JP2000349306A - 集光レンズ付き半導体装置 - Google Patents
集光レンズ付き半導体装置Info
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- 230000005494 condensation Effects 0.000 title abstract 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 中空型パッケージとその側面に導出する外部
端子を有さない、小型で安価な集光レンズ付き半導体装
置を得る。 【解決手段】 集光レンズ１と、前記集光レンズ１の下
面に形成され、集光の為の開口を有する配線パターン１
１と、前記配線パターン１１の下面に直接電気的に接続
して外部に電気的に導通した半導体素子２とを備える。
端子を有さない、小型で安価な集光レンズ付き半導体装
置を得る。 【解決手段】 集光レンズ１と、前記集光レンズ１の下
面に形成され、集光の為の開口を有する配線パターン１
１と、前記配線パターン１１の下面に直接電気的に接続
して外部に電気的に導通した半導体素子２とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、集光レンズ付き
半導体装置に関するものである。
半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体装置の断面図であ
る。図１において、１は集光レンズ、２は半導体素子、
３は半導体素子上の電極、４は半導体素子上の電極３を
外部端子５と接続するワイヤ、６は上記の構成材を内包
する中空型パッケージである。
る。図１において、１は集光レンズ、２は半導体素子、
３は半導体素子上の電極、４は半導体素子上の電極３を
外部端子５と接続するワイヤ、６は上記の構成材を内包
する中空型パッケージである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の、
集光レンズを備えた半導体装置は、図４の様に構成され
ているため、下記の点で小型化が困難であった。 （１）外部端子５を中空型パッケージ６の側面に導出し
ている点。 （２）中空型パッケージ６を用いている点。 （３）半導体素子２上の電極３と外部端子５の接続にワ
イヤ４を用いている点。
集光レンズを備えた半導体装置は、図４の様に構成され
ているため、下記の点で小型化が困難であった。 （１）外部端子５を中空型パッケージ６の側面に導出し
ている点。 （２）中空型パッケージ６を用いている点。 （３）半導体素子２上の電極３と外部端子５の接続にワ
イヤ４を用いている点。
【０００４】この発明はかかる問題点を解決するために
なされたものであり、本発明の目的は上記の問題点を解
決し、小型で安価な集光レンズ付き半導体装置を提供す
ることである。
なされたものであり、本発明の目的は上記の問題点を解
決し、小型で安価な集光レンズ付き半導体装置を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明にかかる集光
レンズ付き半導体装置は、集光レンズと、前記集光レン
ズの下面に形成され、集光の為の開口を有する配線パタ
ーンと、前記配線パターンの下面に直接電気的に接続し
て外部に電気的に導通した半導体素子とを備えたもので
ある。
レンズ付き半導体装置は、集光レンズと、前記集光レン
ズの下面に形成され、集光の為の開口を有する配線パタ
ーンと、前記配線パターンの下面に直接電気的に接続し
て外部に電気的に導通した半導体素子とを備えたもので
ある。
【０００６】また、第２の発明にかかる集光レンズ付き
半導体装置は、集光レンズと、前記集光レンズの下面に
貼り付けられた配線板と、前記配線板裏面に直接電気的
に接続して外部に電気的に導通した半導体素子とを備え
たものである。
半導体装置は、集光レンズと、前記集光レンズの下面に
貼り付けられた配線板と、前記配線板裏面に直接電気的
に接続して外部に電気的に導通した半導体素子とを備え
たものである。
【０００７】さらに、第３の発明にかかる集光レンズ付
き半導体装置は、配線板が多層配線板であって、前記多
層配線板上に更に他の半導体素子を搭載したものであ
る。
き半導体装置は、配線板が多層配線板であって、前記多
層配線板上に更に他の半導体素子を搭載したものであ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図１から図３を用いて、こ
の発明の実施の形態について説明する。
の発明の実施の形態について説明する。
【０００９】実施の形態１．まず、図１を用いて、この
発明の実施の形態１について説明する。図１は、この発
明の実施の形態１における集光レンズ付き半導体装置を
示す断面図である。図１を参照して、１は集光レンズ、
１１は集光レンズの裏面に直接形成された配線パター
ン、２は半導体素子、３は前記配線パターン１１に電気
的に接続された、前記半導体素子２上の電極、１２は前
記配線パターン１１を保護するレジスト、１３は前記半
導体素子２上の電極３と配線パターン１１の接続部を封
止する封止材、５は、前記配線パターン１１と接続され
る外部端子である。
発明の実施の形態１について説明する。図１は、この発
明の実施の形態１における集光レンズ付き半導体装置を
示す断面図である。図１を参照して、１は集光レンズ、
１１は集光レンズの裏面に直接形成された配線パター
ン、２は半導体素子、３は前記配線パターン１１に電気
的に接続された、前記半導体素子２上の電極、１２は前
記配線パターン１１を保護するレジスト、１３は前記半
導体素子２上の電極３と配線パターン１１の接続部を封
止する封止材、５は、前記配線パターン１１と接続され
る外部端子である。
【００１０】例えば、特開平8−327448号公報に示すよ
うに、素子基板を、レンズを形成したシリコン基板に接
合した例はあるが、この実施の形態１の特徴として集光
レンズ１裏面に配線パターン１１を設け、かつ配線パタ
ーン１１には半導体素子２の受光部に相当する開口を設
け、半導体素子２と配線パターン１１を直接接続した点
で構成が異なる。
うに、素子基板を、レンズを形成したシリコン基板に接
合した例はあるが、この実施の形態１の特徴として集光
レンズ１裏面に配線パターン１１を設け、かつ配線パタ
ーン１１には半導体素子２の受光部に相当する開口を設
け、半導体素子２と配線パターン１１を直接接続した点
で構成が異なる。
【００１１】以上説明したように、この実施の形態１に
おける集光レンズ付き半導体装置によれば、この様な構
成ゆえ、特開平8−327448号公報に記載の発明に比し、 （１）直接配線パターンを形成するために、パッケージ
基板を設けず低コスト化が可能である。 （２）レンズの有効領域に限りなく近い、小型半導体装
置が得られる。という効果がある。 この様に、上記の点において従来の問題点を解決し、小
型で安価な集光レンズ付き半導体装置が得られる。さら
に、この実施の形態１では半導体素子裏面を封止してい
ないが、封止しても同様の効果を奏する。
おける集光レンズ付き半導体装置によれば、この様な構
成ゆえ、特開平8−327448号公報に記載の発明に比し、 （１）直接配線パターンを形成するために、パッケージ
基板を設けず低コスト化が可能である。 （２）レンズの有効領域に限りなく近い、小型半導体装
置が得られる。という効果がある。 この様に、上記の点において従来の問題点を解決し、小
型で安価な集光レンズ付き半導体装置が得られる。さら
に、この実施の形態１では半導体素子裏面を封止してい
ないが、封止しても同様の効果を奏する。
【００１２】実施の形態２．図２は、この発明の実施の
形態２における集光レンズ付き半導体装置を示す断面図
である。この図において、実施の形態１と同じ又は相当
部分には同符号を付しており、その説明は省略する。な
お、２１は集光レンズ１の裏面に張り合わせた配線板で
ある。この図２において、実施の形態１との差違は下記
の点にある。 （１）配線板２１を集光レンズ１下に張り合わせた点。 （２）外部端子５がピン状でなく、ボール状である点。
形態２における集光レンズ付き半導体装置を示す断面図
である。この図において、実施の形態１と同じ又は相当
部分には同符号を付しており、その説明は省略する。な
お、２１は集光レンズ１の裏面に張り合わせた配線板で
ある。この図２において、実施の形態１との差違は下記
の点にある。 （１）配線板２１を集光レンズ１下に張り合わせた点。 （２）外部端子５がピン状でなく、ボール状である点。
【００１３】（１）については、前記実施の形態１で述
べたとおり、半導体素子２の受光部に相当した開口を設
け、かつ直接半導体素子２を接続しているため、前記実
施の形態１と同様の効果が得られ、小型で安価な集光レ
ンズ付き半導体装置が得られる。なお、（２）について
は外部端子形状はピン状でもボール状でも良く、その形
状にはよらない。また、配線板は片面配線板としたが、
層数によらない。さらに、この実施の形態２では半導体
素子裏面を封止していないが、封止しても同様の効果を
奏する。
べたとおり、半導体素子２の受光部に相当した開口を設
け、かつ直接半導体素子２を接続しているため、前記実
施の形態１と同様の効果が得られ、小型で安価な集光レ
ンズ付き半導体装置が得られる。なお、（２）について
は外部端子形状はピン状でもボール状でも良く、その形
状にはよらない。また、配線板は片面配線板としたが、
層数によらない。さらに、この実施の形態２では半導体
素子裏面を封止していないが、封止しても同様の効果を
奏する。
【００１４】実施の形態３．図３は、この発明の実施の
形態３における集光レンズ付き半導体装置を示す断面図
である。この図において、実施の形態２と同じ又は相当
部分には同符号を付しており、その説明は省略する。な
お、３１は多層配線板、３２（ａ）、３２（ｂ）はそれ
ぞれ多層配線板３１の上下に設けられ、それぞれの配線
層を保護するレジストである。また３３は他の半導体素
子、３４は前記他の半導体素子３３上の電極であり、こ
の他の半導体素子３３は、電極３４を介して多層配線板
３１の集光レンズ１側の配線層に導通される。
形態３における集光レンズ付き半導体装置を示す断面図
である。この図において、実施の形態２と同じ又は相当
部分には同符号を付しており、その説明は省略する。な
お、３１は多層配線板、３２（ａ）、３２（ｂ）はそれ
ぞれ多層配線板３１の上下に設けられ、それぞれの配線
層を保護するレジストである。また３３は他の半導体素
子、３４は前記他の半導体素子３３上の電極であり、こ
の他の半導体素子３３は、電極３４を介して多層配線板
３１の集光レンズ１側の配線層に導通される。
【００１５】この様に、この実施の形態３の特徴は、下
記の点にある。 （１）配線板を多層配線構成とし、複数の半導体素子を
搭載する点。 （２）外部電極５をエリア状に配置し、より小さな面積
により多くの端子を配置する点。
記の点にある。 （１）配線板を多層配線構成とし、複数の半導体素子を
搭載する点。 （２）外部電極５をエリア状に配置し、より小さな面積
により多くの端子を配置する点。
【００１６】以上説明したように、この実施の形態３に
おける集光レンズ付き半導体装置は、前記実施の形態１
及び２で述べた特徴に加え、上記（１）及び（２）の特
徴により、半導体装置の小型化を可能にすると共に、半
導体装置を搭載する実装基板ないしはモジュール全体を
小型化する効果が得られる。なお、この実施の形態３で
は他の半導体素子３３を多層配線板３１の集光レンズ１
側の配線層に搭載したが、どの配線層に搭載しても良
く、前記実施の形態３と同様な効果を奏する。
おける集光レンズ付き半導体装置は、前記実施の形態１
及び２で述べた特徴に加え、上記（１）及び（２）の特
徴により、半導体装置の小型化を可能にすると共に、半
導体装置を搭載する実装基板ないしはモジュール全体を
小型化する効果が得られる。なお、この実施の形態３で
は他の半導体素子３３を多層配線板３１の集光レンズ１
側の配線層に搭載したが、どの配線層に搭載しても良
く、前記実施の形態３と同様な効果を奏する。
【００１７】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
れているので、以下に示すような効果を奏する。
【００１８】第１、第２及び第３の発明によれば、集光
レンズ下面に配線パターンを形成したので、小型で安価
な集光レンズ付き半導体装置が実現できる。
レンズ下面に配線パターンを形成したので、小型で安価
な集光レンズ付き半導体装置が実現できる。
【００１９】さらに、第３の発明によれば、複数の半導
体素子を搭載すると共に外部電極をエリア状に配置した
ので、実装基板ないしはモジュール全体を小型化でき
る。
体素子を搭載すると共に外部電極をエリア状に配置した
ので、実装基板ないしはモジュール全体を小型化でき
る。
【図１】この発明の実施の形態１における集光レンズ付
き半導体装置を示す断面図である。
き半導体装置を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態２における集光レンズ付
き半導体装置を示す断面図である。
き半導体装置を示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態３における集光レンズ付
き半導体装置を示す断面図である。
き半導体装置を示す断面図である。
【図４】従来の集光レンズ付き半導体装置を示す断面図
である。
である。
１ 集光レンズ ２ 半導体素子 １１ 配線パターン ２１ 配線板 ３１ 多層配線板 ３３ 他の半導体素子
Claims (3)
- 【請求項１】 集光レンズと、 前記集光レンズの下面に形成され、集光の為の開口を有
する配線パターンと、 前記配線パターンの下面に直接電気的に接続して外部に
電気的に導通した半導体素子とを備えた、集光レンズ付
き半導体装置。 - 【請求項２】 集光レンズと、 前記集光レンズの下面に貼り付けられた配線板と、 前記配線板裏面に直接電気的に接続して外部に電気的に
導通した半導体素子とを備えた、集光レンズ付き半導体
装置。 - 【請求項３】 配線板が多層配線板であって、前記多層
配線板上に更に他の半導体素子を搭載したことを特徴と
する、請求項２に記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11154810A JP2000349306A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | 集光レンズ付き半導体装置 |
| US09/425,211 US6288851B1 (en) | 1999-06-02 | 1999-10-22 | Optical semiconductor device with convergent lens |
| TW089108689A TW442654B (en) | 1999-06-02 | 2000-05-06 | Optical semiconductor device with convergent lens |
| KR10-2000-0024518A KR100382893B1 (ko) | 1999-06-02 | 2000-05-09 | 집광렌즈 부착 반도체장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11154810A JP2000349306A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | 集光レンズ付き半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349306A true JP2000349306A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15592383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11154810A Pending JP2000349306A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | 集光レンズ付き半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6288851B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000349306A (ja) |
| KR (1) | KR100382893B1 (ja) |
| TW (1) | TW442654B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005045051A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Sony Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
| WO2021085098A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | ソニー株式会社 | 光学式センサおよび光学式センサモジュール |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2800912B1 (fr) * | 1999-11-04 | 2003-07-25 | St Microelectronics Sa | Boitier semi-conducteur optique et procede de fabrication d'un tel boitier |
| JP3501281B2 (ja) * | 1999-11-15 | 2004-03-02 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| US6656768B2 (en) * | 2001-02-08 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip assembly of protected micromechanical devices |
| CN101123231B (zh) * | 2007-08-31 | 2010-11-03 | 晶方半导体科技（苏州）有限公司 | 微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法 |
| EP2602820B1 (en) * | 2010-08-04 | 2014-10-15 | Panasonic Corporation | Solid-state image pickup device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2843464B2 (ja) * | 1992-09-01 | 1999-01-06 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPH08327448A (ja) | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 小型赤外線センサ及びその製造方法 |
| JPH09113352A (ja) | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Nissan Motor Co Ltd | マイクロレンズ付赤外線検出素子およびその製造方法 |
| JP3267183B2 (ja) | 1997-02-25 | 2002-03-18 | 松下電工株式会社 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-06-02 JP JP11154810A patent/JP2000349306A/ja active Pending
- 1999-10-22 US US09/425,211 patent/US6288851B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-06 TW TW089108689A patent/TW442654B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-05-09 KR KR10-2000-0024518A patent/KR100382893B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005045051A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Sony Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
| WO2021085098A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | ソニー株式会社 | 光学式センサおよび光学式センサモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW442654B (en) | 2001-06-23 |
| US6288851B1 (en) | 2001-09-11 |
| KR100382893B1 (ko) | 2003-05-09 |
| KR20010049339A (ko) | 2001-06-15 |
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Legal Events
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