TW450999B - Target for a physical vapor deposition system and sputter chamber utilizing the same - Google Patents

Target for a physical vapor deposition system and sputter chamber utilizing the same Download PDF

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Description

經濟部中央標牵局員工消贽合作社印裒 45 09 9 9 λ- ____ ΕΓ 五、發明説明(ι ) 發明背景 發明領域 概略而言’本發明係關於例如積體電子電路製造中由 目標泺物理蒸氣沉積(PVD)材料薄膜至工作件或基材上。 特別’本發明係關於於PVD方法中改良目標溶蝕均勻度, 及有效利用目標材料之方法,同時減少顆粒再沉積於目標 上。 相關技術背景 物理蒸氣沉積(PVD)或濺鍍為已知用於製造積體電路 的技術。PVD中具有所需塗復材料的目標被離子加速碰撞 而鬆脫,並由目標射出目標材料隨後沉積於基材上。目標 及有待塗復的基材通常玫置於真空腔室内,腔室柚真空並 維持於低於約10毫托耳之壓力。典型重惰性氣體如氩氣供 應至真空腔室,泵送系統維持腔室内所需氣體壓力。於低 壓氬氣產生輝光放電電漿,至少部分離子化氣體,其方式 為供應高負DC、AC或RF電位至陰極(通常為目標),及將 腔室壁及哧極(典型為基材)接地。於陰極舆購極間之空間 產生輝光放電電漿,通常藉一個暗空間或稱為電漿鞘舆電 極隔開》因電漿本身為良好導《,故電漿相對於負偏壓陰 極大體為恆定正電位。如此,於目標產生一個電場大艘垂 直目標暴露面•如此,來自電漿的正離子遵照大饉垂直目 標暴露正面的彈道加速穿過暗空間碰撞目標的暴露面,結 果導致目標濺鍍。 於平面磁控管濺鍍中,於目標表面的離子碰撞密度可 木紙張’度:.¾用*國阁家榡龙(CNS ) Λ4現格;2 ! 0 +χ 297公尨) Γ~4~一 請先閱讀背面之注意項再填寫本頁) 订 玆濟部中央標進局員工消资合作社印-^ 450999 Α ΓΓ 五、發明説明(2 ) 經由於毗鄰目標的電漿鞘產生磁場而增進,磁場輔助捕捉 及偏轉接近目標的電子。永久磁鐵或電磁鐵置於目標後方 ,或置於目標安裝的背板上來產生平行目標表面的磁場。 電漿電子沿磁場線螺形前進’並增進此區的電子密度。電 子密度增高促成此區氣體额外離子化,結果導致目標碰撞 增加,及磁鐵兩極間的目標濺鍍增加形成目標溶蝕圈樣。 典型於目標介於磁鐵兩極間形成跑道圖樣,此處目標 溶蝕較為快速。於目標背板上物理旋轉偏轴磁鐵配置可用 於控制及改變目標溶蝕圖樣。目標其它區的溶蝕較為緩慢 可能絲毫也不溶蝕,因此使顆粒再沉積或反向濺鍍於目標 上。反向濺鍍顆粒傾向於鬆鬆黏著於其沉積的目標表面上 ,且容易隨著時間的經過而片落。此外,溶蝕不均勻造成 目標有相當部分未使用;即使兩磁極間的區域被完全溶蝕 亦如此β 重要地,於目標被溶蝕低抵目標附著的背板之前需更 換目標》由背板材料濺鍍的顆粒到達工作件會嚴重污染或 損壞工作件。结果,典型目標係於目標完全利用前更換, 造成昂贵的目標材料未被使用》由於浪费的昂贵的目標材 料’故若可採用其它手段來確保橫跨全表面均勻溶蝕目標 則較佳。 美國專利5,320,728及5,242,566(讓舆本發明之受讓人) 教示設計磁控管陣列來增進目標溶蝕均勻度。其它技術利 用如使用阻罩或封阻媒介設置於目標上,用來防止材料再 沉積於目標上。但所有磁控管目標通常皆有再沉積區,係 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--- • i^i.--' 1ϋ· ^^^1 L —il I I— -1 I _ ·i .. ik. 丨 _ CNS ; :\4Μ.Ά 450999
AT Β7 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 五、發明説明(3 ) 由於目標材料於濺鍍過程中或後離子化,沉積於由施加高 負電位形成的濺鍍溝間的目標表面上》阻罩表面無法防止 反向漁:散顆粒沉積於阻罩表面上,故不適合接受滅链目標 材料。如此’當反向濺鍍材料沉精於目標或阻罩上時,材 料傾向於鬆鬆黏著於表面而可能片落及污染腔室。 因此’仍然需要有一種目標源及濺鍍系統其可有效使 用目標材料’減少反向濺鍍材料沉積於目標變成顆粒來源 的可能。 發明概述 本發明提供一種物理蒸氣沉積系統目標《該目標包括 一種由可減鍵材料構成的環區,及一個中區設置於_個環 區内部。環區為可濺鍍材料製成且具有為凹面,且較佳為 截頭錐形的暴露面。中區較佳由鋁或與環區相同的可濺鍵 材料製成。中區設置有暴露面,大體為平面或凸面,但最 佳為大體截頭錐形來接受沉積材料或反向濺鍍材料。 本發明也提供一個濺鍍腔室包括一個包圍艟,一個工 作件支撐件設置於包園艟内而形成陽極,一個濺鍍目標具 有面對包圍體内部工作件支撐件的暴露面而構成陰極》濺 鍍目標的暴露面如前述設置有中心及凹面環區。 圖式之簡單說明 欲更了解達成前述本發明之特點、優點及目的之方式 ,以下將參照附圈舉例說明之具體例對前文摘述之本發明 作更特定細節說明β但需了解附圖僅舉例說明本發明之典 型具體例,因此非考慮限制其範圍,本發明許可其它同等 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) .裝. .'—訂 7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4規格(210Χ 297公釐) 6 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 45 099 9 A7 A 7 _____- B7 五、發明説明(4 ) 有效的具體例。 第1囷為根據本發明具有目標結構之濺鍍裝置之剖面 圖; 第2圖為根據本發明具有第二目標結構之濺鍍裝置之 剖面圊;及 第3圖為目標表面之示意剖面圈顯示由目標濺鍍的顆 粒分布β 蛟佳具體例之詳細說明 本發明概略提供一種目標結構其可使可濺鍍材料有效 溶蝕及有效利用’同時減少因反向濺散沉積引起的顆粒產 生。目標具有由可濺鍍材料製成的環區及一個中區構型呈 可接受直接沉積及反向濺散沉積》目標之環區設置一個暴 露面,其概略為凹形1但較佳大體為截頭錐形。目標之中 區構型可使任何沉積於其上之材料牢固黏著於表面。較佳 中區設置一個暴露面具有大體為平面或凸面,但最佳為大 艘截頭錐形的構型· 本發明之一個態樣t,環區及宁區皆為可濺鍍材料, 較佳單一可濺鍍件。環區之濺鍍較佳藉磁控管總成增進, 可提供廣泛分布的顆粒彈道,但可導致均勻膜沉積於工作 件上。中區通常未經濺鍍,且具有平面或凸面構型可直接 沉積來自環區顆粒的而非反向濺散沉積》 本發明之另一態樣中,環區係由可濺鍍材料製成,及 中區為接地件,較佳為鋁或不鏽鋼製。中區具有平面或凸 面構型呈可接受來自環區的顆粒直接沉積而非反向濺散沉 本紙張尺度適用中國國家標奉(eNS ) Μ規格(2丨0X297公廣) (請先閲讀背面之注意項再填寫本頁) 裝_
訂T 經濟部中央搮準局員工消費合作社印製 4 5 099 9 a7 B7 五、發明説明(5 ) 積。一個具體例中,中區較佳設置有背板。 本發明之濺鍍裝置通常包括將濺鍍目標定位於真空腔 室内,然後由目標的暴露濺鍍面濺鍍材料並沉精部分材料 於工件上。目標的濺鍍面至少部分斜向或非平行於工作件 的上表面沉積。此種斜向濺鍍面係設置成可提供高密度目 標材料於垂直工作件的彈道行動,而無需物理準直裝置》 於工作件上,及其上表面孔之底區及壁區形成的沉積層相 當均勻,且於工作件上及工作件上表面形成的紋路連續。 此外,於紋路底及壁形成的薄膜層厚度於工作件上表面之 各紋路大體相等。 第1圖為濺鍍裝置之剖面圖,具有一個本發明之濺鍍 目標設置於裝置内。目標10提供斜向濺鍍面12,設置於習 知真空腔室14内,其中工作件16容納於腔室14内並定位於 支撐件如基座18上供沉積一層濺鍍材料於工作件16頂面20 上》基座18包含概略平坦面22供接納工作件16於其上,故 工作件16頂面20大體平行基座18的平坦面21»若有所需, 材料可於一或多層事先於工作件16上形成的介電、金屬或 其它層上形成,且可填充於介電層或其它層内的孔隊,而 形成貫穿孔接線或接點β 習知真空腔室14概略包含一個腔室包圍體壁24,具有 至少一個氣體入口 26及一個聯結至通風泵(未顯示)的通風 出口 28。工作件支撐基座18典型設置穿過腔室14底端,目 標10典型容納於腔室14上端。腔室10典型藉隔離件30與包 圍體壁隔離,包圍體壁24較佳接地,故目標10相對於接地 本纸張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) -IL· - Κ— - m n L ΐ i - - n T n _ _ 11---表 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 450999 A7 Β7· 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 五、發明説明(6 ) 的包圍體壁24維持於負電壓。較佳腔室14又包含一個電感 線圈31耦合至電源(未顯示)而提供電感耦合電漿 。另外本發明之目標可用於有個遮護板懸吊於腔室内之腔 室,包含環形颠倒壁,其上方有個夾具環(或許為準直儀) 可於基座向下回縮入腔室内使懸吊於基座上方。 於材料層濺鍍於工作件16上前,工作件16典型通過於 包圍體壁24之槽閥(未顯示)連通的裝載閘(未顯示),並藉 機械手臂、輪葉或其它有待容納於支撐基座的工作件處理 裝置(未顯示)設置於腔室14内❶準備接納工作件時,基材 支撐基座藉恰在懸吊於遮護板之夾具環正下方的驅動機制 下降,使基座底接近接腳定位平臺》基座典型包含三個或 多個垂直搪孔(未顯示),各該搪孔可使接腳垂直滑過其中 。當基座於前述下降位置時,各接腳上端突起於基座上表 面上。接腳上端界定一個平行基座上表面的平面。 習知機械手臂典型運載基材至腔室内,且將基材置於 接腳上端上方。升降機制可移動接腳平臺向上,而使接脚 上端牴住基材下表面,且額外升高基材遠離機械輪葉(未 顯示)。然後機械輪葉由腔室回縮,升降機制升高基座高 於接腳梢端,因此將基材置於基座頂面上。 升降機制繼續升高基座直到基材距離目標適當距離而 開始薄膜沉積過程為止》當使用環形夾具環時,基材接觸 停靠於顛倒壁部的環形夾具環内部》夾具環内直徑略小於 基材直徑。 濺鍍沉積過程典型於以由質量流量控制器調節的特選 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Α4規;格(2丨0Χ297公釐) -9 - J —--^-----'ί — 裝-----;——訂一------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 5 0 9 9 9 A7 B7 五、發明説明(7 ) 流速通過氣體入口 26餵進真空腔室14之氣體例如氬氣進行 〇電源32相對於包園體壁24供應負電壓給目標10,而將氣 體激發成電漿態。來自電漿的離子碰撞目標表面12,並由 目標14濺鍍目標材料原子及其它顆粒<用於偏壓用途的電 源32可為任一型電源包含DC,脈衝DC,AC,RF及其組 合。 本發明之目標10可構造成可濺鍍材料11具有概略凹面 的濺鍍表面12,其使腔室壁24向内终止於概略圓形面34。 面34具有最小表面積,但需防止有一點位於目標内端《面 34與工作件16隔開的距離足夠防止目標10之高電壓濺鍍面 12與接地工作件支撐件18間產生電弧》較佳面34與工作件 之間距夠大,而可確保由接近該面的目標面12濺鍍的顆粒 大體橫向行進穿過工作件16而不會沉積於工作件16上,反 而通過工作件16而沉積於腔室壁24或腔室遮護板35上此 外,濺鍍面12外緣36沿徑向方向向外延伸超出容納於支撐 件18的工作件16邊緣38 ^ 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 本發明之目標10界定一個環形區42大醴以參考線40為 軸對稱設置,參考線垂直於工作件16,且約略通過工作件 16中心。環形區42包括濺鍍面12其提供薄膜沉積於工作件 16上,比較典型由圆形目標濺鍍的薄膜更為均勻。較佳環 形濺鍍面12為載頭錐形面*最佳舆平行工作件表面20形成 失角α,而濺鍍顆粒具有彈道垂直工作件表面20 。該夾角與工作件間的關係將參照第3圖詳細說明。 目標10也界定一個中區44,概略相對於參考線40對稱 10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) 本紙悵尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ25»7公釐) '45 09 9 9 at B7 五、發明説明(8 ) 設置。中區44包括暴露面46、46a,其用來接受由環區濺 鍍的具有橫向彈道的顆粒直接沉積,暴露面46也可設置接 地件,較佳構成背板48之一部分。另外,暴露面46a可設 置可濺鍍件11延伸通過中區44。雖然表面46a可濺鍍,但 較佳將磁控管50之離子化促進效果限於環區42。 目標10比較典型目標產生較少顆粒污染物,原因為中 區44提供接受濺鍍顆粒直接沉積的表面46、46a。直接沉 積比較反向濺散沉積更不可能片落或脫落(反向濺散沉積 係於濺鍍顆粒接觸表面時形成)。此外,中區的表面46、46a 較佳未濺鍍以防干擾其上方形成的沉積物。 工作件16通過腔室14的通過料量可藉增進目標表面12 的濺鍍速率而提高,較佳經由設置磁控管裝置50而形成電 子捕捉磁場毗鄰目標的濺鍍面12»電子捕捉磁場可產生高 電子通過料量平行通過目標的毗鄰表面12,如此產生大量 離子供碰撞目標。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 磁控管裝置50概略包括多個磁鐵52,各個磁鐵連接至 旋轉中的對重板54,各自包含一個北極及一個南極。旋轉 板54連接至延伸貫穿密封軸承連桿58的支撐轴56。旋轉驅 動裝置例如電動馬達(未顯示)偶聯至驅動軸56而提供磁鐵 52旋轉。磁控管50提供多個平行目標面的磁場線,環繞目 標面電子以螺形路徑捕捉。此等電子碰撞氬原子,因而使 氬離子化供濺鍍》磁控管的設計及使用由Mayden述於美 國專利4,668,338(併述於此以供參考)。 目標10之環形濺鍍面12可使具有均勻厚度及服貼沉積 本紙張尺度逋用中國國家標隼(CMS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 經濟部中央梯率局負工消费合作社印製 4 5 09 9 9 A7 r____ B7 五、發明説明(9 ) 物的薄膜沉積於孔或鑽孔(未顯示)内,孔形成於工作件16 表面》均勻度之提供原因為大部分沉積於工作件各位置的 材料係由位於工作件正上方的該部分目標促成。 第2圖為根據本發明具有第二目標結構60之濺鍍裝置 之剖面圖《目標60的結構類似第1圈之目標10,但設置於 中區44的暴露面46、46a概略為凸面。凸面46可由多種成 型件提供例如圓頂形或其它曲線形,但最佳為第2圈顯示 的截頭錐形。截頭錐面46朝向工作件16延伸而交又或接受 直接沉積,其黏著比較反向濺散沉積更佳。此外,顆粒沉 積於目標60之表面46的夾角比目標10更大,因此提供更佳 黏著,且進一步減少顆粒脫落的可能· 雖然於此處已經就載頭錐輪廓敘述較佳目標輪廓,但 其它濺鍍表面輪廓也包含於本發明之範圍〇例如目標可為 大逋錐形或大體截頭錐形,而濺鍍面略為弓形》同理目標 可為截頭球形輪廓,碗形輪廓或甚至非均勻的曲線輪廓經 選擇而可對特定目標材料於工作件上提供均勻的沉積層。 目標甚至可具有平坦輪廓,且設置成平行基材或與基材失 角· 第3圖為目標II表面π之示意剖面圖顯示由目標濺鍍 顆粒之分布62。由目標11一點39濺鍍的目標材料之弹道分 布62表示由目標面π上各點產生的彈道分布。第3圖顯示 之正確分布62係指鋁或鋁合金目標11,但下述概略原理也 適用於由其它材料製成的目標》 第3圓顯示分布圖樣62之剖面圖僅表示完整分布圖樣 I _ 1 1 ^_ __ _ 本紙張尺度通用中g國家揉準(CNS) A4規格(2l0x 297公廣) _ 12 _ {請先聞讀背面之注項再填寫本頁) -裝 .訂 45 0999 45 0999 經濟部中央標隼局員工消費合作社印簟 五、發明説明(10 ) ’係將圈樣62照參考線64旋轉180。形成(如箭頭66指示)。 分布圈樣62可由包圍體68界定,其中由目標丨丨濺鍍面12上 一點70以特定彈道(例如向量a、β,c及C·說繭的彈道)行 進的目標顆粒機率係以該點70舆弹道通過包圍體68之該點 距離成比例。 當一或多個電漿離子碰撞目標11之濺鍍面12時,電漿 離子可由濺鍍面12釋放濺鍍材料康子或較大顆粒。由目標 濺鍵的顆粒傾向於以直線彈道由濺鍍面行進並沉積於其接 觸的任何表面上,包含工作件W之上表面20。特定目標材 料之賴粒彈道可預測β例如鋁或鋁合金目標U可濺鍍顆粒 ’具有彈道相對於廷伸貫穿來源位置70及垂直濺鍍面12的 參考線64對稱分布於360。,及彈道具參考線66(如向董β指 示)夹角約0。至至多9〇。(如向量Α指示)。但大部分鋁目標顆 粒將以具參考線66於25。至55。之範圍之路徑行進》濺鍍顆 粒彈道於25。至55。範圍對中於分布峰 ,分布峰典型距離參考線6夾角约4〇。(如向量c所示p顆 粒於相對於向量C的彈道行進的機率約略與該彈道與向量 C間夾角的餘弦值成比例,其中目標顆粒也可以相等機率 以距離向董任一處夹角環繞參考線6為360。弧行進乂因此 ’目標材料彈道分布可視為錐形》 若平面鋁目標之濺鍍表面平行工作件16,則大部分由 目標滅鍍的目標材料將於相對於工作件表面傾斜的彈道前 進’傾向於場或於工件作16上表面20成形的孔(未顯示)之 底及壁沉積非均勻或非對稱膜層。本發明之目標1〇, 60之 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS)A4規格{ 2丨0x297公·麓) 13 II--^-----(1^-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 450999 B7 五、發明説明(11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 構造大體模擬此種現象,經由將目標11之濺鍍表面12設置 成相對於工作件16上表面20為歪斜或傾斜(如第1及2圖所 示),部分非均勻分布62之行進彈道大體垂直工作件,及 部分距離濺鍍表面12最傾斜方向行進的目標材料係導引朝 向腔室14之毗鄰側壁24或中區44表面46。以具有濺鍍彈道 機率分布62之鋁目標為例,目標11之濺鍍表面12較佳設置 成相對於工作件16之平坦沉積接受面20夹角α,其中角α 等於分布62機率峰值(如向量C顯示)與參考線64間的夾角 。因此,相當大量於垂直工作件16彈道行進的目標材料將 沉積於工作件表面20上。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 經由相對於工作件16之頂沉積接受面20傾斜濺鍍目標 11之表面12,分布機率峰值之向量C之一之頂沉積接受面 20傾斜濺鍍目標11之表面12,分布機率峰值之向量C之一 位置大體垂直工作件16表面,而代表相對目標11上表面最 為橫向的顆粒彈道峰值的向量C幾乎平行工作件16表面。 因此,目標11之傾斜面導引部分橫向行進的目標材料通過 料量至腔室壁,同時導引部分橫向行進的目標顆粒彈道接 近垂直工作件。增進目標顆粒彈道之垂直部分,同時使最 為橫向彈道轉成較為橫向彈道,可使孔隙填充之架空減少 ,而增進底與壁之覆蓋率β 經由延長目標之傾斜面而形成概略與工作件表面同心 的環區,工作件16各區皆接受於幾乎垂直工作件表面的路 徑,及對應貫穿分布機率峰值的路徑行進的沉積顆粒。須 注意雖然本發明係就鋁目標舉例說明,但本發明可用於其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )Α4規格(210X 297公釐) -14 - 1 45 09 9 9 A? B7 五、發明説明(丨2 ) 它目標材料例如鈦,其中濺鍍顆粒分布峰值非垂直目標平 坦面β 雖然前文係針對本發明之較佳具體例,但可未悖離隨 附之申請專利範園界定之基本範圍而作出本發明之其它及 進一步具體例 II I ! ---1 II 1-!- 1 1 <—H I {讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬樣準局爲工消费合作社印製 15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210Χ297公釐) 4 5 09 9 9 A 7 B7 經濟部中央標隼局貞工消费合作社印製 五、發明説明(13 ) 元件標號對照 10···目標 40...參考線 12...滅錢面 42...環區 14…真空腔室 44…中區 16...工作件 46、46a...暴露面 18...基座 48…背板 20…頂面 50···磁控管 21、22…平坦表面 52…磁鐵 24...腔室包圍體壁 54...對重板 26...氣體入口 56···驅動轴 28…氣體出口 58...密封軸承聯桿 30…隔離件 60...目標 31...電感線圈 62…分布 32…電源 64...參考線 34,"面 66…箭頭 36...外緣 68…包圍艎 38·..緣 70·.·點 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4规格(210X297公釐) 16

Claims (1)

  1. 經濟部智慧财產局員工消费合作杜印货 六、申請專利範圍ϋ 5 09 ^9 δι 丨公告 6118717號專利申請專利範圍修正本 修正a期:90年4月 一種物理沉積系统用目標物,包括: 一背板’具有一環區及一中區,該令區具有一實 質上呈凸面的暴露積聚表面;以及 一沈積在該背板之環區上的可濺鍍材料, 如申請專利範園第1項之目標物,其中沈積於該背板 之環區上的可戏鍍材料具有呈凹面的可濺鍍表面。 如申請專利範圍第1項之目標物,其中該t區具有實 質上呈截頭錐形的暴露表面3 如申請專利範团第2項之目標物,其中沈積在該背板 之環區上的可濂鍍材料具有實質上呈截頭錶形的可濺 鍵表面β 如申請專利範面第4項之目棵物,其中該中區的暴露 表面實質上為截頭錶形。 如申請專利範園第1項之目標物,其中該背板之中區 包含一選自於鋁及不鎸鋼的材料* 如申請專利範团第6項之目標物,其中該中區實質上 呈截頭錐形。 如申請專利範圍第1項之目揉物,其_該背板之中區 包含舆該環區相同之材料》 如申請專利範圍第1項之目標物,其中該中區包含一 不可濺鍍元件· 10.如申請專利範面第9項之目標物,其t該不可濺鍍元 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 私紙張尺度適用中國β家標準(CNS)A4规格(210 * 297公釐) (請先《讀背fi之注意事項再填寫本f > 1 0 κ ϋ ----訂---.! H 1 I •線丨_ 17 9 9 9 ο 5 4 ASB8C8OS 經濟部智慧财產局員工消费合作社印ft 六、申請專利範圍 件包含一選自於鋁及不銹鋼的材料。 11. 如申請專利範園第9項之目標物,其中该不可濺鍍元 件係電氣地接地· 12. 如申請專利範圍第9項之目標物,其令沈積於該背板 之環區上的可濺鍍材料具有實質上呈載頭錐形的可濺 鍍表面。 13,一禮濺鍍腔室,包括: 一包園《 ; 一工作件支撐件,其係設置於包圍艘内而形成味 極;以及 一目標物,其係設置於包圍tt内而形成除極,該 目標物包含: (i) 一背板,其具有一環區及一中區,該中 區具有實質上呈凸質上呈凸面的暴露積聚表面: 以及 (ii) 一沈積在該背板之環區上的可濺鍍材料 9 14·如申請專利範圍第13項之濺鍍腔室,其中該背板包含 一選自於鋁及不銹鋼的材料。 15. 如申請專利範園第14項之濺鍍腔室,其進一步包含一 用於使背板舆目標物電氣阑離的絕緣件· 16. 如申請專利範团第π項之濺鍍腔室,其中該中區實質 上呈截頭錄形· 17·如申請專利範面第u項之濺鍍腔室,其t該中區為 <請先M讀背面之注意事項再壤寫本f > 4 ϋ n I n I I * ϋ ϋ K _l* ϋ n IJ ϋ *n I ϋ — 矣紙張尺度適Λ中 a家標擧(CNS)A4规禧(210 X 297公釐> -18 緩濟部臂慧財產属Λ工消费合作社印贫 AS 明 C8 Οβ六、申請專利範圍 起伏狀的。 18. 如申請專利範圍第13項之濺鍍腔室,其中該環區呈 凹面且實質上為截頭錐形。 19. 如申锖專利範圍第18項之濺鍍腔室,其中該中區實 質上呈載頭錐形》 20. 如申請專利範圍第π項之濺鍍腔室,其中該_晶包 含可濺鍍之材料* 21. 如申請專利範圍第20項之濺鍍腔室,其中核中區包 舆該環區相同的可濺鍍材料· 22. 如申請專利範面第13項之濺鍍腔室,其中該十區包 含不可濺鍍的材料· 23. 如申諳專利範圍第13項之激鏟腔室,其中該環區實 質上呈凹面。 24. 如申請專利範圍第Π項之濺鍍腔室,其進一步包含 一設置於包面體周圍的黨感線圈,該電感線圈係 搞合至電涿* 25. 如申請專利範圍第24項之濺鍍腔室,其辛該環區呈 凹面。 26. 如申請專利範園第24項之濺鍍腔室,其中該環區實 質上呈截頌錶形· 27_如申請專利範圍第24項之濺鍍腔室,其中該中區實 質上呈載頭錐形。 28.如ΐ請專利範園第24項之濺鍍腔室,其令該中區包 4 5 0999 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁> * ·*ί-ν 訂---,------線| 本紙張尺度適用f a Β家橾準(CNS>A4 Λ格(210 * 297公釐) 19 ' 450999 A8 88 C8 08 經濟部瞀慧财產属員工消费合作社印货 六、申請專利範圍 含不可濺鍍的材料。 29·如申請專利範面第6項之目標物,其中該中區係電氣 地接地* 30. 如申請專利範園第1項之目標物,其中該可濺鍵表面 係以相對於支撐件呈介於25。至55。之角度的方式設置 〇 31. 如申請專利範圍第20項之濂鍍腔室,其中該中區係 電氣地接地β 32. 如申請專利範圍第13項之濺鍍腔室,其中該可濺鍍 表面係以相對於支撐件呈介於25。至55。之角度的方式 設置。 33,如申請專利範圍第13項之濺鍍腔室,進一步包含設 置於鄰近該背板之環區的磁性組件· 34. —種用於物理沉積系統用目標物,包括: 一背板,具有一實質上呈凸面之中區及一環繞該 中區之呈截頭錐形的環區;以及 一沈積在該背板之呈截頭錐形的環區上之可濺鍍 材料。 35. 如申請專利範®第34項之目標物,其中該中區具有 實質上呈凸面的封阻表面。 36. 如申請專利範圍第35項之目標物,其中該中區係電 氣地接地。 37. 如申請專利範圍第35項之目標物,其中該設置於環 區之可濺鍵材料具有呈載頭鎔形之表面,相對於基 {請先《讀背面之江意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遘用_國画家標準(CNS)A4 ft格<210 * 297公釐). -20 - Λ3 88 4 5 0 9 9 9__§_ 六、申請專利範圍 材表面呈介於25°至553之角度的方式設置》 33.如申請專利範園第35項之目標物,進一步包含: 一置於鄰近該背板之環區的磁性组件。 (請先Mtt背面之注意事項再填寫本I > 钉-ί.------線丨 熳濟部智慧財產局貝工消費合;=:;-"发 ·*: 本纸張尺度適用中國S家標準·(CNS)A4燧格(210 * 297公釐〉 21
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