TW426864B - Dielectric ceramic composition - Google Patents
Dielectric ceramic composition Download PDFInfo
- Publication number
- TW426864B TW426864B TW088112007A TW88112007A TW426864B TW 426864 B TW426864 B TW 426864B TW 088112007 A TW088112007 A TW 088112007A TW 88112007 A TW88112007 A TW 88112007A TW 426864 B TW426864 B TW 426864B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- weight
- ceramic composition
- composition
- dielectric ceramic
- dielectric
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 10
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 21
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 16
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001552 barium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Inorganic materials [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
五、發明說明（1) 發明詳述4: 有關-種介電陶t組合物，尤 一種：微波區中所使用介電用介電共振：二種^ 度補償用介體之高頻用介電陶究組合物β何抖次X一種溫 近年來，隨著高頻裝置（諸如蜂巢式雷 高功能與低價之快速進行’此等高頻裝置二㊁ 共振Is亦必須為小型、高性能與低價者。 之2電 電共振等材料之介電陶瓷組合物，要 二作為此等介 數、南Q值以及靜電電容中溫度依存度低者。♦玆常 電常數高時，該共振之介電損失變小，而當該田靜電電容丨之 溫度依存度低時，可以抑制上述對於周圍溫度改變之特性 波動。-特別是’至於該靜電電容_之溫度依存度，符合E工A 界定之NPO特性為佳。該NPO特性意指以+ 25 t：之靜電電容 為標準時’該靜電電容之溫度改變率特性係於-55 °c至125 t廣泛溫度範圍中之變化停滯於土 0. 3%内。 當該介電陶瓷組合物符合此等特性時，在曰本
Laid-〇pen專利申請案第7- 1 87773號（其係日本之 Laid-〇peri專利公告）_揭示一種使用經取代鋇_1^〇(^賤-鈦—鈣鈦礦之介電陶瓷組合物。此外，亦揭示包含二氧化 矽作為該經取代鋇-neodium-鈦-鈣鈦礦中之添加劑時’該 介電陶瓷組合物可於1 4 0 0 °C或以下進行低溫燒結作用。極 為重要的是，可於低溫下燒結製造介電陶瓷組合物可以使 該介電陶瓷組合物之成本降低。當該燒結溫度尚時’電力 消耗變高，而且需要一個高溫用爐。此外，將介電陶瓷組
五、發明說明（2) t愛^ #蓽入該 高溫爐用之耐火架子、護套等必須可以承 受高溫，如此設備投資變得龐大。 使用一種介電陶瓷組合物作為層壓陶瓷電容器時，習知 若使用平價Ag代替諸如迄今巳作為内部電極之pd、pt、Au 等貴金屬’或是以大量Ag與該貴金屬混合時，可以使成本 降低。Ag之熔點比諸如Pd等責金屬低，因此使用平價Ag作 為内部電極亦需要低溫燒結作用。 本發明目的之一係提出一種介電陶瓷組合物，其具有高 相對介電常數與Q值，符合該NPO標準，而且可以在11〇〇至 1 1 50 °C下進行低溫燒結作用。 本發明介電陶瓷組合物包括一種包含（BaXa Sr Nd Gd) Ti03之陶瓷組合物，於其中添加相當於該組合物重量丨.〇 至5. 0 重量％ iZnSiTi05 及 / 或 1. 〇 至 5. 0 重量％ 2ZnSi2Ti〇7 及 / 或 1. 0 至5. 0 重量％ iCaSiTi〇5。該含（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti〇3之陶瓷組合物包括一種由（sBa〇, tCaO,uSrO, vR，0， wr ) i i 〇3作為主要組份之組合物為佳。此處，R，係稀土金 屬Nd或Gd至少一者，r係瑕疵，而s、t、u、v、w係 s^ + u + v + w = l〇〇莫耳％，s在2〇至25莫耳％範圍内，t係3至6 莫耳％，u係1 . 5至2. 5莫耳％，v係45至47莫耳％，而w係23至 2 5莫耳％。於該主要組份中添加〇 . 5至2 , 〇重量％之s丨％作為 輔助組份。 本發明人已進行研究與實驗以製得—種相對介電常.數為 75或以上，且Q值為2〇〇〇或以上之陶瓷組合物為目標，其 介電常數溫度依存度符合NP〇特性，而且可以1丨〇〇至
第6頁
溫'度下進行低溫燒結作用。結果 ，他們已發現本 發明上述介電陶瓷組合物達成該目標。 下文中’解釋根據本發明製造介電陶瓷組合物之方法。 參考顯示該製造方法所製得介電陶瓷組合物特性與此等介 電陶瓷組合物組成之表格可以更為詳述本發明實例。 本發明較佳實例之一係一種用於單極板型陶瓷電容器之 介電陶瓷組合物。 如下述製造具有（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti032介電陶瓷組合 物。使用BaC03、CaC03、SrC03、Nd203、Gd203、Ti02*Si02 作為原材料，稱重彼以獲得所需组成，使用水作為溶劑以 及以氧化釔安定之氧化锆球濕式混合該混合物3小時，然 ^乾燥之.。於11 3〇。〇煅燒乾燥备—製得之混合粉末材料2小 ~ ’然後使用水作為溶劑以及以氧化釔安定之氧化锫球濕 式粉碎3小時’乾燥製得（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti〇3。 如下述製備CaSiTi05之添加劑。使用Si02、1^02與(：3(：03 作為原材料，稱重彼以獲得所需組成，使用水作為溶劑以 及以氧化釔安定之氧化锆球濕式混合該混合物3小時，然 後乾燥之。於1 〇 5 〇它煆燒乾燥後製得之混合粉末材料2小 時’然後使用水作為溶劑以及以氧化釔安定之氧化錯球濕 式粉碎3小時，乾燥製得一種caS iTi 〇5添加劑。使用ZnO、 S 1 〇2與T i 02作為原材料，以上述相同方式製得一種 $ i T i 〇5 或 z n S i 2 T i 〇7 添加劑。 將如此製得之ZnSiTiO，及/或ZnSi2Ti07及/或CaSiTi05添 添加於含（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti〇3之上述陶瓷組合物
—- 用水作為;容劑以Α以氧化㈣定之氣化錯球進行 Λ，、式混合20小時9於該製得之混合粉末中添加有機# M & η進行粒化作用。使用該製得之製備粉末，m;; 杈I機中以1 6. 5 mmF之3噸/平方厘米表面壓力之下對厚戶 ^.7毫米組成之圓盤形樣本進行單軸壓模’，缺又 後於空氣中以11 〇 〇至1丨5 0 »C燒結2小時。 … 至於此等製得經燒結體之單極板型電 動電橋型測量裝置則百萬赫則Vrms/ 15 ’使用一個自 介電常數（εΓ)與(5值。另外，該靜電電容牛下測1其相對 (ppm/。。係以25〇C之靜電電容為標準：：度依存度 °C之靜電電容溫度依存度求得。表丨顯示嗲於-55至=25 性，即，於含（Ba ca Sr Nd _.1〇3之陶 加ZnS广〇5 及/ =nSl2Ti〇7 及/ 或CaSiTi〇 J製-經’
燒結體單極板型電容器。 刀Η丨瑕仔之A
第8頁 發4 ' 五
*m钭緵ss画李
6. * m •«c 3C ci J； Ui r«J * Z μ Km h〇 Κ» NJ IW u# Lm ro W IW W hJ Ui f«J ro hj IW NJ |vj 1 KaO 含之陶瓷組合物仲(.办闷训1,〇3(莫耳％), \λ Vi Kj% Ln (_n ^1 Vi LTi <s/l "Jl | t.aO r-j NJ ΚΙ ro to KJ fsJ FsJ Nl KJ ro FU [SK) l_hl W W <_a Vj W Ui U Km z c Ο Ο Ο 〇 o 〇 〇 〇 〇 〇 o 〇 〇 o 〇 a uT s Ο 8 8 s 8 g g s g g s s σ 8 r? £. •U 么 U· •U £>. u x> 丨S丨。2 I * Ο Ο ο o i=· o O b o b g o b o o o rJS 〇 to b o Vs N δ P 添加劑(重量％) ο ο ο ο ο 3 O y~- o b *-1 b ，-n 〇 hj c b o C/l o p 〇 o P o | -ο ο <-Λ b SJ Ο 〇 o Lrt o o 〇 o o b o b o o o b o b o o b Q n Ϊλ H δ 1 l50°C,21ir ll50pCJh「 1 H5〇pC,2hr 1 U5(TC,2li「 | i]00°C,2hr | 1 lOO^C^lir | ΐ ΙΚ)0οί；,21ΐΓ l_0C\2hr 1 l00°C,2hr 1 !00°C,2hr _ U0(TCt2h「 丨]l00oC，2!ir j | 1l00°c,2]ir l]00nC,21ir ' 燒結溫度 燒結Bf間 77.2 1 87.5 1 85.6 ,8a.8 | 72.5 ! 67.8 75.3 -j -j u, 1 68J I 75.2 1___ U2 (i5S η 電特性 '1200 1 2000 1 3300 | Ci7W) | 1__™ J 1_i.™ J 1__^ j 1 29()0 1 1 4000 I 1 590 J 1 1K00 1 I 2500 | 3300 5000 j LtJ s Ο -j 1 KJ Μ SJ cc L· K. ύ〇 lij 1 KJ •b § •O 5： •U S' o ppnV°C ml lllilll 五、發明說明（6) --- 4¾¾½+係添加劑為znSiTi〇5之實例，而且除了添加之 重量不同之外’該含（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti03之陶瓷組合物 具有相同組成。在ZnSiTi〇5添加劑在丨.〇至5. 〇重量％範圍 内之實例中’以11 GO °C之燒結溫度燒結2小時已然充足， 因此可以獲得相對介電常數為75或以上、Q值為200 0或以 上，而且靜電電容之溫度改變率為3〇 ppm/艺或以下之特 性。樣本1係ZnS 1T 1 〇5添加劑為〇 . 5重量％之實例。此實例 中，該靜電電容之溫度依存度提高，Q值明顯降低，而且 相對介電常數低，因此對於電特性產生不良影響。樣本5 係ZnSiTiO5添加劑為7. 0重量％之實例。此實例中，靜電電 容之溫度依存度亦提高，相對介電常數與Q值降低，因此 對於電特牲產生不良影響。因此一j可以暸解ZnS丨τ丨&添加 劑在1_ 0至5· 〇重量％範圍内為佳。 曰樣本6至1 〇係ZnS 1 T i Ο?添加劑實例’而且除了添加之重 f不同之外，該含（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti03之陶瓷組合物具 有相同組成。在ZnSiTi〇7添加劑在丨.〇至5. 〇重量％範圍内 之實例中’以1 1 〇 〇 t之燒結溫度燒結2小時已然充足，因 此可以獲得相對介電常數為75或以上、q值為2〇㈣或以 上’而且靜電電容之溫度改變率為3〇 ppm/t或以下之特 性。樣本6係ZnSiTiO?添加劑為〇· 5重量％之實例。此實例 中，=靜電電容之溫度依存度提高，Q值明顯降低，而且 相對介電常數低，因此對於電特性產生不良影響。樣本j 〇 ，ZnSi Τι Ο?添加劑為7. 〇重量％之實例。此實例中，靜電電 谷之溫度依存度亦提高，相對介電常數與Q值降低，因此
第10頁 五 對於電特性產生不良影響。因此，可以暸解ZnSiTi〇7添加 劑在1. 0至5. 0重量％範圍内為佳。 1 樣本11至1 5係添加劑為C a S i T i 〇5之實例，而且除了添加 之重量不同之外，該含（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti〇3之陶瓷組合 物具有相同組成。在〇3311^〇5添加劑在i.o至5.0重量涔範 圍内之實例中’以1 1 0 0 C之燒結溫度燒結2小時已然充 足’因此可以獲得相對介電常數為75或以上、q值為2〇〇〇 或以上’而且靜電電容之溫度改變率為3〇 ppm/°c或以下 之特性。樣本1 1係CaS i T i 〇5添加劑為〇. 5重量％之實例、此 實例中，Q值明顯降低，而且相對介電常數低，因此對於 電特性產生不良影響。樣本1 5係C a S i T i 05添加劑為7. 〇重 量％之實例。此實例中’靜電電K溫度依存度亦提高， 相對介電常數與Q值降低，因此對於電特性產生不良影 響。因此，可以暸解ZnSiTi〇5添加劑在ι_〇至5 〇重量％範 圍内為佳。 本發明其他較佳實例係作為層壓陶瓷電容器之介電陶曼 組合物。 以上述相同方式’製得包含ZnSiT i〇5及/或21^丨2丁丨〇7及/ 或CaSiTi05添加劑之一與（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti03之陶竞組 合物。於含（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti〇3之陶瓷組合物中添加 ZnSiTiO〗及/或ZnSigTiOj及/或CaSiTiOg添加劑之一，並使 用水作為溶劑以及經氧化纪安定之氧化錯球進行濕式混合 作用2 0小時。於該製得之混合粉末中添加一種有機材料黏 合劑，並對該混合物進行濕式混合作用製備一種陶究泥
--- 轴。以刮刀法對該陶瓷泥鈾 米之長方形未淬火板t :欠進二板模製：製得厚度為21微 之導電性糊聚印刷;該未、淬欠火：二種包括Pd與…昆合物 。層壓數個上述形成内部電極之未淬火陶瓷&，如 =該導電糊聚層H交替製得—種層壓材料。上述層壓 碑於Π 00至1150 °c之空氣中燒結2小時。燒結之後 銀糊漿塗覆於該陶瓷燒結體兩侧表面，並於75〇1之办裔 中烘烤，形成與該内部電極電連接之外部電極。 1 如此製得之陶瓷電容器外部尺寸係：寬3. 2毫米長 毫米，厚度0. 5毫米。此外，置於上述内部電極間之個|6 介電陶瓷層厚度係1 0微米，該有效介電陶瓷層總數為5 W 在Π 0 G至1 1 5 (TC燒結溫度下燒結！小時製得之介電陶' 。 J式*食月* 合物特性已充足’而且其介電常數為75或以上，Q值為” 200 0或以上，靜電電容之溫度改變率為3〇 ppm/ t β μ
Claims (1)
- 六41. 一種含（Ba Ca Sr Nd Gd)Ti 03陶瓷組成之介電陶瓷組 合物，於其中添加相當於該組合物重量1.0至5.0重量％之 21^1丁105及/或1.0至5.0重量％之2113121^07及/或1.0至5.0 重量％ 2CaSiTi05。 2. —種電容器，其具有根據申請專利範圍第1項之介電 陶竟組合物。第13頁
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10162919A JPH11340075A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW426864B true TW426864B (en) | 2001-03-21 |
Family
ID=15763734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW088112007A TW426864B (en) | 1998-05-27 | 1999-07-15 | Dielectric ceramic composition |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6174831B1 (zh) |
| EP (1) | EP0960868B1 (zh) |
| JP (1) | JPH11340075A (zh) |
| DE (1) | DE69901323T2 (zh) |
| TW (1) | TW426864B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60126242T2 (de) * | 2000-08-08 | 2007-08-30 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Dielektrische zusammensetzung, herstellungsverfahren von einem keramikbauteil, und elektronisches bauteil |
| TW569254B (en) * | 2001-11-14 | 2004-01-01 | Taiyo Yuden Kk | Ceramic capacitor and its manufacturing method |
| WO2005124791A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Dielectric ceramic composition, substrate made from the same and method of manufacturing the substrate |
| JP2011246284A (ja) * | 2008-08-21 | 2011-12-08 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| CN102531579B (zh) * | 2011-11-10 | 2014-07-23 | 厦门万明电子有限公司 | 陶瓷介质材料及其制备方法和陶瓷电容器及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW321776B (zh) * | 1995-07-21 | 1997-12-01 | Tdk Electronics Co Ltd | |
| DE19630883A1 (de) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Philips Patentverwaltung | Bauteil mit einem Kondensator |
| TW327690B (en) * | 1996-12-06 | 1998-03-01 | Philips Eloctronics N V | Multi-layer capacitor |
| SG65086A1 (en) * | 1997-07-23 | 1999-05-25 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP10162919A patent/JPH11340075A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-05-25 US US09/318,325 patent/US6174831B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-26 DE DE69901323T patent/DE69901323T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-26 EP EP99201664A patent/EP0960868B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-15 TW TW088112007A patent/TW426864B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0960868B1 (en) | 2002-04-24 |
| EP0960868A1 (en) | 1999-12-01 |
| DE69901323D1 (de) | 2002-05-29 |
| DE69901323T2 (de) | 2002-12-05 |
| US6174831B1 (en) | 2001-01-16 |
| JPH11340075A (ja) | 1999-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5664228B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| Syamaprasad et al. | Dielectric properties of the Ba1− xSrxTiO3 system | |
| KR920003027B1 (ko) | 반도전성 세라믹 조성물 | |
| KR101432442B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 | |
| KR101767672B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 | |
| JP2010215427A (ja) | チタン酸バリウム系誘電体原料粉末、その製造方法、セラミックグリーンシートの製造方法、および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| KR940001654B1 (ko) | 반도전성 세라믹 조성물 | |
| JPH0518201B2 (zh) | ||
| TW426864B (en) | Dielectric ceramic composition | |
| Halder et al. | Effect of sintering atmosphere on the dielectric properties of barium titanate based capacitors | |
| JPH0552604B2 (zh) | ||
| JPH0552602B2 (zh) | ||
| JPS6043651B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JP2002037663A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2023069307A (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JPH0521266A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器物質の製造方法 | |
| JP2022111644A (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JPH10259055A (ja) | 誘電体磁器組成物と磁器コンデンサ | |
| JP5614503B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JPS6230482B2 (zh) | ||
| JPS584448B2 (ja) | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサ素体の製造方法 | |
| JPH0468258B2 (zh) | ||
| JP2000313660A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2000095563A (ja) | 誘電体磁器組成物とセラミック電子部品 | |
| JPH0636968A (ja) | 半導体磁器組成物の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |