TW442654B - Optical semiconductor device with convergent lens - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
發明說明------- [發明所屬之技術領域] [習本知發技\1關於一種具有聚光透鏡之半導體裝置。 圖4為習知之半導體裝置的剖面圖。 件Ϊ:1 二/1為聚光透鏡’ 2為半導體元件,3為半導體元 金屬Ϊ 4為半導Ϊ元件之電極3與外部端子5連接的 '' 6為包覆上述構成材之中空型封 [發明所欵解決之問題] 线裝 形知之具有聚光透鏡之半導體裝[由於採圖4 <、'。構’所以因下述數點而難以小型化。 ^ =外部端子5導出至中空型封裝6之側面。 〕採用中空型封裝6。 屬採用連接半導雜元件2上之電極3,與外部端子5之金 發月即為解決該等問題點而成者,本發明之目的在解 決上述問蟪點’並提供小型且價廉之具有聚光透鏡之 體裝置。 卞年 [解決問題之手段] 第一發明之具有聚光透鏡之半導體裝置,其係包含有聚 光透鏡;配線圖案,其形成於前述聚光透鏡之下面且具有 用以聚光之開口;以及半導體元件,直接電連接前述配線 圖案之下面而與外部接通。 又,第二發明之具有聚光透鏡之半導體裝置,其係包含 有聚光透鏡;貼附於前述聚光透鏡下面之配線板;以及直
S9108689.ptd 第5頁 五、發明說明(2) 接電連接前述配線板背面而 此外,第三發明之具有聚 線板係為多層配線板,且在 半導體元件者。 [發明之實施形態]
與外部通電之半導體元件。 光透鏡之半導體裝罝,其t 前述多層配線板上再搭栽其^ ’、 匕 以下採用圖1至圖3說明本發明之實施形態。 實施形熊 首先,以圖1說明本發明之實施形態1。 圖1係顯示本發明之實施形態1之具有聚光透鏡之半導體 裝置的剖面圖。請參考圖1 ’元件編號1為聚光透鏡,11為 直接成形於聚光透鏡背面之配線圖案,2為半導體元件,3 為與前述配線圖案11通電之前述半導體元件2上之電極, 12為保護前述配線圖案11之光阻,13為密封前述半導體元 件2上之電極3與配線圖案11之連接部分之密封材料,5則 是與前述配線圖案11相連接之外部端子。 例如日本專利特開平8 - 3 2 7 4 4 8號公報所示,有將元件基 板與形成透鏡之矽基板接合之例子;但此實施形態1之特 徵,則是在聚光透鏡1背面設置配線圖案Π,且在該配線 圖案11令’設置相當於半導體元件2之感光部;另外將半 導體元件2與配線圖案11直接連接一起;其結構有所不 同0 經由上述說明’此實施形態1之具有聚光透鏡之半導體 裝置,由於具備此等結構,較之於日本專利特開平 8-3 27448號公報所記載之發明,有以下效果。
第6頁 442654 五、發明說明(3) (1 )因直接形成配線圖案’故無需再設封裝基板’即可 降低成本。 (2)極接近透鏡之有效領域’可達成小型化半導體裝 置。 如上述說明,本發明之裝置可解決目前之問題點’達成 小型且價廉之具有聚光透鏡之半導體裝置。 再者,此實施形態1雖未密封半導體元件背面,但是即 使密封仍能達成相同效果° 實施形態2. 圖2係顯示本發明之實施形態2之具有聚光透鏡之半導體 裝置的剖面圖。在圖2中與實施形態1相同或者相當之部 分,上附記同樣的元件編號,並省略其說明。又,2 1為聚 光透鏡1背面之配線板。 在圖2中,與實施形態1之相異點如下。 (1) 將配線板21貼附在聚光透鏡1之下》 (2) 外部端子5不是針狀,乃是球狀。 關於(1),正如前面實施形態2所述,設置一個相當於半 導體元件2之感光部之開口,且又連接半導體元件2之故, 可與前述實施形態1得到相同效果,且可得到一種小塑又 價廉之具有聚光透鏡之半導體裝置。 另外’關於(2 )’外部端子之形狀,無論針狀亦或球 狀,皆不因形狀影響其性能。 又,配線板用的是單層配線板,同樣不因層數而有所影 響。再者,在實施形態2中’並未封住半導體元件背面’ 89108689.ptd 第7頁 五、發明說明(4) ' --- 但即使封住也能發揮同樣效果。 實施形態3. 圖3係顯示本發明之實施形態3之具有聚光透鏡之 裝置的剖面圖。本圖中,在與實施形態2相同或相當部分 附記同樣的元件編號,並省略其說明。圖中,3丨為多居77 線板、32 (a)及32(b)係各自設置於多層配線板31之上 用以保護該配線之光阻。另外,33為其它半導體元件,34 為刖述其匕半導體元件3 3上之電極,本項其它半導體元件 33,係介以電極34與多層配線板31之聚光透鏡1之配線層 連通。 實施形態3之特徵有下述數點。 (1) 配線板係由多層配線構成,可搭載多數半導體元 件。 (2) 外部電極5採區域狀Urea)配置,具有在小面積内配 置更多端子之優點β 如上述說明,實施形態3之具有聚光透鏡之半導體裝 置’除前述實施形態1、2令提及之特徵,藉由上述之 (1)、(2)兩項特徵,不僅可使半導體裝置小型化,甚且可 以使搭載半導體裝置之安裝基板,乃至整個模組都有小型 化的效果β 再者’實施形態3係將其它半導體元件33,雖係搭載於 多層配線板3 1靠近聚光透鏡1側的配線層上,但是亦可搭 載於前述任何一種配線層上,且可達到與前述實施形態3 相同之效果。
五、發明說明(5) [發明之效果] 本發明之構成如上述說明,能發揮下述效果。 若依第一、第二與第三發明,則由於在聚光透鏡下面形 成配線圖案,故得以實現小型且價廉之具有聚光透鏡之半 導體裝置。 再者,若依第三發明,則由於在搭載多數半導體元件外 的同時將外部電極配置成區域狀,故可將安裝基板或整個 模組小型化。 [元件編號之說明] 1 聚光透鏡 2 半導體元件 11 配線圖案 21 配線板 31 多層配線板 33 其它半導體元件
89108689.ptd 第9頁 圖式簡單說明 圖1顯示本發明之實施形態1之具有聚光透鏡之半導體裝 置的剖面圖。 圖2顯示本發明之實施形態2之具有聚光透鏡之半導體裝 置的剖面圖。 圖3顯示本發明之實施形態3之具有聚光透鏡之半導體裝 置的剖面圖。 圖4顯示習知之具有聚光透鏡之半導體裝置的剖面圖。
B910S689.ptd 第10頁
Claims (1)
- 442654 六、 申請專利範圍 1. —種具有聚光透鏡之半導體裝置’其係包含有:配線 圖案(π),其在聚光透鏡(π之下面,具有用以聚光之開 口;以及半導體元件(2) ’其直接電連接該配線圖案(H) 之下面而與外部接通。 2. —種具有聚光透鏡之半導體裝置’其係包含有安裝在 聚光透鏡下面之配線板(21) ’以及於直接電連接該配線板 (2 1 )背面而與外部接通之半導體元件(2)。 3. 如申請專利範圍第2項之具有聚光透鏡之半導體裝置, 其中上述配線板(21)係貼附於聚光透鏡(1 )之下面。 4. 如申請專利範圍第2項之具有聚光透鏡之半導體裝 置,其中更具有外部端子。 5. 如申請專利範圍第4項之具有聚光透鏡之半導體裝 置,其中上述外部端子為針狀或球狀者。 6. 如申請專利範圍第2項之具有聚光透鏡之半導體裝 置’其中配線板(2 1 )係為多層配線板(3 1 ),且在該多層配 線板(31 )上更搭載其它半導體元件(33)。 7. 如申請專利範圍第6項之具有聚光透鏡之半導體裝 置’其中更具有外部端子。 8. 如申請專利範圍第7項之具有聚光透鏡之半導體裝 置’其中上述外部端子係配置成區域狀者。 9. 如申請專利範圍第6項之具有聚光透鏡之半導體裝 置’其中除了上述其它半導體元件之外,還搭載他種 體元件者。89108689.ptd 第11頁
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11154810A JP2000349306A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | 集光レンズ付き半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW442654B true TW442654B (en) | 2001-06-23 |
Family
ID=15592383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089108689A TW442654B (en) | 1999-06-02 | 2000-05-06 | Optical semiconductor device with convergent lens |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6288851B1 (zh) |
JP (1) | JP2000349306A (zh) |
KR (1) | KR100382893B1 (zh) |
TW (1) | TW442654B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2800912B1 (fr) * | 1999-11-04 | 2003-07-25 | St Microelectronics Sa | Boitier semi-conducteur optique et procede de fabrication d'un tel boitier |
JP3501281B2 (ja) * | 1999-11-15 | 2004-03-02 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US6656768B2 (en) * | 2001-02-08 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip assembly of protected micromechanical devices |
JP2005045051A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Sony Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
CN101123231B (zh) * | 2007-08-31 | 2010-11-03 | 晶方半导体科技(苏州)有限公司 | 微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法 |
WO2012017576A1 (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
CN114599938A (zh) | 2019-10-30 | 2022-06-07 | 索尼集团公司 | 光学传感器和光学传感器模块 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2843464B2 (ja) * | 1992-09-01 | 1999-01-06 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
JPH08327448A (ja) | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 小型赤外線センサ及びその製造方法 |
JPH09113352A (ja) | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Nissan Motor Co Ltd | マイクロレンズ付赤外線検出素子およびその製造方法 |
JP3267183B2 (ja) | 1997-02-25 | 2002-03-18 | 松下電工株式会社 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-06-02 JP JP11154810A patent/JP2000349306A/ja active Pending
- 1999-10-22 US US09/425,211 patent/US6288851B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-06 TW TW089108689A patent/TW442654B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-05-09 KR KR10-2000-0024518A patent/KR100382893B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010049339A (ko) | 2001-06-15 |
US6288851B1 (en) | 2001-09-11 |
KR100382893B1 (ko) | 2003-05-09 |
JP2000349306A (ja) | 2000-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |