TW425332B - Reverse linear polisher with loadable housing - Google Patents

Description

4 2 5 3 3 2 a7 _B7五、發明説明（1 ) 經濟郜智慧財產馬員X消費合作社印製 發明領域 本發明關於化學機械拋光領域。更特別是，本發明 關於一種用來拋光半導艘晶圆到高度平面性和均勻性的方 法與裝置。當半導體晶圓在雙向線性速度或往復速度下以 墊拋光時，此目的可達成· 發明背景 用於VLSI和ULSI應用中的半導鐶晶圓化學機械拋光 (CMP)在半導體工業中有重要且廣泛的應用。CMP是一種 半導醴晶圓整平和拋光程序，其使半導艎層的化學移除（諸 如絕緣物'金屬和光阻）舆晶圓表面的機械式緩衝相結合。 CMP大致被用來在晶豳製造期間在晶粒成長之後整平/拋 光晶圓，CMP是一個提供晶圚表面全域平面化的程序。 例如*在晶圓製造處理期間，CMP常被用來整平/拋光堆 積在多層級金屬互速線路設計中的外形β達到晶圓表面所 需的平整度必須在不污染所欲表面的情況下進行β而且， CMP處理必須避免將功能電路零件部份磨掉。 現將說明用於半導饉晶圓的化學機械拋光的傳統系 统。一種傳統的CMP處理需要使一晶圊定位於一繞著第 一軸旋轉的固持架，該固持架被下降到一繞著第二轴在反 向旋轉的拋光墊*在平面化處理期間，晶圓固持架將晶® 推壓於拋光墊。一拋光介質或懸浮液一般被施加到該拋光 墊以拋光晶圓•在另一種傳统的CMP處理中，一晶圓固 持架將一晶圊定位並推麈到一帶形拋光墊，而拋光墊係可 在相同的線性方向上相對於晶圓連續地移動*在拋光處理 (請先W讀背面之注再填寫本頁> -訂 ή- _ 1 S'· I ---Γ · 各紙張尺度適用中國國家揉準（{：>«).八4規格（2丨0父297公釐} -4 A A 7 __—__B7 五、發明説明（2 ) 期間，所謂的帶形拋光墊可在一連續的路徑中移動β這些 傳統的拋光處理更可包括一定置於拋光墊之路徑中的調質 站’俾於拋光期間調質該拋光墊。需要被控制以達成所需 的平整度和平面度的因素包括拋光時間、晶圓和拋光墊之 間的壓力、轉速、懸浮液顆粒大小、懸浮液喂入速度、懸 浮液的化學性質、及拋光墊材料。 雖然上述之CMP程序在半導體工業中被廣為使用且 ^ 接受，但仍有問題存在。舉例來說，仍有預估和控制速率 和均勻度（在該速率和均句度下該處理將可從基底移除材 料）的問題。因此，CMP是勞力密集和昂貴的程序，因為 基底表面上的層厚度和層均勻度必須被持績地監視，以防 止晶圓表面過度拋光或不均勻拋光。 因此’一個用來拋光一半導髏晶圊的不昂贵和更均 勻的方法和裝置是需要的。 本發明之概要說明 0 本發明之一目的在於提供一種以均勾平面度來拋光 半導饉晶圓的方法舆裝置。 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 本發明之另一目的在於提供一種以具有高雙向線性 或往復速度的墊來拋光半導體晶圓的方法與裝置。 • 本發明之另一目的在於提供一種減小拋光站之尺寸 的方法與裝置，藉以減小種拋光站的空間和成本β 本發明之另一目的在於提供一種免除或減少調理抛 光墊之需要的方法與裝置。 本發明的這些和其他目的將藉由提供一方法舆裝置而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 5 42533 2 A7 _________B7_ 五、發明説明（3 ) 得到，其以具有高雙向線性速度之拋光墊來拋光晶ffl ·蟪 而言之，本發明包括有一固定在定時皮齊機構之拋光墊， 該定時皮帶允許拋光墊在高速下以往復的方式移動，亦即 在往前和反向方向兩者》當拋光墊拋光晶圓時，拋光墊的 固定往前和反向移動提供了整個晶圆表面的優良平面度和 均勻度。當晶圆被拋光時，本發明的晶圓殼革亦可被用來 牢牢地固持住晶圓。 圖式簡要說明 本發明這些和其他目的和優點將由下述相關於附圈之 本發明目前較佳例示性實施例的詳鉍說明而變得更清楚與 容易瞭解，其中： 第1囷描繪根據本發明之較佳實施例的方法與裝置的 外觀圖； 第2圖描繪根據本發明之較佳實施例的方法與裝置的 側視圊； 第3圖描繪根據本發明之較佳實施例，將一拋光墊連 结到定時皮帶之方法舆裝置的前視圖； 第4圖描繪根據該較佳實施例，燒著定時皮帶滾子移 動的拋光墊的側視圖； 第5圖描繪根據該較佳實施例，適於在一晶圓般革上 裝載及卸載晶圓之晶圓殼罩的側視圈； 第6圖描繪根據該較隹實施例’具有突出铕適於在晶 圓殼罩上裝載/卸載晶圓的晶圓殼罩的锢視圈； 第7圈描燴根據該較佳實施例，一個被裝載於晶圓殼 本^張尺度逋用中國國家橾準（€阳）八4规格（210乂297公釐} --- <請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) -訂 ή 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（4 ) 革上之晶圓的側視a;及 第8圖描繪根據本發明之較佳實施例，被三個銷在晶 圓般革上裝載和卸載之晶圓的底視圖。 較佳實施例之詳細說明 現將參考第1至8圖說明本發明之較佳實施例，在全部 的圊式中相同的元件被指定以相同的參考標號》本發明針 對於一種CMP方法和裝置，其可在高雙向線性墊速度或 I， 往復速度和一減少的軌跡印下操作。高雙向線性墊速度使 平面化效率最佳化，而減少的軌跡.印降低拋光站的成本β 而且，由於拋光墊適於在雙向線性方向上行進，所以如此 減少整的磨光效果（glazing effect)，此磨光效果在傳統的 CMP拋光機中是普遍的問題。因為拋光墊在雙向線性方 向上行進，所以拋光墊實質上是自行調質的· 第1圖顯示本發明一較佳實施例之裝置的外觀圖，第2 圖顯示其侧視圖β晶圓拋光站2包括一雙向線性或反向拋 0 光機3和一晶圓殼罩4。晶圓般罩4(其已知可繞其中心轴轉 動而且並排地移動）牢牢地定位一晶圚18,使得一表面17 可被拋光。根據本發明，一種在晶圊殼軍4上裝載和卸載 晶圓18的新穎方法及裝置於本文中稍後被說明。 反向線性拋光機3包括一用來拋光晶圓表面17的拋光 墊6、一用來驅動該拋光墊6於雙向線性運動或往復運動（往 前和反向）的機構8、以及當拋光墊拋光晶圓表面17時用來 支撐拋光墊6的一支撐板10。含有化學物的拋光媒介物或 懸浮液（氡化並機械性移除一晶圓層）在晶圓18和拋光墊6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4視格（210 X 297公釐） 1 — ！！· · I I ! I 訂 I ! - <請先閱讀背面之注#事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作杜印製 4 2 5 3 3 2 A7 B7 五、發明說明（5 ) 之間流動* 一般使用諸如膠態石英或發煙石英的拋光媒介 物或懸浮液。拋光媒介物或懸浮液一般在晶圓表面17上長 成一薄層的二氧化矽或氧化矽，拋光墊6的緩衝動作機械 性移除該氧化物。因此，在晶面表面17上高起的輪廓被移 除直到達到極度平整的表面為止《應該注意的是，來自用 於拋卑晶圓表面17之拋光媒介物或懸浮液的顆粒尺寸較佳 地至少為晶圓表面17的特徵尺寸的二或三倍大。例如，若 晶圓表面17的特徵尺寸為1微米，則顆粒的尺寸應該至少 為2或3微米》 拋光墊6的下側被連結到一彈性但結實且平的材料（未 顯示），俾支撐該拋光墊6。拋光墊6—般為剛性的聚氨基 甲酸乙酯材料，雖然可使用其他能夠拋光晶圈表面17的適 當材料。 根據較佳實施例*現將說明用來軀動拋光整於雙向線 性運動的傳動或驅動機構8。雖然第1至2圖僅繪示出一個 從反向線性拋光機3之前側的軀動機構8，但可瞭解的是在 反向線性拋光機3的後側亦可存在一個類似的驅動機構8 · 駔動機構8包括三個定時皮帶，兩個垂直懸置的定時皮帶 14、15以及一個水平懸置的定時皮帶16»定時皮帶14、15 和16亦可由任何適當材料形成，諸如不銹鋼或高強度聚合 物，具有充份強度以承受晶圓18施加於皮帶的負載•垂直 懸置之定時皮帶14、15之一端被固定於滚子20，另一端被 固定到滚子22。同樣地，水平懸置的定時皮帶16的每一端 被固定到滾子20。如第1圖所示，注意的是，水平懸置的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

----訂---------線 (請先閱讀背面之注tlc項再填窝本頁> Α7 Β7

C e 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（6 定時皮帶16被置放在Z平面，稍微在垂直懸置的定時皮帶 14、15之Z平面的外側。 滾子20將兩個垂直懸置的定時皮帶14、15連結到水平 懸置的定時皮帶16，因而每個皮帶的轉速根據另一個皮帶 的轉速而定》滾子20和22使定時皮帶14、15和16保持在適 當的張力，使得拋光墊6係充份地剛硬以便均勻地拋光晶 圓表面17。藉由調整滾子22相對於滚子20的位置，定時皮 帶的張力可如所需地增加或減少。 雖然本發明敘述了 一個有三個定時皮帶固定於四個滚 子的驅動機構，可瞭解的是，任何適當數目的滚子及/或 定時皮帶或者一個不需要依賴滚子/皮帶（亦即一個往復運 動機構）的驅動機構（使可提供雙向線性或往復運動）係在 本發明的範圍和精神内。 本發明之一重要觀點在於，拋光墊6和對應的支撐材 料適合於在角落部24弩曲’，其角度較佳地為90度。拋光墊 6的每個端部被連結物12、13連結到兩個垂直定位的定時 皮帶14，、15上的一點。拋光墊6的一端被固定到連結物12， 另一端被固定到連結物13»連結物12和13較佳地為一套筒 和桿，其將稍後於本文中完全說明》再次參考第1和2圖， 當拋光墊6的一端以定時皮帶14和連結物12的幫助垂直向 下行進時，拋光墊6的另一端以定時皮帶15和連結物13的 幫助而垂直向上移動。定時皮帶14、15和16與滾子20和22 的機械性對準允許此種移動發生。 為了使定時皮帶14、15和16驅動到所需速度，一傳統 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） 1!11 — ！ ^^ ! I $----HI— (請先閱讀背面之注項再填窝本頁) A7 425332 _B7_ 五、發明說明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的馬達（未顯示）被用來轉動滾子20及/或22»馬達被連接 到滚子20或22或任何連接到滚子20及/或22的適當元件， 其提供所需的扭矩以便轉動滚子20和22到所需的轉速。馬 達直接/間接造成滾子20和22轉動，使得定時皮帶14、15 和16在所需速度下被驅動於往前和反向方向兩者·舉例來 說，當連結物13在其向下運動期間到達滾子22時，其將隨 著速結物13現往上行進而使拋光墊6的方向反向。之後很 快地，相同的連結物13現到達滾子20並再次地改變方向於 向下方向。連結物13的往復移動允許拋光墊6在往前和反 向方向兩者中移動。較佳地，對於晶圓表面17的最佳平面 度，拋光墊6被移動的速度是約在每分錢1〇〇至600英呎的 範圍内。然而，應該瞭解的是，拋光墊6的速度可根據很 多因素（晶圓尺寸、拋光墊類型、懸浮液的化學成分等等） 而改變。再者1拋光墊6可用預定的速度在雙向線性方向 兩者中移動，其較佳地平均在每分鏜1〇〇至600英呎之間。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 第3圖繪示出根據本發明之較佳實施例將拋光墊6連結 到定時皮帶14、15之方法與裝置之前視圊，第4圊為其側 視圖。如較早於本文中所述者，拋光墊6的下側連結到彈 性但牢固且平的不可拉伸材料。在材料的每一端，即拋光 墊6的端部係連結有一桿40»如第3圖所示，桿40從拋光墊 6水平延伸。再次如第3圖所示，一套简42,亦即一圓柱體 或狹缝，亦被連結到每個垂直懸置的定時皮帶14、15，且 套简42之一部份44水平延伸以與桿40連結。當桿40和套筒 42被連結在一起時，此允許拋光墊6在雙向以高線性速度 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公S ) A7 B7 € 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 五、發明說明（ 行進，而無拋光墊6繞著滾子20、22扭曲的問題。第4圖更 繪示出當拋光墊6繞著滾子20、22轉動時拋光墊6之侧視 圓。 如前面所述者，拋光墊6在兩個角落部24鸞曲一個角 度，較佳約90度。此方式對於各種理由是有利的。根據本 發明，拋光墊6在水平平面上所需用來拋光晶圚表面17的 長度只需要稍長於晶圓18直徑。最恰當地，拋光墊的全部 長度應該稍長於三倍晶圓18直徑。如此允許整個拋光墊6 最有效率和最經濟的使用•在拋光期間，懸浮液或其他媒 介物可被施加到拋光墊6上未舆晶圓表面接觸的部份。此 懸浮液或其他媒介物可被施加於拋光墊上較佳地在靠近角 落部24的位置。上述拋光墊6的構形亦減少需要用來支撐 拋光墊6的尺寸。此外，雖然雙向線性移動提供了 一個實 質上可自行調質的拋光墊，但是一個調質構件亦可被設置 在此位置上或附近。 上述新穎的方式有很多其他的優點和利益。例如，本 發明之CMP元件比起最傳統的CMP元件佔用較少的空 間，因為約三分之二的拋光墊6可在垂直位置〇因為拋光 墊6係在不同的方向（較佳地在相對的方向）上移動，所以 拋光墊6的往復運動提供自行調質功能，因而CMP元件的 雙向線性移動更增加拋光墊的使用效率》 根據本發明，在單一時間内只有一晶圓大致被拋光β 如上所述，拋光墊6以高線性速度雙向移動，以便均勻地 拋光晶圓表面17。因為需要高拋光墊速度來拋光晶圓表 本紙張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — — — - — — — HI — ----I I!線 (請先M讀背面之注$項再填寫本頁) 11 425332 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（9 ) 面’因此動董以及因此產生的慣性相當高β所以，當拋光 墊6改變方向時，需要充份的能量來保持拋光墊在所需的 速度移動。若拋光墊6的全部面積（長度和寬度）減小，則 用來保持拋光墊在所需速度之所需能量會因此而減小。於 是，藉由限制拋光墊6的長度，傳统的馬達可負贵提供需 要保持拋光墊以所需速度在往前和反向兩者移動的必要能 量》抛光墊6的全部長度應該稍微大於晶圓18的兩個直徑 長度，且較佳地為晶圃18的三個直徑長度》其理由在於使 拋光墊6可被調質且懸浮液可被施加於拋光墊上在角落部 24附近相對於晶圓18被定位之處的兩側。 雎然本發明適於一次拋光單個晶圓，但熟於此技者可 改變本發明之實施例，以便一次拋光多個晶圓》懸浮液（未 顯示）可用傳统方式施加於拋光墊6的表面，拋光墊6更亦 可用傳統的方式調質· 接著，參考第5圖，3^將說明根據本發明較佳實施例 的晶圓殼箪4。晶圓般革4包括一非傳統性（較佳地為圓形） 的頭座總成28，具有一較佳地為數毫米深的凹穴29於其中 央，而且有一停放墊30。晶圓18被裝載到凹穴29中，首先 是背側抵住停放墊30» —個傳統形式的固定機構31(亦即 真空）被用來確保當晶圊18被拋光時晶圓18是相對於晶圓 頭座總成28牢牢地定位《當停放墊30是潮濕狀態時，伴放 墊30亦可為一種藉由抽吸晶圓18背側來固定晶圆的形式· 如上所述，反向線性拋光機3可在晶圓製造程序的不 同階段期間拋光晶圓《因此，現將參考第6圖說明一個用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） \2 -------------- -------訂 線 {請先Mitf·面之‘注i項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局Μ工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（10 ) 以將晶圓18裝載到凹穴29内使得不需要額外的裝載機構的 方法》首先，晶圓殼革4被對齊以便使晶圓18裝載到凹穴29 中。頭座總成28包括一個銷般革32，適於利用馬達或氣壓 控制（未顯示）而相對於凹穴29上下移動。在晶圆18裝載期 間，銷殼罩32從最初位置向下延伸（如虛線所示）到晶圓18 的表面17以下。至少三個銷34接著被自動地引發，以便利 用一傳統的縮回裝置在馬達控制下突出於銷殼罩32外，因 ϋ 而晶圓18可被揀拾而裝載到頭座總成28的凹穴29内*隨著 銷34的突出，銷殻單32自動地缩回到其最初位置，因而晶 圓18被裝載到凹穴29内。當頭座總成28和停放墊30固定住 晶圓18的位置，如上所述，銷34自動地縮回到銷殼罩32内， 且如第7圖所示，銷殼罩32縮回到其最初位置，因而晶圓18 可被拋光。 回到第1和2囷，當晶圚18被安全地裝載到晶園殼革4 内之後，晶圓殼罩4自動Τ降直到晶圓表面17與拋光墊6接 ^ 觸。拋光墊6根據本文中所述之方法來拋光該晶圓表面17; 晶圓18接著準備好從晶圓殼革4卸載下來。 參考第6圈，利用實質上裝載步驟的反向順序，晶圓18 由晶圓殼罩4卸下。當拋光晶圊18之後，晶圓殼罩4由拋光 墊4上升，銷殼罩32從其最初位置延伸向下（由虛線表示） 到晶圓18之表面17下方。銷34接著被自動引發，以便突出 向外’因而當晶圚從凹穴29卸下時，晶圓18可被支撐住。 隨著銷34突出，真空因反向氣流而反向，因而使晶圓is從 領座總成28掉下到銷34，亦即晶圓18從停放墊30定位到銷 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公爱〉 13 1 ----!1! 裳— 1 I 訂.！ <锖先閱讀背面之注45^項再填寫本I) A7 42533 2 ___B7__ 五、發明說明（11 ) 34。從這個位置，晶圓可接著被運送到次一個製造處理站。 第8圏描繪出一個利用銷34使晶圓18表面被裝載和卸 載到凹穴29的底視圏。雖然第8圖描繪出三個突出銷34, 但是應該瞭解的是可根據本發明使用多於三個銷或者另一 種支撐機構。 再次回到第1至2圖，現將說明一個用來支撐拋光墊6 的支撐板10。拋光墊6因支撐板10的支撐而抵靠在晶圓表 面17上被固持住，支撐板可被塗覆一層磁性薄膜。連結有 拋光墊6的支撐材料的背侧亦可被塗復一層磁性薄膜，因 而造成當拋光墊6以所需速度移動時，拋光墊6飆浮於該支 撐板10。應該瞭解的是，當拋光墊6拋光晶圓表面17時， 其他傳统的方法可被用來使該拋光墊6飄浮離開該支撐板 10，諸如空氣、潤滑劑及/或其他適當的液體。 應該瞭解的是，前述的討論和附屬的申請專利範圍、 广晶圓表面」和「晶圓之表面」的詞包括有（不被限制於） 晶圓處理之前的表面和形成於晶圓上之任何層的表面，包 括氧化金屬、氧化物、旋製玻璃、陶瓷等》 雖然為了例示性目的已揭露了本發明之各種較佳實施 例’但是那些熟悉該項技藝者將可瞭解，各種不同的改良、 增加及/或置換，在不背離本發明於申請專利範圍中所揭 露之範圍和精神下是可能的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------tr---------線 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) ο. 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 14 A7 B7 五、發明說明（12 ) 元件標號對照裊 e 2 晶園抛光站 3 拋光機 4 晶圓殼罩 6 拋光墊 8 驅動機構 10 支撐板 12,13 連結物 14,15,16 定時片 17 晶圓表面 18 晶困 20,22 滚子 28 頭座總成 29 凹穴 30 停放墊 31 固定機構 32 銷殼罩 34 銷 40 桿 42 套筒 44 部份 --------------裝· I I <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ks°· -I線- 經濟部智慧財產局負工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15

Claims (1)

1. 425332 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產场员工消#合作社印製 申請專利範圍 1. 一種化學機械拋先裝置，用以拋光一半導髖晶囫之 表.面，包含： 一適於支撐該晶圓之晶圊殼罩；及 一抛光站，具有一個以雙向線性移動拋光該晶圓 之該表面的墊· 2. 如申請專利範園第1項之化學機械拋光裝置，其中 該雙向線性移動係藉由交錯地在往前和反向的方向 上移動該墊而得到· 3. 如申請專利範園第2項之化耷機械拋光裝置，其中 該墊以一傳動機構被移動於一往前和反向方向，該 傳動機構包括一馬達，該馬達有一在單個方向上轉 動之轉轴。 4. 如申睛專利範面第3項之化學機械拋光裝置，其十 該傳動機構包含： ψ 一水平懸置的定時皮帶； 一第一組滾子，適於固定該水平懸置的定時皮 帶； 一第二组滾子；及 兩個垂直懸置的定時皮帶，被連接到該墊的每 個端部，每個垂直懸里的定時皮帶被第一组滾子的 —锢滾子和第二组滾子的一個滾子固定。 5·如申請專利範面第3項之化學機械拋光裝置，其令 該傳動機構適於以每分鐘100至600英呎的速度移 動該墊。 -1 6 - ]'1：~~:---ο------tr------^ (請先wtl背面之注up再填寫本頁> 申請專利範園 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 6·如申請專利範圍第1項之化學機械拋光裝置，其中 該晶圓般單包含： 頭座總成’具有一適於支撐該晶圓的凹穴以及 一可動销殼革，該可動銷殼罩包括適於伸進伸出該 销般罩之鎖。 7. 如申請專利範圍第1項之化學機械拋光裝置，其中 該抱光站更包含一支撐板，當該墊拋光該晶圓之該 表面時，該支撐板適於支撐該墊。 8. 如申請專利範圍第1項之化學機械拋光裝置，其中 一墊長度至少為一晶圓直徑長度的兩倍. 9. 如申請專利範圍第1項之化學機械拋光裝置，其中 _墊長度至少為一晶圊直徑長度的三倍。 10. 如申請專利範圍第1項之化學機械拋光裝置，其 中在一水平平面上墊長度約為一個晶圊直徑的 長度。 11. 一種抛光半導想晶圓表面之方法，該方法包含之 步驊為： 支撐該晶圓，使得該晶圓之該表面暴露到一拋 光墊；及 藉由線性雙向移動該拋光墊來拋光該晶圓之該 表面。 12. 如申請專利範園第II項之拋光半導逋晶圓表面之 方法’該拋光步驟更包含在往前和反向方向上移動 該墊的步驟。 17- (請先»婧背面之注f項再埃窝本頁) 裝- 訂_ 線 本紙張尺度適用t國國家樣準（CNS > A4規格U10X297公釐） 42533 2 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範固

   13.如申請專利範圍第12項之拋光半導體晶圓表面之 方法，其中該墊以傳動機構被移動於往前和反向方 向，該傳動機構從一馬達產生雙向線性移動，該馬 達具有一個於單一方向旋轉之轉轴* 14·如申請專利範園第13項之拋光半導饉晶圆表面之 方法，其中傳動機構適於以約每分鐘100至600英 呎的速度移動該墊。 15.如申請專利範圍第11读之拋光半導體晶圓表面之 方法，該拋光步驟更包含之步驟有：於該等:緣數個滾子上之定時皮 (請先面之注項再填寫本頁) 訂 經 濟 部 智 慧 財 產 局 s X 消 費 合 作 社 印 製 移動該拋光墊，該拋光墊被連結到該 等複數個定時皮帶中,的至少兩個；及 當該拋光墊與該表面接觸時拋光該晶圓之該表 面。 16. 如申請專利範園第.11項之拋光半導《晶圓表面之 方法，該支撐步驟更包含將該晶圓固定到一晶圓殼 單之凹穴的步驟· 17. 如申諳專利範園第11項之拋光半導醴晶圓表面之 方法，該支撐步驟更包含之步驟為： 將該晶圓裝載到一晶圓般罩之一凹穴中，該晶 圓殼罩具有一可動銷般革和設置於該銷殼罩之一部 段的可縮回銷； -1 8 -

   A : 本紙張尺度逋用f國國家操準（CNS > 210X297公漦）

   將該銷殼革之該部段定位到該晶圓之該表面以 下； 將該等銷從該銷殼革之該部段延伸出，該等销 . 因而提供支撐給該可置入其上之晶圓； 移動該銷，使得該晶圓被設置於該晶圓殼罩之 該表面； 將該銷縮進該銷殼罩之該部段内；及 使該銷殼罩從該晶圓殼罩之該表面離開β is.—種拋光半導體晶圓表面之方法，該方法包含之 步驟為： 利用一個以一預定速度移動於第一方向的墊來 化學機械拋光該晶圓之該表面；及 隨著該墊以該預定速度移動，利用該墊移動於 相對於該第一方向的第二方向來化學機械拋光該晶 圓之該表面，該預定速度係在每分鏜1〇〇至600英 "尺之間。 — —I^1 I ^ .11— mu 線 (請先Η讀背面之注f項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局员工消費合作社印製 本紙乐尺度逍用中·ΒΙ家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐）