y線補救判定處理之說明圖。 第21圖表示Y線補救判定處理之說明圖。 第22圖表示本發明第2實施形態之致命缺陷自動抽 出方法的全體處理流程圖。 第23圖表示本發明第2實施形態之致命缺陷自動抽 出方法的全體處理流程圖。 第24圖表示第22及第23圖之X線補救判定處理之 詳細的流程圖。 第25圖表示第22及第23圖之Y線補救判定處理之 詳細流程圖。 第26圖表示本發明第3實施形態之致命缺陷自動抽 出方法的全體處理流程圖。 第27圖表示本發明第3實施形態之致命缺陷自動抽 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ^-------- 訂-------- •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 χ 297公爱） 52 310902 經，濟部智慧財產局壽工消費合泎社"1.:%.. A7 _B7_ 五、發明說明（53) 出方法的全體處理流程圖。 第28圖表示第26及第27圖之X線補救判定處理之 詳細的流程圖。 第29圖表示第26及第27圖之X線補救判定處理之 洋細的流程圖。 第30圖表示第26及第27圖之Y線補救判定處理之 詳細的流程圖。 第31圊表示第26及第27圖之Y線補救判定處理之 詳細的流程圖。 第32圖表示第4實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第33圖表示第5實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第34圖表示第6實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第3 5圖表示第7實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第36圖表示第7實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第37圖表示第8實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第3 8圖表示第9實施形態之缺陷分析系統之系統構 成的方塊圊。 第3 9圖表示第9實施形態之分類方法的說明圖： 310902 I n — ! ϋ n n ϋ I I I I I . - - —. —- i J— I · i n I _ _ _ _ I <請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 4 51 2 0 8 A7 B7___ 五、發明說明（54 ) 第40圖表示第10實施形態之分類方法的說明圖。 第41圖表示第11實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第42圖表不第11實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第43圖表不第11實施形態之統計處理之輸出结果的 說明圖》 第44圖表示第12實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第45圖表示第12實施形態之統計處理之輸出結果的 說明圖。 第46圖表示第12實施形態之統計處理之輪出結果的 說明圊。 第47圖表示第12實施形態之統計處理之輪出結果的 說明圖。 第48圖表示第13實施形態之統計處理之輪出結果的 說明圖。 第49圖表示第14實施形態之統計處理之輸出結果的 說明囷。 第50圖表示第15實施形態之缺陷分析系統之系統構 成的方塊圖。 第51圖表示第〗5實施形態之致命缺陷自動抽出方法 之全體處理的第1方法之流程圖》 第52圖表示第15實施形態之致命缺陷自動抽出方法 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- -----------線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 54 310902 A7 __________B7___ 五、發明說明（55) 之全體處理的第1方法之流程圖。 第53圖表示第15實施形態之致命缺陷自動抽出方法 之全體處理的第2方法之流程圖。 第54圖表示第實施形態之致命缺陷自動抽出方法 之全體處理的第2方法之流程圊。 [符號的說明] 1 LSI測試器 2 數據分析用丘评8 3 WT資料庫 4 缺陷資料庫

5 CD-ROM (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經.濟邨智慧財產局良X消費合作社ep L,., -,；Λ φ iiTiT' ：：ov Μ 0902

Claims (1)

1. 4 51 2 0 8 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種缺陷分析系統，為對於含有複數晶片之分析用晶 圓實行缺陷分析的系統，前述複數晶月各含有界定X 方向及Y方向之配置成矩陣狀之複數記憶體晶胞以及 可與前述複數記憶體晶胞中之缺陷記憶艎晶胞替換之 替換記愫體晶胞群，前述替換記憶體晶胞群可於X方 向及Y方向各依預定的X方向替換能力及預定的γ方 向替換能力實行替換，該缺陷分析系統具備： 檢出务前述複數晶片中之前述複數記憶艎晶胞之 良好/缺陷而輪出對缺陷之記憶體晶胞附加缺陷位元資 料之記憶體晶胞測試結果的記憶體晶胞測試裝置；以 及 依據前述記憶體晶胞測試結果，以實行包含考慮 前述Y方向之缺陷之依前述X方向替換能力的X方向 補救判定處理與考慮前述X方向之缺陷之依前述γ方 向替換能力的Y方向補救判定處理之連續處理以及致 命缺陷統計處理之致命缺陷自動抽出處理的數據分析 裝置，其中 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 前述X方向補救判定處理包含： (a) 使前述複數記憶體晶胞退化為複數X方向替換 對象記憶體晶胞群，對各前述複數X方向替換對象$ 憶體晶胞群，依據前述缺陷位元資料及預定之γ方向 假想替換能力，並考慮前述Y方向之缺陷而判定良好/ 缺陷的步驟；以及 (b) 對於前述複數X方向替換對象記憶體晶胞群之 210X297公釐 50 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 310902 Μ濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ____D8 六、申請專利範圍 — ~~~ 中經前述步驟（a)判定為缺陷的各第〗數之χ方向替換 對象記憶體晶胞群，依據前述x方向替換能力在能補 救的範圍實行補救判定的步驟， 前述Y方向補救判定處理包含： (0使前述複數記憶體晶胞退化為複數γ方向替換 對象記憶體晶胞群，對各前述複數γ方向替換對象記 憶體晶胞群，依據前述缺陷位元資料及預定之χ方向 假想替換能力，並考慮前述X方向之缺陷而判定良好/ 缺陷的判定步驊；以及 (d) 對於前述複數之γ方向替換對象記憶體晶胞群 之中經前述步驟（c)假判定為缺陷的各第2數之γ方向 替換對象記憶體晶胞群，依據前述γ方向替換能力在 能補救的範圍進行補救判定的步驟， 前述致命缺陷統計處理包含： (e) 將前述記憶體晶胞測試結果的前述缺陷位元資 料之中，經前述X方向補救判定處理及前述γ方向補 救判定處理而不能補救之記憶體晶胞之缺陷位元資料 之致命缺陷位元資料予以統計的步驟。 2如申請專利範圍第1項之缺陷分析系統，其中前述γ 方向假想替換能力包含從前述γ方向替換能力所決定 之最大能力至0逐一加以設定之第3數的γ方向設定 假想替換能力； 前述X方向假想替換能力包含從前述χ方向替換 能力所決定之最大能力至〇逐—加以設定之前述第3 ㈤ --------------------------------------------------------------------------------;〜- 310902 --------------，玎------^ ί靖先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} Ag B8 C8 D8 經濟部中央標準局WBC工消費合作社印製 六、申請專利範圍 數的X方向設定假想替換能力，前述第3數的X方向 設疋假想替換能力為對應於前述第3數的γ方向設定 假想替換能力，而 前述X方向補救判定處理及前述γ方向補救判定 處理為依各前述第3數的Y方向設定假想替換能力及 前述X方向假想替換能力連續實行前述第3數次，並 按各次識別不能補救的前述致命缺陷位元資料。 3. 如申請專利範圍第2項之缺陷分析系統，其中前述致 命缺陷位元資料為依據前述第3數次所實行之前述X 方向補救判定處理及前述γ方向補救判定處理而判定 為不能補救時之Y方向設定假想替換能力及X方向設 定假想替換能力中之至少一方的能力，而將層別設定 於預先設定之複數層別之一，而 前述致命缺陷統計處理為分類成前述複數的層別 以實行前述致命缺陷位元資科的統計。 4. 如申請專利範圍第1項之缺陷分析系統，其中前述γ 方向假想替換能力包含設定有第I至第Z(ZS 2)層別的 第1至第Z的Y方向設定假想替換能力，前述X方向 假想替換能力包含設定有第1至第Z層別的第1至第 Z X方向設定假想替換能力， 前述X方向補救判定處理及前述Y方向補救判定 處理為依各前述第1至第ZY方向設定假想替換能力 及前述X方向假想替換能力連續實行Z次，並按各次 識別不能補救之前述致命缺陷位元資料； C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 58 310902 經濟部中夬標準局員工消費合作社印嚷 310902 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 如前述致命缺陷位元資料於第i(i=l至Z中之任 一）之前述X方向補救判定處理及前述Y方向補救判 定處理中識別為不能補救，則將其分類為第丨層別， 而 前述致命缺陷統計處理則統計分類為第1至第Z 層別之前述致命缺陷位元資料a 5. 如申請專利範圍第丨至第4項之任一項的缺陷分析系 統，其中前述致命缺陷統計處理在前述步驟（e)之後更 包含： (f)將别述複數晶片之中含有前述致命缺陷位元資 料的晶片以能由視覺瞭解之顯示用晶圓顯示的步驟。 6. 如申請專利範圍第1至第4項之任一項的缺陷分析系 統，其中前述致命缺陷統計處理在前述步驟（e)之後更 包含： (f)將前述致命缺陷位元資料所界定之缺陷區域以 能由視覺瞭解之顯示用晶圓頬示的步驟。 7. 如申請專利範圍第】至第4項之任一項的缺陷分析系 統，其中前述致命缺陷統計處理在前述步驟（e)之後更 包含： (f)將自前述缺陷位元資料除去前述致命缺陷位元 資料而得之非致命缺陷位元資料所界定之缺陷區域以 能由視覺瞭解之顯示用晶圓顯示的步驟： 8如申請專利範圍第3至第4項之缺陷分析系統其中 前述致命缺陷統計處理在前述步驟（e)之後更包含： 1_ _ I ,, ,,,ιιτι 一 I 『___ .1 —_ 衣紙張度適用中囤國家標準.:CNS ) 格 ------------------ν一—— -------------^-----ί ^------線· <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 451 2 0 8 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (f) 將第1層別之前述致命缺陷位元資料所界定之 缺陷區域以能由視覺瞭解之第1顯示用晶圓顯示的步 驟；以及 (g) 將不用於前述第1層別之第2層別之前述致命 缺陷位元資料所界定的缺陷區域以能由視覺瞭解之第 2顯示用晶圓顯示的步驟。 9. 如申請專利範圍第3至第4項之缺陷分析系統，其中 前述致命缺陷統計處理在前述步驟（e)之後，再包含： (f)識別第1層別之前述致命缺陷位元資料所界定 的缺陷區域’及不同於前述第〗層別之第2層別的前 述致命缺陷位元資料所界定之缺陷區域並以能由視覺 瞭解之顯示用晶圓顯示的步驟β 10. 如申請專範圍第1至第4項之任一項的缺陷分析系統， 其中更具備用以供給界定有包含前述分析用晶圓中之 圖案缺陷之缺陷區域之缺陷區域資料的缺陷區域資料 供給裝置； 又前述致命缺陷統計處理於前述步驟（e)之後再包 含： (f)將存在於以藉前述缺陷區域資料供給裝置而得 之前述缺陷區域資料所界定的前述缺陷區域及前述致 命缺陷位元資料所界定之缺陷區域為基礎之第、區域 内的致命缺陷區域，存在於以自前述缺陷位元資料除 去前述致命缺陷位元資料之非致命缺陷位元資料所界 定的缺陷區域為基礎之第2區域内的非致命缺陷區 本紙浪尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 310902 --------i> ! 爿' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 60 Μ Β8 C8 D8 經 濟 部 智 財 產 局 員 費 社 310902 申請專利範圍 域，以及不存在於前述密】u j逆第1及苐2區域内之無影響缺 陷區域予以分類的步驟。 11 ‘如申請專利範圍第1 〇項之缺 .^ _ x ή <蜗陷分析系統，其中前述致 命缺陷統計處理在前述步驟（f)之後再包含： (g) 將則述致命缺陷區域以能由視覺瞭解之第丨顯 不用晶圓顯不的步称； (h) 將前述非致命缺陷區域以能由視覺瞭解之第之 顯示用晶圓顯不的步驟：以及 (i) 將則述無影響缺陷區域以能由視覺瞭解之第3 顯示用晶圓顯示的步驟。 1 2.如申請專利範圍第1 〇項之缺陷分析系統，其中前述敢 命缺陷統計處理在前述步驟（f)之後，再包含： (g)識別前述致命缺陷區域，前述非致命缺陷區域 及前述無影響缺陷區域之各區域並以能由視覺瞭解之 顯示用晶圓顯示的步驟。 13.如申請專利範圍第3項或第4項之缺陷分析系統，其 中更具備用以供給界定有包含前述分析用晶圓中之_ 案缺陷的缺陷區域之缺陷區域資料的缺陷區域實料供 給裝置， 前述致命缺陷處理並在前述步驟（e)之後，再包 含： (t' +)將存在於以藉前述缺陷區域資料供給裝置而得 之前述缺陷區域資料所界定的前述缺陷區域及第彳層 别之前述致命缺陷位元資料#界定的缺陷區域為基礎 ,..·__·_----~·~1· Tint·…丨 Ί . ] __ . . ------------—| |~| **ιι. %*.·»·· · I ·--- !.-!*·>,» vl .»,·..·： V.--f >^,V j 一· 一 *~***··β M匕張尺度適用*國國家標聿；CNS : .M辨格：？！;、以()，,公釐i I I - ^ i n 訂 , ' 線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451208 A8 B8 C8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範国 -- 之第1區域内的第！層別致命缺陷區域，存在於以不 同於前述第i層別之第2層別的前述致命缺陷位元資 ''所界定的缺陷區域為基礎之第2區域内的第2層別 命缺b區域’存在於以自前述缺陷位元資料除去前 述致命缺陷位元資料之非致命缺陷位元資料所界定之 缺I5»區域為基礎之第3區域内的非致命缺陷區域，以 及不存在於前述第！至第3區域内之無影響缺陷區域 予以分類的步驟β 14. 如申請專利範圍第！至第4項之任—項的缺陷分析系 統’其中更具備分別對前述分析用晶圓之前述複數晶 片供給包含將前述複數記憶體晶胞中之缺陷記憶體 晶胞替換為前述替換用記憶艘晶胞群後所測試之電氣 特性的良好/缺陷判定結果之晶圓測試資料的晶圓測試 資料供給裝置，而 前述致命缺陷自動抽出處理更包含： 在前述X方向補救判定處理及前述γ方向補救判 定處理之前實行之依據前述晶圓測試資料，只對前述 複數晶片之中滿足預定的條件之晶片實行前述χ方向 補救判定處理及前述γ方向補救判定處理之晶片選擇 處理。 15, 種致命缺陷抽出方法，為對於含有複數晶片之分析 用晶圓抽出其致命缺陷的方法，前述複數晶片各含有 界定於X方向及Υ方向之配置成矩陣狀之複數記憶趙 晶胞以及可與前述複數記憶餿晶胞中之缺陷記憶體晶 本紙張尺度適用中ΗΗ家揉率（CNS > Α4规格（210X297公羡） 62 310902 δ it 之 注 % 線 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局R'χ消費八&作社印袈 跑替換之替換記憶體晶胞群，而前述替換記憶體晶胞 群可於X方向及Y方向各依預定丨向替換能力及 預定的Y方向替換能力實行替換，該致命缺陷抽出方 法具備： (a) 檢出各前述複數晶片中之前述複數記憶體晶胞 之良好/缺陷而對缺陷記憶體晶胞附加缺陷位元資料以 得該記憶體晶胞測試結果的步驟； (b) 使刚述複數記憶體晶胞退化為複數X方向替換 對象記憶體晶胞群，對各前述複數χ方向替換對象記 憶體晶胞群，依據前述記憶體晶胞測試結果之前述缺 陷位元資料及預定的γ方向假想替換能力，並考慮前 述Υ方向之缺陷而判定良好/缺陷的步驟； (c) 對於前述複數χ方向替換對象記憶體晶胞群 中，經前述步驟（b)判定為缺陷之各第丨數的χ方向替 換對象記憶體晶胞群依據前述χ方向替換能力在能補 救的範圍實行補救判定的步驟； (d) 使前述複數記憶體晶胞退化為複數γ方向替換 對象記憶體晶胞群，對各前述複數γ方向替換對象記、 憶體晶胞群，依據前述記憶體晶胞測試結果之前述缺 陷位兀資料及預定的X方向假想替換能力‘並考慮前 述X方向之缺陷而判定良好/缺陷的步驟； (e) 對於前述複數γ方向替換對象記憶體晶胞群 中，經前述步驟（d)假判定為缺陷之各第2數的γ方向 替換對象記憶體晶胞群依據前述Υ方向替換能力在能 --------------------- 遘用中國國窣標準；CMS ) A4死格,·'ΤΓΤ~~7：；~~™~·"'……一-一-------一.....— 請 先 閲 讀 背 1¾ 之 注 項 再 寫 頁 裝 訂 451208 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ~~ —- 補救的範圍進行補救判定的步驟；以及 (f)在前述記憶體晶胞測試結果之前述缺陷位元資 料之中’將經前述步驟（c)及步琢（e)而不能補救之記憶 體晶胞的缺陷位元資料之致命缺陷位元資料予以統計 的步驟。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 HJ tuc 本紙張尺度適用中國國家鏢準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 64 310902