TW417178B - Method for making semiconductor device - Google Patents

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TW417178B
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sputtering
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Toyohiko Kuno
Kenichi Kitamura
Ken Tanaka
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Asahi Chemical Ind
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Description

ΚΙ Β7 五、發明說明（1〉 【發明之所屬技術領域】 本發明係關於半導體裝置之製造方法，特別是有關於 利用鋁或是以鋁爲主要成份的鋁合金（以下簡稱爲鋁）爲 材料之配線的構成方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【先前 3 0 0 近年來 連接孔 解 室溫狀 5 0 0 4 0 0 法，可 所熟悉 在 先，利 要的鋁 至5 0 5 0 0 後，塡 果碰到 熱，會 之技術 般的半 度以下 ，隨著 內部沒 決類似 態下， 度以上 度以上 以將配 導體裝置 使其堆積 半導體裝 有塡充足 上述問題 利用濺鍍 的回流法 的狀態下 線連接孔 之製造方法， 成形的濺鍍方 置之微細化的 夠的鋁而發生 點的方法，有 鋁使其堆積後 ，以及有將半 ，利用濺鍍鋁 內部或是配線 多是利用將鋁置於 法（低溫濺鍍法）。 發展，曾經導致配線 斷線事故的情形。 將半導體裝置維持在 ，再持續加熱至 導體裝置維持在 使其堆積的高溫濺鍍 槽裡塡滿鋁，爲大家 過去的回流法及高溫濺鍍法，都各有各的問題。首 用回流法將塡滿配線連接孔內部或是配線槽裡所需 於1 0 0度以下堆積之後，於堆積停止的狀態加熱 0度以_上，在半導體裝置上用停止狀態加熱至 度以上的方法，將堆積在半導體裝置上的鋁再溶解 滿配線連接孔內部或是配線槽。但是這種方法，如 鋁配線是埋設在底層的話*透過5 0 0度以上的加 使配線的塑性變形，有導致故障發生的危險性。 閱 讀 背 A 之 注 項 再‘ 填 · 本> 頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - /17 6 A7 B7 五、發明說明（2 ) 另外，高溫濺鍍法，預先將鋁利用1 0 0度以下的濺 鍍法（低溫濺鍍）堆積至低溫鍍鋁層形成後，再利用 4 0 0度以上的濺鍍法（高溫濺鑛）堆積塡滿配線連接孔 內部或是配線槽。但是，利用4 0 0度以上的濺鍍法（高 溫濺鍍）來塡滿配線連接孔內部或是配線槽的時候，高溫 濺鍍的薄膜（B)會比低溫濺鍍的薄膜（A)大。 不過，在上述條件裡，因高溫濺鍍時的熱處理有可能 導致精確度測量標記變形的情形發生。> 所謂精確度測量標記，乃是影像平版印刷作業裡用來 測量圖案準確度的標記。利用鋁做配線，在塡充配線連接 孔內部或是配線槽的同時，精確度測量標記裡也堆積了鋁 。這個時候，會產生因高溫濺鍍時的熱處理而導致精確度 測量標記變形，無法正確地掌握精確度的問題。 相反地，A>B的時候，因高溫濺鍍時的熱處理不完 全_，則導致配線連接孔內部或是配線槽的塡充不夠完善而 產生空隙，引發信賴度的問題。 而且，因爲插槽的設置使連接孔的.深度過淺，或是連 接孔成兩層的重叠構造等情形，都容易產生凹陷的問題， 然而爲了不使類似這樣的凹陷產生，而採用高溫條件或是 高溫濺鍍，又_如同上述一樣會導致精確度測量標記變形， 無法掌握精確度的正確性。 【發明之開示】 本發明的目的，在於提供一種關於不影響到精確度測 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）_5. 請 先 閱 讀 背 面 之 注- 意 事 項 再· 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 417178 ______B7_____ 五、發明說明（3 ) 量標記的形狀’而能用鋁將細微的配線連接孔內部或是配 線槽塡滿之高溫濺鍍的半導體裝置之製造方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的發明人’爲了解決上述問題，發現了高溫濺 鍍的最合適條件，而發明了本發明。 也就是說’在利用濺鍍堆積鋁或是以鋁爲主要成份的 鋁合金來塡充配線連接孔內部或是配線槽的半導體裝置之 製造方法上，首先’有在3 0 0度未滿的情況下堆積鋁或 是以鋁爲主要成份的鋁合金的堆積作業，>以及有將鋁或是 以鋁爲主要成份的鋁合金維持在3 0 0度以上的情況下的 堆積作業’在上述3 0 0度未滿的情況下堆積鋁或是以鋁 爲主要成份的鋁合金的薄膜A，和3 0 0度以上的情況下 堆積鋁或是以鋁爲主要成份的鋁合金的薄膜B，會呈A > B ’其特徵在於’在上述3 0 0度以上的情況下堆積鋁或 是以鋁爲主要成份的鋁合金的堆積速度，不會影響精確度 測量標記的形狀，保持在2 0 0 nm/分以下的堆積速度 之半導體裝置製造方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社.印製 此時，2 0 0 nm/分以下的堆積速度，乃是在上述 3 0 0度以上的情況下堆積鋁或是以鋁爲主要成份的鋁合 金之最合適的堆積速度。 上述的堆_積速度如果能夠保持在4 0 nm /分以上， 1 0 0 n m /以下則更好。 上述低溫濺鍍也可以在室溫至1 0 0度之間的情況下 作業。 上述高溫濺鍍也可以在3 0 0度以上，5 0 0度以下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公爱）.Q. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 417 178 at ____B7_五、發明說明（4 ) 的情況下作業- 上述高溫濺鍍也可以在3 5 0度以上，4 0 〇度以下 的情況下作業。 上述鋁材料用鋁也可以。 上述鋁材料用鋁合金也可以。 上述銀合金用IS —砂1，0重量％—銅〇 . 5重量％ 也可以。 底層形成後再形成鋁層也可以。 > 上述底層也可以選擇欽膜、氮化欽膜、鈦―鶴合金膜 、氮化鎢膜。 上述底層也可以由鈦膜、氮化鈦膜、或是鈦膜的積層 体形成。 上述配線連接孔的部份也可以用鎢埋設。 【發明之實施形態】 茲針對本發明之半導體裝置的製造方法詳細說明如下 在本發明裡，首先，先進行在3 0 〇度未滿的情況下 堆積鋁（鋁或是以鋁爲主要成份的鋁合金）的作業（低溫 濺鍍），然後再進行在3 0 0度以上的情況下堆積錦的作 業（高溫濺鍍），低溫濺鍍在室溫到3 〇 〇度未滿之間的 情況下，特別是在室溫至1 0 0度之間的溫度範圍內進 最好。高溫濺鍍則在3 0 0度以上5 0 〇度以下的情況丁 ，特別是在3 5 0度以上4 0 0度以下的溫度範圍內進子了 本纸張尺度適用中國固家標準（CNS>A4規格（210 X 297公S ) -1 - (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) .417178 A7 _ B7 ___ 五、發明說明（5 ) 最好。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 低溫濺鎪、高溫濺鍍都可以使用一般常用的D C濺鍍 沈積，沒有設限於特定的濺鍍法。而且，在濺鍍鋁之前先 做好底層的形成也可以。 底層可以使用鈦（Ti)、氮化鈦（TiN)、鈦一 鎢合金（T i W )、氮化鎢（W N )等。 用來做鋁材料的鋁合金可以使用一般配線用的鋁合金 ，沒有限定特色的東西。這樣的合金，例如：將普通的鋁 一矽一銅合金的矽，用鍺或是錫代替的合金（A 1 -G e 一 Cu、Al — Sn — Cu)，或是刪除矽的合金（A1 _ C u )也可以使用。 本發明之低溫濺鍍的薄膜A和高溫濺鍍的薄膜B的關 係是A > B，這是因爲如果低溫濺鍍和高溫濺鍍的堆積速 度相同的話，低溫濺鍍的時間會比高溫濺鍍的時間長，高 溫濺鍍時受到熱處理的影響就比較少。也就是說，高溫濺 鍍時不會影響到精確度測量標記的形狀。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但是，在A > B的條件下，會有因高溫濺鍍的熱處理 不完善，而沒有塡滿配線連接孔內部或是配線槽，導致空 隙產生的情形發生。 此時，除_了在A〉B的條件下，再加上將高溫濺鍍的 堆積速度，從以往爲了提高生產性的高速堆積速度，降低 至不損壞精確度測量標記之形状的堆積速度，得以將配線 連接孔內部或是配線槽塡滿，達到本發明的目的。 也就是說，利用將高溫濺鍍的堆積速度降低至不損壞 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7〇1 A7 B7 五、發明說明（6 ) 精確度測量標記之形狀的堆積速度，最好是2 0 0 nm/ 分以下，使被濺鍍的鋁材料漸漸堆積，連配線連接孔也漸 漸塡滿到完全沒有空隙。同時，也沒有任何凹陷產生，形 成一平坦的堆積膜。其堆積速度的範圍最好是在4 〇 nm /分以上，1 0 0 n. m /以下。 【實施範例】 茲藉由實施範例將本發明更詳細說明如下。 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再. 填 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施 有 。有關 ，及埋 之配線 是說， 厚度3 ’利用 然後再 上述之 在 在5 0 的鈦膜 接1.0 範例1〕 關本實施範例的半導體裝置之製造方法如圖1所示 具有配線連接孔及精確度測量標記的絕緣膜1 0 a 設有以鋁一矽1·0重量％—銅0.5重量％爲主 1 0 b的半 在保持在5 0 n m的欽 D C濺鍍堆 利用D C濺 狀態爲形成 這個標準樣 度的狀態下 13° 導體裝置，首先必須先形成底層。也就 0度的狀態下，利用D C濺鍍堆積薄膜 膜1 1，然後再運用氮素和氬的反應性 積薄膜厚度5 0 nm的氮化欽膜1 2， 鍍堆積薄膜厚度3 0 nm的鈦膜1 3。 鋁材料前的標準樣本（圖1 )。 本裡，首先，作爲追加底層，先在保持 ，利用D C濺鍍堆積薄膜厚度3 0 nm 下來，以低溫濺鍍，利用D C濺鍍堆積由鋁一矽 重量％—銅0 . 5重量％構成之薄膜厚度2 6 0 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐）.Q. 訂 線 41 7 ί A7 B7 五、發明說明（7 ) nm的鋁合金1 4。有關於此時的堆積條件，於過程進行 中使用氬，將該氬的壓力控制在3 m T 〇 r ί·，堆積溫度 400度，堆積速度75nm/分。 最後，在保持在5 0度的半導體裝置上，利用DC濺 鍍堆積薄膜厚度3 0 nm的鈦膜1 6，然後再運用氮素和 氬的反應性，利用D C濺鍍堆積薄膜厚度3 0 nm的氮化 鈦膜1 7，就可以得到所要之埋設有配線連接孔的半導體 裝置（圖2 ) » > 說明評價此具有配線連接孔之半導體裝置的方法。在 半導體裝置上鋪設正片型的光阻劑18，進行一般的感光 及影像處理，做成配線光阻劑圖案。用光學測量此配線光 阻劑圖案當中的精確度測量標記|和已經在半導體裝置上 成形的精確度測量標記之相對二次元的座標精確度的結果 ，發現任意xy方向的相對誤差爲±0 . 18;/m。另外 ，利用光勵起電流測量（Ο B I C )法觀察半導體裝置之 配線連接孔的結果，可以確認配線連接孔裡沒有空隙。如 此一來，不但達到配線連接孔完全被塡滿的高度信賴度的 狀態，連誤差也都非常地小。 閱 讀 背 面 之 注 項 再‘ 填 頁 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施範例2 _) 接下來，再舉一個實施範例。和實施範例1同樣地， 首先，在標準樣本（圖1 )上，作爲追加底層，先在保持 在5 0度的狀態下，利用DC濺鍍堆積薄膜厚度3 0 nm 的鈦膜1 3。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210x 297公釐）.1〇 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7 _五、發明說明（8 ) 然後，以低溫濺鍍，利用D C濺鍍堆積由鋁一矽 1 . 0重童％—銅0 5重量％構成之薄膜厚度4 0 0 n m的鋁合金1 4。此時的堆積條件’於過程進行中使用 氬，將該氬的壓力控制在3mTorr ，堆積溫度100 度，堆積速度1 Mm/分。 接下來，以高溫濺鍍，利用D C濺鍍堆積由鋁一矽 1 . 0重量％—銅0 . 5重量％構成之薄膜厚度1 〇〇 n m的鋁合金1 5。此時的堆積條件，於過程進行中使用 氬，將該氬的壓力控制在3mTorr ，堆積溫度300 度，堆積速度2 5 nm/分。 最後，在保持在5 0度的半導體裝置上，利用DC灘 鍍堆積薄膜厚度3 0 nm的鈦膜1 6，然後再運用氮素和 氬的反應性，利用D C濺鍍堆積薄膜厚度3 0 n m的氮化 鈦膜1 7，就可以得到所要之埋設有配線連接孔的半導體 裝_置（圖2 )。 說明評價此具有配線連接孔之半導體裝置的方法。和 實施範例1同樣地，在半導體裝置上鋪.設正片型的光阻劑 1 8，進行一般的感光及影像處理，做成配線光阻劑圖案 。用光學測量此配線光阻劑圖案當中的精確度測量標記， 和已經在半導_體裝置上成形的精確度測量標記之相對二次 元的座標精確度的結果，發現任意X y方向的相對誤差爲 ± 0 · 1 5 /z m。另外，利用光勵起電流測量（〇 B I C )法觀察半導體裝置之配線連接孔的結果，可以確認配線 連接孔裡沒有空隙。如此一來，不但達到配線連接孔完全 -I I Li I ---I I I I I I I - - ,( (請先閱請背面之注意事項再填窵本頁) SJ· •線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公餐） -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Γ 417!^ Α7 ______ Β7____五、發明說明（9 ) 被塡滿的高度信賴度的狀態，連誤差也都非常地小。 (實施範例3 ) 接下來，再舉一個實施範例。首先，在標準樣本（圖 1 )上，利用CVD法堆積薄膜厚度6 0 0 nm的鎢膜’ 再將此鎢膜全面蝕刻封裝後，得到鎢塞1 9 °然後’作爲 追加底層，在保持在5 0度的狀態下，利用DC濺鍍堆積 薄膜厚度30nm的鈦膜13。 再來，以低溫濺鍍，利用D C濺鍍堆積由鋁一矽 1 . 0重量％—銅0 . 5重量％構成之薄膜厚度4 5 0 nm的鋁合金1 4。此時的堆積條件，於過程進行中使用 氬，將該氬的壓力控制在3mTo r r，堆積溫度1 00 度，堆積速度1 分。 接下來，以高溫濺鍍，利用D C濺鍍堆積由鋁一矽 1 · 0重量％—銅0 . 5重量％構成之薄膜厚度5〇nm 的鋁合金1 5。此時的堆積條件，於過程進行中使用氬’ 將該氬的壓力控制在3 m To r r ，堆積溫度300度’ 堆積速度25nm/分。 最後，在保持在5 0度的半導體裝置上，利用D C濺 鍍堆積薄膜厚_度30 nm的氮化鈦膜16，然後再運用氮 素和氬的反應性，利用DC濺鍍堆積薄膜厚度3 0 nm的 氮化鈦膜1 7，就可以得到所要之埋設有配線連接孔的半 導體裝置（圖3 )。 說明評價此具有配線連接孔之半導體裝置的方法。和 mlll — ιιιιί -----II ^ ·11111111 <請先閱讀背面之注意事項#填^^'頁) 本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）.^ - A7 B7 五、發明說明（1〇 ) 實施範例1同樣地 1 8，進行一般的 。用光學測量此配 和已經在半導體裝 元的座標精確度的 ±0 . 1 0 仁 m 。 )法觀察半導體裝 連接孔裡沒有空隙 被塡滿的高度信賴 而且，透過原 果，可以確認表面 ，在半導體裝置上鋪設正片型的光阻劑 感光及影像處理5做成配線光阻劑圖案 線光阻劑圖案當中的精確度測量標記， 置上成形的精確度測量標記之相對二次 結果，發現任意X y方向的相對誤差爲 另外，利用光勵起電流測量（Ο B I C 置之配線連接孔的結果，可以確認配線 。如此一來，不但達到配線連接孔完全 度的狀態，連誤差也都非常地小。 子間力顯微鏡觀（AFM)察表面的結 非常平坦。 請 先 閱 讀 背 面 之 注
Id 頁 訂 (比較範例1 ) 比較範例1 低溫濺鍍的薄膜 積高溫濺鍍的薄 和實施範例 )上，以低溫濺 ，乃是預先在3 0 0度未滿的狀態下堆積 厚度A，然後在3 0 0度以上的狀態下堆 膜厚度B，但是此時的A < B。 1、2同樣地，首先，在標準樣本（圖1 鍍，利用DC濺鍍堆積由鋁一矽1 . 〇重 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 量％—銅0.5重量％構成之薄膜厚度200nm的鋁合 堆積條件，於過程進行中使用氬，將該氬 mTorr ，堆積溫度100度，堆積速 金1 4。此時_的 的壓力控制在3 度1 y m /分。 然後，以高溫濺鍍，利用D C濺鍍堆積由鋁一矽 0重量％—銅0.5重量％構成之薄膜厚度300 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 13- 417178 A7 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 ____B7____ 五、發明說明（11 ) nm的鋁合金1 5。此時的堆積條件，於過程進行中使用 氬，將該氬的壓力控制在3 m T 〇 r r ，堆積溫度4 0 Q 度’堆積速度75nm/分。 最後，在保持在5 0度的半導體裝置上，利用DC濺 鍍堆積薄膜厚度3 0 nm的鈦膜1 6，然後再運用氮素和 氬的反應性，利用D C濺鍍堆積薄膜厚度3 0 nm的氮化 鈦膜1 7，就可以得到所要之埋設有配線連接孔的半導體 裝置。 、 說明評價此具有配線連接孔之半導體裝置的方法。和 實施範例1及範例2同樣地，在半導體裝置上鋪設正片型 的光阻劑1 8，進行一般的感光及影像處理，做成配線光 阻劑圖案。用光學測量此配線光阻劑圖案當中的精確度測 量標記，和已經在半導體裝置上成形的精確度測量標記之 相對二次元的座標精確度的結果，發現任意X y方向的相 對誤差爲±0 . 27//m。另外，利用光勵起電流測量（ 〇Β I C )法觀察半導體裝置之配線連接孔的結果，可以 確認配線連接孔裡沒有空隙。 從以上的結果得知，在A < Β的條件下之相對誤差比 實施範例1及範例2的相對誤差大。 (比較範例2 ) 比較範例2，是在3 0 0度以上的狀態下堆積高溫濺 鍍的堆積速度爲2 0 0 n m /分的情形。 和實施範例1、2同樣地，首先，在標準樣本（圖1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐)_ 14 . -. I 請先間it背面之注意事項再填寫參I > 装： 訂· i線· A7 B7 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 五、發明說明（12 ) )上’以低溫濺鍍，利用DC濺鍍堆積由鋁一矽1 . 〇重 量％—銅0.5重量％構成之薄膜厚度260nm的鋁合 金1 4。此時的堆積條件，於過程進行中使用氬，將該氣 的壓力控制在3mT〇rr ，堆積溫度10〇度，堆積速 度1 m /分。 然後，以高溫濺鍍，利用D C濺鍍堆積由鋁一矽 1.0重量％—銅0·5重量％構成之薄膜厚度240 n m的銘合金1 5。此時的堆積條件，於過程進行中使用 氬，將該氬的壓力控制在3 mT 〇 r r ，堆積溫度4 0 〇 度，堆積速度400nm/分。 最後’在保持在5 0度的半導體裝置上，利用DC濺 鍍堆積薄膜厚度3 0 nm的鈦膜1 6，然後再運用氮素和 氬的反應性’利用D C濺鍍堆積薄膜厚度3 0 nm的氮化 鈦膜1 7 ’就可以得到所要之埋設有配線連接孔的半導體 裝置。 說明評價此具有配線連接孔之半導體裝置的方法。和 實施範例1及範例2同樣地’在半導體裝置上鋪設正片型 的光阻劑1 8 ’進行一般的感光及影像處理，做成配線光 阻劑圖案。用光學測量此配線光阻劑圖案當中的精確度測 量標記，和已_經在半導體裝置上成形的精確度測量標記之 相對二次元的座標精確度的結果，發現任意X y方向的相 對誤差爲± 0 2 0 β m。另外，利用光勵起電流測量（ ◦ B I C )法觀察半導體裝置之配線連接孔的結果，確認 配線連接孔裡有空隙存在。 --------------裝— (請先Μ讀背面之注意事項#··填頁) 訂： 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 F 417178 ，， A7 ___B7____五、發明說明（13 ) 由此可知，因爲比較範例2之高溫濺鍍的堆積速度較 大，造成配線連接孔無法完全塡滿，信賴度較牴。 【產業上之利用可能性】 如上述所記載的，本發明之低溫濺鍍的薄膜厚度A和 高溫濺鍍的薄膜厚度B的關係是A>B，而由於高溫濺鍍 的堆積速度是在不損壞精確度測量標記的2 0 0 nm/分 以下的條件下，所以配線連接孔裡可以完全塡滿鋁或是以 鋁爲主要成份的鋁合金，並且保持精確度測量標記的形狀 ，使相對誤差減小。因此，本發明之半導體裝置的製造方 法，特別適用於各種半導體裝置之配線的成形。 【圖面之簡單說明】 第1圖係顯示隨著本發明的製造方法在鋁形成前之半 導體裝置的剖面圖。 第2圖係顯示隨著本發明的製造方法在鋁形成後，半 導體裝置的配線連接孔和精確度測量標記之剖面構造的剖 面圖。 第3圖係顯示隨著本發明的製造方法在鋁形成後，半 導體裝置的配_線連接孔和精確度測量標記之剖面構造的剖 面圖。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（210x297公釐）-16-

Claims (1)

  1. 〇 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種半導體裝置的製造方法，係屬於一種藉由濺 鍍法來堆積鋁或主成份爲鋁的合金，而使充塡設有配線連 接孔與精確度測量標記之半導體裝置的配線連接孔之半導 體裝置的製造方法；其特徵爲具有：在未滿3 〇 〇。(：的溫 度下堆積鋁或主成份爲鋁的合金之過程（低溫濺鏟），以 及在3 0 0°C以上的溫度下堆積鋁或主成份爲鋁的合金之 過程（高溫濺鍍），在上述未滿3 0 0 t下堆積的鋁或主 成份爲鋁的合金之膜厚A與在上述3 0 Gt以上堆積的鋁 或主成份爲鋁的合金之膜厚B爲：A>B，並且在上述 3 0 0°C以上堆積的鋁或主成份爲鋁的合金之堆積速度爲 不損傷上述精確度測量標記的形狀之速度。 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法 ’其中上述在3 0 0度以上的情況下堆積鋁或是以鋁爲主 要成份的鋁合金的堆積速度爲2 0 0 nm/分以下。 3 .如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法 ，其中上述堆積速度爲4 0 nm/分以上1 0 0 nm/分 以下。 ， ’ 4 .如申請專利範圍第1，2或3項之半導體裝置的 製造方法，其中上述低溫濺鍍是在室溫至1 0 0度之間的 溫度下進行' 5 .如申請專利範圍第1 ，2，或3項之半導體裝置 的製造方法，其中上述高溫濺鍍是在3 0 0度以上’ 5 0 0度以下的溫度下進行。 6.如申請專利範圍第5項之半導體裝置的製造方法 本紙張尺度適用中國國家棉準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I --··--I--ti-------II，\--------^--------------- -17- 4 8 80088 A0CD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ’其中上述高溫濺鎪是在3 5 0度以上，4 0 0度以下的 溫度下進行。 7 ·如申請專利範圍第1 ，2或3項之半導體裝窶的 製造方法’其中上述鋁材料爲鋁。 8 .如申請專利範圔第1，2或3項之半導體裝置的 製造方法，其中上述銀材料爲銘合金。 9 .如申請專利範圍第8項之半導體裝置的製造方法 ，其中上述鋁合金爲：鋁一矽1 . 〇重量％_銅〇 . 5重 量％。 10 .如申請專利範圍第1 ，2或3項之半導體裝置 的製造方法，其中是在底層形成後再形成鋁層。 11. 如申請專利範圍第1〇項之半導體裝置的製造 方法，其中上述底層可以選擇鈦膜、氮化鈦膜、鈦一鎢合 金膜、氮化鎢膜。 12. 如申請專利範圍第10項之半導體裝置的製造 方法，其中上述底層可以由鈦膜、氮化鈦膜、或是鈦膜的 積層体形成。 1 3 .如申請專利範圍第1 ’ 2或3項之半導體裝置 的製造方法，其中上述配線連接孔的部份可以用鎢埋設。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2J0x 297公釐）-18- — — — — — — — — — 1111111 > — 11111 — · t請先聞讀背面之注，意事項，再填寫私頁)
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