JP2011246284A - 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 19
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 carbonate compound Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- H—ELECTRICITY
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
【課題】500以上の誘電率εを得ながら、120kV/mm以上の絶縁破壊電圧を保証することができる、中高圧用途の積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体セラミック層3を構成する誘電体セラミックとして、(BaxSryCaz)TiO3(x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である)を主成分とし、前記(x,y,z)が、点A(0.70,0.00,0.30)、点B(0.69,0.02,0.29)、点C(0.55,0.10,0.35)、点D(0.35,0.15,0.50)、点E(0.50,0.00,0.50)で構成される五角形ABCDEに囲まれる領域内にある(点B、点C、点D、および線分AE以外の線分を含む)。
【選択図】図2
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体セラミック層3を構成する誘電体セラミックとして、(BaxSryCaz)TiO3(x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である)を主成分とし、前記(x,y,z)が、点A(0.70,0.00,0.30)、点B(0.69,0.02,0.29)、点C(0.55,0.10,0.35)、点D(0.35,0.15,0.50)、点E(0.50,0.00,0.50)で構成される五角形ABCDEに囲まれる領域内にある(点B、点C、点D、および線分AE以外の線分を含む)。
【選択図】図2
Description
この発明は、誘電体セラミックおよびそれを用いて構成される積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、高い電界下で用いるのに適した誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサに関するものである。
積層セラミックコンデンサにおいては、たとえば250〜1000Vという高い電圧下において使用されるものがある。この場合、誘電体セラミック層の1層当たり、その厚みによっては、電界にして、25〜100kV/mmという高い電圧がかかる。そのため、このような中高圧用途の積層セラミックコンデンサでは、誘電体セラミック層が絶縁破壊する懸念がある。
上述した背景からわかるように、中高圧用途に向けられる積層セラミックコンデンサにおいては、絶縁破壊電圧(BDV:単位はkV/mm)が重要な指標となる。BDVは、電界を上昇させていった際に絶縁破壊が生じる電界の値を言い、負荷試験における寿命とは全く異なる現象によるものである。
誘電体セラミックとして、たとえば特許第3323801号公報(特許文献1)に記載されたものがある。特許文献1には、(Ca,Sr,Ba)(Zr,Ti)O3系の誘電体セラミックが開示されている。この誘電体セラミックは、耐還元性を有し、容量温度特性の直線性と品質係数Qの向上を図りながら、BDVの向上を達成している。
一般に、BDVの高い材料は、誘電率εが低い。上記特許文献1に記載された誘電体セラミックにあっても例外ではなく、120kV/mm以上のBDVを達成している一方、誘電率εが100前後と低い。このため、積層セラミックコンデンサの小型化にとって不利である。
したがって、BDVおよび誘電率εの双方について高い値を与えることができる誘電体セラミックの開発が望まれる。
特許第3323801号公報
そこで、この発明の目的は、高い絶縁破壊電圧ばかりでなく、高い誘電率εを有する、誘電体セラミックを提供しようとすることである。
この発明の他の目的は、上述の誘電体セラミックを用いて構成される、中高圧用途に適した積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
すなわち、本発明の誘電体セラミックは、(BaxSryCaz)TiO3(x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である)を主成分とし、前記(x,y,z)が、点A(0.70,0.00,0.30)、点B(0.69,0.02,0.29)、点C(0.55,0.10,0.35)、点D(0.35,0.15,0.50)、点E(0.50,0.00,0.50)で構成される五角形ABCDEに囲まれる領域内および線上にある(ただし、点A、点E、および線分AEは含まない)ことを特徴としている。
本誘電体セラミックにおいて、さらに、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれる少なくとも1種の希土類元素が、上記主成分100モル部に対して、1〜14モル部含まれていることが好ましい。
また、この発明に係る誘電体セラミックは、さらに、Mg、MnおよびSiを、それぞれ、上記主成分100モル部に対して、0.1〜3.0モル部、0.5〜5.0モル部および1.0〜5.0モル部含むことが好ましい。
本発明は、また、積層された複数の誘電体セラミック層および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部電極を含む積層体と、内部電極の特定のものに電気的に接続されるように積層体の外表面上に形成された外部電極とを備える、積層セラミックコンデンサにも向けられる。この発明に係る積層セラミックコンデンサは、上記誘電体セラミック層が前述したような本発明に係る誘電体セラミックからなることを特徴としている。
本発明は、特に、使用電界が25〜100kV/mmであり、保証絶縁破壊電圧が120kV/mm以上である、積層セラミックコンデンサに対して有利に適用される。
この発明に係る誘電体セラミックにおいて、BaTiO3とSrTiO3とCaTiO3とは、全率固溶せず、3相に分離することがある。ここで、BaTiO3は、単独ではその絶縁破壊電圧が低いが、誘電率εについては高い。他方CaTiO3は、単独では、その絶縁破壊電圧が高いが、誘電率εについては低い。よって、BaTiO3とCaTiO3とが共存するような領域に組成設計することにより、両者の長所を併せ持つ特性を引き出すことができる。これに対し、さらに適量のSrTiO3が共存させることにより、誘電率εと絶縁破壊電圧とをさらに向上させることができる。
その結果、本発明に係る誘電体セラミックによれば、たとえば、誘電率εについては500以上の値を得ながら、120kV/mm以上の絶縁破壊電圧を保証することができる。
また、本発明に係る誘電体セラミックが、前述したように、さらに、希土類元素を含む場合には、前述の誘電率εと絶縁破壊電圧とをさらに向上させることができる。
さらに、本発明に係る誘電体セラミックによれば、Mg、MnおよびSiを所定量含む場合には、還元性雰囲気での焼成によっても、上述したような誘電率εおよび絶縁破壊電圧を得ることができる。したがって、Niを主成分とする内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおいても、良好な特性を確保することができる。
図1は、この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ1を示す断面図である。
積層セラミックコンデンサ1は、積層体2を備えている。積層体2は、積層された複数の誘電体セラミック層3と、複数の誘電体セラミック層3間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成された複数の内部電極4および5とをもって構成されている。
内部電極4および5は、好ましくは、Niを主成分としている。内部電極4および5は、積層体2の外表面にまで到達するように形成されるが、積層体2の一方の端面6にまで引き出される内部電極4と他方の端面7にまで引き出される内部電極5とが、積層体2の内部において交互に配置されている。
積層体2の外表面であって、端面6および7上には、それぞれ、外部電極8および9が形成されている。外部電極8および9は、たとえば、Cuを主成分とする導電性ペーストを塗布し、焼付けることによって形成される。一方の外部電極8は、端面6上において、内部電極4と電気的に接続され、他方の外部電極9は、端面7上において、内部電極5と電気的に接続される。
外部電極8および9上には、はんだ付け性を良好にするため、必要に応じて、Niなどからなる第1のめっき膜10および11、さらにその上に、Snなどからなる第2のめっき膜12および13がそれぞれ形成される。
このような積層セラミックコンデンサ1において、誘電体セラミック層3は、本発明に係る誘電体セラミック、すなわち、(BaxSryCaz)TiO3(x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である)を主成分とし、前記(x,y,z)が、点A(0.70,0.00,0.30)、点B(0.69,0.02,0.29)、点C(0.55,0.10,0.35)、点D(0.35,0.15,0.50)、点E(0.50,0.00,0.50)で構成される五角形ABCDEに囲まれる領域内および線上にある(ただし、点A、点E、および線分AEは含まない)誘電体セラミックから構成される。この(BaxSryCaz)TiO3の(x,y,z)の座標と五角形ABCDEを説明する三元系組成図を図2に示す。
この誘電体セラミックの主成分において、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3は、互いに全率固溶せず、3相に分離することがある。そして、BaTiO3については、単独では、絶縁破壊電圧(BDV)が低いが、誘電率εが高い。他方、CaTiO3については、単独では、BDVが高いが、εが低い。これら両者を共存させると、両者の平均ではなく、両者の相乗効果により、両者の長所を併せ持った特性が得られることがわかった。これに対し、さらに適量のSrTiO3が共存させることにより、誘電率εと絶縁破壊電圧とをさらに向上することがわかった。εについては500以上の値を得ながら、140kV/mmのBDVを得ることができ、最低でも、120kV/mm以上のBDVを保証することができる。
誘電体セラミック層3を構成する誘電体セラミックは、さらに、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれる少なくとも1種の希土類元素を、上述の主成分100モル部に対して、1〜14モル部含むことが好ましい。このような希土類元素は、前記主成分の効果を高める作用を有していて、希土類元素を所定量加えることにより、BDVおよびεの両立レベルを向上させることができる。
誘電体セラミック層3を構成する誘電体セラミックは、さらに、Mg、MnおよびSiを、それぞれ、前述の主成分100モル部に対して、0.1〜3.0モル部、0.5〜5.0モル部および1.0〜5.0モル部含むことが好ましい。このように、Mn、MgおよびSiを所定量含むと、還元性雰囲気での焼成が要求される、Niを内部電極4および5の主成分とする積層セラミックコンデンサ1においても、高いBDVおよび高いεを得ることができ、良好な信頼性を確保することができる。
上述したように、誘電体セラミック層3を構成する誘電体セラミックに、主成分の他に、希土類元素、ならびに/またはMn、MgおよびSiを含有させる場合、誘電体セラミック層3となるべきセラミックグリーンシートを成形するために用意されるスラリーにおいて、BaTiO3粉末、SrTiO3粉末およびCaTiO3粉末に加えて、希土類元素の酸化物または炭酸化合物等の粉末ならびに/またはMn、MgおよびSiの酸化物または炭酸化合物等の粉末が添加される。
この発明に係る誘電体セラミックは、Tiが、5モル%以下であれば、Zrおよび/またはHfで置換されてもよい。また、(BaxSryCaz)/Tiモル比は1前後であるが、安定した特性を得るためには、0.950〜1.025程度が好ましい。
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
まず、主成分の出発原料として、固相法によって合成したBaTiO3粉末、SrTiO3粉末およびCaTiO3粉末を用意した。また、副成分の出発原料として、Y2O3、La2O3、CeO2、Pr6O11,Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3およびLu2O3といった希土類元素の酸化物粉末を用意するとともに、MgO、MnO、SiO2、ならびに、(BaxSryCaz)/Tiモル比mの調整用のBaCO3粉末およびTiO2粉末を用意した。
次に、上記のように用意されたBaTiO3粉末、SrTiO3粉末およびCaTiO3粉末を、表1に示した組成となるように秤量し、これら粉末を混合するとともに、さらに、表1の組成となるように、副成分の出発原料粉末を添加した。表1において、希土類元素、Mg、MnおよびSiの各酸化物粉末の添加量は、主成分100モル部に対するモル部で示している。次いで、上述した混合粉末を、直径2mmのPSZ製メディアを用いて、ボールミルにより水中で16時間混合し、十分に分散させたスラリーを得た。このスラリーを乾燥し、誘電体セラミックの原料粉末を得た。
次に、上記原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノールを加えて、ボールミルにより混合し、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリーをドクターブレード法によってシート成形し、セラミックグリーンシートを得た。
次に、上記セラミックグリーンシート上に、Niを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。そして、この導電性ペースト膜が形成された11枚のセラミックグリーンシートを、導電性ペースト膜が引き出される側が互い違いになるように積層し、生の積層体を得た。
次に、生の積層体を、窒素雰囲気中において300℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、H2−N2−H2Oガスからなる還元性雰囲気中において、1150℃の温度で2時間焼成し、焼結した積層体を得た。この積層体は、セラミックグリーンシートが焼結して得られた誘電体層および導電性ペースト膜が焼結して得られた内部電極を備えているものである。
次いで、積層体の両端面上に、ガラスフリットを含有するとともにCuを主成分とする導電性ペーストを塗布し、窒素雰囲気中において800℃の温度で焼付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し、さらに、外部電極の上に、Niめっき膜およびSnめっき膜を形成し、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、長さ2.0mm、幅1.2mmおよび厚さ0.5mmであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは10μmであった。また、静電容量形成に有効な誘電体セラミック層の数は10であり、誘電体セラミック層1層当たりの対向電極面積は1.3mm2であった。
上記の各試料に係る積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックの誘電率εを、25℃、1kHz、1Vrmsの条件下で測定した積層セラミックコンデンサの静電容量から求めた。また、誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックの抵抗率ρを、25℃の温度にて300Vの電圧を60秒間チャージして測定した絶縁抵抗から求めた。また、積層セラミックコンデンサに、直流電圧を50V/秒の速さで昇圧しながら印加し、BDV(平均値)を求めた。
以上のようにして求められた誘電率ε、logρおよびBDVが表2に示されている。なお、表2には、誘電率εとBDVの両立を定量的に判断可能にするための指標としてのε×(BDV)2も示されている。
試料1〜11は、表1に示すように、希土類元素を含まない組成において、(x,y,z)を変化させたものである。これら試料1〜11のうち、(x,y,z)が本発明の範囲にある試料4〜8によれば、500以上のεおよび140kV/mm以上のBDVであって、中高圧対応の目安である120kV/mmのBDVが保証される。ε×(BDV)2としては、1×107kV2/mm2以上の値が得られる。これに対し、(x,y,z)が本発明の範囲外である試料1〜3、9〜11では、BDVとεとが両立できておらず、ε×(BDV)2として、1×107kV2/mm2に満たない値となっている。
試料12〜21は、上述した試料4〜8と比較しながら、希土類元素としてのDyの添加の効果を評価したものである。試料12〜21によれば、試料4〜8と比較して、εおよびBDVがともに向上しており、このことは、ε×(BDV)2において顕著に現れている。
試料24〜28は、希土類元素Dyの添加量を変化させて、添加量による影響を評価するためのものである。希土類元素の添加量が1〜14モル部の範囲内において、希土類元素を含まない試料2〜5と同等またはそれ以上のεおよびBDVが得られている。
試料22〜23は、mを変化させたものであり、試料29〜34は、Mg、MnまたはSiの添加量を変化させたものである。mについては0.95〜1.025、Mgについて0.5〜5.0モル部、Mnについて0.1〜3.0モル部、Siについて1.0〜5.0モル部の範囲において、還元雰囲気中で焼成された積層セラミックコンデンサにおいても、十分に絶縁性を備え、十分なεとBDVを得ている。
試料35〜48は、希土類元素として、Dy以外のものでも適用可能であることを確認
したものである。
したものである。
1 積層セラミックコンデンサ
2 積層体
3 誘電体セラミック層
4,5 内部電極
8,9 外部電極
2 積層体
3 誘電体セラミック層
4,5 内部電極
8,9 外部電極
Claims (5)
- (BaxSryCaz)TiO3(x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である)を主成分とし、前記(x,y,z)が、点A(0.70,0.00,0.30)、点B(0.69,0.02,0.29)、点C(0.55,0.10,0.35)、点D(0.35,0.15,0.50)、点E(0.50,0.00,0.50)で構成される五角形ABCDEに囲まれる領域内および線上にある(ただし、点A、点E、および線分AEは含まない)、誘電体セラミック。
- さらに、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれる少なくとも1種の希土類元素を、前記主成分100モル部に対して、1〜14モル部含むことを特徴とする、請求項1に記載の誘電体セラミック。
- さらに、Mg、MnおよびSiを、それぞれ、前記主成分100モル部に対して、0.1〜3.0モル部、0.5〜5.0モル部および1.0〜5.0モル部含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の誘電体セラミック。
- 積層された複数の誘電体セラミック層および前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部電極を含む積層体と、
前記内部電極の特定のものに電気的に接続されるように前記積層体の外表面上に形成された外部電極と
を備え、
前記誘電体セラミック層は請求項1ないし3のいずれかに記載の誘電体セラミックからなる積層セラミックコンデンサ。 - 使用電界が25〜100kV/mmであり、保証絶縁破壊電圧が120kV/mm以上で
ある、請求項4に記載の積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008213379A JP2011246284A (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
PCT/JP2009/003458 WO2010021087A1 (ja) | 2008-08-21 | 2009-07-23 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008213379A JP2011246284A (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011246284A true JP2011246284A (ja) | 2011-12-08 |
Family
ID=41706980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008213379A Pending JP2011246284A (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011246284A (ja) |
WO (1) | WO2010021087A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021150300A (ja) * | 2020-03-16 | 2021-09-27 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3134024B2 (ja) * | 1993-03-22 | 2001-02-13 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型セラミックチップコンデンサ |
JP3245984B2 (ja) * | 1992-07-24 | 2002-01-15 | 株式会社村田製作所 | 負の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法 |
JPH06199570A (ja) * | 1992-12-29 | 1994-07-19 | Tdk Corp | 複合ペロブスカイト型セラミック体 |
JPH11340075A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Philips Japan Ltd | 誘電体磁器組成物 |
JP2006237273A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Kyocera Corp | 電子部品およびその製造方法並びにこれを用いた携帯電話、デジタルチューナ |
-
2008
- 2008-08-21 JP JP2008213379A patent/JP2011246284A/ja active Pending
-
2009
- 2009-07-23 WO PCT/JP2009/003458 patent/WO2010021087A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010021087A1 (ja) | 2010-02-25 |
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