TW445684B - Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output - Google Patents

Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output Download PDF

Info

Publication number
TW445684B
TW445684B TW088109238A TW88109238A TW445684B TW 445684 B TW445684 B TW 445684B TW 088109238 A TW088109238 A TW 088109238A TW 88109238 A TW88109238 A TW 88109238A TW 445684 B TW445684 B TW 445684B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
link
item
patent application
laser output
protective layer
Prior art date
Application number
TW088109238A
Other languages
English (en)
Inventor
Yunlong Sun
Edward J Swenson
Original Assignee
Electro Scient Ind Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Electro Scient Ind Inc filed Critical Electro Scient Ind Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW445684B publication Critical patent/TW445684B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

4456 8 4 A7 _B7___ 五、發明說明（I ) 枝術領域 本發明係有關於一種以雷射爲基礎的方法，其用以切 斷被製造在一半導體晶圓上之積體電路元件的導電性鏈結 1而且更特別地是有關於一種方法，其使用一紫外線雷射 輸出，此輸出在一預先決定的波長下具有足夠大小的功率 能夠切斷保護層(passivation layer)上方的鏈結，該保護層 之特徵爲高度以及吸收敏感度，而此高度及吸收敏感度足 以避免該雷射輸出影響到下層的基板。 本發明之背景 傳統之1.047/zm或1.064"^的雷射波長已經被用於 爆炸性地移除雷射可切斷電路鏈結超過20年。譬如，在一 記億體元件像是DRAM、SRAM或是一嵌入式記憶體中， 用以切斷一具有缺陷的記憶體單元並以一備用單元予以取 代。·類似的技術亦使用於切斷鏈結進而程式化一邏輯產品 、閘陣列或特殊用途積體電路(ASIC)。圖1A表示一傳統 具有光點直徑Η的紅外線(IR)脈衝雷射光束12，其打在一 由多晶矽或金屬鏈結18所組成的鏈結結構16上，而此鏈 結結構係位於一矽基板20的上方，並且介於一保護層的兩 成份層之間，該保護層含有一上部保護層21及一下部保護 層22。矽基板吸收一相當低比例的IR輻射量，而且傳統 的保護層21以及22，像是二氧化矽或是氮化矽對於IR輻 射是相當通透的。 在保持足夠的能量以加工一金屬鏈結18時，爲了避免 損傷基板20，Sun等人在美國專利編號5,265，114文件中 4 f紙張尺度適用^國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 445684 A7 B7 五、發明說明（V ) 建議使用較長的雷射波長，譬如，來加工矽晶圓上 之鏈結18。在1.3//m的波長雷射之下，鏈結材料以及基 板20之間的吸收率對比要比傳統1/zm之雷射波長中的對 比大很多。由此項技術能提供更寬的雷射加工窗口 (window)以及更佳的加工品質己極成功地使用於此產業中 有3年之久， 然而，該雷射波長有一些缺點：耦合雷射光束 12到高度導電性金屬鏈結18的效率相當低；以及實際上 可得到之用於鏈結切割的IR雷射光束的光點尺寸14相當 大，因而限制了鏈結寬度24、接觸墊(contact pads)28之間 的鏈結長度、以及鏈結節距30的臨界尺寸。此IR雷射鏈 結製程係依賴鏈結18之加熱、熔化，並產生一機械應力集 中以爆開上方的保護層21。此熱應力爆炸行爲或多或少地 依鏈結1S的寬度而定°當該鏈寬度變得約比1/zm更窄時 ，保護層21的爆炸樣式變得不規則，並且導致不一致的加 工品質，此點是令人無法接受的。 對於一鏈結切割雷射光束12的實際上可獲得之雷射光 點尺寸下限係爲光學元件選擇以及基板20之淸潔度的原因 ，可以方便地近似爲2倍的波長(2λ)。,因此對於1.32/zm 、1.06/zm以及1.04em之雷射波長來說，用於鏈結移除 的實際光點尺寸限制大約分別是直徑2.6# m、2.1 //m以及 2.0"m。因爲可用之鏈結節距30的下限是由雷射光束斑點 尺寸14，以及由雷射光束12與鏈結is之目標位置的對準 精度兩者所形成之函數，因此光點尺寸下限直接影響電路 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) y' 1 Κ» n n f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^456 84 A7 B7 五、發明說明（勺） 積集之密度。 --------—:—、;'裝— (請先閱讀背面之注意事氣痕填寫本頁) 目前使用於產業中，用以修復64M位元DRAMs之最 小聚焦材料移除雷射光點尺寸大約是直徑2#m。一 2.1# m的光點尺寸14被期望一直到256M位元，甚至某些1G 位元的DRAM設計仍然有用。圖2是一張光點尺寸對年份 的圖形，其說明了當鏈結節距30及鏈結寬度24減少時， 產業上將要求更小的光點尺寸。該圖係基於一用以近似光 點尺寸要求的簡單公式：光點尺寸直徑=2(最小鏈結節距)-2(系統對準精度)-(鏈結寬度）。（這些參數表示於圖中） 。該圖假設到1997年爲0.5/zm精度，到1999年爲〇.35// m精度以及之後爲0.25 μ m精度。因此工業專家預測 以下的光點尺寸很快即會被需求來加工鏈結18。然而這些 光點尺寸以傳統IR鏈結熔斷之雷射波長事實上是無法達成 的。
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較短的可見光波長，譬如〇.532 μιη將允許雷射光束斑 點尺寸減小。然而在這些波長之下，矽基板20會強烈吸收 可見光，而且該雷射鏈結切割製程會損壞基板20的一部份 。基於確保被加工元件之可靠度的理由，基板損壞是無法 接受的。 因此，我們需要一種以所選擇之雷射波長來切割製造 在半導體晶圓上之導電性鏈結的方法及設備，而此雷射波 長降低了實際光束斑點尺寸到低於2ym，但在切斷鏈結時^ 卻不會損傷半導體晶圓基板。 本發明之槪要 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 445684 ： 五、發明說明（斗） 因此，本發明之一項目標是提供—種以雷射爲基礎的 方法，此方法使用紫外線(uv)雷射輸出來切斷在半導體晶 圓上之積體電路結構之中的導電性鏈結，而导不損傷下層 晶圓基板。 本發明之另一項目的是提供一種方法’此種方法係以 所選擇的雷射輸出參數的方式予以實現’進而利用某種鏈 結結構成份材料對波長敏感之光吸收特性’使得在切斷鏈 結時能減少雷射輸出能量耦合至基板 本發明提供一 uv波長範圍的雷射II出光束來切斷積 體電路結構中的導電性鏈結。此波長範圍不是傳統上用於 鏈結製程的波長，而且本發明係利用介於鏈結和基板之間 的保護層對波長敏感的光吸收特性。由於傳統之保護層， 諸如二氧化矽及氮化矽對UV輻射呈現相當高的吸收率， 因而這些材料可用來吸收多餘的UV雷射輸出能量，並避免 這些能量損傷基板。這些以及其它的鈍化材料可以進一步 最佳化，以便對選用的UV雷射波長有更好的吸收。 更明確地，位於鏈結底下之鈍化材料層會吸收打在積 體電路結構的UV雷射能量，此能量係分佈在整個光束斑 點尺寸之面積內，而此面積涵蓋了鏈結寬度以及鄰近未被 鏈結覆蓋的保護層部份。由於保護層會吸收UV光，因此 下層保護層會衰減UV光並避免此UV光以具有切斷鏈結 的能量大小損傷晶圓基板。如果缺乏用下層保護層對UV 光的吸收》則入射於鄰近部份之切斷鏈結的雷射輸出能量 在鏈結切割加工時將導致基板損傷。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝i —丨II — —訂---- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A7 < 4-456 0 4 五、發明說明（〇 再者，該鏈結的底部是很難予以完全淸除的，而且此 部份若不完全淸除，則鏈結切斷後會造成一很低的開路電 阻。爲了確保鏈結完全分離，一雷射光束控制器會使UV 雷射部分地切入以使在下層保護層形成一凹陷，如此即有 助於在光點面積內的整個鏈結在縱深方向被淸除乾淨。該 控制器係經由控制實施鏈結切斷製程的雷射能量大小來決 定凹陷的深度。而鈍化材料的高度也可以被調整，以便具 有足夠厚度能夠吸收鏈結移除後所殘留的雷射能量。因此 ，完全沒有破壞周圍或者是下部基板材料的風險。 使用UV波長來進行鏈結加工的另—項優點爲光束斑 點尺寸比起以IR波長加工要小很多β例如對於212nm波 長來說，一 0.5 μ m的光束斑點尺寸比起一 i"m波長之 2.5 μιη光束斑點尺寸是可以很容易地獲得。該鏈結之特徵 尺寸愈小，也就愈允許製造封裝更爲緊密的1C元件。對於 鏈結上面覆有一保護層的積體電路結構，本發明之另一項 優點是上層保護層的移除不完全只由熱所產生的應力集中 所造成，而且還有經由UV雷射能量對上層保護層所直接 熔蝕的部份。此種現象使上層保護層之開口形狀能一致精 準’因而追種現象在切割非吊窄的鍵結是很有利的，否則 根據傳統之鏈結切割製程，當鏈結加熱造成上層保護層爆 開，將會使該窄鏈結的破裂形狀極不規則。 本發明還有另一項優點是由保護層材料對UV雷射能 量的高度吸收所形成。在傳統的鏈結製程中，雷射能量 會由鏈結被加工的地方向側邊反射’造成附近的鏈結損壞 8 --------------裝 (請先閱讀背面之注意事t填寫本頁) « ϋ ϋ ϋ I ϋ n I— 訂---------娘， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） 4456 84 at ____B7 五、發明說明（) 。當鏈結之持賴顿，㈣題變觀常發生。 但是，以uv雷難_事鏈㈣㈣，_結所反射出 來的光可由保護層材料予以衰減，因此大爲減少損傷附近 鏈結或者其他電路結構的風險。 本發明之其他目標及優點經由以下較佳實施例之細節 說明將會更爲淸楚’而這些說明係參照附圖來進行。 圖式之.簡要說明 圖1A係傳統半導體鏈結結構的局部剖面側視圖，圖 中該結構接收由習知技術之脈衝參數所特徵化的雷射脈衝 〇 圖1B係呈現鏈結寬度、節距以及雷射光束斑點尺寸 參數的互連關係圖’這些參數係參照圖1A並且與鄰近的 電路結構一起加以說明。 圖2係一張光點尺寸對照年份的圖彫，此圖預測鏈結 製程各個時期所需用到的雷射光點大小。 圖3以圖形表示4種不同金屬之光學吸收特性對波長 的關係。 圖4以圖形表示在矽中摻雜數種不同濃度的砷時，其 光學吸收係數對雷射光子(photon)能量(波長)的關係。 圖5以圖形表示在室溫下各種不同半導體之光學吸收 特性對波長的關係。 圖6A及圖6B係以圖形表示普通鈍化材料’特別是二 氧化矽以及氮化矽之光學吸收特性對波長的關係。 圖7A係本發明之半導體鏈結結構與一鄰近之電路結 (請先閱讀背面之注畫 ί裝i I έ填寫本頁)
LrJ· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用111國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 4456 8 4 B7 五、發明說明（^]) 構一起的局部放大俯視圖。 圖7B是圖7A之鏈結結構的局部放大剖面側視圖，該 結構接收由本發明之脈衝參數予以特徵化的雷射脈衝。 圖7C係圖7B之鏈結結構在其鏈結被本發明之雷射脈 衝移除之後的局部剖面側視圖。 圖8係一較佳之UV雷射系統之實例的部分槪要簡化 圖，該雷射系統包含有一晶圓定位器，其配合雷射製程控 制系統以實現本發明所提之方法。 圖9A係以圖示方法表示傳統UV雷射輸出之每個脈衝 的能量變化，該變化是介於脈衝之間的時間間隔的函數。 圖9B是一電壓校正訊號圖，此訊號被用以穩定在變 動的時間間隔下所產生之每個UV雷射輸出脈衝的能量。 圖9C係以圖形表示本發明的每個UV雷射輸出脈衝 的能量大小，其中的脈衝己被根據脈衝之間變動的時間間 隔而對不穩定性加以校正。 主要部份代表圖號之簡要說明 ---------11„.—裝 ii — ί 訂--- Λιν- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員_工消費合作社印製 12脈衝雷射光束 14光點直徑 16鏈結結構 18鏈結 20基板 21上部保護層 22下部保護層 24鏈結寬度 28接觸墊 30鏈結節距 38晶圓 40鏈結結構 42鏈結 43光點範圍 44雷射脈衝 47鏈結寬度 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ 445b „ » a 4 5 6 8 4 A7 ____ B7 五、發明說明（I ) 48保護層 49節距 5〇基板 51表面 52接觸墊 54保護層 56高度 57切斷鏈結的部份 58光點尺寸 110雷射二極體 Η 2光線 114透鏡組件 120雷射系統 1U雷射共振器 123脈衝輸出 124激光器 126後方鏡. .128輸出鏡 130光軸線 134倍頻器 138四倍頻器 140雷射系統輸出 142、Μ4光學組件 146光束路徑 148聚焦透鏡 160光束定位系統 Π0雷射控制器 Π1 ΟΜ控制器 172、174、176 ' 178 反射鏡 180 Q-開關 181光學調變器 ------1!!裝--- • f./ {請先閱讀背面之注意事填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 較佳實施例之詳迦說明 本發明之方法可促進在進行鏈結移除時使用較短之波 長(譬如UV .範圍的波長），因此允許雷射光束斑點尺寸之 減小。比400nm更短或相等的波長有助於0.8 μ m之雷射 光點尺寸的產生。而數種常用的鏈結材料，其波長相依的 (wavelength-dependent)特性將在下文中討論。 圖3係以圖形表示數種不同金屬，像是鋁、鎳、鎢及 白金的光學吸收特性，這些金屬可以用來作爲鏈結18。圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 456 8 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（1 ) 3係從、、軸14學與撕手冊〃(光學材難第二部， Marvm J . Weber著，CRC卩物出版，中之吸收 ，麵相__關下賴。圖3題了馳金屬，像 疋鋁鎮、鎢以及白金通常;g Uv波長時對雷射能量之吸 收會比在m波長時來歸。麵氮化物_卩氮化鈦)以及 其他用以形成導電性鏈結18的導電材料通常也有相似的光 學吸收特性。但是這些材料的吸收係數並不像前述的金屬 一樣地容易取得。 波長在uv範圍，特別是短於3〇0nm之波長時，由這 些鏈結材料所展現的闻度吸收率表示這些材料可以輕易地 以UV雷射輸出進行加工。因此，除了光點尺寸的優點外 ’ UV雷射輸出能夠提供更好的輔合效率至導電鏈結，以 獲致更乾淨的鏈結移除、更佳的跨於被切斷之鏈結上的開 路電阻品質以及更高的鏈結加工良率。 很不幸地’許多半導體基板也更加易受短於波 長的雷射輸出所影響而損壞。數種常用之基板材料的吸收 特性說明於下文中。 圖4係以圖形表示在矽中摻雜數種不同濃度的#日寺， 其光學吸收係數對雷射光子能量（波長）的關係。圖4係從 Jellison 等人之著作（Phys. Rev. Let. ’第 46 冊，1414 頁， 1981)中的一張圖的複製圖。圖4顯示在短於約之波 長時，經摻雜或者未經摻雜之矽的吸收係數均呈現急劇之 增加。此種行爲之詳細物理被描述於''半導體之脈衝雷射 製程半導P與半金屬’第23冊，Academic press出 --------------Irt'i 裳--------訂--- 广V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------ί 本紙張尺度適用中國®家標準（CNS)A4規格（210 x 297么釐） 4 45 6 8 4 A7 __B7_ 五、發明說明（ 版，1984)中。 雖然針對經摻雜之多晶矽、多晶矽化合物以及二矽化 合物之光學吸收率對波長關係所發表之可靠刊物尙不多見 ，但熟悉此項技藝之人士可能料想得到在短於1//ηι的波 長時，這些經摻雜之材料的吸收係數也會有顯著的增加。 圖5係以圖形表示在室溫下各種不同半導體(包含有砷 化鎵以及矽）之光學吸收特性對波長的關係。圖5係"光學 手冊"（美國光學協會之Walter G. Driscoll編著， McGraw-Hill Book Co.出版，1978)之圖 156 的複製圖。 該圖顯示在室溫時'，矽、砷化鎵以及其他半導體材料的光 吸收率在可見光及UV範圍的波長下，會比在IR範圍的波 長下有一更顯著的增加。參考圖4以及圖5，由這些基板 材料在UV範圍對波長的高度吸收率提示我們：這些材料 很容易遭受UV雷射輸出的損傷。 圖6A係以圖形表示熔矽石(二氧化矽)之光學吸收特性 對波長的關係°圖6A係由C.M. Randall及R. Rawcliff 的著作（應用光學，7 : 213，1968)所取得。該圖顯示出二 氧化矽在大約比300nm還短的波長時，呈現良好的吸收特 性，而且其吸收行爲在短於200nm的波長時更是顯著地增 加。熟悉此項技藝的人士將會了解到不管是經由刻意地或 者是由一摻雜過之晶圓的擴散結果，二氧化矽保護層通常 都會受到摻雜。普通的摻雜物包含有三族以及五族元素， 例如硼、磷、砷以及銻。此二氧化矽保護層通常也包含有 一些缺陷。由於摻雜以及/或者缺陷，此二氧化矽或氮化矽 _ 13 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4456 84 A7 B7 五、發明說明（) 保護層在較長的波長下，例如約短於或者等於4〇〇nm附近 也變得相當有吸收性。熟悉此項技藝的人士將會了解到可 以利用特殊摻雜物以及其濃度的調整來"調整〃（tune)該保 護層，以對想要的UV雷射波長有更好的吸收率。 圖6B+係以圖形表示包含氮化矽的數種結晶光學材料 之光穿透率範圍對波長的關係。圖6B係'紅外線光擧材 料手冊 〃（Paul Klocek 編著，Marcel Dekker Inc.出版 ，紐約，1991)之第四章之圖5.1的複製圖。圖6B顯示氮 化矽的穿透率在短於約3〇〇nm附近的波長時會變小。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事_再填寫本頁) 圖7A係一具有本發明之半導體鏈結結構40之晶圓38 的局部放大俯視圖；圖7B是鏈結結構40的局部放大剖面 側視圖，該結構接收由本發明之脈衝參數予以特徵化之雷 射脈衝44的光點範圍43 ;以及圖7 C係圖7B之鏈結結構 4〇在其鏈結42被雷射脈衝44移除之後的局部剖面側視圖 。參考圖7A-7C ’鏈結結構40最好包含有一金屬的或者 導電性的鏈結42，此鏈結要具有介於接觸墊52之間的鏈 結長度46以及一鏈結寬度47。而鏈結寬度47可以設計得 比鏈結18(其由傳統之IR鏈結熔斷雷射光束12來熔斷)的 寬度24(約2.5"m)還小。鏈結材料可以包含(但不限於)錦 、銅、鎳、鎢、白金、金、以及其他的金屬、金屬合金(例 如鉻酸鎳）、金屬氮化物(例如氮化鉅或氮化鈦金屬砂化 物(例如砂化鶴）以及經慘雜的多晶砂和類似的材料。雖然 鏈結結構40可能有傳統之尺寸，但鏈結寬度尺寸可能只等 於或小於約l.〇/im。相似地，介於鏈結42間之中心到中 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4456 8 4 A7 _ B7__ 五、發明說明（ 心的節距49可以比介於鏈結1S(以光束12熔斷)之間的節 距30小很多。例如鏈結42可以在其他鏈結42或附近電路 結構的2·5/ηη範圍內。如果一具有小於或等於約 光點尺寸的212nm光束被用來切斷鏈結42，則節距49可 小於或等於約1.0 # m。 鏈結結構40典型上包含有一覆蓋在鏈結42之上的 UV吸收保護層48。不過，熟悉此項技藝的人士將會了解 鏈結42上面也可能沒有任何的覆蓋。鏈結結構40也包含 一 UV吸收保護層54，此層係位於基板50與鏈結42之間 〇 保護層54最好要有一高度56，此高度係足夠大而能 夠將用於切斷鏈結42的UV雷射能量作一足量的衰減，使 得基板5〇不會被損壞。對一由二氧化矽或是氮化矽所組成 的保護層54來說’高度56最好至少要有約o.Sym，更佳 的是0.8/im左右。該保護層48以及/或54的高度56可以 經特別的調整，以便於光點面積43內之切斷鏈結(0ff-unk) 的部份57，能夠對來自脈衝44的能量作足夠衰減，以避 免在淸除鏈結範圍之基板被損壞。保護層48及54可能由 相同或者不同的材料組成。保護層邮以及/或54也可被摻 雜，以增加其在較長的UV波長如300nm到400nm之間的 吸收性。 除了以上所討論之使用UV的優點外，保護層54還可 形成其他的製程優點°參考圖7B，可以調整高度56以刻 意造成保護層54之部份熔解。此保護層54之部份熔解， 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------—訂----- 5. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 4-56 8 4- A7 ___B7______ — 五、發明說明（A ) 在沒有損壞基板5〇的風險下，可促進鏈結42底部之完全 移除，因此可獲得一跨在接觸點52的高開路電阻。 圖8顯兩一簡化之雷射系統120的較佳實施例，該系 統係用以產生想要的雷射脈衝(其可達成依據本發明的uv 鏈結切割）。爲了方便起見，此處之雷射系統120係只由4 次諧波之钕：釔鋁石榴石(Nd : YAG)雷射爲例子來示範， 此雷射係由雷射二極體110予以輸入能量(pumped)，雷射 二極體之射出光線Π2由透鏡組件114聚焦進入IR雷射共 振器122。IR雷射共振器122包含有一激光器(iasam)124 ，其位於一後方鏡126以及一輸出鏡128之間，並沿著光 軸線130以具有小於10ns之特徵寬度的i〇64nm波長發射 IR脈衝輸出123。半極限値之全波寬鏡(FWHM. Mirror)l26 最好能百分之百反射Nd : YAG之基頻波長，並對二極體 雷射110的輸出具高穿透性，而且透鏡128最好能百分之 百反射Nd : YAG之基頻波長，並對沿著光軸130行進的 二次諧波有高度的穿透性。一共振器內倍頻器134最好位 於激光器124與輸出鏡128之間。一四倍頻器138最好位 於共振器Π2之外部以進一步將雷射光束頻率轉換爲四次 諧波。 該雷射系統也可被配置來產生第五次諧波(在Nd : YAG之 中爲212nm，在Nd : YLF(四氟化釔鋰）中爲210nm)，其方 法係以另一非線性晶體將基頻與四次諧波組合或將二次諧 波與三次諧波組合。諧波轉換過程被描述在"非線性光學 晶體手冊〃（V.G. Dmitriev 等人著，Springer-Verlag 出版， Γ靖先閱靖背面之注意事項再填寫本頁} 「裝----II--訂----- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ix 4 5 6 8 4 A7 _____B7____ 五、發明說明（A ) 紐約，1991，ISBN3-540-53547-0)之 138-141 頁中。 IR雷射共振器122可以由一具有l..〇47#m之其頻波長的 Nd : YLF雷射，或者具有l‘〇64em基頻波長的Nd : YV04 的雷射代替。熟悉此項技藝的人士將也會了解到Nd : YAG 的三次諧波(355nm)以及Nd : YLF的三次諧波(349nm)可以 用來加工被摻雜過之保護層材料環繞的鏈結42。熟悉此項 技藝的人士也將了解到，其他能夠發射短於300nm波長的 合適雷射系統均可加以利用。例如由模式9300系列（由電 氣科學工業公司製造，波特蘭，奧勒岡州）的雷射系統做修 改爲較佳適合此項技藝的人士來獲得一更短的波長(UV雷 射）。 雷射系統輸出140可由各種不同的傳統光學組件142 及144進行操控，此二光學組件係沿著光束路徑146放置 。組件142及144可能包含一光束擴展器（beam expander) 或其他光學組件，以便準直化UV雷射輸出140，以產生 具有有用的傳播特質之光束。光束反射鏡172、174、176 及Π8係對於四次諧波之UV雷射波長有高度的反射特性 ，但對於Nd : YAG的二次諧波則有高度穿透性，因此只 有四次諧振之UV會到達鏈結結構40的表面51。聚焦透 鏡148最好使用一 FI、F2.或F3之單組件或者多組件透鏡 系統，此系統聚焦該準直後的UV脈衝輸出140，以產生 一聚焦後的光點尺寸58，此光點尺寸甚小於2/zm，且最 好小於1/2 m。該經過聚焦之雷射光點43係以UV雷射輸 出140之單一脈衝44而被引導到晶圓38上面，並瞄準鏈 17 {請先閱讀背面之注意事##'填寫本頁) 裝
• n I I ----訂-----
Mr 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 45b b 4456 84 五、發明說明（6 ) 結結構40以對鏈結42做較好的移除。施加於鏈結42之脈 衝44的切斷深度可經由脈衝44的能量選擇來做精確之計 算及控制。通常聚焦光點尺寸58較佳的切割參數係爲含有 0.01 /Z J到10" J間之脈衝能量的脈衝44，而且此脈衝要 有Ins到100ns的工作週期，且頻率約1到5kHz，最好是 在5kHz之下爲15ns。 一較佳之光束定位系統160在Overbeck的美國專利編號 4,532,4〇2的文件中有詳細的描述。光束定位系統160最好 使用一雷射控制器170，此控制器至少控制兩個平台或級 以及多個反射器172、I74、I76以及I78，以便猫準及聚 焦雷射系統輸出]4〇至晶圓38上想要的鏈結42 β光束定 位系統160允許在相同或者不同之晶粒上的鏈結42間作快 速移動，以便有效地根據所提供之測試或設計資料來完成 鏈結的切割操作。位置資料最好一次就能指定雷射系統輸 出的一個脈衝14〇到各個獨立的鏈結42上。 對於使用如圖8中所示的Q-開關ISO的腔內雷射光束 調變而言，雷射控制器Π0或許會被計時資料所影響(該資 料係用以同步化雷射系統120的點火與平台之移動），譬如 被描述於美國專利編號5,453,594(K〇nechy著）之文件中的 "輻射光束定位與發射座標系統〃。或者是，熟悉此項技 藝的人士將會了解到經由一波克斯單元(P〇ckels cell)或聲 光元件，雷射控制器170可被應用於連續波(CW)雷射能量 之外腔調變。此一替代可以提供一固定的峰値功率，而無 關於往復遮光(chopping)率或者輸出脈衝工作週期。光束定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (清先閱續背面之注¾事項再填寫本頁) 裝- ------- 訂-I! 4 456 B 4 A7 B7 五、發明說明（山） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 位系統16〇可以替代性地或附加性地使用該些改良或是光 束定位裝置(描述於被讓與給本案之受讓人Cutler等人所擁 有的美國專編號5,751，585文件中）。 就使用非線性頻率轉換之Q-開關脈衝固態uv雷射來 說，該uv輸出之脈衝到脈衝的功率位準對於連續脈衝點 火之間的重覆率或時間間隔特別敏感。圖9A係以圖不表 示每個脈衝的UV雷射能量相對於介於傳統UV雷射系統 的脈衝之間的時間間福。在一較佳的實施例中，一光學調 變器(〇M)181可能被安插於四倍頻器138與光學組件142 之間。系統120會預先檢查脈衝之間、不同時間間隔之每 個脈衝變動的UV能量，並建立一能量曲線。然後，根據 該能量曲線之資訊，一 a校準〃訊號會被產生並施加到 OM 181。圖9B係表示一校準訊號圖，該校準訊號施加到 OM 181以對個別時間隔作補償。不管雷射脈衝44何時被 點火，該校準訊號都將被觸發，因此，〇M 181上的控制訊 號電壓也將在上次之雷射脈衝點火之後隨著時間改變。不 論下一次之雷射脈衝是什麼時候點火，在OM 181上的校 準訊號都將確保隨著此校準訊號之後的雷射能量保持在一 預設的固定大小，而無關於任何兩連續雷射脈衝44之間的 時間間隔。圖9C係爲以OM 181校準之後的UV能量脈衝 。熟悉此項技藝的人士將會了解，此方式儘管脈衝44之間 會有不同的時間間隔，卻可在不改變每脈衝之UV雷射能 量的情形下實現最高的系統定位速度。 熟悉此項技藝的工作者將會了解，本發明的某些部份可以 閱 讀 背 拳
再 填 ，i裝 頁I 訂 ό 本紙張疋度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐）
I Λ 456 8 Δ Α7 Β7 五、發明說明（θ ) 有別於以上針對較佳實施例所做的實行描述來加以實施。 例如，系統控制電腦170、0Μ控制器171以及光束定位控 制器160可以被結合到單一處理器，或者用一些硬體線路 數位邏輯、執行於單一處理器的程式、微處理器、狀態機 器或者類比電路等組合來加以實施。 對於熟悉此項技藝之人士來說，以上針對本發明之較 佳實施例所做之細節說明很明顯地可以在不脫離本發明基 本原理之下有許多不同的改變。因此，本發明之範疇應僅 由以下之申請專利範圍所界定。 請 閱 讀 背 意 事 1C 填i I裝 頁 訂 if 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 x 297公釐）

Claims (1)

  1. ΑΛ56 B 巧年屮职曰 修正 捕 Kj 申請寻利範圍 A8 B8 C8 D8 修煩 早請 Μ 無明In ΪΗ 是月 否、t 手0 修所 正提 之 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 · 一種用以切斷被製造在一半導體基板上之積體電路 鏈結結構內之導電性鏈結的方法，其中該積體電路鏈結結 構包含有一上表面以及一位於該鏈結與基板之間的無機電 介質保護層，該鏈結係具有一鏈結寬度，且該保護層具有 一高度及波長敏感的光吸收特性，此方法係包含： 產生以及引導紫外線雷射輸出至該鏈結結構，該紫外 線雷射輸出在一預先決定的波長下具有被一分佈在整個鏈 結結構之頂表面上的光點面積上之功率密度所特徵化的能 量，該光點面積具有小於約2.0#m之直徑並且涵蓋該鏈結 寬度以及一未被該鏈結覆蓋之保護層的鄰近部份，該功率 密度具有足夠大小能夠切斷該鏈結，並結合該預先決定的 波長與該保護層的交互作用，以使得該保護層之波長敏感 光吸收特性及高度造成未被該鏈結覆蓋之保護層的鄰近部 份在切斷鏈結時，能夠衰減入射於該鄰近部份的雷射輸出 之切斷鏈結的能量，以避免該雷射輸出損壞該基板。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射輸出之 預先決定的波長短於大約300nm。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中該雷射輸出之 預先決定的波長大約爲266nm、262nm、212nm、210nm或 193nm ° 4 ‘如申請專利範圍第3項之方法，其中之紫外線雷射 輸出之產生係更包含藉由對一個Q-開關調變的紫外光發射 之固態雷射以光學方法提供能量，以形成一脈衝紫外線雷 射輸出。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 45 6 8 4 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 修煩 正請 本妾 有員 無确 變示嘗年 内<4 容H 是η 否 ♦所 正提 〇之 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該保護層包含 有二氧化矽以及氮化矽。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法’其中該保護層的商 度至少約0.5私m。 7 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該鏈結係爲多 個製造在上述基板上之導電性鏈結之中的一個，而這些鏈 結互相以約小於2.5 A m的節距距離隔開。 8 _如申請專利範圍第1項之方法，其中該鏈結寬度係 小於或等於約1.0以m。 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該光點面積有 一小於約1 # m的直徑。 10 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射輸出 係移去位於下層且被鏈結覆蓋的保護層之一部份，以確保 在光點面積內的鏈結充份地被移除，而且位於下層且被鏈 結覆蓋的基板不會被損壞。 11 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該鏈結結構 進一步包含有上保護層，其位於該鏈結之上，使得該上保 護層係被切斷鏈結之紫外線雷射輸出所至少部分坻直接熔 蝕。 12 _如申請專利範圍第1項之方法，其中該鏈結係形 成一記憶組件或一 ASIC的一部份。 13 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該保護·層係 被摻雜以增加其在預先決定之波長的吸收率^ 14 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射輸出 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3ft--------訂---- It ft ϋ Ί I線· A8 Βδ C8 D8 1456 84 、申請專利範圍 之預先決定的波長大約爲349nm或355nm a 15 ·如申請專利範圍第1項之方法’其中該位於下層 且被鏈結覆蓋的保護層係哀減超過需要切斷鍵，結之身寸輸^ 出的能量，以確保位於下層且被鏈結覆蓋的基彳反不會^皮胃 壞。 ’ . _請專__ 1項之方法，柄該鏈結係多 個製造在上述基板上之導電性鏈結之中的〜個， 係彼此以具波長敏感光吸收特性的鈍化材料隔開 鈍化材料衰減由第一個鏈結反射到第二個鏈，結 能量，進而避免該雷射輸出損壞該第二個鏈，結。 17 . —種用以切斷一個被製造在一半導體基板上的第 一導電性鏈結之方法，該第一導電性鏈結與—第二導電性 鏈結之間係由位於上述兩者間且具有波長敏感光吸收特性 的無機電介質鈍化材料所隔開，其包含有： 產生以及引導紫外線雷射輸出至該第一鏈結，其中該 紫外線雷射輸出在一預先決定的波長下、於一個具有小於 約2.O^m之直徑的光點面積之上臭有被一大到足以切斷鏈 結的功率密度所特徵化的能量，並結合該預先決定的波長 與上述之保護層交互作用，以使得該鈍化材料之波長敏感 光吸收特性造成該鈍化材料衰減由該第一鏈結反射至該第 二鏈結的雷射輸出能量，以避免此雷射輸出損壞該第二鏈 結。 18 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中該雷射輸出 之預先決定的波長短於約300nm。 Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 {請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 二9 -_線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4456 8 4 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 19 _如申請專利範圍第17項之方法，其中該第一及第 二鏈結係以小於約2.5/zm的節距距離隔開。 20 · —種用以切斷被製造在一半導體基板上之一積體 電路鏈結結構內之一對導電性接觸墊間之一導電性鏈結的 方法，其中該積體電路鏈結結構包含有一位於該鏈結與基 板之間的無機電介質保護層，該保護層具有一高度以及波 長敏感光吸收的特性，其包含有： 產生以及引導紫外線雷射輸出至該鍵結結構其中該 紫外線雷射輸岀具有由一個具有小於約2.0/zm之直徑的光 點面積之上被一足夠大小的功率密度所特徵化之能量以及 一預先決定的波長，此波長與該保護層之波長敏感光吸收 特性交互作用以切斷該鏈結，該保護層之高度以及波長敏 一 _· 感光吸收特性共同避免該雷射輸出損壞該鏈結底下之基板 〇 21 ·如申請專利範圍第20項之方法，其中該雷射輸出 之預先決定的波長短於約300nm。 22 ·如申請專利範圍第21項之方法，其中該雷射輸出 之預先決定的波長大約爲266nm、' 212nm、210nm 或 193nm。 23 ·如申請專利範圍第20項之方法，其中該雷射輸出 之預先決定的波長大約爲349nm或355nm。 24 ·如申請專利範圍第11項之方法，其中該上保護層 係被摻雜以增加其在預先決定之波長的吸收率。 ' 25 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中該鈍化材料 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · Ϊ tl n I 一-ej 1 ' 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 8 6 5 4 4 888 99 ABCD 六、申請專利範圍 係被摻雜以增加其在預先決定之波長的吸收率。 26 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中該雷射輸出 之預先決定的波長大約爲349nm或355nm。 27 ·如申請專利範圍第18項之方法，其中該雷射輸出 之預先決定的波長大約爲266nm ' 262nm、212nm、210nm 或 193nm 0 28 *如申請專利範圍第i項之方法，其中該雷射輸出 之預先決定的波長係包含一由Nd : YLF、Nd : YAG或是 Nd : YVO雷射所產生之基頻波長的三次諧波。 y 29 .如申請專利範圍第17項之方法，其中該雷射輸出 之預先決定的波長係包含一由Nd : YLF、Nd : YAG或是 Nd : YVO雷射所產生之基頻波長的三次諧波。 V 30 _如申請專利範圍第20項之方法，其中該雷射輸出 之預先決定的波長係包含一由Nd : YLF、Nd : yAG或是 Nd : YVO雷射所產生之基頻波長的三次諧波。 31 _ Ϊ申請專利範圍第9項之方法，其中該光點面積 具有一小於約L0//m的直徑。 & 32·如申請專利範圍第1項之方法，其中分布在該光 點面積上的功率密度係小於或是等於10#J。 33 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中分布在該光 點面積上的功率密度係小於或是等於10//J。 34 ·如申請專利範圍第20項之方法，其中分布在該光 點面積上的功率密度係小於或是等於。 35 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中介於該第一 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（210 X 297公龙） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - --------訂·—-----線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 88 8 8 ABCD 4 456 8 4 六、申請專利範圍 與第二鏈結之間的鈍化材料係至少約0.5 μ m厚。 36 ·如申請專利範圍第20項之方法，其中該保護層之 高度係至少約0.5 。 37 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中該第一與第 二鏈結係具有小於或是等於約l.OMm之鏈結寬度。 38 ·如申請專利範圍第20項之方法，其中該鏈結寬度 係小於或是等於約1.0/zm。 39 ·如申請專利範圍第20項之方法，其中該鏈結係爲 多個製造在上述基板上之導電性鏈結之中的一個，而這些 鏈結互相以約小於2.5 的節距距離隔開。 40 ·如申請專利範圍第14項之方法，其中該保護層係 被摻雜以來自III族或是V族之一種元素。 41 _如申請專利範圍第17項之方法，其中該保護層係 被摻雜以來自III族或是V族之一種元素，並且該雷射輸 出之預先決定的波長大約爲349nm或355nm。 42 _如申請專利範圍第20項之方法，其中該預先決定 的波長係與該保護層之波長敏感光吸收特性交互作用，以 在該鏈結底下之保護層中形成一縱深凹陷，以在接觸墊間 產生高電氣開路電阻。 43 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該鏈結結構 更包括上保護層，其位於該鏈結之上，使得切斷鏈結之紫 外線雷射輸出在該鏈結被切斷時，造成一熱感應的應力被 建立以移除該上保護層。 44 ‘如申請專利範圍第17項之方法，其中該保護層具 6 本紙張又度適用_國國家標i"(CNS)A4規格（210 x297公釐） ----------丨丨〆衣--------訂------丨_線^ <請先閱讀背面之^意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 445b 〇 . as 4456 8 4 S 六、申請專利範圍 有UV波長吸收特性類似於、或是包含Si〇2或是SiN之特 性。 45 _如申請專利範圍第20項之方法，其中該保護層具 有UV波長吸收特性類似於、或是包含或是SiN之特 性。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ¥--------訂---------線.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
TW088109238A 1998-06-05 1999-06-04 Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output TW445684B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/092,490 US6057180A (en) 1998-06-05 1998-06-05 Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW445684B true TW445684B (en) 2001-07-11

Family

ID=22233486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088109238A TW445684B (en) 1998-06-05 1999-06-04 Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6057180A (zh)
EP (1) EP1092237B1 (zh)
JP (1) JP2002517902A (zh)
KR (1) KR100696256B1 (zh)
CN (1) CN1198329C (zh)
AU (1) AU4417799A (zh)
CA (1) CA2330653A1 (zh)
DE (1) DE69936646T2 (zh)
TW (1) TW445684B (zh)
WO (1) WO1999063592A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8409968B2 (en) 2002-12-03 2013-04-02 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate via modified region formation and subsequent sheet expansion
TWI395293B (zh) * 2002-03-12 2013-05-01 Hamamatsu Photonics Kk 半導體基板之切斷方法
US8518800B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8551865B2 (en) 2002-03-12 2013-10-08 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting an object to be processed
US8685838B2 (en) 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US8716110B2 (en) 2000-09-13 2014-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method

Families Citing this family (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5998759A (en) * 1996-12-24 1999-12-07 General Scanning, Inc. Laser processing
US6987786B2 (en) * 1998-07-02 2006-01-17 Gsi Group Corporation Controlling laser polarization
JP3630999B2 (ja) 1998-08-19 2005-03-23 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6300590B1 (en) * 1998-12-16 2001-10-09 General Scanning, Inc. Laser processing
US6323067B1 (en) * 1999-01-28 2001-11-27 Infineon Technologies North America Corp. Light absorption layer for laser blown fuses
US7723642B2 (en) * 1999-12-28 2010-05-25 Gsi Group Corporation Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US20040134894A1 (en) * 1999-12-28 2004-07-15 Bo Gu Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US6281471B1 (en) * 1999-12-28 2001-08-28 Gsi Lumonics, Inc. Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material
US20060141681A1 (en) * 2000-01-10 2006-06-29 Yunlong Sun Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US20030222324A1 (en) * 2000-01-10 2003-12-04 Yunlong Sun Laser systems for passivation or link processing with a set of laser pulses
US6574250B2 (en) 2000-01-10 2003-06-03 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for processing a memory link with a burst of laser pulses having ultrashort pulse widths
US7671295B2 (en) * 2000-01-10 2010-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US6887804B2 (en) 2000-01-10 2005-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Passivation processing over a memory link
FR2810118B1 (fr) * 2000-06-07 2005-01-21 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent comportant un revetement antireflet
CN1219319C (zh) * 2000-07-12 2005-09-14 电子科学工业公司 用于集成电路熔丝的单脉冲切断的紫外激光系统和方法
US6838367B1 (en) * 2000-08-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Method for simultaneous formation of fuse and capacitor plate and resulting structure
US20020063361A1 (en) * 2000-09-20 2002-05-30 Fahey Kevin P. Laser processing of alumina or metals on or embedded therein
US7157038B2 (en) * 2000-09-20 2007-01-02 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
US6676878B2 (en) 2001-01-31 2004-01-13 Electro Scientific Industries, Inc. Laser segmented cutting
US6664500B2 (en) 2000-12-16 2003-12-16 Anadigics, Inc. Laser-trimmable digital resistor
CN1301178C (zh) * 2001-01-31 2007-02-21 电子科学工业公司 半导体中微结构的紫外线激光烧蚀的图案化
US20060091126A1 (en) * 2001-01-31 2006-05-04 Baird Brian W Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
US20070173075A1 (en) * 2001-03-29 2007-07-26 Joohan Lee Laser-based method and system for processing a multi-material device having conductive link structures
US6777645B2 (en) 2001-03-29 2004-08-17 Gsi Lumonics Corporation High-speed, precision, laser-based method and system for processing material of one or more targets within a field
DE10296468T5 (de) * 2001-12-17 2004-04-22 Electro Scientific Industries, Inc., Portland Bearbeitung einer Speicherverbindungsleitung mit einer Gruppe von mindestens zwei Laserimpulsen
JP4006994B2 (ja) * 2001-12-18 2007-11-14 株式会社リコー 立体構造体の加工方法、立体形状品の製造方法及び立体構造体
US6951995B2 (en) 2002-03-27 2005-10-04 Gsi Lumonics Corp. Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
US7332402B2 (en) * 2002-10-18 2008-02-19 Finisar Corporation Method for optically trimming electronic components
US6979798B2 (en) * 2003-03-07 2005-12-27 Gsi Lumonics Corporation Laser system and method for material processing with ultra fast lasers
US6947454B2 (en) * 2003-06-30 2005-09-20 Electro Scientific Industries, Inc. Laser pulse picking employing controlled AOM loading
US7616669B2 (en) * 2003-06-30 2009-11-10 Electro Scientific Industries, Inc. High energy pulse suppression method
US7126746B2 (en) * 2003-08-19 2006-10-24 Electro Scientific Industries, Inc. Generating sets of tailored laser pulses
JP4334308B2 (ja) * 2003-09-24 2009-09-30 オムロンレーザーフロント株式会社 配線修正装置
US7287177B2 (en) * 2003-12-04 2007-10-23 International Business Machines Corporation Digital reliability monitor having autonomic repair and notification capability
US20050144524A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-30 International Business Machines Corporation Digital reliability monitor having autonomic repair and notification capability
US7629234B2 (en) * 2004-06-18 2009-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling
US20060000814A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Bo Gu Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby
KR100689698B1 (ko) * 2005-01-12 2007-03-08 주식회사 이오테크닉스 패시베이션층이 형성된 대상물 가공 방법
US20060191884A1 (en) * 2005-01-21 2006-08-31 Johnson Shepard D High-speed, precise, laser-based material processing method and system
US8084706B2 (en) * 2006-07-20 2011-12-27 Gsi Group Corporation System and method for laser processing at non-constant velocities
US8374206B2 (en) 2008-03-31 2013-02-12 Electro Scientific Industries, Inc. Combining multiple laser beams to form high repetition rate, high average power polarized laser beam
US8642448B2 (en) 2010-06-22 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US8507363B2 (en) 2011-06-15 2013-08-13 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film
US8912077B2 (en) 2011-06-15 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
US8557683B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US8598016B2 (en) 2011-06-15 2013-12-03 Applied Materials, Inc. In-situ deposited mask layer for device singulation by laser scribing and plasma etch
US8703581B2 (en) 2011-06-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US9029242B2 (en) 2011-06-15 2015-05-12 Applied Materials, Inc. Damage isolation by shaped beam delivery in laser scribing process
US8759197B2 (en) 2011-06-15 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US8557682B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US9129904B2 (en) 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using pulse train laser with multiple-pulse bursts and plasma etch
US9126285B2 (en) 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using physically-removable mask
US8593722B2 (en) 2011-07-05 2013-11-26 Electro Scientific Industries, Inc. Systems and methods for providing temperature stability of acousto-optic beam deflectors and acousto-optic modulators during use
US8951819B2 (en) 2011-07-11 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid split-beam laser scribing process with plasma etch
USD671323S1 (en) 2012-04-06 2012-11-27 William Mitchell Scott Carrying tote
USD671322S1 (en) 2012-04-06 2012-11-27 William Mitchell Scott Carrying tote
US8652940B2 (en) 2012-04-10 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
US8946057B2 (en) 2012-04-24 2015-02-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using UV-curable adhesive film
USD685634S1 (en) 2012-04-27 2013-07-09 William Mitchell Scott Box
US8969177B2 (en) 2012-06-29 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film
US9048309B2 (en) 2012-07-10 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Uniform masking for wafer dicing using laser and plasma etch
US8940619B2 (en) 2012-07-13 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Method of diced wafer transportation
US8845854B2 (en) 2012-07-13 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing
US8993414B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Laser scribing and plasma etch for high die break strength and clean sidewall
US8859397B2 (en) 2012-07-13 2014-10-14 Applied Materials, Inc. Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch
US9159574B2 (en) 2012-08-27 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Method of silicon etch for trench sidewall smoothing
USD720539S1 (en) 2012-09-07 2015-01-06 William Mitchell Scott Box
US9252057B2 (en) 2012-10-17 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of UV release dicing tape for film frame wafer application
USD712476S1 (en) 2012-11-09 2014-09-02 William Mitchell Scott Document holder
US8975162B2 (en) 2012-12-20 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside
US8980726B2 (en) 2013-01-25 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate dicing by laser ablation and plasma etch damage removal for ultra-thin wafers
US9236305B2 (en) 2013-01-25 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications
US9620379B2 (en) 2013-03-14 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask including non-photodefinable laser energy absorbing layer for substrate dicing by laser and plasma etch
US10562132B2 (en) * 2013-04-29 2020-02-18 Nuburu, Inc. Applications, methods and systems for materials processing with visible raman laser
US8883614B1 (en) 2013-05-22 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach
US9105710B2 (en) 2013-08-30 2015-08-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing method for improving die packaging quality
US9224650B2 (en) 2013-09-19 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside and front side
US9460966B2 (en) 2013-10-10 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dicing wafers having thick passivation polymer layer
US9041198B2 (en) 2013-10-22 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Maskless hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing process
US9312177B2 (en) 2013-12-06 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Screen print mask for laser scribe and plasma etch wafer dicing process
US9299614B2 (en) 2013-12-10 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method and carrier for dicing a wafer
US9293304B2 (en) 2013-12-17 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Plasma thermal shield for heat dissipation in plasma chamber
US9018079B1 (en) 2014-01-29 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate reactive post mask-opening clean
US8927393B1 (en) 2014-01-29 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film vacuum lamination for laser and plasma dicing
US9012305B1 (en) 2014-01-29 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate non-reactive post mask-opening clean
US9299611B2 (en) 2014-01-29 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method of wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance
US8991329B1 (en) 2014-01-31 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Wafer coating
US9236284B2 (en) 2014-01-31 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Cooled tape frame lift and low contact shadow ring for plasma heat isolation
US9130030B1 (en) 2014-03-07 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Baking tool for improved wafer coating process
US20150255349A1 (en) 2014-03-07 2015-09-10 JAMES Matthew HOLDEN Approaches for cleaning a wafer during hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing processes
US9275902B2 (en) 2014-03-26 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Dicing processes for thin wafers with bumps on wafer backside
US9076860B1 (en) 2014-04-04 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Residue removal from singulated die sidewall
US8975163B1 (en) 2014-04-10 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Laser-dominated laser scribing and plasma etch hybrid wafer dicing
US8932939B1 (en) 2014-04-14 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film lamination
US8912078B1 (en) 2014-04-16 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Dicing wafers having solder bumps on wafer backside
US8999816B1 (en) 2014-04-18 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Pre-patterned dry laminate mask for wafer dicing processes
US8912075B1 (en) 2014-04-29 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Wafer edge warp supression for thin wafer supported by tape frame
US9159621B1 (en) 2014-04-29 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Dicing tape protection for wafer dicing using laser scribe process
US8980727B1 (en) 2014-05-07 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate patterning using hybrid laser scribing and plasma etching processing schemes
US9112050B1 (en) 2014-05-13 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Dicing tape thermal management by wafer frame support ring cooling during plasma dicing
US9034771B1 (en) 2014-05-23 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Cooling pedestal for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9093518B1 (en) 2014-06-30 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Singulation of wafers having wafer-level underfill
US9165832B1 (en) 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US9130057B1 (en) 2014-06-30 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Hybrid dicing process using a blade and laser
US9142459B1 (en) 2014-06-30 2015-09-22 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination
US9349648B2 (en) 2014-07-22 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rectangular shaped two-dimensional top hat laser beam profile or a linear shaped one-dimensional top hat laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9117868B1 (en) 2014-08-12 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9196498B1 (en) 2014-08-12 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Stationary actively-cooled shadow ring for heat dissipation in plasma chamber
US9281244B1 (en) 2014-09-18 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an adaptive optics-controlled laser scribing process and plasma etch process
US9177861B1 (en) 2014-09-19 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using laser scribing process based on an elliptical laser beam profile or a spatio-temporal controlled laser beam profile
US11195756B2 (en) 2014-09-19 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Proximity contact cover ring for plasma dicing
US9196536B1 (en) 2014-09-25 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a phase modulated laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9130056B1 (en) 2014-10-03 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Bi-layer wafer-level underfill mask for wafer dicing and approaches for performing wafer dicing
US9245803B1 (en) 2014-10-17 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a bessel beam shaper laser scribing process and plasma etch process
US10692765B2 (en) 2014-11-07 2020-06-23 Applied Materials, Inc. Transfer arm for film frame substrate handling during plasma singulation of wafers
US9330977B1 (en) 2015-01-05 2016-05-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a galvo scanner and linear stage hybrid motion laser scribing process and plasma etch process
US9355907B1 (en) 2015-01-05 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a line shaped laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9159624B1 (en) 2015-01-05 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Vacuum lamination of polymeric dry films for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
US9601375B2 (en) 2015-04-27 2017-03-21 Applied Materials, Inc. UV-cure pre-treatment of carrier film for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
US9721839B2 (en) 2015-06-12 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch
US9478455B1 (en) 2015-06-12 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Thermal pyrolytic graphite shadow ring assembly for heat dissipation in plasma chamber
US9972575B2 (en) 2016-03-03 2018-05-15 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process
US9852997B2 (en) 2016-03-25 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process
US9793132B1 (en) 2016-05-13 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US11158540B2 (en) 2017-05-26 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Light-absorbing mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US10363629B2 (en) 2017-06-01 2019-07-30 Applied Materials, Inc. Mitigation of particle contamination for wafer dicing processes
US10535561B2 (en) 2018-03-12 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a multiple pass laser scribing process and plasma etch process
US11355394B2 (en) 2018-09-13 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment
WO2020105957A1 (ko) * 2018-11-21 2020-05-28 엘지이노텍 주식회사 비아 홀 가공을 위한 지그, 비아 홀 가공 장치 및 이를 이용한 비아 홀 가공방법
KR20200076148A (ko) 2018-12-19 2020-06-29 엘지디스플레이 주식회사 베젤이 감소된 표시장치 및 그 제조방법
US11011424B2 (en) 2019-08-06 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US11342226B2 (en) 2019-08-13 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an actively-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US10903121B1 (en) 2019-08-14 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process
US11600492B2 (en) 2019-12-10 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced current leakage for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US11211247B2 (en) 2020-01-30 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Water soluble organic-inorganic hybrid mask formulations and their applications
US11798880B2 (en) * 2021-09-27 2023-10-24 Innolux Corporation Electronic device and method of fabricating an electronic device
CN114619135A (zh) * 2022-03-14 2022-06-14 东莞市舟拓电路科技有限公司 一种自动识别压合板尺寸并进行裁切的设备

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4228528B2 (en) * 1979-02-09 1992-10-06 Memory with redundant rows and columns
JPS60176250A (ja) * 1984-02-23 1985-09-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
EP0164564A1 (de) * 1984-05-18 1985-12-18 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur Sacklocherzeugung in einem laminierten Aufbau
US4598039A (en) * 1984-07-02 1986-07-01 At&T Bell Laboratories Formation of features in optical material
JPH0821623B2 (ja) * 1985-09-20 1996-03-04 株式会社日立製作所 レ−ザ処理方法
US4684437A (en) * 1985-10-31 1987-08-04 International Business Machines Corporation Selective metal etching in metal/polymer structures
US4810049A (en) * 1987-04-02 1989-03-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Reducing bend and coupling losses in integrated optical waveguides
US4853758A (en) * 1987-08-12 1989-08-01 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Laser-blown links
US4834834A (en) * 1987-11-20 1989-05-30 Massachusetts Institute Of Technology Laser photochemical etching using surface halogenation
US4780177A (en) * 1988-02-05 1988-10-25 General Electric Company Excimer laser patterning of a novel resist
US4915981A (en) * 1988-08-12 1990-04-10 Rogers Corporation Method of laser drilling fluoropolymer materials
JP2569139B2 (ja) * 1988-08-24 1997-01-08 株式会社日立製作所 イオンビーム加工方法
US4894115A (en) * 1989-02-14 1990-01-16 General Electric Company Laser beam scanning method for forming via holes in polymer materials
US5066998A (en) * 1989-06-30 1991-11-19 At&T Bell Laboratories Severable conductive path in an integrated-circuit device
US5185291A (en) * 1989-06-30 1993-02-09 At&T Bell Laboratories Method of making severable conductive path in an integrated-circuit device
US5108785A (en) * 1989-09-15 1992-04-28 Microlithics Corporation Via formation method for multilayer interconnect board
US5021362A (en) * 1989-12-29 1991-06-04 At&T Bell Laboratories Laser link blowing in integrateed circuit fabrication
US5096850A (en) * 1991-04-23 1992-03-17 Harris Corporation Method of laser trimming
US5293025A (en) * 1991-08-01 1994-03-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for forming vias in multilayer circuits
US5483100A (en) * 1992-06-02 1996-01-09 Amkor Electronics, Inc. Integrated circuit package with via interconnections formed in a substrate
JP3212405B2 (ja) * 1992-07-20 2001-09-25 富士通株式会社 エキシマレーザ加工方法及び装置
US5265114C1 (en) * 1992-09-10 2001-08-21 Electro Scient Ind Inc System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device
US5378313A (en) * 1993-12-22 1995-01-03 Pace; Benedict G. Hybrid circuits and a method of manufacture
US5536579A (en) * 1994-06-02 1996-07-16 International Business Machines Corporation Design of high density structures with laser etch stop
KR0151383B1 (ko) * 1994-06-16 1998-10-01 문정환 안티퓨즈 구조를 갖는 프로그램 가능한 반도체소자 및 그의 제조방법
US5841099A (en) * 1994-07-18 1998-11-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets
US5593606A (en) * 1994-07-18 1997-01-14 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets
JPH08172063A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザリペア装置
US5541731A (en) * 1995-04-28 1996-07-30 International Business Machines Corporation Interferometric measurement and alignment technique for laser scanners
US5623449A (en) * 1995-08-11 1997-04-22 Lucent Technologies Inc. Flag detection for first-in-first-out memories
US5950071A (en) * 1995-11-17 1999-09-07 Lightforce Technology, Inc. Detachment and removal of microscopic surface contaminants using a pulsed detach light
US5731047A (en) * 1996-11-08 1998-03-24 W.L. Gore & Associates, Inc. Multiple frequency processing to improve electrical resistivity of blind micro-vias
JPH10151309A (ja) * 1996-11-23 1998-06-09 Bridgestone Corp 浴水循環器
US6025256A (en) * 1997-01-06 2000-02-15 Electro Scientific Industries, Inc. Laser based method and system for integrated circuit repair or reconfiguration

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8716110B2 (en) 2000-09-13 2014-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US10796959B2 (en) 2000-09-13 2020-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US9837315B2 (en) 2000-09-13 2017-12-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8969761B2 (en) 2000-09-13 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip
US8946589B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US8946591B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method
US8946592B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8937264B2 (en) 2000-09-13 2015-01-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8933369B2 (en) 2000-09-13 2015-01-13 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate and method of manufacturing a semiconductor device
US8927900B2 (en) 2000-09-13 2015-01-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US8673745B2 (en) 2002-03-12 2014-03-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
US8518800B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US11424162B2 (en) 2002-03-12 2022-08-23 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8889525B2 (en) 2002-03-12 2014-11-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
TWI395293B (zh) * 2002-03-12 2013-05-01 Hamamatsu Photonics Kk 半導體基板之切斷方法
US10622255B2 (en) 2002-03-12 2020-04-14 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8598015B2 (en) 2002-03-12 2013-12-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US8551865B2 (en) 2002-03-12 2013-10-08 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting an object to be processed
US8518801B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8519511B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US10068801B2 (en) 2002-03-12 2018-09-04 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8802543B2 (en) 2002-03-12 2014-08-12 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US9142458B2 (en) 2002-03-12 2015-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9287177B2 (en) 2002-03-12 2016-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9543207B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9543256B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9548246B2 (en) 2002-03-12 2017-01-17 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9553023B2 (en) 2002-03-12 2017-01-24 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9711405B2 (en) 2002-03-12 2017-07-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8450187B2 (en) 2002-12-03 2013-05-28 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
US8409968B2 (en) 2002-12-03 2013-04-02 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate via modified region formation and subsequent sheet expansion
US8865566B2 (en) 2002-12-03 2014-10-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US8685838B2 (en) 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method

Also Published As

Publication number Publication date
US6057180A (en) 2000-05-02
KR20010043254A (ko) 2001-05-25
EP1092237B1 (en) 2007-07-25
DE69936646T2 (de) 2008-05-21
EP1092237A1 (en) 2001-04-18
CA2330653A1 (en) 1999-12-09
CN1198329C (zh) 2005-04-20
AU4417799A (en) 1999-12-20
DE69936646D1 (de) 2007-09-06
CN1303519A (zh) 2001-07-11
WO1999063592A1 (en) 1999-12-09
KR100696256B1 (ko) 2007-03-21
JP2002517902A (ja) 2002-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW445684B (en) Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output
US6593542B2 (en) UV laser system and method for single pulse severing of IC fuses
US8338746B2 (en) Method for processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US6574250B2 (en) Laser system and method for processing a memory link with a burst of laser pulses having ultrashort pulse widths
US7348516B2 (en) Methods of and laser systems for link processing using laser pulses with specially tailored power profiles
US6887804B2 (en) Passivation processing over a memory link
JP2005512814A (ja) 少なくとも２つのレーザパルスの組によるメモリリンクの処理
US20060141681A1 (en) Processing a memory link with a set of at least two laser pulses

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees