JP2012038368A - 不良解析装置及び不良解析方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レイヤを跨る不良を検出し、不良タイプの分類を行う。
【解決手段】本実施形態の不良解析装置は、各レイヤに対応するフェイルビットマップにおける不良タイプの分類を行う分類部と、異なるレイヤの不良セルを組み合わせるためのルールを格納する記憶部と、前記分類部による分類結果のうち前記ルールに合致する分類結果をグループ化する判定部と、を備える。前記ルールは、基点不良、前記基点不良の組合せ対象なる関連不良、前記基点不良と前記関連不良との関係を規定する組合せ条件、及び組合せ不良名称を含む。前記判定部は、１つのレイヤの前記分類結果から前記基点不良を抽出し、他のレイヤの前記分類結果から前記組合せ条件に合致する前記関連不良を抽出し、抽出した前記基点不良及び前記関連不良をグループ化して前記組合せ不良名称を付与する。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、不良解析装置及び不良解析方法に関する。

複数のメモリセルを有する半導体メモリの不良解析方法に、フェイルビットマップ（Fail Bit Map、以下ＦＢＭとする）を用いるものがある。ＦＢＭは、テスタを用いて全てのメモリセルに対して電気的特性試験を行い、その試験結果をそれぞれのメモリセルに対応する位置に表示したものである。

従来の半導体メモリはメモリセルが平面に配置されていたため、ＦＢＭも２次元座標（ＸＹ座標）で表現されており、当然、ＦＢＭの不良分類も２次元座標系のＦＢＭを対象としたものであった。２次元座標系ＦＢＭの不良分類は、不良セルの位置関係、不良セルの分布や密度等の情報によって、あらかじめ定義された不良タイプに分類するものであった。

例えば、周囲に不良が存在しない独立した１ビットの不良は「ＢＩＴ」として分類されていた。また、同一Ｘ軸上に不良が連なったものは「ＷＬＩＮＥ」として分類され、同一Ｙ軸上に不良が連なったものは「ＢＬＩＮＥ」として分類されていた。また、それ以外の隣接不良は、「ＯＴＨＥＲ」として分類されていた。

また、ＦＢＭ不良分類に要する処理時間を短縮するために、設定された領域内の不良数をカウントし、その不良数に応じて「領域不良」や「ビット多発不良」として分類することも行われていた。

近年、メモリセルが３次元に配置された半導体メモリが開発されているが、従来のＦＢＭ不良分類は２次元ＦＢＭを前提としていた。そのため、３次元メモリに対して、ＦＢＭをレイヤ毎に分けて２次元ＦＢＭとした上でＦＢＭ不良分類を実行しており、レイヤを跨るような不良を検出し、不良タイプの分類を行うことが出来なかった。

特開２０００−３０６３９５号公報

本発明は、レイヤを跨る不良を検出し、不良タイプの分類を行うことができる不良解析装置及び不良解析方法を提供することを目的とする。

本実施形態によれば、不良解析装置は、半導体メモリのセル毎の良／不良情報が前記メモリセルの物理的配置に対応する物理アドレス順に配列されたフェイルビットマップを受け取り、前記フェイルビットマップをレイヤ毎に分割する分割部と、各レイヤに対応するフェイルビットマップにおける不良タイプの分類を行う分類部と、異なるレイヤの不良セルを同一の不良タイプとして組み合わせるルールを格納する記憶部と、前記分類部による分類結果が、前記ルールに合致するか否か判定し、合致した分類結果をグループ化する判定部と、を備える。前記ルールは、基点不良、前記基点不良の組合せ対象となる関連不良、前記基点不良と前記関連不良との関係を規定する組合せ条件、及び組合せ不良名称を含む。前記判定部は、１つのレイヤの前記分類結果から前記基点不良を抽出し、他のレイヤの前記分類結果から前記組合せ条件に合致する前記関連不良を抽出し、抽出した前記基点不良及び前記関連不良をグループ化して前記組合せ不良名称を付与する。

本発明の第１の実施形態に係る不良解析装置のハードウェア構成図である。 同第１の実施形態に係る不良解析装置の機能ブロック図である。 同第１の実施形態に係る不良解析方法を説明するフローチャートである。 レイヤ組合せルールの一例を示す図である。 同第１の実施形態に係るレイヤを跨いだ不良の検出方法を説明するフローチャートである。 同第１の実施形態に係る不良分類の一例を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る不良解析装置のハードウェア構成図である。 同第２の実施形態に係る不良解析装置の機能ブロック図である。 同第２の実施形態に係る不良解析方法を説明するフローチャートである。 変換テーブルの一例を示す図である。 レイヤ共通ＦＢＭの作成方法を説明するフローチャートである。 レイヤ共通ＦＢＭの作成方法を説明するフローチャートである。 同第２の実施形態に係る不良分類の一例を示す図である。 本発明の第３の実施形態に係る不良解析装置のハードウェア構成図である。 同第３の実施形態に係る不良解析装置の機能ブロック図である。 同第３の実施形態に係る不良解析方法を説明するフローチャートである。 同第３の実施形態に係る不良分類の一例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

（第１の実施形態）図１に本発明の第１の実施形態に係る不良解析装置のハードウェア構成を示す。不良解析装置１００は、テスタ２０と同一ネットワーク上に接続されており、ＣＰＵ（中央演算処理装置）１１０、ディスク装置１２０、メインメモリ１３０、及びネットワークインタフェース１４０を備える。不良解析装置１００の各部はバス１５０を介して接続されている。

テスタ２０は、不良解析対象となる３次元構造メモリの各メモリセルに対して電気的特性試験を行い、試験結果（メモリセルの良／不良情報）を含むフェイルビットマップ（Fail Bit Map、以下ＦＢＭとする）を、ネットワークを介して不良解析装置１００へ出力する。テスタ２０が出力したＦＢＭは、本実施形態とは独立した物理ＦＢＭ変換プログラムによって、試験結果がメモリセルの物理的配置に対応する物理アドレス順に配列されたＦＢＭに変換される。３次元構造メモリは高さ方向にｎ個（ｎは２以上の整数）のレイヤを有するものとする。

ディスク装置１２０は、ＣＰＵ１１０により実行される不良分類プログラムを格納する。さらに、ディスク装置１２０は、レイヤを跨いだ不良を検出する際に使用されるレイヤ組合せルールを格納する。ディスク装置１２０は例えばハードディスクである。なお、不良分類プログラムは、ディスク装置１２０でなく、ＲＯＭや磁気テープ（共に図示せず）に格納されていてもよい。

ＣＰＵ１１０は、ディスク装置１２０内の不良分類プログラムをメインメモリ１３０にロードして、不良分類プログラムを実行する。このとき、ディスク装置１２０内のレイヤ組合せルールをメインメモリ１３０にロードするようにしてもよい。不良分類プログラムの実行に伴い、メインメモリ１３０上には、各レイヤのＦＢＭ（レイヤ１ＦＢＭ、レイヤ２ＦＢＭ、・・・、レイヤｎＦＢＭ）を格納する領域や、各レイヤの不良分類結果（レイヤ１不良分類結果、レイヤ２不良分類結果、・・・、レイヤｎ不良分類結果）を格納する領域が確保される。レイヤ１はＺ（高さ方向）座標が１のレイヤをいう。同様に、レイヤ２、・・・、レイヤｎは、Ｚ座標が２、・・・、ｎのレイヤをいう。

図２に、ＣＰＵ１１０が不良分類プログラムを実行することで実現される機能ブロック図を示す。不良分類プログラムの実行により、読み込み部１１１、レイヤ分割部１１２、２次元ＦＢＭ不良分類部１１３、及びレイヤ間組合せ判定部１１４が実現される。

読み込み部１１１、レイヤ分割部１１２、２次元ＦＢＭ不良分類部１１３、及びレイヤ間組合せ判定部１１４において実行される処理を、図３に示すフローチャートと共に説明する。

（ステップＳ１０１）読み込み部１１１が、ディスク装置１２０上のＦＢＭを読み込む。

（ステップＳ１０２）レイヤ分割部１１２が、ＦＢＭを各レイヤに対応するように分割する。各レイヤのＦＢＭ（レイヤ１ＦＢＭ、レイヤ２ＦＢＭ、・・・、レイヤｎＦＢＭ）はメインメモリ１３０に格納される。各レイヤのＦＢＭは２次元座標（ＸＹ座標）で表現される。

（ステップＳ１０３）変数ｚに１を設定する。

（ステップＳ１０４）２次元ＦＢＭ不良分類部１１３が、レイヤｚＦＢＭについて不良タイプの分類を行う。ここで行われる不良タイプの分類は、公知の２次元座標系ＦＢＭを対象とした不良分類であり、例えば、周囲に不良が存在しない独立した１ビットの不良を「ＢＩＴ」、Ｙ軸上に不良ビットが２つ連続し、かつ周囲にその他の不良が存在しないものを「Ｙ２ＢＩＴ」、Ｘ軸上に不良ビットが連なったものを「ＸＬＩＮＥ」、同一のＹ軸上に不良ビットが連なったものを「ＹＬＩＮＥ」、矩形状に不良ビットが集合したものを「ＢＬＯＣＫ」として分類する。

レイヤｚＦＢＭの不良分類結果（レイヤｚ不良分類結果）は、メインメモリ１３０に格納される。

（ステップＳ１０５）変数ｚを１増やす。

（ステップＳ１０６）ｚがｎより大きい場合はステップＳ１０７へ進み、ｎ以下の場合はステップＳ１０４に戻る。

（ステップＳ１０７）レイヤ間組合せ判定部１１４が、レイヤ組合せルールを参照して、レイヤ別の不良分類結果（レイヤ１不良分類結果〜レイヤｎ不良分類結果）から、レイヤを跨いだ不良を検出し、不良タイプを分類する。

（ステップＳ１０８）ステップＳ１０７における分類結果を含むメインメモリ１３０に格納された不良分類結果がディスク装置１２０へ出力される。

図４に、レイヤ組合せルールの一例を示す。レイヤ組合せルールは、基点不良と、組合せ条件と、関連不良（削除フラグ）と、組合せ不良名称とから構成される。

「基点不良」とは、レイヤ間組合せ判定（レイヤを跨ぐ不良として組み合わせるか否かの判定）を行う基点となる不良である。

「組合せ条件」は、前述の基点不良と後述の関連不良の関係を表す条件で、この条件を満たした場合に基点不良と関連不良はまとめられ、新たに後述の組合せ不良名称が付けられる。

「関連不良」は、前述の基点不良と組み合わせる対象の不良で、複数の種類を指定することが可能である。関連不良の後ろに付けられる削除フラグは、組合せ条件が満たされて新たな組合せ不良となったときに、関連不良を削除するか否かを示す。

図５に示すフローチャートを用いて、レイヤを跨いだ不良の検出及び不良タイプの分類方法を説明する。

（ステップＳ２０１）変数ｒに１を設定する。

（ステップＳ２０２）変数ｚに１を設定する。

（ステップＳ２０３）ステップＳ１０４によってメインメモリ１３０に格納されたレイヤｚ ＦＢＭの不良分類結果から、取り出していない不良分類結果がある場合はステップＳ２０４に進み、取り出していない不良分類結果が無い場合はステップＳ２１０へ進む。

（ステップＳ２０４）未だ取り出されていない不良分類結果が１つ取り出される。

（ステップＳ２０５）ステップＳ２０４で取り出した不良分類結果が、レイヤ組合せルールのルール番号ｒの基点不良と同じであるか確認し、同じであればステップＳ２０６へ進み、異なる場合はステップＳ２０３に戻る。

（ステップＳ２０６）レイヤ組合せルールのルール番号ｒに対応する組合せ条件を用いて組合せ判定を行う。具体的には、組合せ条件を満たす関連不良の有無を判定する。

（ステップＳ２０７）組合せ条件に合致する関連不良が存在する場合はステップＳ２０８に進み、存在しない場合はステップＳ２０３に戻る。

（ステップＳ２０８）ステップＳ２０４で取り出した不良分類結果（ステップＳ２０５で確認された基点不良）及び関連不良をグループ化し、新たな不良として、ルール番号ｒに対応する組合せ不良名称を付け、メインメモリ１３０に格納される。

（ステップＳ２０９）ステップＳ２０４で取り出した不良分類結果（ステップＳ２０５で確認された基点不良）及び削除フラグの付いている関連不良を削除する。

（ステップＳ２１０）変数ｚを１増やす。

（ステップＳ２１１）変数ｚがｎより大きい場合はステップＳ２１２へ進み、ｎ以下の場合はステップＳ２０３に戻る。

（ステップＳ２１２）変数ｒを１増やす。

（ステップＳ２１３）変数ｒが全ルール数より大きい場合は処理を終了し、全ルール数以下の場合はステップＳ２０２に戻る。これにより、全てのルールを順に参照してレイヤ間組合せ判定を行うことができる。

このようなレイヤを跨いだ不良の検出及び不良タイプの分類の一例を、図６を用いて説明する。なお、ここでは説明を簡単にするため、ＦＢＭは４つのレイヤ（レイヤ１、レイヤ２、レイヤ３、レイヤ４）に分割されるものとする。

レイヤ分割部１１２によりレイヤ別に分割されたＦＢＭ（レイヤ１ＦＢＭ、レイヤ２ＦＢＭ、レイヤ３ＦＢＭ、レイヤ４ＦＢＭ）は、それぞれ、２次元ＦＢＭ不良分類部１１３により（２次元）不良分類される。

図６では、レイヤ１ＦＢＭの不良分類結果は、ＸＬＩＮＥ（１，３，１）−（３２，３，１）と、ＢＩＴ（３０，７，１）になる。

分類された不良は、以下の２パターンで表記される。パターン［１］は、線形状、面形状、立方体形状の不良を表す時に使用され、不良の始点の座標と終点の座標を表す。パターン［２］は点形状の不良を表す時に使用され、座標は点不良の位置を表す。

パターン［１］：不良名（Ｘ座標，Ｙ座標，Ｚ座標）−（Ｘ座標，Ｙ座標，Ｚ座標）
パターン［２］：不良名（Ｘ座標，Ｙ座標，Ｚ座標）

従って、レイヤ１には、始点座標（１，３，１）、終点座標（３２，３，１）のＸＬＩＮＥ不良が存在し、さらに、座標（３０，７，１）の位置にＢＩＴ不良が存在する。

レイヤ２ＦＢＭの不良分類結果は、ＢＩＴ（３０，７，２）と、ＢＩＴ（３１，１０，２）である。従って、レイヤ２には、座標（３０，７，２）の位置と、座標（３１，１０，２）の位置にＢＩＴ不良が存在する。

レイヤ３ＦＢＭの不良分類結果は、ＹＬＩＮＥ（７，１，３）−（７，１６，３）と、ＢＩＴ（３０，７，３）である。従って、レイヤ３には、始点座標（７，１，３）、終点座標（７，１６，３）のＹＬＩＮＥ不良が存在し、さらに、座標（３０，７，３）の位置にＢＩＴ不良が存在する。

レイヤ４ＦＢＭの不良分類結果は、ＢＩＴ（３０，７，４）である。従って、レイヤ４には座標（３０，７，４）の位置にＢＩＴ不良が存在する。

次に、レイヤ間組合せ判定部１１４が、レイヤ組合せルールを参照して、レイヤ１ＦＢＭ、レイヤ２ＦＢＭ、レイヤ３ＦＢＭ、レイヤ４ＦＢＭからレイヤを跨いだ不良を検出し、不良タイプを分類する。

まず、レイヤ１に着目する。レイヤ１のＸＬＩＮＥ（１，３，１）−（３２，３，１）は組合せルールの基点不良に該当しないので組合せ不良の対象外となる。

レイヤ１のＢＩＴ（３０，７，１）はルール番号１の基点不良に該当し、更に関連不良としてレイヤ２のＢＩＴ（３０，７，２）、レイヤ３のＢＩＴ（３０，７，３）、レイヤ４のＢＩＴ（３０，７，４）が組合せ条件に合致する。そのため、これらはグループ化され、新たにＺＬＩＮＥという組合せ不良名称が付けられ、ＺＬＩＮＥ（３０，７，１）−（３０，７，４）として分類される。基点不良のＢＩＴ（３０，７，１）と、削除フラグが立っている関連不良のＢＩＴ（３０，７，２）、ＢＩＴ（３０，７，３）、及びＢＩＴ（３０，７，４）とが削除される。

レイヤ１にはこれ以外の不良は無いので、次はレイヤ２に着目する。

ＢＩＴ（３０，７，２）は前述の通り既に削除されているので対象外となる。ＢＩＴ （３１，１０，２）はルール番号１、ルール番号２及びルール番号７の基点不良に該当するが組合せ条件に合致した関連不良が無く組合せ不良の対象外となる。

レイヤ２にはこれ以外の不良は無いので、次はレイヤ３に着目する。

ＹＬＩＮＥ（７，１，３）−（７，１６，３）はルール番号４に該当するが組合せ条件に合致した関連不良が無く、組合せ不良の対象外となる。ＢＩＴ（３０，７，３）は前述の通り既に削除されているので対象外となる。

レイヤ３にはこれ以外の不良は無いので、最後にレイヤ４に着目する。

ＢＩＴ（３０，７，４）は前述の通り既に削除されているので対象外となる。

このようにして、レイヤ間組合せ判定部１１４から出力される（最終的な）不良分類結果は、ＺＬＩＮＥ（３０，７，１）−（３０，７，４）と、ＸＬＩＮＥ（１，３，１）−（３２，３，１）と、ＢＩＴ（３１，１０，２）と、ＹＬＩＮＥ（７，１，３）−（７，１６，３）を含む。この不良分類結果がディスク装置１２０に格納される。

このように本実施形態によれば、各レイヤについて２次元ＦＢＭ不良分類を行った後、レイヤ組合せルールを参照して、レイヤを跨ぐ不良を検出し、不良タイプを分類することができる。

そのため、３次元にメモリセルを配置した半導体メモリに対してもＦＢＭ不良分類が可能になり、不良解析の効率が向上し、製品開発期間を短縮できる。

（第２の実施形態）図７に本発明の第２の実施形態に係る不良解析装置のハードウェア構成を示す。図１に示す上記第１の実施形態と同様の構成要素は同じ参照番号を付して説明を省略する。本実施形態は、図１に示す上記第１の実施形態と比較して、ディスク装置１２０がレイヤ組合せルールでなく、変換テーブル（後述する）を格納している点が異なる。また、ＣＰＵ１１０が不良分類プログラムを実行することで実現される機能ブロックが異なる。

図８に、ＣＰＵ１１０が本実施形態に係る不良分類プログラムを実行することで実現される機能ブロックを示す。不良分類プログラムの実行により、読み込み部２１１、レイヤ分割部２１２、レイヤ共通ＦＢＭ抽出部２１３、レイヤ固有ＦＢＭ抽出部２１４、２次元ＦＢＭ不良分類部２１５、不良名称変換部２１６、及び合成部２１７が実現される。

また、不良分類プログラムの実行に伴い、メインメモリ１３０上には、各レイヤの固有ＦＢＭ（レイヤ１固有ＦＢＭ、レイヤ２固有ＦＢＭ、・・・、レイヤｎ固有ＦＢＭ）、全レイヤ（又は所定数以上のレイヤ）に共通する不良を示すレイヤ共通ＦＢＭ、各レイヤの固有ＦＢＭに基づく不良分類結果（レイヤ１不良分類結果、レイヤ２不良分類結果、・・・、レイヤｎ不良分類結果）、レイヤ共通ＦＢＭに基づく不良分類結果（レイヤ共通不良分類結果）を格納する領域が確保される。

また、ディスク装置１２０は、不良名称変換部２１６が不良名称の変換を行う際に参照する変換テーブルを格納している。変換テーブルの内容については後述する。変換テーブルは、不良分類プログラムの実行に伴い、メインメモリ１３０にロードされてもよい。

読み込み部２１１、レイヤ分割部２１２、レイヤ共通ＦＢＭ抽出部２１３、レイヤ固有ＦＢＭ抽出部２１４、２次元ＦＢＭ不良分類部２１５、不良名称変換部２１６、及び合成部２１７において実行される処理を、図９に示すフローチャートと共に説明する。

（ステップＳ３０１）読み込み部２１１が、ディスク装置１２０上のＦＢＭを読み込む。

（ステップＳ３０２）レイヤ分割部２１２が、ＦＢＭを各レイヤに対応するように分割する。

（ステップＳ３０３）レイヤ共通ＦＢＭ抽出部２１３が、全て（又は所定数以上）のレイヤに共通する不良を抽出し、レイヤ共通ＦＢＭとしてメインメモリ１３０に格納する。

（ステップＳ３０４）レイヤ固有ＦＢＭ抽出部２１４が、各レイヤに固有の不良を抽出し、各レイヤの固有ＦＢＭ（レイヤ１固有ＦＢＭ、レイヤ２固有ＦＢＭ、・・・、レイヤｎ固有ＦＢＭ）としてメインメモリ１３０に格納する。各レイヤに固有の不良とは、各レイヤの不良から、ステップＳ３０３でレイヤ共通ＦＢＭ抽出部２１３が抽出した不良を除いたものに相当する。

（ステップＳ３０５）変数ｚに１を設定する。

（ステップＳ３０６）２次元ＦＢＭ不良分類部２１５が、レイヤｚの固有ＦＢＭについて不良分類を行う。ここで行われる不良分類は、公知の２次元座標系ＦＢＭを対象とした不良分類であり、例えば、周囲に不良が存在しない独立した１ビットの不良を「ＢＩＴ」、Ｘ軸上に不良ビットが連なったものを「ＸＬＩＮＥ」、同一のＹ軸上に不良ビットが連なったものを「ＹＬＩＮＥ」、矩形状に不良ビットが集合したものを「ＢＬＯＣＫ」として分類する。

レイヤｚの固有ＦＢＭに基づく不良分類結果（レイヤｚ不良分類結果）はメインメモリ１３０に格納される。

（ステップＳ３０７）ｚを１増やす。

（ステップＳ３０８）ｚがｎより大きい場合はステップＳ３０９へ進み、ｎ以下の場合はステップＳ３０６に戻る。

ステップＳ３０６〜Ｓ３０８を繰り返すことで、すべてのレイヤの固有ＦＢＭについて不良分類が行われる。

（ステップＳ３０９）２次元ＦＢＭ不良分類部２１５が、レイヤ共通ＦＢＭについて不良分類を行う。ここでの不良分類も、ステップＳ３０６と同様の、公知の２次元座標系ＦＢＭを対象とした不良分類である。

（ステップＳ３１０）不良名称変換部２１６が、変換テーブルを参照して、ステップＳ３０９における不良分類による２次元不良分類名称を３次元不良分類名称に変換する。変換テーブルには、図１０に示すような、レイヤ共通ＦＢＭ内の不良の名称（２次元不良分類名称）と、３次元不良分類名称との対応関係が規定されている。

例えば、全レイヤに不良があるものをレイヤ共通ＦＢＭと定義し、このレイヤ共通ＦＢＭにＢＩＴ不良があった場合、実際には、レイヤ１からレイヤｎのすべてにおいて、このＢＩＴ不良と同じ位置に不良があることになる。すなわち、これはＺ軸（高さ方向）上に不良ビットが連なった「ＺＬＩＮＥ」である。不良名称変換部２１６は、ＢＩＴをＺＬＩＮＥに変換する。

不良名称変換部２１６が不良名称の変換を行い、レイヤ共通不良分類結果をメインメモリ１３０に格納する。

（ステップＳ３１１）合成部２１７が、メインメモリ１３０に格納されている各レイヤの固有ＦＢＭに基づく不良分類結果（レイヤ１不良分類結果、レイヤ２不良分類結果、・・・、レイヤｎ不良分類結果）と、レイヤ共通不良分類結果とを合成する。

（ステップＳ３１２）ステップＳ３１１で合成された不良分類結果がディスク装置１２０へ出力され、格納される。

ステップＳ３０３におけるレイヤ共通ＦＢＭの作成処理の一例を図１１及び図１２に示すフローチャートを用いて説明する。なお、各レイヤには、Ｘ座標が１〜ｉ（ｉは２以上の整数）、Ｙ座標が１〜ｊ（ｊは２以上の整数）まであり、ｉ×ｊビットのメモリセルが設けられているものとする。また、レイヤ数はｎである。

（ステップＳ４０１）変数ｙに１を設定する。

（ステップＳ４０２）変数ｘに１を設定する。

（ステップＳ４０３）変数Ｃｏｕｎｔ［ｘ］［ｙ］に０を設定する。このＣｏｕｔｎ［ｘ］［ｙ］は、（Ｘ座標、Ｙ座標）＝（ｘ、ｙ）の位置におけるＺ方向の不良ビットのカウント値を示す。

（ステップＳ４０４）変数ｚに１を設定する。

（ステップＳ４０５）ＦＢＭ中の座標（ｘ、ｙ、ｚ）が不良ビットである場合は、ステップＳ４０６へ進み、不良ビットでない場合はステップＳ４０７へ進む。

（ステップＳ４０６）変数Ｃｏｕｎｔ［ｘ］［ｙ］を１増やす。

（ステップＳ４０７）変数ｚを１増やす。

（ステップＳ４０８）変数ｚがｎより大きい場合はステップＳ４０９へ進み、ｎ以下の場合はステップＳ４０５へ戻る。

ステップＳ４０５〜Ｓ４０８の繰り返しにより、座標（ｘ、ｙ）におけるＺ方向の不良ビット数を求めることができる。

（ステップＳ４０９）変数ｘを１増やす。

（ステップＳ４１０）変数ｘがｉより大きい場合はステップＳ４１１へ進み、ｉ以下の場合はステップＳ４０３に戻る。

ステップＳ４０３〜ステップＳ４１０の繰り返しにより、変数ｘに、１〜ｉを順にすべて設定することができる。

（ステップＳ４１１）変数ｙを１増やす。

（ステップＳ４１２）変数ｙがｊより大きい場合は図１２のステップＳ５０１へ進み、ｊ以下の場合はステップＳ４０２に戻る。

ステップＳ４０２〜Ｓ４１２の繰り返しにより、変数ｙに、１〜ｊを順にすべて設定することができる。

従って、ステップＳ４０１〜Ｓ４１２により、ＸＹ平面上のすべての座標におけるＺ方向の不良ビット数を求めることができる。

（ステップＳ５０１）変数ｙに１を設定する。

（ステップＳ５０２）変数ｘに１を設定する。

（ステップＳ５０３）Ｃｏｕｎｔ［ｘ］［ｙ］が所定の閾値以上である場合はステップＳ５０４に進み、閾値未満である場合はステップＳ５０５に進む。

（ステップＳ５０４）レイヤ共通ＦＢＭの座標（ｘ、ｙ）に不良をセットする。

（ステップＳ５０５）変数ｘを１増やす。

（ステップＳ５０６）変数ｘがｉより大きい場合はステップＳ５０７へ進み、ｉ以下の場合はステップＳ５０３に戻る。

（ステップＳ５０７）変数ｙを１増やす。

（ステップＳ５０８）変数ｙがｊより大きい場合は処理を終了し、ｊ以下の場合はステップＳ５０２に戻る。

これにより、Ｚ方向の不良ビット数が所定の閾値以上である位置に不良がセットされたレイヤ共通ＦＢＭが作成される。ステップＳ５０３における閾値は、レイヤ共通ＦＢＭの定義によって変わる。例えば、全レイヤに不良があるものをレイヤ共通ＦＢＭと定義する場合、ステップＳ５０３の閾値には全レイヤ数のｎを与えれば良い。また、半数のレイヤで不良が出ているものをレイヤ共通ＦＢＭと定義する場合、ステップＳ５０３の閾値には、ｎ／２を与えれば良い。

レイヤ共通ＦＢＭは１つに限定されるものではなく、例えば全レイヤに不良があるレイヤ共通ＦＢＭ１と、半数のレイヤで不良が出ているレイヤ共通ＦＢＭ２の２種類があっても良い。

なお、図１１及び図１２のフローチャートは処理内容を説明するためのものであり、性能まで考慮した実際の実装においては異なるフローチャートとなり得る。

また、レイヤ共通ＦＢＭの抽出方法は、これに限るものではない。例えば、全レイヤに不良があるものをレイヤ共通ＦＢＭと定義する場合は、全レイヤのＦＢＭの論理積を求めてレイヤ共通ＦＢＭを作成することができる。

このようにして作成したレイヤ共通ＦＢＭに基づくレイヤ共通不良分類結果と、各レイヤの固有ＦＢＭに基づく不良分類結果（レイヤ１不良分類結果、レイヤ２不良分類結果、・・・、レイヤｎ不良分類結果）とを合成して、レイヤを跨いだ不良の検出・タイプ分類を行うことができる。

本実施形態によるレイヤを跨いだ不良の検出及びタイプの分類の一例を、図１３を用いて説明する。なお、ここでは説明を簡単にするため、ＦＢＭは４つのレイヤ（レイヤ１、レイヤ２、レイヤ３、レイヤ４）に分割されるものとする。

レイヤ共通ＦＢＭ抽出部２１３が、レイヤ別に分割されたＦＢＭから、図１３に示すようなレイヤ共通ＦＢＭを抽出する。また、レイヤ固有ＦＢＭ抽出部２１４が、レイヤ別に分割されたＦＢＭから、各レイヤの固有ＦＢＭ（レイヤ１固有ＦＢＭ、レイヤ２固有ＦＢＭ、レイヤ３固有ＦＢＭ、レイヤ４固有ＦＢＭ）を抽出する。

そして、２次元ＦＢＭ不良分類部２１５が、レイヤ共通ＦＢＭ、各レイヤの固有ＦＢＭの不良分類を行う。

レイヤ共通ＦＢＭの不良分類結果は、ＢＩＴ（３０，７，１−４）の１つである。不良名称変換部２１６が、図１０に示すような変換テーブルを参照して、ＢＩＴ（３０，７，１−４）からＺＬＩＮＥ（３０，７，１）−（３０，７，４）に不良名称を変換する。

レイヤ１固有ＦＢＭの不良分類結果は、ＸＬＩＮＥ（１，３，１）−（３２，３，１）の１つである。

レイヤ２固有ＦＢＭの不良分類結果は、ＢＩＴ（３１，１０，２）の１つである。

レイヤ３固有ＦＢＭの不良分類結果は、ＹＬＩＮＥ（７，１，３）−（７，１６，３）の１つである。

レイヤ４固有ＦＢＭには不良が無い。

合成部２１７が、これらの不良分類結果を合成し、ＺＬＩＮＥ（３０，７，１）−（３０，７，４）と、ＸＬＩＮＥ（１，３，１）−（３２，３，１）と、ＢＩＴ（３１，１０，２）と、ＹＬＩＮＥ（７，１，３）−（７，１６，３）とを含む（最終的な）不良分類結果として出力する。合成部２１７から出力された不良分類結果は、ディスク装置１２０に格納される。

このように本実施形態では、レイヤ共通ＦＢＭの２次元ＦＢＭ不良分類結果を名称変換したものと、各レイヤの固有ＦＢＭの２次元ＦＢＭ不良分類結果とを合成する。これにより、レイヤを跨ぐ不良を検出し、３次元フェイルビットマップの不良分類を行うことができる。

そのため、３次元にメモリセルを配置した半導体メモリに対してもＦＢＭ不良分類が可能になり、不良解析の効率が向上し、製品開発期間を短縮できる。

また、本実施形態は、上記第１の実施形態のように全レイヤの全不良について１つずつレイヤ組合せルールとの照合を行ったりしないので、上記第１の実施形態と比較して、処理時間を短縮することができる。

（第３の実施形態）図１４に本発明の第３の実施形態に係る不良解析装置のハードウェア構成を示す。図１に示す上記第１の実施形態と同様の構成要素は同じ参照番号を付して説明を省略する。本実施形態は、図１に示す上記第１の実施形態と比較して、ディスク装置１２０が上記第２の実施形態で説明した変換テーブルを格納している点が異なる。また、ＣＰＵ１１０が不良分類プログラムを実行することで実現される機能ブロックが異なる。

図１５に、ＣＰＵ１１０が本実施形態に係る不良分類プログラムを実行することで実現される機能ブロックを示す。不良分類プログラムの実行により、読み込み部３１１、レイヤ分割部３１２、レイヤ共通ＦＢＭ抽出部３１３、レイヤ固有ＦＢＭ抽出部３１４、２次元ＦＢＭ不良分類部３１５、不良名称変換部３１６、レイヤ間組合せ判定部３１７、及び合成部３１８が実現される。

本実施形態は、上記第１の実施形態及び第２の実施形態を組み合わせたものであり、読み込み部３１１、レイヤ分割部３１２、２次元ＦＢＭ不良分類部３１５は、それぞれ、読み込み部１１１、２１１、レイヤ分割部１１２、２１２、２次元ＦＢＭ不良分類部１１３、２１５に対応する。また、レイヤ共通ＦＢＭ抽出部３１３、レイヤ固有ＦＢＭ抽出部３１４、不良名称変換部３１６は、それぞれ上記第２の実施形態におけるレイヤ共通ＦＢＭ抽出部２１３、レイヤ固有ＦＢＭ抽出部２１４、不良名称変換部２１６に対応する。

レイヤ間組合せ判定部３１７は、上記第１の実施形態におけるレイヤ間組合せ判定部１１４と同様の処理を行うものであり、図４に示すようなレイヤ組合せルールを参照して、各レイヤの固有ＦＢＭの不良分類結果から、レイヤを跨いだ不良を検出し、タイプを分類する。

合成部３１８は、上記第２の実施形態における合成部２１７と同様の処理を行うものであり、レイヤ間組合せ判定部３１７から出力される不良分類結果と、不良名称変換部３１６から出力されるレイヤ共通不良分類結果とを合成する。

不良分類プログラムの実行に伴い、メインメモリ１３０上には、各レイヤの固有ＦＢＭ（レイヤ１固有ＦＢＭ、レイヤ２固有ＦＢＭ、・・・、レイヤｎ固有ＦＢＭ）、全レイヤ（又は所定数以上のレイヤ）に共通する不良を示すレイヤ共通ＦＢＭ、各レイヤの固有ＦＢＭに基づく不良分類結果（レイヤ１不良分類結果、レイヤ２不良分類結果、・・・、レイヤｎ不良分類結果）、レイヤ共通ＦＢＭに基づく不良分類結果（レイヤ共通不良分類結果）を格納する領域が確保される。また、ディスク装置１２０は、レイヤ組合せルール及び変換テーブルを格納している。

読み込み部３１１、レイヤ分割部３１２、レイヤ共通ＦＢＭ抽出部３１３、レイヤ固有ＦＢＭ抽出部３１４、２次元ＦＢＭ不良分類部３１５、不良名称変換部３１６、レイヤ間組合せ判定部３１７、及び合成部３１８において実行される処理を、図１６に示すフローチャートを用いて説明する。

（ステップＳ６０１）読み込み部３１１が、ＦＢＭを読み込む。

（ステップＳ６０２）レイヤ分割部３１２が、ＦＢＭを各レイヤに対応するように分割する。

（ステップＳ６０３）レイヤ共通ＦＢＭ抽出部３１３が、全て（又は所定数以上）のレイヤに共通する不良を抽出し、レイヤ共通ＦＢＭとしてメインメモリ１３０に格納する。レイヤ共通ＦＢＭは上記第２の実施形態（図１１及び図１２参照）と同様の方法で作成される。

（ステップＳ６０４）レイヤ固有ＦＢＭ抽出部３１４が、各レイヤに固有の不良を抽出し、各レイヤの固有ＦＢＭ（レイヤ１固有ＦＢＭ、レイヤ２固有ＦＢＭ、・・・、レイヤｎ固有ＦＢＭ）としてメインメモリ１３０に格納する。

（ステップＳ６０５）変数ｚに１を設定する。

（ステップＳ６０６）２次元ＦＢＭ不良分類部３１５がレイヤｚの固有ＦＢＭの不良分類を行う。

（ステップＳ６０７）変数ｚを１増やす。

（ステップＳ６０８）ｚがｎより大きい場合はステップＳ６０９に進み、ｎ以下の場合はステップＳ６０６に戻る。

ステップＳ６０６〜Ｓ６０８を繰り返すことで、全てのレイヤの固有ＦＢＭについて２次元不良分類が行われる。

（ステップＳ６０９）レイヤ間組合せ判定部３１７が、レイヤ組合せルールを参照して、ステップＳ６０６〜Ｓ６０８から得られるレイヤ別の固有ＦＢＭ不良分類結果から、レイヤを跨いだ不良を検出・分類し、不良分類結果をメインメモリ１３０に格納する。ここでの処理は、上記第１の実施形態（図５参照）と同様であるため、説明を省略する。

（ステップＳ６１０）２次元ＦＢＭ不良分類部３１５がレイヤ共通ＦＢＭの不良分類を行う。

（ステップＳ６１１）不良名称変換部３１６が、変換テーブルを参照して、ステップＳ６１０における不良分類による２次元不良分類名称を３次元不良分類名称に変換し、レイヤ共通ＦＢＭ不良分類結果として、メインメモリ１３０に格納する。

（ステップＳ６１２）合成部３１８が、レイヤ間組合せ判定部３１７による不良分類結果と、レイヤ共通不良分類結果とを合成する。

（ステップＳ６１３）合成部３１８が、合成した不良分類結果を出力し、ディスク装置１２０に格納する。

本実施形態では、各レイヤの固有ＦＢＭに基づく不良分類結果（レイヤ１不良分類結果、レイヤ２不良分類結果、・・・、レイヤｎ不良分類結果）から、レイヤ組合せルールを参照して、レイヤを跨ぐ不良を検出・分類した不良分類結果と、レイヤ共通ＦＢＭに基づくレイヤ共通不良分類結果とを合成する。これにより、レイヤを跨いだ不良の検出・分類をさらに精度良く行うことができる。

本実施形態によるレイヤを跨いだ不良の検出の一例を、図１７を用いて説明する。なお、ここでは説明を簡単にするため、ＦＢＭは４つのレイヤ（レイヤ１、レイヤ２、レイヤ３、レイヤ４）に分割されるものとする。

レイヤ共通ＦＢＭ抽出部３１３が、レイヤ別に分割されたＦＢＭから、レイヤ共通ＦＢＭを抽出する。また、レイヤ固有ＦＢＭ抽出部３１４が、レイヤ別に分割されたＦＢＭから、各レイヤの固有ＦＢＭ（レイヤ１固有ＦＢＭ、レイヤ２固有ＦＢＭ、レイヤ３固有ＦＢＭ、レイヤ４固有ＦＢＭ）を抽出する。

そして、２次元ＦＢＭ不良分類部３１５が、レイヤ共通ＦＢＭ、各レイヤの固有ＦＢＭの不良分類を行う。

レイヤ共通ＦＢＭの不良分類結果は、ＢＩＴ（３０，７，１−４）の１つである。不良名称変換部３１６が、図１０に示すような変換テーブルを参照して、ＢＩＴ（３０，７，１−４）からＺＬＩＮＥ（３０，７，１）−（３０，７，４）に不良名称を変換する。

レイヤ１固有ＦＢＭの不良分類結果は、ＸＬＩＮＥ（１，３，１）−（３２，３，１）と、ＢＩＴ（３２，１６，１）の２つである。レイヤ２固有ＦＢＭの不良分類結果は、ＢＩＴ （３１，１０，２）と、ＢＩＴ（３２，１６，２）の２つである。レイヤ３固有ＦＢＭの不良分類結果は、ＹＬＩＮＥ（７，１，３）−（７，１６，３）の１つである。レイヤ４固有ＦＢＭには不良が無い。

次に、レイヤ間組合せ判定部３１７が、図４に示すレイヤ組合せルールを参照して、各レイヤの固有ＦＢＭから、レイヤを跨ぐ不良を検出し分類する。

レイヤ１固有ＦＢＭのＸＬＩＮＥ（１，３，１）−（３２，３，１）は組合せルールの基点不良に該当しないので組合せ不良の対象外となる。

レイヤ１固有ＦＢＭのＢＩＴ （３２，１６，１）はルール番号１とルール番号２とルール番号７の基点不良に該当するが、組合せ条件に合致するのはルール番号２のみであり、関連不良はレイヤ２のＢＩＴ（３２，１６，２）となる。これらはグループ化され、新たに、Ｚ２ＢＩＴという組合せ不良名称が付けられ、Ｚ２ＢＩＴ（３２，１６，１）−（３２，１６，２）として分類される。また、基点不良のＢＩＴ（３２，１６，１）と、削除フラグが立っている関連不良のＢＩＴ（３２，１６，２）は削除される。

レイヤ２固有ＦＢＭのＢＩＴ（３１，１０，２）はルール番号１、ルール番号２及びルール番号７の基点不良に該当するが組合せ条件に合致した関連不良が無く組合せ不良の対象外となる。

レイヤ２固有ＦＢＭのＢＩＴ（３２，１６，２）は前述の通り削除されているので対象外となる。

レイヤ３固有ＦＢＭのＹＬＩＮＥ（７，１，３）−（７，１６，３）はルール番号４の基点不良に該当するが、組合せ条件に合致した関連不良が無く、組合せ不良の対象外となる。

合成部３１８が、これらの不良分類結果を合成し、ＺＬＩＮＥ（３０，７，１）−（３０，７，４）と、Ｚ２ＢＩＴ（３２，１６，１）−（３２，１６，２）と、ＸＬＩＮＥ（１，３，１）−（３２，３，１）と、ＢＩＴ（３１，１０，２）と、ＹＬＩＮＥ（７，１，３）−（７，１６，３）とを含む（最終的な）不良分類結果として出力する。合成部３１８から出力された不良分類結果は、ディスク装置１２０に格納される。

このように、本実施形態では、各レイヤの固有ＦＢＭに基づく不良分類結果（レイヤ１不良分類結果、レイヤ２不良分類結果、・・・、レイヤｎ不良分類結果）から、レイヤ組合せルールを参照して、レイヤを跨ぐ不良を検出・分類した不良分類結果と、レイヤ共通ＦＢＭに基づくレイヤ共通不良分類結果とを合成する。

本実施形態はレイヤ共通ＦＢＭを用いることで、上記第１の実施形態と比較して、レイヤ組合せルールとの照合を行う不良数を減らすことができるため、処理時間を短縮できる。また、各レイヤの固有ＦＢＭに基づく不良分類結果から、レイヤ組合せルールを参照して、レイヤを跨いだ不良の検出・分類を行うため、上記第２の実施形態と比較して、レイヤを跨ぐ不良の検出・分類を、さらに精度良く行うことができる。

上述した実施形態で説明した不良解析装置の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、不良解析装置の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。

また、不良解析装置の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

２０ テスタ
１００ 不良解析装置
１１０ ＣＰＵ
１１１ 読み込み部
１１２ レイヤ分割部
１１３ ２次元ＦＢＭ不良分類部
１１４ レイヤ間組合せ判定部
１２０ ディスク装置
１３０ メインメモリ
１４０ ネットワークインタフェース
１５０ バス
２１１ 読み込み部
２１２ レイヤ分割部
２１３ レイヤ共通ＦＢＭ抽出部
２１４ レイヤ固有ＦＢＭ抽出部
２１５ ２次元ＦＢＭ不良分類部
２１６ 不良名称変換部
２１７ 合成部
３１１ 読み込み部
３１２ レイヤ分割部
３１３ レイヤ共通ＦＢＭ抽出部
３１４ レイヤ固有ＦＢＭ抽出部
３１５ ２次元ＦＢＭ不良分類部
３１６ 不良名称変換部
３１７ レイヤ間組合せ判定部
３１８ 合成部

Claims (8)

1. 半導体メモリのセル毎の良／不良情報が前記メモリセルの物理的配置に対応する物理アドレス順に配列されたフェイルビットマップを受け取り、前記フェイルビットマップをレイヤ毎に分割する分割部と、
   各レイヤに対応するフェイルビットマップにおける不良タイプの分類を行う分類部と、
   異なるレイヤの不良セルを同一の不良タイプとして組み合わせるルールを格納する記憶部と、
   前記分類部による分類結果が、前記ルールに合致するか否か判定し、合致した分類結果をグループ化する判定部と、
   を備え、
   前記ルールは、基点不良、前記基点不良の組合せ対象なる関連不良、前記基点不良と前記関連不良との関係を規定する組合せ条件、及び組合せ不良名称を含み、
   前記判定部は、１つのレイヤの前記分類結果から前記基点不良を抽出し、他のレイヤの前記分類結果から前記組合せ条件に合致する前記関連不良を抽出し、抽出した前記基点不良及び前記関連不良をグループ化して前記組合せ不良名称を付与することを特徴とする不良解析装置。
2. 半導体メモリのセル毎の良／不良情報が前記メモリセルの物理的配置に対応する物理アドレス順に配列されたフェイルビットマップを受け取り、前記フェイルビットマップをレイヤ毎に分割する分割部と、
   前記分割したフェイルビットマップから、所定数以上のレイヤに共通する不良セルを抽出し、レイヤ共通フェイルビットマップを作成する第１抽出部と、
   各レイヤのフェイルビットマップから、各レイヤに固有の不良セルを抽出し、レイヤ固有フェイルビットマップを作成する第２抽出部と、
   前記レイヤ共通フェイルビットマップにおける不良タイプの分類、及び各レイヤに対応する前記レイヤ固有フェイルビットマップにおける不良タイプの分類を行う分類部と、
   前記レイヤ共通フェイルビットマップにおける不良タイプの名称と、３次元不良タイプ名称との対応関係が規定されたテーブルを格納する記憶部と、
   前記テーブルを参照して、前記分類部による前記レイヤ共通フェイルビットマップの分類結果の不良名称を、前記３次元不良タイプ名称に変換し、レイヤ共通不良分類結果を作成する変換部と、
   前記分類部による前記レイヤ固有フェイルビットマップの分類結果と、前記レイヤ共通不良分類結果とを合成する合成部と、
   を備える不良解析装置。
3. 前記第１抽出部は、全てのレイヤに対応するフェイルビットマップの論理積を求めて、前記レイヤ共通フェイルビットマップを作成することを特徴とする請求項２に記載の不良解析装置。
4. 前記記憶部は、異なるレイヤの不良セルを同一の不良タイプとして組み合わせるルールを格納し、
   前記分類部による前記レイヤ固有フェイルビットマップの分類結果が、前記ルールに合致するか否か判定し、合致した分類結果をグループ化する判定部をさらに備え、
   前記合成部は、前記グループ化された分類結果と、前記レイヤ共通不良分類結果とを合成することを特徴とする請求項２又は３に記載の不良解析装置。
5. 前記ルールは、基点不良、前記基点不良の組合せ対象なる関連不良、前記基点不良と前記関連不良との関係を規定する組合せ条件、及び組合せ不良名称を含み、
   前記判定部は、１つのレイヤの前記レイヤ固有フェイルビットマップの分類結果から前記基点不良を抽出し、他のレイヤの前記レイヤ固有フェイルビットマップの分類結果から前記組合せ条件に合致する前記関連不良を抽出し、抽出した前記基点不良及び前記関連不良をグループ化して前記組合せ不良名称を付与することを特徴とする請求項４に記載の不良解析装置。
6. 半導体メモリのセル毎の良／不良情報が前記メモリセルの物理的配置に対応する物理アドレス順に配列されたフェイルビットマップを受け取る工程と、
   前記フェイルビットマップをレイヤ毎に分割する工程と、
   各レイヤに対応するフェイルビットマップにおける不良タイプの分類を行う工程と、
   前記不良タイプの分類結果が、異なるレイヤの不良セルを同一の不良タイプとして組み合わせるルールに合致するか否か判定し、合致した分類結果をグループ化する工程と、
   を備え、
   前記ルールは、基点不良、前記基点不良の組合せ対象なる関連不良、前記基点不良と前記関連不良との関係を規定する組合せ条件、及び組合せ不良名称を含み、
   前記分類結果のグループ化を行う工程は、
   １つのレイヤの前記分類結果から前記基点不良を抽出する工程と、
   他のレイヤの前記分類結果から前記組合せ条件に合致する前記関連不良を抽出する工程と、
   抽出した前記基点不良及び前記関連不良をグループ化して前記組合せ不良名称を付与する工程と、
   を備えることを特徴とする不良解析方法。
7. 半導体メモリのセル毎の良／不良情報が前記メモリセルの物理的配置に対応する物理アドレス順に配列されたフェイルビットマップを受け取る工程と、
   前記フェイルビットマップをレイヤ毎に分割する工程と、
   前記分割したフェイルビットマップから、所定数以上のレイヤに共通する不良セルを抽出し、レイヤ共通フェイルビットマップを作成する工程と、
   各レイヤのフェイルビットマップから、各レイヤに固有の不良セルを抽出し、レイヤ固有フェイルビットマップを作成する工程と、
   前記レイヤ共通フェイルビットマップにおける不良タイプの分類を行う工程と、
   各レイヤに対応する前記レイヤ固有フェイルビットマップにおける不良タイプの分類を行う工程と、
   前記レイヤ共通フェイルビットマップにおける不良タイプの名称と、３次元不良タイプ名称との対応関係が規定されたテーブルを参照して、前記レイヤ共通フェイルビットマップにおける不良タイプの分類結果の不良名称を、前記３次元不良タイプ名称に変換し、レイヤ共通不良分類結果を作成する工程と、
   前記レイヤ固有フェイルビットマップにおける不良タイプの分類結果と、前記レイヤ共通不良分類結果とを合成する工程と、
   を備える不良解析方法。
8. 基点不良、前記基点不良の組合せ対象なる関連不良、前記基点不良と前記関連不良との関係を規定する組合せ条件、及び組合せ不良名称を含むルールを参照して、１つのレイヤの前記レイヤ固有フェイルビットマップの分類結果から前記基点不良を抽出し、他のレイヤの前記レイヤ固有フェイルビットマップの分類結果から前記組合せ条件に合致する前記関連不良を抽出し、抽出した前記基点不良及び前記関連不良をグループ化して前記組合せ不良名称を付与する工程をさらに備え、
   前記組合せ不良名称を付与した前記基点不良及び前記関連不良と、前記レイヤ共通不良分類結果とを合成することを特徴とする請求項７に記載の不良解析方法。

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