CN113721430B - 光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统 - Google Patents

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Abstract

本申请关于一种用于光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统，涉及芯片制备技术领域。该方法包括：获取表面具有光刻胶，且光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆；将目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；响应于第一指定时长结束，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗；在第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；响应于第二指定时长结束，去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂；通过离心甩干的同时进行气体吹扫的方式对溶剂去除后的目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的目标晶圆。通过上述方法，提高了光刻胶的处理效果，同时提高了获得的金属器件的产品质量。

Description

光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统
技术领域
本申请涉及芯片制备技术领域，特别涉及光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统。
背景技术
在芯片的制备过程中，需要利用光刻胶构建相关组件，比如关键组件空桥；在相关组件制备完成后，需要将多余的光刻胶进行去胶处理。
在相关技术中，在对光刻胶进行去除时，通常采用干法去胶方法，比如采用plasma等离子打胶法对光刻胶进行去除，在通过干法去胶进行光刻胶去除时，需要通入高频电压，以触发光刻胶与其他离子之间反应，从而生成易除去的反应物，从而实现光刻胶的去除。
然而，在上述方法中，需要通入高频电压来触发相关反应的产生，在该过程中，会使得对高频电压会对组件产生轰击，从而对相关组件的表面或结构造成一定的损伤，使得获得的组件的产品质量较低。
发明内容
本申请实施例提供了一种光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统，可以在提高光刻胶去除效果的同时，提高组件的产品质量，该技术方案如下：
一方面，提供了一种用于光刻胶去除方法，所述方法包括：
获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层，所述金属架空层具有三维镂空结构；
将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；
响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；
在所述第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；
响应于所述第二指定时长结束，去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；
通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。
另一方面，提供了一种用于光刻胶去除系统，所述系统包括：
晶圆获取装置，用于获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层，所述金属架空层具有三维镂空结构；
水浴浸泡装置，用于将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；
冲洗装置，用于响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；
超声清洗装置，用于在所述第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；
残留溶剂去除装置，用于响应于所述第二指定时长结束，去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；
干燥处理装置，用于通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。
在一种可能的实现方式中，所述超声清洗装置，用于将冲洗后的所述目标晶圆置于第二温度的所述第一有机溶剂中；
将盛放第二温度的所述第一有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，所述容器的底部与所述超声清洗水面相接触；
基于所述指定超声功率对所述容器中的所述目标晶圆进行所述第二指定时长的超声清洗。
在一种可能的实现方式中，所述超声清洗装置，用于将冲洗后的所述目标晶圆，以指定角度置于所述第二温度的所述第一有机溶剂中。
在一种可能的实现方式中，所述指定角度为45度。
在一种可能的实现方式中，所述指定超声功率是超声清洗机的最低功率。
在一种可能的实现方式中，所述残留溶剂去除装置，用于响应于所述第二指定时长结束，将所述目标晶圆放置到第二有机溶剂中；
基于所述指定超声功率对所述目标晶圆进行第三指定时长的超声清洗，以去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂。
在一种可能的实现方式中，干燥处理装置，用于将溶剂去除后的所述目标晶圆立于纸面，以进行初步干燥处理；
响应于初步干燥处理结束，通过所述目标处理方式对所述目标晶圆进行进一步干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆。
在一种可能的实现方式中，所述离心甩干是指以指定转速对所述目标晶圆离心旋转第四指定时长。
在一种可能的实现方式中，所述指定转速为3000转/分钟。
在一种可能的实现方式中，所述第四指定时长为35秒。
在一种可能的实现方式中，所述第一有机溶剂为Remover PG溶剂，所述第一温度为80℃，所述第一指定时长为96小时。
在一种可能的实现方式中，所述第一有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮溶剂，所述第一温度为85℃，所述第一指定时长为4小时。
在一种可能的实现方式中，所述金属架空层为空桥结构。
另一方面，提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质中存储有至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现上述用于光刻胶去除方法。
本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：
通过将表面具有光刻胶，同时在光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆，在第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长后，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗，在第一有机溶剂中对目标经验进行超声清洗，其中超声清洗采用指定超声功率，对清洗完后的目标晶圆进行溶剂去除和干燥处理，获得去胶处理后的目标晶圆；使得在光刻胶去除过程中，使用同一种去胶溶剂(第一有机溶剂)通过两步处理(水浴浸泡和超声清洗)即可以实现对光刻胶的去除，减少光刻胶的残留，提高了光刻胶的处理效果；同时，通过离心甩干和气体吹扫相结合的方式对湿法处理后的目标晶圆进行干燥处理，避免了仅利用气体吹扫处理过程中因气流不易控制而对金属器件造成的损伤，提高了获得的金属器件的产品质量。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
图1示出了本申请一示例性实施例示出的Lift-Off工艺的示意图；
图2示出了本申请一示例性实施例提供的光刻胶去除方法的流程图；
图3示出了本申请一示例性实施例提供的光刻胶去除方法的流程图；
图4-图5示出了基于相关技术进行去胶处理后的空桥结构图像；
图6-图7示出了基于本申请提供的光刻胶去除方法处理后的空桥结构图像；
图8是本申请一示例性实施例示出的光刻胶处理方法的流程图；
图9示出了本申请一示例性实施例提供的光刻胶去除系统的示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
应当理解的是，在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本申请实施例提供了一种用于光刻胶去除方法，可以提高获得的图像分类模型的分类准确性。为了便于理解，下面对本申请涉及的几个名词进行解释。
1)晶圆(Wafer)
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，多为硅/蓝宝石等材质，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，示意性的，晶圆可以用作芯片衬底。
2)光刻胶(Photoresist，PR)
光刻胶，也称光致抗蚀剂，是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，可以用于涂覆芯片衬底表面的一种光敏聚合物，进行光刻步骤时可发生化学反应，随后结合显影液形成所需图案。
光刻胶包括负性光刻胶和正性光刻胶；凡是在能量束(光束、电子束、离子束等)的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为负性光刻胶，简称负胶；凡是在能量束(光束、电子束、离子束等)的照射下，以光分解反应为主的光刻胶称为负性光刻胶；
基于不同类型的光刻胶的不同属性，对应有负性光刻和正性光刻两种工艺，负性光刻的基本特征是当曝光后，光刻胶会因交联而变得不可溶解并会硬化。一旦硬化，交联的光刻胶就不能在溶剂中被洗掉，光刻胶上的图形与投影掩膜版上的图形相反。正性光刻是复制到硅片表面的图形与掩膜版一样，被紫外光曝光后的区域经历了一种化学反应，在显影液中软化并可溶解在显影液中。曝光的正性光刻胶区域将在显影液中除去，而不透明的掩膜版下的没有被曝光的光刻胶仍留在硅片上。
3)回流(Reflow)
回流是指特定的光刻胶在加热后发生形变收缩，形成拱状物。
4)空气桥/真空桥
空气桥是一种低寄生效应的交叉互连方法，不仅可以做跨线连接，还能有效抑制芯片中传输线间的信号串扰。
独立存在的空气桥可以被称为分立式空桥；一连串空气桥全部相连新厂一整条空桥，称为全包空桥。
在芯片制备过程中，通常采用Lift-Off工艺(剥离工艺)来获得指定器件，比如空气桥，图1示出了本申请一示例性实施例示出的Lift-Off工艺的示意图，如图1所示，Lift-Off工艺流程包括：1.清洗衬底，该衬底一般实现为晶圆；2.在洁净的衬底上涂覆一层光刻胶，其中，可以采用旋转涂覆的方式进行光刻胶覆盖，以使得光刻胶涂覆均匀；3.将涂覆好光刻胶的衬底放入激光直写机中录入版图进行曝光；4.取片浸入化学溶剂进行显影过程，在该过程中，若涂覆的光刻胶为正性光刻胶，那么经过曝光后的部位会溶于显影液从而形成对应形状；若涂覆的光刻胶为负性光刻胶，那么未经过曝光后的部位会溶于显影液，而留下对应的形状；5.基于有结构的光刻胶层表面，在其上方镀上一层金属膜材料，形成金属架空层，该过程可以采取垂直蒸镀的方法，该金属膜材料在有结构的部位进入材料会直接接触到光刻胶以下的衬底，从而有相应的粘合形成金属结构；6.使用有机溶剂将金属结构从衬底上剥离；7.获得金属结构。
光刻胶用来作为从光刻掩膜版到硅片表面的图形转移媒介以及被刻蚀区域或被离子注入区域的阻挡层。一旦刻蚀或被注入完成，光刻胶在晶圆表面就不再有用，尽可能完全去除。同时刻蚀过程带来的任何残留物也尽可能去掉，否则会影响芯片的各项性能。为了提高光刻胶的去除效果，本申请提供一种光刻胶去除方法，可以在有效去除残留的光刻胶的同时，保障组件结构的完整性，其中，本申请所示的光刻胶去除方法可以由生产线设备执行，该生产线设备可以实现为应用程序控制的机械手，应用程序控制的流水线中的光刻胶去除设备等。
本申请所提供的光刻胶去除方法可以应用于各种芯片的相关组件的制备过程，示意性的，可以应用于量子芯片的相关组件的制备过程；在量子芯片的相关组件的制备中，本申请提供的光刻胶去除方法可以有效去除制备有金属架空层的晶圆上残留的光刻胶，提高金属架空层的品质，进而提高该金属架空层的性能，例如，当该金属架空层为空桥结构时，可以提高空桥结构对传输线间的串扰的屏蔽功能。
图2示出了本申请一示例性实施例提供的光刻胶去除方法的流程图，该方法可以由生产线设备执行，如图2所示，该光刻胶去除方法可以包括以下步骤：
步骤210，获取目标晶圆，该目标晶圆表面具有光刻胶，且该光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层，该金属架空层具有三维镂空结构。
目标晶圆上涂覆有光刻胶，且该目标晶圆是在该光刻胶胶层上进行过金属镀膜处理形成指定组件结构后，待进行去胶处理的晶圆。
步骤220，将目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长。
在一种可能的实现方式中，该第一温度与第一有机溶剂的种类相对应，该第一指定时长与第一有机溶剂相对应。
在一种可能的实现方式中，该第一温度是基于该第一有机溶剂的使用说明数据表确定的温度，示意性的，该第一温度是使该第一有机溶剂有效的温度区间中的指定温度。
该第一有机溶剂用以溶剂目标晶圆上的光刻胶，以去除多余的光刻胶。
其中，该第一有机溶剂的深度大于或等于目标晶圆的厚度，以使得目标晶圆浸没在该第一有机溶剂中。
步骤230，响应于第一指定时长结束，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗。
其中，新的第一有机溶剂是指未经使用过的第一有机溶剂，也就是说，未经环境污染过的第一有机溶剂。
对目标晶圆进行冲洗，是指使用流动的第一有机溶剂冲洗掉目标晶圆表面上残留的被使用过的第一有机溶剂。
步骤240，在第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗。
在一种可能的实现方式中，使用超声清洗机器对目标晶圆进行超声清洗；在对目标晶圆进行超声清洗的过程中，需将目标晶圆浸没在第一有机溶剂中，以进一步对残留的光刻胶进行清洗。
步骤250，响应于第二指定时长结束，去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂。
由于第一有机溶剂的残留会对金属架空层的性能造成一定的影响，比如，对金属架空层的电性能造成影响；因此，在通过第一有机溶剂去除残留在目标晶圆上的多余光刻胶后，为了减少第一有机溶剂的残留对目标晶圆上的金属架空层的性能的影响，需要将目标晶圆表面残留的第一有机溶剂去除，在通过第一有机溶剂去除晶圆表面上的光刻胶之后，即第二指定时长结束之后，去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂。
步骤260，通过目标处理方式对溶剂去除后的目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的目标晶圆；该目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。
在一种可能的实现方式中，进行气体吹扫时所采用的气体为氮气(N2)。
综上所述，本申请提供的光刻胶去除方法，通过将表面具有光刻胶，同时在光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆，在第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长后，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗，在第一有机溶剂中对目标经验进行超声清洗，其中超声清洗采用指定超声功率，对清洗完后的目标晶圆进行溶剂去除和干燥处理，获得去胶处理后的目标晶圆；使得在光刻胶去除过程中，使用同一种去胶溶剂(第一有机溶剂)通过两步处理(水浴浸泡和超声清洗)即可以实现对光刻胶的去除，减少光刻胶的残留，提高了光刻胶的处理效果；同时，通过离心甩干和气体吹扫相结合的方式对湿法处理后的目标晶圆进行干燥处理，避免了仅利用气体吹扫处理过程中因气流不易控制而对金属器件造成的损伤，提高了获得的金属器件的产品质量。
本申请提供的光刻胶去除方法可以应用于芯片制备过程中，对立体结构进行光刻胶去除的场景，示意性的，本申请所示的光刻胶去除方法可以用于全包空桥释放胶层桥撑的场景中。
在一种可能的实现方式中，本申请实施例中的目标晶圆是芯片制备过程中用于进行空桥结构制备的晶圆，该空桥结构用于屏蔽传输线间的微波串扰；该空桥结构为立体结构，因此在空桥结构的制备过程中，需要在保证中间层形状不变的前提下，对上下层聚合物进行释放。图3示出了本申请一示例性实施例提供的光刻胶去除方法的流程图，该方法可以由生产线设备执行，如图3所示，该光刻胶去除方法可以包括以下步骤：
步骤310，获取目标晶圆，该目标晶圆表面具有光刻胶，且光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层，该金属架空层具有三维镂空结构。
在一种可能的实现方式中，该金属架空层为空桥结构，该空桥结构可以是独立存在的空气桥，即分立式空桥；或者，该空气结构是指一连串空气桥形成的整条空桥，即全包空桥；本申请实施例以该空桥结构为全包空桥为例进行说明。
其中，该目标晶圆可以是回流(reflow)后刻有空桥结构未经去胶步骤的晶圆。
步骤320，将目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长。
在一种可能的实现方式中，该过程可以实现为：将该目标晶圆平放于显影花篮中后，置于容器中，在容器内倒入第一有机溶剂，该第一有机溶剂的深度大于或等于目标晶圆的厚度，以使得目标晶圆浸没于该第一有机溶剂中，从而使得第一有机溶剂能充分作用于目标晶圆表面多余的光刻胶。
其中，该第一时长是在第一有机溶剂的温度达到第一温度时开始计时的，也就是说，响应于第一有机溶剂的温度达到第一温度，启动计时器，该计时器用于对第一温度的持续时长进行计时。
在一种可能的实现方式中，该第一温度可以是对第一有机溶剂进行加热的水浴锅的温度，使用水浴加热可以使得第一有机溶剂受热均匀，提高第一有机溶剂的去胶效果。
在一种可能的实现方式中，该第一有机溶剂为Remover PG溶剂，对应的第一温度为80℃，第一指定时长为96小时。
在一种可能的实现方式中，该第一有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶剂，对应的第一温度为85℃，该第一指定时长为4小时。
步骤330，响应于第一指定时长结束，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗。
在一种可能的实现方式中，响应于第一指定时长结束，使用新的第一有机溶剂在常温小对目标晶圆进行冲洗。
其中，常温是指芯片制备环境(超净间)的恒定温度，该恒定温度为22℃。
步骤340，将冲洗后的目标晶圆置于第二温度的第一有机溶剂中。
为了提高超声清洗的清洗效果，在一种可能的实现方式中，将冲洗后的目标晶圆，以指定角度置于第二温度的第一有机溶剂中。
其中，该指定角度为45°。
示意性的，为了实现以指定角度角冲洗后的目标晶圆置于第二温度的第一有机溶剂中，在放置目标晶圆时，可以将目标晶圆放置于目标晶圆直径相同的显影花篮中，使得目标晶圆的一端接触显影花篮的中心，一端接触显影花篮的支杆，将以上述形式放置的目标晶圆放置到盛有第一有机溶剂的容器中，以使得目标晶圆以指定角度置于第一有机溶剂中。
步骤350，将盛放第二温度的第一有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，容器的底部与超声清洗水面相接触。
由于立体结构较为脆弱，超声清洗易对立体结构造成破坏，比如空桥结构为镂空结构，超声清洗容易造成空桥结构的坍塌变形，因此，在进行超声清洗的过程中，需减少容器与超声清洗水面的接触面积，在本申请实施例中，将盛放第二温度的第一有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，该容器的底部与超声清洗水面相接触，以使得容器仅接触到水面的振动，减少超声对立体结构造成的影响。
在一种可能的实现方式中，该第二温度为常温，即(超净间)的恒定温度，22℃。
步骤360，基于指定超声功率对容器中的目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗。
为了减少超声清洗过程中，超声波对立体结构(空桥结构)的桥体损害，在一种可能的实现方式中，进行超声清洗过程中使用的指定超声功率为超声清洗机的最低功率，其中，该最低功率为35％Power，该最低功率是指超声清洗机的最低震动功率。
在一种可能的实现方式中，该第二指定时长为5min。
步骤370，响应于第二指定时长结束，将目标晶圆放置到第二有机溶剂中。
在一种可能的实现方式中，将超声清洗结束后的目标晶圆在指定时间内移出第一有机溶剂，该指定时间尽可能短；之后将该目标晶圆放置到第二有机溶剂中。
步骤380，基于指定超声功率对目标晶圆进行第三指定时长的超声清洗，以去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂。
在一种可能的实现方式中，以指定超声功率在第二有机溶剂中对目标晶圆进行超声清洗的过程，可以与以指定超声功率在第一有机溶剂中对目标晶圆进行清超声清洗的过程相同，也就是说，在以指定超声功率在第二有机溶剂中对目标晶圆进行超声清洗的过程中，目标晶圆以指定角度浸没于第二有机溶剂中，盛放第二有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，容器的底部与超声清洗水面相接触。
其中，以指定超声功率在第二有机溶剂中对目标晶圆进行超声清洗的过程可以在常温(22℃)下进行。
在一种可能的实现方式中，该第三指定时长等于第二指定时长，即第二指定时长为5min，第三指定时长也为5min。
步骤390，通过目标处理方式对溶剂去除后的目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的目标晶圆；该目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。
在一种可能的实现方式中，对目标晶圆进行干燥处理可以实现为：
将溶剂去除后的目标晶圆立于纸面，以进行初步干燥处理。
响应于初步干燥处理结束，通过目标处理方式对目标晶圆进行进一步干燥处理，获得去胶后的目标晶圆。
其中，初步干燥处理的过程可以实现为，将从第二有机溶剂中取出的目标晶圆立于吸水纸的直面上，以使得目标晶圆表面残留的第二有机溶剂聚集于目标晶圆的与纸面接触点，以使得吸水纸对目标晶圆上残留的第二有机溶剂进行吸收。在进行初步干燥处理后，通过离心甩干结合气体吹扫的方式进行进一步干燥处理。
在一种可能的实现方式中，该离心甩干是指以指定转速对目标晶圆旋转第四指定时长，该第四指定时长为35s，该指定转速为3000转/分钟(rpm)。
其中，以指定转速对目标晶圆进行旋转可以实现为，将目标晶圆放置在旋涂平盘上，控制旋涂平盘的转速设置为3000转/分钟(rpm)，旋转时长为35s。
综上所述，本申请实施例提供的光刻胶去除方法，通过将表面具有光刻胶，同时在光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆，在第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长后，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗，在第一有机溶剂中对目标经验进行超声清洗，其中超声清洗采用指定超声功率，对清洗完后的目标晶圆进行溶剂去除和干燥处理，获得去胶处理后的目标晶圆；使得在光刻胶去除过程中，使用同一种去胶溶剂(第一有机溶剂)通过两步处理(水浴浸泡和超声清洗)即可以实现对光刻胶的去除，减少光刻胶的残留，提高了光刻胶的处理效果；同时，通过离心甩干和气体吹扫相结合的方式对湿法处理后的目标晶圆进行干燥处理，避免了仅利用气体吹扫处理过程中因气流不易控制而对金属器件造成的损伤，提高了获得的金属器件的产品质量。
在对立体结构进行光刻胶去除的过程中，能够在提升去胶效果的同时，降低对立体结构的结构损害，以空桥结构为例，图4-图5示出了基于相关技术进行去胶处理后的空桥结构图像，图4中的A部分对应为光学显微镜下分立空桥结构的示意图，图4中的B部分对应为光学显微镜下全包空桥结构的示意图，如图4所示，在空桥结构周围附着有残留的光刻胶；如图5所示，不同尺寸的分立空桥在共聚焦显微镜下，可以观察到空桥结构的桥体表面结构受损。
对比与图4-图5所示的空桥结构图像，图6-图7示出了基于本申请提供的光刻胶去除方法处理后的空桥结构图像，如图6，基于本申请提供的光刻胶去除方法处理后的全包空桥结构，在电镜显微镜下，在桥体结构的桥顶和桥底无光刻胶残留，且空桥结构形状保持完整，无塌陷断裂等情况出现，如图7所示，本申请提供的光刻胶去除方法使用在不同尺寸的空桥结构中，均能起到稳定的效果。
以全包空桥释放胶层桥撑工艺为例，图8是本申请一示例性实施例示出的光刻胶处理方法的流程图，如图8所示，该方法包括：
步骤810，将目标晶圆平放于显影花篮中，在烧杯内倒入覆盖整片目标晶圆的RemoverPG溶剂，水浴加热至80℃，水浴96小时。
其中，该目标晶圆是回流过后刻有空桥结构的未经去胶步骤的晶圆，该目标晶圆的直径为2英寸。
该水浴时长是从水浴温度到达80℃时开始计时的。
步骤820，96小时后，取出目标晶圆，使用新Remover PG溶剂对表面进行冲洗。
步骤830，将目标晶圆以一定倾角立于烧杯内，调节超声清洗机功率至最低，常温超声清洗5min。
其中，该第一倾角为45°，超声清洗机功率为35％Power，且在超声清洗过程中，全程提起烧杯使烧杯仅接触到水面的震动。
步骤840，在Remover PG溶剂中超声清洗完成后，迅速移出目标晶圆，换至倒有IPA溶剂的烧杯内超声清洗5min。
其中，步骤840的超声清洗过程类同于步骤830步中的超声设定。
步骤850，取出目标晶圆，将其立于纸面使水聚集于边角，通过纸巾吸收后放于旋涂平盘，以3000rpm转速旋转35s，期间结合N2吹扫清洁芯片表面，获得去除光刻胶后的目标晶圆。
综上所述，本申请实施例提供的光刻胶去除方法，通过将表面具有光刻胶，同时在光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆，在第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长后，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗，在第一有机溶剂中对目标经验进行超声清洗，其中超声清洗采用指定超声功率，对清洗完后的目标晶圆进行溶剂去除和干燥处理，获得去胶处理后的目标晶圆，可以实现较好的光刻胶去除效果，使得目标晶圆表面呈现清晰的光刻结构；同时，对于立体型结构，可以在提高去胶效果的同时，减少对器件表面的损伤，提高了相关器件的品质。
图9示出了本申请一示例性实施例提供的光刻胶去除系统的示意图，如图9所示，该光刻胶去除系统包括：
晶圆获取装置910，用于获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层，所述金属架空层具有三维镂空结构；
水浴浸泡装置920，用于将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；
冲洗装置930，用于响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；
超声清洗装置940，用于在所述第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；
残留溶剂去除装置950，用于响应于所述第二指定时长结束，去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；
干燥处理装置960，用于通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。
在一种可能的实现方式中，所述超声清洗装置940，用于将冲洗后的所述目标晶圆置于第二温度的所述第一有机溶剂中；
将盛放第二温度的所述第一有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，所述容器的底部与所述超声清洗水面相接触；
基于所述指定超声功率对所述容器中的所述目标晶圆进行所述第二指定时长的超声清洗。
在一种可能的实现方式中，所述超声清洗装置940，用于将冲洗后的所述目标晶圆，以指定角度置于所述第二温度的所述第一有机溶剂中。
在一种可能的实现方式中，所述指定角度为45度。
在一种可能的实现方式中，所述指定超声功率是超声清洗机的最低功率。
在一种可能的实现方式中，所述残留溶剂去除装置950，用于响应于所述第二指定时长结束，将所述目标晶圆放置到第二有机溶剂中；
基于所述指定超声功率对所述目标晶圆进行第三指定时长的超声清洗，以去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂。
在一种可能的实现方式中，干燥处理装置960，用于将溶剂去除后的所述目标晶圆立于纸面，以进行初步干燥处理；
响应于初步干燥处理结束，通过所述目标处理方式对所述目标晶圆进行进一步干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆。
在一种可能的实现方式中，所述离心甩干是指以指定转速对所述目标晶圆离心旋转第四指定时长。
在一种可能的实现方式中，所述指定转速为3000转/分钟。
在一种可能的实现方式中，所述第四指定时长为35秒。
在一种可能的实现方式中，所述第一有机溶剂为Remover PG溶剂，所述第一温度为80℃，所述第一指定时长为96小时。
在一种可能的实现方式中，所述第一有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮溶剂，所述第一温度为85℃，所述第一指定时长为4小时。
在一种可能的实现方式中，所述金属架空层为空桥结构。
其中，本申请实施例中所示的光刻胶去除系统中的各个装置，可以实现为用于实现对应功能，或执行对应步骤的各个机械手，或者，也可以实现为光刻胶去除流水线上的各个设备，本申请对此不做限制。
综上所述，本申请实施例提供的光刻胶去除系统，将表面具有光刻胶，同时在光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆，在第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长后，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗，在第一有机溶剂中对目标经验进行超声清洗，其中超声清洗采用指定超声功率，对清洗完后的目标晶圆进行溶剂去除和干燥处理，获得去胶处理后的目标晶圆；使得在光刻胶去除过程中，使用同一种去胶溶剂(第一有机溶剂)通过两步处理(水浴浸泡和超声清洗)即可以实现对光刻胶的去除，减少光刻胶的残留；同时，通过离心甩干和气体吹扫相结合的方式对湿法处理后的目标晶圆进行干燥处理，避免了仅利用气体吹扫处理过程中因气流不易控制而对金属器件造成的损伤，提高了获得的金属器件的产品质量。
在一示例性实施例中，还提供了一种可读存储介质，用于存储有至少一条指令、至少一段程序、代码集或指令集，所述至少一条指令、所述至少一段程序、所述代码集或指令集由生产线设备中的处理器加载并执行以控制相应的装置实现上述用于光刻胶去除方法中的全部或部分步骤。例如，该计算机可读存储介质可以是只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、只读光盘(Compact DiscRead-Only Memory，CD-ROM)、磁带、软盘和光数据存储设备等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (8)

1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，所述方法包括：
获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层；所述金属架空层为空桥结构；
将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；
响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；
将冲洗后的所述目标晶圆，以45度的角度置于第二温度的所述第一有机溶剂中；
将盛放第二温度的所述第一有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，且盛放第二温度的所述第一有机溶剂容器的底部与所述超声清洗水面相接触；
基于指定超声功率对所述容器中的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；所述第二温度为22度；
响应于所述第二指定时长结束，将所述目标晶圆，以45度的角度放置到所述第二温度的第二有机溶剂中；
基于所述指定超声功率对所述目标晶圆进行第三指定时长的超声清洗，以去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；在进行第三指定时长的超声清洗的过程中，盛放所述第二温度的所述第二有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，且底部与所述超声清洗水面相接触；
通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆，包括：
将溶剂去除后的所述目标晶圆立于纸面，以进行初步干燥处理；
响应于初步干燥处理结束，通过所述目标处理方式对所述目标晶圆进行进一步干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离心甩干是指以指定转速对所述目标晶圆离心旋转第四指定时长。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述指定转速为3000转/分钟。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第四指定时长为35秒。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一有机溶剂为Remover PG溶剂，所述第一温度为80℃，所述第一指定时长为96小时。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮溶剂，所述第一温度为85℃，所述第一指定时长为4小时。
8.一种光刻胶去除系统，其特征在于，所述系统包括：
晶圆获取装置，用于获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层；所述金属架空层为空桥结构；
水浴浸泡装置，用于将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；
冲洗装置，用于响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；
超声清洗装置，用于将冲洗后的所述目标晶圆，以45度的角度置于第二温度的所述第一有机溶剂中；将盛放第二温度的所述第一有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，且盛放第二温度的所述第一有机溶剂容器的底部与所述超声清洗水面相接触；基于指定超声功率对所述容器中的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；所述第二温度为22度；
残留溶剂去除装置，用于响应于所述第二指定时长结束，将所述目标晶圆，以45度的角度放置到所述第二温度的第二有机溶剂中；基于所述指定超声功率对所述目标晶圆进行第三指定时长的超声清洗，以去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；在进行第三指定时长的超声清洗的过程中，盛放所述第二温度的所述第二有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，且底部与所述超声清洗水面相接触；
干燥处理装置，用于通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。
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