TW432488B - Reaction facility for forming film and method of air intake - Google Patents

Description

j43_24_8.8 五、發明說明（1) 、本案係關於一種用於形成薄膜之反應設備及特殊進氣 方法，尤指一種可降低微粒污染之反應設備及進氣方法。 g 化冬軋相沈積法（chemical vapor deposition，CVD)

疋種利用化子反應的方式，使氣態反應物於反應室内反 應，、生成固態的生成物沈積於晶片表面，而於晶片表面上 形成一層薄膜，比起其他的薄臈形成技術，利用化學氣相 沈積法所生成的薄膜有較好的結晶性和化學配比 (stoichiometry),而且具有較好的階梯覆蓋（step coverage)效果，現在不論是形成導電材料、半導體材料 或介電材料’化學氣相沈積法都成為優先而主要的選擇。 般化學氣相沈積法所要求的反應溫度比起室溫還是 有 &不小的差距，以提供足夠的活化能使化學反應得以 進2，一般反應溫度多介於40 0 t到85 0 t，因此反應室内 j至外會有相當程度的溫差，現以沈積氮化矽薄膜為例。 ^參閱第一圖（a)，顯示一台典型的化學氣相沈積反應 器1，内部結構可分為一外管11及一内管12，内管12中放 曰座2，上面放置一片或數片晶片21，待化學氣相沈積 製程結束後’這些晶片2 1上會形成一層氮化矽層。氮化矽 層多是利用二氣矽烷與氨氣經過下列反應生成： 3SiH2Cl2(g)+7NH3(g) ^Si3N4(s) + 3NH4ClCs) + 3HCl(g)+6H2 通常所需的溫度約在70 0 °C到800 t左右，壓力約在〇 . 1技 耳到1托耳之間’這個壓力範圍的化學氣相沈積法稱為低

第5頁 432488 五、發明說明（2) . 麗化學氣相沈積法（l〇w pressure chemical vapor deposition，LPCVD) ’因此會有一加熱器3用以加熱内管 1 2中的晶片2 1 ’使達到適當的反應溫度，同時從抽氣口 41 持續抽氣，使内部的壓力保持在一定的低壓下。 化學氣相反應製程的過程約持續20分鐘至分鐘’待 氮化矽薄膜成長完成後，必須將晶片2 1卸載（un 1 〇ad ) ’此 時要先從進氣口 42的進氣管5通入大量室溫氮氣約10分鐘 到1 5分鐘，以沖洗（p u r g e)内管1 2，同時卸真空並降低溫 度，以便取出晶片21，好進行下一輪之化學氣相沈積製 - 程。但是化學氣相沈積製程不只會在晶片2 1上沈積氮化 （p 矽，在内管1 2管壁上同樣會附著氮矽化合物（S ix N4)薄膜 6 ’所以每隔一段時間就要清洗内管1 2管壁一次’以免氮 砂化合物6污染成品，但是在製程的升壓降溫過程中，當 通入的室溫氮氣一接觸到内管1 2，内管1 2兩侧瞬間溫差達 到6 0(TC至7 0 0 °C，使得附著於内管12管壁上的氮矽化合物 薄骐6在瞬間有不平衡的熱應力產生，因而剝落（peel )生 成微粒6 1 ’這些剝落的微粒6 1會污染到晶片成品，降低製 程良率及品質。 為了避免因通入氮氣瞬間的溫差過大造成污染，現有 兩種方法’一種是在通入氮氣前先對氮氣進行升溫步驟， ） 以期避免造成管壁兩旁的溫差過大，很明顯地，這種措施 . 會浪費不少的熱預算；另一種方法則是利用小流量 3〇〇sccin至500sccm的氮氣來進行升壓回溫的步驟，如此升 ' 壓回溫的步驟需要較長的時間才.能完成^以超過3〇分鐘的

第6頁 4 3 24 8 8 五、發明說明（3) ------ 時間來進行沖洗的動作對於半計畫是相當 不利的’如要提高產業競爭性必更實用的方 職是^故，本發明鑑於習知技術之缺失，並〆本鍥而 不捨、精益求精之研究精神，為改呈習知技術中為避免污 染而必須增加熱預算或製程時間的問題，終研發出本案之 特殊反應設備及進氣方法，以期能有效解決習知技術中所 存在的缺失。

Q 本案之主要目的，即在於提供一種用於形成薄膜之反 應設備及其内之進氣裝置，用以於一晶片上形成/層薄 膜，在減少污染源的同時，不須增加熱預算及製释時間。 本案之另一目的，即在於提供—種用於形成薄膜之反 應設備的進氣方法，可減少因溫差過大所造成的涔染來 源，又不須增加熱預算及製程時間。 根據本案之主要目的，所揭露的反應設備包拉一内廣 嚴置及-外層裝置，兩者間形成一進氣口與一出氟口 ’ : 供氣體進出；以及一進氣管，因其特殊的構造，巧*使進2 直接喷向外層裝置而不會直接喷向内層裝置，不敦使内 裝置兩侧有過大的溫差產生。 依據上述構想，所揭露的反應設備可應用於化學氣相 沈積法或物理氣相沈積法（physical vapor depositi〇11 , PVD):如果是化學氣相沈積法，則内層裝置即為供晶艿形 成薄膜之石英反應室，各種製程氣體可在其中反應生成HI 態生成物沈積於晶片上。

43 24 88 五、發明說明（4) 』 依據上述構想，進氣管的結構可包含複數個開向外層 裝置的孔洞’所以進氣會直接喷向外層裝置；或是進氣管 的開口面與進氣管傾斜一角度，使開口面係開向外層聚 置；抑或進氣管於出口處包含一彎曲部，使得開口面也是 朝向外層裝置。進氣管的長度大致小於内管裝置的2/3。 依據上述構想，所揭露之反應設備更包含-'加熱裝 置，可加熱晶片至一特定溫度，如4 0 0 °C到8 5 0。(：之間，使 製程氣體可在此特定溫度下反應；再者，更包含一柚氣裝 — 置，連結至抽氣口，以控制反應設備内的壓力至一特定壓 -力，如0.1托耳（torr)到100托耳（torr)，使製程氣體可在 （^) 此特定壓力下反應；再者，更包含一流速控制裝置，以控 制進氣的流速於一較佳之流速範圍3 0 0 s c c m至5 0 0 s c c in。 根據本案之主要目的，另外揭露一種進氣裝置，適用 於當進氣與内層裝置之溫差介於3 0 0 °C至850 °C之間，所揭 露的進氣裝置包括一進氣管及一流速控制裝置，其特徵在 於該進氣管具有特殊的構造，可使進氣直接喷向外層裝置 而不會直接喷向内層裝置，不致使内層裝置兩侧有過大的 溫差產生。 根據本案之另一目的，更揭露一種進氣方法供破真空 使用’包括步驟（a)使進氣自外層裝置及内層裝置間進 > 入，直接喷向外層裝置；以及（b)使已接觸外層裝置的進 -氣沿著外層裝置及内層裝寰間的通道進入内層裝置。 依據上述構想，所生成之薄膜為一氮化矽薄膜’則附 著在内層和外層裝置上之微粒成分為氮矽化合物。如將此

第8頁 4 3 24 8 8 五、發明說明（5) 進 氣方 法應用 於低壓 化 學 氣相 沈 積製程中，所 稱 進 氣 可 以 是 反應 氣體（ 一般反 應 氣 體均 是 由内 丨管進氣） 或 沖 洗 氣 體 ，如 果是沖 洗氣體 > 一 般為 氮 氣（ 氮氣的進 氣 一 般 分 為 内 管與 外管兩 個，但 是 在 低壓 力 時均使用外管 進 氣 ) 以 及（c) P !整進氣的流速 可使升壓降 溫之步驟控制在5 分 鐘 至 15分 鐘之間 〇 本 案得藉 由下列 圖 式 及較 佳 實施例之詳細 說 明 俾 得 一 更深 入之瞭 解： 第 一圖（a )至（b) 係 為 典型 化 學氣相沈積法 之 設 備 示 意 圖 ；以 及 第 —圖（a )至（c) 係 本 發明 之 部份化學氣相 沈 積 法 之 設 備 示意 圖。 圖 中主要 元件標 示 如 下： 1 ： 化學氣相沈積反應器 11 :外管 12 :内管 2 ： 晶座 21 晶片 3 ： 加熱器 41 :抽氣 σ 42 :進氣口 5、 7 :進 氣管 6 ： 薄膜 61 :微粒 71 :孔洞 7 2 、73 : 開口 8 ： 流速控制 裝 置 本案提供 一種具 有 特 殊結 構 的進 氣管，可 避 免 前 述 的 污 染缺失，首 先請先 參 閲 资 — 弟一 圖（a ) ，顯示化學氣相沈積 反應器的進氣部份，進氣管7插入外管1 1與内管1 2間所形 成的進氣口 42，其中進氣管7在靠近外管11的管壁上形成

432488 五、發明說明（6) . 了一排或數排的孔洞71 ，同時仍保留上端的開口 7 2，以一 般反應器的大小而言，垂直部份的進氣管7長度約小於5 0 公分。在前述利用化學氣相沈積形成氮化矽薄膜中的升壓 降溫步驟中，當大量的氮氣從進氣管7進入化學氣相沈積 反應器之内，一部份的氮氣會從孔洞7 1流出而喷向外管 1 1 ，一部份則自開口 72流出而同時喷向外管1 1與内管1 2， 因為此時一部份的氮氣已從孔洞71喷出，只有一部份的氮 氣直接喷向内管1 2，而不像習知進氣管結構會使得大量的 氮氣喷向内管12，當氮氣在接觸到内管11之前，其溫度已 -因化學氣相沈積反應器内的原有溫度而上升一些，因此進 〇 氣與内管1 2間的溫差減小，這種溫差減小並不是由額外的 熱預算而來，如此傳統因熱應力瞬間不平衡而導致lu石夕化 合物薄膜6 .剝落的問題就可大大地減少，而順利解決微粒 污染的問題，如此由流量控制襞置8所控制的氮氣流量可 達300sccm至2000sccm，比起傳統改用少量氮氣進行升壓 降溫的方法，本案之進氣管7結構亦可減少所需製程時 間。 — 請參閱第二圖（b )，顯示化學氣相沈積反應器進氣部 _ 份的另一較佳實施如，其中進氣管7的開口 73與習知進氣 管的開口不同，其開口面斜向外管1 1 ，即開口面的法線不 ’ 與管壁平行，而成一傾斜角度，以一般反應器的大小而 - 言，垂直部份的進氣管7長度約小於70公分。在前述利用 化學氣相沈積形成氮化矽薄膜中的升壓降溫步驟中，當大 量的氮氣從進氣管7進入化學氣相沈積反應器之内，氮氣

第10頁 4324 88 五、發明說明（7) 自斜向開口 7 3流出而喷向外管11 ’再經由外管1 1與内管1 2 間的通道流入内管1 2，當流出的氮氣在喷向外管1 1之後而 接觸到内管1 2之前的這段時間内，藉由化學氣相沈積反應 器的外管溫度會提昇進氣的溫度，使得進氣與内管間的溫 差減小’而不須要額外的熱預算，同時因傳統熱應力瞬間 不平衡而導致氮矽化合物薄膜6剝落的問題也大大的減 少’可順利解決微粒污染的問題，如此由流量控制裝置8 所控制的氮氣流量為3〇〇sccm至1500sccm，可大幅減少所 需之升壓降溫時間。 ， 請參閱第二圖（c)，顯示化學氣相沈積反應器進'氣部 份的第三較佳實施例，其中進氣管7不含有開口，而在接 近末端的管壁部份形成了 一排或數排的漸傾的 (gradient)孔洞71從進氣管出口由小至大，面朝外管 1 1，以一般反應器的大小而言，垂直部份的進氣管7在減 去含孔洞71的部份後，長度約小於7 〇公分（内管装置之 2/3 )。在前述利用化學氣相沈積形成氮化矽薄膜的升壓降 ’ 溫步驟中，當大量的氮氣從進氣管7進入化學氣相沈積反 -應器之内，所有的氮氣都自孔洞7丨流出而喷向外管丨丨，在 氮氣接觸到外管11之後，因外管的高溫而使氮氣提昇了一 ’ 些溫度，而後才接觸到内管u ，因此進氣與内管12間的溫） 差減小"並不需要額外的熱預异，傳統熱應力瞬間不平衡 而導致氮矽化合物薄膜6剝落的問題也跟著減少，而順利 污染㈣題’如此由流量控制裝置8所控制的氛-氣k里可達30〇sccm至2〇〇〇sccm，比起傳統改用少量氮氣

第11頁 432488 五、發明說明（8) _ . 進行升壓降溫的方法，本案之進氣管7結構亦可大幅減少 所需的製程時間。 本案依此觀念更發展出一種進氣方法，簡要地說可歸 納為兩步驟：（a )使進氣從外管及内管間進入，並使部份 或全部進氣直接喷向外管，避免進氣直接喷向内管，造成 附著於内管的微粒剝落；以及（b )使已接觸外管的進氣沿 ' 著外管及内管間的通道進入内管。為了達到此二步驟，必 須改良習知的進氣管結構，如前述所提供三種進氣管之較 佳實施例，可於靠近外管的管壁形成一排或數排孔洞，亦 -可使進氣管的開口斜向外管，使部份或全部的進氣先接觸 ρ 到外管經過些許升溫之後，才接觸到内管，如此即可在不 增加沖洗時間及熱預算的情況下，使附著在内管壁管上的 氮矽化合物薄膜不致自内管管壁剝落，而污染到成品。 本案依此更提供一種化學氣相沈積反應設備，此設備 包含一外層裝置11、一内層裝置12及一具有特殊結構的進 氣管7，其中内層裝置12、外層裝置11與進氣管7可為石英 所構成，以適用於400 °C至8 5 0 °C，的反應溫度；外層裝置U 則套於内層裝置1 2的外部，在内層裝置1 2及外層裝置1 1間 形成一進氣口 42與一出氣口 （抽氣口）41，供氣體進出； 具特殊構造的進氣管7則如第二圖所示，在靠近外層裝置 ） 1 1的管壁上形成了一排或數排的漸傾的孔洞7 1，同時仍保 -留上端的開口 7 2，或是開口 7 3斜向外管11 ，即開口面的法 線不與管壁垂直，而成一傾斜角度，或是進氣管7本身不 ' 包含開口，而在接近末端的管壁部份形成了 一排或數排的

第12頁 4-g 24 8 8_ 五、發明說明（9) 孔洞71，面朝外層裝置11等等。除了上述裝置之外，還包 括有加熱裝置、抽氣裝置及流速控制裂置，加熱褒置是用 於加熱内管中的晶座2、晶片21或反應氣體，以使其達到 特定的反應溫度，如形成氮化矽薄膜的適當溫度範圍在 — 4 0 0 °C至8 5 0 °C之間；抽氣裝置（未繪出）則連接到反應設 備的柚氣口，對反應設備連續抽氣使得内層裝置1 2内的壓 ’ 力保持於一定的範圍之内，如利用低壓化學沈積法形成氮 化矽薄膜的壓力範圍在0. 1托耳至1托耳之間；流速控制裴 置8則是用來控制進氣的流速，如果進氣流速太快，會使 -得進氣與内層裝置12間的溫差過大，可能導致附著在内層 ς) 裝置1 2上的薄膜因過大之熱應力不平衡而剝落，污染成 品’另外還會產生擾流（t u r b u 1 e n t f 1 〇 w )等問題，但是流 速過小會延長製程時間’一般而言，適當的流速範圍在 3 0 0 seem至20 0 0 seem ’使沖洗的時間控制在5分鐘到1 5分鐘 之間。 本案所列舉的較佳實施例僅只用來說明本案之特徵， 並不侷限於此範圍，如本案之設備及進氣方法不僅只用於 化學氣相沈積法’亦可舉一反三地應用至物理氣相沈積 法；實施例中僅舉出數個特別結構的進氣管，但是只要是 能將進氣導向外管的進氣管都可納入本案之範圍，如在進 ） 氣管的尾端形成一彎曲部’使開口朝向外管等等，可由熟 悉此技藝人士加以推衍；另外，本案不僅可用於形成氮化 矽薄膜，舉凡導體材料、半導體材料、絕緣材料都有其應 、 用性；再則’於實施例中僅提到進氣為沖洗氣體（氮氣，

第13頁 4 3 24 8 8 _ 五、發明說明（ίο) 當然可利用其他氣體），但是要將此等原理應用於製程氣 體亦未嘗不可，如果製程氣體與内層裝置間的溫差會造成 不利於製程的影響，即可考慮使用本案所揭露的設備及進 氣方法。 綜上所述，本案所提供用於形成薄膜之反應設備及進 氣方法，於申請前並未見於任何刊物，符合專利之新穎性 要件，另外，與習知方法相比較，所採用之改良方法不須 增加熱預算，亦不須增加製程時間，其間之差異非熟悉此 技藝人士所能輕易思及，其創作性就無庸置疑，如此有助 於半導體廠商提高成品產能及良率，實屬能大幅提高產業 p 競爭力之作。 本案得任熟悉此技藝之人士任施匠思而為諸般修飾， 然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。

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Claims (1)

1. 4324 88 六、申請專利範圍 1.一種用於形成薄膜之反應設備’俾於一晶片上形成一 薄膜，該反應設備係包括： 一内層裝置，内部置有欲於其上形成該薄膜之該晶 片； 一外層裝置，其係套於該内層裝置之外部’與該内層 裝置間具一進氣口與一出氣口，以供一氣體之進出；以及 一進氣官’其奋。卩份置入該進氣口，用於調整一進氣 使其喷向該外層裝置，而避免該進氣直接喷向該内層裝 置，.造成附著於該内層裝置之微粒剝落。

   2 ·如申請專利範圍第1項所述之反應設備，其中該反應 設備係應用於化學氣相沈積法。 3 .如申請專利範圍第2項所述之反應設備，其中該内層 裝置係為一反應室，供製程氣體於其内反應後沈積於該晶 片上’以形成該薄膜。 ^如申明專利範圍第3項所述之反應設備，其中該反應 室主要係以石英所構成。 !供如申請專利範圍第1項所述之反應設備，其"衾反應 s又備係應用於物理氣相沈積法。 工热Hi專利範圍第1項所述之反應設備中該進氣 二J二官士包含開σ向該外層裝置之複數個孔洞，供該 進氣流出，噴向該外層裴置。 :2申請專!1範圍第6項所述之反應設備，其中該孔洞 :: 於省進氣管之一特定區域，該特定區域鄰近該進氣 管之一開口端。

   第15頁 4 3 2488____ _____— 一 六、申請專利範圍~"" 8二^申請專利範圍第7項所述之反應設備，其中該部份 進氣管之其他區域長度係小於7〇公分比例。 9 ·如申請專利範圍第1項所述之反應設備，其中該進氣 管之一端係包含一開口 ，該開口之開口面方向與該進氣管 之方向成一傾斜之角度，而朝向該外層裝置，俾使從S亥開 口流出之該進氣喷向該外層裝置。 1 0 .如申請專利範圍第9項所述之反應設備’其中該部 份進氣管之長度係小於7 〇公分比例。 1 1 .如申請專利範圍第1項所述之反應設備，其t該進 氣管於其開口端包含一彎曲部，俾使該進氣管之開口朝向 該外層裝置。 1 2 ·如申請專利範圍第1項所述之反應設備，其中該進 氣管係連接於一流速控制裝置，以控制該進氣之流速。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之反應設備’其中^ 進氣之流速係介於3〇〇sccm至2000sccm。 1 4 .如申請專利範圍第1項所述之反應設備’其中該反 應設備更包含一加熱裝置，其係用以加熱該反應设備 牌 使該晶片於一特定溫度下形成該薄膜。 > 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之反應設備，其中該 特定溫度係介於40 0 °C至850 °C之間。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之反應設備，其中該 進氣與該内層裝置内之溫差係介於3 0 0 °C至8 5 0 t：之間° 1 7 ·如申請專利範圍第1項所述之反應設備’其中該反 應設備更包括一抽氣裝置，以控制該反應設備内之壓力° 4-3 24 8 8 _ 六、申請專利範圍 ’ 1 8 · —種進氣裝置，其係應用於具一内層裝置與一外層 裝置之一薄膜成長設備，使一進氣進入該薄膜成長設備， 俾於一晶片上形成一薄膜，該晶片係置於該内層裝置内 部，其中，該進氣與該内層裝置内之溫差係介於3 0 0 °C至 -8 5 0 t：之間，該進氣裝置包括： 一進氣管，其係部份置於該外層裝置與該内層裝置之 _ 間，用於調整該進氣使其喷向該外層裝置，而避免該進氣 直接喷向該内層裝置，造成附著於該内層裝置之微粒剝 落；以及 - 一流速控制裝置，其係連接至該進氣管，用以控制該〇 進氣之流速。 1 9 _如申請專利範圍第1 8項所述之進氣裝置，其中該 進氣管於其管壁上包含開口向該外層裝置之複數個孔洞， 供該進氣流出，喷向該外層裝置。 2 0 *如申諳專利範圍第1 9項所述之進氣裝置，其中該 -複數個孔洞為漸傾的孔洞，從進氣管出口由小至大排列。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項所述之進氣裝置，其中該 孔洞係分佈於該進氣管之一特定區域，該特定區域鄰近該 . 進氣管之一開口端。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項所述之進氣裝置，其中該 ： 部份進氣管之其他區域長度係小於7 0公分。 - 2 3 ·如申請專利範圍第1 8項所述之進氣裝置，其中該 進氣管之一端係包含一開口，該開口之開口面方向與該進 氣管之方向成一傾斜之角度，而朝向該外層裝置，俾使從

   第17頁 432488 六、申請專利範圍 該開口流出之該進氣喷向該外層裝置。 2 4 *如申請專利範圍第2 3項所述之進氣裝置，其中該 部份進氣管之長度係小於70公分（内管裝置之2/3 )。 2 5 ·如申請專利範圍第1 8項所述之進氣裝置，其中該 進氣管於其開口端包含一彎曲部，俾使該進氣管之開口朝 向該外層裝置。 2 6 *如申請專利範圍第1 8項所述之進氣裝置，其中該 進氣之流速係介於300sccm至2000sccm。 2 7 · —種用於一反應設備之進氣方法，其中該反應設備 包括一外層裝置與一内層裝置，該内層裝置内部置有欲於 其上形成一薄膜之一晶片，該進氣方法係包括： (a)使一進氣自該外層裝置及該内層裝置間進入，直 接喷向該外層裝置，避免該進氣直接喷向該内層裝置，造 成附著於該内層裝置之微粒剝落；以及 (b )使已接觸該外層裝置之該進氣沿著該外層裝置及 該内層裝置間之一通道進入該内層裝置。 2 8 ·如申請專利範圍第2 7項所述之進氣方法，其中該 進氣方法係應用於一化學氣相沈積法或一物理化學氣相沈 積法。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述之進氣方法，其中該 薄膜係為一氮化矽薄膜。 3 0 如申請專利範圍第2 9項所述之進氣方法，其中該 微粒之成分係為氮矽化合物。 3 1 ·如申請專利範圍第2 8項所述之進氣方法，其中該

   第18頁 432488_ 六、申請專利範圍 ~. 沈積法更包含一步驟（C )加熱該反應設備，使該晶片於一 特定溫度下形成該薄膜。 3 2 *如申請專利範圍第3 1項所述之進氣方法，其中該 特定溫度係介於4 0 0 °C至85 0 °C之間。 - 3 3 _如申請專利範圍第3 2項所述之進氣方法，其中該 進氣與該内層裝置内之溫差係介於3 0 0 °C至8 5 0 °C之間。 u 3 4 如申請專利範圍第3 2項所述之進氣方法，其中該 進氣係為一反應氣體，俾供反應以形成該薄膜。 3 5 如申請專利範圍第2 8項所述之進氣方法，其中該 -進氣方法係應用於一低壓化學氣相沈積法。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項所述之進氣方法，其中該 沈積法更包含一步驟（d)對該反應設備進行抽氣，使該晶 片於一特定壓力下形成該薄膜。 3 7 .如申請專利範圍第3 6項所述之進氣方法，其中該 特定壓力係介於0· 1托耳（torr)至1托耳（torr)之間。 3 8 ·如申請專利範圍第3 5項所述之進氣方法，其中該 進氣係為一沖洗氣體。 3 9 ·如申請專利範圍第3 8項所述之進氣方法，其中該 _ 沖洗氣體係為氮氣，氬氣或其他惰性氣體其中之一。 4 0 ·如申請專利範圍第3 8項所述之進氣方法，其中該 進氣方法更包含一步驟（e )調整該進氣之流速。 、 4 1 ·如申請專利範圍第4 0項所述之進氣方法，其中該 進氣之流速係介於300sccm至2000sccm。 4 2 ·如申請專利範圍第4 1項所述之進氣方法，其中該

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