TW446856B - A cleaning method of removing exposed photo-resists on a semiconductor wafer - Google Patents

Description

_^a,,6 五、發明說明（1) 本發明係提供一種沖洗方法，尤指一種用來清除一半 導體晶片上已曝光之光阻的沖洗方法。 在半導體製程中，當半導體晶片表面的光阻層經過曝 光（Exposure)及曝光後烘烤（Post Exposure Bake)的製程 後，便可進行顯影（De ve 1 opmen t)製程，以使光阻層所轉 移的潛在圖案顯現出來。一般顯影製程包含有三個步驟， 首先以去離子水（DI water)將半導體晶片預濕、 (Pre-wet)，然後將顯影液喷灑在半導體晶片表面上來進 行混拌顯影（Puddle Develop)，最後對半導體晶片表面的 光阻層進行一沖洗（Rinse)製程，以去除光阻層内已曝光 的光阻，便完成顯影製程。 習知顯影製程中所使用 間來沖洗半導體晶片表面的 (spin dry)。這種方式有時 使半導體晶片表面經過沖洗 影響到後續製程的品質。 ，沖洗方法是以2 0秒為沖洗時 光阻層’再將半導體晶片旋乾 無法完全去除已曝光的光阻， 後還有殘留的已曝光光阻，而 因此本發明之主要目的在 上已曝光之光阻的沖洗方法， 阻，以避免影響後續製程的品 ^提供一種清除半導體晶片 了以有效地清除已曝光之光 質。 圖式之簡單說明

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4^SS 五、發明說明（2) 圖一及圖二為利用本發明沖洗方法去 之光阻的示意圓 〜+導體日日片已曝光 圖二為本發明沖洗方法流程圖。 表一為比較本發明沖洗方法 興具他冲洗方法的實驗數據。 12光阻層 圖式之符號說明 1 〇半導體晶片 13已曝光之光阻 與圖二， 晶片1 0已 清除一半 製程的品 設有一以 已經過曝 表面上殘 明之沖洗 體晶片1 0 半導體晶 度來旋轉 晶片1 0上 旋轉速度 ，以將半 二步驟至 請參閱圖一 法來清除半導體 沖洗方法是用來 13 ’以避免後續 體晶片10表面上 1 2，而光阻層1 2 得半導體晶片1 0 晶片10進行本發 液，來沖洗半導 1 0至2 0秒。沖洗 2000轉的旋轉速 勻地沖洗半導體 400 0至5000轉的 間長度為3至5秒 之沖洗以及旋乾 圓一與圖二為利 光阻1 3的 片1 0表面 影響。如 式鋪設於 以顯影液 曝光之光 ，是以去 光阻層1 2 ，同時以 晶片1 0 * 的光阻13 半導體晶 導體晶片10旋乾 少一次，以完全 用本發明沖洗方 示意圖。本發明 上已曝光之光阻 圖一所示，半導 其上之光阻層 顯影之程序，使 阻1 3。對半導體 離子水作為沖洗 ’而沖洗時間為 每分鐘1 000至 使沖洗液得以均 。然後以每分鐘 片10，其旋轉時 。最後重複上述 去除光阻層1 2内

第5頁 一 4_4£8 5 6---------- 五、發明說明（3) 殘留之已曝光的光降13 ’如圖二所示。 請參考圖三’圖三為本發明沖洗方法1 4流程圖。本發 明用來清除半導體 包 含有下 列 步 驟 • 步驟16 * 實 施 第 沖 洗 製 半 導 體 晶 片 10 表 12 内 已 曝 光 之 光 步驟18 ； 實 施 第 旋 乾 製 步驟20 實 施 第 沖 洗 製 如 少驟16 之 沖 洗 步驟22 4 « 實 施 第 旋 乾 製 本發 明 沖 洗 方 法 是 以 沖 晶 片10重 複 進 行 % 少 .— 次 的 清 除半導 體 晶 片 10 上 已 曝 光 光 以及顯 影 步 驟 後 所 殘 留 的 請參 考 表 ， 表 — 為 比 洗 方法的 實 驗 數 據 a 這 個 實 半 導體晶 片 上 已 曝 光 之 光 阻 導 體晶片 上 已 曝 光 光 阻 的 數 時 間為1 5 秒 i 第 二 對 昭 組 所 實 驗組則 是 採 用 本發 明 沖 洗 已曝光之光阻1 3的沖洗方法1 4 程’旋轉半導體晶片1 〇並沖洗 面之光阻層12，以去除光阻層 阻13。 程，將半導體晶片10旋乾。 程，重複對半導體晶片1 0進行 程’將半導體晶片1 0旋乾。 洗以及旋乾二步驟，對半導體 沖洗。本發明除了可以有效地 之光阻13，也可以同時清除曝 顯影液。 較本發明沖洗方法1 4與其他沖 驗是以不同的沖洗方法分別對 進行沖洗，然後計算殘留在半 目。第一對照組所採用的沖洗 採用的沖洗時間為1 0 5秒，而 方法1 4，其沖洗時間為1 5秒並

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Claims (1)

1. 44685 b * 1 ^Μϋδδΐ 05221 月 修正 天.、—甲IfWl：圍 1 . 一種用來清除一半導體晶片上已曝光之光阻的沖洗方 法，該半導體晶片表面設有一以旋塗方式鋪設於其上之 光阻層，該光阻層已經過曝光以及以顯影液顯影之程 序，而該半導體晶片上殘留有已曝光之光阻，該沖洗方 法包含有： 旋轉該半導體晶片並以沖洗液沖洗該半導體晶片表面 之光阻層，以去除該光阻層内殘留之已曝光光阻，其中該 半導體晶片之旋轉速度為每分鐘i 0 0 0至2 0 0 0轉，而沖洗時 間為1 0 至2 0秒； 將該半導體晶片旋乾；以及 重複上述二步驟至少一次以完全去除該光阻層内殘留 之已曝光光阻。 2. 如申請專利範圍第1項之沖洗方法，其中該沖洗液係為 一去離子水（DI water)。 3. 如申請專利範圍第1項之沖洗方法，其中在以該沖洗液 沖洗該半導體晶片時，該半導體晶片會同時被旋轉以使 該沖洗液得以均勻的沖洗該半導體晶片上殘留之已曝光 光阻。 4. 如申請專利範圍第3項之沖洗方法，其中在以該沖洗液 沖洗該半導體晶片時，該半導體晶片之旋轉速度為每分 鐘1 0 0 0至2 0 0 0轉，而沖洗時間為1 0 至2 0秒。

   第10頁 2000. 12. 28.011 ^4685^ _案號88105221 年I月i日 修正_ 六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第1項之沖洗方法，其中在將該半導體 晶片旋乾時，該半導體晶片之旋轉速度為每分鐘4 0 0 0至 5 0 0 0轉，而時間長度為3至5秒。 6. 如申請專利範圍第1項之沖洗方法，其中該沖洗以及旋 乾二步驟會同時去除殘留於該半導體晶片表面之顯影 液。

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