TW444250B - Processing apparatus, processing system, distinguishing method, and detecting method - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 350
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 307
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 83
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 57
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012850 discrimination method Methods 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 140
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- 238000011161 development Methods 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
444 2 b u A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(1) [發明之背景] 本發明’係關於對於基板施予適當之熱處理的處理裝 置、處理系統、辨別方法及檢測裝置;此等裝置、系統及 方法,係具備於對於基板,例如半導體晶圓和LCD用基板 等’施行抗蚀劑之塗佈和顯像處理之裝置。 至於此種塗佈•顯像處理系統,一般而言,將抗蝕劑 塗佈於基板上後交接於露光裝置,進而從露光裝置收領已 露光的基板’並施予顯像處理,且在其露光之前後,對於 基板施行加熱處理和冷卻處理。 第23圖,係對於半導體晶圓(以下,單純稱為「晶圓 」)施行加熱處理的加熱處理單元之概略正面圓。 於第23圖中,1〇 1係用以施行加熱處理於晶圓w之熱 板;在此熱板101上配置有,使晶圓浮起保持之近接銷丨〇2 及近接片102’ ;更且,以包圍晶圓載置103之狀態設有多 數個具有傾斜面104之導件105,此傾斜面1〇4係朝向熱板 101上之大致中央之載置裝置1〇3。 又’在此單元,從熱板101表面可出沒地配置有升降 銷(省略圊示)’此升降銷係在系統内,與用來運送晶圓W 之運送裝置間’用來進行晶圓W之交接者。而且,以升降 銷從熱板101表面突出之狀態,從運送裝置接下晶圓评後 下降,從熱板101表面落入。藉此,將晶圓w載置在熱板101 表面上。 在那時候,若運送裝置對於升降銷未將晶圊W交接於 正確之位置’則無法將晶圓w載置於晶圓載置位置丨03之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,裝 I ---訂---------户 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社 A7 B7 五、發明說明(2 ) 正確的載置位置。因此,如上述那樣設置導件105,俾運 送裝置即使對於升降銷將晶圓W交接於多少偏倚之位置, 也將晶圓W透過導件105引導至晶圓載置位置1〇3之正確的 載置位置。 [發明之概要] 然而’若運送裝置對於升降銷交接晶圓W之位置相當 偏倚時,晶圓W便騎在導件105上,無法正確地進行熱處 理而產生不良之製品。而且,這種不良之產生通常是在後 工程之檢查工程時始發現,而且,對於借助這種運送裝置 之升降銷的晶圊W之交接位置偏倚,並非偶發性的,多是 連續性之發生’所以發現不良時,已產生相當多之不良品 ,其災害可說甚大" 本發明,係為解決這種課題而提出者,其目的係在於 提供一種技術’以便迅速地測知運送至處理板上之基板未 正確地被載置在基板載置位置之狀態,藉此可將加熱處理 或冷卻處理時之不良減至最小限度。 本發明之其他目的係在於一種技術,以便迅速地檢出 來自運送至處理板上之基板位置的偏倚位置,藉此可迅速 且正確地調整。 為了解決此種課題之本發明之處理裝置,包含有 處理板’係在表面載置基板,將所載置之基板加以加 熱處理或冷卻處理; 基板引導用引導構件,係設在處理板上,以便包圍前 述處理板上之基板載置位置; 用由S S家標雀(C\S) A4規格公釐) -------------· I I I I I 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4442 5 0 Α7 Β7 五、發明說明(3 ) 溫度感測器,係設在前述處理板之給定位置;及 認定手段’係由基板被載置在前述處理板上時之該溫 度感測器所檢出之溫度未變化至給定以上時,認定運送至 前述處理板上之基板未正確地載置在前述基板載置位置β 當運送至處理板上之基板騎在引導構件上而從基板載 置位置偏倚時’與基板騎在引導構件上之位置相反側之該 基板之端部,則只與處理板表面接觸,使該基板成為從處 理板浮起之狀態。一方面’例如於用來加熱處理基板之處 理板,當基板被載置於該處理板上時,處理板則被基板奪 熱溫度暫時降低。然後,若基板成為從處理板上浮起之狀 態時,與基板正確地載置於基板載置位置之情形比較的話 ’基板被載置在處理板上時之溫度之下降則變小。本發明 係著眼於此點’當由一基板被載置在處理板上時之溫度感 測器所檢出之處理板之溫度未變化至給定以上時,認定運 送至處理板上之基板並未正確地載置在基板載置位置,藉 此迅速地測知運送至處理板上之基板並未正確地載置在基 板位置之狀態。因此,若依本發明,可將加熱處理或冷卻 處理時之不良減至最小限度。 本發明之處理裝置,包含有: 處理板’係在表面載置有基板,將所載置之基板加以 加熱處理或冷卻處理; 基板引導用引導構件,係設在處理板上,以便包圍前 述處理板上之基板載置位置; 溫度感測器’係設在從前述處理板之基板載置位置中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4現格(210 X 297公釐) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·,、裝------ί訂---------户 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 B7 B7 經·濟部智慧財產局員工消費合泎社印-*·'« 五、發明說明(4) 心離開給定距離之位置;及 推定手段,係根據由一基板被載置在前述處理板上時 之前述溫度感測器所檢出之溫度,推定從一運送至前述處 理板上之基板的前述基板載置位置偏倚之位置。 當運送至處理板上之基板騎在引導構件上而從基板载 置位置偏倚時,與基板騎在引導構件上之位置相反側之該 基板之端部’則只與處理板表面接觸,使該基板成為從處 理板浮起之狀態。一方面,例如於用來加熱處理基板之處 理板’當基板被載置於該處理板上時處理板則被基板奪熱 ’使溫度暫時降低。然後’基板成為從處理板上浮起之狀 態時,與基板正確地載置於基板載置位置之情形比較的話 ,基板被載置在處理板上時之溫度之下降則變小,而且這 種溫度之下降,隨處理板上之位置而異。例如就基板騎上 引導構件之位置附近與其相反側(與基板騎在引導構件上 之位置相反側之該基板之端部所接觸之位置附近)來說, 基板被載置在處理板上時之溫度之下降並不相同,即,基 板騎在引導構件上之位置附近的基板與處理板之間隔,由 於大於其相反側之基板與處理板之間隔,所以基板騎在引 導構件上之位置附近的、基板被載置在處理基板上時之溫 度之降低變為更小。本發明係著眼於此點,根據由基板被 載置在處理板上時之處理板的給定位置之溫度感測器所檢 出之溫度,推定從運送至處理板上之基板的基板載置位置 之偏倚位置,藉此迅速地檢出從運送至處理板上之基板的 基板載置位置之偏倚位置,以便可迅速且正確地進行調整 人·ί.張文t用··^阀闯·?:標:+歡iCXSLW規格(:]10 X ?97公釐) -------------------II 訂----I I H ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4442 5 0 A7 B7 五、發明說明(5 ) 〇 本發明之處理系統,包含有: 處理板’係在表面載置有基板,將所載置之基板加以 加熱處理或冷卻處理; 基板引導用引導構件,係設在處理板上以包圍前述處 理板上之基板載置位置; 多數個溫度感測器,係設在前述處理板之各個別之位 置;及 推定手段’係於基板被載置在前述處理板上時根據由 前述各溫度感測器所檢出之溫度,推定來自基板之前述基 板載置位置之偏倚位置,此基板係運送至前述處理基板上 之基板者。 本發明,係在基板被載置在處理基板上時,根據由配 置處理板之不同位置的各溫度感測器所檢出之溫度差異, 推定從處理板上之基板的基板載置位置偏倚之位置,藉此 迅速檢出從運送至處理板上之基板的基板載置位置偏倚之 位置’俾使調整可迅速且正確地進行者。 本發明之處理系統,包含有多數個處理裝置、運送裝 置及處理手段,其中: 多數個處理裝置,包含有 處理板’係在表面載置有基板,將所載置之基板加以 加熱處理或冷卻處理, 基板引導用引導構件,係設在前述處理板上以包圍前 述處理板上之基板載置位置, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝--------訂---------X 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經-濟部智慧財產局員工消費合作社 A7 __B7__ 五、發明說明(6) 溫度感測器’係設在前述處理板之給定位置,及 認定手段’係由基板被載置在前述處理板上時之前述 溫度感測器所檢出之溫度未變化到給定以上時,認定運送 至前述處理板上之基板並未正確地載置在前述基板載置位 置: 運送裝置,係用以至少在前述處理裝置間交接基板; 及 處理手段,係藉由一個前述處理裝置運送至前述處理 板上之基板被認為未正確地載置在基板載置位置時,禁止 借助該處理裝置之處理’而用剩下之處理裝置來進行處理 0 本發明,由於將處理裝置作成用一個之處理裝置運送 至處理板上之基板未正確地被載置在基板載置位置時,禁 止藉助該處理裝置之處理,而用剩下之處理裝置來進行處 理’所以可防止因加熱處理或冷卻處理而連續地產生不良 品’而且即使產生這種不良品,也不需要停止系統可連續 進行通常之處理。 本發明之處理系統,包含有多數個處理裝置、運送裝 置及處理手段,其中: 多數個處理裝置,包含有 處理板,係在表面載置有基板,將所載置之基板加以 加熱處理或冷卻處理, 基板引導用引導構件,係設在前述處理板上以包圍前 述處理板上之基板載置位置, 9 ϊ I ----- ------I I 訂---I 1 I I i I 綠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4442 5〇 A7 B7 五、發明說明(7 ) 溫度感測器,係設在前述處理板之給定位置,及 認定手段,係由基板被載置在前述處理板上時之前述 溫度感測器所檢出之溫度未變化到給定以上時,認定運送 至前述處理板上之基板並未正確地載置在前述基板載置位 置; 運送裝置,係用以至少在前述處理裝置間交接基板; 及 處理手段,係連續認定藉由一個前述處理裝置運送至 前述處理板上之基板未正確地載置在前述基板位置時,柰 止借助該處理裝置之處理,而用剩下之處理裝置來進行處 理。 於本發明,當藉由一個處理裝置運送至處理板上之基 板被連續認定為未正確地載置在基板載置位置時,禁止借 助該處理裝置之處理,而用剩下之處理裝置來進行處理, 所以可防止因加熱處理或冷卻處理而連續產生不良品,而 且,即使產生這種不良品也不需要停止系統,可連績進行 通常之處理,更且運送至處理板上之基板偶發地未正確地 被載置在基板載置位置時,不會禁止借助該處理裝置之處 理。 本發明之處理系統,包含有多數個處理裝置、運送裝 置及標明手段,其中: 多數個處理裝置,包含有 處理板,係在表面載置有基板,將所載置之基板加以 加熱處理或冷卻處理, 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) 10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Is、-裝--------訂·! I!--*^ A7 ____ B7____ ! L、發明說明(8 )
I
I ] 基板引導用引導構件,係設在前述處理板上以包圍前 ! 述處理板上之基板載置位置,
I i j 溫度感測器,係設在前述處理板之給定位置,及 t j I I 認定手段’係由基板被載置在前述處理板上時之前述 t 1 & I 溫度感測器所檢出之溫度未變化到給定以上時,認定運送 I ! 至前述處理板上之基板並未正確地載置在前述基板載置位
I I I ! 置: t · f裝 運送裝置,係用以至少在前述處理裝置間交接基板; ^ ! 標明手段’係藉由一個前述處理裝置運送至前述處理
I I 板上之基板,被認為未正確地載置在基板載置位置時,將 I 標記標明在由該處理裝置所處理之基板。 於本發明,當藉由一個處理裝置運送至處理板上之基 ! 板被認定為未正確地被載置在基板載置位置時,將標記標
I | 明於由該處理裝置所處理的基板,所以即使因加熱處理或 ! 冷卻處理而產生不良品’也不需要停止系統,可繼續進行 釋 !' 通常之處理’而且可從正常基板輕易區分不良基板。又, ! 在此所謂標明,係實際上直接在基板標明標記以外,也包 | 含對不良基板標明標記以便在軟體上可從正常基板加以區 ! 別之情況。
I ! 本發明為一種辨別方法,其係在具有一在表面載置有 I 基板且將所載置之基板加以加熱處理或冷卻處理之處理板 | 、及一設在前述處理板上以包圍前述處理板上之基板載置 I 位置之基板引導用引導構件的 '處理裝置的,判別運送至 | 前述霆理板上之基板是否正確地載置在前述基板載置位置 Π I---- -褒------事訂----- ----綠 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4442 5 〇 A7 B7 經濟部智慧財產局工消費合作社印製 五、發明說明(9 ) 之方法,其特徵在於包含有: 檢出工程--檢出前述處理板之給定位置之溫度;及 認定工程——當前述所檢出之溫度未變化給定以上時 ,聪定運送至前述處理板上之基板並未正確地載置在前述 基板載置位置。 本發明為一種檢測方法,其係在具有一在表面載置有 基板且將所載置之基板加以加熱處理或冷卻處理之處理板 、及一設在前述處理扳上以包圍前述處理板上之基板載置 位置的其板引導用引導構件的、處理裝置内,檢出運送至 前述處理板上之基板從前述基板載里位置偏倚之位置的方 法,其特徵在於包含有: 檢出工程——檢出前述處理板之給定位置之溫度;及 推定工程——根據前述所檢出之溫度,推定運送至前 述處理板上的基板之從前述基板載置位置偏倚之位置。 本發明為一種檢測方法,其係在具有一在表面載置有 基板且將所載置之基板加以加熱處理或冷卻處理之處理板 、及一設在前述處理板上以包面前述處理板上之基板載置 位置之基板引導用引導構件的、處理裝置内,檢出運送至 前述處理板上之基板從前述基板載置位置偏倚之位置的方 法*其特徵在於包含有: 檢出工程--檢出前述處理板之多數位置之溫度;及 推定工程--根據前述所檢iB之在多數位置之溫度差 異’推定運送至前述處理板上的基板之從前述基板載置位 置偏倚之位置。 <猜先《讀背面之注意事項再填窝本頁)
' ^^v·11111!! I I I I n ϋ t c. 本紙張尺度適用中國S家標準(CNS)A4規格(210x 297公« > 12 f 五、 ξί m, 濟 部 智 慧 財 產 局 貝 工 消 费 合 作 社 印 製 A7 B7 發明說明(H>) [發明之實施形態] 以下,根據圈式說明實施形態。本實施形態係將本發 明適用於一將化学放大型抗蝕劑塗佈、且顯像於半導逋晶 圓之抗蝕劑塗佈顯像系統者。 第1圖係關於本實施形態之抗蝕劑塗佈系統之平面圖 :第2圖係示於第1圖之抗蝕劑塗佈顯像系統之正面圈;第 3囷係示於第1圖之抗蝕劑塗佈顯像系統的背面圖;第4圖 為一正面圖,顯示於第1圖之抗蝕劑塗佈系統中之空氣流 動》 如第1圖所示,此抗蝕劑塗佈顯像系統1,具有將卡匣 台10、處理台11及接〇部連續成一體之構成。於卡匣台10 ,從外部將晶圈W以卡匣單位多數張(例如,25張單位)搬 入於抗蚀剤塗佈顯像系統1,又,從抗杜劑塗佈顧像系統1 搬出於外部*又,將晶圓W搬出•搬入於卡匣Ce處理台 11,係在給定位置配置有多層個張頁式之各種處理單元; 此處理單元係用以在塗佈顯像處工程中對於一張一張之晶 圓W施以給定之處理。接口部12,係在鄰接地設在該抗蝕 劑塗佈類像系統1之露光裴置U間交接晶圓w。 卡匣台10,係在卡式載置台20之定位突起2〇a之位置 ,一列地向X方向載置有多數個(例如4個)卡匣c ;此等卡 匣C係將各晶圓W出入口朝向處理站丨丨側。可向此卡匿c 排列方向(X方向)及卡匣C内所收容的晶圓w之晶圓w排列 方向(Z方向;垂直方向)移動之晶圓運送裝置2u,係沿著 運送路21a而自由移動,對於各卡£c選揮性地存取。 t -1— — — — — —· {請先閱讀背面之注帝爹項再填寫本頁w 13
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442 5 0Θ圓運送裝置21’係構成得向Θ方向自由旋轉,而如 後述’做成也可對於調準單及伸長單以ΕΧΤ)存 取°該調準單元係屬於處理台U側之第三處理裝置群G3 之多層單元部。 處理台U,係如第1圖所示,在其中心部設有垂直運 送型之運送裝置22;而在其周圍則多層積體配置有作為處 理室使用之1組或多數組各種處理單元’以構成處理單元 群。在此抗蝕劑塗佈顯像系統!方面,可配置五個處理單 元群Gl、G2、G3 ' G4、G5 ^其中:第—及第二處理單元 群Gl、G2係配置在系統正面側;第三處理單元群⑺係鄰 接著配置在卡匣台1〇;第四處理單元群G4係鄰接著配置 在接口部12,更且,由虛線所示之第五處理單元群G5, 係配置在背面側《運送裝置22,係構成得向0方向旋轉自 如且可向Z方向移動,且可在與各處理單元間進行晶圓w 之交接。 第一處理單元群G1,係如第2圖所示,從下面依序重 疊,在杯CP内承載晶圓w於旋轉卡盤以進行給定處理之 二台旋轉器型處理單元(例如抗蝕劑塗佈單元:C〇T)及顯 像處理單元(DEV)成二層。而且,與第一處理單元群⑴同 樣’在第二處理單元群G2也從下面依序重叠二台旋轉器 型處理單元(例如抗蝕劑塗佈單元_ COT)及顯像處理單元 (DEV)成二層。 第三處理單元群G3,係如第3圖所示,從下面依序重 疊一將晶圓W載置於載置台(未圖示)以進行給定處理之烘 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公g )
«^ — — ίιιιιι^ \ -In — — —— ^ — — — — — (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 14 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印次 A7 ---B7 _ 五、發明說明(i2) 箱型處理單元、例如進行冷卻處理之冷卻處理單元(c〇L) 、用來提而抗触劑之定影性而進行所謂疏水化處理之附著 處理單元(AD)、進行位置對合之調準單元(ALIM)、伸長 單元(EXT)、進行預烘焙之加熱處理單元(PrEbake)及進 行後烘焙之加熱處理單元(POBAKE)成八層。 同樣,第四處理單元群G4 ,係從下面依序重疊一將 晶圓W載置於載置台以進行給定處理之烘箱型處理單元、 例如進行冷卻處理之冷卻處理單元(c〇L)、兼任冷卻處之 伸長·冷卻處理單元(EXTCOL)、伸長單元(EXT)、附著 處理單元(AD)、進預烘焙之加熱單元(PrebAKE)及進行 後烘焙之加熱處理單元(POBAKE)成八層。 接口部12 ’係如第1圖所示,關於縱深方向(X方向), 雖具有與上述處理台11相同之尺寸,但關於寬度方向卻設 定小尺寸。如第1圖及第2圖所示,在接口部12之正面側, 配置可搬性拾波卡匣CR、定置型緩衝卡匣BR成二層,而 在另一方之背面部’則配設有周邊露光裝置。 在接口部12之中央部,設有晶圓運送裝置25。晶圓運 送裝置25 ’被設成可向X方向、z方向(垂直方向)移動,對 於兩卡匣CR ' BR及周邊露光裝置24存取。晶圓運送裝置 25 ’係構成為向β方向自由旋轉,也可對於屬於處理台11 側之第四處理單元群G4的伸長單元(EXT)、及鄰接之露光 裝置裝置側之晶圓交接台(未圖示)存取。 如第4圖所示,在卡匣台1〇之上部安裝有過濾器26; 又’在處理台Π之上部安裝有過濾器27;及在接口部12之 ----- - ----- - „ I — I I !^_|1 — !— — „^ (諳先閲讀背面之沒意事項再填寫本頁) 15 Λ ή Α7 Β7 五、發明說明(13) 上部12安裝有過濾器28。此等過濾器共有上部空間29。此 上部空間29 ’係透過導管(未圖示)而連通於下方之空調裝 置(省略圖示)’藉此除去氨,從空調裝置向上部空間29供 給已控制漁度及溫度之洗淨空氣。清淨空氣即從上部空間 29通過各過濾器而吹向下方,藉此清淨空氣之降流形成在 各部 10、11、1 2。 第5圖係上述加熱處理單元之正面圖,第6圖係其平面 圖。 如第5圖及第6圖所示,在上述加熱處理單元之大致中 央,配置有用來加熱晶圓W之作為處理板使用之熱板31 » 此熱板31 ’係在保持板32(直徑稍微大於晶圓w且成圓形 狀)之背面側’例如配置有與保持板32緊密結合之發熱元 件33、加熱器或派耳帖(Peltier)元件等。發熱元件33,係 由一藉著電流之通流而發熱之電阻體所構成,藉由作為控 制機構使用之控制部4〇來控制該電流值,藉此控制用來加 熱處理之溫度。 在熱板31之表面與背面間之數處(例如3處)設有貫穿 孔34。在此等貫穿孔34 ’分別可出沒地插有用來交接晶圓 W之多數支(例如3支)之支持銷35。此等支持銷35,係藉 配置在保持板32背面側之結合構件36,一體地結合在保持 板32之背面側。結合構件36,係連接至一配置在保持板32 背面側之升降機構37。在升降機構37之升降動作下,支持 銷35從保持板32之表面突出,或沒入。支持銷35,係以從 保持板32之表面突ΐ之狀態,在與運送裝置22之間進行晶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注i項再填寫本頁> · I-----1 訂.11-----"Sk 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16
經濟部智慧財產局員工消費合作社印K A7 ____B7_______ 五、發明說明(Η) 圓W之交接3從運送裝置22接下晶圓w之支持銷35,於是 降下而沒入保持板32内,藉此將晶圓w緊密接合於保持板 3 2之表面’以便進行晶圓w之加熱處理。 在保持板32之上方,配置有蓋體51,以便覆蓋由保持 板32所保持之晶圓W。蓋體51,係藉未圖示之升降機構來 升降。就是’蓋體5 1在該單元内上升,以開著之狀態;在 與運送裝置22之間進行晶圓w之交接,接著,蓋體51下降 ’以關著之狀態’形成密閉空間,進行晶圓W之加熱處理 〇 蓋體51,具有向其大致中央朝上傾斜之構造,在其大 致中央,就是在對應於由保持板32所保持之晶圓W的大致 中央之位置’設有排氣口 52。在排氣口 52,連接有真空泵 等之排氣裝置53 ’以便進行密閉空間之排氣。 又’在熱板31之周圍,配置有可出沒之遮推構件 以便包圍熱板3 1。遮擋構件,係藉配置在熱板3丨背面之升 降機搆55來升降。再者’在遮擋構件54之内壁,設有多數 個例如用來喷出尚溫的惰性氣體之喷出孔56。喷出孔56係 連接於用來供應南溫氣體給噴出孔56之高溫氣體供給裝置 106。當在保持板32上保持晶圓w 1加熱處理晶圓w時, 遮擋構件54則從熱板3 1表面突出,從噴出孔56朝向保持板 上所保持之晶圓W之表面喷出高溫氣體。 在此,為了在加熱處理單元内進行良好之晶圓w之加 熱處理,有必要把晶圓載置在溫度分布之偏差少的熱板3 i 之大致中央。像這樣,將晶圓之在熱板上原來應載置之位 17 ----------- ^ I ^------------I---^ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 置叫做基板載置位置。第6圖中由虛線包圍之區域4i就是 基板載置位置。 而且,在熱板3 1上以給定之間隔配置有數處(例如6處) 之用來隔開保持晶圓W之近接片42’,更且在基板載置位 置41之中央配置有近接銷42 ’以便在熱板3 1上浮起晶圓w 以免在熱板31上緊密結合’就是避免熱板與晶圓w直接接 合《 又,配置在基板載置位置41之外周部的近接片42’, 係分別向基板載置位置41之外側延出;在各近接月42 ’之 延出位置’則分別配置有基板引導用導件43。因此,本實 施形態方面,為了包圍基板載置位置41而在熱板31上設有 六個導件43。導件43宜為一種例如斷面為矩形、高度(至 少基板載置位置41側之壁面的大致垂直部分之高度)超過 1mm者,其中尤以3mm前後為理想。 又’於從基板載置位置41之中央離開給定距離之位置 ’例如接近於基板載置位置41外周之位置,設有從熱板31 背面朝表面具有給定深度之有底孔38。在此孔38之底部( 在孔3 8内最接近於保持板3 2表面之位置),配置有例如熱 電偶即溫度感測器39。由此溫度感測器39所檢出之結果於 是被送至控制部40 ;控制部40則根據此檢出結果,進行對 於作為發熱機構用之發熱元件33的電流控制、或後述之晶 圓W載置不良之檢出。又,在控制部4〇,連接有用來發出 警報等之揚聲器或顯示部(省略圖示)。那時,由顯示部向 作業者提示是否照原狀繼續進行處理,作業者則按照此提 本紙張尺度適用中囷國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> ---11---^ — 11-----梦 18
經濟部智慧財產局員工消費合作社扣宏 A7 _____ R7_ 五、發明說明(I6) 不’從鍵盤(省略圖示)或兼任輸入部之顯示部等指示作業 之繼續進行也可,或中斷處理也可□而,若作成中斷加熱 處理的話’可立即修正後述之運送裝置22與支持銷33之位 置偏k u又,按照原狀繼續進行處理的話,可在不降低生 產率之狀態下進行處理。但,此時,加熱不良之晶圊%卻 與好貨混雜起來流入系統内。於是,若要繼續進行處理時 ,對於晶圓W進行表示不良之標明即可。就此種標明方法 來》兒,除了實際對於晶圓w進行標記以外,在軟體上標明 不良晶圓W以便可與好貨區別也無妨。 其次,根據第7圖〜第10圖’說明這種構成之加熱處 理裝置之動作。 首先,如第7圖所示,以支持銷35自熱板3丨之表面突 出之狀慼,從運送裝置22交接晶圓w於支持銷35上。 其次’如第8圖所示,從運送裝置22接下晶圓w之支 持銷35隨即下降而落入熱板31内’藉此載置晶圓%於熱板 3 1上。然後,進行晶圓w之加熱處理。 其後,一終了晶圓W加熱處理,支持銷3 5即突出,由 運送裝置22接下支持銷35上所載置之晶圓w。 第7圖及第8圖係例示,在運送裝置22與支持銷35之間 乂沒有位置偏倚之狀態,進行晶圓W之交接,使晶圓w 正確地載置在熱板31之基板載置位置内之情況。 然而,如第9圖所示,當從運送裝置22將晶圓w交接 於支持銷35時,若晶圓被交接於從支持銷35上之所需位置 (以虛線表示)偏離之位置的話,其後支持销35下降而落入 ^ )~—----- -i9 - -------------裝--------訂---------綠 (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 4442 5 〇 A7 B7 五、發明說明(Π) 熱板31内時,如第10圖所示,卻未正確地載置於基板載置 位置41内而騎在導件43上。 第11圖,係顯示加熱處理時由溫度感測器所檢出之熱 板3 1之溫度變化。第11圖①係如第8圖所示,顯示晶圓W 未正確地載置於基板載置位置41内而騎上導件43上時之溫 度變化。由此圖可知,晶圓W正確地載置在熱板31之基板 載置位置41内時、與晶園W未正確地載置於熱板31之基板 載置位置41内’而騎在導件43上時,溫度並不相同。具體 言之,前者之溫度比後者暫時大幅地降低。這是因為晶圓 W正確地載置於基板載置位置41内者,此等間之近接面積 較大,從熱板3丨奪取之熱量較大之故。 於是,本實施形態乃由控制部40根據這種溫度變化之 差異,進行如第10圖所示之晶圓W的載置不良之檢出。即 ,於控制部40 ’從溫度感測器39輸入熱板31之溫度檢出結 果’當晶圓W被載置在熱板31上時,熱板31成為給定之閾 值以下、以第11圖之例來說的話,成為89X:以下時,如第 8圖所示,認定晶圓W正確地被載置於熱板31之基板載置41 内;又’當晶圓W被載置於熱板上時,熱板31成為給定之 閾值以上、以第11圖之例來說的話,成為89°C以上時,如 第10圖所示’認定晶圓W未正確地載置在基板位置41内, 而騎在導件43上。而且,當將晶圓w認定為騎在導件43時 ,從揚聲器或顯示部發出警報'又,就給定之閾值而言, 如上所述設定為絕對溫度也可,或,將晶圓W被載置以前 之熱板31之溫度作為基準,設定為來自基準溫度之下降溫 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2ΐθΧ297公^ ) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — II 訂·!---!^ 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 20 Α7 Β7 五、發明說明(is) 度也可。 像這樣,依照本實施形態之加熱處理裝置,當晶圓W 被載置在熱板3 1時熱板3 1之溫度成為給定之閾值以上時, 認定晶圓W已騎在導件43上’而從揚聲器或顯示部發出警 報,所以可迅速地測知運送至熱板3 1上之晶圓w並未正確 地被載置在基板載置位置41之狀態,可將加熱處理之不良 減少至最小限度=又,溫度感測器39,係為了控制熱板3 1 之溫度’而從以往即需要的裝置,所以不需要特別之硬體 構成,也可呈現上述之效果。 又,依照本實施形態,由於將用來引導晶圓W於基板 載置位置41内之導件43之斷面,作成矩形且其高度為3mm 前後’所以晶圓W未正確地被載置在基板載置位置41内而 騎在導件43上時之熱板31的下降溫度變成更小。即,晶圓 W正確地被載置在熱板31之基板載置位置41内時、與晶圓 W並未正確地被載置於基板載置位置41内而騎在導件43上 時之溫度降低之差異變成更大。因此,可更明確地區別此 等狀態之差異而不會有錯誤檢出之同時,上述閾值之調整 變為容易。然而’本發明,一如第12圖所示,將導件4 3作 成朝基板載置位置41内備有晶圓引導用斜面43 *並將其高 度作成1 mm以下之構成也可。而且,使這種導件43具有晶 圓引導用斜面43a ’藉此可更確實地引導晶圓w於基板載 置位置41内。 其次,說明本發明之其他實施形態。 在此處,如第13圖所示,晶圓W騎在導件43上之位置 甲围家標逢!CXSM-i規格公餐 ----------— 1 » « I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .5J· 經濟部智«財產局員工消費合作.社£& 21 4442 5 0 Α7 Β7 五、發明說明(B) {請先閱讀背面之泫i項再填寫本頁) 的話(例如圖中實線之晶圓W與虛線之晶圓w),如第丨4圖 所示,溫度變化隨晶圓w騎上之位置而異。例如,以第13 圖之實線表示時(第丨4圖①)之溫度變化大於以第I]圖之虛 線表示時(第14圖②)之溫度變化。就是,前者較之後者溫 度暫時大幅地下降。 於疋’依照本實施形態’控制部4〇乃根據這種溫度變 化之差異,來推定運送至熱板31上的晶圓w之從基板載置 位置41偏移之位置,將此推定結果顯示於例如顯示部μ。 因此’例如作業者可根據此顯示内容,簡單地修正運送裝 置;22與支持銷3 5之位置偏倚。又,按照如此推定之位置, 自動修正運送裝置22與支持鎖35之位置偏倚也無妨。 又’在熱板31上之多數個位置(最好三處以上,例如 第15圖顯示三處)配置溫度感測器39,使用在多數位置之 檢出結果’藉此可更正確地推定熱板31上之晶圓w的偏倚 位置。 其次,說明本發明之更其他實施形態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態,係適用於本發明第1圖乃至第4圖所示之 塗佈顯像系統中之冷卻處理單元者。第16圖為一正面圖, 顯示冷卻處理單元中之冷卻板之構成,其具有與前述加熱 處理單元大致同樣之構成。 即’如第16圖所示,在上述冷卻處理單元之大致中央 ,配置有用來冷卻處理晶圓W之作為處理扳使用之冷卻板 61。在此冷卻板61内,埋有例如多數個派耳帖元件62。而 且,藉控制部(省略圖示)來控制通流於派耳帖元件62之電 22 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公爱) 經濟部智铋財產局員工消費合作社㈠製 A7 ____B7 ___ 五、發明說明(2〇) 流值’藉此來控制用來冷卻處理之溫度。 在冷卻板61之表面與背面之間,設有數處例如3處之 貫穿孔64。在此等貫穿孔64 ’可出沒地介插有用來交接晶 圓W之多數支(例如3支)之支持銷65。此支持銷65,係藉 由配置在冷卻板61之結合構件66,在冷卻板61之背面侧結 合成一體。結合構件66 ’係連接於配置在冷卻板61背面側 之升降機構67。在升降機構67之升降動作下,支持銷65從 冷卻板61之表面突出,或埋入。又,在冷卻板61之上方, 配置有可升降的蓋體(省略圖示)。 而且,在基板載置71之外周部之多數處,例如6處, 配置有近接片72’,更且,在基板載置位置71之中央配置 有近接片72·。配置在基板載置位置71之外周部之近接片 72 ’,係分別向基板載置位置71之外側延出,而在各近接 片72'之延出位置’分別配置有基板引導用導件73。 又’從基板載置位置71之中央離開給定距離之位置, 從其背面設有底孔7 8 ;而在此孔7 8之底部則配置有溫度感 測器79。藉該感測器79來檢出之結果則被送至控制部。 然後’由控制部根據冷卻板61之溫度變化之差異來檢 出晶圓W之載置不良》即,控制部,係從溫度感測器79輸 入冷卻板61之溫度檢出結果,當在冷卻板61上載置了晶圓 W時冷卻板61成為給定閾值以上時,認定晶圓w正確地被 載置在冷卻板61之基板載置位置71内;又,當在冷卻板61 上載置了晶圓W時冷卻板61成為給定閾值以下時,認定晶 圓W並未正確地被載置基板載置位置71内,而騎在導件73 k+·4、;^ (til 网 φ s ϋ 家埤準(C>;s+)A.J 規格(2]0 X 公釐 > 23 I— i ^---------------^ <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4442 50 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(21 ) 上。更且’當認定晶圓W騎在導件73上時,將支持銷65 — 旦上升,從冷卻板61浮起晶圓w ’再度下降支持銷65使晶 圓W返回冷卻板61之表面,藉此嘗試將晶圓w正確地載置 在冷卻板61之基板載置位置71内。然後,儘管再試行晶圓 w也未正確地被載置在冷卻板61之基板載置位置71内時發 出警報。 因此’本實施形態之冷卻處理單元可驟減晶圓W之冷 卻不良。尤其是’加熱處理時到此之熱經歷頗重要,所以 縱使再度加熱處理一旦做過加熱處理之不良品,也非常難 以良品化(好貨化),但冷卻處理的話,熱經歷並不會造成 那樣的問題,所以按照本實施形態再試行定位,在正確的 基板載置位置71内再度冷卻處理之事,仍有效。 又’就定位之再試行之手段言之,例如在冷卻板61設 置授給振動之振動裝置也可,或者將支持銷65作成至少上 下動一次以上之構成也無妨。 又,與前述加熱處理單元之情況同樣,構成為在冷卻 處理單元也可進行偏倚位置之推定也無妨。 其次,說明本發明之其他實施形態。 在此處,如第17圖所示,在所運送之晶圓W之背面附 著粒子等之灰塵80、或在熱板31上附著有灰塵時,與如前 述之騎在導件43上之位置不同之情況一樣,在藉熱板31之 溫度感測器39來檢出溫度時產生偏差。 這種重要原因,一如第18圖所示,在晶圓W本身之形 狀變化,例如產生翹曲81之凹凸時,較之其他正常之平坦 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) \ --II--II 訂--I--1!·'^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 24 Α7 Β7 五、發明說明(22) 的晶圓W ’藉熱板3 1之溫度感測器3 9來溫度檢出時更產生 偏差。 在這種重要原因下之晶圓W的溫度處理之不妥當,並 非輕易可自動修正運送裝置22(或支持銷35)與晶圓w之位 置偏倚者’所以例如可藉第19圖所示之順序來判斷。即, 將晶圓W運送至熱板31上時,判斷藉由多數個溫度感測器 39之溫度檢出是否產生偏差(步驟g2)。此時之偏差量為給 定之量以下的話可認定為正常,而終止檢出。 一方面’偏差量為給定之量以上的話認為異常,而重 複給丈次數環路處理(步驟8 3)。在重覆時,將藉由運送茫 置22或支持銷35來修正晶圓w之位置偏倚之動作(步驟87) ,進行給定次數’例如3次(計數器值3)。 若在此給定次數之期間,將晶圓W運送至熱板3丨上時 之多數個iJSL度感别器所檢出之溫度檢出偏差量為給定量以 下、就是可認為正常的話,把計數器值歸〇(步驟85),從 藉助運送裝置22之晶圓W的運送位置之偏倚,校正運送下 —個晶圓W之位置資訊’並加以記憶,終了動作。 又,右儘管重覆了給定次數環路處理(步驟83),偏差 量仍為給定量以上時,認定其起因於無法藉運送裝置或 支持銷35來修正晶圓W之位置偏倚之重要原因(例如起因 於如前述之粒子之附著或晶圓W之形狀 '運送裝置22或支 持銷35之動作不良等)’而進入徑路84 ,進行異常對應(步 驟88 >,將計數器值歸0(步驟85),終了步驟。 在彳I]述之異常對應方面,例如如前所述將警報發給作 州CXS)A4 規格刁(j X 297 Μ )-------~' • 23 * --------裝.------—訂·------ --轉 (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) /:
O U 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(23) 業員也可’進而由於其晶圓W實質上處理並不完善,所以 把其晶圓W作為不妥當記憶資訊,且,作成由給定之手段 、例如用顯示來觀看,或藉通信等將其資訊傳輸給外部, 較為理想。藉此’不需要在處理之後工程處理不完善之晶 ®w,可排出至卡匣c等,省略無用之處理。 其次’說明本發明之其他實施形態。 將晶圓W運送至熱板3 1上時之借助溫度感測器39之溫 度檢出’係例如將第20圖所示之閾值設定為例如89°c時, 將溫度檢出值存在於第一區域90之情況視為正常’而將溫 度檢出值存在於第二區域91之情況,視為起因於無法藉運 送裳置22或支持銷35來修正晶圓W之位置偏倚的重要原因 (例如’晶圓W騎上導件34等之情況等)。 第一區域與第二區域92之差距,也與熱板31與晶圓w 間之距離成比例,而晶圓W騎上導件34等時之熱板31與晶 圓w間之距離係大於因粒子等之原因而造成之熱板31與晶 圓W間之距離,所以其份兒產生某程度之溫度差。 又,判斷是否使用來自這種區域中之溫度感測器39的 溫度檢出值,藉運送裝置22或支持銷35來修正晶固w之位 置偏倚,或者,判斷是否起因於無法修正晶圓评之位置偏 倚之重要原因,藉此,不用每一次都藉運送裝置22或支持 銷35來修正晶圓W之位置偏倚,也可正確地進行異常時之 對應動作。藉此可提高生產率或裝置之運轉率。 其次,說明本發明之其他實施形態。 第21圖,係顯示備有熱板31之發熱元件33,例如,向 木紙張又度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) —:---------v 裝--------訂---------%, (請先閱讀背面之it意事項再填寫本頁) 26 經濟部智慧时產局員工消費合作.社巧 A7 ____B7_______ 五、發明說明(24) 徑向備有例如4個加熱器H1〜H4。在此等之發熱元件33, 分别設有一個以上之溫度感測器39,並構成為可在每區域 檢出溫度。 像這樣’其所以設置多數個發熱元件33,是因為較之 設置一個發熱元件33之系統,更可控制晶園w之溫度之面 内均勻性。 於這種構成’控制部雖可根據各溫度感測器39之資訊 來判斷’晶圓W被運送至熱板3 1上時是否使溫度降低到前 述閣值以下,或者’是否在給定之區域降低了溫度,但可 預期對於熱板31之每各發熱元件的面積之總發熱量、與按 各發熱元件33對應而暫時散熱之每晶圓w之面積的熱消耗 置在各發熱元件33 H1〜H4各不相同。因此,關於溫度 降低點是否存在於正常之區域者,即如第22圖所示宜設定 不同區域Z1〜Z4,來對應。設定此不同區域Z1〜Z4,每 各Z1〜Z4 ’如第20圖所說明,設定一用來判斷是否起因 於無法修正晶圓W之位置偏移的重要原因之區域也可。 更且,若如前述實施形態一般在抗蝕劑塗佈顯像系統 1内設有多數個加熱處理單元(或冷卻處理單元)時,構成 如下。 例如,當認定由一個加熱單元運送至熱板上之晶圓w 未正確地載置在基板載置位置時,禁止借助該加熱處理單 兀之加熱處理,以後由剩下之加熱處理單元來進行加熱處 理’藉此可防止因加熱處理而連續產生不良之情事,而且 即使產生這種不良也不需要停止系統,可繼續進行通常之 -------------^--------訂---------姨 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 27 Α7 Β7 五、發明說明(25) 加熱處理。 又,只在認定晶圓w連續地未正確地載置在基板載置 位置時,才進行借助這種加熱處理單元之禁止也可◊藉此 可防止因加熱處理而連續產生不良之情事’而且即使產生 边種不良也不需要停止系統,可繼續進行通常之加熱處理 ,更且,當偶發地運送至熱板上之晶圓W未正確地載置在 基板載置位置時,因該加熱處理單元而禁止加熱處理之事 則消失。 更且,在上述實施形態方面,雖將揚聲器或顯示部連 接於控制部40,作為用來發出警報等之手段,但本發明並 不限定於此,將警報資訊記憶於記憶媒體(例如硬碟或 RAM等之記憶體或軟碟等)等也可。將警報資訊藉由給定 之通信發送於裝置外部之CPU也可》 再者’在上述之實施形態方面,雖配置溫度感測器39 以用來檢出多數位置之溫度,但本發明並不限定於此,以 一處之檢出來替代多數處之檢出也可,自不在話下》 更且,在上述之實施形態方面,雖說明了在基板使用 晶圓W之例,但本發明並不限定於此,例如也可適用使用 LCD基板。 [圖式之簡單說明] 第1圖為一平面圖,顯示本發明一實施形態之抗蝕劑 塗佈顯像系統; 第2圖為一平面圖,顯示第1圖所示之抗蝕劑塗佈顯像 系統: 本纸張尺度適用中國國家標準(CNSM4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注ίΫ項再填寫本頁) /裝------— I 訂·----1!·^ 經濟#智慧財產局員工消費合作社印製 28 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(26) 第3圖為-背面圖,顯示約圖所示之抗蝕劑塗佈顯像 系統; 第4圖為-正面圖,顯示第3圖所示之抗蝕劑塗佈系統 中之空氣流動; 第5圖為一正面圖,顯示第3圖所示之加熱處理單元; 第6圖為一平面圖,顯示第5圖所示之加熱處理單元; 第7圊為一說明圊,用以說明本發明一實施形態之加 熱處理單元的動作(其一); 第8圖為一說明圖’用以說明本發明一實施形態之加 熱處理單元的動作(其二); 第9圖為一說明圖’用以說明本發明一實施形態之加 熱處理單元的動作(其三); 第10圖為一說明圖’用以說明本發明一實施形態之加 熱處理單元的動作(其四); 第11圊係顯示本發明一實施形態之在加熱處理單元之 溫度變化; 第12圖為一說明圖,用以說明本發明其他實施形態之 加熱處理單元; 第U圖為一說明圖,用以說明本發明之更其他實施形 態之加熱處理單元; 第14圖係顯示本發明之更其他實施形態的加熱處理單 元之溫度變化; 第1 5圊為一平面圖,顯示本發明之又更其他實施形態 之加熱處理單元: 規格(210 +* 297 公.¾ ) 29 -----------裝--------訂-----I ---綠- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 "W…晶圓 22…運送裝置 31…熱板 35、65…支持銷 4442 50 A7 B7 五、發明說明(27) 第16圖為一平面圖,顯示本發明之又其他實施形態之 冷卻處理單元; 第17圖為一斷面圖,顯示本發明之又其他實施形態之 加熱處理單元; 第18圖為一斷面圖’顯示本發明之又其他實施形態之 加熱處理單元; 第19圖為一處理流程圖’用以說明本發明一實施形態 之動作; 第20圖,係顯示本發明之又其他實施形態之在加熱處 理單元之溫度變化: 第21圖為一說明圊,用以說明本發明之更其他實施形 態之加熱處理單元; 第22圖,係顯示本發明之又其他實施形態之在加熱處 理單元之溫度變化; 第23圖為一概略正面圖,顯示用來說明習知技術之加 熱處理單元。 元件標號對照 40…控制部 41、71…基板載置位置 43、73.…導件 61…冷卻板 39、79…溫度感測器 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) 30 — — — — — — — - I I I I 1 I I -----I I I I (請先闉讀背面之注意事項再填寫本頁)
Claims (1)
- 4442 5 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種處理裝置’係用以加熱處理或冷卻處理基板者, 其特徵在於包含有: 處理板’係在表面載置有基板,將所載置之基板 加以加熱處理或冷卻處理; 基板引導用引導構件’係設在處理板上,以便包 圍前述處理板上之基板載置位置; 沮度感測器’係設在前述處理板之給定位置;及 認定手段’係由基板被載置在前述處理板上時之 前述溫度感測器所檢出之溫度未變化至給定以上時, 認定產生了異常。 2. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置,其特徵在於: 當由一基板被載置在前述處理板上時之前述溫度感測 器所檢出之溫度未變化至給定以上時,由前述異常產 生这定手段認定,運送至前述處理板上之基板未正確 地載置在前述基板載置位置。 3. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置,其特徵在於: 當由一基板被載置在前述處理板上時之前述溫度感測 器所檢出之溫度未變化至給定以上時,由前述異常產 生έ忍疋手段’ s忍定前述基板為不良。 4. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置,其特徵在於: 當由一基板被載置在前述處理板上時之前述溫度感測 器所檢出之溫度未變化至給定以上時,由前述異常產 生認定手段,認定在前述基板附著有灰塵。 5. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置,其特徵在於: 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) Α4現格(210x297公釐) (請先W讀背面之注項再填寫本頁) 裝_ 訂_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 A8B8C8D8 經濟部智慧时產局員工消費合作钍印製 六、申請專利範圍 當由一基板被載置在前述處理板上時之前述溫度 感測器所檢出之溫度未變化至第一值以上時,由前述 異常產生認定手段認定,運送至前述處理板上之基板 未正確地載置在前述基板載置位置; 當由一基板被載置在前述處理板上時之前述溫度 感測器所檢出之溫度未變化至既小於前述第一溫度且 小於前述第一值之第二值以上時,由前述異常產生認 疋手"ks忍疋,前述基板為不良或在前述基板附著有灰 塵。 6·如申請專利範圍第1項所述之處理裝置,其特徵在於: 備有警報發出手段’其係由前述異常產生認定手 段’認定為產生了異常時,發出警報。 7. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置,其特徵在於包 含有: 多數個銷’係配置成可從前述處理板表面突出, 以用來進行基板之交接;及 沒入手段’係由前述異常產生認定手段認定產生 了異常時’從處理板表面突出前述銷,再度使之從處 理板表面沒入。 8. 如申請專利範圍第7項所述之處理裝置,其特徵在於: 備有一認定手段1其係在前述沒入手段從處理板表面 突出前述銷後再從處理板表面沒入後,由前述溫度感 測器所檢出之溫度未變化至給定以上時,認定前述基 板為不良或前述基板附著有灰塵 一 _ 、战t支朝士 3 3家m\S>Al規格(210 X 297公发) ----------- 裝 ----I I I 訂--I-----線 (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本5) 32 A8B8C8D8 4442 50 六、申請專利範圍 t请先閲讀背面之涑意事項再填寫本頁> 9'如申請專利範圍第1項所述之處理裝置,其特徵在於: 備有一授給手段,其係藉由前述異常產生認定手段認 疋產生了異常時’對前述處理板授給振動。 1〇·如申請專利範圍第9項所述之處理裝置’其特徵在於: 前述處理板,係用以冷卻處理基板者·» 11.如申請專利範圍第i項所述之處理裝置’其特徵在於: 前述引導構件之前述基板載置位置側的大致垂直部分 之高度’係超越1 mm。 12‘如申請專利範圍第丨項所述之處理裝置,其特徵在於: 為了藉由前述異常產生認定手段來判斷是否產生異常 ’而進行由前述溫度感測器所檢出之溫度與預先設定 之溫度的比較。 13. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置,其特徵在於: 為了藉由前述異常產生認定手段來判斷是否產生異常 ’而進行由前述溫度感測器所檢出之溫度變化與預先 設定之溫度變化的比較。 14. 一種處理裝置’係用以加熱處理或冷卻處理基板者, 其特徵在於包含有: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 處理板,係在表面載置有基板,將所載置之基板 加以加熱處理或冷卻處理; 基板引導用引導構件,係設在處理板上,以便包 圍前述處理板上之基板載置位置: 溫度感測器,係設在從前述處理板之基板載置位 置中心離開給定距離之位置;及 本紙張&度適用中0國家標準(CNSM·!規格(210 X 297公釐) 33 A8B8C8D8 經潫部智慧財產笱員工消费合作社印-¾ 六、申請專利範圍 推定手段’係根據由一基板被載置在前述處理板 上時之前述溫度感測器所檢出之溫度,推定從一運送 至前述處理板上之基板的前述基板載置位置偏倚之位 置。 15. —種處理裝置,係用以加熱處理或冷卻處理基板者, 其特徵在於包含有: 處理板,係在表面載置有基板,將所載置之基板 加以加熱處理或冷卻處理; 基板引導用引導構件,係設在處理板上,以便包 圍前述處理板上之基板載置位置; 多數個溫度感測器,係設在前述處理板之各個別 之位置;及 推定手段,係根據由一基板被載置在前述處理板 上時之前述各溫度感測器所檢出之溫度差異,推定從 一運送至前述處理板上之基板的前述基板載置位置偏 倚之位置。 16·如申請專利範圍第15項所述之處理裝置,其特徵在於 前述溫度感測器,係設在前述處理基板上之三處 以上之位置。 17. —種處理系統,包含有多數個處理裝置、運送裝置及 處理手段,其中: 多數個處理裝置,包含有 處理板,係在表面載置有基板,將所載置之基板 一家標类(CNS)AI 規格(21ϋ X 297 公釐) j·::氏 7了(、Λ ------I--I! 裝------II 訂-----I---綠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 34 4 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ο 5 2 A8B8C8D8 夂、申請專利範圍 加以加熱處理或冷卻處理, 基板引導用引導構件,係設在處理板上以便包圍 前述處理板上之基板載置位置, 溫度感測器,係設在前述處理板之給定位置,及 認定手段,係由一基板載置在前述基板上時之溫 度感測器所檢出之溫度未變化到給定以上時,認定運 送至前述處理板上之基板並未正確地載置在前述基板 載置位置; 運送裝置,係用以至少在前述處理裝置間交接基 板;及 處理手段,係藉由一個前述處理裝置運送至前述 處理板上之基板被認為来正確地載置在基板載置位置 時,禁止借助該處理裝置之處理,而用剩下之處理裝 置來進行處理。 18.—種處理系統,包含有多數個處理裝置、運送裝置及 處理手段,其中: 多數個處理裝置,包含有 處理板’係在表面載置有基板,將所載置之基板 加以加熱處理或冷卻處理, 基板引導用引導構件,係設在處理板上以便包圍 前述處理板上之基板載置位置, 溫度感測器,係設在前述處理板之給定位置,及 認定手段’係由基板被載置在前述處理板上時之 前述溫度感測器所檢出之溫度未變化到给定以上時, 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2W X 297公釐) — It— — I I I I 1 I - · I I — — — — — 訂·!1!1- • /IV (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 35 A8B8C8D8 夂、申請專利範圍 認定運送至前述處理板上之基板並正確地載置在前述 基板載置位置; 運送裝置’係用以至少在前述處理裝置間交接基 板; 處理手段,係連續認定藉由一個前述處理裝置運 送至前述處理板上之基板未正確地載置在前述基板位 置時,禁止借助該處理裝置之處理,而用剩下之處理 裝置來進行處理。 19.一種處理系統,包含有多數個處理裝置、運送裝置及 標明手段,其中: 多數個裝置,包含有 處理板,係在表面載置有基板,將所載置之基板 加以加熱處理或冷卻處理, 基板引導用引導構件,係設在前述處理板上,以 便包圍前述處理板上之基板載置位置, 溫度感測器’係設在前述處理板之給定位置, 認定手段’係由基板被載置在前述處理板上時之 前述溫度感測器所檢出之溫度未變化到給定以上時, 認定運送至前述處理板上之基板並未正確地載置在前 述基板載置位置; 運送裝置,係用以至少在前述處理裝置間交接基 板: 標明手段,係藉由一個前述處理裝置運送至前述 處理板上之基板,被認為未正確地載置在前述基板載 $中、張义.¾遣*裡國家栋孳(CXS)A4規格<210 X 297公藶) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> ------!訂.—---J ---结 經濟部智慧时產局3工消費合作社.51製 36 4442 5 0 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 置位置時,將標記標明於由該處理裝置所處理之基板 經濟部智慧財產局員工消費合作社印SR 20. —種辨別方法,其係在具有一在表面載置有基板且將 所載置之基板加以加熱處理或冷卻處理之處理板、及 一設在前述處理板上以包圍前述處理板上之基板載置 位置的基板引導用引導構件的、處理裝置内,判別運 送至前述處理板上之基板是否正確地載置在前述基板 載置位置之方法’其特徵在包含有. 檢出工程--檢出前述處理板之給定位置之溫度 ,及 認定工程 當前述所檢出之溫度未變化到給定 以上時’認定運送至前述處理板上之基板並未正確地 載置在前述基板載置位置。 21_—種檢測方法,其係在具有一在表面載置有基板且將 所載置之基板加以加熱處理或冷卻處理之處理板、 一设在前述處理板上以包圍前述處理板上之基板載 位置的基板引導用引導構件的、處理裝置内,檢出 送至前述處理板上之基板從前述基板載置位置偏倚 方法’其特徵在於包含有: 及 置 運 之 檢出工程一一檢出前述處理板之給定位置之溫度 :及 推定工程 根據前述所檢出之溫度,推定運送 至前述處理板上的基板之從前述基板位置偏移之位置 ------I I I I I. . — — !·ι—1τ.!!線 (請先閱讀背面之注$項再填寫本肓) 37 A8B8C8D8 經溱部智慧財產局員工消費合作社^.¾. 六、申請專利範圍 22. —種檢測方法,其係在具有一在表面載置有基板且將 所載置之基板加以加熱處理或冷卻處理之處理板、及 一設在前述處理板上以包圍前述處理板上之基板載置 位置之基板引導用引導構件的、處理裝置内,檢出運 送至前述處理板上之基板從前述基板載置偏倚之位置 的方法,其特徵在於包含有: 檢出工程--檢出前述處理板之多數位置之溫度 :及 推定工程 根據前述所檢出之在多數位置之溫 度差異,推定運送至前述處理板上的基板之從前述基 板載置位置偏倚之位置。 23. —種處理裝置,包含有: 處理板’係將所載置之基板加以加熱處理或冷卻 處理; 維持片’係將此處理板及前述基板維持成給定之 間隔; 溫度感測器,係設在前述處理板之給定位置;及 控制機構,係基板被載置在前述處理板上時由前 述溫度感測器所檢出之溫度未變化到給定值以上時, 判斷為異常及/或判斷在前述處理板上再載置基板^ 24. 如申請專利範圍第23項所述之處理裝置,其特徵在於 :在前述處理板’設有多數個發熱機構,而其發熱機 構則分別設有溫度感測器,當基板被載置在前述處理 板上時認定為由前述各溫度感測器所檢出之溫度為正 -------------- 裝·----- -- 訂---I--I--綠 <請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 38 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印裂 ο 5 OJ A8B8C8D8 六、申請專利範圍 常之容許範圍,係各不相同。 25.如申請專利範圍第23項所述之處理裝置,裳 衣I 昇特徵在於 :前述控制機構,係在載置基板時根據由前述各溫度 所檢出之溫度,判斷是否將基板再載置於前述處理板 本纸張尺度適用中园园家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 裝 ---—訂 if---1 —線 39
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3772599 | 1999-02-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW444250B true TW444250B (en) | 2001-07-01 |
Family
ID=12505489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089102485A TW444250B (en) | 1999-02-16 | 2000-02-15 | Processing apparatus, processing system, distinguishing method, and detecting method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6654668B1 (zh) |
KR (1) | KR100593627B1 (zh) |
TW (1) | TW444250B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US6654668B1 (en) | 2003-11-25 |
KR20000058022A (ko) | 2000-09-25 |
KR100593627B1 (ko) | 2006-06-28 |
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