TW418296B - A low-pressure apparatus for carrying out steps in the manufacture of a device, a method of manufacturing a device making use of such an apparatus, and a pressure control valve - Google Patents

Description

經 濟 部

4 I 9 b A7 ' ____ 五、發明說明（1 ) 本發明相關於一種低壓裝置，用來實行製造一裝置的步 驟’特定爲’但非排他的，半導體裝置，其步驟係在一指 疋壓力下執行，此裝置包含： 一容納主體的反應腔， 一用來引入處理氣流的氣體供應管，其氣體供應管連接 到此反應腔， 一用來排氣的排氣泵，其排氣泵透過排氣管連接到此反 應腔， 一用來調整閥開口的壓力控制閥，其壓力控制閥其提供 在排氣管上， —用來監視反應腔中之壓力的壓力感測器，以及 用來控制壓力控制閥的閥開口之控制裝置，根據監視壓 力相對於指定壓力爲標的。 廷樣的低壓裝置可以是，例如，化學氣相沈澱（CVD )裝 置，澉鍍裝·置或是裝置蒸鍍，其—般適用在一層的材料在 主體的表面，例如半導體主體。此材料可以是半導電性材 料，例如舉例的多晶矽或是鍺，導電性材料，例如舉例的 鎢，鉬或銅，或是電介質材料，例如舉例的氧化矽，氮化 矽或氧化钽。替代吆’這樣的低壓裝置可以用在局部性或 完全的從一主體例如板導體主體上移除.一層，例如，上面 所提材料的一種，以例如，電漿蝕刻或活性離子蝕刻的方 式0 - , 在積體電路的製造技術中，所謂的多_步驟處理變得越來 越重要，在積體電路的效能越來越由組成他們的表面品質 -4 - 本紙張K度適用中國國家標準（CNS)A4職c 297公楚) '— -----

i 418296 A7 __B7 五、發明說明（2 ) 所決定時。例如，用來填塞介層的覆蓋鎢（W)化學氣相沈 澱（CVD )以及接觸孔最好以兩個沈澱步碟'來實行。在利用 六氟化鎢（WFfi)及矽甲烷（SiH〇的第一沈澱步驟中—薄層 鎢成長，例如，鈦/氮化鈦（Ti/TiN)層，其在之前已經沈澱 並且當做黏著/隔閡層。當此薄層鎢需要以受控制的方式成 長時’此第一沈;殿步驟最好在相當低的指定壓力下實行， 例如大約5 mbar的壓力。在利用六氟化鎢（Wi?6)的第二沈 殿步驟中，此介層或接觸孔最好以鶴填塞。爲了要使填塞 所需要的處理時間儘可能的短.，此第二沈殿.步驟最好是在 相當高的指定壓力下執行，例如大約4〇〇 mbar的壓力。 指定壓力的極大差異不能以傳統的壓力控制閥來處理， 例如蝴堞閥，其在幾乎全關閉的位置及其幾乎全開的位置 上不能被穩定的控制而只在有限區域可做穩定的控制。穩 定的傳統壓力控制閥用來穩定地控制指定譽力，例如在指 毛的處理氣流以及排乱栗的特定容量下的5 mb ar，不能用 來控制相對高的指定壓力’例如，在類似的處理氣流以及 類似的泵容量下超過100 mbar。 對抗此問題的一個方法爲加大供應到反應腔的處理氣 流’以此方式傳統钧壓力控制閥可以再次於其穩定的控制 區域中操作。然而，較大的處理氣流減少處理氣體住留在 反應腔的時間以及，因此，處理的效率較低。這樣的結 果’發生處理氣體的不必要浪費。再者，處理成本變得不 必要的高β另一個避開上述問題的方式是在不同步驟使用 分別的反應腔，此分別反應腔的每一個，有一壓力控制閥 -5- -1 ^ 裝--------訂---------R.V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 η 五、發明說明（3 ) 以及控制裝置並聯接到分別的排氣泵或是共同排氣泵。然 而，因爲排洩、穩定化、加熱以及冷卻所需的期間數目增 加，整體的輸出量減少，其爲不希望的。另外，步驟之間 暴露在較不清潔的環境中可能會，例如不利的影響半導體 裝置的界面品質。再者，使用一個透過兩個排氣管連接到 排氣泵的反應腔，分別排氣管的每一個提供有一壓力控制 閥，一個反應腔需要兩個控制裝置並因此造成，原有設備 中軟體的大量修改。 本發明之目的特別的提供在開頭章節提到.類型的低壓裝 置’該裝置允許步驟在非常不同的指定壓力下實行，而沒 有前面提到的缺點β 爲此目的，根據本發明，此壓力控制閥包含一流動通 道、弟一流·级元件以及第一流-經元件，其第一流-經元件 以及弟一流-經元件配置在流動通道中的彼此後方，在氣體 流動的，方向…中，並個別的園住第_一流·經開口與第二流-經 開口，第一流-經元件以及第二流-經元件的至少一個可以 實質的橫向移動到氣體流動的方向，以便建立所要的覆蓋 在第一流-經開口與第二流-經開口之間並產生共同開口， 參考爲閥開口，第二流-經開口至少被提供有兩個第一邊緣 爲起來的第一開口部份’其相互的變細到尖缒接 移動的流-經元件至少可調整在一位置中，其二二： 他的只包含第一開口部份的尖端·點。. 藉由上述量測的優點，此壓力控制閥在其幾乎完全關閉 的位置上是可-控制的，其加t 了這個閥的可控制指定壓力 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線 -6- A7 五、發明說明（4 範園向更高的壓力並允許低壓裝置在非常不同的指定恩力 下實行步驟，而不會有之前所提缺點。 根據本發明之低壓·裝置的優異具體實例在相關的申請專 利範圍中説明。 本發明進一步相關於製造一裝置，特定爲，但非排他 的，半導體裝置的方法’在該方法中—主體歷經在開頭章 節提到的低壓裝置中的步驟，步驟之一在相當高的指定壓 力下完成而另一個則在相當低指定壓力下，藉之此相當高 指定壓力受到控制，藉由調整可移動的流-經元件在一位置 中，其中此閥開口排他的只包含第—流-經開口的第一開口 部份之尖端點。 本發明也相關於壓力控制閥，其包含一流動通道、第— 流經元件及第一流-經元件’其第一流-經元件及第二流-經 元件在流動通道中配置在彼此後方，在氣體流動的方向 中，並.個別.的園住第一流-經開？與第二流_經開口，第一 流-經元件以及第二流-經元件的至少一個可以實質的橫向 移動到氣體流動的方向，以便建立所要的覆蓋在第一流_經 開口與第二流-經開口之間並產生共同開口，之後參考爲閥 開口’第一流-經開π至少被提供有兩個第一邊緣爲起來的 第一開口部份，其相互的變細到尖端點，藉之可移動的流· 經元件至少可調整在一位置中，其中此閥開口排他的只包 含第一開口部份的尖端點。因此，此壓力控制閱在其幾乎 完全關閉的位置中可控制，其加寬了使用這個閥可控制指 定壓力範圍，·相較於使用傳統壓力控制閥的可控制範園。 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 袭--------訂---------線， 經濟部智慧財產局員工消貲合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 418^90 A7 _!____Β7__I____ 五、發明說明（5 ) ~ 根據本發明此壓力控制閥的優異具體實例在相關的申請 專利範園中説明。 本發明的這些及其他觀點將由參考之後説明的具體實例 並在圖TJt中顯7JT而變得明顯。圖示中： 圖1顯示根據本發明的低壓裝置之圖解， 圖2顯示根據本發明第一具體實例之壓力控制閥的上視 圖，該上視圖係從壓力控制閥上方端所取得， 圖3顯示圖2的壓力控制閥的橫切面圖，該橫切面圖係從 圖2的A-A線上取得， 圖4到7顯示利用根據本發明的方法製造半導體裝置的連 續階段的橫切面圖， 圖8顯示圖2的壓力控制閥的上視圖，但是在另一個位置 上， 圖9及1 0顯示根據本發明的其他具體實例之壓力控制閥 的上視圖？.該上視圖係在壓力控制.閥的上方端取得， 圖11顯示圖10的壓力控制闕的橫切面圖，該橫切面圖是 從圖1 0的線B - B上取得， 圖1顯示一實行製造裝置之步驟的低壓裝置，該步驟係在 指定壓力下完成’些裝置包含一反應腔1來容納一主體2， 其可能放置在容器3中，用來引入處理.氣流的氣體供應管 4 ’該氣體供應管4連接到反應腔1，以及一用來排淺的排 氣栗5，遠排氣系_ 5透過排氣管夕連接到反應腔1。此排氣系 5可以是單一泵，例如舉例的，旋轉泵，但可以替代的是 系·系統’包食串連配置的二或多個泵，例如舉例的，有旋 * 8 - 本紙張尺度適財關家標準（CNS)A4規格⑵ϋ X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- ---訂· --- " 418296 經濟部智^財產局員工消費合作社印製 A7 一· - B7 五、發明說明（6 ) ~ 轉泵爲裡的Roots吹風機 '加熱器（未顯示）可以用來加熱主 體2到所希望的溫度。此裝置還提供有壓力感測器7來監視 反應腔1内的壓力，該壓力感測器7可以是，例如，絕對靜 電容量壓力計運轉在，例如，大約i 1〇-3 mbaraj mbar* 從大约1 mbar到1000 mbar的壓力範圍中。如果必要的話， 此壓力感測器7可以包含兩個不同壓力範圍的絕對靜電容 量壓力計，例如，上面所给的範園。當在此結合的薄膜與 電極之間靜電容量改變時，絕對靜電容量壓力計檢測壓力 的改變。此監視壓力，或信號，例如係成正比的放大電 流，傳遞到控制裝置8，該控制裝置8將監視的壓力與作爲 目標之指定壓力比較，並送出信號到具閥開口的壓力控制 閥9，該信號激勵此壓力控制閥9調整閥開口，以此方式所 監視的壓力被帶到大約作爲目標之指定壓力。特定的，當 檢測到反應腔1中所監視的壓力下降時，一信號由控制裝 置8送由..到壓力控制達9來減少闕的開口。另外的，當檢測 到反應腔1中所監視的壓力上升時，—信號由控制裝置8送 出到壓力控制達9來加大閥的開口。因此，控制裝置8控制 壓力控制閥9的閥開口，根據所監視的壓力相對於做爲目 標的指定壓力。以占述方式，反應腔i中的監視壓力會調 整至等於做爲目標的指定壓力，藉由平衡透過氣體供應管 4供應到反應腔1中的處理氣流以及透過排氣管6自反應腔1 取出的排氣流，該排氣流取決於壓力控制閥9的閥開口以 及排氣泵3的容量。爲了達到壓力控制期間的快速反應， 壓力控制閥9蓼好位置接近反尨腔1。 |__ - 9 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 χ 29ί.公釐）

--------ο裝--------訂---------線>. {清先閱讀背面之沒惠事項再填窝本頁) 418296 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消f.合作社印Μ 五、發明說明（7 圖2顯示壓力控制閥9的第一具體實例的上視圖，該上视 圖是從壓力控制閥的上方端取得。另外，圖3顯示圖2的壓 力控制閥9的橫切面圖，此橫切面圖是從圖2中的線A-A上 取得。 此壓力控制閥9包含一流動通道1 〇、第一流-經元件1 1以 及第二流-經元件1 2，其第一流·經元件i i及第二流-經元 件1 2配置在流動通道1 〇中彼此的後方，在氣流的方向中， 該方向由箭頭13所描述。在本範例中，應用一圓盤做爲第 一流-經元件11，該圓盤實質橫向的延伸到氣流的方向13 並且架設在流動通道10中的固定位置上。另外，應用一滑 片做爲第二流-經元件1 2，該滑片延伸，並可移動的，實 質的橫向至氣流的方向1 3。在此，此第一流_經元件J t配 置在第二流-經元件丨2的後方，在氣流的方向i 3中。然 而，不證自明的，以些微的修改配置，此第一流-經元件 11可β配置在第二流_經元件12的前方’在氣流的方向13 中。 第一流-經元件1 1及第二流-經元件12個別園住第一流· 經開口 14及第二流-經開口 15。在本範例中，此第_流·經 開口 14爲一從第一逛_經元件η的—表面接到第一流-經= 件u的相反其他表面的穿透孔。第二流_經元件12，在本 範例中的一滑片，可移動實質橫向到氣流的方向13，以便 建立在第一流-經開口 14及第二—流_經開口 15之間的希望覆 蓋並產生一共同的開口 16，該共同開口 16參考爲壓力栌制 閱9的闕開口，可移動的第二流'經元化可以由，例如， -10- 本紙張尺度剌t _家標準（CNS)Ai規格⑽χ视公

H r\ ；-i 卢·'， ! · · ‘·' A7

五、發明說明（8 ) 步進馬達所驅動。第一流-經開口 1 4提供有第一開口部份 17 ’由兩個第—邊緣18圍起來，該邊緣is同時相互的變 細到尖端點1 9。兩個第一邊緣丨8所包住的角度是小的。此 可移動的第二流-經元件i 2可調整到一角度，其中閥開口 1 6排他的只包含第—開口部份ζ 7的尖端點1 9。因此，壓 力控制閥9在此幾乎完全關閉的位置上是可控制的，其加 寬可以由這個閥的裝置控制的指定壓力範圍，相較於利用 傳統壓力控制閥的可控制範圍。 除了第一開口部份17之外，第二開口部份2〇提供在第一 流-經開口 1 4中，該第二開口部份2 〇向上連結到第一開口 部份1 7並由兩個第二邊緣2 1所圍住，其相對於彼此逐漸變 細並包住相當大的角度，相較於兩個第一邊緣i 8包住的角 度。此第二流·經開口 1 5由第二流_經元件12的邊緣22所圍 住’該邊緣2 2實質的橫向延伸至第一開口部份丨7及第二開 口部份又0的共同等分線。 對於指定壓力在大約1.10·3到1 mbar的範園中流動通道10 的直徑可以在大約100到200 mm的範圍中以及對於指定壓 力在大約1到1000 mbar的範園中是在大約2 0到40 mm的範 圍中。 以顯示在圖2及3的壓力控制閥9來使用圖1的低壓裝置， 現在將加以説明稍早提到的覆蓋鎢（W) CVD處理，其係使 用在半導體裝置，例如舉例的場效電晶體，漂移閘極電晶 體以及CMOS及BICMOS積體電路的製造，來填塞介層及接 觸孔。爲此目的，此反應腔1'可容纳一或多個主體2，在本 -11 - 本纸張尺度適用中國固家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ~~~— (請先閱讀背面之汪意事項再填寫本頁) .裝-------訂- --- 經濟部智慧財產局員工消贤合作社印製 4 182 96 經濟邡智慧財產局員工消費合作社印Μ Α7 Β7 五、發明說明（9 ) 範例中爲一或多個晶圓。 圖4顯示導體例如’鋁的軌跡23，該導體軌跡23佈置在 由例如氧化矽組成的介質層2 4上並由額外由氧化矽组成的 介質層25覆蓋。爲了要接觸導體軌跡23，介層26已經蝕 刻在額外的介質廣25中。在填塞介層26之前，應用飲（Ti) 層27及氮化鈦（TiN)層28 ,該Ti/TiN雙層27 , 28做爲鎢的 黏著/隔閡層，其接著由上面提到的覆蓋鎢CVD處理的方式 施加。這個處理最好以兩個沈殿步驟實行，也就是在第一 個沈澱步驟中施加薄層29的鎢（圖5)，在第.二個步驟中施 加相當薄層30的鎢，藉之填塞介層26(圖6)。此相當薄層 30的鎢可以接著蝕刻回直到TiN層28再次暴露（圖7)，藉 之形成鎢拴塞3 1。 當薄層29的鎢需要以控制的方式施加時，此第一沈澱步 驟最好在相當低的指定壓力下實行，例如大約5 mbar的壓 力。'度太.约可以在40Q。〇 β供應到反應腔i的處理氣流可 以包含，例如》六氟化鎢（WF6)，矽甲烷（siH4)、氫 以及氬（Ar)，以總體積流動爲，例如大约2〇〇〇 sccin(每分 鐘標準1方公分）^此大约5 mbar的相當低指定壓力是由平 衡供應到反應腔1的^理氣流與自反應腔丨中取出的排氣流 而建互的。爲此目的，此控制裝置8送出信號壓力控制閥 9，該信號激勵壓力控制閥9調整可移動的第二流_經元件 1 2到閥開口 1 6包含此第_開口部份〗7及第一流_經元件i丄 的第一流-經開口 14的部份第二開口部份2〇的位置。這在 顯π於圖8的占視圖中說明，.該上視圖示在壓力控制閥9 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 1---訂---------線/ -12-

418296 A7 五、發明說明（1〇 上方端取得。對於熟習本技藝的人不證自明的，此壓力控 制閥9在這個位置是穩定的可控制。 爲了使填塞介層26所需要的處理時間儘可能的短，第二 沈澱步驟最好是在相當高指定壓力下實行，例如大約4〇〇 mbar的壓力。溫度可以是，例如大約45〇 。供應到反應 腔1的處理氣流可以包含，例如，六氟化鎢（W f 6)、氫（η 2) 及氬（Ar)，以總體積流量，例如大約2300 sccm(每分鐘標 準立方公分）。大約爲400 mbar的相當高指定壓力再次的由 平衡供應到反應腔1的處理氣流與自反應腔1.中取出的排氣 流而建立的。爲此目的，控制裝置8送出信號到壓力控制 閥9，該信號激勵壓力控制閥9調整可移動的第二流-經元 件1 2到閥開口 1 6排他的只包含在第一流·經元件1的第一 流-經開口 1 4中提供的第一開口部份1 7的尖端點之位置（參 閱圖2)。對於熟習本技藝的人不證自明的，與傳統壓力控 制閥相反的·_，壓力控制閥9在其嘰乎完全關閉的位置中爲 穩定的可控制，其加寬了可由此閥的裝置加以控制的指定 壓力範圍。 爲了排洩反應腔1，此控制裝置8送出信號到壓力控制閥 9，該信號激勵壓力控制閥9來調整可移動的第二流-經元 件1 2到閥開口 1 6至少實質的包含第一流-經元件1 1的第一 流經開口 1 4之位置。 明顯的，壓力控制閥9的效能龙大由第一流-經元件1 1的 第一流經開口 1 4的外形決定，該外型可輕易的調整至此需 求，該指定聲力應可以例如，蝕刻處理或沈澱處理加以控 -13- 本纸張尺度適用中因國家標準（CNS)A-l規格（210 X 297公呈） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------ 訂----線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 418296 A7 五、發明說明（11 制。在圖2及3中描述的第一流-經㈤口 14提供有兩個開口 部份，也就是第-開口部份17以及第二開口部份2〇，因此 非常適合做處理的壓力調節，其施加兩個相距很遠的不同 指定壓力。對施加，例如三個不同指定壓力的處理，此第 一流-經開口 14可提供有三個開口部份而非兩個等等。然 而，爲了加大第一流-經元件丨丨的彈性，這個元件的第— 流-經開口 14最好是以單調發散的邊緣32架構，如圖9的上 视圖中所示，其表示壓力控制閥9的第二具體實例，此上 視圖是在壓力控制閥的上方端取得。 在目前説明的壓力控制閥9的具體實例中，第一流_經開 口 14，其由第一流-經元件圍住，是一從第一流_經元件 1 1的一表面接到第一流-經元件i 1的相反其他表面的穿透 孔。此第一流-經開口 1 4可以，然而，也可以是如圖i 0及 1 1描述的凹溝形式。圖1 〇顯示壓力控制閥9的第三具體實 例的4視圖._，該上視圖是在壓力拉制閥9的上方端取得。 圖11顯示圖10的壓力控制閥9的橫切面圖，此橫切面圖是 在圖1 0中的線B - B上取得。此第一流-經開口 1 4，其爲凹 溝33的形式，包含一穿透孔34以在排氣泵5的方向中輸送 氣流。凹溝3 3的寬冬可以随著凹溝3 3的深度改變。在本範 例中，園住凹溝3 3的邊變細。另外，凹溝3 3的深度 可以改變在穿透孔3 4及凹溝3 3的尖端點1 9之間。最好凹 溝33的深度從穿孔開口減少到尖端點。 在上面説明的壓力控制閥9的具體實例中，第一流-經元 件1 1以及第+流-經元件1 2可加以配置使彼此直接接觸。 -14- 私紙張尺度適用中园國家槔準（CNS)A4規格（2]〇χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 *------ 訂--I------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

然而’因爲第二流-經元件1 2的移動粒子釋放可能相反的 影響所要處理的，例如半導體裝的效能。另外的，第一流_ 經元件1丨以及第二流-經元件丨2可以—方式配置使縫隙3 5 存在於其間（參閱圖1 1)。此縫隙3 5的厚度必須要小，例如 大約在5 # m。然而，第一流-經元件1 1以及第二流·經元 件1 2至少一個的滑落可能不利的影響缝隙3 5的厚度β另一 個選項是使用，例如，5 μηι厚的缝隙3 5結合所謂的氣體推 擠，其可能以氮氣爲基礎。這項技術避開上面提到的問題 而同時保持缝隙3 5清潔。 很明顯的爲數眾多的可能性可以考慮第一流_經開口丨4的 外形。爲了可輕易的從一個形狀改變爲另一個形狀，第一 流-經元件11最好可包含其中做出第一流_經開口 14的第一 王體，孩第一主體可以，例如，固定在一環中間。另外， 爲了可以輕易改變第二流_經元件丨2邊緣2 2的輪廓，第二 泥-經元件.1.2最好能包含提供此邊緣2 2的第二主體。 很明顯的本發明並；^限制纟上述的具體實Μ，因爲對於 熟習本技藝的人而言許多的變化是可能的，而不背離本發 日㈣範疇。除了上述壓力控制間的滑片/圊盤組態，其他的 組態可以根據相同❾原則做到，其他的组態可以依賴兩個 可移動之流經元件而非一個可移動流經元件。 雖然根據本發明的低壓裝置可以適用於包含要在指定壓 力下完成的步驟的低壓處理，其可以最佳的使用在包含在 非常不同的指^壓力下完成的步躁之低減理。此反肩腔 可以是包含❹反應腔的叢集工具的部份，但也可以是單 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ-----------------線 經濟^^"?財產局員工消費合作社印製 本 -15- ο Α7 Β7 五、發明說明（ 13 獨的反應單元，例如舉例的傳統的低壓CVD (LPCVD)反應 器。這樣的LPCVD反應器是多晶圓反應器，可允許同時處 理大數量的晶圓。除了多晶圓反應器外，也存在用在一時 間處理單一晶圓的單晶圓處理器，以及中等尺寸的反應 器。 (請先閱讀背面之注意事碩再填寫本頁) 〆 裝-----！|訂---1 1 線ί: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 本紙張尺度適用中四國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ~ 1，一種低壓裝置’用來實行製造裝置的步驟，特定為，但 非限定於’一半導體裝置，該步驟在指定壓力下完成， 此裝置包含： 用來容納一主體的反應腔， 用來引入處理氣流的氣體供應管，該氣體供應管連接 到此反應腔， 用來排淺的排氣系’該排氣果透過排氣管連接到反應 腔， 用來調整閥開口的壓力控制閥，該壓力控制閥係提供 在排氣管上，此壓力控制閥包含一流動通道、第一流-經 元件及第二流-經元件’該第一流_經元件及第二流-經元 件在此流動通道中配置在彼此的後方，在氣流的方向 中，並分別圍住第一流-經開口以及第二流-經開口，第 一流-經元件及第二流-經元件中至少一個是可移動的， 實質.橫向到氣流的方向以便建立所希望的覆蓋在第一流_ 經開口與第二流經開口之間並產生共同的開口，參考為 閥開口 ’此第一流-經開口至少提供有由兩個第—邊緣圍 住的第一開口部份，其互相的逐漸便細為尖端點，藉之 可移動的流經元也至少可調整至一位置上，其中此閥開 口排他的只包含第一開口部份的尖端點， 用來監視反應腔中壓力的壓力感測器，以及 用來控制壓力控制閥的閥開^ 口之控制裝置，根據監才見 到的壓力相對於目標的指定壓力。 2 .如申請專利；圍第1項的低塵裝置，其中第一流_經元件 -17- 本紙ft尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 11T ίί-.ννΓ,ί!:·ii'.!i財是/.7员X消骨合作社印製 六、申請專利範圍 包含第一流·經開口做在其中的第一主體，其中第一主體 實質祝向的延伸至氣流的方向並架設在流動通道中的固 定位置’而第二流-經元件包含園住第二流-經開口的第 二主體並實質橫向的延伸至氣流的方向，該第二主體爲 了移動的，實質橫向到氣流的方向。 如申請專利範園第1或2項的低壓裝置，其中兩個第一邊 緣’其相對於彼此的變細並圍住第—流經開口的第一開 口部份’包住相當小的角度，而第二開口部份提供在第 一流-經開口中，其中第二開口部份向上連接至第一開口 部份並由兩個第二邊緣圍住，其相對於彼此的變細並包 住相當大的角度，而第二流-間口由一邊緣圍住，其實質 橫向的延伸至第一開口部份與第二開口部份的共同平分 線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 —種製造一裝置的方法，特定爲，但非限定於，一半導 體裝—A該方法中一主體歷經如申請專利範圍第1到3 任一項的低壓裝置中的步驟，其中一步躁在相當高的指 疋壓力下元成另一個在相當低的指定壓力下，藉之相當 向的指定壓力受到控制，藉由調整可移動流經元件到一 位置中’在其中閥開口排他的只包含第_流經開.口的第 —開口部份的尖端·^ ^ —種壓力控制閥，其包含一流動通道、第一流-經元件及 第二流-經元件，其第一流-經无件及.第二流-經元件在流 動通道中配置在彼此的後方，在氣流的方向中並分別園 住第一流-經開口及第二流-經開口，第一流-經元件及第 -18- 本紙張尺奴財_家標準（CNS)A4規格 (210 X 297 公釐） 418296 A8B8C8D8 經濟耶智慧財產扃員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 二流-經元件中至少一個是可移動的，實質橫向到氣流的 方向以便建立所希望的覆蓋在第一流-經開口與第二流經 開口之間並產生共同的開口，之後參考爲閥開口，此第 一流-經開口至少提供有由兩個第一邊緣園住的第一開口 部份，其互相的逐漸變細爲尖端點，藉之可移動的流經 元件至少可調整至一位置上，其中此閥開口排他的只包 含第一開口部份的尖端點。 6. 如申請專利範園第5項的壓力控制閥，其中第一流·經元 件包含第一流-經開口做在其中的第一主體，其中第一主 體實質橫向的延伸至氣流的方向並架設在流動通道中的 固定位置’而第二流_經元件包含園住第二流-經開口的 第二主體並實質橫向的延伸至氣流的方向，該第二主體 爲可移動的，實質橫向到氣流的方向。 7. 如申請專利範園第5或6項的壓力控制閥，其中兩個第__ 邊緣，其相對於彼此的變細並園住第一流經開口的第_ »···*- · 開口部份，包住相當小的角度，而第二開口部份提供在 第一流-經開口中，其中第二開口部份向上連接至第_開 口部份並由兩個第二邊緣圍住，其相對於彼此的變細並 包住相當大的角度，而第二流-開口由一邊緣圍住，其實 質橫向的延伸至第二開口部份與第二開口部份的共同平 分線。 -19- 本紙張又度遇用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} .'裝 I I--訂--------線